TW201015707A - Image sensor - Google Patents

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201015707 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於影像感應器。 【先前技術】 影像感應器爲一電子裝置，其接收光學影像並將之轉 換爲電子信號。傳統影像感應器其中包含電荷耦合裝置（ CCD)及互補金屬氧化物半導體（CMOS )裝置。各種影 像感應器技術已經被提出，展現各種（及有時競爭）效能 特徵，並呈現特定技術挑戰，特別是，例如有關於可製造 性之挑戰。CMOS影像感應器的效能改良與低製造成本已 經完成優於傳統CCD影像感應器的益處，持別是在消費者 及手持應用中，例如手機、PDA、數位音樂播放器、數位 相機、GPS裝置等等。 已經有各種顯著努力以儘可能將可以合倂入此等裝置 的各種功能與特性所需之功能合倂入單一半導體（矽）晶 片中，但這些努力並不夠實用或不符成本效益。 分開之晶片可以用以執行這些各種功能，及各個晶粒 可能受到執行該等功能的特定電路的結構之最佳矽製程。 例如，當較佳在該產品中包含大量記憶體儲存器時，通常 在具有多數晶片，包含記憶體晶片的系統中，完成此結構 以更符成本效益。 當工業成熟時，更有一驅動力以改良整體功能與形狀 因素與成本。已經有顯著努力有關於薄化裝置、減少裝置 -5- 201015707 佔用面積、並由堆叠晶片增加密度。爲了改良產量及製造 可靠度，已經有朝向晶圓級處理的傾向。 影像感應與處理及製造製造及想要提供適當影像感應 與處理的裝置製造的固有因數，以成本與效能看來’會有 特殊的技術挑戰。特殊的挑戰可能由想要減少裝置佔用面 積與厚度而不犧牲效能的方式加以表示。 影像感應器封裝要求呈現出特有之挑戰。尤其，例如 ，感應器必須保持不被封裝的其他特性所影響，並且，必 須在製造操作及在其所加入的產品之整個服務壽命中均時 不受損壞。因爲電內連線墊係在晶粒的影像感應器（作動 )側，所以，必須提供機構，以將信號由晶粒的前面發送 至背面，以連接至下方的電路’如電路板。 在傳統影像感應器空腔封裝中’影像感應器晶粒係安 裝在封裝基板上，並使用絲焊法電連接至基板。絲焊法增 加封裝的佔用面積與厚度’因爲必須容納線的間距與線環 高度。另外，爲了保護感應陣列與允許光學接取，必須在 空腔上設置玻璃蓋，則更增加了該組件的厚度。 在一些方法中，爲了改善佔用面積與封裝厚度，玻璃 蓋保護可以在晶粒切片之前在晶圓級時形成。近來，已經 將注意力集中至所謂矽貫孔（TSV)技術，以將電信號由 感應器晶粒的前（作用）側配送至背側。TSV基本上爲一 需要昂貴設備的前端作法，在被認爲完備以可靠及低成本 製造之前，仍有很多製程開發存在。主要設備成本及缺乏 製程成熟度對於廣泛採用TSV造成了阻礙。 201015707 濾色層可以提供在感應器陣列的表面上，及微透鏡可 以加入晶片的表面上，以改良光靈敏度。這些特性通常由 聚合物形成，其係相當低溫固化，並且，會在封裝操作期 間的上升處理溫度所變形或損壞。爲了避免對影像感應器 的這些元件的損壞，在影像感應器晶片的封裝期間處理溫 度必須保持爲低。 【發明內容】 在一般態樣中，本發明特徵於一影像感應器晶粒。該 影像感應器晶粒具有前面（作用）側、背側及側壁；該作 用側具有包含感應器陣列區的作用面，及內連線墊配置鄰 近至少一晶粒緣（內連線緣）：及該影像感應器晶粒具有 一保角介電塗層在該內連線緣之上及在鄰近晶粒側壁（內 連線側壁）之上。在一些實施例中，影像感應器晶粒的作 用面更包含一週邊電路區。 在一些實施例中，影像感應器晶粒更包含一光學透通 攀 保角介電塗層在該感應器陣列區之上，及在一些實施例中 ，額外在該週邊電路區之上。 在一些實施例中，保角塗層可以額外覆蓋影像感應器 晶粒的背側。在一些實施例中，影像感應器晶粒在背側包 含一晶粒附接膜。在一些實施例中’影像感應器晶粒在背 側包含一晶粒附接膜及一保角介電塗層’在一些實施例中 ，晶粒附接膜與保角介電塗層之任一可以施加至該晶粒背 側面。 201015707 在一些實施例中，在該晶粒緣及晶粒側壁之上的光學 透通保角介電塗層及保角介電塗層係由相同材料或類似材 料所形成。用於至少光學透通塗層的適當材料包含由氣相 沈積所形成之有機聚合物，及特別有用之保角塗層可以爲 對二甲苯的聚合物或其衍生物，例如聚二甲苯聚合物，例 如聚對二甲苯C或聚對二甲苯N，或聚對二甲苯A。在一些 實施例中，光學透通保角介電塗層及在晶粒緣上之保角介 電塗層係被形成爲連續塗層，及在塗層中之開口曝露出用 以後續電連接至其他電路的晶粒墊。 在另一個大致態樣中，本發明特徵在於一影像感應器 封裝，其包含被安裝在一支撐件上之影像感應器晶粒。該 影像感應器晶粒具有內連線墊配置鄰近至少一晶粒緣（內 連線緣），並具有一保角介電塗層在該內連線緣與該鄰近 晶粒側壁（內連線側壁）之上。藉由施加至或鄰近至塗覆 內連線緣與側壁的導電材料的軌跡，影像感應器晶粒在該 支撐件的第一面（內連線面）上被電連接至內連線處；軌 跡與該影像感應器晶粒上的外露墊接觸並與在支撐件上的 一處接觸。在一些實施例中，影像感應器額外具有光學透 通介電保角塗層在該作用側的至少感應器陣列區上’及在 一些實施例中，額外在該作用側的週邊電路區上。 在一些實施例中，兩或更多影像感應器被安裝在支撐 件之上並電連接至該支撐件。 適當導電材料包含可以以可流動形式施加並然後固化 或允許被固化以形成導電軌跡之材料。此等材料包含例如 -8- 201015707 導電聚合物，其包含有包含在可固化 如導電（例如塡入）環氧樹脂、或導電 (例如導電金屬顆粒），並例如包含輸 導電微粒。在特定實施例中，內連線材 例如可固化導電聚合物，或導電墨水。 在一些實施例中，影像感應器所電 路板、或封裝基板、或引線架。適當封 柵陣列（BGA)或地柵陣列（LGA)基 板。 