KR20130083567A - 서셉터 및 에피택셜 반응기 - Google Patents

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KR20130083567A
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shielding
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구영수
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주식회사 엘지실트론
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Abstract

본 발명에 따른 에피택셜 반응기에는, 웨이퍼를 지지하고, 홀이 제공되는 서셉터; 고온분위기를 제공하는 램프; 및 상기 서셉터와 상기 램프의 사이에 개입되는 차폐막이 포함되는 에피택셜 반응기.
본 발명에 따르면, 오토도핑현상 및 헤일로현상을 억제하기 위하여 다공성 서셉터를 채용하면서도, 열 스트레스로 인한 디바이스의 수율저하 및 웨이퍼의 나노품질저하의 문제를 방지하는 장점을 기대할 수 있다. 또한, 에피택셜 반응기의 동작 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.

Description

서셉터 및 에피택셜 반응기{SUSCEPTOR AND EPITAXIAL REACTOR}
본 발명은 서셉터 및 에피택셜 반응기에 관한 것이다.
초크랄스키 방법에 의해 성장된 원통형 잉곳을 절단기를 이용하여 디스크 모양으로 얇게 절단한 후에 표면을 화학적 기계적 방법으로 연마하여 얇은 웨이퍼를 만든다.
상기 웨이퍼의 종류는, 첨가된 불순물의 종류와 그 양에 의하여 결정되는데, 주기율 5족 물질인 인(Phosphorus, P) 또는 비소(Arsenic, As)와 같은 n형 불순물이 첨가되면 n형 웨이퍼로, 주기율 3족 물질인 붕소(Boron, B)와 같은 p형 불순물이 첨가되면 p형 웨이퍼로 만들어진다. 불순물은 실리콘 웨이퍼 전체에 골고루 분포되어야 하며, 불순물의 농도에 따라서 기판의 저항값은 좌우된다.
한편, 초크랄스키 방법을 통해 성장시키는 단결정 실리콘 웨이퍼 표면에 결정 방향(crystal orientation)을 맞추어서 새로운 고순도의 결정층을 형성하는 공정을 에피택셜 성장법(epitaxial growth) 또는 에피택셜(epitaxial)법이라 하고, 이렇게 형성된 층을 에피택셜층(epitaxial layer) 또는 에피층(epi-layer)이라고 한다. 상술한 에피택셜층을 증착하는 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
에피택셜 웨이퍼는 기판으로 사용되는 폴리쉬드 웨이퍼(Polished Wafer)에 대략 1130도(℃)의 고온으로 가열된 반응기의 화학 기상 증착법에 의해 얇은 단결정 층을 형성한 웨이퍼이다. 이때 화학 기상 증착법은 원료로 사용되는 가스를 기상에서 고상으로 상변이를 유도하기 때문에, 원료 가스의 유체 흐름, 기판 웨이퍼를 지지해 주는 서셉터의 재질 및 모형, 원료 가스를 라디컬로 분해시켜주는 에너지원의 조화가 중요하다. 특히 300mm의 대구경 웨이퍼에서는 웨이퍼 끝(Edge) 부분까지 균일한 에피택셜 층 증착이 어렵기 때문에 반응기 내 가스의 유체 흐름과 서셉터 모형이 중요한 변수이다. 예를 들어, 상기 에피택셜 웨이퍼를 형성하는 중에 n형 또는 p형으로 다량으로 도핑되어 있는 폴리쉬드 웨이퍼에서는, 화학 기상 증착법에 의해서 단결정층을 형성할 때에 상기 폴리쉬드 웨이퍼에 포함되어 있는 n형 또는 p형의 이온이 웨이퍼와 서셉터의 사이 공간을 따라서 웨이퍼의 상측으로 이동하여 웨이퍼의 테두리 부분에 집중 도핑된다. 그러므로, 새로이 성장되는 단결정층이 원하지 않는 상태로 스스로 도핑되어 버리는 문제가 있다. 이러한 문제점을 오토도핑현상(auto doping)이라고 말하는 경우가 있다.
