TW201003349A - Method for controlling a transformation process - Google Patents

Description

201003349 六、發明說明： :發明係關於用於控制轉形過程的方法，其 料至產物之轉化沿自a許月 s 材 至梦❹U B曰體及或曰曰粒及/或相及/或孔隙表面 襄載材料中的轉形界面發生’裝載材料中之 子元素釋放及/或合併及/或重排，且裝載材料之轉化二 的轉形界面發生。 轉化〜則進 該方法亦可用於（例如）基於裝載材料（詳言之 :要：：、添加劑及固體碳載體）使用用於製備金屬及‘ =產物及/或t間冶金產物的製程氣體來控制 程（咩言之，還原過程）。 、 如體之冶金過程被廣泛地使用。其涉及（例 在裝载材料之轉化中使用製程氣體之還原電位或氧化 產物气1、、θ人物主 *屬、主要冶金產物或中間冶金 存在化的結果。在此等過程之狀況下’ 製私參數適應於裝载材料的必要性， 裳戴材料之化學、物理及熱力學性質而定。“轉化視 相機=Γ揭示’在將原料載入至鼓風爐中之前，用 有對裝載材料之識別。寸刀布。其缺點在於沒 對裳載絲祖本發明之一目標為提供一方法’使得可能基於 顯著二Γ別來儘可能精確地控制轉形過程，且因此 也確保在該過程中裂載材料之更有效轉化。 201003349 以對應於中♦奩I ;丨 發明之方法專利範圍¥ 1項之特徵化部分的根據本 之方式達成根據本發明之該目標。 關於並i根據本發明之方法’通常固體的裝載材料可基於 關於其相及/ 士 J ^ 少一光與^ 、、且分及/或其相形態及/或其化學成分之至 I右胜I、#言之顯微分析而受到識別。裝載材料之識別 化學分析僅允許獲得關 金過私中之特性的不足夠分析結果。尤盆 組二材料組份之成分，因為此等所謂的相 或敎力 b學成分’而且允許（例如）建立機械 物^ r貝’使得轉形過程較大程度上視裝載材料之礦 子石相學，詳言之視裝載材料之微結構及紋理而定。 立：裝載材料之礦物原料之組份藉由相或礦物來建 言五=等相常具有具特定化學成分及結晶結構之區域。術 κ物原料」亦涵蓋合成地製備之材料，諸如 :1 结：出現之玻璃，以及基本上不具有結晶結構之煤i 二：金過程非常強烈地受相形態及空間分布影響。對 將指派關於該等裝裁材料之參考函數且 ”穿截好…口金過程之製程參數，該等參考函數描述 。亥#裝載材料在該過程中之轉化。 估/載能基於軸料之成分、其結構及相形態來評 該之影響，且藉由參考函數描述預期裝載材料在 或」1生之轉化。此描述允許”程參數之對應調適 戈…使得可設定裝载材料之轉化以便對應於一目標。 5 201003349 基於對裝載材料之& y\ i 將具有的特性，從而促進77斤，可確定預期此裝裁材科 用於檢查在進展中的轉形^程參數之設定。顯微分析亦可 之目的，且在裝裁材科之過種（諸如，冶金或化學過程） 之成分已改變之狀况 轉化方面進行介入，在裝载材料 的。 ：製程參數之快速調適總為可能 依據根據本發明之方 於與該參考函數—起儲存=製程參數係基 該參考函數描述之該轉化辦加 ，則吏得使用 分析裝载材料，參考函數： ：之使其最大化。藉由 最大化裝载材料在過程中之製程變數’可能增加或 確切瞭解使得對因為由於對裝載材料之 能的。製程變數表示用於數之最佳選擇為可 之基礎的對應於裝載材料的製程變數:：; = ·=參數 佳化為可能的。 使侍對该過程之最 依據根據本發明之方法之又一較佳改進 材料之該參考函數係藉由對該裝载材料之轉」=载 模擬’同時考慮到反應動力學，且在適者 二：力學 2;擬藉由個別粒子之氣固反應之模型化方法執行 專拉擬。此等模型化方法之經典實例為「縮核模型」（灰 =模型（_猶m〇del))或「晶粒模型」。（文獻：】Szekely 等人，學術出版社，紐約丨976)。 