KR101339534B1 - 서셉터 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 서셉터에는, 제 1 서셉터; 및 상기 제 1 서셉터의 상측에 상기 제 1 서셉터와 분리가능하게 제공되는 제 2 서셉터가 포함된다. 본 발명에 따르면, 에피택셜 반응기의 유지에 들어가는 비용이 줄어들고, 열 스트레스로 인한 영향을 줄이고, 디바이스의 생산수율을 높일 수 있고, 서셉터를 안정적으로 사용할 수 있는 이점을 기대할 수 있다.
Description
본 발명은 서셉터에 관한 것이다.
초크랄스키 방법에 의해 성장된 원통형 잉곳을 절단기를 이용하여 디스크 모양으로 얇게 절단한 후에 표면을 화학적 기계적 방법으로 연마하여 얇은 웨이퍼를 만든다.
상기 웨이퍼의 종류는, 첨가된 불순물의 종류와 그 양에 의하여 결정되는데, 주기율 5족 물질인 인(Phosphorus, P) 또는 비소(Arsenic, As)와 같은 n형 불순물이 첨가되면 n형 웨이퍼로, 주기율 3족 물질인 붕소(Boron, B)와 같은 p형 불순물이 첨가되면 p형 웨이퍼로 만들어진다. 불순물은 실리콘 웨이퍼 전체에 골고루 분포되어야 하며, 불순물의 농도에 따라서 기판의 저항값이 좌우된다.
한편, 초크랄스키 방법을 통해 성장시키는 단결정 실리콘 웨이퍼 표면에, 결정 방향(crystal orientation)을 맞추어서 새로운 고순도의 결정층을 형성하는 공정을 에피택셜 성장법(epitaxial growth) 또는 에피택셜(epitaxial)법이라 하고, 이렇게 형성된 층을 에피택셜층(epitaxial layer) 또는 에피층(epi-layer)이라고 한다. 상술한 에피택셜층을 증착하는 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
에피택셜 웨이퍼는, 기판으로 사용되는 폴리쉬드 웨이퍼 (Polished Wafer)에, 대략 1130도(℃)의 고온으로 가열된 반응기의 화학 기상 증착법에 의해 얇은 단결정 층을 형성한 웨이퍼이다. 이때 화학 기상 증착법은 원료로 사용되는 가스를 기상에서 고상으로 상변이를 유도하기 때문에, 원료 가스의 유체 흐름, 기판 웨이퍼를 지지해 주는 서셉터의 재질 및 모형, 원료 가스를 라디컬로 분해시키는 에너지원의 조화가 중요하다. 특히 300mm의 대구경 웨이퍼에서는 웨이퍼 끝(Edge) 부분까지 균일한 에피택셜 층의 증착이 어렵기 때문에 반응기 내 가스의 유체 흐름과 서셉터 모형이 중요한 변수이다. 예를 들어, 상기 에피택셜 웨이퍼를 형성하는 중에 n형 또는 p형으로 다량으로 도핑되어 있는 폴리쉬드 웨이퍼에서는, 화학 기상 증착법에 의해서 단결정층을 형성할 때에 상기 폴리쉬드 웨이퍼에 포함되어 있는 n형 또는 p형의 이온이 웨이퍼와 서셉터의 사이 공간을 따라서 웨이퍼의 상측으로 이동하여 웨이퍼의 테두리 부분에 집중 도핑된다. 그러므로, 새로이 성장되는 단결정층이 원하지 않는 상태로 스스로 도핑되어 버리는 문제가 있다. 이러한 문제점을 오토도핑현상(auto doping)이라고 말하는 경우가 있다.