상기 웨이퍼는 에피택셜 공정 진행 전에는 자연 산화막 층으로 덮여 있어 에피택셜 공정을 진행하면 다결정의 에피택셜 층이 형성된다. 따라서, 상기 자연산화막 제거를 위해 웨이퍼의 표면을 1150℃ 정도의 고온에서 H2(hydrogen) 가스에 노출시키는 과정을 거치게 된다. 이 과정 동안 웨이퍼 표면의 자연 산화막은 고르게 제거되나, 웨이퍼의 후면은 에지 영역 및 서셉터와 리프트 핀 사이의 공간으로 유입된 수소 가스에 의해 부분적으로 자연 산화막이 제거된다. 따라서, 경면 처리된 웨이퍼의 후면은 불균일한 에피택셜층 성장에 의해 에지 영역 및 리프트 핀 주위에 흐리게 관찰되는 영역이 발생한다. 또한, 반응기에 웨이퍼가 반입되어 서셉터에 안착될 때 반응 가스가 웨이퍼와 서셉터 사이에 유입되어 배기되지 못하면 웨이퍼의 중앙 부분에도 헤일로현상(halo 현상)이 발생한다.
설명되는 바와 같은 오토도핑현상 및 헤일로현상은 웨이퍼의 품질 및 반도체칩의 품질에 많은 영향을 미친다. 이 문제를 개선하기 위하여 서셉터를 홀이 형성되는 다공성 서셉터로 하여, 웨이퍼와 서셉터 사이 간격부의 물질이 서셉터의 하측으로 원활히 배출될 수 있도록 한다.
그러나, 상기 다공성 서셉터를 이용하는 경우에는, 램프 열이 홀을 통하여 웨이퍼로 전달되어, 웨이퍼의 국부적인 위치에 열 스트레스를 발생시킨다. 상기 열 스트레스로 인하여 슬립 전위(slip dislocation)가 발생하고 후면에 표면 거칠기 현상 등이 발생할 수 있으므로 웨이퍼의 나노 품질이 악화된다. 또한, 열 스트레스가 큰 영역은 디바이스 공정에서 불량으로 이어지는 문제점이 있다.
본 발명은 상기되는 문제점을 개선하기 위하여 제안되는 것으로서, 오토도핑현상 및 헤일로현상을 억제하기 위하여 다공성 서셉터를 채용하면서도, 열 스트레스로 인한 디바이스의 수율저하 및 웨이퍼의 나노품질저하의 문제를 방지할 수 있는 서셉터 및 에피택셜 반응기를 제안한다.
상기되는 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 에피택셜 반응기에는, 웨이퍼를 지지하고, 홀이 제공되는 서셉터; 고온분위기를 제공하는 램프; 및 상기 서셉터와 상기 램프의 사이에 개입되는 차폐막이 포함된다.
다른 측면에 따른 본 발명의 서셉터에는, 웨이퍼를 지지하고 홀이 제공되는 제 1 서셉터; 및 상기 제 1 서셉터와 램프의 사이에 개입되도록 상기 제 1 서셉터의 하측에 마련되어, 상기 램프에 의한 제 1 서셉터의 직접 가열을 방지하는 제 2 서셉터가 포함된다.
본 발명에 따르면, 오토도핑현상 및 헤일로현상을 억제하기 위하여 다공성 서셉터를 채용하면서도, 열 스트레스로 인한 디바이스의 수율저하 및 웨이퍼의 나노품질저하의 문제를 방지하는 장점을 기대할 수 있다. 또한, 에피택셜 반응기의 동작 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 에피택셜 반응기의 개념도.
도 2는 서셉터 및 차폐막과 각각의 지지구조만을 간략히 나타내는 도면.
도 3은 제 2 실시예에 따라서 서셉터 및 차폐막과 각각의 지지구조를 간략히 나타내는 도면.
도 4는 제 3 실시예에 따라서 서셉터 및 차폐막과 각각의 지지구조를 간략하게 나타내는 도면.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 첨부되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 구성요소의 부가, 변경, 삭제 및 추가 등에 의해서 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한, 본 발명의 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다.
<제 1 실시예>
도 1은 제 1 실시예에 따른 에피텍셜 반응기의 개념도이다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼(6)를 반응기 내로 인입출시키는 블레이드(5)와, 상기 블레이드(5)의 인출시에 웨이퍼(6)를 하측에서 지지하기 위하여 서로 이격되는 위치에 복수 개 마련되는 리프트 핀(1), 상기 리프트 핀(1)을 밀어올리는 역할을 수행하는 리프트 핀 지지축(2), 반응기의 동작 시에 웨이퍼(6)가 재치되고 에피택셜 반응기의 동작 시에 웨이퍼의 가열작용을 수행하는 서셉터(3)가 포함된다. 이 외에도 반응가스를 흡기 배기하는 구성 등 에피택셜 반응기의 동작을 위하여 필요한 구성요소가 포함되는 것은 당연하다.
