TW201000597A - Dibenzofurane polymers for electroluminiscent devices - Google Patents

Description

201000597 — 六、發明說明： 於一些新穎的電致發光材料，供其製備的 的材料(特別是聚合物)，-種新賴電致發光材料的 製備方法以及包含該新穎電致發光材祖&人 电致钐九材枓或聚合物的電致 發先衣置’以及相應用途。 一些二笨并呋喃均聚合物已被揭示於GB-601568, US-3294763，FR-144144? ι、ί Ίζ ^ ^ 41442以及GB_1077〇85，在其中係作為 先導材料。W〇 〇8/〇29652揭示-些募聚物及聚合物，在其 中合併咔唑和物二苯并呋喃單元。 ” 頃發明特定侧鏈二苯并咳喃聚合物可取代常用的聚乙 稀基H(PVK)作為qLEDs中的宿主材料，特別是用於以 鉉為基礎的三重態射極1及^高量子產量及效率。 本發明因此係關於—種電致發光材料，其包含以下式 的重覆結構單元為基礎的岣聚合物

其中 R9，R9 V”，R11

Rir，Rl4’獨立地為 5 201000597 Η或有機取代基， 其中 R9，R9’R9’’，R11，R13，R14，R11，，Ri3,，r14’中至 少一者包含下式基團R1() -(Sp)xl〇-[PG ]< 其中Sp係為二價有機間隔基，pg’係為衍生自可聚合 基團的基團’以及xlO為0或1。 式I中任何有機取代基’如果存在的話，通常係選自齒 素；OH ; Ci-C24烧氧基；經E取代及/或經D間斷的c2-C24 烧氧基；Ci-C24烧基；經E取代及/或經D間斷的Q-C24炫* 基，C1-C24鹵烧基；C2-C24稀基；C2-C24块基；C1-C24烧基 硫基，C1-C24酿基；C5-C24芳基；經G取代的C6-C24芳基； Ci-C2〇雜芳基；經G取代的C2-C2〇雜芳基；C7-C25芳烧基； C3-Ci2%焼•基’ C1-C24酿基氧基，C5-C10芳基氧基；C3-C!2 環烧基氧基；COR ; CH=NR ; CH=N-OH ; CH=N-OR ; COOR ; OCOR ; CONHR ； NHCOR ； CONRR ’ ; CONH-NHR ； CONH-NRR’ ； SR ; S02R ; S03R ; S02NHR ; S02NRR’ ； S02NH-NHR ; S02NH-NRR’ ； S(0)R； S(0)0R； S(0)NHR ； S(0)NRR’ ； S(0)NH-NHR ； S(0)NH-NRR' ; SiRR’ R” ； GeRR’ R “； PRR’ ； PORR’ ； PO(OR)R’ ； PO(OR)2 ； PO(NHR)2; PO(NRR’ ）2; CN; N02; NHR; NRR’ ； NH-NHR ； NH-NRR’ > CONROH ； 其中R，R’以及R”獨立地為選自C丨-C12烷基，Ci-Cu 6 201000597 鹵烷基，C5_c10芳基，c3_Cl2環烷基；以及R亦玎為氫 或者彼此相鄰的二個取代基r9，r9’r9 ’ Rn ’ R R rU，Rl3，Rlv—起形成基團

R105 , Rl〇6，Rl07，Rl08 , r105,，r106,，Ri〇7’以及 R 彼此獨立地為H，Ci_C|8烷基，經E取代及/或經D間斷的 Ci-Cu烷基，Ci-Cu烷氧基，或經E取代及/或經D間斷的 Ci-C18貌氧基； D 係為-CO- ; -coo- ; -s- ; -SO- ; -S〇2- ; ; -NR ’ -SiR30R31· ; _POR32_ ; _cr23 = cr24_ ;或 _C^C-;以及 E 係為-OR29 ; _§R29 ; _NR25R26 ; c〇R28 ; -C〇〇R ， -C〇NR25R26 ; _CN ;或函素； G係為E，（VCu烷基，C3-C12環烷基，經D間斷的 C2-Cls燒基，Ci-Cu全氟烧基，或經E取代及/或經D間斷 的c丨_CU烷氧基，其中 R ，R24，R25以及R26彼此獨立地為H ; C6_Cu芳基； c6-c18芳基烷基；C3_Ci2環烷基；C6_Ci8芳基或c6_Ci8芳基 烧基，其係、、經Cl-Cla基及/或Cl_Ci8燒氧基取代；Ci_Ci8 院基；或經-〇_間斷的C2_C18烷基；或 R 以及r26 一起形成5或6員環； R以及r28彼此獨立地為H ; c6-c,娑a . r r朴 6 ^18 方基，C6-Ci8 方 7 201000597 基烧基’ CVC〗8芳基或C6_C18芳基烧基，其係經Ci-Ci8炫· 基及/或Ci-C〗8烷氧基取代；Ci_Ci8烷基；c3_Ci2環垸基； 或經-0-間斷的（VC18烷基； R29係為Η ; C6-C18芳基；c6_Ci8芳基烷基；C6-Ci8芳 基或CVCw芳基烷基，其係經Ci_Ci8烷基及/或G-C!8烷 氧基取代；CVCu烷基；c2_Ci8烷基羰基；c3_Ci2環烷基， 或經-Ο-間斷的Cz-Cu烷基或c2_Ci8烷基羰基； R30以及R31彼此獨立地為Ci_Cu烷基，C3_Ci2環烷基， Ce-C】8芳基，或CVC,8芳基，其係經Ci_Ci8烷基取代，以 及 R係為CVCu烷基，C6_Ci8芳基，或C6_Ci8芳基，其 係經C 1 - C 1 8炫*基取代， R ’ R’以及R”獨立地為選自c〗_Ci2烷基，Ci_Ci2鹵烷 基，C5-C1()芳基，c3-c12環烷基，較佳選自CrG烷基，苯 基’環戊基，環己基；以及

C

Ar係獨立地選自c5-c1() i_C18烷基取代； 以及 R9，R9’R9”，R11，Ri 芳基， 或C5-C1()芳基，其係經

R

R 13'

R 14:

R 105 R106 , Rl〇7 , R108 , r1〇5> 為下式的基團R10 R106’，R107’，及 r108’其中之一者 •(Sp)x,〇-[PG，]< 其中Sp為二價有機間隔基’ PG，係為衍生自可聚合基 團’以及Χίο為0或1。 可存在於基團R10中的間隔基單元Sp 一般為下式 201000597 (X3~D)x1 ]-X2 ' 其中xll係為0或1; X3，X2獨立地為0，C1-C4伸烧 基-Ο，CH2-CHOH-CH2-0，S，¢:,-(:4 伸烷基-S，NR22，（ν(：4 伸烷基-NI^S’COC^CVC^伸烷基-COO或CVC4伸烷基 -OCO，CONR22，伸院基-CONR22 或 伸燒基 -NR22CO, NR22CONR22, (VC4伸烷基-NR22CONR22, 伸烷基’ CH2CHOHCH2，或直接鍵，以及 D係為CVC24伸烷基，經間斷的c3-C24伸烷基，C2-C24 ' 伸烯基’C2_C24伸炔基’c^-c^。伸芳基。較佳的間隔基單元

Sp係為X2 (亦即上述該等其中xl 1係為0)，其中χ2係為 直接鍵，0，Ci-C4 伸烷基-Ο，CH2-CHOH-CH2-〇，¢00， C(DNR22 ’ C1-C4 伸院基，或 CH2CHOHCH2。 PG 係為衍生自可聚合基團’其因為錨定於Sp之上 而為三價（或者其在式Ϊ中的錨定位置）且其係經整合於本發 明聚合物鏈中，或者交聯的聚合物網路。因此PG，部分 的一般基團係衍生自乙烯系不飽和單體或應變氧環系統， k 包含下式 μ、

Hex \ Η Hc—C— H c n3 cl

4COH H-co=

9 201000597 其中星號（*)表示其對Sp或式i部分的鍵結位置且r 係定義同上’而另外2個開放鍵提供整合入聚合物鏈。這 些部分特別適合用於將所欲官能基作為側鏈而帶入本發明 最終聚合物中’或者作為交聯部分。相對應可聚合基團pG 包含乙烯基，烯丙基，1-曱基乙烯基（異丙烯基），（曱基）丙 烯醯基，乙烯基苯基（苯乙烯基）’環氧乙烷基（〇xiranyl)，縮 水甘油基，氧雜環丁烷基（oxetanyl)等。其他部分pG，為哼 等衍生自上述進一步所述的PG，例如該等將所欲官能基導 入本發明聚合物的主鏈。 本發明電致發光材料中所用的均聚合物可為等規或者 間規或者，通常為無規。 電致發光材料進一步包含發光成分’其通常係選自為 此技藝中所習知的磷光金屬錯合物以及螢光摻雜物。… 本發明聚合物顯示關於溶液加工或印刷（例如若為非交 聊的聚〇物）、電致發光裝置的長期穩定性（例如耐移動/分 離/結晶以及耐氧化/熱）以及其亮度及功效的特別優良2 "配位基”用語係、欲用於表示連接至金屬離子配位球體 的分子、離子或原子。”單配位配位基堇包含"固配位位 置，而冑配位配位基”包含2個配位位置，其 接：：：：心。錯合物"用語當作為名詞使用時，係意欲表 不具有至少一個全屬雜工I、，n 7* 金屬離子以及至少-個配位基的化合物。，

