ES2375542T3 - Pasta conductora y electrodo de rejilla para células solares de silicio. - Google Patents

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Abstract

Una pasta conductora para electrodos de rejilla de celdas solares, pasta conductora que comprende un componente conductor, frita de vidrio, y aglomerante de resina, en la que el componente conductor se selecciona del grupo consistente en: (i) partfculas de plata y partfculas metalicas seleccionadas del grupo consisten en Pd, Ir, Pt, Ru, Ti, y Co; (ii) partfculas de aleaci6n que comprenden plata y metal seleccionado del grupo consistente en Pd, Ir, Pt, Ru, Ti, y Co, y (iii) partfculas de plata y partfculas del tipo nucleoenvuelta en las que aplica un metal especffico seleccionado del grupo seleccionado de Pd, Ir, Pt, Ru, Ti, y Co, sobre una superficie de plata o de cobre, y en las que el contenido de partfculas metalicas es de 0, 01 a 10% en peso, basado en la cantidad total de la pasta.

Description

Pasta conductora y electrodo de rejilla para celulas solares de silicio
Campo de la invenci6n
La presente invenci6n de refiere a una pasta conductora para una celda solar, y mas concretamente, a una pasta electricamente conductora usada para formar electrodos de rejilla para celdas solares de Si.
Fundamento tecnico
Se usa ampliamente pasta de plata en la pasta para electrodos usados en las celdas solares de silicio, ya que se requieren que las pastas para electrodos de las celdas solares tengan baja resistencia electrica para facilitar una eficacia mejorada.
En el caso de las celdas solares de silicio en las que los electrodos estan formados sobre ambos lados, la pasta del lado que recibe la luz contiene, como componentes basicos, partfculas electricamente conductoras en forma de Ag, aglomerante, frita de vidrio y un disolvente (vease, por ejemplo, la Solicitud de Patente Japonesa, abierta a inspecci6n publica, N° 2006295197). La plata se usa generalmente como el polvo metalico para los electrodos de rejilla en las celdas solares. En la Solicitud de Patente Japonesa, abierta a inspecci6n publica, N° 2006295197, los ejemplos de partfculas electricamente conductoras incluyen partfculas metalicas seleccionadas del grupo consistente en Cu, Au, Ag, Pd, Pt, aleaciones de Cu, Au, Ag, Pd y Pt, y sus mezclas.
Los documentos EP1713093 y EP1713094 describen una pasta conductora de la electricidad para celdas solares que comprende un metal conductor de la electricidad que puede ser plata. Sin embargo, se pueden usar otros metales tales como Cu, Au, Ag, Pt, y Pd. Ademas, tambien se consideran utiles aleaciones y mezclas de los metales precedentes. Por ejemplo, se puede usar Cu, Au, AgPd, PtAu.
El documento US 2003/227008 describe una pasta conductora de la electricidad con un polvo metalico que se selecciona del grupo consistente en plata, plata y paladio y una aleaci6n de platapaladio. Se puede usar un polvo de una aleaci6n de plata y un metal distinto del paladio, o una mezcla de polvo de plata y un polvo metalico distinto del polvo de paladio.
El documento EP 1009201 describe una pasta conductora preparada mezclando y dispersando polvos de aleaci6n de platapaladio, un aglomerante compuesto por un material de resina organica, un disolvente y, opcionalmente, otro aditivo.
El documento US 5645767 describe una pasta conductora que comprende una frita de vidrio con un aglomerante y un metal con un contenido de plata en el polvo de aleaci6n de AgPd de aproximadamente el 80% en peso.
Un metodo tfpico para producir electrodos de celdas solares es a) imprimir una pasta para celdas solares en ciertos lugares de un sustrato, y b) cocer la pasta de la celda solar en un horno de cocci6n. Cuando se usa un procedimiento de serigraffa, los electrodos para celdas solares en los que el sustrato es silicio cristalino se cuecen, con frecuencia, a temperaturas pico de 750 a 800°C, usando un horno de IR del tipo de cinta.
Sera deseable, en el interes de mejorar la eficacia de la producci6n de las celdas solares, cocer varias celdas solares al mismo tiempo, en un horno de cocci6n a gran escala. Sin embargo, en los hornos de cocci6n puede tener lugar un cierto grado de variaci6n de la temperatura, que pueden afectar negativamente a la eficacia de la conversi6n de las celdas solares. Cuando se usa pasta para electrodos de sustratos ceramicos, el grado de variaci6n de la temperatura de cocci6n afecta solo ligeramente a la resistencia de lfnea. En las celdas solares, sin embargo, la variaci6n es un elemento directamente relacionado con la eficacia de la conversi6n, que es un factor clave relacionado con la calidad de las celdas solares, e incluso una pequena reducci6n sera bien venida.
Cuando se usa una pasta para electrodos actualmente disponible, hay aproximadamente 30°C de variaci6n en las condiciones de cocci6n que se consideran adecuadas en terminos de eficacia de la conversi6n. Fuera de este intervalo de temperatura, la eficacia de la conversi6n disminuye rapidamente. Una raz6n de que la eficacia de la conversi6n de la celdas solares sea dependiente del intervalo de la temperatura de cocci6n es que se produce una buena conexi6n electrica entre los electrodos y el sustrato de la celda solar dentro de un intervalo concreto de temperaturas y no se obtiene esta buena conexi6n cuando la cocci6n tiene lugar fuera del intervalo de temperatura de cocci6n adecuado. Cuando se usan hornos de cocci6n a gran escala, que requieren un estrecho intervalo de temperatura, se producen rendimientos mas bajos. Sera deseable un intervalo adecuado mas amplio para las temperaturas de cocci6n tanto para disposiciones de cocci6n a gran escala como donde se usen hornos de cocci6n a pequena escala.
Sumario de la invenci6n
La presente invenci6n amplfa el intervalo de la temperatura de cocci6n para los electrodos de rejilla en celdas solares de silicio cristalino. En la presente invenci6n, ademas del uso de la plata, se anaden metales especfficos como
metales conductores. Estos metales especfficos se pueden usar en forma de partfculas metalicas, partfculas de aleaci6n, o como revestimiento para chapado o similares.