또한, 상기 웨이퍼는 에피택셜 공정 진행 전에는 자연 산화막 층으로 덮여 있어 에피택셜 공정을 진행하면 다결정의 에피택셜 층이 형성된다. 따라서, 상기 자연산화막 제거를 위해 웨이퍼의 표면을 1150℃ 정도의 고온에서 H2(hydrogen) 가스에 노출시키는 과정을 거치게 된다. 이 과정 동안 웨이퍼 표면의 자연 산화막은 고르게 제거되나, 웨이퍼의 후면은 에지 영역 및 서셉터와 리프트 핀 사이의 공간으로 유입된 수소 가스에 의해 부분적으로 자연 산화막이 제거된다. 따라서, 경면 처리된 웨이퍼의 후면은 불균일한 에피택셜층 성장에 의해 에지 영역 및 리프트 핀 주위에 흐리게 관찰되는 영역이 발생한다. 또한, 반응기에 웨이퍼가 반입되어 서셉터에 안착될 때 반응 가스가 웨이퍼와 서셉터 사이에 유입되어 배기되지 못하면 웨이퍼의 중앙 부분에도 헤일로현상(halo 현상)이 발생한다.
설명되는 바와 같은 오토도핑현상 및 헤일로현상은 웨이퍼의 품질 및 반도체칩의 품질에 많은 영향을 미친다. 이 문제를 개선하기 위하여 서셉터를 홀이 형성되는 다공성 서셉터로 제작하여, 웨이퍼와 서셉터 사이 간격부의 물질이 서셉터의 하측으로 원활히 배출될 수 있도록 한다.
그러나, 상기 다공성 서셉터를 이용하는 경우에는, 램프 열이 홀을 통하여 웨이퍼로 전달되어, 웨이퍼의 국부적인 위치에 열 스트레스를 발생시킨다. 상기 열 스트레스로 인하여 슬립 전위(slip dislocation)가 발생하고 후면에 표면 거칠기 현상 등이 발생할 수 있으므로 웨이퍼의 나노 품질이 악화된다. 또한, 열 스트레스가 큰 영역은 디바이스 공정에서 불량으로 이어지는 문제점이 있다. 상기되는 열 스트레스는 열전달이 원활하지 못한 웨이퍼의 에지영역에서 현저하게 발생한다. 따라서 이러한 문제는 에지 스트레스(edge stress)라고 이름하기도 한다. 이 현상은 웨이퍼의 에지영역에서 제조되는 디바이스의 생산수율을 떨어뜨리게 된다.
한편, 서셉터에는 웨이퍼가 놓이고, 이 상태에서 가열동작이 수행된다. 그러므로, 마찰에 의해서 서셉터가 마모되는 일이 발생하고, 어느 조그만 부분에서도 마찰에 의해서 서셉터 표면의 탄화규소 코팅막이 손상을 입으면 전체 서셉터를 교체해야 한다. 그렇지 아니한 경우에는 서셉터를 이루를 흑연 등의 이물질이 배출되어 에피택셜 반응기가 제대로 동작하지 못하게 된다. 이와 같은 문제는 에피팩셜 반응기의 운전비용을 높이는 문제로 작용한다.
본 발명은 상기되는 문제점을 개선하기 위하여 제안되는 것으로서, 다공성 서셉터를 사용하여 오토도핑현상 및 헤일로현상을 개선하고, 이와 함께 열 스트레스로 인한 문제점 및 서셉터의 마모로 인한 유지비용의 상승이라는 문제점을 개선할 수 있는 서셉터를 제안한다.
상기되는 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 서셉터에는, 제 1 서셉터; 및 상기 제 1 서셉터의 상측에 상기 제 1 서셉터와 분리가능하게 제공되는 제 2 서셉터가 포함되고, 상기 제 1 서셉터 및 상기 제 2 서셉터에는 홀이 제공되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 에피택셜 반응기의 유지에 들어가는 비용이 줄어들고, 열 스트레스로 인한 영향을 줄이고, 디바이스의 생산수율을 높일 수 있고, 서셉터를 안정적으로 사용할 수 있는 이점을 기대할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 에피텍셜 반응기의 개념도.
도 2는 서셉터의 구성을 상세하게 설명하는 측방 절단면도.
도 3 내지 도 6은 서셉터의 접촉부의 실시형태를 보이는 도면.
도 7은 서셉터에 제공되는 홀의 경사각을 예시하는 도면.