基團或部分’’用•五及I 5D係^驭表示化合物的一部分，例如有機 化合物中的取代其$扭人此丄 私 土次錯σ物中的配位基。”經取代”係意欲 10 201000597 示藉由（典型為有機）取代基置換有機基團或化合物中的氳 原子。 “有機取代基”用語代表有機（亦即包含C，Η )或（雜）官 能性基團（例如係由雜原子以及視需的C或Η所組成）；通 常為任何有機取代基，若存在的話，構成化合物的小部分； 有機取代基的實例為包含1至20個碳原子的有機基團以及 視需要的另外（例如1至10個）雜原子，典型為包含1至5 個雜原子的雜官能性基團。 有機或雜官能性基團中的雜原子通常係選自Ο，S，Ν， Ρ，Si，Β，以及鹵素（亦即任何F，Cl，Br，I ;在本發明電 致發光材料中特別是氟）構成此基團。 有機取代基，若存在的話，通常係選自鹵素，OH， 烷氧基，CVC24烷基，CVC24鹵烷基，C2-C24烯基，C2-C24 炔基，CVC24烷基硫基，CVC24醯基，C5-C1()芳基，Ci-Cio 雜芳基，C3-C12環烷基，CVC24醯基氧基，c5-c1()芳基氧基， C3-C12環烷基氧基，或選自殘基COR (亦即醛或酮基團）， CH=NR，CH=N-OH，CH=N-OR，COOR，OCOR，CONHR， NHCOR，CONRR’，CONH-NHR，CONH-NRR’，SR，S02R， S03R，S02NHR，S02NRR，，S02NH-NHR，so2nh-nrr，， S(0)R，S(0)OR，S(0)NHR，S(0)NRR，，S(0)NH-NHR， S(0)NH-NRR，曱矽烷基或鍺代基（germanyl)(SiRR’R“ ’ GeRR，R“），PORR，，PO(OR)R，，PO(OR)2，P〇(NHR)2， PO(NRR，）2，氰基（CN)，N02，NHR，NRR，，NH-NHR， NH-NRR5 > CONROH ； 11 201000597 其中R，R’以及R”獨立地 自 烷基，Cl-C12 鹵 烧基 ’ C 5 - C ] 〇 芳基，C 3 - c ! 2 環泸 I .... 衣從基’較佳係選自C ! -C6烷基， 苯基，環戊基，環己基； 以及R可為氫。常見的取代基係、通常選自cvc12烧基， 經基，硫醇基，（VCd氧基，Ci_Ci2烧基硫基，_素，画 -C1_C12院基，氰基’搭基，明基，羧基，醋基，胺甲醯基， 胺基’硝基或甲矽烷基。 由作為有機橋接基團的兩個相鄰殘基例如Q1以及Q2 或者兩個殘基R41 (參見如下)形成的任何縮合環或環系統 與其錨定原子形成碳環或雜環、非芳香系或較佳芳香系 裱、典型為總數為5至7環原子，通常係選自任何芳基， 雜芳基，環院基，或環脂肪系不飽和部分，如下文所說明 者0 ‘鹵烷基”用語表示以！|素部分或完全取代上述烷基所 得到的基團，該用語包含Ci_C24全氟烷基，其係支鏈或非 支鏈者，例如-CF3(三氟甲基）’ _CF2CF3，_CF2Cf2Cf3， -CF(CF3)2，-(CF2)3CF3 以及-C(CF3)3。 “輕基，酮基，酯基，胺曱醯基以及胺基，，包括那些經 燒基’（：4<18環烷基，c6_C3〇芳基，c7_c24芳烷基或 雜環基取代者’其中烷基，環烷基，芳基，芳烷基以及雜 環基可為未經取代或經取代。“曱矽烷基”用語更特定地表示 下式基團-SiR105Ri〇6Ri〇7，其中ri〇5，R106以及Rl07係彼此 獨立地為Ci-Cs烷基，特別是CVC4烷基’ c6-c24芳基或 C7 - C ]2芳烧基，例如三曱基甲石夕統基。 12 201000597 如果取代基在基團中出現超過一次，在每一次出現時 可為不同者。 烧基表示任何無環飽和單價煙基；烯基代表此基團但 包含至少一個碳-碳雙鍵（例如在烯丙基中）；類似地，炔基 代表此基團但包含至少一個碳_碳參鍵（例如在炔丙基中）。 如果烯基或炔基包含超過一個雙鍵，此等鍵通常不會累 積’但是可以交替方式排列，例如在-[CH=CH-]n或 -[CH = C(CH3)-]n，其中n可為，例如在2至50的範圍。在 未另外定義處’較佳烷基包含1至22個碳原子；較佳稀基 以及炔基個自包含2至22個碳原子，特別包含3至22個 碳原子。 只要有用到烧基用語，因此主要涵蓋特別是未經間斷 且合且地經取代的C! - C2 2烧基，例如甲基，乙基，丙基， 異丙基，正-丁基，二級_丁基，異丁基，三級_丁基，2_乙基 丁基，正-戊基，異戊基’ 1_甲基戊基，丨，3_二甲基_ 丁基， 正-己基，1-曱基己基，正-庚基，異庚基，m3四甲基丁 基’ 1-甲基-庚基，3-甲基庚基，正·辛基，2·乙基己基，i， 1，3-三甲基己基，1，1，3,3_四甲基戊基，壬基，癸基，十一碳 基，1-甲基十一碳基，十二碳基，六甲基己基， 十三碳基，十四碳基，十五碳基，十六碳基，十七碳基， 十八碳基。烷氧基為烷基;烷基硫基為烷基_8_。 只要用到烯基用語，因此主要涵蓋特別是未經間斷且 合宜地經取代CyC22烯基，例如乙烯基，烯丙基等。 炔基，包含c：2·24炔基，其係直鏈或支鏈，較佳為 13 201000597 炔基。例如，乙炔基’丨_丙炔_3_基，丨_ 丁炔_4_基，卜戊炔巧 基，2-甲基_3_ 丁炔_2_基’ M•戊二炔_3_基，1>3-戊二炔乃_ 基，丨-己炔-6-基’順式-3-甲基-2-戊-4-炔-1-基，反式_3-甲 基-2-戊-^炔-丨―基，13-己二炔_5_基，辛炔_8_基，丨壬炔 9基，1、癸炔_1〇_基，或1_二十四块_24_基。 只要顯示為間斷者，超過1個碳原子、特別是超過2 個碳原子的任何烷基或伸烷基部分，或者為另外部分的一 邛刀的此類烧基或伸烷基部分可被如以下所定義的非芳香 環或芳香環（伸芳基伸雜芳基）部分間斷及/或較被雜官能基 例如 Ο ’ s，CO，coo，OCNR22，OCOO，OCONR22， NR22CNR22 ’ 或 NR22 間斷，其中 R22 係為 H，Ci_cd 基，h-Cu環烷基’苯基。其可被一或多個此等間隔基基團 所間斷’-般而言’在每一情況下一個基團以未出現的雜-雜鍵例如〇-〇，S_S，NH-冊等插入一個碳·破鍵；如果該 經間斷的㈣經額外地取代，則該取代基大致上對該雜原 子不為α位置。如果二或多個办，皿瓜，各型態的間斷 基團出現於一基團，通常這些基團不相同。 ，醯基代表有機繞酸的殘基，由其可形式上藉由抽取酸 ί生ΟΗ而何生；其實例為甲醯基，乙醯基，丙醯基，笨甲酿 基。大致上而言，ci-cu醯基代表基團x，-Rzi，其中χ，係 為CO或s〇2以及R21係選自單價脂肪系或芳香系有機殘 基’通常係選自分子量多達3〇〇者，例如，r21可選自Cl-Cl8 烧基’ cvCl8稀基，c”CiQ芳基，其可為未經取代或者經 Cl'C8烧基或_素或Ci-c«烧氧基所取代，C6-Cl5芳基烧基， 14 201000597 其可未經取代或在芳香系部分經C^-Cs烷基或鹵素取代或 CVCs烷氧基’ c4-c12環烷基，且在當X，為CO, R21亦可為 Η。醯基較佳為有機酸_C0_r2,的脂肪系或芳香系殘基，通 常為1至30個碳原子’其中尺^包含芳基，统基，稀基， 炔基，環烧基，其每一者可經取代或未經取代及/或如以上 所述對烧基殘基經間斷，或者R’可為Η(亦即COR，係為曱 醯基）。因此較佳者為如芳基，烷基等所述者；更佳者，醯 基殘基係為經取代或未經取代的苯曱酿基，經取代或未經 取代的C〗-C wa烷醯基或烯醯基，例如乙醯基或丙醯基或丁 醯基或戊醯基或己酿基，經取代或未經取代的c5_c 12環院 基幾基，例如環己基幾基。 芳烷基在所給予定義範圍係通常選自c7_c24芳烷基基 團，較佳為C7-C”芳烷基基團，其可經取代，例如，諸如 苯曱基，2-苯曱基-2-丙基，β_苯乙基，α_甲基苯甲基，α， α-二甲基苯曱基，ω-苯基-丁基，ω_苯基_辛基，…苯基十 二碳基；或苯基環被一至三個Cl_C4烷基取代的苯基_Ci_C4 烷基，例如，2-曱基·苯甲基，3_甲基苯甲基，‘甲基苯甲基， 2,4·二甲基苯甲基，2,6·二甲基笨甲基或4•三級-丁基苯曱基 或3-甲基-5-(1’，1’，3’，3’-四甲基_丁基）_苯甲基。 非芳香環（亦即，環脂肪系）部分包含環烧基，脂肪系雜 環部分，以及其不飽和變數，例如環稀基。環院基，例如 C3-Cl8環烷基’較佳為C3_C12環烷基或經一至三個 烷基基團取代的該環烷基，以及包含環丙基環丁基，環 戊基，甲基環戍基，二甲基環戊基，環己基，甲基環己基: 15 201000597 二甲基環己基，三甲^ ^ —甲基-%己基，三級-丁基環己基，環庚基， 環辛基，環壬基，胃& s 化癸基，環十二碳基，1-金鋼烷基，或 2 -金鋼烧基。最佳主 馬％己基，1_金鋼烷基以及環戊基。C3_c 環烷基包含環丙基 内基，裱丁基，環戊基，環己基，環庚基， J衣辛基，環壬基，胃Λ ^ %癸基，環十一碳基，環十二碳基；此 等殘基中較佺者為C3_C6環烷基以及環十二碳基’特別是環 己基*現的另外環結構為雜環脂肪環，其通常包含5至7 個環員，並中$ 4、 八至^為1個，特別是1至3個雜部分，通常 係選自 0，S，NR9? _ ’其中R22係如以上用於間斷NR22美 圈所說明者；其實例包含c4-Cl8環烧基，其經s，〇二 NR22間斷’例如六氫吡啶基，四氫呋喃基，哌阱基，以及 嗎啉基。II著抽取兩個相鄰環員的氫原子而伴隨著於其間 形成雙鍵，不餘和變數可衍生自&等結冑；此部分的實例 為環己稀基。 凡使用"芳基，，之處（例如在C5_Ci〇芳基，Ci_Ci4_雜芳基 中）’其代表包含最高可能雙鍵數目的芳香環或聚環環系 統，例如較佳為苯基，萘基’蒽醌基（anthrachinyl)，慧基， 菲基或第基。芳基用語主要包含烴芳香環，其實例主要為 C6_CU芳基，包含苯基，萘基，蒽醒基，蒽基，菲基，苐基。 雜芳香環例如C]-C18雜芳基部分包含作為環結構的一或多 個主要選自0, N以及S的雜原子；雜芳基，例如c4_c〗8 雜芳基，代表包含至少一個雜原子，在形成芳香環之原子 之間特別是選自N，0，S);其實例包含吡啶基，嘧啶基， 嗒阱基（pyridazyl)，吡畊基（pyrazyl)，噻吩基，苯並噻吩基， 16 201000597 °比B各基（pyrryl)，咬喃基，苯并°夫°南基，茵基（indyl)，°卡嗤 基，苯並三嗤基，嘆峻基’醒醇基（chinolyl)，異酿醇基， 三畊基’四氫萘基，噻吩基’咪唑基。較佳者為C6-C丨◦芳 基或C4-Cl8雜芳基，例如選自苯基’萘基，D比σ定基，四氫 萘基，β夫喃基，嗟吩基，D比略基，酿醇基，異酿;醇基，蒽 酿基，蒽基，菲基，芘基，苯並嘆°坐基，苯並異嘆α坐，苯 並養吩基’特別是C6 - C I Q芳基；最佳者為苯基，萘基。任 何“伸芳基”代表相對應的二價“芳基”。 實例為包含一或多個可聚合基團（p G)的單體，例如乙 稀系不飽和部分或應變環系統。PG通常為可聚合物基團， 其係選自-C(R44)=CH2 ，_NHC(〇)-C(R45)=CH2 ， -0CH2CH20C(0)-C(R45)=CH2 ， -0C(0)-C(R45) = CH2 ， -C(0)-C(R46)=CH2 ， -C = c- , _C = CR46 » .XT=p , 一壤_基（具有5 一私稀基基團）， (氧雜環丁烷 -o-ch(ch2ch2ch=ch2)2; (：5-(：8環烯基， 至30個碳原子的經取代或未經取代的 /0、 X(CH2)^— CH —C-R6 (1，2 -環氧基醚）， 基 、(CH2)m 1-CH — C — R6