En la presente invenci6n, la adici6n de metales especfficos hace posible que se amplfen los intervalos de la temperatura de cocci6n, dentro de los cuales se puede obtener una buena conexi6n electrica entre los electrodos y el sustrato de las celdas solares. Se pueden obtener asf, celdas solares con alta eficacia de conversi6n dentro de un intervalo de temperaturas de cocci6n mas al lfmite de lo que era posible en el pasado.
Especfficamente, la presente invenci6n es una pasta conductora para electrodos de rejilla en celdas solares, que comprende un componente conductor, frita de vidrio, y un aglomerante de resina, en la que el componente conductor se selecciona del grupo consistente en (i) partfculas de plata y partfculas metalicas seleccionadas del grupo consistente en Pd, Ir, Pt, Ru, Ti y Co, (ii) partfculas de aleaci6n que comprenden plata y un metal seleccionado del grupo consistente en Pd, Ir, Pt, Ru, Ti y Co, y (iii) partfculas de plata y partfculas de tipo nucleoenvuelta en la que un metal seleccionado del grupo consistente en Pd, Ir, Pt, Ru, Ti, y Co, se aplica sobre la superficie de plata o de cobre.
La presente invenci6n se refiere tambien a un metodo para producir electrodos de celdas solares que usan la anterior pasta, y a electrodos de celdas solares formados usando la pasta.
La pasta de la invenci6n se puede usar en un amplio intervalo de temperaturas y es adecuada para la producci6n en masa en hornos de cocci6n a gran escala.
Breve descripci6n de los dibujos
La Figura 1 ilustra la estructura en corte transversal de elementos de la celda solar en la invenci6n;
la Figura 2 ilustra un ejemplo de la configuraci6n de la capa del electrodo que refiere la invenci6n, donde la Figura 2(a) es el lado (superficie) que recibe la luz, y la Figura 2(b) es el lado que no recibe la luz (reverso); y
la Figura 3 ilustra esquematicamente la configuraci6n de un electrodo de Al, 7, en el reverso y un electrodo de rejilla, 8, sobre la superficie preparada en un ejemplo.
Descripci6n detallada de la invenci6n
La presente invenci6n es una pasta conductora para electrodos de rejilla en celdas solares, que comprende (A) un componente conductor, (8) frita de vidrio, y (C) un aglomerante de resina, segun se describe a continuaci6n.
(A) Componente conductor
En la presente invenci6n, se puede usar lo siguiente como el componente conductor: (i) una mezcla de partfculas de plata y partfculas de un metal especffico, (ii) partfculas de aleaci6n de plata y un metal especffico, o (iii) partfculas metalicas revestidas superficialmente con plata y un metal especffico.
La forma que se debera usar se determinara en funci6n de su conductividad, disponibilidad, estabilidad, coste, y similares. La plata es un metal con una resistencia electrica inferior entre los metales, y la cantidad absoluta de polvo metalico anadido es preferiblemente inferior debido a la inferior resistencia del conductor. Se puede esperar que la adici6n de polvos de la aleaci6n o de polvos de revestimiento, a la pasta, de c6mo resultado una inferior resistencia y un mejor contacto electrico.
A continuaci6n se describe una realizaci6n del uso combinado de partfculas de plata y de partfculas de un metal especffico.
Se usan partfculas de plata (Ag) como metal electricamente conductor. La partfcula de plata puede estar en forma de escamas, esferas, o puede ser amorfa. Aunque no hay limitaciones concretas sobre el diametro de partfcula de las partfculas de plata, desde el punto de vista de los efectos tecnicos en el caso ser usadas como pasta corriente electricamente conductora, el diametro de partfcula tiene un efecto sobre las caracterfsticas de cocci6n de la plata (por ejemplo, las partfculas de plata que tienen un gran diametro de partfcula se cuecen a una velocidad inferior a las partfculas de plata que tienen un diametro de partfcula pequeno). Por eso, aunque el diametro de partfcula (d50) esta, preferiblemente, dentro del intervalo de 0,1 a 10,0 Im, el diametro de partfcula de la partfcula de plata realmente usada se determina segun el perfil de cocci6n. Ademas, es necesario que la partfcula de plata tenga un diametro de partfcula adecuado para los metodos que aplica una pasta electricamente conductora (por ejemplo, serigraffa). En la presente invenci6n, se pueden usar, como una mezcla, dos o mas tipos de partfculas de plata que tengan diferentes diametros de partfcula.
Preferiblemente, la plata tiene una alta pureza (superior al 99%). Sin embargo, se pueden usar sustancias de pureza mas baja dependiendo de los requisitos electricos del diseno del electrodo.
Aunque no hay limitaciones concretas sobre el contenido de plata, con tal que sea una cantidad que permita que se consiga el objeto de la presente invenci6n, en el caso de partfculas de plata, el contenido de plata es, preferiblemente, del 40 al 90% en peso, basado en el peso de la pasta.
Los metales adicionales que se van a anadir se seleccionan del grupo consistente en Pd (paladio), Ir (iridio), Pt (platino), Ru (rutenio), Ti (titanio) y Co (cobalto). Se pueden usar en combinaci6n dos o mas de estos metales. Preferiblemente, se usa Pd en terminos de la alta eficacia requerida en la celda solar.
La adici6n de partfculas de los anteriores metales especfficos permitira que los intervalos de la temperatura de cocci6n se amplfen. Es decir, se pueden obtener celdas solares que tengan una alta eficacia de conversi6n a pesar de que haya alguna variaci6n de la temperatura en los hornos de cocci6n. Se pueden obtener tambien celdas solares que tengan una alta eficacia de conversi6n a pesar de la desviaci6n de la temperatura de cocci6n, puesta como objetivo, como resultado del control imperfecto del horno de cocci6n. Dado el progreso constante en la producci6n en masa de celdas solares, unos efectos tales como los anteriores se pueden considerar extremadamente significativos en el procedimiento real de fabricaci6n.
Cuando se anade un metal, como por ejemplo el paladio, se espera que reaccione el metal anadido y el silicio presente en el sustrato, formando una capa de aleaci6n, denominada siliciuro, en la interfase entre el electrodo y el sustrato de silicio. Esta capa de aleaci6n puede tener un efecto en la disminuci6n de la resistencia al contacto.