도 2는 서셉터의 구성을 상세하게 설명하는 측방 절단면도.
도 3 내지 도 6은 서셉터의 접촉부의 실시형태를 보이는 도면.
도 7은 서셉터에 제공되는 홀의 경사각을 예시하는 도면.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 첨부되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 구성요소의 부가, 변경, 삭제 및 추가 등에 의해서 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다.
도 1은 실시예에 따른 에피텍셜 반응기의 개념도이다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼(6)를 반응기 내로 인입출시키는 블레이드(5)와, 상기 블레이드(5)의 인출시에 웨이퍼(6)를 하측에서 지지하기 위하여 서로 이격되는 위치에 복수 개 마련되는 리프트 핀(1), 상기 리트프 핀(1)을 밀어올리는 역할을 수행하는 리프트 핀 지지축(2), 반응기의 동작 시에 웨이퍼(6)가 재치되고 에피택셜 반응기의 동작 시에 웨이퍼의 가열작용을 수행하는 서셉터(31)(32), 상기 서셉터를 승하강시키며 하측에서 지지하는 서셉터 지지축(4)이 도시된다. 여기서 상기 서셉터(3)는 두 개의 서로 분리되는 부품으로 나뉘어져 있어서, 전체 틀을 이루는 제 1 서셉터(도 2의 31참조)와, 상기 제 1 서셉터(31)의 위에 놓이는 제 2 서셉터(도 2의 32참조)로 구분된다.
상기되는 바와 같은 에피텍셜 반응기는 이하와 같은 방식으로 동작한다. 반송용의 블레이드(5)가 웨이퍼(6)를 반응기 내에 반입하면, 리프트 핀(1)이 올라와서 웨이퍼(6)를 위에 받혀서 지지하고 블레이드(5)는 빠져 나간다. 이후에 리프트 핀(1)이 내려오고, 서셉터 지지축(4)에 의해서 지지되는 서셉터(31)(32)위에 웨이퍼(6)가 놓이게 된다. 이후에는 서셉터가 가열되는 등의 과정을 통하여 단결정 막을 성장시키는 일련의 과정이 진행된다.
도 2는 실시예에 따른 서셉터의 구성을 상세하게 설명하는 측방 절단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 서셉터(3)에는, 웨이퍼(6)가 상측에 놓일 수 있도록 제공되는 제 2 서셉터(32)와, 상기 제 2 서셉터(32)를 하측에서 받히는 형태로 제공되는 제 1 서셉터(31)가 포함된다. 상기 서셉터(31)(32)에는 상기 리프트핀(1)이 승하강할 수 있도록 리프트핀홀(미도시)이 마련되어 있다. 상기 제 1 서셉터(31)에는 하측으로 함몰되는 형태로 안착부(4)가 제공될 수 있고, 상기 안착부(4) 안에 제 2 서셉터(32)가 놓이는 형태로 제공될 수 있다.
상기 서셉터(31)(32)는 서셉터(31)(32)의 하측으로 가스 등의 이동이 자유롭게 하는 홀(33)(34)이 마련되어 있다. 상기 홀(33)(34)은 오토도핑 및 헤일로현상을 억제하기 위하여 마련되어 있다. 한편, 램프(미도시)로부터의 열이 웨이퍼(6)에 직접 영향을 주지 않도록 하기 위하여, 상기 제 1 홀(33)과 제 2 홀(34)이 서로 겹치지 않는 형태로 제공되는 것이 바람직하다. 이로써 열 스트레스의 영향이 줄어들도록 할 수 있다. 물론, 상기 홀(33)(34)이 서로 겹치는 형태로 마련되더라도, 열 스트레스의 영향을 조금 받을 우려가 있을 뿐이지, 실시가 불가능한 것은 아니다. 또한, 홀(33)(34)이 상하방향으로 연장되는 각도 또는 홀의 형태가 서로 달라지는 경우에는, 홀이 서로 겹치게 마련되더라도 열 스트레스로 인한 영향을 받지 아니할 수 있을 것이다.