在一些實施例中，影像感應器晶粒 基板的表面（例如內連線面）或引線架 ，其可以爲晶粒槳）：在其他實施例中 如額外晶粒）係安置於影像感應器晶粒 應器晶粒的支撐件間。其中該安置的電 如在內置額外晶粒上的電路），影像感 地電連接至在該安置電裝置上的電路。 置爲額外晶粒時，額外晶粒可以例如爲 處理器（例如圖形處理單元）、或無線 接取晶片。 在一些實施例中，影像感應器晶粒 爲額外晶粒；及在一些實施例中，在該 線處包含晶粒墊。即，在這些實施例中 影像感應器晶粒上的外露墊以及在該額 接觸。在這些實施例中，額外晶粒被安 機聚合物基質（例 墨水）的導電微粒 送於液體載體中之 料爲導電聚合物， 連接的支撐件爲電 裝基板包含例如球 板、或軟性電路基 可以被安裝至封裝 (例如晶粒安裝面 ，額外電裝置（例 與電連接有影像感 裝置包含電路（例 應器晶粒可以額外 其中當該安置電裝 一記憶體晶粒、或 通訊晶片、或網路 所電連接之支撐件 額外晶粒上的內連 ，內連線軌跡與在 外晶粒上的外露墊 裝至例如封裝基板 -9 - 201015707 或引線架的封裝支撐件上；該額外晶粒也可以電連接至該 支撐件及該影像感應器晶粒也可以電連接至在晶粒上的內 連線處並額外至在支撐件上的內連線處。該額外晶粒可以 有各種功能之任一，包含例如處理（例如圖形處理）功能 及記憶體功能；及該額外晶粒可以具有這些功能的組合。 在一些具有額外電裝置安置於影像感應器晶粒與電連 接至該影像感應器晶粒的支撐件間之實施例中’影像感應 器晶粒的內連線緣（或其一部份）可以被安裝離開該安裝 電裝置的緣部；或可以垂直對準該緣部或超出該緣部。在 內連線緣（或其一剖份）延伸超出安置電裝置緣的實施例 中，藉由在支撐件上的導電材料的托件及施加至塗覆內連 線緣與側壁或其鄰近並接觸托件的導電材料的軌跡’影像 感應器晶粒可以電連接至下層支撐件的內連線面的內連線 處。 在一些實施例中，電連接有影像感應器晶粒的支撐件 爲一堆叠之額外晶粒；及在這些實施例中’在該額外晶粒 上的內連線處包含晶粒墊。即’在這些實施例中’內連線 軌跡與在影像感應器晶粒上的外露墊接觸’及在至少一額 外晶粒上的外露墊接觸。在一些實施例中’兩或更多額外 晶粒可以內置於堆疊中。在這些實施例中’額外晶粒的堆 疊被安裝在封裝支撐件上’例如封裝基板或引線架上；額 外晶粒的堆疊可以電連接至支撐件上’及影像感應器晶粒 可以電連接至至少一額外晶粒的內連線處及額外電連接至 該支撐件上的內連線處。在該堆疊中之額外晶粒可以具有 -10- 201015707 各種功能的任一，例如包含處理（例如圖形處理）功能及 記憶體功能；在堆疊中之晶粒可以具有相同功能，或者在 該堆疊中之各種晶粒可以具有不同功能；在該堆疊中之一 或更多該額外晶粒可以具有功能的組合。在特定實施例中 ，例如，一記憶體晶粒（或一堆叠記憶體晶粒）可以堆疊 在例如圖形處理器單元（GPU )的處理晶粒上，這些晶粒 可以內置於該影像感應器晶粒與該支撐件之間。 在一些實施例中，額外電裝置被安裝在支撐件的第二 面處的內連線處或電連接至該處。該支撐件的第二面可以 爲在支撐件作爲內連線面的相同側上的一區域；或者，第 二面可以爲支撐件的相反側上的一區域。安裝在支撐件的 第二面上的額外電裝置可以包含例如額外晶粒或一堆疊額 外晶粒或半導體封裝。 在一些實施例中，額外電裝置被安置於影像感應器晶 粒與支撐件的第一面之間，及另一額外電裝置被安裝並電 連接至該支撐件的第二面的內連線處。 在這些實施例中，支撐件包含封裝基板，例如球柵陣 列（BGA )或地柵陣列（LGA )基板，或軟性電路基板。 在另一態樣中，本發明特徵在一影像感應器組件，包 含如上述安裝並電連接至支撐件的第一面上的影像感應器 晶粒，並額外包含至少一晶粒，其具有另一功能安裝並連 接至在支撐件的相反側上的電路。在此一組件的特定實施 例中，例如，影像感應器晶粒被安裝及電連接至封裝基板 的第一面上，及一堆疊電內連線記憶體晶粒被安裝及電連 -11 - 201015707 接至該基板的相反側上。 在另一態樣中，本發明特徵在於用以製造一影像感應 器封裝的晶圓級或晶粒陣列級方法，包含：提供具有影像 感應器電路形成在其作用側的晶圓；將晶圓切割以形成晶 粒緣及晶粒側壁（包含晶粒墊沿著排列之內連線緣以及鄰 近該內連線緣的內連線側壁）；及將保角介電塗層沈積在 該切割晶圓的前側上，該晶圓包含內連線緣及晶粒側壁。 在特定實施例中，該保角塗層爲由氣相沈積形成之二甲苯 〇 在一些實施例中，該晶圓級方法或晶粒陣列級方法包 含藉由移除該晶圓背側的材料，薄化該晶圓（晶背硏磨） 。在一些實施例中，晶圓係被至少部份在晶背硏磨後被切 割；在一些實施例中，晶圓係至少部份在晶背硏磨前被切 割；在一些實施例中，晶圓係被兩或更多切割程序所切割 ，及晶背硏磨係在該等切割程序之間被執行。 在另一態樣中，本發明特徵在於一種製造影像感應器 封裝的方法，包含：提供具有前側及背側的晶粒及影像感 應器電路形成在作用側上，該晶粒具有晶粒側壁界定晶粒 緣（包含晶粒墊沿著配置的內連線緣及鄰近該內連線緣的 內連線側壁）；施加保角介電塗層在至少該內連線緣及內 連線側壁上；提供一支撐件，在其第一面具有連接處；安 裝該晶粒於第一面之上並電連接該晶粒至在該支撐件中之 電路，藉由施加導電材料軌跡至塗覆內連線緣及側壁上， 以接觸在晶粒上的外露墊及在支撐件上之連接處。 -12- 201015707 在一些實施例中，該方法包含施加保角介電塗層在該 影像感應器晶粒的前側上；在一些實施例中，該方法包含 施加保角介電塗層於該晶粒的背側上；及在一些實施例中 ，該方法包含施加保角介電塗層於該晶粒的前側及背側上 。在特定實施例中，該方法包含施加保角介電塗層於該影 像感應器晶粒的所有側上。在這些實施例中，施加保角介 電塗層在該晶粒的前側，及/或在該晶粒的背側可以與施 加保角塗層於內連線緣及內連線側壁上同時執行。在一些 實施例中，施加保角介電塗層更包含選擇地移除該塗層的 區域，以外露特性（例如內連線墊）。在特定實施例中， 施加保角塗層包含以二甲苯塗覆晶粒表面，及選擇地移除 該塗層的區域包含將雷射能量朝向這些區域。 