Ademas, a temperaturas de cocci6n que dan como resultado el intercambio de conversi6n mas grande, la aleaci6n del Al (material del electrodo en el lado del reverso) y el Si (material del sustrato) tienden a dar como resultado protuberancias en forma de granulos sobre el lado del reverso de las celdas solares. Era convencionalmente necesario cocer materiales a temperaturas mas bajas, que es menos probable que den como resultado protuberancias en forma de granulos, con el fin de controlar la formaci6n de estos granulos. Este problema puede superarse en la presente invenci6n.
La cantidad de metal especffico esta, preferiblemente, en el intervalo de 0,01 al 10% en peso y cualquier intervalo contenido en el, y mas preferiblemente de 0,05 a 5% en peso, basado en el peso de la pasta. Si la cantidad de metal especffico es excesivamente baja, la ventaja de la presente invenci6n se hace pequena. Ademas, si la cantidad de metal especffico es excesivamente alta, la resistencia del conductor aumenta, la capacidad de cocci6n disminuye y los costes aumentan. Sin embargo, los metales especfficos que se van a anadir son baratos, y se pueden anadir grandes cantidades si la resistencia del cableado conductor es suficientemente baja.
El diametro medio de partfcula (PSD D50) de las partfculas del metal especffico es, preferiblemente, de 0,1 a 20 Im.
La plata se puede alear con partfculas del metal especffico segun se describe a continuaci6n.
Un metal especffico se selecciona del grupo consistente en Pd (paladio), Ir (iridio), Pt (platino), Ru (rutenio), Ti (titanio) y Co (cobalto). Se pueden usar, en combinaci6n, dos o mas metales. Preferiblemente, se usa Pd en terminos de alta eficacia de la celda solar obtenida.
Las proporciones de la aleaci6n no estan particularmente limitadas en la aleaci6n. Las cantidades de los diferentes metales en la aleaci6n estan determinadas por un numero de factores. Por ejemplo, la plata y el paladio tienden a estar aleados sin importar cual es la proporci6n en la que se mezclan. Ya que el paladio es mas caro que la plata, es preferible un contenido mas bajo de paladio desde el punto de vista del coste. Se puede usar una aleaci6n Ag:Pd con un % en peso de Pd preferiblemente entre el 1 y el 30%, mas preferiblemente entre el 5 y el 20%.
Las aleaciones de la presente invenci6n se pueden producir mediante metodos conocidos en la tecnica. Tambien se pueden usar aleaciones que se pueden conseguir comercialmente.
Se prefiere que el contenido de la aleaci6n sea del 0,01 a 20% en peso, preferiblemente del 0,05 a 10% en peso, basado en la cantidad total del peso de la pasta. Si la cantidad de metal especffico es excesivamente baja, la ventaja de la presente invenci6n se hace pequena. Ademas, si la cantidad de metal especffico es excesivamente alta, la resistencia del conductor aumenta, la capacidad de cocci6n disminuye y los costes aumentan.
El diametro medio de partfcula (PSD D50) de la aleaci6n es, preferiblemente, de 0,1 a 20 Im.
La difracci6n de rayosX hara posible determinar si un polvo conductor es una aleaci6n o una mezcla de mas dos o metales. Por ejemplo, en el caso de Ag/Pd, cuando la Ag y el Pd no estan aleados, se observa cada uno de los picos, el pico caracterfstico de la Ag y el pico caracterfstico del Pd. Cuando estan aleados, por otro lado, se observa un pico de la aleaci6n entre donde estarfa el pico de la Ag y donde estarfa el pico del Pd, dependiendo de la proporci6n de Ag y de Pd.
En una realizaci6n, se usan partfculas del tipo nucleoenvuelta ademas de partfculas de plata. Las partfculas de tipo nucleoenvuelta son partfculas en las que un metal especffico, seleccionado del grupo consistente en Pd, Ir, Pt, Ru, Ti, y Co, se aplica sobre la superficie de la plata o del cobre.
La proporci6n de la estructura nucleoenvoltura no esta limitada. En terminos del efecto suficiente originado por esta realizaci6n, el metal de la superficie puede ser bajo, por ejemplo tan bajo como el 1% en volumen de polvo conductor. No tiene lfmite superior, pero se prefiere que se mantenga al mfnimo para reducir el coste del material originado por el metal de la superficie.
El polvo conductor de la presente invenci6n se puede elaborar mediante un metodo convencional para materiales del tipo nucleoenvoltura.
Se puede usar polvo que se puede conseguir comercialmente.
La forma del polvo conductor esta particularmente limitado, y puede estar en forma de partfculas esfericas o en escamas (varillas, conos, placas).
Se prefiere que el contenido de partfculas de tipo nucleoenvuelta sea del 0,01 al 20% en peso, preferiblemente del 0,05 al 10% en peso, basado en la cantidad total del peso de la pasta. Si la cantidad de las partfculas de tipo nucleoenvuelta es excesivamente baja, la ventaja de la presente invenci6n se hace pequena. Ademas, si la cantidad de partfculas de tipo nucleoenvuelta es excesivamente alta, la resistencia del conductor aumenta, la capacidad de cocci6n disminuye, y los costes aumentan. Sin embargo, se pueden anadir mayores cantidades si el metal especffico es barato.
El diametro medio de partfcula (PSD D50) de la partfcula de tipo nucleoenvuelta es, preferiblemente, de 0,1 a 20 Im. Aquf el diametro medio de partfcula (PSD D50) significa el diametro de partfcula que corresponde al 50% del valor integrado del numero de partfculas cuando se prepara la distribuci6n de los tamanos de partfculas. La distribuci6n de los tamanos de partfculas se puede preparar usando un dispositivo de medida que se puede conseguir comercialmente, como por ejemplo el X100 de Microtrac.
Como se mencion6 aquf anteriormente, la presente invenci6n se caracteriza porque se usan, juntos, tanto la plata como otros metales especfficos. No se excluye la adici6n de una tercera partfcula conductora que no esta incluida en el concepto de plata ni en la lista de metales especfficos. Sin embargo, el contenido de las terceras partfculas conductoras es, preferiblemente, inferior al 2% en peso, basado en el peso de la pasta.