상기 서셉터가 상하방향으로 움직이도록 하기 위하여, 상기 서셉터를 승하강시키도록 상하방향으로 움직이는 서셉터 지지축(4), 상기 서셉터 지지축(4)의 상단부에 마련되어 서셉터 핀(8), 상기 서셉터 핀(8)이 놓여서 상기 서셉터(3)가 안정되게 서셉터 지지축(4)에 의해서 상하운동 가능하도록 하는 서셉터핀 안착부(9)가 포함된다.
상기 서셉터 핀(8)은 돌기 형태이고, 상기 서셉터 핀 안착부(9)는 상기 서셉터(3)의 하면에서 상방으로 조금 함입되는 형태로서 상기 서셉터 핀(8)과 유사한 형태로 제공될 수 있다. 이로써, 상기 서셉터 핀 안착부(9)에 상기 서셉터 핀(8)이 삽입되면, 상기 서셉터(3)는 상기 서셉터 지지축(4)의 움직임에 요동없이 상하방향으로 추종할 수 있다.
상기 서셉터 지지축(4)은, 상하로 길게 연장되는 축에 세 개의 발이 상측으로 분기되어 뻣어 있는 형상으로 제공될 수 있다. 이로써, 상기 서셉터(3)의 수평방향 지지가 안정적으로 이루어질 수 있다.
상기 서셉터(3)는 오토도핑현상 및 헤일로현상을 방지하기 위하여 다공성으로 제작될 수 있다. 이 경우에는 홀에 의해서 국부적인 열 스트레스가 웨이퍼에 가하여 질 수 있다. 이 문제를 막기 위하여 실시예에서는 상기 서셉터(3)의 하측에 차폐막(13)을 설치하여 서셉터(3)와 함께 동작하도록 한다.
상기 차폐막(13)과 관련되는 구성을 더 상세하게 설명한다.
상기 차폐막(13)은 상기 서셉터(3)의 하측에 제공되어, 램프(14)의 열이 직접 서셉터(3)에 가하여지는 것을 막을 수 있다. 상기 차폐막(13)은 상기 서셉터(3)의 움직임에 방해로 작용하지 않도록 한다. 이를 위하여, 상기 차폐막(13)을 상하로 움직이는 외력을 제공하는 차폐막 지지축(10), 상기 차폐막 지지축(10)의 상단부에 마련되는 차폐막 핀(11), 상기 차폐막 핀(11)이 놓여서 상기 차폐막(13)이 안정되게 차폐막 지지축(10)에 의해서 상하운동 가능하도록 하는 차폐막핀 안착부(12)가 포함된다.
상기 차폐막 핀(11)은 돌기 형태이고, 상기 차폐막핀 안착부(12)는 상기 차폐막(13)의 하면에서 상방으로 조금 함입되는 형태로서 상기 차폐막 핀(11)과 유사한 형태로 제공될 수 있다. 이로써, 상기 차폐막 핀 안착부(12)에 상기 차폐막 핀(11)이 삽입되면, 상기 차폐막(13)은 상기 차폐막 지지축(12)의 움직임에 요동없이 상하방향으로 추종할 수 있다.
상기 차폐막 지지축(10)은, 서포터 지지축(4)과 마찬가지로 상하로 길게 연장되는 축에 세 개의 발이 상측으로 분기되어 뻣어 있는 형상으로 제공될 수 있다. 이로써, 상기 차폐막(13)의 수평방향 지지작용이 안정적으로 이루어질 수 있다.
상기 차폐막 지지축(10)으로 제공되는 세 개의 발과, 상기 서셉터 지지축(4)으로 제공되는 세 개의 발은 단일의 중심축(30)에 의해서 지지되어 있을 수 있다. 예를 들어 중심축(30)에서 소정의 각도로 이격되어서 상측으로 연장되는 어느 한 세트로서 세 개의 발은 서셉터 지지축(4)을 이룰 수 있다. 또한, 상기 서셉터 지지축(4)을 제공하는 중심축(30)과 동일한 축에서, 상기 서셉터 지지축(4)과 간섭을 이루지 않는 범위 내에서 세 개의 발이 서로 이격되어 상측으로 연장되는 어느 한 세트로서 세 개의 발은 차폐막 지지축(10)을 이룰 수 있다. 이 구성에 따르면, 상기 중심축(30)에 의해서 상기 서셉터(3) 및 차폐막(13)은 간섭이 없이 안정적으로 지지될 수 있다. 이로써, 상기 서셉터 및 상기 차폐막은 서로 간섭되지 않고 움직일 수 있다.