在一些實施例中，安裝影像感應器於支撐件的第一表 面之上包含將一額外電裝置安裝在支撐件的該第一表面上 ，及將該影像感應器晶粒固定在該額外電裝置的表面上。 在一些實施例中，固定該影像感應器晶粒包含將一晶粒附 接膜或晶粒附接黏劑施加至該影像感應器晶粒的背側上或 施加至安裝有晶粒的表面上。在一些實施例中，其中該晶 粒具有一適當保角介電塗層（例如二甲苯膜）在該背側之 上，有可能不必要使用一晶粒附接膜或晶粒附接黏劑在該 影像感應器晶粒的背側與其所予以固定的表面之間，因爲 該保角介電塗層可能作用以將晶粒固定至支撐件表面。 依據本發明之晶粒、封裝及組件可以用於電腦、電信 設備、及消費者及工業電子裝置中。 -13- 201015707 【實施方式】 本發明將參考附圖加以更詳細描述，附圖顯示本發明 之替代實施例。該等圖爲示意圖’顯示本發明之特性及與 其他特性及結構的關係’並且不未依規格描繪。爲了清楚 顯示，在顯示本發明實施例之圖中，因爲在所有圖中的元 件均可以容易認出，所以在其他圖中所示之對應元件並未 特別重新編號。至於爲清楚顯示’某些特性並未示於圖中 ，這些特性對於了解本發明並不需要。 現參考圖1，其中，顯示傳統光學感應器空腔封裝的 例子的剖面圖。CMOS光學感應器晶粒22係使用晶粒附接 膜21安裝在封裝基板10的感應器晶粒安裝側。該晶粒22係 安裝有背向基板10的作用（感應器）前側。在該晶粒的作 用側上的電路包含光感應器陣列26，及接取與解碼電路25 、25’、及內連線晶粒墊24、24’。在該基板上的一層導電 材料（金屬或金屬化）係被圖案化，以形成包含黏結墊12 、12’的導電軌跡。例如在導電軌跡上的焊錫遮罩的一介 電層11具有開□，以外露該黏結墊。該光學感應器晶粒22 係爲黏結線14、14’所電連接至該基板，該黏結線連接晶 粒墊（例如墊24’）至對應黏結墊（例如黏結墊12’）。一 安裝在基板10上的蓋支撐30將玻璃蓋32支撐在晶粒的感應 器區域之上。在此例子中，玻璃蓋係被形成爲透鏡。光進 入組件並透過透鏡32，而將一影像指向該感應器陣列26。 圖2顯示另一例傳統光學感應器空腔封裝的剖面圖。 -14- 201015707 如於圖1的例子，於此，CMOS光學感應器晶粒22係使用晶 粒附接膜21被安裝在封裝基板10的感應器晶粒安裝側上。 晶粒22係安裝在背向基板1〇的作用（感應器）前側。在該 晶粒的作用側上之電路包含光感應器陣列26、及接取及解 碼電路25、25’、及內連線晶粒墊24、24’。一陣列28的微 透鏡係被形成在感應器陣列26上。在基板上之一層導電材 料（金屬或金屬化）係被圖案化，以形成導電軌跡，包含 黏結墊12、12’。例如在該導電軌跡上的焊錫遮罩之介電 層11具有開口，以外露出該黏結墊。光學感應器晶粒22係 爲黏結線14、14’所電連接至該基板，黏結線14、14’將晶 粒墊（例如墊24’）連接至對應黏結墊（例如，黏結墊12’ )。安裝在基板10上的蓋支撐30將一玻璃蓋32支撐在該晶 粒的感應器區域上。光通過該蓋34並進入在感應器陣列26 上的微透鏡28。 如圖1及2所示，在這些傳統封裝中，線黏結與玻璃蓋 支撐對於整體封裝佔用面積與厚度的貢獻係遠大於光學感 應器晶粒的佔用面積。 圖3顯示依據本發明實施例之影像感應器封裝例子的 剖面圖，其中光學感應器晶粒係被安裝至一支撐件並電連 接至該支撐件。在此例子中，例如CMOS光學感應器晶粒 122的光學感應器晶粒係使用晶粒附接膜121加以安裝至封 裝基板反射部1 10的感應器晶粒安裝側。晶粒122係被安裝 在背向基板11 〇的作用（感應器）前側。在該晶粒作用側 上的電路包含感應器陣列126，及接取與解碼電路125、 -15- 201015707 125’。在此例子中，一陣列的微透鏡128係被安裝在感應 器陣列126上。一在基板上的導電材料（金屬或金屬化） 層係被作成圖案，以形成包含黏結墊112、112’的導電軌 跡。例如在導電軌跡上之焊錫遮罩之介電層111具有開口 ，以外露出黏結墊。 感應器陣列126可以包含一陣列之各種光感應器之任 一光感應器，包含各種固態攝像裝置之任一，例如光二極 體、光電晶體。 依據本發明，光學感應器晶粒122被導電材料的內連 線軌跡114、114’所電連接至支撐件，該內連線軌跡接觸 內連線晶粒墊（例如墊1 24’）及支撐件中的對應處（例如 黏結墊112’）並在其間提供電連續性。適當導電材料包含 可以以流動形式施加然後固化或允許固化以形成導電軌跡 之材料。此等材料包含例如導電聚合物，包含有在可固化 有機聚合物基質（例如導電（例如塡入）環氧樹脂、或導 電墨水）的導電微粒（例如導電金屬顆粒）：並包含例如 以液體載體輸送的導電微粒。材料可以藉由例如排放、或 印出或噴灑加以施加。適當內連線材料的例子，及施加它 們的技術係例如描述於T.Caskey等人所述之美國專利申請 第12/124’ 097號名稱“由脈衝排放所形成之電內連線”中， 該案係申請於2008年5月20日，並於此倂入作爲參考。導 電墨水可以藉由例如高壓氣體噴灑加以施加並可以在施加 後依據特定墨水的構成加以燒結或固化。在載體中之顆粒 可以藉由例如高壓氣體噴灑排放或施加，並可以在施加後 • 16 - 201015707 被燒結，以形成導電軌跡。 在例如圖3所示之內連線可以在圖4中的放大圖更清楚 看見。鄰近晶粒墊的晶粒側壁及晶粒緣在本例子係爲一電 絕緣保角塗層44所覆蓋。導電材料被以可流動形式被施加 至該電絕緣保角塗層或鄰近該電絕緣保角塗層’然後固化 〇 在圖3及4所示的例子中，一電絕緣光學透明的保角塗 層42額外地覆蓋包含感應器陣列126及週邊電路125、125’ 的晶粒1 22之作用側。在塗層中之開口 48曝露出用以電接 取內連線1 14’的選擇晶粒墊（例如墊124’）的部份。 保角塗層透射光至光學感應器。因此，保角塗層可以 對於至少光學感應器想要操作的波長的實質光學透明。例 如，光學感應器晶粒想要操作於整個可見光譜的波長，保 角塗層透射該可見區域的波長。該光學感應器想要操作於 UV、深UV、或IR;及在此等例子中之保角塗層透射至少 在該對應部份光譜中的波長。