KR20130083319A - 서셉터 - Google Patents

Abstract

본 발명에 따른 서셉터는, 상측에 웨이퍼가 놓이고 하측에 램프가 놓이고; 상하로 관통하는 홀이 제공되고; 상기 홀의 상하방향 경로 상의 적어도 어느 한 지점에서는, 상기 웨이퍼와 가장 근접하는 곳에서의 단면크기보다 단면크기가 큰 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 서셉터의 사용시간이 연장되고, 에피택셜 반응기의 유지에 들어가는 비용이 줄어드는 이점이 있고, 열 스트레스를 줄일 수 있어서 디바이스의 생산수율을 높일 수 있고, 서셉터를 안정적으로 사용할 수 있는 장점을 기대할 수 있다.

Description

서셉터{susceptor}

본 발명은 서셉터에 관한 것이다.

초크랄스키 방법에 의해 성장된 원통형 잉곳을 절단기를 이용하여 디스크 모양으로 얇게 절단한 후에 표면을 화학적 기계적 방법으로 연마하여 얇은 웨이퍼를 만든다.

상기 웨이퍼의 종류는, 첨가된 불순물의 종류와 그 양에 의하여 결정되는데, 주기율 5족 물질인 인(Phosphorus, P) 또는 비소(Arsenic, As)와 같은 n형 불순물이 첨가되면 n형 웨이퍼로, 주기율 3족 물질인 붕소(Boron, B)와 같은 p형 불순물이 첨가되면 p형 웨이퍼로 만들어진다. 불순물은 실리콘 웨이퍼 전체에 골고루 분포되어야 하며, 불순물의 농도에 따라서 기판의 저항값은 좌우된다.

한편, 초크랄스키 방법을 통해 성장시키는 단결정 실리콘 웨이퍼 표면에 결정 방향(crystal orientation)을 맞추어서 새로운 고순도의 결정층을 형성하는 공정을 에피택셜 성장법(epitaxial growth) 또는 에피택셜(epitaxial)법이라 하고, 이렇게 형성된 층을 에피택셜층(epitaxial layer) 또는 에피층(epi-layer)이라고 한다. 상술한 에피택셜층을 증착하는 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.

에피택셜 웨이퍼는 기판으로 사용되는 폴리쉬드 웨이퍼 (Polished Wafer)에 대략 1130도(℃)의 고온으로 가열된 반응기의 화학 기상 증착법에 의해 얇은 단결정 층을 형성한 웨이퍼이다. 이때 화학 기상 증착법은 원료로 사용되는 가스를 기상에서 고상으로 상변이를 유도하기 때문에, 원료 가스의 유체 흐름, 기판 웨이퍼를 지지해 주는 서셉터의 재질 및 모형, 원료 가스를 라디컬로 분해시켜주는 에너지원의 조화가 중요하다. 특히 300mm의 대구경 웨이퍼에서는 웨이퍼 끝(Edge) 부분까지 균일한 에피택셜 층 증착이 어렵기 때문에 반응기 내 가스의 유체 흐름과 서셉터 모형이 중요한 변수이다. 예를 들어, 상기 에피택셜 웨이퍼를 형성하는 중에 n형 또는 p형으로 다량으로 도핑되어 있는 폴리쉬드 웨이퍼에서는, 화학 기상 증착법에 의해서 단결정층을 형성할 때에 상기 폴리쉬드 웨이퍼에 포함되어 있는 n형 또는 p형의 이온이 웨이퍼와 서셉터의 사이 공간을 따라서 웨이퍼의 상측으로 이동하여 웨이퍼의 테두리 부분에 집중 도핑된다. 그러므로, 새로이 성장되는 단결정층이 원하지 않는 상태로 스스로 도핑되어 버리는 문제가 있다. 이러한 문제점을 오토도핑현상(auto doping)이라고 말하는 경우가 있다.

