JP2012523696A - 太陽電池電極 - Google Patents
太陽電池電極 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012523696A JP2012523696A JP2012504770A JP2012504770A JP2012523696A JP 2012523696 A JP2012523696 A JP 2012523696A JP 2012504770 A JP2012504770 A JP 2012504770A JP 2012504770 A JP2012504770 A JP 2012504770A JP 2012523696 A JP2012523696 A JP 2012523696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- solar cell
- metal
- electrode
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 148
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 68
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 36
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 34
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 34
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 24
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 11
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- -1 Co Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 35
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 5
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 4
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 2
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 2
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WETWJCDKMRHUPV-UHFFFAOYSA-N Chloride-Acetic acid Natural products CC(Cl)=O WETWJCDKMRHUPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJGAPUXHSQQWQF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(O)=O WJGAPUXHSQQWQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N dibismuth;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N technetium atom Chemical compound [Tc] GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910000048 titanium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本発明は、N層およびP層において良好な導電性を示し太陽電池中に使用される電極、およびそのような電極を製造するために使用される導電性ペーストに関する。
Description
本発明は、太陽電池中に使用される電極に関する。
シリコン太陽電池陽の電極は、効率を改善するために低い電気抵抗を有することが必要であるため。抵抗が低い銀は、シリコン基体との接触において接触抵抗が高くなることが問題である。この問題を解決するために、特開2006−93433号公報には、銀粉末と、有機質ビヒクルと、ガラスフリットと、ホウ素粉末、無機ホウ素化合物、および有機ホウ素化合物から選択される少なくとも1種類とを含む導電性ペーストを用いてp型導電層上に形成される電極が開示されている。