상기 제 2 서셉터(32)가 제 1 서셉터(31)에 대하여 미리 정하여진 위치에서 그 위치를 유지하고 있도록 하기 위하여, 상기 제 2 서셉터(32)에 대한 고정수단이 마련될 수 있다. 상기 고정수단으로서는, 고정핀(35)이 사용될 수 있다. 즉, 제 2 서셉터(32)에 제공되는 홀과 제 1 서셉터(31)에 제공되는 홈에 끼워지도록 함으로써, 서셉터(31)(32)의 상호 간의 위치가 고정될 수 있는 것이다. 상기 고정핀(35)은 하나로 제공될 수도 있고, 두 개 이상이 마련될 수도 있다. 상기 고정핀(35)은 상기 제 2 서셉터(32)의 테두리 부분에 마련될 수 있는데, 이러한 위치관계에 따르면, 서셉터의 설치가 편리하게 수행될 수 있다.
상기 제 2 서셉터(32)는 상기 제 1 서셉터(31)의 사이에는 일정한 간격이 제공된다. 이로써, 상기 제 2 서셉터(32)의 하측으로 배출되는 가스는 상기 제 1 서셉터(31)와 제 2 서셉터(32)의 사이에서 유동할 수 있다. 물론, 서셉터(31)(32)의 사이 간격부에서 유동하는 가스는 상기 제 1 서셉터(31)를 통해서 배출될 수도 있다. 이를 위하여 상기 서셉터(31)(32)의 접촉부는 일자가 아닌 곡선형으로 제작될 수 있다.
도 3 내지 도 6은 서셉터(31)(32)가 서로 일정한 간격을 유지하도록 하는 다양한 예를 보이고 있다. 상세하게, 도 3은 제 1 서셉터(31)의 상면 및 제 2 서셉터(32)의 하면이 각각 볼록하게 제공되는 구성이다. 이 구성에 따르면, 간격부에 공간이 생겨서 가스가 그 내부에서 유동할 수 있다. 도 4는 제 1 서셉터(31)의 상면 및 제 2 서셉터(32)의 하면이 각각 오목하게 제공되는 구성이다. 이 구성에 으해서도, 서셉터(31)(32)의 사이에 간격이 생겨서 가스가 유동할 수 있다. 도 5는 제 1 서셉터(31)의 상면은 편평한 면을 이루고, 제 2 서셉터(32)의 하면은 볼록하게 제공되는 구성이고, 도 6은 제 1 서셉터(31)의 상면은 편평한 면을 이루고, 제 2 서셉터(32)의 하면은 오목하게 제공되는 구성이다. 이 구성에 의해서도 서셉터 간의 사이 간격부가 제공될 수 있으므로 가스의 유동에는 문제가 없다.
이 외에도, 제 2 서셉터(32)의 하면은 편평하고, 제 1 서셉터(31)의 상면은 불록하거나 오목하게 제공될 수 있다. 이와 같은 경우에도 반응가스의 원활한 유동에 의해서 오토도핑현상 및 헤일로현상의 억제, 열 스트레스의 완화효과를 얻을 수 있을 것이다.
상기 홀은 특정의 크기를 가질 수 있다. 일 예로서 상기 제 1 홀(33)은 0.3~10밀리미터의 크기를 가질 수 있고, 상기 제 2 홀(34)은 0.3~1.5밀리미터의 크기를 가질 수 있다. 상기 제 2 홀(34)이 상기 제 1 홀(33)에 비하여 크기가 작은 것은, 상기 제 2 홀(34)은 웨이퍼의 하면에 직접 마련되어 웨이퍼로 직접 열스트레스를 가할 수 있기 때문에 그 영향을 줄이기 위한 목적이 있다. 또한, 홀이 작으면 작을수록 열 스트레스의 영향은 줄어들지만 가공이 어렵고 탄화규소 코팅막의 형상이 어려우므로 상기되는 하한치는 넘지 않는 것이 바람직하다.
