TW200952190A - Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells - Google Patents
Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells Download PDFInfo
- Publication number
- TW200952190A TW200952190A TW098106242A TW98106242A TW200952190A TW 200952190 A TW200952190 A TW 200952190A TW 098106242 A TW098106242 A TW 098106242A TW 98106242 A TW98106242 A TW 98106242A TW 200952190 A TW200952190 A TW 200952190A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- silver
- paste
- solar cell
- particles
- group
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims abstract description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 18
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 15
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 12
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 claims description 7
- -1 chin Chemical compound 0.000 claims description 4
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 claims 5
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N platinum rhodium Chemical compound [Rh].[Pt] PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 23
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 10
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 6
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 6
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 4
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 4
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 3
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000010665 pine oil Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010420 shell particle Substances 0.000 description 2
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARFDIYMUJAUTDK-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypentyl 2-methylpropanoate Chemical compound CCCCC(O)OC(=O)C(C)C ARFDIYMUJAUTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000005979 Hordeum vulgare Species 0.000 description 1
- 235000007340 Hordeum vulgare Nutrition 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- CQKBIUZEUFGQMZ-UHFFFAOYSA-N [Ru].[Au] Chemical compound [Ru].[Au] CQKBIUZEUFGQMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- HOQPTLCRWVZIQZ-UHFFFAOYSA-H bis[[2-(5-hydroxy-4,7-dioxo-1,3,2$l^{2}-dioxaplumbepan-5-yl)acetyl]oxy]lead Chemical compound [Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O HOQPTLCRWVZIQZ-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002262 irrigation Effects 0.000 description 1
- 238000003973 irrigation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- DWDQAMUKGDBIGM-UHFFFAOYSA-N phosphanylidyneyttrium Chemical compound [Y]#P DWDQAMUKGDBIGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 description 1
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003813 thumb Anatomy 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
200952190 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於太陽能電池之導電性糊料,且更 特定言之,本發明係關於一種用以形成矽太陽能電池之柵 極之導電性糊料。 【先前技術】 銀糊料係廣泛用作在矽太陽能電池中使用之電極糊料, 因為用於太陽能電池之電極糊料需具有低電阻以利於改良 效率。 在矽太陽能電池之情況中,其中電極係形成於兩側上, 光接收側糊料通常含有呈銀、黏合劑、玻璃粉及溶劑形式 之導電性微粒作為基本組分(例如,參見日本專利申請公 開案第2006-295 197號)。銀係通常用作太陽能電池之拇極 的金屬粉末。在曰本專利申請公開案第2〇〇6_295197號
..................之群的金屬微
〜,κ川况▼八燃燒基板為晶質矽之