상기 웨이퍼는 에피택셜 공정 진행 전에는 자연 산화막 층으로 덮여 있어 에피택셜 공정을 진행하면 다결정의 에피택셜 층이 형성된다. 따라서, 상기 자연산화막 제거를 위해 웨이퍼의 표면을 1150℃ 정도의 고온에서 H2(hydrogen) 가스에 노출시키는 과정을 거치게 된다. 이 과정 동안 웨이퍼 표면의 자연 산화막은 고르게 제거되나, 웨이퍼의 후면은 에지 영역 및 서셉터와 리프트 핀 사이의 공간으로 유입된 수소 가스에 의해 부분적으로 자연 산화막이 제거된다. 따라서, 경면 처리된 웨이퍼의 후면은 불균일한 에피택셜층 성장에 의해 에지 영역 및 리프트 핀 주위에 흐리게 관찰되는 영역이 발생한다. 또한, 반응기에 웨이퍼가 반입되어 서셉터에 안착될 때 반응 가스가 웨이퍼와 서셉터 사이에 유입되어 배기되지 못하면 웨이퍼의 중앙 부분에도 헤일로현상(halo 현상)이 발생한다.

설명되는 바와 같은 오토도핑현상 및 헤일로현상은 웨이퍼의 품질 및 반도체칩의 품질에 많은 영향을 미친다. 이 문제를 개선하기 위하여 서셉터를 홀이 형성되는 다공성 서셉터로 하여, 웨이퍼와 서셉터 사이 간격부의 물질이 서셉터의 하측으로 원활히 배출될 수 있도록 한다.

상기 다공성 서셉터를 이용하는 경우에는, 램프 열이 홀을 통하여 웨이퍼로 전달되어, 웨이퍼의 국부적인 위치에 열 스트레스를 발생시킨다. 상기 열 스트레스로 인하여 슬립 전위(slip dislocation)가 발생하고 후면에 표면 거칠기 현상 등이 발생할 수 있으므로 웨이퍼의 나노 품질이 악화된다. 또한, 열 스트레스가 큰 영역은 디바이스 공정에서 불량으로 이어지는 문제점이 있다. 상기되는 열 스트레스는 열전달이 원활하지 못한 웨이퍼의 에지영역에서 현저하게 발생한다. 따라서 이러한 문제는 에지 스트레스(edge stress)라고 이름하기도 한다. 이 현상은 웨이퍼의 에지영역에서 제조되는 디바이스의 생산수율을 떨어뜨리게 된다.

한편, 상기 서셉터는 흑연을 내부 재질로 하고, 외부에는 탄화규소(SiC)가 코팅되어 있다. 그런데, 상기 서셉터에 홀이 형성되면, 상기 홀의 내부에는 탄화규소가 코팅되기 어려운 문제점이 있다. 특히, 상기 홀의 중심부분에서 탄화규소 코팅막이 얇게 형성된다. 상세하게 설명하면, 상기 홀의 내부는 외부에 비하여 탄화규소의 코팅막의 두께가 얇아지게 된다. 이는 홀의 내부로 탄화규소의 가스가 잘 유동하지 않는 것에 기인하는 것으로 짐작된다.

상기되는 바와 같이, 홀의 내부가 서셉터의 다른 부분에 비교할 때 탄화규소의 코팅막이 얇게 형성되면, 에피택셜 공정 중에 서셉터의 내부 재질을 이루는 흑연이 유출되어 에피택셜 막이 오염되는 문제점이 있다. 이러한 에피택셜 막의 오염을 방지하기 위해서는, 결국 서셉터를 일찍 교체해야 하고, 그만큼 비용상승의 원인이 된다.

본 발명은 상기되는 문제점을 개선하기 위하여 제안되는 것으로서, 다공성 서셉터의 홀의 내부에도 탄화규소 코팅막이 완벽하게 형성되도록 하는 서셉터를 제안한다. 이로써, 서셉터 나아가서 에피택셜 반응기의 사용시간을 늘릴 수 있는 서셉터를 제안한다. 또한, 열 스트레스로 인한 문제점을 개선할 수 있는 서셉터를 제안한다.

상기되는 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 서셉터는, 상측에 웨이퍼가 놓이고 하측에 램프가 놓이고; 상하로 관통하는 홀이 제공되고; 상기 홀의 상하방향 경로 상의 적어도 어느 한 지점에서는, 상기 웨이퍼와 가장 근접하는 곳에서의 단면크기보다 단면크기가 큰 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면 서셉터의 사용시간이 연장되고, 에피택셜 반응기의 유지에 들어가는 비용이 줄어드는 이점이 있고, 열 스트레스를 줄일 수 있어서 디바이스의 생산수율을 높일 수 있고, 서셉터를 안정적으로 사용할 수 있는 장점을 기대할 수 있다.