該保角塗層同時對下層結構 ，提供機械及化學保護。一較佳塗層材料並不需要溫度上 升’在塗層形成時，並不收縮，並在晶圓處理時，保護下 層面。 有用保角塗層包含由氣相沈積所形成之有機聚合物， 及—特別有用保角塗層可以爲對二甲苯的聚合物或其衍生 物’例如聚二甲苯聚合物，例如聚對二甲苯C或聚對二甲 苯Ν’或聚對二甲苯A。在塗層中之開口可以被形成，當 有需要時，藉由例如選擇雷射熔散形成。 -17- 201015707 保角聚對二甲苯塗層係藉由氣相沈積加以形成，及塗 層可以在晶圓級或在處理的晶粒陣列級形成。在晶圓處理 的例子階段係如下。晶圓之上被設有影像感應器（例如 CMOS感應器）電路。 在先切割後薄化的程序中，晶圓先例如使用切片鋸加 以於作用側切割至晶圓材料的一略大於最終晶粒厚度的深 度，使得晶粒側壁被形成，但晶粒並未完全切開。被切割 之晶圓然後放置於聚對二甲苯沈積室，及執行沈積，以在 曝露面上形成一薄塗層，即在晶粒的前側及外露晶粒側壁 上形成一薄塗層。 塗層係被形成一厚度，其係足以提供連續塗層（沒有 針孔），並足以提供具有符合或超出下層電路要求的介電 強度的電絕緣。聚對二甲苯塗層的適當厚度於範圍例如約 1微米至約5微米。在完成塗覆後，晶圓由聚對二甲苯室移 除，及使用雷射熔散系統以將塗層自晶粒的前面上的內連 線晶粒墊移除。可以了解的是，考量聚對二甲苯在3 〇〇至 8 00奈米間之可見光範圍爲實質透明的，雷射必須操作於 在塗層中有可看到能量吸收的波長。可選擇地，由墊移除 塗層材料也可以在稍後執行晶粒的電連接前之階段執行。 晶圓然後例如藉由晶背硏磨被薄化至一特定晶粒厚度 (典型，例如50微米或更少）。因爲晶圓已先前被切割至 超出晶粒厚度的深度，所以，晶背硏磨造成晶粒的切開。 在先薄化後切割的程序中，所提供晶圓藉由晶背硏磨 被薄化至想要晶粒厚度，然後，晶圓被由晶圓前側或由晶 •18- 201015707 圓背側切割，以得到呈晶粒陣列的切開晶粒。然後，晶粒 陣列被作用側及晶粒緣及曝露側壁支撐，並被如所述處理 以在曝露面上形成保角塗層。雷射熔散係被使用以曝露在 晶粒上的外露內連線墊。 也可以使用混合切割與薄化晶粒的分開製程，特別是 當內連線晶粒墊係沿著一或兩晶粒緣配置在晶粒邊際中。 混合切割與薄化製程係被描述於由R. Co等人之美國申請第 1 2/323，28 8號名爲“半導體晶粒分開方法”的案中，其係被 申請於2008年11月25日，該案被倂入作爲參考。簡單地說 ，晶圓係在兩階段中被切割。第一切割程序可以在晶圓薄 化至想要晶粒厚度前被執行，或者，晶圓薄化可以在第一 切割程序前被執行。在第一切割程序中，晶圓係被由前側 沿著朝向內連線緣的通道切割至較晶粒厚度爲淺的深度， 以形成內連線晶粒緣及至少部份內連線側壁；及晶圓被沿 著其他通道切割至少約晶粒厚度的深度。隨後，晶圓陣列 被如上所述之處理，以在前側與晶粒邊緣與內連線側壁上 形成保角塗層。隨後，第二切割程序中，晶圓係被沿著朝 向內連線側壁的通道切割至切開該晶粒並完成晶粒側壁。 晶粒附接膜可以選擇地施加至薄化晶圓的背側（在先 薄化後切割程序中，或在混合切割及薄化程序中）或在它 們呈晶粒陣列的同時施加至切開晶粒的背側，然後，使用 拾放操作，以將切開的晶粒固定至例如封裝基板的適當支 撐件，或電路板、或另一晶粒。當適當保角介電塗層（例 如聚對二甲苯膜）被形成在背側之上時，不必使用晶粒附 -19· 201015707 接膜或晶粒附接黏劑於該影像感應器晶粒之背側與其予以 固定的表面之間，因爲保角介電塗層可以作用以將該晶粒 固定至支撐件表面。當使用一晶粒附接膜時，則有利地將 膜施加至被薄化晶圓背側或至在該晶粒陣列級的晶粒背側 ;尤其，其可以有利地在薄化程序後的切割或在混合切割 與薄化程序中，以在完成晶圓切割前施加晶粒附接膜，以 協助避免在後續處理步驟中的晶粒移位或晶粒傾斜。 在其他實施例中，保角塗層可以由覆蓋在影像陣列區 域的該晶粒的作用側的區域移除或省略。然而，在這些實 施例中，在後續處理中，保護影像陣列面的功能被犧牲。 用於電內連線的適當導電材料係以可流動形式加以施 加，並隨後被固化或允許變成硬化。內連線材料可以爲導 電聚合物；或導電墨水。內連線材料可以爲可固化導電聚 合物，例如，可固化環氧樹脂；及內連線製程可以包含形 成規定圖案的未固化材料軌跡隨後將聚合物固化，以確保 引線端與內連線處的電接觸及在其間之軌跡的機械完整性 。內連線材料可以使用例如點膠或噴嘴或針頭之施加工具 ，通常，該工具爲沈積頭，被架構以自動（例如機械手臂 )及準確地沈積該材料。該材料係爲該工具所施加於沈積 方向，朝向在側壁面的引線端，及該工具以加工方向移動 晶粒堆疊面的呈現晶粒側壁上。該材料也可以以連續流動 方式由該工具抽出，或者，該材料可以以液滴狀離開該工 具。在一些實施例中，該材料以液滴噴射離開該工具，並 被沈積爲點狀，其在接觸時凝結，或者，隨後接觸電絕緣 -20- 201015707 的晶粒側壁面。在一些實施例中，材料被以高壓氣體噴氣 施加。在一些實施例中，沈積方向大致垂直於晶粒側壁面 ’在其他實施例中，則沈積方向係爲離開垂直於該堆疊面 一角度。取決於予以連接之各種墊在晶粒上及在基板上的 位置’該工具可以以大致線性加工方向移動或於曲折加工 方向移動。 在將內連線材料施加之前，在支撐件上的晶粒的面及 /或在支撐件上之連接處可以設有一元件（或多元件）， 其在固化狀態下可以與內連線材料中之一元件（或多元件 )形成在內連線材料與墊或處表面的介面的內金屬。 可選用地，多數沈積工具可以被固持於一連動組件或 一陣列工具中，並操作以在單次通過中，沈積一或更多材 料軌跡。 或者，材料可以藉由使用一針或墊或連結組件或針或 墊陣列，來針轉移或墊轉移加以沈積。 內連線材料的施加可以自動化，即工具或連結組件或 工具陣列的移動與材料的沈積可以機械手臂控制或爲操作 者所適當規劃。 或者，內連線枓可以例如使用印刷頭（其可以爲適當 陣列的噴嘴）以列印方式加以施加，或者，例如使用遮罩 或模版加以網印。 