中同時燃燒若干太陽能電池。然 ,吾人期望在大型燃燒爐 而,某種程度之溫度變化 138803.doc 200952190 可發生在燃燒爐中,其負面地影響太陽能電池轉換效率。 當電極糊料係用於陶瓷基板時,燃燒溫度之變化程度僅略 微影響線路電阻。然而,在太陽能電池中,變化係與轉換 效率直接相關之要t ’其係、有關太陽能電池之口。〇質的關鍵 因素,並且甚至些微減少將受歡迎。 當使用現用之電極糊料時,在燃燒條件中存在約3〇〇c之 變化’其根據轉換效率而言被認為係適合的。纟此溫度範 圍之外,轉換效率突然降I。太陽能電池之轉I效率視燃 燒灌度範圍而疋之一個原因係在電極與太陽能電池基板間 之良好電連接發生在特定溫度範圍内, 適合燃燒溫度範圍之外時,無法獲得此—良好=== 用大型燃燒爐時,需要窄溫度範圍係導致較低產率。適合 燃燒概度之更擴大範圍將適於大型燃燒配置及使用小型燃 燒爐之處。 … 【發明内容】 本發月擴大晶質矽太陽能電池中栅極的燃燒溫度範圍。 在本發明中,除銀之使用外,添加特殊金屬以作為金屬導 體。此等特殊金屬可以金屬微粒、合金微粒之形式使用, 或作為電鍵或類似物之塗層等。 在本發明中,特殊金屬之添加使燃燒溫度範圍可擴大, 在^燃燒溫度範圍中可在該等電極與太陽能電'池基板之間 獲:良好電連接。因此可在比過去可能範圍更寬之燃燒溫 度範圍内獲得具有高轉化效率之太陽能電池。 特疋&之,本發明係一種用於太陽能電池中之柵極的導 138803.doc 200952190 電性糊料,其包括導電性組分、玻璃粉及樹脂黏合劑,其 中該導電性組分係選自由下列組成之群:(i)銀微粒及選自 由鈀'銥、鉑、釕、鈦、及鈷組成之群的金屬微粒;(ii) 合金微粒,其等包括銀及選自由鈀、銥、鉑、釕、鈦及钻 組成之群的金屬;及(iu)銀微粒及内核-外殼微粒,其中選 自由把、銥、鉑、釕、鈦及始組成之群的金屬係塗布在銀 或銅之表面上。 本發明亦係有關一種使用上述糊料生產太陽能電池電極 之方法,且本發明係關於使用該糊料所形成之太陽能電池 電極。 可在寬溫度範圍内使用本發明糊料並且其係適於在大型 燃燒爐中大量生產。 【實施方式】 本發明係一種用於太陽能電池之柵極的導電性糊料,其 包括如下所述之(A)導電性組分;(B)玻璃粉;及(C)樹脂黏 合劑。 (A)導電性組分 在本發明中,可使用下列各物作為導電性組分:⑴銀微 粒及特殊金屬微粒之混合物;(Η)銀及特殊金屬之合金微 粒,或(iii)表面塗布有銀及特殊金屬之金屬微粒。 使用何種形式將根據導電性、可用性、穩定性、成本及 類似因素之考慮而決定。銀係金屬中具有較低電阻之金 屬並且不考慮較低導體電阻,所添加之金屬粉末的絕對 罝杈佳的是較低。預期添加合金粉末或塗布粉末至糊料中 138803.doc 200952190 可導致較低電阻及較好電接觸。 組合使用銀微粒與特殊金屬微粒之實施例係描述於下文 中〇 銀(Ag)微粒係用作一導電性金屬。銀微粒可呈薄片、球 體之形狀或可為無定形。雖然對銀微粒之微粒直徑無特殊 限制’但根據在用作普通導電性糊料之情況中的技術影響 之觀點,微粒直徑對銀之燃燒特性有影響(例如,具有大 微粒直徑之銀微粒係以比具有小微粒直徑之銀微粒更慢之 速率燃燒)。因此,雖然微粒直徑(d5〇)較佳是在〇丨至1〇 〇 μιη範圍内,但事貫上所使用之銀微粒的微粒直徑係根據 燃燒模式而決定。此外,銀微粒必須具有適合於施加導電 性糊料之方法(例如網版印刷)的微粒直徑。在本發明中, 兩種或更多類型之具有不同微粒直徑之銀微粒可以混合物 形式使用。 較佳係,銀具有高純度(大於99%)。然而,視電極圖案 之電力需求而定,可使用較低純度之物質。 雖然對銀含量無任何特殊限制,只要其為—允許達成本 發明目的之量,在銀微粒之情況中’銀含量較佳是基於糊 料重量之40至90重量%。 欲添加之額外金屬係選自由pd(鈀)、Ir(銥)、pt(舶)、
Ru(舒)、τκ鈦)及co(銘)組成之群。可組合使用兩種或多 種此等金屬。較佳的是’根據太陽能電池所需要之高 使用Pd。 添加上述特殊金屬微粒將允許擴大燃燒溫度範圍。即, 138803.doc 200952190 可獲得具有高轉換效率之太陽能電池,不管燃燒爐中之一 些溫度變化。亦可獲得具有高轉換效率之太陽能電池,不 管由於燃燒爐之控制不佳而與目標燃燒溫度有偏差。蓉於 太陽能電池之大量製造的穩定發展,諸如上述之作用在實 際製造方法中可認為係極其重要的。 當添加金屬,諸如把時,吾人預期所添加之金屬與存在於 基板中之矽將反應,於電極與矽基板之間的介面中形成一稱 ^ 為矽化物之合金層。此合金層可具有降低接觸電阻之作用。 此外,在產生最大轉換交換之燃燒溫度中,鋁(在反面 上之電極材料)與矽(基板材料)之合金化傾向在太陽能電池 之反面上產生小珠形式的凸出物。習慣上必要在較不可能 產生小珠形式之凸出物的較低溫度下燃燒材料以便控制此 等小珠之形成。此問題亦可在本發明中被克服。 特殊金屬之量較佳係基於糊料之重量在〇 〇1至1〇 ”%之 範圍内以及其中所含任何範圍,且較佳的是〇〇5至5 wt%。 ❹ 右特殊金屬的量過低,則本發明之優點將變小。此外,若 特殊金屬之量過高,則導體電阻增加,可燃性降低且成本 增加。然而,欲添加之特殊金屬價廉,且若傳導線電阻足 夠低,則可添加較大量。 -特殊金屬微粒之平均微粒直徑(PSD D5〇)較佳係〇1至2〇 μπι。 銀可經特殊金屬微粒合金化,如以下描述。 特殊金屬係選自由Pd(鈀)、Ir(銥)、Pt(鉑)、Ru(釕)、 Ti(鈦)及Co(鈷)組成之群。可組合使用兩種或多種金屬。 138803.doc 200952190 較佳係根據所獲得之太陽能電池之高效率使用pd。 合金之合金比例不受特別限制。在合金中不同金屬的量 係由許多因素決定。例如,銀與鈀趨向於不管二者摻合比 例地合金化1絲比銀更昂貴,根據成本觀點,以較低 鈀含量為較佳。可使用wt%pd較佳為丨至儿。/。之間更佳在 5至20%之間的Ag:Pd合金。 可藉由在此項技術中已知之方法生產本發明之合金。亦 可使用市售合金。 〇金3量較佳係基於糊料總重量之〇 〇丨至2〇 Μ%,較佳 是0.05至10 wt%。若特殊金屬量過低,則本發明之優點變 小。此外,若特殊金屬之量過高,則導體電阻增加,可燃 性降低且成本增加。 合金之平均微粒直徑(PSD D5〇)較佳是〇丨至^ PM Ο X射線繞射將可能決定導電性粉末為合金或為兩種或多 種金屬之混合物。例如,在Ag/Pd之情況下當Ag與Pd未 合金化時,將分別觀察Ag之峰值特徵與Pd之峰值特徵。另 一方面,當合金化時,視八§與1>(1之比例而定,將在應存在 之Ag峰值處與應存在之以峰值處之間觀察到合金峰值。 在實細*例中,除了銀微粒之外,使用内核-外殼微 粒。内核-外殼微粒係選自由鈀、銥、鉑 '釕、鈦與鈷組 成之群之特殊金屬塗布在銀或銅之表面上之微粒。 内核-外殼結構之比例不受限制。根據由此實施例所引 起之足夠影響’表面金屬可較少,例如低至導電性粉末之 1 vol。/。。上限不受限制,但較佳是保持在最小值以降低由 138803.doc 200952190 表面金屬所引起之材料成本。 本發明之導電性粉末可由内核_外殼材料之習知方法所 製成。可使用市售粉末。 導電性粉末之形狀不受特別限制,並且可為球狀微粒或 薄片(桿、圓錐體或板)之形式。