도 1은 제 1 실시예에 따른 에피택셜 반응기의 개념도.
도 2는 서셉터와 웨이퍼의 위치관계를 보이는 절단면도이다.
도 3은 제 1 실시예에 따른 도 2의 A영역의 확대도이고, 도 4는 도 2의 B부분의 확대도.
도 5는 제 2 실시예에 따른 도 2의 A부분의 확대도이고, 도 6은 도 2의 B부분의 확대도.
도 7은 제 3 실시예에 따른 도 2의 A부분의 확대도이고, 도 8은 도 2의 B부분의 확대도.
도 9는 제 4 실시예에 따른 도 2의 A부분의 확대도이고, 도 10은 도 2의 B부분의 확대도.
도 11은 제 4 실시예에 의한 코팅막과 비교예의 코팅막의 두께를 비교한 그래프.
도 12는 제 5 실시예에 따른 도 2의 A부분의 확대도이고, 도 13은 도 2의 B부분의 확대도.
도 14는 제 6 실시예에 따른 도 2의 A부분의 확대도이고, 도 15는 도 2의 B부분이 확대도.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 첨부되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 구성요소의 부가, 변경, 삭제 및 추가 등에 의해서 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한, 본 발명의 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다.

<제 1 실시예>

도 1은 제 1 실시예에 따른 에피택셜 반응기의 개념도이다.

도 1을 참조하면, 웨이퍼(6)를 반응기 내로 인입출시키는 블레이드(5)와, 상기 블레이드(5)의 인출시에 웨이퍼(6)를 하측에서 지지하기 위하여 서로 이격되는 위치에 복수 개 마련되는 리프트 핀(1), 상기 리트프 핀(1)을 밀어올리는 역할을 수행하는 리프트 핀 지지축(2), 반응기의 동작 시에 웨이퍼(6)가 재치되고 에피택셜 반응기의 동작 시에 웨이퍼의 가열작용을 수행하는 서셉터(3), 상기 서셉터를 승하강시키며 하측에서 지지하는 서셉터 지지축(4)이 도시된다.

상기되는 바와 같은 에피택셜 반응기는 이하와 같은 방식으로 동작한다. 반송용의 블레이드(5)가 웨이퍼(6)를 반응기 내에 반입하면, 리프트 핀(1)이 올라와서 웨이퍼(6)를 위에 받혀서 지지하고 블레이드(5)는 빠져 나간다. 이후에 리프트 핀(1)이 내려오고, 서셉터 지지축(4)에 의해서 지지되는 서셉터(3)가 올라와서 웨이퍼(6)는 서셉터(3) 위에 놓이게 된다. 이후에는 서셉터가 가열되는 등의 과정을 통하여 단결정 막을 성장시키는 일련의 과정이 진행된다.

도 2는 실시예에 따른 서셉터와 웨이퍼의 위치관계를 보이는 절단면도이다.

도 2를 참조하면, 상기 서셉터(3)는 웨이퍼(6)가 내부에 놓일 수 있는 형태로 내측에 홈부가 제공되고, 상기 웨이퍼(6)는 상기 서셉터(3)의 상면에 놓여 있다. 상기 서셉터에는 상기 리프트핀이 승하강할 수 있도록 리프트핀홀(31)이 마련되어 있다. 또한, 상기 서셉터(3)는 서셉터(3)의 하측으로 가스 등의 이동이 자유롭게 하는 홀이 마련되어 있다.

상기 홀은 이미 설명된 바와 같이, 오토도핑현상 및 헤일로현상을 제어하는 효과는 있으나, 에지스트레스의 증가 및 탄화규소 코팅막 형성의 어려움이 있다. 이러한 문제점을 개선하기 위하여 실시예는 상기 홀을 특정의 구조로 제안하고 있다.

도 3은 도 2의 A영역의 확대도이고, 도 4는 도 2의 B영역의 확대도이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 홀 중에서 전면부(32)(35)는 상기 후면부(33)(36)에 비하여 크기가 작다. 그리고, 상기 전면부(32)(35) 및 상기 후면부(33)(36)는 깊이가 깊어지더라도 동일한 단면구조로 제공되고, 상기 전면부와 상기 후면부가 만나는 대략 중앙부에서는 단차(34)(37)를 이루는 불연속적인 형상으로 제공되어 있다.