상기 차폐막(13)은, 상기 서셉터(3)의 재질과 동일한 재질로 만들어질 수 있다. 즉, 흑연에 탄화규소의 코팅막이 제공되는 형태로 이루어질 수 있다. 그러므로, 상기 차폐막(13)은 제 2 서셉터라고 할 수 있다. 상기 차폐막에는 열차단능력을 높이기 위하여 내/외부에 과열억제물질이 더 포함되어 있을 수 있다.
실시예와 같은 에피텍셜 반응기는 이하와 같은 방식으로 동작한다. 반송용의 블레이드(5)가 웨이퍼(6)를 반응기 내에 반입하면, 리프트 핀(1)이 올라와서 웨이퍼(6)를 위에 받혀서 지지하고 블레이드(5)는 빠져나간다. 이후에 리프트 핀(1)이 내려오고, 서셉터 지지축(4)에 의해서 지지되는 서셉터(3) 위에 웨이퍼(6)가 놓이게 된다. 상기 서셉터(3)의 하측에는 상기 차폐막(13)이 제공되고, 상기 서셉터(3) 및 상기 차폐막(13)은 양자가 동일한 지지점에서 지지되는 형태로 제공되므로, 상기되는 바와 같은 동작에 있어서, 서로가 간섭되거나 동작이 되지 않는 경우는 발생하지 아니한다.
이후에는 서셉터가 가열되는 등의 과정을 통하여 단결정 막을 성장시키는 일련의 과정이 진행된다. 이때에도, 상기 차폐막(13)은 상기 서셉터(3)의 홀을 통하여 직접 가하여 질 수 있는 램프(14)의 열을 차폐하여 서셉터(3)의 국부적인 가열을 막을 수 있도록 한다. 상기 차폐막(13)에 의해서 램프(14)의 열이 온전히 차단되도록 하기 위하여 상기 차폐막(13)에는 홀이 제공되지 않을 수 있다.
한편, 상기 서셉터(3)의 하측에 상기 차폐막(13)이 제공되어야 하는 제한조건으로 인하여, 서셉터 핀(8)의 높이는 차폐막 핀(11)에 비하여 높은 것이 바람직하다. 그 외의 구성을 도 2에 제시되는 여타구성은 제외하고 서셉터 및 차폐막과 각각의 지지구조의 간략도를 참조하여 설명한다.
도 2를 참조하면, 다공성의 서셉터(3)에 웨이퍼가 놓여 있고, 상기 서셉터(3)의 하측에는 차폐막이 제공된다. 상기 차폐막(13)은 적어도 상기 서셉터(3)에 제공되는 홀은 모두 차폐할 수 있는 크기 및 면적으로 제공되는 것이 바람직하다. 이로써, 상기 램프(14)의 열이 홀에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있을 것이다.
상기 차폐막 핀(11)은 상기 서셉터 핀(8)에 비하여 짧게 제공되는 것이 바람직하다. 이로써, 차폐막(13)이 서셉터(3)의 하측으로 일정거리 이격되는 위치에 놓여 있을 수 있다. 상기 차폐막(13)과 상기 서셉터(3)가 적어도 일정 거리를 두고서 떨어져 있도록 함으로써, 상기 서셉터(3)의 홀을 위한 가스의 유동이라는 다공성 서셉터(3)의 본연의 목적을 달성할 수 있기 때문이다. 또한, 이미 설명한 바와 같이, 서셉터 및 차폐막이 서로 간섭되지 않도록 하고 제작의 편리성이 높아지도록 하기 위하여, 상기 서셉터 지지축 및 상기 차폐막 지지축은 동일한 중심축(30)을 가지도록 할 수 있다. 물론, 상기 차폐막과 상기 서셉터 사이의 간격부가 일정한 간격(도 1의 w1참조)으로 안정되게 놓여 있을 수 있도록 하는 기능을 수행하는 것도 물론이다.