内核-外殼微粒之含量較佳是基於糊料之總重量之〇 至 20 wt%,較佳是0.05至10 wt%。若内核·外殼微粒之量過 低’則本發明之優點變小。此外,若内核·外殼微粒之量 過高’則導體電阻增加,可燃性降低且成本增加。然而, 若特殊金屬廉價,則可添加較大量。 内核-外殼微粒之平均微粒直徑(PSD D50)較佳是〇· i至20 μπι。此處’平均微粒直徑(psD D5〇)意指當製備粒徑分佈 微粒直钇對應於微粒數目之總和值的5〇%。可使用市 售測ΐ裝置諸bMicr〇trac^xi〇〇製備粒徑分佈。 如上文所提及’本發明之特徵在於銀與其他特殊金屬一 ,使用+排除添加不包含在銀之概念也不在特殊金屬名 單中的第—導電性微粒。然而,第三導電性微粒之含量較 佳是小於基於糊料重量之2”%。 (B)玻璃粉 本發月之導電性糊料較佳是含有玻璃粉形式之無機黏合 劑0 為玻璃粉之化學成分在本發明中係不重要的,所以可 使用任何破璁金V,〇 Λ & 〃要其係用於電子材料之導電性糊料中 之玻璃粉。你丨 較隹係使用硼矽酸鉛玻璃。根據軟化點 138803.doc 200952190 範圍及玻璃黏著力 越的材料。此外, 璃。 的觀點,卿酸*麵在本發明中係優 亦可使用無錯玻璃,諸如石夕⑽無錯玻 雖然對無機點合劑 允畔會斑里…、任仃特別限制,只要其為一 、 目的之量,但其為基於糊料之重量的〇5 至15^量% ’並且較佳是U至HU)重量%。若無機黏合 劑的里小於0.5重量%,則膠黏強度可能變 益 .重量/。,則由於浮法玻璃等等, 隨後焊錫步驟 甲產生問題。此外,作為導體之電阻值亦辦 加0 曰 (C)樹脂黏合劑 t發明之導f性糊料含有樹脂黏合劑。在本描述中, 「樹脂黏合劑」之概念包含聚合物及稀釋劑之混合物。因 此有機液體(亦稱為稀釋劑)可包含於樹脂黏合劑中。在 本發明中,含有有機液體之樹脂黏合劑係較佳的,並且在 高黏度情況中,可視需要分別添加有機液體以作為黏度調 節劑。 在本發明中,可使用任何樹脂黏合劑。此等樹脂黏合劑 之實例包3樹爿曰(诸如聚曱基丙稀酸醋)乙基纖維素之松油 溶液、乙二醇單丁醚單醋酸酯溶液或乙基纖維素萜品醇溶 液。在本發明中,乙基纖維素之萜品醇溶液(乙基纖維素 含量:5至50重量%)較佳是用作黏合劑。此外,在本發明 中’不含有聚合物之溶劑,諸如水或有機液體可用作黏度 調節劑。可使用之有機液體之實例包含醇、醇酯(諸如乙 138803.doc •10- 200952190 酸醋或丙酸酯)及結(諸如松油或ϋ品醇)。 之10至50重量 樹脂黏合劑之含量較佳是基於糊料重量 %。 (D)添加劍 可添加或可不添加增㈣丨及/或穩定叙/或其他业型添 加劑至本發明之導電性糊料中。可添加之其他典型添加劑 的實例包含分散劑及黏度調節劑。添加劑之量係視最終所 需導電性糊料之特徵而決定。添加劑之量可由一般熟諸此 技者適當地決定。此外,亦可添加複數種類型的添加劑。 如以下所解釋,本發明之導電性糊料具有在預定範圍内 之黏度。可視需要添加黏度調節劑以給予導電性糊料一適 合黏度。雖然所添加之黏度調節劑之量會視最終導電性糊 料之黏度而變化,但其可由-般熟諳此技者適當地決定。 可視須要藉由使用軋輥混合研磨機或旋轉㈣機及類似 物混合各上述組分以生產本發明之導電性糊料。在使用具 有Br〇〇kfield Η卿度計之#丨4轉軸以及使用多功能杯在】〇 rpm及25°C下測量之情況中,本發明之導電性糊料之黏度 較佳係50至350 PaS。 & (E) 溶劑 可使用之有機溶劑實例包含醇,諸如祐品醇(α_祐品 醇、β-萜品醇等),及酯諸如含有羥基酯(2,2,4_三曱基d 3 戊二醇单異丁酸醋’ 丁基卡必醇乙酸醋等)。 (F) 太陽能電池之製造方法 本發明之太陽能電池之元件的製造係描述如下。 138803.doc 200952190 圖1繪示本發明中太陽能電池元件之戴面結構。圖2 A及 2B亦繪示一關於本發明之電極層組態之實例,其中圖2a 係光接收側(表面),且圖2B係不接收光側(反面)。 半導體基板1係由單晶矽或多晶矽或類似物組成。例 如,該矽基板1含有p型摻雜劑,諸如硼(B),其具有約〇2 至2.0 Q.cm之電阻。單晶矽基板係由柴可斯基(Cz〇chraiski) 法或類似方法所形成,且多晶矽基板係藉由鑄造或類似方 法所形成。將藉由柴可斯基(Cz〇chralski)法或鑄造所形成 之鑄塊切成約10 cmxl0 (^至2〇 cmx20 cm之尺寸,並且將 其切片成至多500 μηι,且較佳是至多25〇 μπι之厚度以提供 該半導體基板1。 為清潔該半導體1之切片表面,使用微量之]^3〇11或反〇11, 或氫氟酸、氫氟硝酸或類似物蝕刻該表面。 具有降低光學反射率之功能的紋理(粗糙表面)結構接著 較佳是利用乾蝕刻、濕蝕刻或類似技術而在該半導體基板 之表面上形成,其中該表面將作為入射光側(光接收側)。 接著形成一 η型擴散層2。例如,磷(Ρ)較佳是用作用於 生產η型之摻雜元素以提供具有約3〇至3〇〇 Ω/□之薄片電阻 之η+類型。此導致形成具有Ρ型大面積之ρη接面。 *亥擴散層2可形成於該半導體基板或類似物之光接收侧 上,並且可例如藉由下列方法形成:塗布並且熱擴散糊料 形式之Ρ2〇5的塗布及熱擴散法、將氣體形式之p〇cl3(磷醯 氣)用作擴散源之氣相熱擴散法、使p +離子直接擴散之離 子'主入法或類似方法。該擴散層2係形成約0.2至0.5 μπι之 138803.doc 200952190 深度。 另外在不期望擴散之位置所形成的擴散面積可隨後藉 由韻刻而除去。除了在該半導體基之光接收側上,部 分該擴散層2可藉由在該半導體基板匕光接收側上塗布抗 以具有纟氟酸或氫氟酸與石肖酸之混合物#刻該層, 並且接著移除該抗蝕膜的方式而去除。此外當如下所述 '使隸糊料在反面(非光接收侧之側)上形成膽區域4時, 嶋 P型摻雜劑之鋁可以適當濃度擴散至適當深度,因此使得 可忽略已經擴散之淺nS擴散層之作用,並且排除移除反 面上所形成之η型擴散層之任何特殊需求。 接著形成一抗反射層h SiNx薄膜(根據叫队化學計量 法,組成比率(X)存在一些寬容度),Ti〇2薄膜、Si〇2薄 膜、MgO薄膜、ITO薄膜、Sn〇2薄膜、Zn〇薄膜及類似物 可用作该杬反射層3之材料。可根據該半導體材料選擇厚 度,以便造成相對於入射光之適合非反射條件。例如矽基 φ 板之半導體基板1可為約500至1200 A,具有約1.8至2.3之 折射率。 *亥抗反射層3可藉由PECVD、沈積、噴鍍法或類似法所 產生。當無表面電極4係藉由如下所述之穿過火焰方法形 ' 成時,該抗反射層3係使用預定圖案圖案化以形成一表面 電極5。可使用之圖案化方法之實例包含使用諸如抗蝕劑 之遮罩進行蝕刻(濕法或乾法),及遮罩係在形成該抗反射 薄膜3之同時預先形成,並且接著在已經形成該抗反射薄 膜3後移除之方法。另—方面,當使用稱為過火之方法 138803.doc 200952190 時’不需要圖案化’其中用於該表面電極5之導電性糊料 係直接施加在該抗反射薄膜3上並且於其上燃燒以便在該 表面電極4與該擴散層2之間引起電接觸(圖2A)。 接著較佳是形成該BSF層4。此處,該BSF層4係指包括 以问湲度擴散在該半導體基板丨之反面上的p型掺雜劑之區 域,並且具有防止藉由載體再組合所引起之效率降低的功 能。可使用B(硼)及A1(鋁)作為雜質元素,並且可將雜質元 素之濃度增加至高濃度以生產p+類型,藉此允許以如下所 述之反面電極6獲得電阻接觸。 該表面電極5與反面電極6接著係形成於該半導體基板i 之表面及反面上。該等電極係藉由使用普遍塗布方法將用 於本發月中之太能電池元件之導電性糊料塗布於該半導 體基板1之表面上,並且在700。(:至85〇艽之峰值溫度下燃 燒糊料數十秒至數十分鐘以形成電極。該導電性糊料亦較 佳疋基於具有低電阻之銀。 當電極糊料係在大型燃燒爐中燃燒時,本發明係特別重 要的。當使用本發明糊料時,在製造期間產量之下降較 少,不管大型燃燒爐中之溫度變化。特定言之,本發明在 具有至少20 em之運輸帶寬度的燃燒爐中係有效的,並且 在具有至少3G em之運輸帶寬度的燃燒爐巾係更有效。為 善在燃燒方法中之生產率,若干列電池有時係、朝運輸皮 帶之方向S&置及燃燒。在此等情況中,所需皮帶寬度係比 —列寬時’同時亦在燃燒爐中產生較大溫度變化。本發明 之糊料對具有實質溫度變化的燃燒方法係特別有效。 138803.doc 200952190 實例 υ將10份乙基纖維素樹脂添加至9〇份搭品醇中,攪拌 並且溶解混合物約2小時,同時加熱至8(rc,並且接著允 許溶液靜止直至回到室溫,產生一黏合劑溶液。 