一(CH2)m 1

-CH—t-CH2) —CO I-〇—~I

CO 以及 (CH2)s ，其中 s係為1至6的整數’ ml係為1至6的整數， R6係為氫，或CVCm烷基， R 係為氣’或C1-C4燒基，或鹵素， 17 201000597 K 係為氣 r46 ,,. 現基，或齒素，以及 係為虱，Cl_c4垸基’ PG，係為衍生自可取a 及C6-C〗2方基，或 生自了♦合基團 Γ的基團，其中

叫HG AHG係為芳香系或雜笔夫^ ， 例女 〃方香糸殘基，其視需要經取代 f

”中在每一虛線標示PG，的鍵結位置， 2 1 Ϊ R以及R係彼此獨立地為鹵素，’硼酸 棚酸醋，-Mg-Hal ’ .Zn.Hal，_Sn(R213)3，其中 Hai 為函素 以及R 係為C丨-C18院基， R214以及R214’係彼此獨立地為H，Ci_Ci8烧基，經 間斷的（VCu院基，C|_C|8全氟烧基，Ci_Ci8院氧基，經 間斷的CVCh烷氧基，或eye”芳烷基。較佳pG的實 為乙烯基，烯丙基，（甲基）丙烯醯基，苯乙烯基，氧雜環 炫基’壤乳乙燒基’縮水甘油基。

R211 R212—AHG 如果PG為可聚合基團1 ’以下方法可被用於製 18 201000597 聚合物： 僅涉及二鹵-官能性反應物的聚合方法物可在使用鎳偶 合反應之下進行。一種此類偶合反應記載於c〇1〇n等人的 J· Pol. Sci. ’ part A ,聚合物化學第 28 版（199〇)367，以及 Colon等人的j· 〇rg.chem.51(1986)2627。反應典型係在極 性非質子溶劑中（例如，二甲基乙醯胺），觸媒數量的鎳鹽， 實質數量三苯基膦以及大量鋅灰之下進行。此方法的變化 係記載於 i〇yda 等人的 Bull. Chem. s〇c Jpn，63 (199〇)8〇， 其中有機可溶性蛾化物係作為促進劑。 另—種鎳偶合反應係由Yamamot〇揭示於Pr〇gress &

Science 17 (1992) 1 1 53，其中二齒芳香系化合物經 在惰性溶劑中之過量錄（1，5_環辛二稀）錯合物處理。當施 用於一或夕種芳香系二_化物時，所有鎳偶合反應產生主 要隨機聚合物。此類聚合反應可藉由添加少量水至聚合反 應混合物而終止，其以氫基取代末端的齒基。或者’單官 能性芳基i化物可在此反應中作為鏈'終止劑，其將造成形 成末端方基基團。 -般而言，為相關技藝中習知的聚合方法以及研製程 序以類似方式用於本發明聚合物，包含那些習知的⑽，

Hash11"，反應；反應可在例如類似於 參見第21頁12行至第26頁第17行段落)或 及〇:6/°97419(參見第41行第12行至第“頁第i。行，以 以引用45方頁：15至34行段落);所提到的後面二文獻的段落 以引用方式併入本文中。 19 201000597

度而聚合混合物。 本發明聚合物可為直鏈或經交聯者。 ♦合物’構成本發明取么物沾w a 如果為經交聯的 來口 ，構成本發明聚合物的特定部分的單體係為交聯 劑，通常包含2或更多個可聚合基團。 本發明因此包含可藉由式Π化合物的均聚合反應可獲 得的聚合物

以及R14,其中之一

Ry，R9’，rH , Rn’，r13 . R14，R 為R10 ’其係為基團-(Sp)xl〇-[PG]， PG係為可聚合基團，特別係選自乙烯基，缚丙基，i _ 甲基乙稀基，（me th)丙稀醯基，乙稀基苯基，環氧乙烧基， 縮水甘油基，氧雜環丁烷基，二曱基順丁烯二醯亞胺基 (dimethylmaleimidyl)； X1 〇係為〇或1 ; 20 201000597 R9，R9’係進一步選自Η，Ci-C18烷基，經E取代及/或 經D間斷的Ci_Ci8烧基’ Ci-Ci8全氟烧基’ C6-C24芳基’ 經G取代的C6-C24芳基’C2-C2。雜芳基，經G取代的C2-C20 雜芳基’ C2-C〗8稀基’ C2-C18炔基’ Ci-C!8烧氧基，經E取 代及/或經D間斷的C〗-C18烷氧基，c7-c25芳烷基’ SiRR’R“，GeRR，R“，POAr2，PAr2，-CO-R28 ; R"以及R11’係進一步選自氫，鹵素，Ci-C丨8烷基，經 E取代及/或經D間斷的Ci-Ci8烧基，Ci_Ci8全氟炫基，C2_Ci8 稀基，C2_C[8快基’ C1-C18烧氧基，經E取代及/或經D間 斷的 Ci-Cu 烷氧基，CN ’ -CO-R28，SiRR’R“，GeRR’R“ ’ POAr2，PAr2 ; R"，R14，R13’以及R14’係進一步選自Η，鹵素’ Cj-Cu 烷基，經E取代及/或經D間斷的CVCu烷基，CVCu全氟 烷基’ C6-C24芳基，經G取代的C6-C24芳基，C2-C2〇雜芳 基’經G取代的C2-C2〇雜芳基，C2-Cu烯基，C2-C18炔基， c 1 -C18烷氧基，經E取代及/或經D間斷的C!-C 18烷氧基， C7-C25 芳 烧基，CN， -CO-R28， 以及 R13, R14, R1 3,以及R14 亦可為 SiHR，R“，GeRR’R“， POAr2 . PAr2 ; 或者 二個取代基 R9，R" ，R13，R14，R9,，R11’，R13 以及 ’（其係彼此相鄰）而形成基團 R105 R105 r106 ,R106 / 、、、? R108 R107 、 ，或 、fVv。8. R107 R 以及所有 其他符號係 定義同上 0 21 201000597 本發明較佳聚合物具有高於100〇c的玻璃轉移溫度。 本發明另一内谷係關於包含百分之1至99至少一種本 發明聚合物的聚合物摻混物。摻混物百分之丨至9 9其餘者 係由一或多種聚合材料所組成，其係選自鏈生長聚合物 中，例如聚苯乙烯，聚丁二烯，聚（曱基丙烯酸酯卜以及聚 (環氧乙烷）；步驟·生長聚合物，例如苯氧基樹脂，聚碳酸 酯，聚醯胺，聚酯’聚胺基甲酸酯’以及聚醯亞胺：以及 經交聯的聚合物，例如經交聯環氧樹脂，經交聯酚系樹脂， 經交聯丙烯酸酯樹脂，以及經交聯胺基甲酸酯樹脂。此等 ¾^合物的貫例可見於preparative Methods of PolymerChemistry’ W. R. S〇renson 以及 Τ· W· CampbeU， second Edition ’ Interscience Publishers (1968)。亦可用於摻 混物的為共軛聚合物，例如聚（伸苯基伸乙稀 基）（P〇ly(phenylene vinylene))，經取代的聚（苯基乙烯基）， 經取代的聚伸苯基以及聚噻吩。此等共軛聚合物的實例見 於 Greenham and Friend in Solid State Physics，Vol, 49， PP.1-149(1995)。 包含如以上所定義的均聚物的電致發光材料進一步包 含發光組分，其通常係選自磷光金屬錯合物（“三重態射 極”）以及螢光摻雜物。其經包含一或多種額外的組分，特 別係選自電子傳輸劑，電洞傳輸劑，惰性聚合物，黏性改 質劑’起始劑，有機鹽以及安定劑，例如抗氧化劑及紫外 線吸收劑。 因此，本發明進一步關於包含至少一種另外組分的電 22 201000597 致發光材料，該缸分係選 〜 電洞傳輸劑，惰性产入 一重悲射極（TE)，電子傳輸劑， 苯乙烯或另外以上所。物（例如芳香系均或共聚物，例如聚 始劑，有機鹽(特別t:的聚合物，例如，黏性改質劑)，起 發明電致發光材料經果:合於基質中，例如有機銨鹽)。本 聚合物以及百分之::：含百分之1至"至少-種本發明 列組分，其通常會構或多種額外帽助）以上所 s構成该材料的其餘者。 用於線性聚厶榀α A丨 "的I備物的單體通常每單體單元僅包 含一種可聚合基團以为 僅一種PG(亦即一種基團Ri〇)，或者 用於接枝一或多種另外 卜PGs。為了交聯及/或原地製備聚合 物，可以使用包含2 #夕％ ^ 成夕種相同型態的基團PG(亦即2或多 種基團R10)的單體。 本發明聚合物較佳具有的重量平均分子量為2，刚道 耳頓（Dalt_)或更大，特別是2，_至uomoo道耳頓， 更佳為ιο，_至ι’_，_且最佳為2M⑽至5〇M〇〇。分 子量係使用聚苯乙烯標準根據膠滲透層析術及/或純射檢 知器加以決定。 本發明聚合物可依照為此技藝所習知的技術加以製 備，例如藉縮合及/或加成聚合方法用於製備線性或交聯聚 合物。在許多情況下’基本聚合物係藉由包含乙烯系不飽 和部分如PGs的合適單體的加成聚合反應所形成，例如藉 由使用化學基起始劑，光起始劑’光化輻射及/或熱之自由 基共聚合反應以用於產生自由基及反應的起始。在第一製 備步驟中所形成的共聚物可進一步經改質，例如藉由將一 23 201000597 或多個另外單體及/ A U β < 此基接枝於聚合物骨架上。反應條 # μ 等記載於w〇關97川或 W007/090773。如以上所述者，本發 W冬兔明聚合物亦可原地形成 於基材上’特別是如上所述的可交聯單體的存在下。例如， 原地聚合反應可以有效地制包含乙料不飽和基團叫以 及特定分率或全部(例如1 i 100%)含2或3個此類型基圑 的單體進行，以及以光化輻射（例如紫外線或電子束；在偶 而光起始劑存在下的紫外線輻射情況下）照射單體。 存在於本發明材料中的較佳式I聚合物為那些其中 R9 ’ R9係選自Η，烷基，C3_Ci2環烷基，鹵素， R10,經E取代及/或經D間斷的Ci_Cu烷基，Ci_Ci8全氟烷 基，C6-C24芳基，經G取代的c6_C24芳基，c2_C2〇雜芳基， 經G取代的C2-C2〇雜芳基，C2-Cl8烯基，C2_Ci8块基，Ci_C|8 烷氧基，經E取代及/或經D間斷的Ci_Cis烷氧基，C7_C25 芳烷基，SiRR，R“ ’ GeRR’R“ ’ P0Ar2，pAr2，或為 _c〇 r28 ; R"以及R11’係選自氫，_素，特別是氟，Ci_Ci8烷基， 經E取代及/或經D間斷的CVCu烷基，Cl-Cl8全氟烷基， C2-C18烯基’ R1。，C2_Ci8炔基，q-Cu烷氧基，經E取代 及/或經D間斷的Ci-Cu烷氧基，CN，或-CO-R28，SiRR,R“，

GeRR，R‘‘，P〇Ar2，PAr2 ·’ R” rh，R”，以及R"’係選自h，齒素，特別是氟々{η 烷基，R10，經E取代及/或經D間斷的Ci_Ci8烷基，Ci_c" 全氟烷基，C6-C24芳基，經G取代的C6_C24芳基，c2_c2〇 雜芳基，經G取代的C2-C2〇雜芳基，C2_Ci8烯基，C2_Ci8 24 201000597 烧 13, 以 讲某，p n 1 18烧乳基’經E取代及/或經D間斷的C1 - C18 氧基 C7'c25芳烷基’ CN或- CO-R28，以及R13 ’ R丨4，R X 及 R 亦可為 SiRR，R“，GeRR，R“，POAr2，PAr2 ; 或者兩個取代基 R9，R"，r13，r14，R9,，R〗l’，r13’ 及R14 ，甘 ’其係為彼此為相鄰者，一起形成基團 R105 r105 r106