상기 전면부가 상기 후면부보다 크기가 작은 것은, 서셉터(3)의 하방에 마련되는 램프로부터의 열이 웨이퍼(6)로 직접 전달되지 않도록 함으로써, 열스트레스로 인한 영향이 줄어들도록 하기 위한 목적을 가지고 있다. 아울러, 상기 후면부를 비교적 크게 제공함으로써, 서셉터를 코팅할 때 적용되는 탄화규소 가스가 상기 후면부로 들어가서 상기 전면부로 나오도록 함으로써, 탄화규소 가스의 유동을 더욱 편리하고 정확하게 이끌어 내도록 하여, 홀 내부의 탄화규소 코팅막 형성작용이 안정적으로 이루어지도록 하기 위한 것이다.

상기 전면부 및 상기 후면부의 단면은 원형으로 예시될 수 있으나, 이에 제한되지 아니하고 어떠한 다각형이라도 무방할 것이다. 그러나 탄화규소 코팅막의 안정적인 형성을 위하여 원형이 바람직하게 생각될 수 있을 것이다.

상기 홀은 경사지게, 도면에서는 상측으로 갈수록 바깥쪽으로 경사지게 제공된다. 이와 같은 형상으로 제공되는 것은, 램프의 열이 직접 홀을 관통하지 않고 홀의 내면에 의해서 일차적으로 반사되도록 하여 직접적인 전달열이 가하여지지 않도록 하기 위한 것이다.

상기되는 바와 같은 구성에 따르면, 램프의 열이 웨이퍼에 직접 조사되지 않기 때문에, 열 스트레스로 인한 문제점을 개선할 수 있는 장점이 있다. 또한, 탄화규소 가스의 유동이 개선되도록 함으로써 탄화규소 코팅막의 형성이 안정적으로 수행되는 장점이 있다. 이로써, 오토도핑현상 및 헤일로현상을 개선하면서도, 열 스트레스로 인한 문제점을 일으키지 않고, 나아가서, 홀 내부의 탄화규소 코팅막의 형성작용이 원활히 수행될 수 있다.

<제 2 실시예>

본 발명의 제 2 실시예는 홀의 구조에 있어서만 특징적으로 다르고, 다른 부분은 상기 제 1 실시예와 동일하다. 그러므로, 별도의 설명이 없는 한 상기 제 1 실시예의 설명을 원용하는 것으로 하고 그 설명을 생략하도록 한다.

도 5는 도 2의 A부분의 확대단면도이고, 도 6은 도 2의 B부분이 확대단면도이다.

상기 도 5 및 도 6을 참조하면, 전면부(42)(45)와 후면부(43)(46)의 크기에 있어서는 상기 제 1 실시예와 마찬가지로 상기 전면부가 좁게 마련된다. 그러나, 상기 후면부는 상측으로 갈수록 점진적으로 홀의 크기가 줄어들게 되어 있다. 그리고, 상기 단차(44)(47)는 단차가 이루는 각도가 둔각으로 마련된다. 이는 제 1 실시예의 예각과는 차이가 있다. 이는 후면부를 통하여 유입되는 탄화규소 가스가 단차에 걸리지 않고 유동하도록 함으로써, 단차(44)(47)의 직근 상측부에서 탄화규소 코팅막이 얇아지는 현상을 방지하도록 하고, 아울러서 탄화규소 가스의 유입이 원활해 지도록 한다.

제 2 실시예에 따르면 탄화규소 코팅막의 형성이 더 원활해지는 장점을 기대할 수 있다.

<제 3 실시예>

본 발명의 제 3 실시예는 홀의 구조에 있어서만 특징적으로 다르고, 다른 부분은 이전의 실시예와 동일하다. 그러므로, 별도의 설명이 없는 한 이전 실시예의 설명을 원용하는 것으로 하고 그 설명을 생략하도록 한다.

도 7은 도 2의 A부분의 확대단면도이고, 도 8은 도 2의 B부분이 확대단면도이다.