(B) Frita de vidrio
La pasta electricamente conductora de la presente invenci6n contiene, preferiblemente, un aglomerante inorganico en forma de frita de vidrio.
Ya que la composici6n qufmica de la frita de vidrio no es importante en la presente invenci6n, se puede usar cualquier frita de vidrio con tal que sea una frita de vidrio usada en las pastas electricamente conductoras para materiales electr6nicos. Por ejemplo, se usa preferiblemente vidrio de borosilicato de plomo. El vidrio de borosilicato de plomo es un material de primera calidad en la presente invenci6n tanto desde el punto de vista del intervalo del punto de reblandecimiento como de la adherencia del vidrio. Ademas, tambien se puede usar un vidrio exento de plomo, como por ejemplo un vidrio de silicato de bismuto exento de plomo.
Aunque no hay limitaciones concretas sobre el contenido del aglomerante inorganico, en forma de frita de vidrio, con tal que sea una cantidad que permita que se consiga el objeto de la presente invenci6n, el contenido es de 0,5 a 15,0% en peso y, preferiblemente, de 1,0 a 10,0% en peso, basado en el peso de la pasta. Si la cantidad del aglomerante inorganico es inferior al 0,5% en peso, la fuerza adhesiva puede llegar a ser inadecuada. Si la cantidad de aglomerante inorganico excede el 15,0% en peso, se pueden originar problemas en la posterior etapa de soldeo debido al vidrio flotante, etcetera. Ademas, el valor de la resistencia como conductor tambien aumenta.
(C) Aglomerante de resina
La pasta electricamente conductora de la presente invenci6n contiene un aglomerante de resina. En la presente descripci6n, el concepto de "aglomerante de resina" incluye una mezcla de un polfmero y un diluyente. Por eso, en el aglomerante de resina puede haber contenido un lfquido organico (tambien referido como diluyente). En la presente invenci6n, es preferible un aglomerante de resina que contenga un lfquido organico, y en el caso de alta viscosidad, se puede anadir, por separado, cuando sea necesario, un lfquido organico como un agente ajustador de la viscosidad.
En la presente invenci6n, se puede usar cualquier aglomerante de resina. Los ejemplos de estos aglomerantes de resina incluyen una soluci6n de aceite de pino, una soluci6n en monoacetato de etilenglicolmonobutileter, o una soluci6n en etilcelulosa y terpineol, de una resina (como por ejemplo un polimetacrilato) o etilcelulosa. En la presente invenci6n, se usa preferiblemente una soluci6n en terpineol de etilcelulosa (contenido de etilcelulosa; 5 a 50% en peso) como aglomerante. Ademas, en la presente invenci6n, se puede usar un disolvente que no contenga un polfmero, como por ejemplo agua o un lfquido organico, como agente ajustador de la viscosidad. Ejemplos de lfquidos que se pueden usar incluyen alcoholes, esteres de alcoholes (como por ejemplo acetatos o propionatos), y terpenos (como por ejemplo aceite de pino o terpineol).
El contenido de aglomerante de resina es, preferiblemente, del 10 al 50% en peso, basado en el peso de la pasta.
(D) Aditivos
A la pasta electricamente conductora de la presente invenci6n se le puede anadir, o no, un espesante y/o un estabilizante y/o otros aditivos tfpicos. Los ejemplos de otros aditivos tfpicos que se pueden anadir incluyen agentes dispersantes y agentes ajustadores de la viscosidad. La cantidad de aditivo se determina dependiendo de las caracterfsticas de la pasta electricamente conductora finalmente requerida. La cantidad de aditivo se puede determinar adecuadamente por una persona experta en la tecnica. Ademas, tambien se puede anadir una pluralidad de tipos de aditivos.
Como se explica a continuaci6n, la pasta electricamente conductora de la presente invenci6n tiene una viscosidad que esta dentro de un intervalo predeterminado. Se puede anadir un agente ajustador de la viscosidad segun sea necesario para impartir una viscosidad adecuada a la pasta electricamente conductora. Aunque la cantidad de agente ajustador de la viscosidad anadida cambia, dependiendo de la viscosidad de la pasta electricamente conductora final, se puede determinar adecuadamente por parte de una persona con una experiencia normal en la tecnica.
La pasta electricamente conductora de la presente invenci6n se puede producir, segun se desee, mezclando cada uno de los componentes anteriormente mencionados, en un molino de mezcla de rodillos o en un mezclador giratorio, y similares. La viscosidad de la pasta electricamente conductora de la presente invenci6n es, preferiblemente, de 50 a 350 Pa·s, en el caso de usar un husillo del N° 14 con un viscosfmetro 8rookfield H8T y medir, usando un vaso de uso general, a 10 rpm y 25°C.
(E) Disolvente
Los ejemplos de disolventes organicos que se pueden usar incluyen alcoholes tales como el terpineol (aterpineol, �terpineol, etc.), y esteres tales como esteres que contienen el grupo hidroxilo (monoisobutirato de 2,2,4trimetil1,3pentanodiol, acetato de butilcarbitol, etc.).
(F) Procedimiento de fabricaci6n de la celda solar
La fabricaci6n de los elementos de la celda solar de la invenci6n se describe a continuaci6n.
La Figura 1 ilustra la estructura en corte transversal de los elementos de la celda solar en la invenci6n. La Figura 2 ilustra tambien un ejemplo de la configuraci6n de la capa del electrodo al que se refiere la invenci6n, donde la Figura 2(a) es el lado (superficie) que recibe la luz, y la Figura 2(b) es el lado que no recibe la luz (reverso).
El sustrato semiconductor 1 esta compuesto de silicio monocristalino o policristalino, o similares. El sustrato 1 de silicio contiene dopantes tipo p, como por ejemplo el boro (8), con una resistencia de, por ejemplo, aproximadamente 0,2 a 2,0 Q·cm. Los sustratos de silicio monocristalino se forman mediante el metodo Czochralski o similares, y los sustratos de silicio policristalino se forman por colada o similares. Los lingotes formados por el metodo Czochralski,
o por colada, se cortan a un tamano de aproximadamente 10 cm x 10 cm a 20 cm x 20 cm, y se hacen laminas de un espesor de no mas de 500 Im, y preferiblemente no mas de 250 Im, dando el sustrato semiconductor 1.