08’ 斷 斷 的 斷 .; 基 r 1〇5 _ 1ΠΛ , ，R ，R 〇7，R108，R105’，R106’，R107’以及 R1 係彼此獨立地為Η ’ 烷基，經Ε取代及/或經D間 的Cl_Cl8貌基’ Ci-C18烷氧基，或經E取代及/或經D間 的Ci-C!8烷氧基，或Rl〇， D 係為-CO- ; -COO- ; -S- ; -SO- ; -S02- ; ; -NR25 -SiR R L ; _p〇R32_ ; _cr23 = cr24_ ;或 _CeC_ ;以及 E U -OR29 ; _SR29 ; _NR25R26 ; _c〇r28 ; _c〇〇R27 C〇nr;或函素； G係為E，CrCu烷基，C3-C12環烷基，經D間斷 C2_Cl8燒基’ Ci-Cu全氟烷基，或經E取代及/或經D間 的Ci-Cis烷氧基，其中 R23 ’ R24’ r25以及R26係彼此獨立地為H; C6-C18芳基 C6-C18芳基燒基；c3_c12環烷基；c6-C18芳基或c6-c18芳 烧基’其係經C1-C18烷基及/或Ci-Cu烷氧基取代；c,-c 烧基；或經-〇-間斷的C2_C18烷基；或 25 201000597

0 〇R2m2: —起形成5或6員環，特別是

—N 〇 ，或 〇 R以及R係彼此獨立地為η ; C6-C18芳基；C6-C18 芳基烷基；（VCu芳基或芳基烷基，其係經Ci_Ci8 烷基及/或q-Cu烷氧基取代；Ci_Ci8烷基；C3_Ci2環烷基； 或經-〇-間斷的c2-c18烷基； R29係為Η ; C6-C18芳基；C6_Ci8芳基烷基；c6_Cl8芳 基或C6-cls芳基烷基，其係經Ci Ci8烷基及/或Ci_Ci8烷氧 基間斷’ CVCu烧基；c2-c18烧基幾基；C3-C12環烧基；或 C2-C i8烧基或c2·C〗8烧基羰基，其係經_0-間斷； R30以及R31係彼此獨立地為Cl_Cl8烷基，C3-C12環烷 基’ C6-C18芳基，或經（^-C丨8烧基取代的C6-Cis芳基，以 及 R32係為CrCis烷基，C6-Ci8芳基，或C6-Ci8芳基，其 係經CrCu烷基取代， R，R，以及R”係獨立地為選自Ci-Cu烷基’ Ci-Ci2 i 烧基’ C5-C10芳基’ C3-C12環烧基，較佳係選自Ci_C6烧基 苯基’環戊基，環己基；以及

Ar係獨立地選自C5-C1()芳基，或經CrCu烷基取代的 C5-C10 芳基； 其中式I包含一個基團R10，以及 26 201000597 R10係為基團-(Sp)x10-[pg，]〈，其中Sp係為二僭 1貝有機間 隔基，PG’係為可衍生自可聚合基團，以及χίο係為〇 % 1 〇 例如，本發明的電致發光材料可包含式ΙΠ的聚合物

其中 η範圍為2至10000 ; L係為CH2，C〇或直接鍵；

IT，R1·，R Ε取代及/或D 一 Q 一 1 1 . ’ Rl4，係選自Η，CVCu烷基，鹵素，經 間斷的Κ18烷基，C6-C24芳基，經G取代 勺6 24务土 C2'C2〇雜芳基，經G取代的C2-C20雜芳基’

C2-C18炼基’ C2_Cl8块基，Ci_Ci8烷氧基，經ε取代及/或D 間斷的 Cl Cl8 烷氧基，C7-C25 芳烷基，SiRR，R“，GeRR’R“， POAr2，ΡΑγ2，或為_c〇 r28 ; 每一個殘基R9”备 ^ 係獨立地選自為R9所定義者，

Rx係為Η或审戈 \甲基’且所有其他符號係定義同上， 範圍自 此類型的較估从，， 材料包含式III的聚合物，其中 5至5000，特別是 J 疋 W 至 1000 ; X10係為〇 ; 27 201000597 ^’^’^门’…係選自^^^元基’氣’ 、經E取代的Cl-C8烧基，、經D間斷的kb烧基苯基， 經G取代的苯基’ C4-C18雜芳基，經G取代的c4-ci8雜芳 基’ c2-c8稀基，c2-c8块基，Cl_c8烷氧基，經E取代的 Cl-C8烧氧基，經D間斷的（VCu炫氧基，C7_C25苯基烧基， SiRR’R“，GeRR’R“，POAr2，PAr2，或為 _c〇 r28 ; D 係為-CO- ; -COO-; -S- ; _S0_ ; _s〇2_ ; ; _nr25_ ;

SiR30R31 POR32-;以及 E 係為-OR29 ; -Nr25r26 ; _c〇r28 ; _c〇〇r27 ; -CONR25R26 ; -CN ;或自素； G係為E，Ci-Cs烷基，環己基，經D間斷的Ku烷 基，（VC8全氟烷基，經E取代的Ci_Cu烷氧基，經d間斷 的C2-Cu烷氧基，其中 R以及R26係彼此獨立地為H ;苯基；C7_Ci2苯基烷 基，壞己基，苯基或C^-Cu苯基烷基，其係經Ci_C8烷基或

Cl Cs烷氧基取代；Ci_C】8烷基；或經_〇_間斷的C2_C】8烷 基；或

2. 7 χ 以及R28係彼此獨立地為Η ;苯基；c7-C12苯基烷 基，苯基或C7-Cl2苯基烷基，其係經C^-Cs烷基及/或C^-Cs 28 201000597 烷氧基取代；Κ8烷基；環己基；或經-〇-間斷的CVCu 烧基， R29係為Η ;苯基；C7-C12苯基烷基；苯基或CVCu苯 基烷基’其係經CrCs烷基及/或CrCs烷氧基取代；CrC8 烷基；C2-C8烷基羰基；環己基；或c2-C18烷基或C2-Ci8 烷基羰基，其係經-〇-間斷； R30以及R31係彼此獨立地為Ci-Cs烷基，苯基，或經 Ci-Cs烧基取代的苯基，以及 R係為CrC8烷基，苯基，或經Cl_c8烷基取代的苯 基， R，R以及R”係獨立地選自Cl_c6烷基，苯基，環戊基， 環己基；以及

Ar係為笨基或經c 式III中的星號顯 1-CS烷基取代的苯基。 [中的星號顯示聚合物鏈與定義同上的通常選自 例如Cl-C8)’芳基（例如苯基）或芳基烷基（例如苯 見末端基團及/或鏈末端劑，或，’未反應”、單鍵結 虱，烧基（例如c 1 - c 8), 甲基）的常見末端基團及 的單體單元IV S · 元IV的進展：

(IV) 其中

Rx係為Η 或甲基以及Ry係為對聚合物鏈的鍵 29 201000597 係對聚合物鏈的鍵結’以 結’或者Ry為Η或曱基以及Rx 及所有其他符號係定義同上。 本發明大致上較佳的電致發 WOO個式m沾沾德〇〇 一 寸匕3匕祐 入H ΪΠ的結構早几的聚合物，其中 xl〇 係為 〇 ; 地選自 H，r n ^ & 1 8烷基，氟，經Ε取代的C「C8烷基，經ϋ 1斷的c2-c18燒基，苯基，、經G取代的苯基，C4_Ci8雜芳 基，、\G取代的C4-Cl8雜芳基，C2-C8稀基，c2_c8炔基， 烷氧基’經E取代的Ci_C8烷氧基，經D間斷的c2_Ci8 ^ C"7 C25 本基烧基，SiRR，R“，GeRR’R“，P〇Ar2， ΡΑ『2 ’ 或為-C〇_R28 ; D 係為-CO- ; -coo- ; ; _nr25 卜SiR3〇R31_ ;以及 β 係為-OR29 ; _Nr25r26 ; _c〇r28 ; _c〇〇r27 ; -C〇NR25r26 ;或氟； G係為E或CVCs烷基； 2 5 R以及R26彼此獨立地為H ; Ci-C8烷基；環己基； 2 7 R以及R28彼此獨立地為Η ;苯基；苯甲基；經Ci-C8 炫•基及/或c^c：8烷氧基取代的苯基或苯甲基；Cl_C8烷基； R係為H ;苯基；苯甲基；經c〗-c8烷基及/或CVCs 炫1氧基取代的苯基或苯曱基；CrCs烷基；乙醢基；環己基； 或經_〇·間斷的c2-c12烷基； R以及R31彼此獨立地為甲基或苯基，以及 R R以及R”獨立地選自甲基’乙基，笨基；以及 30 201000597

Ar係為苯基； 特別是當任何 R9，R9’R9’’ ’ R" ’ R13. R14，R11’，R13’， R14’獨立地選自H，CrCs烧基，SiRR’R”。 本發明進一步關於新穎聚合物，亦即式III’均聚合物

其中 η範圍自5至10000 ; 至少…，…”，…、…、尺“殘基中之一者係選自匸丨-匚“ 烷基，鹵素，經Ε取代及/或經D間斷的Ci-Cu烷基，C6-C24 芳基，經G取代的C6-C24芳基，C2-C2Q雜芳基，經G取代 的C2-C2〇雜芳基，C2-C18烯基，C2-C18炔基，CVCu烷氧基， 經E取代及/或經D間斷的CVCu烷氧基，C7-C25芳烷基， SiRR’R“，GeRR’R“，POAr2，PAr2，CO-R28 ; 特別係選自鹵素，C2-C18炔基，CVCu烷氧基， SiRR，R“，GeRR’R“，POAr2，PAr2 ;而其餘的殘基亦可為 氫； D 係為-CO- ; -COO- ; -S- ; -SO- ; -S02- ; -0- ; -NR25-; -SiR30R31- ; -POR32-;以及 31 201000597 E 係為-OR29 ; -NR25R26 ; -COR28 ; -COOR27 ; -CONR25R26 ; -CN ;或鹵素； G係為E ’ CVCs烷基，環己基，經D間斷的C2-C18烷 基，CrCs全氟烷基，經E取代的Q-Cu烷氧基，經D間斷 的C2-C18烷氧基，其中 R25以及R26彼此獨立地為Η ;苯基；C7-C12苯基烷基； 環己基；經烷基或烷氧基取代的苯基或C7-C12 苯基烷基；CVCu烷基；或經-〇-間斷的C2-Cl8烷基；或

R27以及R28彼此獨立地為Η ;苯基；C7-C12苯基烷基； 經Ci-Cg烧基及/或Cl_Cs炫氧基取代的苯基或C7-Ci2苯基 烷基；CrCs烷基；環己基；或經-Ο-間斷的c2-c18烷基； R29係為Η ;苯基；C7-C12笨基烷基；經CVCs烷基及 /或CVC8烷氧基取代的苯基或C7-C12苯基烷基；（VC8烷 基；C2-C8烷基羰基；環己基；或經-0-間斷的c2-c18烷基 或c2-c18烷基羰基； R30以及R31彼此獨立地為CVCs烷基，苯基，或經CrCs 烷基取代的苯基，以及 R32係為烷基，苯基，或經Ci-Cs烷基取代的苯 基， 32 201000597 R’ R’以及R，，獨立地選自Cl_C6烷基，苯基，環戊基， 環己基；以及