상기 서셉터 핀 및 차폐막 핀은 탄화규소를 그 재질로 하여 애피택셜 반응기의 동작에 영향을 미치지 않도록 할 수 있다. 또한, 상기 서셉터 핀 및 상기 차폐막 핀은 지지축의 단부에서 서셉터 및 차폐막에 연계되는 일정구역을 말하는 것으로서, 탄화규소를 재질로 하여 지지축과는 별도의 물품으로 제공될 수 있다. 그러나, 지지축의 단부에서 지지축과 동일한 재질을 사용하는 형태로 제공될 수도 있다.
<제 2 실시예>
도 3은 제 2 실시예에 따라서 서셉터 및 차폐막과 각각의 지지구조를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 제 2 실시예에서는 차폐막에도 홀(20)(21)이 제공되어 있는 것이 특징적으로 다르고, 그 외의 부분에 대해서는 상기 제 1 실시예와 대동소이하므로, 제 1 실시예의 설명을 원용하고 구체적인 설명은 생략한다. 제 2 실시예에서는 상기 홀이 형성되는 것에 의해서 서셉터와 웨이퍼의 사이에 정체될 수 있는 가스의 유동효과를 높일 수 있을 것이다.
또한, 상기 서셉터에 램프(14)의 열이 직접 가하여지지 않도록 하는 본연의 작용은 홀의 형태를 제어함으로써 그래도 수행될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 상기 차폐막의 홀은, 도면으로 기준으로 할 때 좌측에 있는 홀(21)과 우측에 있는 홀(20)의 경사가 서로 달라서 홀은 서로 교차하는 방향으로 연장되어 있다. 더욱 구체적으로는, 서셉터(3)에 제공되는 홀이 좌측상방으로 경사지는 영역과 대응되는 차폐막의 영역에서는, 우측상방으로 경사지게 홀이 형성된다. 그리고, 서셉터에 제공되는 홀이 우측상방으로 경사지는 영영역과 대응되는 차폐막의 영역에서는, 좌측상방으로 경사지게 홀이 형성되어 있다.
이러한 구성에 따르면, 램프(14)의 빛과 열 중의 일부가 차폐막(13)의 홀을 통과하더라도 산란/분산/방향성제약 등의 작용으로 인하여, 상기 서셉터(3)까지는 직접적인 영향을 주지 못하게 된다.
제 2 실시예에서 볼 수 있는, 상하로 대응되는 영역에서의 홀이 서로 교차한다는 개념은 도면으로 제시되는 경우로 제한되지 아니하고, 그 외의 다른 경우도 용이하게 제안될 수 있을 것이다. 예를 들어 동일한 방향으로 경사지게 하면서도 경사각이 일정수준 이상이 되면 차폐막에 의한 차폐작용이 수행되도록 하는 것에 있어서 문제는 없을 것이다. 또한, 경사가 비록 동일하더라도, 차폐막의 상면에서 홀이 제공되는 부분과 서셉터의 하면에서 홀이 제공되는 영역이 서로 겹치지만 않으면 차폐막에 의한 차폐작용은 문제없이 수행될 수 있을 것이다.
<제 3 실시예>
도 4는 제 3 실시예에 따라서 서셉터 및 차폐막과 각각의 지지구조를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 제 3 실시예에서는, 제 1 실시예 및 제 2 실시예에서 본 바와 같은 차폐막 지지축 및 서셉터 지지축의 별도 구조가 아니라, 단일의 구조로 중심축(30)에 제공되는 것을 일 특징으로 한다. 그 외의 부분에 대해서는 상기 제 1 실시예 및 제 2 실시예와 대동소이하므로, 그 설명을 원용하고 구체적인 설명은 생략한다.
제 3 실시예에서는, 중심축에 서셉터 지지축 및 차폐막 지지축이 별도로 마련되지 않고, 어느 하나의 지지축이 사용되도록 함으로써, 에피택셜 반응기의 구성이 복잡해지는 문제를 해소할 수 있다.