2)將50份把粉末混人州川之乙基纖維素樹脂溶液 中,並且以三個軋輥揉捏混合物,產生鈀糊料。 3-1)將3份2)之鈀糊料添加至丨〇〇份Dup〇nt之太陽能電池 糊料PVi45(銀糊料)中,並且在一消泡攪拌器中攪拌混合 物至均勻,產生糊料A。 3-2)將50份PV145添加至50份糊料A中,並且在一消泡 擾拌器中攪拌混合物至均勻,產生糊料B。 3-3)將50份PV145添加至5〇份糊料B中並且在一消泡 搜拌器中授拌混合物至均勻,產生糊料c。 3-4)將50份PV145添加至50份糊料C中,並且在一消泡 授拌器中授拌混合物至均勻,產生糊料D。 1 糊料A 糊料B 糊料C 糊料D 糊料E PV145 (Ag糊杜) 100 100 100 100 100 添加Pd的1 1.5 0.75 0.375 0.1875 0 黏合劑溶液 1.5 0.75 0.375 0.1875 0 所传之電極糊料係用於在下列方式中以生產太陽能電 池’接著評估轉換效率。結果係列於表2中。 樣品製備 138803.doc 15- 200952190 製備一抗反射薄膜及用於一太陽能電池之1.5平方英寸 紋理化單晶體矽晶圓。接著藉由網版印刷將DuPont之 PV381塗布於矽晶圓之反面上,並且在烘箱中以150°C /5分 鐘乾燥,在反面上形成一紹電極。 藉由網版印刷將實例與比較實例之糊料塗布於晶圓之光 接收侧並且在烘箱中以150°C /5分鐘乾燥以在表面上形成 柵極。反面A1電極及表面栅極之組態係提供於圖3 A及3B 中以供參考。 燃燒條件 IR加熱帶式爐係在下列條件下用於燃燒。 最大溫度設定:770°C、750°C、740°C、730°C 皮帶速度:270 cm/ min (測量轉換效率之條件) IV測試器:NTC-M-150A,獲自 NPC 條件:AM1.5 ;溫度:25°C ;輻射強度:1000 W/ m2 表2 實例1 實例2 實例3 實例4 比較實例1 糊料 糊料A 糊料B 糊料C 糊料D 糊料E 添加Pd的量 1.5 0.75 0.375 0.1875 0 770〇C 15.1 15.1 15.0 15.0 15.2 750〇C 14.7 14.7 14.4 14.8 14.9 740〇C 14.2 14.2 13.6 13.8 12.9 730〇C 11.9 11.6 11.7 10.2 10.8 表中顯示本發明之糊料在燃燒溫度條件之寬範圍内提供 138803.doc -16- 200952190 更好之轉換效率》換言之,可獲得具有高轉換效率之太陽 能電池,不管燃燒爐中之一些溫度變化。亦獲得具有高轉 換效率之太陽能電池,不管由於燃燒爐之控制不良而引起 與目標燃燒溫度之偏差。 【圖式簡單說明】 圖1繪示本發明中太陽能電池元件之截面結構; 圖2A及2B繪示關於本發明之電極層組態之實例,其中 圖2A係光接收側(表面),且圖2B係不接收光側(反面);及 圖3 A及3B示意性繪示一實例中所製得反面上之鋁電極7 及表面上之栅極8的組態。 【主要元件符號說明】 1 2 3 4
6 7 8 半導體基板 擴散層 抗反射層 表面電極 表面電極 反面電極 鋁電極 拇極 138803.doc 17·
Claims (1)
- 200952190 . 七、申請專利範圍: 1. 一種用於太陽能電池中之柵極的導電性糊料該導電性 糊料包括一導電性組分、玻璃粉及樹脂黏合劑,其中 該導電性組分係選自由下列各者組成之群: (I) 銀微粒及選自由鈀、銥、鉑、釕、鈦及鈷組成之群的 ’金屬微粒; (II) 合金微粒’其包括銀及選自由把、銀、鉑、釕、欽及 鈷組成之群的金屬;及 2. (iii)銀微粒及内核-外殼微粒,其中選自由鈀、銥、鉑 釕、鈦及銘·組成之群的金屬係塗布在銀或銅之表面上 如請求項1之用於太陽能電池中之柵極的導電性糊料, 其中該導電性組分係銀微粒及選自由鈀、銥、 邱、4了、 鈦、及姑組成之群的金屬微粒; 3. 如請求項2之用於太陽能電池中之柵極的導電性糊料, 其中該金屬微粒係鈀微粒。 4. 如請求項2之用於太陽能電池中之柵極的導電性翔料, 其中該金屬微粒之含量係基於該糊料之總量的〇 〇1至W wt%。 5. 如請求項1之用於太陽能電池中之柵極的導電性糊料, 其中該導電性組分係合金微粒,其包括銀及選自由绝 銥、鉑、釕、鈦及鈷組成之群的金屬。 6. 如請求項5之用於太陽能電池中之栅極的導電性糊料, 其中該合金微粒係銀-鈀微粒。 7. 如請求項5之用於太陽能電池中之柵極的導電性掏料, 138803.doc 200952190 其中该合金微粒之含量係基於該糊料之總量的〇.〇 1至20 wt%。 8. 如請求項丨之用於太陽能電池中之柵極的導電性糊料, 其中β亥導電性組分係銀微粒及内核-外殼微粒,其中選自 由鈀、銥、鉑、釕、鈦及鈷組成之群的金屬係塗布在銀 或銅之表面上。 9. 如請求項8之用於太陽能電池中之柵極的導電性糊料, 其中该專内核-外殼微粒係銀表面上塗佈有把之微粒。 10·如請求項8之用於在太陽能電池中之栅極的導電性糊 料’其中該等内核-外殼微粒之含量係基於該糊料之總量 的 0·01 至 20 wt%。 11. 一種製造太陽能電池電極之方法,其包括以下步驟: 將根據請求項1之糊料塗布於一半導體基板之光接收 表面之至少部分上,並且燃燒該電極糊料。 12. 如請求項;π之製造太陽能電池電極之方法,其中該燃燒 步驟係在燃燒爐中執行,其中該燃燒爐中之運送皮帶的 寬度為至少20公分。 13. —種形成於日光接收表面上之太陽能電池電極,其包括 作為導電性微粒之:⑴銀微粒及選自由鈀、銥、鉑、 釕、鈦、及鈷組成之群的金屬微粒;(ii)合金微粒,其包 括銀及選自由把、银、鉑、釕、鈦及鈷組成之群的金 屬;及(iii)銀微粒及内核-外殼微粒,其中選自由鈀、 敍、鉑、釕、鈦及敍組成之群的金屬係塗布在銀或銅之 表面上。 138803.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/072,543 US20090211626A1 (en) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200952190A true TW200952190A (en) | 2009-12-16 |
Family
ID=40895132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098106242A TW200952190A (en) | 2008-02-26 | 2009-02-26 | Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US20090211626A1 (zh) |
EP (1) | EP2269195B1 (zh) |
JP (1) | JP2011519150A (zh) |
KR (1) | KR20100120218A (zh) |
CN (1) | CN101952904A (zh) |
AT (1) | ATE533165T1 (zh) |
ES (1) | ES2375542T3 (zh) |
TW (1) | TW200952190A (zh) |
WO (1) | WO2009108675A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI587372B (zh) * | 2010-01-25 | 2017-06-11 | 日立化成股份有限公司 | 形成n型擴散層的組合物和n型擴散層的製造方法,及光伏電池的製造方法 |