Para limpiar la superficie del semiconductor 1, hecho laminas, se somete la superficie a un ataque qufmico con cantidades traza de Na0H o de K0H, o acido fluorhfdrico, o similares.
Luego se forma, preferiblemente, una estructura texturizada (superficie rugosa) que tiene la funci6n de disminuir la reflectancia 6ptica usando un ataque qufmico en seco, un ataque qufmico en mojado, o similares, sobre la superficie del sustrato semiconductor que servira como lado de la luz incidente (lado que recibe la luz).
Luego se forma una capa 2 de difusi6n de tipo n. Se usa preferiblemente f6sforo (P) como elemento dopante para producir el tipo n, que da un tipo n+ con una resistencia de lamina, por ejemplo, de aproximadamente 30 a 300 Q/o. Esto da como resultado la formaci6n de una uni6n pn con un area bruta de tipo p.
La capa 2 de difusi6n se puede formar sobre el lado del sustrato semiconductor que recibe la luz, o similares, y se puede formar, por ejemplo, mediante un metodo de aplicaci6n y difusi6n termica, en el que se aplica P205 en forma de una pasta y se difunde termicamente, un metodo de difusi6n termica en fase gaseosa en el que se usa P0C13 (oxicloruro de f6sforo) en forma de gas como la fuente de la difusi6n, un metodo de implantaci6n de iones en el que se difunden directamente iones p+, o similares. La capa 2 de difusi6n se forma a una profundidad de aproximadamente 0,2 a 0,5 Im.
Ademas, las areas de difusi6n formadas en lugares donde no se espera que haya difusi6n se pueden eliminar posteriormente mediante ataque qufmico. Se pueden quitar partes de la capa 2 de difusi6n distintas a las del lado del sustrato semiconductor 1 que recibe la luz, aplicando una pelfcula protectora sobre el lado del sustrato semiconductor 1 que recibe la luz, atacando qufmicamente la capa con acido fluorhfdrico o una mezcla de acido fluorhfdrico y acido nftrico, y retirando luego la pelfcula protectora. Ademas, cuando se forma un area 4 del 8SF (campo superficial posterior; del ingles back surface field) con pasta de aluminio sobre el lado del reverso (el lado que no es el que
recibe la luz) como se describe a continuaci6n, el aluminio, que es un agente dopante de tipo p, se puede difundir a una profundidad adecuada en una concentraci6n adecuada, haciendo asf despreciables los efectos de las capas superficiales de difusi6n tipo n que ya se han difundido y que evitan cualquier necesidad de quitar las capas de difusi6n de tipo n formada sobre el lado del reverso.
Luego se forma una capa 3 antireflexi6n. Se puede usar como material de la capa 3 antireflexi6n una pelfcula de SiNx (hay alguna tolerancia en la relaci6n (x) de la composici6n, basada en la estequiometria del Si3N4), una pelfcula de Ti02, una pelfcula de Si02, una pelfcula de Mg0, una pelfcula de IT0, una pelfcula de Sn02, una pelfcula de Zn0, y similares. El espesor se puede seleccionar segun el material del semiconductor, para provocar unas condiciones adecuadas no reflectantes en relaci6n a la luz incidente. Un sustrato semiconductor 1, que es un sustrato de silicio, puede ser de 500 a 1200 A, con un fndice de reflexi6n de aproximadamente 1,8 a 2,3.
La capa 3 antireflexi6n se puede producir mediante PECVD, deposici6n, pulverizaci6n cat6dica, o similares. La capa antireflexi6n esta disenada con un diseno predeterminado para formar un electrodo superficial 5 cuando se forma un electrodo no superficial 4 mediante el metodo por cocci6n descrito mas adelante. Ejemplos de metodos de diseno que se pueden usar incluyen el ataque qufmico (en seco o en mojado) usando una mascara como un protector, y metodos en los que se preconforma una mascara a la vez que se forma la pelfcula 3 antireflexi6n y se quita despues de que la pelfcula 3 antireflexi6n se haya formado. Por otro lado, no se necesita un diseno cuando se usa un metodo que es denominado de cocci6n, en el que una pasta conductora para el electrodo superficial 5 de aplica y se cuece sobre la pelfcula 3 antireflexi6n para proporcionar contacto electrico entre el electrodo superficial 4 y la capa 2 de difusi6n (Figura 2A).
La capa 4 del 8SF se forma preferiblemente luego. Aquf, la capa 4 del 8SF se refiere a un area que comprende un dopante de tipo p difundido en alta concentraci6n sobre el lado del reverso del sustrato semiconductor 1, y tiene la funci6n de evitar que disminuya en eficacia, originada por la recombinaci6n del soporte. Se puede usar 8 (boro) y Al (aluminio) como elementos de impurezas, y la concentraci6n de los elementos de impuras se puede aumentar a una alta concentraci6n para producir el tipo p+, permitiendo con ello el contacto 6hmico que se va a obtener con el electrodo 6 del lado del reverso descrito mas adelante.
Luego se forma el electrodo superficial 5 y el electrodo 6 del lado del reverso sobre la superficie y el reverso del sustrato semiconductor 1. Los electrodos se forman aplicando la pasta conductora para elementos de celdas solares de la invenci6n haciendo uso de un metodo de aplicaci6n comun sobre la superficie del sustrato semiconductor 1 y cociendo la pasta durante docenas de segundos a docenas de minutos a una temperatura pico de 700 a 850°C para formar los electrodos. La pasta conductora se basa tambien, preferiblemente, en la plata que tiene baja resistencia.
La presente invenci6n es particularmente significativa cuando la pasta del electrodo se cuece en un horno de cocci6n a gran escala. Cuando se usa la pasta de la invenci6n, habra menos disminuci6n del rendimiento durante la producci6n, a pesar de la variaci6n de la temperatura en los hornos de cocci6n a gran escala. Especfficamente, la presente invenci6n es eficaz en hornos de cocci6n con una anchura de la cinta transportadora de al menos 20 cm, y mas eficaz en hornos de cocci6n con una anchura de la cinta transportadora de al menos 30 cm. Para mejorar la productividad en el procedimiento de cocci6n, se dispone a veces de varias hileras de celdas orientadas en la direcci6n en la que se transporta la cinta y se cuecen. En tales casos, la anchura necesaria de la cinta es mas ancha que para una hilera, mientras que tambien da como resultado una mayor variaci6n de temperatura en el horno de cocci6n. La pasta de la presente invenci6n es particularmente eficaz para procedimientos de cocci6n con tan sustancial variaci6n de temperatura.