6 201003349 該轉化可為（例如）在製程 原過程中礦石之#盾山 < 轉开/ ’堵如在還 優石之還原。由於對裝载材料之a、八… 解’可能藉由本來已知之熱力學模二=之確切瞭 為此目的，必須亦考慮到製程參數 =轉化。 對裝載材料之確切瞭解。可能藉由經驗；以及 因此獲得更精確結果。 、4補充該模擬且 依據根據本發明之方法— 夂去T私《 , I利改進’預先確定該箄 多考函數及/或該等所儲存之製 專 庫中。菇士 U·!、， 文默此將其儲存於一資料 犀屮錯由此量測，可能逐步地捸六m 叶 庙。上 也建立—用於—過程之資袓 庫，且當使用新的裝載材料 貝枓 ^ ^ . ^ ^ ^，相應地調適或# 確疋该資料庫。以此方式，可 、飞祈 集合，其可涵蓋冶金過程之 狂叟數 在需要日” + 子乾圍及/或完整操作範圍，或 仕病要打亦可在任一時間得以擴展。 飞 依據根據本發明之方法，„ /去之—替代改進，該等經確定之 多考函數係進一步基於該 六# 寻熟力學模擬而予以最佳化Η杜 存於該資料庫中。正為推〜 取丨主化且儲 ^ # , 仃之對參考曲線之確定使得亦可 月匕藉由製程變數對應地最佳 Τ 化嗲、# 化參考曲線且因此整體地最佳 化該過程，使得在較寬範 取佳 ^ 固的4載材料t仍然可確保；Λ a 過程之有效操作範圍^ 侏，口金 根據本發明，該方法頰 經設定 ^ 、 規疋，§亥轉形過程之該製程參數 疋’使得該裝載材料至出〇 ^ 之藉由史去成之貫際轉化與該裝載材料 4精由參考函數描述之 丁寸 安 匕的偏差最小化。基於經最佳4 之 > 考曲線，可能以傕得垒 化 方 吏件參考曲線被用作最佳操作模式 石式刼作冶金過程，且以枯〜 八的 使侍儘可能精確地設定此參考曲 201003349 線的方式選擇製程參數。因此，灸 *号曲線及相關聯製程變 數允許容易地最佳化冶金過程。 若在考慮到反應動力學之愔m # 予< h况下對該裝載材料之轉化 的熱力學模擬係基於關於該裴載姑 取材枓及/或產物之顯微確定 之變數（在適當時使用經驗資料） 貝了十）而在線上（on line)發生， 接著將此模擬之結果與該參考函 可山數比較，且基於此比較執 行對該轉形過程之製程參數之裀 之°周適’同時最小化偏差，就 達成根據本發明之方法之—有利 旁才j改進。藉由在線上模擬可 能非常快速地確定實際情形與由夂 、田參考曲線描述之所要情形 之偏差，且相應地調適製程參數。 數错此必須考慮反應動力 于’因為熱力學平衡常需要較 平乂長時間來設定，使得自完全 熱力學觀點而言，實際及廉 應十衡存在偏差。類似地，經驗 參數之使用對於在献力學艢垃 „ 、、刀予精確性方面改良熱力學情形為有 利的。 根據本發明，根據對裝載材料之顯微分析之結果來調 適忒製程參數，詳言之壓力、，w 制j γ _ 尸 刀/m度 '製程氣體（較佳還原 =體）之體積流，及/或裝載材料 '該裝載材料之晶粒尺寸 f布、該裝载材料在該過程中之停留時間及該製程氣體之 乳化程度。對該過程之介人因此直接藉由改變製程參數， 同時一方面維持預定義值範圍且考慮參數對彼此之 賴性而發生。 攸 依據根據本發明之t、、土 4 _ ,, ^计、 之方法之—可能改進，該等裝载材料 μ過轾中之轉化程度係藉由還原程度及/或藉由該 材料之碳含量來建立。此等兩個變數為唯-地可罐定的 201003349 載材料在該過程中之實際轉化可藉 技術上之習知手段來記錄。 由 言之發明之方法之—特殊改進，該轉化程度（詳 ^ "及/或該碳含量係對於該裝載材料中之每一 ==確定，且選擇該等製程參數以使得該等經還 载材料之平均氧化程度最小化。此策略藉由儘可能 量比：：=引起最佳化產量。由於裝載材料常以不同定 =τ各種氧化物，故在冶金過程中發生裳載材料之 率㈣此係由於（例如）該等氧化物可以不同速 ==。，㈣平均氧化程度之聯合最佳化在此處具有達成 之ϋ放丰的優點。