Ar係為苯基或經Cl-C8烷基取代的苯基； L係為CH2 ’ CO或直接鍵；RX係為η或甲基； χιό係為〇或i以及Sp係為0，Ci_c4伸烷基_〇， ch2-ch〇h-ch2-〇，coo，CONR22，Ci_c4 伸燒基 CH2CH〇HCH2 〇 、新穎聚合物的較佳變數及取代以及製備方法主要如所 進一步§己载係用於本發明電致發光材料的聚合物中。

用於本發明聚合物的製備的一些有用的單體係為新賴 化合物，其係為式V

其中 R ，’ K13 ’ 殘基其中一 例如硬，C 1 r « ’饰送自S常 18块基，C丨-C丨8貌氧基，siRR，r“ POAr, » Ρδ KK R 5 GeRR^11 > r2 ,而其餘殘基亦可為氫； R以及R”獨立地選自C c烷兵 環己基，·以及 基本基，環戊基，

Ar係為苯基或經Cl_Cs烷基取代的苯基； 33 201000597 L係為CH2 ’ c〇或直接鍵；Rx is η或曱基；

Xl0係為0或1以及Sp係為〇，C,-C4伸烷基-〇， CH2-CH0H-CH2-0，c〇〇，c〇NR22，Ci c4 伸统基，或 CH2CHOHCH2。 如存在於式ΙΠ，ΙΙΓ，Iv以及v中的每一個殘基R9,’ 係獨立地選自所顯示的意義，因此殘基彼此間可為相同或 不同。 用於本發明聚合化合物的單體的製備可依照為此技藝 ^的方去，例如本文初始所引述的文獻所述。藉由 導入任何進一步取代基r9, R9，，，R11，r13, r14，可以單體 的進一步何生作用之前完成可聚合基團的導入；然而，在

許多情況下，首先提供包含取代基R9, R9..，Rll，Rn，RU 的化合物，且此產妙，你— 物…、、後在第二步驟中被轉化成為包含可 聚合基團PG的單體。 取代基亦可在後續步驟中經改質，例如在第一次導入 反應性取代基例如齒素，_ 函坑基’起基或經基烧基之後。 根據此技藝中所翌在n ^ 所1知的方法改變反應條件，其包括但 不限於，使用溶劑，庳 /皿度’觸媒，保護性措施，製，分 離及純化程序。進—牛沾β , ν 、：，、，田内容在本文實施例中有說明。 本發明亦關於一種包含 JL _ ϋ办 3本發明+合物的電子裝置以及 其製造方法。電子梦番· ，丨、mik m ^ ^ 、 匕3介於二電子接觸層之間的至 夕一種有機活性材料，其 M,，, # ^ Μ裝置的至少一層包含發光摻 、& ’’、可為碟光摻雜物（通常Α八屈 ^ ^ .a - (逍吊為金屬錯合物’例如以 銥為基礎的二重態射極或 寶九化合物）。電子裝置可包含陽 34 201000597 極層（a)，陰極層（e)， 視需要的電洞注入/傳輸= 生層(C)。與陽極層⑷相鄰者為 鄰者為視需要的電_注^ ^⑻，且與陰極層⑷相 為電荷傳輸層的實例。輸（電子阻斷）層⑷。層⑻及⑷ 物(通⑷較佳包含至少約°」重量百分比之發光師 物（通常大於1%，“.ι幻〇%)。 先推雜 該裝置可包含虚哕陆 或基材。最常見者，、:支= (a)或陰極層⑷相鄰的支轉物 物可為可撓性或硬質：有：：：與該陽極層⑷相鄰。支撐 S ^ . 有機或無機性。一般而言，玻璃或 八可撓性有機膜被用作支撐物。~# & 4 ± / 層⑷更具注人電洞1㈣e極層⑷係為相較於陰極 合金屬，合金，金屬氧:：極。陽極可包含含有金屬，混 , 、，屬化物或混合金屬氧化物的材料。位 :喊極層⑷内的合適金屬元素可包含第4,5,6族以及8 ;族過渡金屬。如果陽極層⑷係為傳送光，則可以使用 (13以及M族金屬’例如銦-錫-氧化物。用於陽極層 U)的一些非限制性 匆位增

V Γ,ττπ(Ιλ ^ f特疋材料貫例包含銦-錫-氧化物 0 )，鋁-錫-氧化物’金，銀，銅，鎳以及硒。 陽極層⑷可藉由化學或物理蒸氣沉積方法或旋_ '或凹版印刷方法。化學蒸氣沉積可以電衆-增強 學蒸氣沉積(，，PECVD，|)或金屬有機化學蒸 (MOCVD”）方式進行。 物理蒸氣沉積可包含所有形式的濺鑛(例如離子束錢 鐵）’電:束蒸發,χ及蒸發阻力（resistanee evap。⑽〇n)。 特疋形式的物理蒸氣沉積包含射頻式磁控管濺鍍或感 35 201000597 應-偶合電聚物理蒸氣沉積（"ICP-PVD")。這些沉積技術係為 半導體製造技藝中所習知者。 電洞傳輸層（b)可與陽極相鄰；此層可被分裂戈為電洞 /主入（b 1 )及屯洞傳輸（b2)層。電洞傳輸小分子化合物以及聚 合物也可供使用。 系使用的電洞傳輸分子包含：Ν,Ν'-二苯基-Ν,Ν，-雙（3-甲基苯基）-[1，1'-聯苯]_4,4，-二胺⑽叩山雙[(二_4_曱苯基 胺基）苯基]環己烷（TAPC)，Ν，雙（4-甲基苯基）-Ν，Ν1-雙（4_乙基苯基二曱基）聯苯]4,4'-二胺（ETPD)， 肆-(3-甲基苯基）_Ν，Ν，Νι，Ν，_2,5_ 苯二胺（pda)，a_ 苯基 -4-N，N-苯基胺基苯乙烯（Tps)，p_(二乙胺）苯醛二苯基腙 (DEH)，二笨基胺（τρα)，雙[4_(N，N二乙胺）_2曱基笨基](4_ 曱基苯基）甲烷（MPMP)，丨_苯基_3_[p_(二乙胺）苯乙烯 基]-5-[p-(二乙胺）苯基]n比唾琳（ppR或deaSP)，1，2-反式 -雙（9H-咔唑-9-基）環丁烷（DCZB)，N，N，N，，N'-肆（4-曱基苯 基）-(1，Γ -聯苯）-4,4'-二胺（TTB)，4,4，-N，N-二咔唑-聯苯 (CBP) ’ N，N-二咔唑基 ι_ι，4-二二亞曱基-苯（DCB)，N，N，-二（萘-1-基）-N，N’-二苯基-聯苯胺（NPD)，1,3-雙（9-咔唑基） 苯（mCP)，卟啉（porphyrinic )化合物，酞菁，以及其組合。 關於此方面進一步材料及使用方法係如US_A-2007-008721 所述者（參見其中[0096]至[01 54]段），該内容以引用方式併 入本文。 常用的電洞傳輸聚合物為聚乙稀基π卡。坐，（苯基曱基） 聚矽烷，聚（3,4-伸乙基二氧基噻吩）（？£00丁），三芳基胺聚 36 201000597 合物(例如聚[(9,9-二辛基第_2,7-二基)，(4綱 丁基苯基二苯胺）][TFB])，H各，以及聚苯月安。電洞傳 ^合物可得自於將如以上所述的電洞傳輪分子摻雜至聚 &物例如聚苯乙烯以及聚咔唑中。 人續輸層（b)可藉由任何傳統方式包含旋轉塗 =ΓΓ刷例如凹版印刷加以形成。此層亦可藉由 貫墨印刷’熱圖案化或化學或物理蒸氣沉積被施用。 通常，陽極層⑷以及電洞注入/傳輸層㈨若存在時，在 = 毁影作業中被圖案化。此圖案可視需要變化。此層可 ^阻施用第—電子接觸層材料之前將圖案化光罩或 疋位於第一可撓性複合物阻障址構y 早'·，0構而形成於圖案中。 這些層可以總體層（亦稱為毯覆式沉積）被施用， 接者使用例如圖案化阻抗層及濕式化學或乾式敍 竹進行圖案化。為此技藝中所習知用 ^ -Λ- _ρ 用於圖案化的其他方法 亦可供使用。當電子裝置位於陣 Ψ阮極層（a)及電洞注 典型係形成於實質上平行的帶狀，其具 相冋方向延展的長度。層(b)可經交聯。 活性層（c)包含發光摻雜物 定的顆粒材料可視特定用途，作聚合物。所選 主材料，其經摻雜可㈣以/3傳輸電子職電洞的宿 以致激子自發科 1电洞及/或激子的發射材料， 含結合傳輸弛活性層⑷可包 物或主要組分，活人：發射材料是否為摻雜 每可已S其他材料，例如會調節發射 37 201000597 材料的發射性。活性層（e)可包含複數個能夠在合併時會發 射所欲光譜的發射材料。發射材料的實例包含磷光金屬化 合物，其揭示於 W006000544, WO〇6067〇74, w〇〇7〇74〇93， 以及其中引用的出版物；以及某些螢光聚芳基，例如揭示 於EP-A-1 138746, EP-A-1245659。螢光發射材料的實例包 含DCM以及DMQA。進一步宿主材料的實例包含Alq3, cbP 以及mCP。發射及宿主材料的實例係揭示於us 6,303 238 B’其全文以引用方式併入本文中。 用於形成活性層（c)的方法實例包含藉由溶液加工沉 積。自溶液成膜方法的實例包含施用方法，例如旋轉塗覆， 淺禱’微凹版塗覆’滾動塗覆，金屬棒塗覆 (wirebar-coating)，浸潰塗覆，噴塗法，網版印刷法， flexography，膠印印刷（offset_pdnting)，凹版印刷以及噴黑 印刷。 土 穴匕3、主少一種本 發明聚合物’光發射化合物以及至少一種溶劑，以及可以 =力:劑例如電洞傳輸材料，電子傳輸材料，發光材料， 二 ^或安定劑。組合物中溶劑數量為組合物總重量 二至广”，以及較佳…99重量％， 為8 0至9 9重量％。 又1土 那二所使用的溶劑並不特別受限且較佳為 '解或均㈣分散該等材