Ejemplos
1) Se anadieron 10 partes de resina de etilcelulosa a 90 partes de terpineol, se agit6 la mezcla y se disolvi6 durante aproximadamente 2 horas mientras se calentaba a 80°C, y luego se dej6 reposar la soluci6n hasta que volvi6 a temperatura ambiente, dando una soluci6n aglomerante.
2) Se mezclaron 50 partes de polvo de Pd con 50 partes de la soluci6n de resina de etilcelulosa de 1), y la mezcla se amas6 con 3 rodillos, dando una pasta de Pd.
31) Se anadieron 3 partes de las pasta de Pd de 2) a 100 partes de pasta para celdas solares PV145 (pasta de Ag) de DuPont, y la mezcla se agit6 hasta homogeneidad en un agitador desespumante, dando una pasta A.
32) Se anadieron 50 partes de PV145 a 50 partes de la pasta A, y la mezcla se agit6 hasta homogeneidad en un agitador desespumante, dando la pasta 8.
33) Se anadieron 50 partes de PV145 a 50 partes de la pasta 8, y la mezcla se agit6 hasta homogeneidad en un agitador desespumante, dando la pasta C.
34) Se anadieron 50 partes de PV145 a 50 partes de la pasta C, y la mezcla se agit6 hasta homogeneidad en un agitador desespumante, dando la pasta D.
Tabla 1
Pasta A
Pasta 8 Pasta C Pasta D Pasta E
PV145 (pasta de Ag)
100 100 100 100 100
Cantidad de Pd anadido
1,5 0,75 0,375 0,1875 0
Soluci6n aglomerante
1,5 0,75 0,375 0,1875 0
La pasta para electrodos resultante se us6 para producir una celda solar de la siguiente manera, y luego se evalu6 la eficacia de la conversi6n. Los resultados se dan en la Tabla 2.
Preparaci6n de la muestra
5 Se prepar6 una pelfcula antireflexi6n y una oblea de Si monocristalino texturizado de 9,7 centfmetros cuadrados, para una celda solar. Se aplic6 mediante serigraffa PV381 de DuPont sobre el lado del reverso de la oblea de Si y se sec6 en un horno a 150°C/5 minutos, formando un electrodo de Al sobre el lado del reverso.
Se aplicaron las pastas de los ejemplos y de los ejemplos comparativos mediante serigraffa en el lado de las obleas que recibe la luz y se secaron a 150°C/5 minutos, en hornos para formar electrodos de rejilla sobre la superficie. La
10 configuraci6n del electrodo de Al del lado del reverso y el electrodo superficial de rejilla se dan en la Figura 3 como referencia.
Condiciones de cocci6n
Para la cocci6n se usaron hornos de cinta calentados por IR, bajo las siguientes condiciones. Determinaciones de las temperaturas maximas: 770°C, 750°C, 740°C, 730°C
15 Velocidad de la cinta: 270 cm/minuto Condiciones para medir la eficacia de la conversi6n Comprobador IV: NTCM150A, de NPC Condiciones: AM 1,5, temperatura: 25°C, intensidad de la radiaci6n: 1000 W/m2 Tabla 2
Ejemplo 1
Ejemplo 2 Ejemplo 3 Ejemplo 4 Ejemplo comparativo 1
Pasta
Pasta A Pasta 8 Pasta C Pasta D Pasta E
Cantidad de Pd anadido
1,5 0,75 0,375 0,1875 0
770°C
15,1 15,1 15,0 15,0 15,2
750°C
14,7 14,7 14,4 14,8 14,9
740°C
14,2 14,2 13,6 13,8 12,9
730°C
11,9 11,6 11,7 10,2 10,8
Las tablas muestran que la pasta de la invenci6n dio una mejor eficacia de la conversi6n en un amplio intervalo de
20 las condiciones de la temperatura de cocci6n. Es decir, se pueden obtener celdas solares con alta eficacia de conversi6n a pesar de que haya alguna variaci6n de temperatura en el horno de cocci6n. Tambien se obtienen celdas solares que tienen una alta eficacia de conversi6n a pesar de la desviaci6n de la temperatura de cocci6n que se pretende, como resultado del control imperfecto del horno de cocci6n.

Claims (11)

  1. REIVINDICACIONES
    1.
    Una pasta conductora para electrodos de rejilla de celdas solares, pasta conductora que comprende un componente conductor, frita de vidrio, y aglomerante de resina, en la que el componente conductor se selecciona del grupo consistente en: (i) partfculas de plata y partfculas metalicas seleccionadas del grupo consisten en Pd, Ir, Pt, Ru, Ti, y Co; (ii) partfculas de aleaci6n que comprenden plata y metal seleccionado del grupo consistente en Pd, Ir, Pt, Ru, Ti, y Co, y (iii) partfculas de plata y partfculas del tipo nucleoenvuelta en las que aplica un metal especffico seleccionado del grupo seleccionado de Pd, Ir, Pt, Ru, Ti, y Co, sobre una superficie de plata o de cobre, y en las que el contenido de partfculas metalicas es de 0,01 a 10% en peso, basado en la cantidad total de la pasta.
  2. 2.
    Una pasta conductora para electrodos de rejilla de celdas solares, segun la reivindicaci6n 1, en la que el componente conductor son partfculas de plata y las partfculas metalicas se seleccionan del grupo consistente en Pd, Ir, Pt, Ru, Ti, y Co.
  3. 3.
    Una pasta conductora para electrodos de rejilla de celdas solares, segun la reivindicaci6n 2, en la que las partfculas metalicas son partfculas de paladio.
  4. 4.
    Una pasta conductora para electrodos de rejilla de celdas solares, segun la reivindicaci6n 1, en la que el componente conductor contiene partfculas de aleaci6n que comprende plata y metal seleccionado del grupo consistente en Pd, Ir, Pt, Ru, Ti, y Co.