US9780236B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-10-03 | Industrial Technology Research Institute | Conductive paste composition and method for manufacturing electrode |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080230119A1 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Hideki Akimoto | Paste for back contact-type solar cell |
US20090211626A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Hideki Akimoto | Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells |
FR2936241B1 (fr) * | 2008-09-24 | 2011-07-15 | Saint Gobain | Electrode avant pour cellule solaire avec revetement antireflet. |
CN102369580A (zh) * | 2009-04-08 | 2012-03-07 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 太阳能电池电极 |
KR101045859B1 (ko) * | 2009-07-06 | 2011-07-01 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
KR102071006B1 (ko) * | 2009-11-11 | 2020-01-30 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트 및 태양 전지 |
EP2325848B1 (en) * | 2009-11-11 | 2017-07-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste and solar cell |
KR20120116402A (ko) * | 2009-11-16 | 2012-10-22 | 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨 | 전기전도성 페이스트 조성물 |
US8535971B2 (en) * | 2010-02-12 | 2013-09-17 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Method for applying full back surface field and silver busbar to solar cell |
US8071418B2 (en) * | 2010-06-03 | 2011-12-06 | Suniva, Inc. | Selective emitter solar cells formed by a hybrid diffusion and ion implantation process |
KR101741683B1 (ko) | 2010-08-05 | 2017-05-31 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
US8987586B2 (en) | 2010-08-13 | 2015-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste |
US8668847B2 (en) | 2010-08-13 | 2014-03-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste |
CN102576767B (zh) * | 2010-09-03 | 2016-02-10 | 泰特拉桑有限公司 | 将金属栅格触点图案和介电图案形成到需要导电触点的太阳能电池层上的方法 |
US20110315217A1 (en) * | 2010-10-05 | 2011-12-29 | Applied Materials, Inc. | Cu paste metallization for silicon solar cells |
EP2448003A3 (en) | 2010-10-27 | 2012-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste comprising a conductive powder and a metallic glass for forming a solar cell electrode |
US20120103406A1 (en) | 2010-11-03 | 2012-05-03 | Alta Devices, Inc. | Metallic contacts for photovoltaic devices and low temperature fabrication processes thereof |
CN102479568B (zh) * | 2010-11-30 | 2016-01-13 | 比亚迪股份有限公司 | 一种太阳能电池用导电浆料及其制备方法 |
TWI420700B (zh) * | 2010-12-29 | 2013-12-21 | Au Optronics Corp | 太陽能電池 |
US9105370B2 (en) | 2011-01-12 | 2015-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same |
US8940195B2 (en) | 2011-01-13 | 2015-01-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same |
JP6110311B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2017-04-05 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | 導電性ペースト組成物ならびにそれらから形成される太陽電池電極および接点 |
KR101796658B1 (ko) * | 2011-03-28 | 2017-11-13 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
CN102280207B (zh) * | 2011-05-30 | 2012-12-19 | 周涛 | 水热法制备有机氟掺杂硅太阳能电池用银浆工艺方法 |
CN102262940A (zh) * | 2011-07-19 | 2011-11-30 | 彩虹集团公司 | 一种晶体硅太阳能电池用背面银浆的制备方法 |
SG189668A1 (en) * | 2011-10-25 | 2013-05-31 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Electroconductive paste composition containing metal nanoparticles |