解於溶劑中，溶液沉積於基材上，以及溶劑經溶 ㈣f任何合適的溶劑可被用於溶解化合物（假設其為I 38 201000597 性）’可溶解至少一些材料且可a a μ 珂针1了错由傳統乾燥方 熱，減壓，空氣流等）自基材被移 ^ ^ 適合的有機溶劑包含， 仁不限於’方香系或脂肪系烴 M 卣化例如氯化烴類，酯 類，醚類，酮類，醯胺，例如氣 — —氣乙烷，四氫呋喃， 甲本，二甲苯，乙酸乙酯，乙酸丁 — T基乙基|同，丙酉同， 一甲基甲酿胺，二氯苯，丙二g菜置田 、^ 一 早甲基醚乙酸酯（PGMEA)， 以及醇類’以及其混合物。 K以及與水相容溶劑的混合物 亦可供使用。層（c)可經交聯。 視需要層⑷的作用可為便利電子注入/傳輸，電洞阻 7，以及亦作為緩衝層或限制層以防止在層界面處反應驟 停°更特定的，層（d)可促！隹番· ； & & 曰、』』從進電子移動性以及降低若層（e)及 ⑷會以其他方式直接接觸時發生反應驟停的可能性。供視 需要層（d则的材料的實例包含金屬_螫合物經基哇㈣ 化合物（oxinoid compounds)(例如’卷（8經基—ο — )銘 (Alq3)或類似物）；以菲咯啉（phenanthr〇iine)為基礎的化合物 (例如 ’ 2,9-二甲基 _4,7_二苯基菲咯啉（"DDpA”），4,7_ 二苯基-1，10-菲咯啉（"DPA_，），或類似物；唑化合物（例如， 2 (4聯笨）5-(4-二級-丁基苯基）_ι，3,4-σ惡二唾（“pBD或類 似物，3-(4-聯苯）_4_苯基_5_(4_三級_丁基苯基Η#·三唑 (TAZ )或類似物，其他類似化合物；或任何一或更多的組 合。關於此方面的進一步材料以及使用方法可敘述於 US_A-2006-021083 0(參見其中的[0076]至[〇〇79]段），以及 US-A-2007-0042220(參見其中的[0110]至[〇114]段），該内容 以引用方式併入本文中。 39 201000597 可替代的，視需要的層（d)可為無機且包含Β&〇，uf， Li2〇，或類似物。層（d)可經交聯。 電子注入/傳輸層（d)可使用任何傳統方式形成，包含旋 轉塗覆，澆鑄以及印刷，例如凹版印刷。此層亦可藉由喷 墨印刷，熱圖案化或化學或物理蒸氣沉積而施用。 、 陰極層⑷為特別有效於注入電子或負電荷載體的電 極。陰極層⑷可為具有比第—電子接觸層低卫作功能的任 何金屬或非金屬（此情況下為陽極層（a))。用於第二電子接觸 層的材料可選自第i族鹼金屬（例如，u，Na，K，奶，a)， 第2族(鹼土族)金屬…2族金屬，稀土族，鑭系元素:例 如’ Ce’ Sm，Eu’或類似物)以及锕系元素。亦可以使用例 如銘，銦，妈，鎖，紀以及鎮及其組合之材料。含經有機 金屬化合物，UF以及Li2〇亦可沉積於有機層及陰極声之 間以降低作業電壓。用於陰極層⑷的特定非^材料實例 包含鎖，鈽，絶，銪，伽，釔，鎂或釤。 陰極層⑷通常係由化學或物理蒸氣沉積方法所形成。 一般而言，陰極層將如以上所討論參考陽極層⑷以及視需 要的電洞注人層（b)被圖案化。如果裝置位於陣列中，陰極 層(:)可在實質平行的帶中圖案化’其中陰極層帶的長度在 實質上相同方向延伸且實質上與陽極層帶垂直。 又 、稱為像素的電子元素在交叉點形成（當陣列係從平面或 上視圖觀察，此處陽極層帶與陰極層帶交錯）。 在其具體實例中，有機電子裝置令可存在額外層。例 如電/同/主入層（b)與活性層⑷之間的層可便利於正電荷傳 201000597 :似：層:：帶間隙匹㈤，作為保護層的作用或類似者。 負電，值二層⑷及陰極層⑷之間的額外層可便利於 =傳=的頻帶間隙匹配1為保護層的作用或 而$ ，可以使用為此技藝中所習知的層。一 該層可經表面處理以增加電荷載體傳輸效率。 製、刀層的材料選擇可藉由平衡提供具有製造成本， 二w ]生或其他潛在因素的高裝置效率的裝置目標而決 疋。 了傳輸層⑻以及⑷的材料通常與活性層⑷的材料 則^同類型。更特定地，如果活性層⑷包含小分子化合物， =何傳輸層⑻以及⑷(如果存在其中之-或二者）通常包 同】刀子化σ物。如果活性層⑷包含聚合物’電荷傳 :層㈨以及⑷(如果存在其中之—或二者)通常亦包含聚合 。然而’活性層(C)可包含小分子化合物，且任何其相鄰 層（例如電荷傳輸層）可為聚合物。 母-功能性層可由—層以上所組成。例如，陰極層可 包含第1族金屬層以及銘層。第1族金屬可位於接近活性 層（c)，且銘可有助於保護第1族金屬不受環境汙㈣如水 影響。 雖然沒有予以限制之意，不同層可具有以下範圍的厚 度：無機陽極層⑷，通常不大於約500nm，例如約50至 200一視需要的電洞注入層(b)，通常不大於約1〇〇紐例 士 勺50至200nm，活性層⑷，通常不大於約⑽疆例 如，約10至80nm ;視愛亜认+ 兄而要的電注入層（d)，通常不大於約 41 201000597 1 OOnm，例如，约丨n . 、 至80nm ,以及陰極層（e)，通常不大於 約 1 OOOnm > Μ μό , ζ^ 〇Λ ^ „ 勺30至5〇〇nm。如果陽極層（a)或陰極 層（Ο需要傳送至少—此本，13 二光此類層的厚度可以不超過約 1 OOnm 〇 裝置内電洞重組區域的位置及因此該裝置的發射光譜 可受到每-層相對厚度的影響。因此，電子傳輸層的厚度 應該經選擇，以致電洞再組合區域位於發光層(亦即活性層 ⑷)。所欲層厚度的比率可視所用材料的正確性質而定。用 金屬錯合物製成裝置的效率可藉由使裝置内的其他層最適 化而獲得進—步改m，可以使用更具效率的陰極例 士 Ca ’ Ba ’ Mg/Ag ’或LiF/AI。會導致作業電壓下降或量 子效率提高的成形基材以及電洞傳輸材料亦適用。額外層 亦可被加入以調整各層之能量水平並便利發光。 曰 視電子裝置之應用而定，活性層（c)可為、經訊號（例如在 發=二極體内）活化的發光層或者會回應輕射能量且在有或 無施用電位時產生訊號的材料層（例如檢知器或伏打電 也）可回應輻射忐量的電子裝置的實例可選自光導電池， 光阻，光控開關，光電晶體以及光電管。此技藝人士能夠 選擇適合其特殊應用的材料。 電致發光裝置可用於例如手機，電視以及個人電腦發 幕中的全彩顯示板中。據上所述，本發明亦係關於一種裝 置’其係選自固定式及移動式顯示器，例如用於電腦，手 機，膝上型電腦，個人數位助理’電視機的顯示器，印表 機、廚房設備，告示板，㈤明，資訊板中的顯示器以及火 42 201000597 車及a車上的目的地板，其包含 λ ^ Ά ? 知月的有機發光二極體。 在有機發光二極體（0LEDs)中， μ '± X i, « 】由陰極Ο)及陽極（a) 層主入先活性層⑷的電子及電洞在活性 。it 〇tb π & )中幵v 成負及正 ^子4極子在施用電場㈣響之下移動，盘相反 何=類形成極子激子以及接著進行輕射重組。陽極及陰 :之間的足夠的電位差異通常小於約2。伏特，一此 十月況之下不大於約5伏特，可施 二 里可葙於裝置。實際的電位差 八可視在車父大電子組分中使用 .士咖 用裝置而定。在許多具體實例 中，在电子裝置作業期間，陽極層 層(e)--層⑷偏移至正電壓且陰極 上接地電位或零電壓。電池或其他動力源可以被 電力連接至電子裝置作為電路的—部分。 在使用於層⑻，⑷，或⑷時，化刀合物不需 質稀釋劑中（例如宿主電荷傳輸材料）才能有效率。一層且; 大於約1〇/。重量的金屬錯合化合 、 Q物（基於層的總重量）以及多 至實夤上約100%本發明聚合物 』作為活性層（c)。額外的材 丄》存在於具有錯合化合物的活性層⑷。例如，可存在勞 光染料可以改變發射色彩。 亦可以使用稀釋劑。稀釋劑可為聚合材料，例如聚⑺ 乙婦基味唾)以及聚石夕烧。稀釋劑亦可為小分子，例如 4,4'長，二°卡峻聯苯或三級芳香系胺。當使用稀釋劑時， 本發明聚合物一般係以小量存在，通常…〇%重量，較 佳小於1 0%重量，其係以層的總重量為基準。 以下試驗方法及實施例僅係為例示土目的且不是被解结 為以任何方式限制本發明。室溫（rt.)描述範圍為2〇至二 43 201000597 C的溫度’隔夜表示12至16小時範圍的時間。百分比為 重量’除非另外陳明。 貫施例或他處中所用的縮寫·· AIBN 偶氮-雙-異丁腈 CIE 根據 Commission Internationale de l’Eclairage 的色彩定義 DMF 一甲基甲醯胺 EE 乙酸乙酯 EtOH 乙醇 HMPTA 六曱基填三醯胺 Ir(ppy)3 銀畚（2 -苯基吼咬）（Baldo 等人，ppl. Phys. Lett. 1999,75,4-6、 ITO 銦錫氧化物 Mw 重量平均分子質 Mn 數目平均分子量 PBD 2-(對-三級丁基笨基）_5_聯苯-噁二唑 PDI 多分散性指數（ = [Mw]/[Mn]比值） PEDOT： PSS聚（3,4-伸乙基二氧基噻吩）聚（苯乙烯磺酸鹽） PG 可聚合基團 QE 量子效率 TBME 三級-丁基甲基醚 THF 四氫咬喃 TPD N，N’-聯苯-N，N’-二-間-甲苯基-聯苯胺 44 201000597 實施例1 將16.09克（〇.2 59莫耳）氫氧化鉀（86%)置於配備磁力攪 摔器及回流冷凝器的500毫升三口圓底燒瓶。加入200毫 升四氫呋喃以及6_5毫升二氣甲烷。使混合物回流。經過j 小時之後，將混合物冷卻至室溫。加入8克（3 7.毫莫耳） 苯并呋喃-4-硼酸，〇.8克（3.02毫莫耳）三苯基膦，339毫 克（〇.7毫莫耳）乙酸把⑻及200毫升甲醇的溶液。將反應混 合物加熱至60。(：内部溫度。經過2小時之後，反應完成， 經冷卻至室溫。此混合物經水及乙酸乙酯稀釋。有機相經 水萃取二次，、經鹽水萃取—次。有機相經硫酸納乾燥且汾 劑經蒸發。粗製產物經管柱層析術（庚院）純化。分離（乙稀 基-二苯并呋喃’產率為42%。

1H-NMR(300MHz > CDCli) * ^ l3) · 7_94(d，lH) 7.84(d,lH) 7.61(d，lH) 7.50(m,2H) 7.36(m,2H) 7.12(dxd 1H) 6.32(d,lH) 201000597 5.60(d,lH) 實施例2