상세하게는, 중심축(30)에는 차폐막 지지축(41)이 제공되고, 차폐막 핀(42)이 차폐막 핀 안착부(43)에 놓이는 것에 의해서 차폐막(40)이 안정되게 자리잡을 수 있다. 상기 차폐막(40)의 상측에는 서셉터 핀(45)이 제공되어, 서셉터 핀(45)이 제공되는 만큼의 간격을 두고서 차폐막(40)의 상측에는 서셉터(3)가 마련된다. 이로써, 차폐막(40)과 서셉터(3)의 사이에는 소정의 간격이 제공되고, 그 간격을 통하여 가스가 확산될 수 있다. 물론, 차폐막(40)이 제공되는 것에 의해서 램프의 열이 서셉터(3)에 직접 영향을 주는 것을 방지할 수 있는 것도 물론이다.
상기 서셉터 핀(45)이 안정되게 자리잡을 수 있도록 하기 위하여, 상기 서셉터(3)의 하면과 차폐막(40)의 상면에는 서셉터 안착부(9)(44)가 마련될 수 있다. 상기 서셉터 안착부는 홈의 형태로 제공될 수 있을 것이다.
제 3 실시예에서는 상기 차폐막(40)에 홀이 제공되지 않는 것으로 설명이 되어 있으나 그러한 형태로 제한되지 아니하고, 제 2 실시예와 마찬가지로 홀이 제공될 수도 있다.
본 발명은 상기되는 상기 실시예 외에 본 발명의 사상에 포함되는 다른 실시예를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 서셉터 지지축 및 차폐막 지지축에는 각각 세 개의 발이 제공되는 것으로 설명되어 있지만, 그와 같은 형태로만 제한되는 것은 아니고, 그보다 많이 제공될 수도 있다.
더 다른 실시예로서, 원 실시예에서는 동일한 중심축을 서셉터 지지축과 차폐막 지지축이 함께 사용하는 것으로 설명이 되어 있으나, 그러한 형태로 제한되지는 않아서 서로 다른 별도의 지지축에 의해서 양자가 지지되어 있을 수도 있다. 그러나 제작과 동작과 비용의 면에서 독립적인 구조보다는 단일한 지지형태로 제작되는 것이 바람직한 것은 물론이다.
본 발명에 따르면, 오토도핑현상 및 헤일로현상을 억제하기 위하여 다공성 서셉터를 채용하면서도, 열 스트레스로 인한 디바이스의 수율저하 및 웨이퍼의 나노품질저하의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 300밀리미터 대구경의 실리콘 웨이퍼의 경우에 문제되는 디바이스의 수율저하문제를 개선할 수 있어서, 가격경쟁력을 높일 수 있을 것이다.
13:차폐막

Claims (11)

  1. 웨이퍼를 지지하고, 홀이 제공되는 서셉터;
    고온분위기를 제공하는 램프; 및
    상기 서셉터와 상기 램프의 사이에 개입되는 차폐막이 포함되는 에피택셜 반응기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 서셉터와 상기 차폐막은 서로 이격되는 에피택셜 반응기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 차폐막을 지지하는 차폐막 지지축과 상기 서셉터를 지지하는 서셉터 지지축은, 동일한 축에 지지되는 에피택셜 반응기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 차폐막의 하면부에 제공되는 차폐막 핀 안착부; 및
    상기 차폐막 핀 안착부에 걸리는 차폐막 핀이 포함되는 에피택셜 반응기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 차폐막은 상기 서셉터의 재질과 같은 재질을 사용하는 에피택셜 반응기.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 차폐막에는 과열억제물질이 첨가되는 에피택셜 반응기.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 차폐막에는 홀이 제공되는 에피택셜 반응기.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 차폐막에 제공되는 홀은, 상기 서셉터에 제공되는 홀과 교차되는 방향으로 연장되는 에피택셜 반응기.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 차폐막에 제공되는 홀과 상기 서셉터에 제공되는 홀은, 상기 서셉터와 상기 차폐막이 만나는 부분에서 서로 떨어져 있는 에피택셜 반응기.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 서셉터는 상기 차폐막에 지지되는 에피택셜 반응기.
  11. 웨이퍼를 지지하고 홀이 제공되는 제 1 서셉터; 및
    상기 제 1 서셉터와 램프의 사이에 개입되도록 상기 제 1 서셉터의 하측에 마련되어, 상기 램프에 의한 제 1 서셉터의 직접 가열을 방지하는 제 2 서셉터가 포함되는 서셉터.
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KR20220083083A (ko) * 2020-12-11 2022-06-20 에스케이실트론 주식회사 서셉터 지지대 및 이를 구비한 에피택셜 반응기

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