  5. 5.
    Una pasta conductora para electrodos de rejilla de celdas solares, segun la reivindicaci6n 4, en la que las partfculas de aleaci6n son partfculas de AgPd.
  6. 6.
    Una pasta conductora para electrodos de rejilla de celdas solares, segun la reivindicaci6n 4, en la que el contenido de partfculas de aleaci6n es de 0,01 a 20% en peso, basado en la cantidad total de la pasta.
  7. 7.
    Una pasta conductora para electrodos de rejilla de celdas solares, segun la reivindicaci6n 1, en la que el componente conductor son partfculas de plata y partfculas de tipo nucleoenvuelta en las que se aplica un metal seleccionado del grupo consistente en Pd, Ir, Pt, Ru, Ti, y Co sobre una superficie de plata o de cobre.
  8. 8.
    Una pasta conductora para electrodos de rejilla de celdas solares, segun la reivindicaci6n 7, en la que las partfculas de tipo nucleoenvuelta son partfculas en las que se aplica paladio sobre una superficie de plata.
  9. 9.
    Una pasta conductora para electrodos de rejilla de celdas solares, segun la reivindicaci6n 7, en la que el contenido de las partfculas de tipo nucleoenvuelta es de 0,01 a 20% en peso, basado en la cantidad total de pasta.
  10. 10.
    Un metodo para producir un electrodo de una celda solar, que comprende las etapas de: aplicar una pasta segun la reivindicaci6n 1 sobre al menos parte de la superficie de un sustrato semiconductor que recibe la luz, y cocer la pasta del electrodo.
  11. 11.
    Un metodo para producir un electrodo de una celda solar segun la reivindicaci6n 10, en el que la etapa de cocci6n se lleva a cabo en un horno de cocci6n en el que la anchura de la cinta que se mueve en el horno de cocci6n es de al menos 20 cm.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9780236B2 (en) 2013-12-17 2017-10-03 Industrial Technology Research Institute Conductive paste composition and method for manufacturing electrode

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080230119A1 (en) * 2007-03-22 2008-09-25 Hideki Akimoto Paste for back contact-type solar cell
US20090211626A1 (en) * 2008-02-26 2009-08-27 Hideki Akimoto Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells
FR2936241B1 (fr) * 2008-09-24 2011-07-15 Saint Gobain Electrode avant pour cellule solaire avec revetement antireflet.
EP2417607A1 (en) * 2009-04-08 2012-02-15 E. I. du Pont de Nemours and Company Solar cell electrode
KR101045859B1 (ko) * 2009-07-06 2011-07-01 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
EP2325848B1 (en) * 2009-11-11 2017-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and solar cell
KR102071006B1 (ko) * 2009-11-11 2020-01-30 삼성전자주식회사 도전성 페이스트 및 태양 전지
EP2502240B1 (en) * 2009-11-16 2013-10-30 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Electroconductive paste composition
JP4868079B1 (ja) * 2010-01-25 2012-02-01 日立化成工業株式会社 ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法
US8535971B2 (en) * 2010-02-12 2013-09-17 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Method for applying full back surface field and silver busbar to solar cell
US8071418B2 (en) * 2010-06-03 2011-12-06 Suniva, Inc. Selective emitter solar cells formed by a hybrid diffusion and ion implantation process
KR101741683B1 (ko) 2010-08-05 2017-05-31 삼성전자주식회사 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
US8668847B2 (en) 2010-08-13 2014-03-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
US8987586B2 (en) 2010-08-13 2015-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
KR101835293B1 (ko) * 2010-09-03 2018-03-06 테트라썬, 아이엔씨. 광학코팅의 부분적 리프트-오프에 의한 광기전력 장치의 미세라인 금속화
US20110315217A1 (en) * 2010-10-05 2011-12-29 Applied Materials, Inc. Cu paste metallization for silicon solar cells
US8974703B2 (en) 2010-10-27 2015-03-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same
US20120103406A1 (en) 2010-11-03 2012-05-03 Alta Devices, Inc. Metallic contacts for photovoltaic devices and low temperature fabrication processes thereof
CN102479568B (zh) * 2010-11-30 2016-01-13 比亚迪股份有限公司 一种太阳能电池用导电浆料及其制备方法
TWI420700B (zh) * 2010-12-29 2013-12-21 Au Optronics Corp 太陽能電池
US9105370B2 (en) 2011-01-12 2015-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same
US8940195B2 (en) 2011-01-13 2015-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same
EP2666168A1 (en) * 2011-01-18 2013-11-27 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Electroconductive paste compositions and solar cell electrodes and contacts made therefrom
KR101796658B1 (ko) * 2011-03-28 2017-11-13 삼성전자주식회사 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
CN102280207B (zh) * 2011-05-30 2012-12-19 周涛 水热法制备有机氟掺杂硅太阳能电池用银浆工艺方法
CN102262940A (zh) * 2011-07-19 2011-11-30 彩虹集团公司 一种晶体硅太阳能电池用背面银浆的制备方法
SG10201608690XA (en) * 2011-10-25 2016-12-29 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Electroconductive paste composition containing metal nanoparticles
WO2013090344A1 (en) * 2011-12-13 2013-06-20 Ferro Corporation Electrically conductive polymeric compositons, contacts, assemblies, and methods
KR101363344B1 (ko) * 2012-01-10 2014-02-19 주식회사 젠스엔지니어링 전도성 페이스트를 전극으로 사용하는 실리콘 태양전지 모듈 및 그 제조 방법.