H^O

將22.7克（63_7毫莫耳）甲基三苯基鱗溴化物以及2〇〇 宅升無水四氫呋喃置入配備磁力攪拌器的乾燥三口圓底燒 瓶，以氣化鈉/冰浴將反應混合物冷卻至〇。〇内部溫度。在 30分鐘内加入41.8毫升(66·9毫莫耳)16Μτ基鋰在己烷中 的溶液’同時保持内部溫度低於代。反應混合物於相同溫 度授拌45分鐘’然後在3G分仙加人们毫莫耳二苯并 呋喃（溶於100毫升無水四氫呋喃）。經過2小時之後，反應 混合物被回溫至室溫，加入5〇〇毫升水及經5〇〇毫升乙酸 乙酯萃取三次。經合併的有機相經5〇〇毫升的丨：ι緩衝液 (PH =丨）以及鹽水的混合物沖洗一次，經鹽水沖洗一次，經 硫酸鎂乾燥，過濾及蒸發。粗製產物經溶於二氣甲烷，加 入100克一氧化矽，以及蒸發溶劑。將所得到的粉末加入 在經燒結玻璃漏斗中300克二氧化矽的頂端，且該產物經 8: 1的己烷/乙酸乙醋烯釋。產物經2_丙醇結晶。2_乙烯基 •二苯并呋喃經分離，產率為95%。 7.94(d，lH) 1H-NMR(300MHz « CDC13)： 46 201000597 7.98-7.92(m,2H) 7.64-7.32(m,5H) 6.92(dxd 1H) 5.82(d,lH) 5.30(d,lH) 實施例3

1克4-乙烯基-二苯并呋喃（實施例1)以及0.01當量的 上述流程所示起始劑被溶於0.5毫升氯苯，經脫氣及在120 °C及氮之下經攪拌24小時。產物在曱醇中經多重沉澱而純 化。產率為70%。 GPC : Mn=1 3600，PDI=1.16. 實施例4

1.24克2-乙烯基-二苯并呋喃（實施例2)及1.5重量％溶 47 201000597 於5毫升曱苯中’經脫氣，在80°C及惰性大氣中聚合β聚 合物在甲醇中經多重沉澱而純化。產率為83。/〇。 GPC : Mn=19800，PDI =1.96. 實施例5

將16.8克（90_1毫莫耳;)苯并呋喃，197克（8〇毫莫耳） 石典，7.7克（44宅莫耳）峨酸溶於2〇〇毫升乙酸，15毫升水， 2毫升硫酸及10毫升四氯化碳中，以及在65。〇攪拌小 時。產物經過遽’再溶於熱甲苯中，以及藉加入甲醇而再 度沉殿。分離2,8-二碘二苯并呋喃（5丨），產率為6〇.7〇/〇。 ^-NMR (300MHz > CDC13) ： 8.2(s 2H) 7.74(d，2H) 7.33(d,2H) 將4克（13_5毫莫耳）2,8-二碘二苯并呋喃溶於10〇毫升 無水四氫呋喃。在-78°C滴加入17.8毫升1 ·6Μ正-丁基鋰溶 48 201000597 液（己烷中）。在-78°C經攪拌1小時，加入8.8克（29 84毫莫 耳）氣三苯基矽烷在20毫升四氫呋喃中的溶液。讓反應混合 物回溫至室溫’以及經飽和氯化銨溶液驟冷。有機相經過 濾且產物於四氫呋喃再結晶而純化，製得5.62克（6〇%)2， 8~二-(三苯基甲矽烷基）-二苯并呋喃（5.2)。 'H-NMR(300MHz > CDC13) ： 8.08(s,2H) 6.68-7.58(m,16H) 7.49- 7.3 6(m, 1 8H) 在45C將1克（1.46宅莫耳）2,8 -二-(三苯基甲石夕烧基）_ —苯并°夫喃溶於1 〇 〇毫升無水四氫°夫喃，加入在環己烧中 的10毫升1.4M二級-丁基鋰。在45Ό之下經攪拌15分鐘 - 之後’加入2毫升無水二曱基曱醯胺；反應混合物經授拌i . 小時。加入100毫升0.5M鹽酸使反應驟停。產物經乙酸乙 酸萃取且在矽膠上以庚烷：乙酸乙酯（3 : 1)作為沖提液經營 枝層析術純化，製得2,8-二-(三苯基甲矽烷基）-二苯并咬。南 * -4-羧醛（5.3)，產率為 30.2%。 'H-NMR (300MHz > CDC13) ： 10.5(s，lH) 8.30(s，lH) 8.15(s,lH) 8.11(s,lH) 7.73-7.55(m,14H) 7.49- 7.36(m,18H) 49 201000597 根據實施例2之方法使用2,8-二-(三笨基曱矽烷基）-二 苯并呋喃-4-羧醛與甲基三苯基鱗溴化物反應而製得4-乙烯 基-2,8-二-(三苯基曱矽烷基）-二苯并呋喃（5.4)，產率為 37.8%。 iH-NMR (300MHz，CDC13) : 7.99(s，lH) 7.88(s,lH) 7.57-7.48(m,15H) 7.40-7.26(m,18H) 6.93(dd,lH) 6.14(d,lH) 5_46(d，lH) 根據實施例的方法製斗寻 Mn=6400，PDI=1.26。 4聚合物3，產率為3 0%。GPC ·· 的方法且根據以下反應流程，製 實施例6 :以類似實施例 得聚合物4及5 : 50 201000597

b ό

AIBN

實施例7 :以類似實施例5的方法且根據以下反應流 程，製得聚合物6 :

AIBN

Polymer 6

Ph3Ge

GePh. 51 201000597 應用實施例 以述方式製備具有單-有機層的有機發光裝置··藉濺 鑛及後續的圖案化於玻璃基材上形成8〇nm厚的IT0臈。使 用PEDOT . Pss(Baytr〇n ρ)藉由旋轉塗覆、接著在綱。◦加 熱、】〇分鐘，在經氧-電衆處理的IT0臈上形成8〇請厚的電 S θ藉由旋轉塗覆施用1 5毫克本發明聚合物，1.25 毫^™ ’ 7·5毫克咖以及⑶毫克Ir(PPy)3於u毫升 曱苯中的办液’以製得8〇nm厚度。在8〇。。及氮氣之下使膜 乾燥30分鐘。將基材置於真空沉積室中，藉由沉積—鋇 層、接著7〇nm銘層而形成具有二層結構的陰極。作業以及 裝置效率的詳細資料如下表所示者。 V@ 1000cd/qm CIB x CIEy 12.0 0.3 0.63 12.3 0..3 0.63

圖式簡單說明 【主要元件符號說明】 4 \*\ 52

Claims (1)

1. 201000597 七、申請專利範圍： 1 ·一種電致發光材料，其包含以下式I的重覆結構單元 為基礎的均聚合物

   其中 R9，R9’，R11，RU，R14，R"，，R13,，R14’獨立地為 H 或有機取代基，該有機取代基係選自鹵素；OH ; G-Cm烷 氧基；經E取代及/或經D間斷的C2-C24烷氧基；CVC24烷 基；經E取代及/或經D間斷的CVC24烷基；（VC24鹵烷基； C2-C24婦基，C2-C24快基；C1-C24烧基硫基；C1-C24酿基； C5-C24芳基；經G取代的C6_C24芳基；C7-C25芳烷基；C3-C12 環烷基；CVC24醯基氧基；C5-C1()芳基氧基；C3-C12環烷基 氧基；COR; CH=NR; CH=N-OH; CH=N-OR; COOR; OCOR ; CONHR ; NHCOR ; CONRR’ ； CONH-NHR ； CONH-NRR'； SR ； S02R ； SO3R ； S02NHR ； SOzNRR' ； S02NH-NHR ； S02NH_NRR’ ； s(o)r ; S(0)0R ; S(0)NHR ; S(0)NRR’ ； S(0)NH-NHR ; S(0)NH-NRR’ ； SiRR’ R” ； GeRR’ R “； PRR’ ； PORR’ ； PO(OR)R’ ； PO(OR)2 ; PO(NHR)2 ； PO(NRR’ ）2 ; CN ; N02 ; NHR ; NRR’ ； NH-NHR ； NH-NRR’ ，CONROH ; 其中R，R’以及R”獨立地為選自CrCu烧基，CrCu 53 201000597 鹵烷基，c5-c10芳基，c3-c12環烷基；以及R亦可為氫 或者彼此相鄰的二個取代基R9，R11，R13，R14 ’ R' R11’，R13’，以及R14’一起形成基團 R1。5 R105 R106 Ύ1。6 Ά。7 R108 ，或 R107 R108 ， Rl〇5 , Rl〇6 , R107 , R 108 5 R105’，Rl〇6’，R107’ 以及 R108 彼此獨立地為Η，CVCu 烧基 ，經E取代及/或經D間斷的 CVC!8烷基，C]_Cl8烷氧基，或經e取代及/或經D間斷的 G-Cu烷氡基； D 係為-CO- ; -COO- ; -S- ; -SO- ; -S〇2- ; ; _NR _ ; -SiR30R31- ; -por32_ ; -cr23=cr24-;或-c^c-;以及 E 係為-OR29 ; -SR29 ; -NR25R26 ; -COR28 ; -COOR27 ; -C〇NR25R26 ; -CN ;或鹵素； G係為E，CrCu烷基，C3-C12環烷基，經D間斷的 C2_CU烷基，Cl_Cl8全氟烷基，或經e取代及/或經D間斷 的Ci-C18烷氧基，其中 R23，R24 ’ R25以及R26彼此獨立地為Η ; C6-C18芳基； c6-c18芳基烷基；C3_Cl2環烷基；C6_Ci8芳基或C6_Ci8芳基 烷基’其係經Ci-Cls烷基及/或Ci-Cu烷氧基取代；CkCu 炫基；或經_〇_間斷的C2-C18烷基；或 R 以及R26 —起形成5或6員環； R以及R28彼此獨立地為Η ; c6-c18芳基；c6-c】8芳 基烷基；CVCu芳基或CVCu芳基烷基，其係經Ci_Cu烷 54 201000597 基及/或（ν(：Ι8烷氧基取代；Cl_Ci8烷基；C3_Cl2環烷基； 或經-〇-間斷的c2-cl8烷基； R29係為Η ; c6-c18芳基；c6_Ci8芳基烷基；c6_Ci8芳 基或C6_CU芳基烷基’其係經烷基及/或CVci8烷 氧基取代；CrCu烷基；c2-c18烷基羰基；（：3-(：12環烷基； 或經-0-間斷的C2_C!8院基或C2-C18烧基幾基； R以及R彼此獨立地為Ci-Cis烧基，C^-C!2環燒基， C6-C18芳基，或c6_Cl8芳基，其係經Ci_Ci8烷基取代以 及 R32係為（VCu烷基，c6-c18芳基，或c6-c18芳基，其 係經烷基取代， R ’ R’以及R”獨立地為選自C「c12烷基’ Ci-C12鹵烷 基’ C5-C1()芳基，c3-Cl2環烷基，較佳選自烷基，笨 基’環戊基，環己基；以及 Ar係獨立地選自c5_Cl()芳基，或經c丨-Cis烷基取代的 C5'ci〇 芳基； - R1〇6，Rl〇7 , r1〇8，r1〇5’，r106’，Rl〇7’以及 Rl〇8 其中之—者 為下式的基團R10 -(Sp)xi〇-[PG，]< 其中Sp為二價有機間隔基’ PG’係為衍生自可聚合基 團’以及xlO為〇或1; 以及Sp為下式 (X3-Ds)x11-X2 . 55 201000597 其中χ 11係為0或1 ; Χ3 ’ x2獨立地為Ο，Ci-q伸烷基-Ο，S，Ci-C4伸烷基 -S，NR22，伸烷基-NR22，COO，伸烷基-COO 或（3,-(:4 伸霞基-oco，CONR22，Ci-C4 伸烧基-CONR22 或 伸烷基-NR22CO，NR22CONR22，Ci-C4 伸院基 -NH22CONR22，CVC4伸烷基或直接鍵； R22係為η，烷基，C3-C12環烷基，苯基； Ds係為Cl_c24伸烷基，經間斷的C3-C24伸烷基， ^ ^24 伸烯基’ c2-c24伸炔基，c6-c1()伸芳基；以及 PG’係較佳為衍生自乙烯系不飽和基團或應變氧環系 統’特別係選自下式