상기 도 7 및 도 8을 참조하면, 전면부(52)(55)과 후면부(53)(56)의 크기에 있어서는 이전 실시예와 마찬가지로 상기 전면부이 좁게 마련된다. 그러나, 상기 후면부에서 상기 전면부로 갈수록 점진적으로 홀의 크기가 줄어들게 되어 있다. 따라서 이전 실시예에서 볼 수 있었던 단차는 본 실시예에서는 제공되지 않는다. 이는 후면부을 통하여 유입되는 탄화규소 가스가 단차에 의해서 방해받지 않고 전면부(52)(55) 및 후면부(53)(56)의 내부를 유동할 수 있도록 하기 위한 것이다. 이로써 탄화규소 가스의 유동작용이 원활해 지는 것은 용이하게 이해될 것이다.

제 3 실시예에 따르면 탄화규소 코팅막의 형성이 더 원활해지는 장점을 기대할 수 있다.

<제 4 실시예>

본 발명의 제 4 실시예는 홀의 구조에 있어서만 특징적으로 다르고, 다른 부분은 이전의 실시예와 동일하다. 그러므로, 별도의 설명이 없는 한 이전 실시예의 설명을 원용하는 것으로 하고 그 설명을 생략하도록 한다.

도 9는 도 2의 A부분의 확대단면도이고, 도 10은 도 2의 B부분이 확대단면도이다.

상기 도 9 및 도 10을 참조하면, 전면부(62)(65)과 후면부(63)(66)의 크기에 있어서는 이전 실시예와 마찬가지로 상기 전면부이 좁게 마련된다. 그러나, 상기 후면부과 상기 전면부는 모두 웨이퍼의 안쪽으로 갈수록 점진적으로 홀의 크기가 줄어들게 되어 있다. 따라서 이전 실시예에서 볼 수 있었던 단차는 본 실시예에서는 제공되지 않는다. 이는 후면부을 통하여 유입되는 탄화규소 가스가 단차에 의해서 방해받지 않고 홀의 내부를 유동할 수 있도록 하는 목적뿐 아니라, 상기 후면부(63)(66)를 통하여 유입될 수 있는 탄화규소 가스가 상기 전면부(62)(64)를 통하여 배출될 때에도 부드러운 유선을 따라서 배출될 수 있도록 하기 위한 것이다. 이로써 전면부의 직근 바깥쪽에서도 탄화규소 코팅막의 형성에는 지장이 없을 것이다.

또한, 제 4 실시예에서는 모든 홀이 경사지지 않고 수직으로 형성되어 있다. 이는 홀의 모든 영역에서 단차가 형성되지 않고 부드러운 유선을 이루도록 하여, 탄화규소 코팅막의 형성작용이 안정되게 수행되도록 하기 위한 것이다.

제 4 실시예에 따르면 탄화규소 코팅막의 형성이 한층 더 원활해지는 장점을 기대할 수 있다.

도 11은 제 4 실시예에 의한 탄화규소 코팅막과 실시예에 따른 홀의 직경이 가장 작은 직경의 홀이 수직방향으로 형성된 비교예의 코팅막의 두께를 비교한 그래프이다. 도 11을 참조하면, 홀의 전체영역에서 탄화규소 코팅막의 두께가 실험예 쪽이 비교예 쪽보다 두껍게 형성되어 있는 것을 알 수 있다.

제 4 실시예에 있어서, 가공의 어려움만 없다면, 상기 홀이 이전 실시예와 마찬가지로 경사지는 형태로 제공될 수도 있는 것도 당연하게 짐작될 것이다.

<제 5 실시예>

본 발명의 제 5 실시예는 홀의 구조에 있어서만 특징적으로 다르고, 다른 부분은 이전의 실시예와 동일하다. 그러므로, 별도의 설명이 없는 한 이전 실시예의 설명을 원용하는 것으로 하고 그 설명을 생략하도록 한다.

도 12는 도 2의 A부분의 확대단면도이고, 도 13은 도 2의 B부분이 확대단면도이다.

상기 도 12 및 도 13을 참조하면, 전면부(72)(75)과 후면부(73)(76)의 크기에 있어서는 이전 실시예와 달리 동일하거나 상기 전면부이 약간 작게 마련된다. 그리고, 상기 후면부 및 상기 전면부 모두 서셉터의 중앙부로 갈수록 선형으로 홀의 크기가 줄어들게 되어 있다. 그리고, 상기 전면부 및 상기 후면부의 직경이 줄어들면서 중앙부분에서 만나는 부분에는 목(74)(77)을 이루게 된다.