如圖3所示，因爲內連線係製作在絕緣晶粒側壁上或 附近，所以，支撐件（基板）只有很窄邊際需要包圍該晶 粒。因此，光學感應器封裝的佔用面積可以作成只略大於 -21 - 201015707 該晶粒佔用面積。同時，如於圖3所示，整個封裝高度可 以只作成略大於晶粒與基板的厚度加上晶粒附接材料的厚 度總和。 所示例子具有一影像感應器晶粒安裝在該支撐件上。 在其他實施例中，兩或更多影像感應器晶粒被安裝並電連 接至支撐件。在此等實施例中，各種晶粒可以相同地動作 ，提供多餘或相加影像形成能力。或者，例如，各種晶粒 可以在不同光譜部份操作。例如，操作在可見區域中之三 個晶粒可以分別感應於紅、綠及藍波長；及，在此等實施 例中，一額外第四個晶粒可以感應大致超出可見光區域外 的波長。或者，例如，一或更多晶粒可以感應可見區域的 一部份或多部份，及一或更多額外晶粒可以感應於在可見 區域外的波長，例如UV、深UV、及/或IR。 示於圖3及4的支撐件爲封裝基板，即它們包含一或更 多有圖案導電層（例如金屬膜或金屬化）及一或更多介電 層，具有黏結處外露在用以電連接至光學感應器晶粒的一 表面。也可以想出有其他支撐件。其他支撐件包含例如具 有在其上安裝有光學感應器的一表面及相反面上的電連接 處之封裝基板，例如球柵陣列（BGA )或地柵陣列（LGA )基板；在相反面上的電連接處可以作爲封裝組件所z-內 連接至裝置中之下層電路，在該裝置中佈署有光學感應器 (例如下述之示於圖5A、5B中的例子）：或者，用於其他 電特性的電連接或用於其他電特性的z-內連接與電連接（ 如下述之圖6所示之例子）。可以相出各種支撐件，包含 201015707 例如額外晶粒；引線架；印刷電路板；軟性電路基板；玻 璃板。 圖5A及5B顯示光學感應封裝實施例，其中晶粒支撐件 爲球柵陣列（B G A )基板。在此例子中，光學感應器晶粒 係類似於圖3及4所示者。在此例子中之BGA基板包含至少 兩有圖案導電金屬（或金屬化）層，其係爲一介電層或多 介電層所分開。一導電層係在晶粒安裝側並爲具有開口外 露黏結墊（例如52、52’）的焊錫遮罩51所覆蓋，大致如 同在圖3及4中所示的支撐件。在這些例子中，光學感應器 晶粒122係被導電材料的內連線軌跡114、114’及11 4”所電 連接至基板50，該導電材料接觸並提供在內連線晶粒墊（ 例如在圖5A中之124、124’；未在圖5B中所示之墊）間至 基板中之對應黏結墊（例如圖5A中之52、52’ ；未示於圖 5B中之墊）之電連續性。第二導電層係在基板相反於晶粒 安裝側的一側上，並爲具有開口外露出焊錫球凸部（在圖 5A中之54;在圖5B中並未示出凸部）的焊錫遮罩53所覆蓋 ，該焊錫球凸部係用於焊錫球54的迴焊附接及用於內連接 封裝至在佈署有感應器的裝置內的下層電路。有圖案導電 層係爲通過支撐件的介電層之導孔所連接。下層電路可以 爲在印刷電路板上，例如，具有其他功能的其他晶粒（或 其他封裝）係被安裝及電連接至該印刷電路板上。 額外電裝置也可以電連接至支撐件相反於安裝有光學 感應器的一側上。各種電裝置之任一者均可以佈署於此等 實施例中’包含例如半導體晶粒；一堆疊半導體晶粒；一 -23- 201015707 半導體晶粒封裝；一或更多被動及主動電特性；一具有電 路之載體；具有電連接至被動特性或主動特性的載體。例 如，圖6顯示依據本發明之多晶粒組件的實施例的透視圖 ，其中，一影像感應器晶粒被以圖5A、5B所述之方式安裝 及電連接至一支撐件60 (例如封裝基板）的感應器晶粒附 接側；及具有另一功能的一堆叠晶粒62係被安裝及電連接 至相反於該感應器晶粒附接側的支撐件的一側上。該支撐 件具有至少兩圖案導電層，一導電層在感應器晶粒安裝側 上，及另一在相反側上，並爲一介電層或多介電層所分開 ，並爲通過介電層的導孔所連接，如圖5A所示。在此例子 中，在相反側的導電層具有外露焊錫球墊安排用以附接週 邊焊錫球（例如67)，藉由該週邊焊錫球封裝可以連接至 佈署有封裝之裝置內的（例如在印刷電路板中之）下層電 路。在相反側的導電層具有外露內連線墊，安排用以內連 接在堆疊62中之晶粒。在所示之例子中，在堆疊62中之第 一晶粒64係使用一晶粒附接黏劑（例如晶粒附接膜或晶粒 附接環氧樹脂）安裝至該支撐件60表面上；及在該堆疊62 中之第二晶粒66係使用晶粒附接黏劑（例如晶粒附接膜或 晶粒附接環氧樹脂）安裝在第一晶粒64上。同時，在所示 例子中，在堆疊62中之第一與第二晶粒係以類似於上述用 以將影像感應器晶粒連接至支撐件的感應器晶粒安裝側的 方式，使用以可流動形式施加之內連線材料的軌跡68電互 連晶粒-至-晶粒並連接至在支撐件上之電路上的互連墊（ 未示於圖中）。適當連接也可以包含打線、點-互連（tab- -24-

201015707 interconnect)、倒裝互連等等。在堆疊62中之晶粒 有相同功能（例如，它們可以爲記憶體晶粒），或 可以有不同功能；及晶粒也可以具有相同或不同尺 疊62可以包含兩個以上之晶粒，及單一晶粒也可以 替代堆疊62的基板上。 在圖5B及6中，光學感應器晶粒係被顯示爲沿毫 晶粒側壁（內連線軌跡114、114’、及114”）電連接 撐件。在一些實施例中，取決於其墊佈局，光學感應 粒可以沿著所有四個晶粒側壁（包含在這些圖中所异 之一側壁）具有晶粒墊（及在封裝中之電連接）：窜 只沿著兩晶粒側壁；或只沿著一晶粒側壁。 圖8顯示一光學感應器組件的例子，其中光學磨 晶粒122係被安裝及電連接至另一晶粒80。即，在此 中，一晶粒構成該支撐件。在此例子中，影像感應器 122係使用晶粒附接膜固定至該晶粒80的表面81。電 例如係由接觸在該影像感應器晶粒上的晶粒墊724、 及在晶粒180上的接觸墊844、844’加以完成。 在其他實施例中，光學感應器晶粒係被安裝在支 之上並電連接至該支撐件，以及’ 一額外電裝置（惑 一或更多額外電裝置的裝置堆疊）係安置於該光學磨 晶粒與支撐件之間。該光學感應器晶粒可以選用地 至該安置的電裝置（或至該堆疊中的一或兩多額外 :該安置額外裝置（或一或更多該裝置）可以選用 接至該支撐件；及當有一堆疊裝置被安置於該光學 以具 它們 。