   /、 观表示其對SP或式Ϊ部分的鍵結位置且f 同上，而另外2個開放鍵提供整合入共聚合物鏈。 2.根據申請專利範圍第1項的電致發光材料 少、3個、鲂杜=| ^ ζ： ! . ^ 仏至y 5個、特別至少10個重覆結構單_ 1的岣聚物。 再早刀 根據申印專利範圍第丨或2項的電致發光材料 56 201000597 含下式III的聚合物

   其中 η範圍為2至loooo ; L係為CH2，CO或直接鍵； R9，R1 R R ’係遥自Η，CVCi8烧基，齒素，經 E取代及/或D間斷的Cl_Cl8貌基，％芳基，經G取代 的c6-c2^基，C2_Ci8烯基，C2_Ci8块基kb院氧基， 經E取代及間斷的料基，Μ”芳烧基， 娜T，GeRRT，Ρ0ΑΓ2，…·_ . 每一個殘基R9”係獨立地選自為R9所定義者， Rx係為Η或甲基’且所有其他符號係如巾請專利範圍 第1項所定義。 4.根據申請專利範圍第i至3項中任一項的電致發光材 料，其包含式III聚合物， 其中圍自5至5000，特別是1〇至1〇〇〇 ; X1 〇係為0 ; R9，R9”，R1 1，Rl3 R 14 在，睬 'R係選自Η，Ci-C8烷基，氟，經 57 201000597 E取代的CVC8烷基，經D間斷的C2-C18烷基，笨基，經G 取代的苯基’ C2-C8歸基’ C2-C8快基，Ci-Cg燒氧基，經e 取代的CrCs烷氧基，經D間斷的（：2-(：18烷氧基，c7-C25 苯基烷基，SiRR’R“ ’ GeRR’R“ ’ P〇Ar2，PAr2 或為 _c〇-R28 ; D 係為-CO- ; -COO- ; -S- ; -SO- ; -S02- ; ; -NR25-; -SiR30R31- ; -POR32-;以及 E 係為-OR29 ; -NR25R26 ; -COR28 ; -COOR27 ; -CONR25R26 ; -CN ;或鹵素； G係為E，CVCs烷基，環己基，經D間斷的C2-C18 烷基，CrCs全氟烷基，經E取代的Ci-Cu烷氧基，經D間 斷的C2-C18烷氧基，其中 R25以及R26係彼此獨立地為Η ;苯基；C7-C丨2苯基烷 基；環己基；苯基或C7-C12苯基烷基，其係經C^-Cs烷基或 C!-C8烷氧基取代；CVCu烷基；或經-0-間斷的C2-C18烷 基；或

   υ ，或 0 ， R27以及R28係彼此獨立地為Η ;苯基；c7-c丨2苯基烷 基；苯基或C7-C12苯基烷基，其係經Ci-C8烷基及/或C1-C8 烧氧基取代；CVC8烷基；環己基；或經-ο-間斷的C2_C1S 58 201000597 燒基； R29係為Η ;苯基；C7-C12苯基烷基；苯基或C7_Ci2苯 基烷基，其係經CrCs烷基及/或Ci-C8烷氧基取代；c c 烧基；CrCs烧基幾基；環己基；或C2_Ci8烷基或c < ^ J 〇 烷基羰基，其係經-0-間斷； R30以及R31係彼此獨立地為Ci_C8烷基，苯基，或經 C 1 - C 8烧基·取代的苯基，以及 R32係為Ci-Cs烷基，苯基，或經Ci_C8烷基取代的苯 / 基， R，R’以及R”係獨立地選自Ci_C6烷基，苯基，環戊 基，環己基；以及 Ar係為苯基或經C |-C8烷基取代的苯基。 5 _根據申清專利範圍第1至4項中任一項的電致發光材 料’其包含10至1000個式I或ΠΙ的結構單元的聚合物， ' 其中 xlO係為0 ; v 任一 R9 ’ r9 r9，r1 1 ’ R13 , R14，R11 ’，R13 ’，R14’獨立 地選自Η ’ CVCs烷基，氟，經e取代的C〗-C8烷基，經D 間斷的CVCu烷基，苯基，經G取代的苯基，c2-c8烯基， C2-C8炔基’ Ci-C8烷氧基，經]g取代的Ci-C8烷氧基，經D 間斷的C2-C18烷氧基，c7-c25苯基烷基’ SiRR，R”， GeRR R ，P〇Ar2，PAr2，或為 _c〇_r28 ; D 係為-CO- ; -COO- ; ; _nr25- ; -SiR30R31-;以及 E 係為 _〇R29 ; _NR25R26 ; _c〇r28 ; c〇〇R27 ; 59 201000597 -CONR25R26 ;或氟； G係為E或C i - C 8烧基； R25以及R26彼此獨立地為H ; 烷基；環己基； R27以及R28彼此獨立地為Η ;苯基；苯曱基；經d-Cs 烷基及/或Ci-Cs烷氧基取代的苯基或苯甲基；Ci_Cs烷基； R係為Η ;苯基；苯曱基；經c丨_C8烷基及/或Ci_C8 烷氧基取代的苯基或苯甲基；Cl_C8烷基；乙醯基；環己基； 或經-0-間斷的c2-c12烷基； R30以及R31彼此獨立地為曱基或笨基，以及 R ’ R’以及R”獨立地選自曱基，乙基，苯基；以及 Ar係為笨基。 6 ·根據申請專利範圍第1至5項中任一項的電致發光材 料，其中聚合物中 任一 R9 ’ R9’ ’ R9”，R丨 1，R"，R14，Rll，，R13’，R14’ 獨立地選自η ’ Cj-Cs烷基，SiRR，R “。 7.—種電致發光材料，其製備包括式n化合物的均聚 合步驟

   Ry，R9 , R11，R R"，R14，R13’以及 R14’其中之 _ 為 R10’ ’ 其係為基團-(Sp)xl0-[PG]， PG為可聚合基團’特別係選自乙烯基，烯丙基，丨_曱 60 201000597 基乙烯基，（^基）丙烯醯基，乙烯基苯基，環氧乙烷基 (〇Xlranyl)，縮水甘油基，氧雜環丁烷基（oxetanyl)，二甲基 順丁 烯二酿亞胺基（dimethylmaleimidyl); X1 〇係為〇或1 ; 以及所有其他符號係定義如前述申請專利範圍，特別 是申請專利範圍第1項。 8.種t致發光材料’其包含根據申請專利範圍第丄至 7項中任-項的均聚物，選自碟光金屬錯合物及螢光摻雜物 的發光組分，以及視需要的-或多種進-步組A，特別是 選自電子傳輸劑，電洞傳輸劑，惰性聚合物，純改質劑， 起始劑，有機鹽以及$ & 疋剑，例如抗氧化劑及紫外線吸收 劑。 9· 一種有機電子裝詈 一 置特別疋有機發光二極體或發光單 兀’ ”匕S根據申請專利範 發光材料層。 圍第…項中任-項的電子 1〇.根據申請專利範圍 ^ ^ ^ _罘9項的裝置，其係選自選自固 疋式及移動式顯示器， 用於电腦、手機、膝上型雷腦、 個人數位助理、電視機 上i電月b 示板，照明，資訊板中Lr印表機、廚房設備，告 車及公車上者。 ’、、、不益以及目的地告示板例如火 11 ·種式in’均聚合物， 61 201000597 r

   其中 n範圍自5至10000; 至少R9，R9”，R11，R13，R14殘基中之一者係選自CVCu 烷基，鹵素，經E取代及/或經D間斷的CVCu烷基，C6-C24 芳基，經G取代的C6-C24芳基，C2-C18烯基，C2-C18炔基， CVCu烷氧基，經E取代及/或經D間斷的CVCu烷氧基， C7_C25 芳烷基 ’ SiRR’R“ ’ GeRR，R“ ’ POAr2 ’ PAr2 ’ CO-R28 ; 特別係選自鹵素，C2-C18炔基，Ci-Cu烷氧基， SiRR’R“，GeRR’R“，POAr2，PAr2 ;而其餘的殘基亦可為 氫； D 係為-CO- ; -COO- ; -S- ; -SO- ; -S02- ; -0- ; -NR25-; -SiR3°R31- ; -POR32-;以及 E 係為-OR29 ; -NR25R26 ; -COR28 ; -COOR27 ; -CONR25R26 ; -CN ;或鹵素； G係為E，CkCs烷基，環己基，經D間斷的C2-C18烷 基，CVCs全氟烷基，經E取代的Ci-Cw烷氧基，經D間斷 的C2-C18烷氧基，其中 R25以及R26彼此獨立地為Η ;苯基；C7-C12苯基烷基； 62 201000597 環己基；經CrC8烷基或CrC8烷氧基取代的苯基或c7_c 苯基烷基；CrC!8烷基；或經-0_間斷的C2-Cls貌基；或 R25以及

   一起形成5或6員環，其係選自 〇

   R27以及R28彼此獨立地為H;苯基；c7-c12苯基烷基； 經C「C8烷基及/或C〗-C8烷氧基取代的苯基或c7-C12苯基 烷基；（VCs烷基；環己基；或經-〇-間斷的c2-C18烷基； R 係為H’本基，C7-C12苯基炫>基；經Ci_Cs炫1基及 /或烷氧基取代的苯基或c7-c12苯基烷基；CVC8烷 基；C2_C8烷基羰基；環己基；或經-〇-間斷的c2-C18烷基 或c2-c18烷基羰基； R30以及R31彼此獨立地為CVCs烷基，苯基，或經CrCs 烷基取代的苯基，以及 R32係為CrCs烷基，苯基，或經Ci-Cs烷基取代的苯 基， R ’ R’以及R”獨立地選自Cl_C6烷基，苯基，環戊基’ 環己基；以及 Ar係為苯基或經Cl-C8烧基取代的苯基； L係為CH2，CO或直接鍵；RX係為Η或甲基； X1 〇係為0或1以及Sp係為〇，C丨-C4伸烷基-0 ’ CH2-CH〇H-CH2-〇，COO，CONR22，伸炫基’或 63 201000597 CH2CHOHCH2 〇 12.— 檀製備發无裒 #別是有機發光二極體或發光 單凡的方法，該方法包含提供白 供包含根據申請專利範圍苐1 至7項中任一項的聚合化合铷 σ物的有機物質層於基材上的一 對電極之間。 13.-種根據中請專利範圍第η項中任一項的 聚合化合物在電子裝置的用途，其係特別作為有機發光二 極體或發光早元中的宿主材料。 1 4 一種式V化合物，

   其中 至少R9 ’ R9，R1 1，Rl3 , ri4殘基其中一者係選自鹵素 例如礙 ’ C2-C18 炔基，CVCu 烷氧基，SiRR’R“，GeRR’R“， P〇Ar2，ΡΑΓ2 ;而其餘殘基亦可為氫； R，R’以及R”獨立地選自CrG烷基，苯基，環戊基， 環己基；以及 Ar係為苯基或經Cl.C8烷基取代的苯基； L係為CH2，，CO或直接鍵；rx係為Η或甲基； 64 201000597 xio係為0或1以及Sp係為Ο，C〗-C4伸烷基-Ο， CH2-CHOH-CH2-0，COO，CONR22，Ci-C^ 伸烷基，或 CH2CHOHCH2。 八、圖式· (無） 65