WO2013105750A1 (ko) * 2012-01-10 2013-07-18 주식회사 젠스엔지니어링 전도성 페이스트를 전극으로 사용하는 실리콘 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
KR101315105B1 (ko) * 2012-03-23 2013-10-07 (주)창성 태양전지용 전극 페이스트 조성물
CN104246909B (zh) * 2012-03-30 2017-09-12 荒川化学工业股份有限公司 导电浆料、固化物、电极以及电子设备
CN102637467A (zh) * 2012-04-27 2012-08-15 苏州晶讯科技股份有限公司 用于硅晶太阳能电池正面电极的导电浆料
CN103000248B (zh) * 2012-11-10 2015-10-28 江苏瑞德新能源科技有限公司 一种适应高方阻浅结的太阳能电池正银浆料用粉体料
CN103258584B (zh) * 2013-01-09 2018-04-10 深圳市创智材料科技有限公司 一种导电银浆及其制备方法
WO2014117409A1 (zh) * 2013-02-04 2014-08-07 深圳首创光伏有限公司 晶体硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法
FI20135253L (fi) 2013-03-15 2014-09-16 Inkron Ltd Monikerrosmetallipartikkelit ja niiden käyttö
CN104078091A (zh) * 2013-03-27 2014-10-01 比亚迪股份有限公司 晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆及其制备方法、晶体硅太阳电池及其制备方法
KR101396444B1 (ko) * 2013-05-06 2014-05-22 한화케미칼 주식회사 태양전지의 전극의 제조방법 및 이를 이용한 태양전지
US20150243812A1 (en) * 2013-06-20 2015-08-27 PLANT PV, Inc. Silver nanoparticle based composite solar metallization paste
TW201511296A (zh) 2013-06-20 2015-03-16 Plant PV 用於矽太陽能電池之核-殼型鎳粒子金屬化層
JP6134884B2 (ja) * 2013-07-19 2017-05-31 株式会社ザイキューブ 電極、電極材料及び電極形成方法
CN103440898B (zh) * 2013-08-06 2017-06-06 浙江光达电子科技有限公司 一种低银含量的太阳能电池正面电极银浆及其制备方法
US9331216B2 (en) 2013-09-23 2016-05-03 PLANT PV, Inc. Core-shell nickel alloy composite particle metallization layers for silicon solar cells
JP2016004659A (ja) * 2014-06-16 2016-01-12 株式会社村田製作所 導電性樹脂ペーストおよびセラミック電子部品
CN104143385B (zh) * 2014-07-23 2016-08-24 浙江大学 一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料及其制备方法
CN104318978B (zh) * 2014-10-25 2017-05-10 苏州华琼电子材料有限公司 一种包含核壳导电颗粒的导电浆料及其制备方法
WO2016099562A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-23 Plant Pv, Inc Silver nanoparticle based composite solar metallization paste
KR101633192B1 (ko) * 2014-12-22 2016-06-24 오씨아이 주식회사 태양전지의 전면 전극 및 이의 제조 방법
US10056508B2 (en) 2015-03-27 2018-08-21 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Electro-conductive pastes comprising a metal compound
US10636540B2 (en) 2015-03-27 2020-04-28 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Electro-conductive pastes comprising an oxide additive
US9673341B2 (en) 2015-05-08 2017-06-06 Tetrasun, Inc. Photovoltaic devices with fine-line metallization and methods for manufacture
WO2016205602A1 (en) * 2015-06-19 2016-12-22 Sun Chemical Corporation A silver paste and its use in semiconductor devices
US10784383B2 (en) 2015-08-07 2020-09-22 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
WO2017035103A1 (en) 2015-08-25 2017-03-02 Plant Pv, Inc Core-shell, oxidation-resistant particles for low temperature conductive applications
WO2017035102A1 (en) 2015-08-26 2017-03-02 Plant Pv, Inc Silver-bismuth non-contact metallization pastes for silicon solar cells
US10000645B2 (en) 2015-11-24 2018-06-19 PLANT PV, Inc. Methods of forming solar cells with fired multilayer film stacks
CN105576061B (zh) * 2016-02-03 2018-10-26 武汉华尚绿能科技股份有限公司 高导通高电压太阳能光电玻璃板
CN106229026B (zh) * 2016-07-12 2018-08-28 常州聚和新材料股份有限公司 合金银粉及其制备方法及由其制备的太阳能导电浆料
PL3657516T3 (pl) * 2018-11-21 2022-07-11 Heraeus Nexensos Gmbh Ulepszone pasty z metali szlachetnych do drukowanych sitowo struktur elektrod
CN110993146B (zh) * 2019-11-28 2021-06-29 广东羚光新材料股份有限公司 Ntc热敏电阻器用银浆及其制备方法和应用
CN111212538B (zh) * 2020-02-03 2021-05-07 Oppo广东移动通信有限公司 壳体加工方法、壳体及电子设备
US20230375759A1 (en) * 2022-05-18 2023-11-23 GE Precision Healthcare LLC Aligned and stacked high-aspect ratio metallized structures

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4001146A (en) * 1975-02-26 1977-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Novel silver compositions
US4153907A (en) * 1977-05-17 1979-05-08 Vactec, Incorporated Photovoltaic cell with junction-free essentially-linear connections to its contacts
US4318830A (en) * 1979-01-15 1982-03-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductors having improved aged adhesion
JPS5933868A (ja) * 1982-08-20 1984-02-23 Hitachi Ltd 半導体装置用電極材料
US5096619A (en) * 1989-03-23 1992-03-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film low-end resistor composition
US5428249A (en) * 1992-07-15 1995-06-27 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device with improved collector electrode
US5345212A (en) * 1993-07-07 1994-09-06 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Power surge resistor with palladium and silver composition
JP3209089B2 (ja) * 1996-05-09 2001-09-17 昭栄化学工業株式会社 導電性ペースト
JP2000048642A (ja) * 1998-07-24 2000-02-18 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及びガラス回路基板
JP2000174400A (ja) * 1998-12-10 2000-06-23 Alps Electric Co Ltd フレキシブルプリント基板
JP3744469B2 (ja) * 2002-06-07 2006-02-08 株式会社村田製作所 導電性ペースト
WO2005031760A1 (ja) * 2003-09-26 2005-04-07 Hitachi Chemical Co., Ltd. 混合導電粉およびその利用
US7494607B2 (en) * 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
US20060231802A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Takuya Konno Electroconductive thick film composition, electrode, and solar cell formed therefrom
US7704416B2 (en) * 2007-06-29 2010-04-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductor paste for ceramic substrate and electric circuit
US20090211626A1 (en) * 2008-02-26 2009-08-27 Hideki Akimoto Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells
US7976734B2 (en) * 2008-09-10 2011-07-12 E.I. Du Pont De Nemours And Company Solar cell electrodes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9780236B2 (en) 2013-12-17 2017-10-03 Industrial Technology Research Institute Conductive paste composition and method for manufacturing electrode

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