堆 裝在 三個 至支 器晶 示出 者， 應器 例子 晶粒 連接 724, 撐件 具有 應器 連接 置） 電連 應器 -25- 201015707 晶粒與該支撐件之間時，該等額外裝置可以選用地在堆疊 中彼此連接。各種電裝置的任一種均可以佈署於此等實施 例中，包含例如一半導體晶粒；一堆疊半導體晶粒；一半 導體晶粒封裝；一或更多被動或主動電特性；具有電路之 載體；具有電連接被動特性或主動特性之載體。部份例示 的例子係如下。 圖7顯示光學感應器組件的例子，其中光學感應器晶 粒122係安裝在支撐件70之上（並非直接接觸），具有一 額外電裝置72安置於該光學感應器晶粒與該支撐件表面間 。在此例子中，該光學感應器晶粒122並未被顯示直接電 連接至額外電裝置72;及該額外電裝置並未被顯示直接電 連接至支撐件70。可以了解的是，額外裝置也可以選用地 藉由各種第二層內連線架構（未示於圖7)之任一種加以 電連接至支撐件70，該第二層內連線架構包含以可流動形 式施加之導電材料，然後固化或允許變成固化所形成之導 電軌跡，並且也包含打線、點-互連、或倒裝互連等等。 圖9顯示一光學感應器組件的例子，其中光學感應器 晶粒122係被安裝在支撐件90之上（並非直接接觸），具 有一額外電裝置82安置於該光學感應器晶粒與該支撐件表 面之間。在此例子中，該光學感應器晶粒122係藉由接觸 在該影像感應器晶粒上之內連線處7 24、7 24’與在裝置82 上之接觸墊844、844’的導電軌跡74、74’，而電連接至該 所安置的電裝置82。在此例子中，該安置電裝置82具有內 連線處924、924’，及該所安置之裝置與支撐件90的電連 201015707 接係由接觸在該影像感應器晶粒上的內連線墊924、924’ 與在該支撐件90上之接觸墊944、944’的導電軌跡94、94’ 所完成。 圖10顯示一光學感應器組件的例子，其中，一光學感 應器晶粒122係被安裝在支撐件100之上（並非直接接觸） ，具有一額外電裝置安置於該光學感應器晶粒與該基板表 面之間。在此例子中，該所安置的電裝置構成安裝並電連 接至該支撐件100的表面101上的一堆疊晶粒1002、1004。 即，在此例子中，在堆疊中之上晶粒1004 (或堆疊本身） 構成一支撐件。在此例子中，在堆疊中之第一晶粒1 00 2使 用晶粒附接黏劑1 〇〇3 (例如晶粒附接膜或晶粒附接環氧樹 脂）安裝在該支撐件1〇〇上；及在該堆疊中之第二晶粒 1 004使用晶粒附接黏劑1 005 (例如晶粒附接膜或晶粒附接 環氧樹脂）安裝在該第一晶粒10 02上。同時，在所示例子 中，以類似於將影像感應器晶粒連接至支撐件的感應器晶 粒安裝側上的方式，堆疊中之第一與第二晶粒係使用可以 以流動形式施加之內連線材料的軌跡1008，被電互連晶片 對晶片並連接至在支撐件100上的表面101上的電路之內連 線墊1 006。在該堆疊中之晶粒可以具有相同功能（例如， 它們可以爲記憶體晶粒），或它們可以具有不同功能；及 晶粒可以具有相同或不同尺寸。堆疊可以包含兩個以上之 晶粒；及單一晶粒也可以安裝在替代該堆疊的基板上。 被安置之電裝置（或多裝置）可以具有較上層影像感 應器晶粒的尺寸爲小的尺寸，及在此等實施例中，影像感 -27- 201015707 應器晶粒的內連線側壁可以突出於該被安置裝置（或多裝 置）。圖11顯示一光學感應器組件的例子，其中光學感應 器晶粒122被安裝在支撐件110之上（並未直接接觸），及 在此例子中’構成一堆疊裝置112、114的額外電裝置係安 置於光學感應器晶粒與基板表面之間。在此例子中，光學 感應器晶粒122的內連線緣延伸超出並突出該所安置電裝 置的邊緣。在此等實施例中，導電材料的托件（pedestal )可以形成與基板中之電連接處接觸，及該影像感應器晶 粒可以藉由該托件電連接至該電連接處。在圖11所示之例 Φ 子中，導電材料的托件1 146、1 146’係被形成在下層支撐 件110的內連線面111的處1144、1144’，以及，影像感應 器晶粒122係爲導電材料的軌跡1174、1174’所電連接至支 撐件’該等軌跡被施加至或鄰近塗覆內連線緣及側壁並與 托件1146、11 46’接觸。該托件可以由任意具有適當機械 特性之導電材料所形成，此托件的形成係被描述於例如上 述之由T. Caskey等人所申請之美國專利申請號12/124， 097案中，其係併入作爲參考。 ® 其他實施例係在申請專利範圍內。 【圖式簡單說明】 圖1爲一具有玻璃蓋透鏡的傳統光學感應器空腔封裝 的橫剖面示意圖： 圖2爲具有微透鏡在該感應器陣列與一保護玻璃蓋的 傳統光學感應器空腔封裝的橫剖面示意圖； -28- 201015707 圖3爲顯示本發明光學感應器封裝實施例的橫剖面示 意圖； 圖4爲本發明之圖3的光學感應器封裝實施例的一部份 的橫剖面示意放大圖； 圖5 A爲依據本發明實施例之BG A光學感應器封裝的橫 剖面示意圖； 圖5B爲在圖5A之BGA光學感應器封裝的透視示意圖； 圖6爲依據本發明實施例之光學感應器封裝組件的透 視示意圖，其具有光學感應器晶粒安裝在一支撐件的表面 上，及一堆疊記憶體晶粒安裝在該支撐件的相反面上； 圖7爲依據本發明另一實施例之光學感應器封裝組件 的透視示意圖，其具有光學感應器晶粒安裝在一支撐件的 表面上並電連接至該支撐件，及一額外電裝置配置於該光 學感應器晶粒與支撐件表面之間； 圖8爲依據本發明另一實施例之光學感應器封裝組件 的透視示意圖，其具有光學感應器晶粒安裝在一額外晶粒 上並電連接至該額外晶粒上； 圖9爲依據本發明另一實施例之光學感應器封裝組件 的透視示意圖，其具有光學感應器晶粒安裝在一額外電子 裝置，其中該額外裝置被安裝在一額外支撐件並電連接至 該支撐件； 圖10爲依據本發明另一實施例之光學感應器封裝組件 的透視示意圖，其具有光學感應器晶粒安裝在一堆疊記憶 體晶粒的最上方記憶體晶粒並電連接至其上，其中該記憶 -29 - 201015707 體晶粒堆疊係安裝至額外支撐件並電連接至該額外支撐件 :及 圖11爲依據本發明另一實施例之光學感應器封裝組件 的透視示意圖，其具有光學感應器晶粒安裝在支撐件表面 上並電連接至該支撐件，及一額外電裝置配置於該光學感 應器晶粒與該支撐面之間。 【主要元件符號說明】 10 :封裝基板 ® 1 1 :介電層 12，12’ ：黏結墊 14，14’ ：打線 2 1 :晶粒附接膜 2 2 :晶粒 24，24’ ：內連線晶粒墊 25，25’ ：接取及解碼電路 ❿ 26 :感應器陣列 28 :微透鏡 3 〇 :蓋支撐件 42 :保角塗層 44 :電絕緣保角塗層 48 :開口 50 :基板 51 :焊錫遮罩 -30- 201015707 5 2，5 2 ’ ：黏結墊 53 :焊錫遮罩 54 :焊錫球凸部 6 0 :支撐件 62 :堆疊 64 :第一晶粒 66 :第二晶粒 67 :焊錫球