特開2003−152200号公報には、AgおよびTiO2を含む太陽電池電極用導電性ペーストが開示されている。特開昭59−11687号公報には、AgおよびTiを含む太陽電池電極用導電性ペーストが開示されている。特開2002−141520号公報には、Ti、Co、またはZnの無機化合物を含む太陽電池用電極が開示されている。しかし、これらの電極は、太陽電池半導体のN層およびP層から構成される半導体のN層の接触抵抗を低下させることができるが、P層の抵抗は本来依然として高い。米国特許出願公開第2008/0230119号明細書には、n層およびp層の両方の接触抵抗を低下させることが可能な、AgおよびPdを含む電極が開示されている。しかし、導電性ペーストを高温で焼結した場合、抵抗は最終的には増加する。上記問題を考慮して、N層およびP層の両方において良好な導電性が得られ、電極を焼結するための焼結温度が制限されない太陽電池電極が必要とされている。
本発明は、(a)導電性粉末であって、銀粒子、Ti粒子、またはTiH2粒子、ならびに(i)Zr、Cr、Co、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、W、Re、Os、Ir、およびPtからなる群から選択される金属粒子、(ii)前記金属を含む合金粒子、あるいは(iii)前記金属粒子を担持する担持粒子、を含有する導電性粉末と;(b)ガラスフリットと;(c)樹脂バインダーとを含む、導電性パースとを焼結することによって形成される太陽電池電極に関する。好ましくは導電性粉末は、30〜98重量%の銀粒子、1〜70重量%のTi粒子またはTiH2粒子、および1〜10重量%の(i)Zr、Cr、Co、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、W、Re、Os、Ir、およびPtからなる群から選択される金属粒子、(ii)前記金属を含む合金粒子、あるいは(iii)前記金属粒子を担持する担持粒子、を含有する。
本発明の別の一態様においては、太陽電池電極の製造方法は、(a)導電性粉末であって、銀粒子、Ti粒子、またはTiH2粒子、ならびに(i)Zr、Cr、Co、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、W、Re、Os、Ir、およびPtからなる群から選択される金属粒子、(ii)前記金属を含む合金粒子、あるいは(iii)前記金属粒子を担持する担持粒子、を含有する導電性粉末と、
(b)ガラスフリットと、(c)樹脂バインダーとを含有する太陽電池電極用の導電性ペーストをシリコン基体上に塗布するステップと;シリコン基体上に塗布された導電性ペーストを焼結するステップとを含む。好ましくはペーストは450〜900℃で焼結される。
(b)ガラスフリットと、(c)樹脂バインダーとを含有する太陽電池電極用の導電性ペーストをシリコン基体上に塗布するステップと;シリコン基体上に塗布された導電性ペーストを焼結するステップとを含む。好ましくはペーストは450〜900℃で焼結される。
本発明の別の一態様においては、電極の製造方法は、a)銀粒子、Ti粒子、またはTiH2粒子、ならびに(i)Zr、Cr、Co、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、W、Re、Os、Ir、およびPtからなる群から選択される金属粒子、(ii)前記金属を含む合金粒子、あるいは(iii)前記金属粒子を担持する担持粒子、を含有する導電性粉末と、
(b)ガラスフリットと、(c)樹脂バインダーとを含有する太陽電池電極用の導電性ペーストをシリコン基体のn層およびp層の両方の上に塗布して焼結するステップを含む。
(b)ガラスフリットと、(c)樹脂バインダーとを含有する太陽電池電極用の導電性ペーストをシリコン基体のn層およびp層の両方の上に塗布して焼結するステップを含む。
本発明の電極は、太陽電池半導体層のP層およびN層の上で低い接触抵抗を得るために使用することができる。高温で焼結した場合に、本発明の電極抵抗の増加も防止される。
本発明の第1の実施形態は、シリコン太陽電池用電極に関する。本発明の電極について、以下の段落で詳細に説明する。
1.導電性粉末
銀粒子:
銀(Ag)粒子は、電気伝導性金属として使用される。銀粒子は、フレーク、球状の形態であってよいし、非晶質であってもよい。通常の電気伝導性ペーストとして使用される場合の技術的効果の観点からは、銀粒子の粒径に関して特に制限は存在しないが、粒径は銀の焼結特性に影響を与え、たとえば、大きな粒径を有する銀粒子は、小さな粒径を有する銀粒子よりも遅い速度で焼結する。したがって、粒径(d50、レーザー散乱型粒度分布測定装置によって測定される)は、好ましくは0.1〜20.0μmの範囲内、より好ましくは2.0〜10.0μmの範囲内である。実際に使用される銀粒子の粒径は、焼成特性により決定される。さらに、銀粒子は、電気伝導性ペーストの塗布方法(たとえばスクリーン印刷)に適した粒径を有することが必要である。本発明においては、異なる粒径を有する2種類以上の銀粒子を混合物として使用することができる。
銀粒子:
銀(Ag)粒子は、電気伝導性金属として使用される。銀粒子は、フレーク、球状の形態であってよいし、非晶質であってもよい。通常の電気伝導性ペーストとして使用される場合の技術的効果の観点からは、銀粒子の粒径に関して特に制限は存在しないが、粒径は銀の焼結特性に影響を与え、たとえば、大きな粒径を有する銀粒子は、小さな粒径を有する銀粒子よりも遅い速度で焼結する。したがって、粒径(d50、レーザー散乱型粒度分布測定装置によって測定される)は、好ましくは0.1〜20.0μmの範囲内、より好ましくは2.0〜10.0μmの範囲内である。実際に使用される銀粒子の粒径は、焼成特性により決定される。さらに、銀粒子は、電気伝導性ペーストの塗布方法(たとえばスクリーン印刷)に適した粒径を有することが必要である。本発明においては、異なる粒径を有する2種類以上の銀粒子を混合物として使用することができる。
通常、銀は、好ましくは98%を超える高純度である。しかし、電極パターンの電気的要求に依存して、より低純度の物質を使用することもできる。
本発明の目的が達成される量であれば、銀含有率に関して特に制限は存在しないが、銀粒子の場合、銀含有率は、好ましくは導電性粉末の全重量の30〜98重量%、より好ましくは50〜90重量%である。本発明においては、異なる粒径および/または異なる形状を有する2種類以上の銀粒子を混合物として使用することができる。
チタン粒子:
本発明の太陽電池電極は、Ti(チタン)粒子またはTiH2(水素化チタン)粒子を含む。Ti粒子またはTiH2粒子は、フレークの形状、球状、または非晶質の形態であってよい。通常の電気伝導性ペーストとして使用される場合の技術的効果の観点からは、Ti粒子またはTiH2粒子の粒径に特に制限は存在しないが、Ti粒子またはTiH2粒子の平均粒度(D50、レーザー散乱型粒度分布測定装置によって測定される)は、好ましくは0.1〜100μm、より好ましくは1〜60μm、さらにより好ましくは3〜40μmである。0.1μm以下であると、Ti粒子が酸化されて酸化チタンとなって、粒子の添加による効果が十分実現されないことがある。本発明において使用されるTi粒子の純度は特に制限されないが、純度は好ましくは少なくとも99%である。Ti粒子またはTiH2粒子の含有率は、導電性粉末の全重量に対して好ましくは1.0〜70.0重量%である。より低い接触抵抗を得るために、これらの粒子の最低含有率は、より好ましくは5重量%であり、15重量%がさらにより好ましい。Ti粒子およびTiH2粒子の両方が使用される場合、Ti粒子およびTiH2粒子の全含有率は、導電性パワーの全重量に対して、好ましくは1.0〜70.0重量%である。より低い接触抵抗を得るために、粒子の最低含有率は、より好ましくは5重量%であり、15重量%がさらにより好ましい。1.0重量%未満であると、ウエハとの接触抵抗が十分低くならない場合がある。含有率が70.0重量%を超えると、電極自体の抵抗が高くなりすぎる場合がある。Ti粒子またはTiH2粒子を単独出使用しても、組み合わせて使用しても良好な電気的性質を得ることができるが、TiH2粒子はTi粒子よりも耐酸化性が優れているので、TiH2粒子を使用することが好ましい。本発明においては、異なる粒径を有する2種類以上のTiまたはTiH2粒子を混合物として使用することができる。
本発明の太陽電池電極は、Ti(チタン)粒子またはTiH2(水素化チタン)粒子を含む。Ti粒子またはTiH2粒子は、フレークの形状、球状、または非晶質の形態であってよい。通常の電気伝導性ペーストとして使用される場合の技術的効果の観点からは、Ti粒子またはTiH2粒子の粒径に特に制限は存在しないが、Ti粒子またはTiH2粒子の平均粒度(D50、レーザー散乱型粒度分布測定装置によって測定される)は、好ましくは0.1〜100μm、より好ましくは1〜60μm、さらにより好ましくは3〜40μmである。0.1μm以下であると、Ti粒子が酸化されて酸化チタンとなって、粒子の添加による効果が十分実現されないことがある。本発明において使用されるTi粒子の純度は特に制限されないが、純度は好ましくは少なくとも99%である。