WO2013090344A1 (en) | 2011-12-13 | 2013-06-20 | Ferro Corporation | Electrically conductive polymeric compositons, contacts, assemblies, and methods |
WO2013105750A1 (ko) * | 2012-01-10 | 2013-07-18 | 주식회사 젠스엔지니어링 | 전도성 페이스트를 전극으로 사용하는 실리콘 태양전지 모듈 및 그 제조 방법 |
KR101363344B1 (ko) * | 2012-01-10 | 2014-02-19 | 주식회사 젠스엔지니어링 | 전도성 페이스트를 전극으로 사용하는 실리콘 태양전지 모듈 및 그 제조 방법. |
KR101315105B1 (ko) * | 2012-03-23 | 2013-10-07 | (주)창성 | 태양전지용 전극 페이스트 조성물 |
WO2013147235A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 荒川化学工業株式会社 | 導電ペースト、硬化物、電極、及び電子デバイス |
CN102637467A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-08-15 | 苏州晶讯科技股份有限公司 | 用于硅晶太阳能电池正面电极的导电浆料 |
CN103000248B (zh) * | 2012-11-10 | 2015-10-28 | 江苏瑞德新能源科技有限公司 | 一种适应高方阻浅结的太阳能电池正银浆料用粉体料 |
CN103258584B (zh) * | 2013-01-09 | 2018-04-10 | 深圳市创智材料科技有限公司 | 一种导电银浆及其制备方法 |
WO2014117409A1 (zh) * | 2013-02-04 | 2014-08-07 | 深圳首创光伏有限公司 | 晶体硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法 |
FI20135253L (fi) | 2013-03-15 | 2014-09-16 | Inkron Ltd | Monikerrosmetallipartikkelit ja niiden käyttö |
CN104078091A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 比亚迪股份有限公司 | 晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆及其制备方法、晶体硅太阳电池及其制备方法 |
KR101396444B1 (ko) * | 2013-05-06 | 2014-05-22 | 한화케미칼 주식회사 | 태양전지의 전극의 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 |
US20150243812A1 (en) * | 2013-06-20 | 2015-08-27 | PLANT PV, Inc. | Silver nanoparticle based composite solar metallization paste |
TW201511296A (zh) * | 2013-06-20 | 2015-03-16 | Plant PV | 用於矽太陽能電池之核-殼型鎳粒子金屬化層 |
JP6134884B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2017-05-31 | 株式会社ザイキューブ | 電極、電極材料及び電極形成方法 |
CN103440898B (zh) * | 2013-08-06 | 2017-06-06 | 浙江光达电子科技有限公司 | 一种低银含量的太阳能电池正面电极银浆及其制备方法 |
US9331216B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-05-03 | PLANT PV, Inc. | Core-shell nickel alloy composite particle metallization layers for silicon solar cells |
JP2016004659A (ja) * | 2014-06-16 | 2016-01-12 | 株式会社村田製作所 | 導電性樹脂ペーストおよびセラミック電子部品 |
CN104143385B (zh) * | 2014-07-23 | 2016-08-24 | 浙江大学 | 一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料及其制备方法 |
CN104318978B (zh) * | 2014-10-25 | 2017-05-10 | 苏州华琼电子材料有限公司 | 一种包含核壳导电颗粒的导电浆料及其制备方法 |
WO2016099562A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Plant Pv, Inc | Silver nanoparticle based composite solar metallization paste |
KR101633192B1 (ko) * | 2014-12-22 | 2016-06-24 | 오씨아이 주식회사 | 태양전지의 전면 전극 및 이의 제조 방법 |
JP2016195109A (ja) | 2015-03-27 | 2016-11-17 | ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | 金属化合物を含む導電性ペースト |
CN107408418A (zh) | 2015-03-27 | 2017-11-28 | 贺利氏德国有限责任两合公司 | 包含氧化物添加剂的导电浆料 |
US9673341B2 (en) | 2015-05-08 | 2017-06-06 | Tetrasun, Inc. | Photovoltaic devices with fine-line metallization and methods for manufacture |
WO2016205602A1 (en) * | 2015-06-19 | 2016-12-22 | Sun Chemical Corporation | A silver paste and its use in semiconductor devices |
US10784383B2 (en) | 2015-08-07 | 2020-09-22 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
WO2017035103A1 (en) | 2015-08-25 | 2017-03-02 | Plant Pv, Inc | Core-shell, oxidation-resistant particles for low temperature conductive applications |
US10418497B2 (en) | 2015-08-26 | 2019-09-17 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Silver-bismuth non-contact metallization pastes for silicon solar cells |