한편, 상기 홀이 제공되는 위치는 오토도핑현상을 방지하기 위하여, 웨이퍼의 에지부를 기준으로 할 때 2밀리미터 안쪽부터 서셉터의 중앙까지 형성될 수 있을 것이다. 더 상세하게 홀이 제공되는 영역을 설명하도록 한다. 제 1 서셉터(31)는 서셉터의 테두리 부분에 폭 50밀리미터 정도의 반지름 폭 영역에 제공되고, 제 2 서셉터(32)의 경우에는 서셉터의 전체영역에 제공될 수 있다. 또 다른 경우로서 제 1 서셉터(31)는 서셉터의 테두리 부분에 폭 80밀리미터 정도의 반지름 폭 영역에 제공되고, 제 2 서셉터(32)의 경우에는 테두리 20밀리미터 정도의 영역에 형성될 수 있다. 이러한 구성에 따르면 일정부분에 제 1 서셉터에서 홀이 제공되는 영역과 제 2 서셉터에서 홀이 제공되는 영역이 가스가 원활히 배출되는 기능에 있어서 문제는 없다.
한편, 상기 서셉터(31)(32)는 모두 홀이 제공되는 것으로 설명이 되어 있으나, 서셉터(31)(32)에 홀이 형성되지 않은 실시형태도 본 발명의 사상에 포함될 수 있다. 이와 같은 경우에는, 비록 가스의 배출에 의한 효과를 얻을 수는 없으나, 노후화가 진행된 서셉터를 그 전체로서 교체할 필요없이 제 2 서셉터만 교체하고 제 1 서셉터는 그대로 사용할 수 있다. 이와 같은 실시형태는 외부물체가 자주 접촉하여 고장이 주로 발생하는 제 2 서셉터만 교체하고 제 1 서셉터는 교체하지 않아도 되므로, 장비의 유지비용이 줄어드는 이점은 여전히 얻을 수 있다.
제 1 서셉터(31) 및 제 2 서셉터(32)이 홀의 유무 및 홀의 위치에 대한 구성에 구분에 따라서 표 1과 같은 다양한 경우의 수가 제시가능할 것이다. 상기되는 표 1의 각 박스의 내부에는 각 실시형태에 따른 효과가 기재되어 있다.
| 구분 |
제 2 서셉터 | ||||
| 홀없음 | 전체 홀 | 중앙에만 홀 | 에지에만 홀 | ||
| 제 1 서셉터 |
홀없음 | * 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용감소 |
* 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용감 |
* 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용감 |
* 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용감 |
| 전체 홀 | * 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용감 |
* 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용절감 * 오토도핑/헤일로/열스트레스제어가능 |
* 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용절감 * 오토도핑/헤일로/열스트레스제어가능 |
* 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용절감 * 오토도핑/헤일로/열스트레스제어가능 |
|
| 중앙에만 홀 | * 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용감 |
* 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용절감 * 오토도핑/헤일로/열스트레스제어가능 |
* 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용절감 * 오토도핑/헤일로/열스트레스제어가능 |
* 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용절감 * 오토도핑/헤일로/열스트레스제어가능 |
|
| 에지에만 홀 | * 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용감 |
* 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용절감 * 오토도핑/헤일로/열스트레스제어가능 |
* 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용절감 * 오토도핑/헤일로/열스트레스제어가능 |
* 제2서셉터만 교체가능 * 에피택셜 반응기의 유지비용절감 * 오토도핑/헤일로/열스트레스제어가능 |
|
한편, 상기 홀(33)(34)은, 상하방향으로 연장되는 형상은 명확하지만, 구현되는 경사각은 다양한 형태로 제공될 수 있다. 도 7은 경사각을 예시하는 도면이다.