이와 같은 구조는 탄화규소 코팅막을 형성할 때, 탄화규소 가스가 상기 전면부를 통하여 유입되거나 상기 후면부을 통하여 유입되거나 관계없이 홀 내부에 탄화규소 코팅막이 안정되게 형성될 수 있도록 한다. 이는 서셉터가 세워진 상태에서 탄화규소 코팅막이 형성될 때 바람직하게 적용될 수 있을 것이다.

또한, 제 5 실시예에 있어서는, 서셉터의 하부로부터의 램프 열은 상기 목(74)(77)에 의해서 차단될 수 있으므로, 열 스트레스로 인한 영향을 없어질 수 있다.

제 5 실시예에 따르면 탄화규소 코팅막의 형성에 대한 자유도가 커지는 장점을 기대할 수 있다.

<제 6 실시예>

본 발명의 제 6 실시예는 홀의 구조에 있어서만 특징적으로 다르고, 다른 부분은 제 5 실시예와 동일하다. 그러므로, 별도의 설명이 없는 한 제 5 실시예의 설명을 원용하는 것으로 하고 그 설명을 생략하도록 한다.

도 14는 도 2의 A부분의 확대단면도이고, 도 15는 도 2의 B부분이 확대단면도이다.

상기 도 14 및 도 15를 참조하면, 전면부(82)(85)과 후면부(83)(86)의 크기와, 상기 후면부 및 상기 전면부 모두 서셉터의 중앙부로 갈수록 선형으로 홀의 크기가 줄어들게 되어 있는 것에 있어서는, 제 5 실시예와 동일하다. 그리고, 상기 전면부 및 상기 후면부의 직경이 줄어들면서 중앙부분에서 만나는 부분에는 목(84)(87)을 이루는 것도 상기 제 5 실시예와 동일하다. 그러나, 상기 홀의 어느 일측은 일직선을 이루고 있다. 다시 말하면, 홀의 전체 길이를 통하여 볼 때, 적어도 어느 하나의 연장선은 직선을 이루고, 다른 하나의 연장선은 단차가 있는 직선을 이루게 되는 것이다.

이와 같은 구조는 상기 제 5 실시예와 마찬가지로, 탄화규소 코팅막을 형성할 때, 탄화규소 가스가 상기 전면부를 통하여 유입되거나 상기 후면부을 통하여 유입되거나에 관계없이 홀 내부에 탄화규소 코팅막이 안정되게 형성될 수 있도록 한다.

본 실시예의 또 다른 실시형태를 설명한다. 제 6 실시예에서 상기 홀의 전체 연장형태에 있어서, 적어도 어느 하나의 연장선은 직선을 이루고, 다른 하나의 연장선은 단차가 있는 직선을 이루는 것으로 설명이 되어 있으나, 이에 제한되지 아니하고, 상기 단차가 있는 직선은 직선이 아니라 대략 중앙부가 가장 좁은 곡선형으로 제공될 수도 있을 것이다.

본 발명에 따르면, 다공성 서셉터에서 홀 내부의 탄화규소 코팅막의 불완전형성이라는 문제를 방지할 수 있고, 열 스트레스에 의한 디바이스의 수율저하 및 에피택셜 반응기의 유지비용상승을 방지할 수 있다. 이로써, 근래 들어 극심해 지고 있는 반도체의 가격저하에 적극적으로 대응하여 한층 더 경쟁력을 높일 수 있는 이점이 있다.

3:서셉터

Claims (4)

1. 상측에 웨이퍼가 놓이고 하측에 램프가 놓이고;
   상하로 관통하는 홀이 제공되고;
   상기 홀의 상하방향 경로 상의 적어도 어느 한 지점에서는, 상기 웨이퍼와 가장 근접하는 곳에서의 단면크기보다 단면크기가 큰 서셉터.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 홀 중에서 상기 웨이퍼와 인접하는 전면부는, 상기 웨이퍼에서 먼 후면부에 비하여 단면 크기가 작은 서셉터.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 홀의 내부에는 단차가 형성되는 서셉터.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 홀에는, 서셉터의 내측으로 갈수록 단면의 크기가 줄어드는 부분이 포함되는 서셉터.

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