亦可關於個別氧化物之影響進行權衡 =本發明之方法之—有似進規定，該顯微 =物之單晶體及/或晶體聚集物及/或該等裝載材料之至 二著：進行。已發現，裝載材料之特性或其工業轉化非常 2地視所存在之相及相形態（亦即，其幾何構造）而定。 要的是，相分析不僅平均地在裝載材料之表面上進 仃：而亦在相同礦物或相之個別晶體及/或聚集物處執行， 此係由於（例如且尤其）轉形率藉由個別晶體之性質建立。 根據本發明之方法之一有利改 使於，該顯微分析係 使用早—或多重偏振光在-或多個階段中發生。藉由使用 ::先之單—或多重分析，可能自所有相之結晶性質識別 目、’整體地確定其在裝載材料中之形態及模態比例， :進-步結果’建立化學成分。此程序允許對裝载材 201003349 料或其成分及微結構的 理站支矣* 罪及快速識別。此處將模態比例 里解為意謂裝载材料的由 相'、且刀（％)表示之礦物學成分。 藉由根據本發明之古 振及偏振光而進行，兮偏b該多階段顯微分析使用非偏 ,^ ^ °，偏振光在不同階段具有不同偏振方 別i=r方向。不同偏振器及分析器位置允許相被識 』，在各向異性相之狀況下，確定晶體尺寸。藉由對自 同一顯微圖獲得之且右x m β /、有不问偏振器-分析器位置之許多顯微 景」象的自動組合及評估來確定晶體形態。 一““及偏振器皆用於許多不同位置中以用於獲得同 一顯微圖之影像㈣。經由軟體處理及編譯該等影像，且 因此確定大量個別各向異性晶體之幾何參數、詳言之晶界。 依據根據本發明之方法之—有利改進，確定經識別之 :的晶體及/或相形態、詳言之表面積、圓周、圓周形狀' Υ圓周、孔隙率、孔隙形狀及孔隙數目，且以相參數之形 式儲存於資料庫中料參考函數之計算之基礎。將比圓周 :解為意謂表面積與圓周之比率。此變數之倒數值亦已知 為水力半徑。相形態在轉化中起重要作用，此係由於（例 如）處理流體至内表面之擴散過程或渗透由形式，藉由空 :或裂紋影響。因& ’對形態、紋理及結構之瞭解為描= 裝載材料之工業轉化的重要前提。形態對裝載材料之轉化 的此等影響亦可以經驗資料或關係之形式或作為函數關 儲存。 、 依據根據本發明之方法之一尤其適合改進，在對於— 裝載材料之單一晶體或晶體簇之顯微分析之狀況下，確定 201003349 與該單一晶體或該晶體簇之表面的歐幾里得距離，且將其 轉換成顏色等級影像，詳言之灰度階影像，且將此等距離 編譯成具有同心殼之模型，殼之數目表示在該轉形過程中 該裝載材料之轉化之持續時間的一量測。歐幾里得距離（其 表示距離維度）之計算例如藉由Danielsson方法（ρ. Danielsson, "Euclidean Distance Mapping", Computer Graphics and Image Processing, vol. 14, pp. 227-248, l98〇) 進行。

ί \ 諸如氧化物、礦石、鐵礦石之固體裝載材料之轉形自 裝载材料之粒子之反應表面（亦即，自粒子表面）及自孔 隙進行，該等孔隙與表面連通。為簡化問題，首先假嗲在 此過程之狀況下，相之還原之前進大致以恆定速率且=直 地於各別表面而發生，且因此恆定前進至粒子之深處中。 同心殼之模型因此允許對轉形之前進之描述。 处。 •粒子中之位置與各別晶粒表面之距離因此表示在 過程中轉形之時間點的量測。可因此基於所量測之表v 積、圓周及比圓周（在每一狀況下藉由取走具有—特—面 度之殼）來描述轉形過程之前進，其中隨時間經過的^ 數目及/或殼厚度與各別相之轉形速率有關係。 几又 有殼時’此對應於粒子之完全轉化。可將此前：：所 線，其特徵化轉形之各別進展且因 二為曲 進展。 又化轉形過程之 簡 根據本發明，每一晶胞（cell)之厚度為惶定 化計具）’或隨著與表面之距離增加而變得 ”、、了 丹馮了非 11 201003349 簡化計算）’且視該裝載材料及轉形過裎而 t確定該厚度。