US10696851B2 (en) | 2015-11-24 | 2020-06-30 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Print-on pastes for modifying material properties of metal particle layers |
CN105576061B (zh) * | 2016-02-03 | 2018-10-26 | 武汉华尚绿能科技股份有限公司 | 高导通高电压太阳能光电玻璃板 |
CN106229026B (zh) * | 2016-07-12 | 2018-08-28 | 常州聚和新材料股份有限公司 | 合金银粉及其制备方法及由其制备的太阳能导电浆料 |
PL3657516T3 (pl) * | 2018-11-21 | 2022-07-11 | Heraeus Nexensos Gmbh | Ulepszone pasty z metali szlachetnych do drukowanych sitowo struktur elektrod |
CN110993146B (zh) * | 2019-11-28 | 2021-06-29 | 广东羚光新材料股份有限公司 | Ntc热敏电阻器用银浆及其制备方法和应用 |
CN111212538B (zh) * | 2020-02-03 | 2021-05-07 | Oppo广东移动通信有限公司 | 壳体加工方法、壳体及电子设备 |
US12055737B2 (en) * | 2022-05-18 | 2024-08-06 | GE Precision Healthcare LLC | Aligned and stacked high-aspect ratio metallized structures |
CN115376722B (zh) * | 2022-08-01 | 2024-10-11 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 含有包覆层的铜铝颗粒粉末、制备方法及其应用 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4001146A (en) * | 1975-02-26 | 1977-01-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Novel silver compositions |
US4153907A (en) * | 1977-05-17 | 1979-05-08 | Vactec, Incorporated | Photovoltaic cell with junction-free essentially-linear connections to its contacts |
US4318830A (en) * | 1979-01-15 | 1982-03-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductors having improved aged adhesion |
JPS5933868A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置用電極材料 |
US5096619A (en) * | 1989-03-23 | 1992-03-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film low-end resistor composition |
US5428249A (en) * | 1992-07-15 | 1995-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device with improved collector electrode |
US5345212A (en) * | 1993-07-07 | 1994-09-06 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Power surge resistor with palladium and silver composition |
JP3209089B2 (ja) * | 1996-05-09 | 2001-09-17 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性ペースト |
JP2000048642A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-18 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及びガラス回路基板 |
JP2000174400A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Alps Electric Co Ltd | フレキシブルプリント基板 |
JP3744469B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2006-02-08 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト |
JP4677900B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2011-04-27 | 日立化成工業株式会社 | 混合導電粉およびその利用 |
US20060231802A1 (en) | 2005-04-14 | 2006-10-19 | Takuya Konno | Electroconductive thick film composition, electrode, and solar cell formed therefrom |
US7494607B2 (en) * | 2005-04-14 | 2009-02-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom |
US7704416B2 (en) * | 2007-06-29 | 2010-04-27 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductor paste for ceramic substrate and electric circuit |
US20090211626A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Hideki Akimoto | Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells |
US7976734B2 (en) * | 2008-09-10 | 2011-07-12 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Solar cell electrodes |
-
2008
- 2008-02-26 US US12/072,543 patent/US20090211626A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-02-25 ES ES09715172T patent/ES2375542T3/es active Active