6 8 :軌跡 7 0 :支撐件 72 :額外電裝置 7 4，7 4 ’ ：導電軌跡 8 0 :晶粒 8 1 :表面 82 :安置電裝置 90 ‘·支撐件 94，94’：導電軌跡 1 〇 〇 :支撐件 1 0 1 :表面 I 10 :封裝基板 II 1 :介電層 1 1 2，1 1 2 ’ ：黏結墊 1 1 4，1 1 4 ’，1 1 4 ” ：內連線軌跡 1 2 1 :晶粒附接膜 -31 - 201015707 1 2 2 :晶粒 124，124’ ：墊 125，125’ ：週邊電路 126 :感應器陣列 128 :微透鏡陣列 7 2 4，7 2 4 ’ ：晶粒墊 844 ， 844’ ：接觸墊 924，924’ ：內連線處 944，944’ ··接觸墊 1 002 :第一晶粒 1 0 0 3 :晶粒附接黏劑 1 〇 〇 4 :第二晶粒 1 0 0 5 :晶粒附接黏劑 1 〇 〇 6 :內連線墊 1 0 0 8 :軌跡 1144， 1144’：處 1146， 11465 ：托件 1174

1 1 74’ ：軌跡

Claims (1)

1. 201015707 七、申請專利範圍： 1. 一種影像感應器晶粒，包含：一半導體晶粒，其具 有前側、背側及側壁，該前側具有包含感應器陣列區的作 用面；及內連線墊沿著至少一內連線緣排列於一內連線邊 際，該影像感應器晶粒更包含一保角介電塗層在該內連線 緣之上。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之影像感應器晶粒，更 包含一光學透通介電保角塗層在至少該感應器陣列區之上 〇 3 .如申請專利範圍第1項所述之影像感應器晶粒，該 作用面更包含一週邊電路區。 4.如申請專利範圍第1項所述之影像感應器晶粒，其 中在該內連線緣之上的該保角介電塗層包含有機聚合物。 5 ·如申請專利範圍第2項所述之影像感應器晶粒，其 中在至少該感應器陣列區之上的該光學透通介電保角塗層 包含有機聚合物。 6.如申請專利範圍第2項所述之影像感應器晶粒，其 中在至少該感應器陣列區之上的該光學透通介電保角塗層 包含對二甲苯的聚合物或其衍生物。 7 .如申請專利範圍第2項所述之影像感應器晶粒，其 中在至少該感應器陣列區之上的該光學透通介電保角塗層 包含聚對二甲苯C或聚對二甲苯N，或聚對二甲苯A。 8 .如申請專利範圍第1項所述之影像感應器晶粒，其 中在該內連線緣之上的該保角介電塗層包含對二甲苯的聚 -33- 201015707 合物或其衍生物。 9. 如申請專利範圍第2項所述之影像感應器晶粒，其 中在至少該感應器陣列區之上的該光學透通介電保角塗層 及在該內連線緣之上的該保角介電塗層包含類似材料。 10. 如申請專利範圍第2項所述之影像感應器晶粒，其 中在至少該感應器陣列區之上的該光學透通介電保角塗層 及在該內連線緣之上的該保角介電塗層包含相同材料。 1 1 ·如申請專利範圍第2項所述之影像感應器晶粒，其 中在至少該感應器陣列區之上的該光學透通介電保角塗層 ❿ 及在該內連線緣之上的該保角介電塗層各包含對二甲苯的 聚合物或其衍生物。 12. —種影像感應器封裝，包含安裝在支撐件之上的 影像感應器晶粒，其中該影像感應器晶粒包含：具有前側 、背側、及側壁的半導體晶粒，該前側具有包含感應器陣 列區的作用面及沿著至少一內連線緣排列於內連線邊際的 內連線墊，該影像感應器晶粒更包含在該內連線緣之上的 保角介電塗層；及其中該影像感應器晶粒係爲導電材料軌 跡所電連接至在該支撐件的第一表面上的內連線處，該導 電材料係被施加至或鄰近該被塗覆內連線緣及側壁，其中 該軌跡接觸在該影像感應器晶粒上的曝露墊及在該支撐件 上的一處* 13. 如申請專利範圍第12項所述之封裝，其中該導電 材料包含一材料，其可以以流動形式施加然後固化或允許 固化以形成導電軌跡。 -34- 201015707 14. 如申請專利範圍第13項所述之封裝，其中該導電 材料包含導電聚合物。 15. 如申請專利範圍第14項所述之封裝，其中該導電 材料包含包括在可固化有機聚合物基質中之導電微粒。 16. 如申請專利範圍第15項所述之封裝，其中該等微 粒包含導電金屬顆粒。 17. 如申請專利範圍第15項所述之封裝，其中該導電 材料包含導電環氧樹脂。 18. 如申請專利範圍第15項所述之封裝，其中該導電 材料包含導電墨水。 19. 如申請專利範圍第12項所述之封裝，其中該導電 材料包含輸送於液體載體中的導電微粒。 20. 如申請專利範圍第12項所述之封裝，其中該影像 感應器晶粒更包含光學透通介電保角塗層在至少該感應器 陣列區之上。 22.如申請專利範圍第12項所述之封裝，其中該影像 感應器晶粒的該作用面更包含週邊電路區。 23·如申請專利範圍第12項所述之封裝，其中在該內 連線緣之上的該保角介電塗層包含有機聚合物。 24_如申請專利範圍第20項所述之封裝，其中在至少 該感應器陣列區之上的該光學透通介電保角塗層包含有機 聚合物。 25.如申請專利範圍第20項所述之封裝，其中在至少 該感應器陣列區之上的該光學透通介電保角塗層包含對二 -35- 201015707 甲苯的聚合物或其衍生物。 