若在裝載㈣μ % 在經驗測試 許多不同相’則有時較容易首先 5轉形迷率之 厚度之殼，且接著藉由編譯許:目計算具有相同 具有，形速率之相在此狀況下:有慮 度，或實際上為最小經編譯之殼厚度。 ’、之殼厚 依據根據本發明之方法之又一 程之裝載材料或裝載材料之混合物之、:進：用於轉形過 析及與參考函數之比較 ° 1'生係基於顯微分 可允許比例的方式來予以 之取大 以過高比例使用，…載材料=現個別裝載材料不能 犧得長得多。舉例而言，不足夠的還原結果可在= 物或（例如）存在某虺鐵氣 虱化 —鐵虱化物的情況下鐵礦石（諸如， 磁鐵礦）之還原的狀況下發生。個別相組分可因此用作轉 ㈣程（諸如化學或冶金過程）中之轉化的指示器 可預先評估特定成分的驻# ϋ L, f 料之光…：之適合性。基於對襄載材 枓之先子刀析，亦可能獲得定量分析結果，且因此建 大可允許比例。 取 依據根據本發明之方法之—特殊改進，基於該評估、 1之藉由混合不同裝載材料來調適該等裝載材料，其t :、日“尺寸刀布及’或其成分改變，使得不超過該等裝載材 料之可允許比例。由於形成裝載材料之常存在之大量礦 助劑添加劑及固體碳載體，可能調適成分使得（例 如）不超過個別相之最大可允許比例。 12 201003349 \

依據根據本發明之方法之一替代改進，關於裝載材料 之適合性之兩個準則為對在該過程中之轉化期間膠著晶粒 及/或崩解晶粒之特定含量的各別限制。若膠著晶粒在轉形 過程中（諸如，冶金過程中）出現，則此常引起該過程中 之擾動，此係由於，與經減少之轉化—起，（例如）僅發生 不足夠轉化之區域亦可出現，使得襄載材料之—些部分具 有減少之品質。類似地，晶粒崩解引起粉塵比例之顯著二 加，使得例如在冶金過程中由於粉塵之損失可較大地； 加。因此必須避免該兩種效應，且該等效應表示了冶金過 程之品質之較好準則，此孫由热,,、 係由於（例如）裝載材料之轉化 之程度或還原過程中還原之程度因此受到影響或確定。 依據根據本發明之過程之一有利改進，該轉形過程為 一使用製程氣體製備今屬 l瓶表備金屬（洋s之粗鐵）及/或主要冶金產 物及/或中間冶金產物的還原過程。 依據根據本發明之方古 万忐之又一有利改進，該等裝載材 料為碳質切質岩、生石灰、煤及/或焦炭及/或礦石，詳言 之鐵礦石及/或礦石集塊、詳言之團㈣、礦燒結物或燒結 s 、或中間’口金產物、詳言之海綿鐵，或其混合物。由 於裝載材料之牡a把@ -re, 日日丨生貝，可藉由根據本發明之顯微分析較 好地識別該等材料，使得該方法可用於大量裝載材料。 在下文參考還原過程之非限制實例進一步解釋本發 :二：：過程係常基於（例如）氧化裝載材料之還原轉化， “下經由熱還原氣體或還原氣體混合物處理該等氧 、#H材料之轉化在此狀況下尤其視在所使用 13 201003349 l#壓力、現溫度、視還原氣體 之體積流、視裝萤姑祖+ 或裝载材料 裝載材枓之晶粒尺寸分布、視 在該過程中之停留日车p卩 專破载材料 《V留時間、視料製程氣體之 載材料之化學及礦物學-岩相學成分而定1 度及襄 可轉化性亦強烈地視待處理之裝載材料 °，已知 定。因此，除化學成分 尽 '、且成的形態而 子风刀之外，乳化物之個 結構及形式戋分布f1、 相、、且刀之結晶 飞刀布（例如）亦為重要影響變數。 已自經驗測試發現氧化鐵之某些形 還原性，而不具有不同化學成分。此外，個可 在總之意謂存在類似化學成分，作 ㈣組分之存 大效應，亦即，造… 有關於可還原性的較 J即k成較差可還原性或其他，例 料崩解之趨勢增加。 ’裝載材 對裝载材料之成分及確切識別之瞭解因此對 製程控制或對於冶金過程 、 的 別基於單較大重要性，顯微識 ㈣杜/ 及相發生，使得基於此等夺 :參考函數，可使用資訊來控制冶金過程。