- 2009-02-25 WO PCT/US2009/035099 patent/WO2009108675A1/en active Application Filing
- 2009-02-25 EP EP09715172A patent/EP2269195B1/en not_active Revoked
- 2009-02-25 JP JP2010548838A patent/JP2011519150A/ja active Pending
- 2009-02-25 CN CN2009801060346A patent/CN101952904A/zh active Pending
- 2009-02-25 KR KR1020107021060A patent/KR20100120218A/ko active IP Right Grant
- 2009-02-25 AT AT09715172T patent/ATE533165T1/de active
- 2009-02-26 TW TW098106242A patent/TW200952190A/zh unknown
-
2010
- 2010-03-08 US US12/719,178 patent/US7976735B2/en active Active
-
2011
- 2011-05-19 US US13/111,037 patent/US8148630B2/en active Active
- 2011-05-19 US US13/111,025 patent/US8178007B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI587372B (zh) * | 2010-01-25 | 2017-06-11 | 日立化成股份有限公司 | 形成n型擴散層的組合物和n型擴散層的製造方法,及光伏電池的製造方法 |
US9780236B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-10-03 | Industrial Technology Research Institute | Conductive paste composition and method for manufacturing electrode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009108675A1 (en) | 2009-09-03 |
US20090211626A1 (en) | 2009-08-27 |
JP2011519150A (ja) | 2011-06-30 |
US20110223713A1 (en) | 2011-09-15 |
ATE533165T1 (de) | 2011-11-15 |
KR20100120218A (ko) | 2010-11-12 |
EP2269195A1 (en) | 2011-01-05 |
US20110223712A1 (en) | 2011-09-15 |
US8148630B2 (en) | 2012-04-03 |
CN101952904A (zh) | 2011-01-19 |
EP2269195B1 (en) | 2011-11-09 |
US7976735B2 (en) | 2011-07-12 |
US8178007B2 (en) | 2012-05-15 |
US20100170567A1 (en) | 2010-07-08 |
ES2375542T3 (es) | 2012-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200952190A (en) | Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells | |
JP5349738B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法、およびそこで使用される導電性組成物 | |
TWI338308B (en) | Method of manufacture of semiconductor device and conductive compositions used therein | |
JP5395995B2 (ja) | 半導体デバイスの製造に使用される導電性組成物および方法 | |
JP2010524257A (ja) | 厚膜伝導性組成物、および半導体デバイスの製造における使用方法 | |
TW201035260A (en) | Conductive paste for solar cell electrode | |
JP2012523696A (ja) | 太陽電池電極 | |
JP2011517117A (ja) | 伝導性組成物、および半導体デバイスの製造における使用方法 | |
JP6375298B2 (ja) | 結晶系シリコン太陽電池及びその製造方法 | |
JP2007294677A (ja) | 太陽電池電極用導電性ペースト | |
TW201003676A (en) | Aluminum pastes and use thereof in the production of silicon solar cells | |
JP2011519111A (ja) | 伝導性組成物、および半導体デバイスの製造における使用方法 | |
TW201007771A (en) | Aluminum pastes and use thereof in the production of silicon solar cells | |
CN104838505A (zh) | 太阳能电池元件表面电极用导电性糊及太阳能电池元件的制造方法 | |
TW201120161A (en) | Thick-film conductive compositions with nano-sized zinc additive | |
JP2018078120A (ja) | 酸化アンチモンを含有する厚膜組成物および半導体デバイスの製造におけるその使用 | |
CN102782810A (zh) | 形成低电阻硅金属触点的方法 | |
TW201133917A (en) | Process for the production of a MWT silicon solar cell | |
TW201737502A (zh) | 導電性膏及太陽能電池 | |
TW201007967A (en) | A process of forming a silicon solar cell | |
CN104137274A (zh) | 太阳能电池的电极用导电性膏剂、太阳能电池及太阳能电池的制造方法 | |
JP4714634B2 (ja) | 太陽電池電極用導電性ペースト | |
TW201110377A (en) | Process of forming a grid electrode on the front-side of a silicon wafer | |
JP2016519439A (ja) | 裏面パッシベーション層を有する光電池 | |
KR20120086389A (ko) | 태양전지 전극 형성용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 태양전지의 제조 방법 |