26. 如申請專利範圍第20項所述之封裝，其中在至少 該感應器陣列區之上的該光學透通介電保角塗層包含聚對 二甲苯C或聚對二甲苯N、或聚對二甲苯A。 27. 如申請專利範圍第12項所述之封裝，其中在該內 連線緣之上的該保角介電塗層包含對二甲苯的聚合物或其 衍生物。 28. 如申請專利範圍第20項所述之封裝，其中在至少 該感應器陣列區之上的該光學透通介電保角塗層及在該內 連線緣之上的該保角介電塗層包含類似材料。 29·如申請專利範圍第20項所述之封裝，其中在至少 該感應器陣列區之上的該光學透通介電保角塗層及在該內 連線緣之上的該保角介電塗層包含相同材料。 3 0.如申請專利範圍第20項所述之封裝，其中在至少 該感應器陣列區之上的該光學透通介電保角塗層及在該內 連線緣之上的該保角介電塗層各包含對二甲苯的聚合物或 其衍生物。 31. 如申請專利範圍第12項所述之封裝，其中該支撐 件包含封裝基板、額外晶粒、印刷電路板、引線架、玻璃 板之一。 32. 如申請專利範圍第31項所述之封裝，其中該支撐 件包含BGA基板、LGA基板、或軟帶基板之一。 33. 如申請專利範圍第31項所述之封裝，其中該支撐 件包含額外晶粒。 201015707 34. 如申請專利範圍第12項所述之封裝，其中該影像 感應器晶粒被安裝在該支撐件的表面上。 35. 如申請專利範圍第12項所述之封裝，其中一額外 電裝置（例如額外晶粒）被安置於該影像感應器晶粒與該 支撐件之間。 36. 如申請專利範圍第35項所述之封裝，其中該影像 感應器晶粒額外電連接至在該額外電裝置中之電路。 37. 如申請專利範圍第35項所述之封裝，其中該被安 置電裝置包含額外半導體晶粒。 38. 如申請專利範圍第37項所述之封裝，其中該被安 置電裝置包含一堆疊額外半導體晶粒。 39. 如申請專利範圍第35項所述之封裝，其中該被安 置電裝置包含記憶體晶粒，例如圖形處理單元的處理器、 無線通訊晶片、網路接取晶片之一。 40. 如申請專利範圍第35項所述之封裝，其中在該被 ^ 安置電裝置中之電路被電連接至在該支撐件中之電路。 41. 如申請專利範圍第38項所述之封裝，其中在該堆 疊中的兩或更多額外晶粒被電互連。 42. 如申請專利範圍第38項所述之封裝，其中該堆叠 額外晶粒係電連至該支撐件。 43. 如申請專利範圍第38項所述之封裝，其中該影像 感應器晶粒係電連接至在該堆疊中之至少一該額外晶粒上 的內連線處。 44. 如申請專利範圍第12項所述之封裝，其中一額外 -37- 201015707 電裝置被安裝並電連接至在該支撐件的第二面的內連線處 0 45. 如申請專利範圍第44項所述之封裝，其中該第二 面與該第一面係爲該支撐件相同側之區域。 46. 如申請專利範圍第44項所述之封裝，其中該第二 面與該第一面係爲該支撐件相反側之區域。 47. 如申請專利範圍第44項所述之封裝，其中該安裝 在該支撐件的該第二面上的額外電裝置包含額外晶粒 '或 堆疊的額外晶粒、或半導體封裝之一。 48. —種備製影像感應器晶粒的方法，包含：提供具 有影像感應器電路形成在其作用側上的晶圓；切割該晶圓 ，以形成內連線晶粒緣與側壁；及形成保角介電塗層在包 括該內連線緣的該被切割晶圓的前側之上。 49. 如申請專利範圍第48項所述之方法，更包含藉由 自該晶圓背側移除材料，而薄化該晶圓。 5 0.如申請專利範圍第49項所述之方法，其中切割該 晶圓係至少部份在薄化該晶圓之前被執行。 51. 如申請專利範圍第49項所述之方法，其中薄化該 晶圓係至少部份在切割該晶圓之前被執行。 52. 如申請專利範圍第49項所述之方法，其中該晶圓 係在至少兩切割程序中被切割，及薄化該晶圓係在該兩切 割程序之間的時間內被執行。 53 .如申請專利範圍第48項所述之方法，其中形成該 介電塗層包含藉由氣相沈積形成一聚合物膜。 -38 - 201015707 54. 如申請專利範圍第53項所述之方法，其中形成該 介電塗層包含藉由氣相沈積形成聚對二甲苯膜。 55. —種製作影像感應器封裝的方法，包括：提供具 有前側及背側以及影像感應器電路形成在該前側的晶粒， 該晶粒具有內連線墊位在接近內連線晶粒緣；提供一在其 第一面具有連接處的支撐件；將該晶粒安裝在該第一面之 上；施加保角介電塗層在至少該內連線緣之上；及藉由施 加導電材料軌跡至或鄰近該被塗覆內連線緣與在該晶粒上 的外露墊接觸及與在該支撐件上的連接處接觸，以電連接 該晶粒至在該支撐件中之電路。 56. 如申請專利範圍第55項所述之方法，其中施加保 角介電塗層到至少該內連線緣之上係在安裝該晶粒之前被 執行。 57. 如申請專利範圍第55項所述之方法，其中施加保 角介電塗層到至少該內連線緣之上係在安裝該晶粒之後被 ® 執行。 5 8 .如申請專利範圍第5 5項所述之方法，更包含施加 光學透通保角介電塗層在該影像感應器晶粒的該前側之上 〇 5 9.如申請專利範圍第58項所述之方法，其中施加光 學透通保角介電塗層於該影像感應器晶粒的該前側之上及 施加保角介電塗層在至少該內連線緣之上係被同時執行。 60.如申請專利範圍第55項所述之方法，其中施加該 保角介電塗層在至少該內連線緣之上包含塗覆至少一部份 -39- 201015707 的該內連線墊，及更包含形成一開口通過該塗層以曝露該 墊。 61. 如申請專利範圍第55項所述之方法’其中安裝該 影像感應器晶粒在該支撐件的該第一面之上包含安裝該晶 粒在該支撐件的該第一面上。 62. 如申請專利範圍第55項所述之方法’其中安裝該 影像感應器晶粒在該支撐件的該第一面之上包含安裝一額 外電裝置在該支撐件的該第一面上並將該影像感應器晶粒 固定至該額外電裝置之一面上。 63. 如申請專利範圍第55項所述之方法，更包含安裝 及電連接一額外電裝置至該支撐件的第二面上。 64. 如申請專利範圍第63項所述之方法，其中該第二 面與該第一面係爲該支撐件的相同側的區域。 65. 如申請專利範圍第63項所述之方法，其中該第二 面與該第一面係爲該支撐件的相反側的區域。 -40-