在此ΐ 的。=可識別個別相而且亦可考慮此等相之形式為有利 L二…可能例如藉由以使得不超過個別裝載材料的 ^ °斗值或此等裝載材料之比例的方式混入其他穿載 材料中來評估裝載材料之適合性且修改其。 、载 藉由與經驗上確定之變數（諸如，在成品上量測之變 址合，可儲存可用作用於控制過程之指導值的參數。 藉由補充經驗資料之熱力學模擬’亦可能確定呈參考函數 形式的函數關# ’以便可能描述考慮到反應動力學的敎力 14 201003349 竹‘：作參考函數允許關於該過程對於裝載材料將如 何進展作出非常精確且可靠的預測。可因此關於冶金 二=範圍，或在此過程中待處理之農載材料預先確定來 考函數，且儲存該等參考函數以用於對過程之控制’以# 該控制可總是返时考㈣函數_及經㈣料讀 或者，亦可想像在線地（亦 發生考慮到反應動力學之熱力學二擬在二展中之過程期間) 裝載材料之經模擬轉化執行介：二而開啟了基於 干擾時執行介入的可能性。 一 x生 圖1表示在前進的反應前沿（由箭頭 程的示意性前進。粒子i具有 ）處轉形過 3、4，内矣^ ^ ^ 、表面5、6、7之孔隙2、 内表面5、6、7亦可部分地延伸直至粒 諸如轉形或還原之反應自粒子之反。 粒子表面8)及自孔隙（諸如，孔隙4 > ,、即’自 粒子表面8連通。反應之前此 該等孔隙與 率且垂直於各別粒子表面或内表面進展，且因…速 至粒子之深處中。 因此恆疋前進 圖2展示裝載材料之粒子之同心殼 於同心環的反應之前進。 1其表不基 將該粒子表示為同心殼，其中該等殼以 繪。可能基於此模型描述裝載 Q火色凋描 之粒子…前…谁 4之轉形過程或裝載材料 《反應U月”進。同心殼之模型 面（諸如裂紋及孔隙）之粒子 :、…表 15 201003349 若襄載材料之粒子由具有不同轉形迷率 ^則：初始地對於所有相假設具有相同厚度：：同 扁#斗夕忒考慮相對轉形速率。在此狀況下具有最慢轉 形速率之相具有最小殼厚度。 16

Claims (1)

1. 201003349 七、申請專利範圍·· 1·-種控制轉形過程的方法，其巾裝載材料、特別是氧 化裝載材料至產物之轉化係詳言之使用一製程流體沿自晶 體及/或晶粒及/或相及/或孔隙表面至該裝載㈣MM -轉形界面發生’該裝載材料中之一或 排’且該裝載材料之該轉化沿前= ^相及⑴目/、特徵在於，該裝载材料及產物係基於關於 「相組分及/或其相形態、結構、紋理及/或其化學成 v種顯微分析而予以識別， 派關於該裝載材料之參考函數且將其==數:指 製參數，該參考函數描 過耘之 2 ^ ^ ^ Y忑裝载材料之轉化。 .申吻專利範圍第1項之方法，苴特η/ μ 參數係基於盥該H 7 t /、特被在於，該製程 使得使…考I: 起儲存之製程變數而建立，以 化。參考函數描述之該轉化增加、特別是使其最大 3 ·如申睛專利範圍第1項戋第2 於，藉由對該裝載、]—員之方法，其特徵在 反應動力學，且在二&進订熱力學模擬’並考慮到 材料之該參考函數^用經驗資料來確定關於該裝載 4. 如前述申請專南丨 該參考函數及/或該所：：項之方法’其特徵在於， 於資料庫中。… 子之製程變數係預先確定的且儲存 5. 如申請專利範圍第3項或第 ;，基於該熱力學模# ’ 項之方法，其特徵在 錢進一步最佳化該經確定之參考函數 17 201003349 且將其儲存於該資料庫中。 6. 如前述申請專利範圍中任一項之 该轉形過程之該黎』 '，、寺铋在於， 之實際轉化與由嗜來老1奴 于-虞載材料至成品 差得以最小化。，描述之該裝載材料的轉化的偏 7. 如前述申請專利範圍中任一項 基於關於該妒截鉍 、 法，八特徵在於， 數，在適當時使用魅拉一， 《倣万式確疋之變 學的該裝載材^ 線上進行考慮到反應動力 戒載材枓轉化的熱力學模擬， 與該參考函數比較，且基於此比較執擬之結果 製程參數之,"比較執仃對該轉形過程之該 之5周適’同時最小化偏差。 