도 7을 참조하면, 제 1 서셉터(81)의 상측에 제 2 서섭터(82)가 놓여있다. 각각의 서셉터(81)(82)에는 홀이 제공되는데, 다양한 경사각으로 구현될 수 있다. 도면에 예시되는 바와 같이, A,a는 수직인 홀, B,b는 급격한 경사각을 이루는 홀, C,c는 완만한 경사각의 홀이다. 상기되는 바와 같은 다양한 경사각을 가지는 홀이 제공될 수 있다. 대문자로 표시되는 제 2 서셉터(82)의 홀의 경사각은 소문자로 표시되는 제 1 서셉터(81)의 어느 홀과도 조합될 수 있을 것이다. 다만, 제 1 서셉터(81)을 통과하는 램프 열이 제 2 서셉터(82)를 통과하여 웨이퍼(6)에 이르지 않도록 하기 위하여, 경사각을 달리하거나, 제 1 서셉터의 상면의 홀과 제 2 서셉터의 하면의 홀이 서로 일치되지 않거나 하는 방법이 적용될 수 있을 것이다.
본 발명에는 다른 실시예가 더 포함될 수 있다. 예를 들어, 제 2 서셉터가 제 1 서셉터에 대하여 분리가능한 형태가 아니라 제 1 서셉터에 고정되어 있고서, 각각의 홀이 서로 정렬되지 않도록 마련될 수도 있다. 이 경우에는 제 2 서셉터만의 교체는 어려울 수 있지만, 오토도핑현상 및 헤일로현상을 억제하면서도 열 스트레스의 영향을 줄일 수 있는 효과는 충분히 얻을 수 있을 것이다.
한편, 상기 서셉터에 제공되는 홀의 크기, 밀도, 및 위치는 공정의 여러 변수를 이용하여 제어가 가능한 것으로서, 실시예에 제시되는 수치로 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 따르면, 오토도핑현상 및 헤일로현상을 제어할 수 있으면서, 열 스트레스로 인한 영향을 줄일 수 있다. 아울러, 전체 서셉터를 교체하지 않고 부분품으로서 제 2 서셉터만 교체하면 되므로 에피택셜 반응기의 유지비용이 줄어드는 장점이 있다. 이로써, 가격경쟁력이 심해지는 웨이퍼 업계에 적극적으로 대응할 수 있다.
31:제 1 서셉터
32:제 2 서셉터
33:제 1 홀
34:제 2 홀
32:제 2 서셉터
33:제 1 홀
34:제 2 홀
Claims (11)
- 제 1 서셉터; 및
상기 제 1 서셉터의 상측에 상기 제 1 서셉터와 분리가능하게 제공되는 제 2 서셉터가 포함되고,
상기 제 1 서셉터 및 상기 제 2 서셉터에는 홀이 제공되며,
상기 제 1 서셉터에 제공되는 홀이 형성되는 영역과 상기 제 2 서셉터에 제공되는 홀이 형성되는 영역의 적어도 일부는 서로 겹치고,
상기 제 1 서셉터 및 상기 제 2 서셉터의 적어도 어느 일부가 이격되어 있는 서셉터. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 서셉터의 상면 및 상기 제 2 서셉터의 하면이 서로 일정거리 이격될 수 있도록,
상기 제 1 서셉터의 상면 및 상기 제 2 서셉터의 하면 중의 적어도 어느 하나는 곡면으로 제공되는 서셉터. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 서셉터의 상면 및 상기 제 2 서셉터의 하면 중의 적어도 어느 하나는 편평한 면인 서셉터. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 서셉터 및 상기 제 2 서셉터의 적어도 어느 일부는 서로 접촉되는 서셉터. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 서셉터 및 상기 제 2 서셉터의 상호 요동을 방지하는 고정수단이 포함되는 서셉터. - 제 6 항에 있어서,
상기 고정수단은 상기 제 1 서셉터와 상기 제 2 서셉터에 함께 지지되는 고정핀인 서셉터. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 서셉터에 제공되는 홀이 상기 제 2 서셉터에 제공되는 홀보다 큰 서셉터. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 홀은 경사지는 서셉터. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 서셉터의 상면에서 하측으로 함몰되어, 상기 제 2 서셉터가 놓이는 안착부가 포함되는 서셉터.
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