8 ’如别述申請專利一 根據藉由該顯微^ ” —項之方法，其特徵在於， 數，特別是壓力Ό而識別之β亥裝載材料來調適該製程參 積流一裝載佳還原氣體，之體 裝栽材料在過程中 、“4之晶粒尺寸分布、該 9如前…時間及該製程氣體之氧化程度。 迷申凊專利範圍中任— 在該過程中該裝载 員之方法，其特徵在於， 還原程度及/或該带載 ^、特別是轉形程度係由 '"栽材料之碳含量來建立。 10.如申請專利範圍第9 原程度及/或該碳八& 員之方法，其特徵在於，該還 確定，且該製裎::對该裝載材料中之每-相個別地予以 平均氧化程度最^ 擇以使得該經還原之裝載材料之 項之方法，其特徵在 U·如1 #述中請直釗龁m 土，_ 18 201003349 於，邊顯微分析係在礦物之單晶體及/或晶體聚集物及/或該 裝載材料之至少一相中進行。 12.如前述申請專利範圍中任一項之方法，其特徵在 ；°亥〃’、員微刀析係使用非偏振及/或偏振電磁波、尤其光及/ 或電子顯微法在一或多個階段中發生。 ί k 13·如申請專利範圍第12項之方法，其特徵在於，該多 階段顯微分析係在使用非偏振及偏振光之下進行，該光在 不同階段具有不同偏振方向或多個偏振方向。 14. 如前述申請專利範圍中任一項之方法，其特徵在 於，確定經識別之相的晶體及/或相形態、特別是表面積、 圓周、圓周形狀、比圓周、孔隙率(p〇r〇sity)、孔隙形狀及 孔隙數目’且將其以相參數之形式儲存於資料庫中作為計 算參考函數之基礎。 15. 如前述申請專利範圍中任一項之方法，其特徵在 於，在對於裝載材料之單—晶體或晶體鎮或相之顯微分析 之狀沉下’確定相對於該單—晶體或該晶體簇或相之表面 ^^-^^#，i^^^#,^(Euclidean distances)> 3其轉形成顏色分級或灰階影像’且在該期間基於距離 、隹度將被編#成具有同心殼之模型， 之持續時間之量測，且仲數目表不該轉形 ΠΛ Λ又之厚度表不該裝載材料及其相 =形過程：之轉化速率之量測，若在另 ^時，多個溥外殼之該厚度又置於—起以形 ^ 亦為可能的。 兮外叔 16_如申請專利範圍第15項之方法，其特徵在於，每一 19 201003349 晶胞之厚度為了簡化計算而為惶定的，或隨 距離增加而變得較薄，且視該裝載材料及該轉= 定，為該轉形速率之量測的該厚度在經驗測試中而 I7.如前述申請專利範圍中任一項之方法，1 疋 於’基於該顯微分析及與參考函數之比較 :、特被在 別裝載材料之最大可允許比例的方式來評估用確定個 之裝載材料或裝載材料之混合物之適合十生。 屯過私 法二專利範圍第14項至第Π項中任-項之方 材料來調適該裝載材料，使該裝二二混合不同裝載 或其成分改變…於不超過該= =分布- 1〇 , ^ 不戰1何抖之可允許比例〇 法盆·申請專利範圍第14項至第18項中任一項之方 八特徵在於，關於裝載材料之 、 在該過程之轉化期間的膠著 ：解：個準則為對 的各別限制。 次朋解晶粒之特定含量 法，Sr:專利範圍第Μ項至第19項中任-項之方 還原程度來建^基於預先執行之還原試驗及藉此達成之 采建立裝載材料之適合性。 於，專利範圍中任-項之方法，其特徵在 物及/或中門使用製程氣體製備金屬及/或主要冶金產 飞中間冶金產物的還原過程。 如而述申請專利範圍中任_ 於，該襞栽材料為#拼芬 員之方法，其特徵在 或礦石，特，反貝矽質岩、生石灰、煤及/或焦炭及/ 別是鐵礦石、及/或礦石集塊，特別是图粒鑛' 20 201003349 特別是海綿鐵， 礦燒結物或燒結礦，及/或中間冶金產物 或其混合物。 八、圖式： (如次頁）

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