Ti粒子またはTiH2粒子の含有率は、導電性粉末の全重量に対して好ましくは1.0〜70.0重量%である。より低い接触抵抗を得るために、これらの粒子の最低含有率は、より好ましくは5重量%であり、15重量%がさらにより好ましい。Ti粒子およびTiH2粒子の両方が使用される場合、Ti粒子およびTiH2粒子の全含有率は、導電性パワーの全重量に対して、好ましくは1.0〜70.0重量%である。より低い接触抵抗を得るために、粒子の最低含有率は、より好ましくは5重量%であり、15重量%がさらにより好ましい。1.0重量%未満であると、ウエハとの接触抵抗が十分低くならない場合がある。含有率が70.0重量%を超えると、電極自体の抵抗が高くなりすぎる場合がある。Ti粒子またはTiH2粒子を単独出使用しても、組み合わせて使用しても良好な電気的性質を得ることができるが、TiH2粒子はTi粒子よりも耐酸化性が優れているので、TiH2粒子を使用することが好ましい。本発明においては、異なる粒径を有する2種類以上のTiまたはTiH2粒子を混合物として使用することができる。
その他の金属粒子:
本発明においては、前記Ag粒子、Ti粒子、TiH2粒子以外の金属粒子が、銀粒子およびチタン粒子に導電性粉末として加えられる。これらの金属粒子は、周期表の6族から11族に属する3dまたは4d遷移金属として定義され、すなわち、Zr(ジルコニウム)、Cr(クロム)、Co(コバルト)、Mo(モリブデン)、Tc(テクネチウム)、Ru(ルテニウム)、Rh(ロジウム)、Pd(パラジウム)、W(タングステン)、Re(レニウム)、Os(オスミウム)、Ir(イリジウム)、およびPt(白金)からなる群から選択される金属粒子が加えられる。金属粒子の群は、好ましくはZr、Co、Mo、Ru、Rh、Pd、W、およびPtを含み、より好ましくはRu、Pd、およびPtを含み、これらは焼結したときに、ウエハ上に存在するケイ素と化合物(ケイ化物)を形成することができる導電性粉末の形態のこれらの金属粒子を加えることによって、導電性材料がp層上およびn層上に塗布される場合でさえも、焼結温度を調節しなくても接触抵抗を常に低く維持することができる。
本発明においては、前記Ag粒子、Ti粒子、TiH2粒子以外の金属粒子が、銀粒子およびチタン粒子に導電性粉末として加えられる。これらの金属粒子は、周期表の6族から11族に属する3dまたは4d遷移金属として定義され、すなわち、Zr(ジルコニウム)、Cr(クロム)、Co(コバルト)、Mo(モリブデン)、Tc(テクネチウム)、Ru(ルテニウム)、Rh(ロジウム)、Pd(パラジウム)、W(タングステン)、Re(レニウム)、Os(オスミウム)、Ir(イリジウム)、およびPt(白金)からなる群から選択される金属粒子が加えられる。金属粒子の群は、好ましくはZr、Co、Mo、Ru、Rh、Pd、W、およびPtを含み、より好ましくはRu、Pd、およびPtを含み、これらは焼結したときに、ウエハ上に存在するケイ素と化合物(ケイ化物)を形成することができる導電性粉末の形態のこれらの金属粒子を加えることによって、導電性材料がp層上およびn層上に塗布される場合でさえも、焼結温度を調節しなくても接触抵抗を常に低く維持することができる。
本発明においては、好ましくは、上記金属粒子を含有する合金粒子、または上記金属粒子が充填された粒子を使用することもできる。金属を含有する合金(本明細書の説明においては添加粒子とも呼ばれる)の例としては、Ag/Pd合金、Pd/Au合金、Pd/Ru合金、Pd/Pt合金、Ti/Mo合金、Ti/Ni合金、Al/Mo合金、Ni/Mo合金、Fe/Co合金、Ag/W合金、およびCu/W合金が挙げられる。
金属粒子は、フレークの形状、球状、または非晶質形態であってよい。通常の電気伝導性ペーストとして使用される場合の技術的効果の観点からは、添加粒子の粒径に関して特に制限は存在しないが、粒径は、銀の焼結特性に影響を与える。たとえば、大きな粒径を有する別の金属粒子は、小さな粒径を有する銀粒子よりも遅い速度で焼結する。したがって、粒径(D50、レーザー散乱型粒度分布測定装置によって測定される)は、好ましくは0.1〜10.0μmの範囲内であり、実際に使用される添加粒子の粒径は、焼成特性により決定される。さらに、添加粒子は、導電性ペーストの塗布方法(たとえばスクリーン印刷)に適した粒径を有することが必要である。
本発明においては、好ましくは、導電性であるあらゆる種類の粒子によって担持された上述の別の金属粒子を使用することもできる。小さな直径の金属粒子は凝集力が強いため、比較的大きな直径を有する粒子によって担持させることによって、金属粒子の量を減少させることができる。別の金属を担持する粒子として、たとえば、安価な炭素粒子またはアルミナ粒子(Al2O3)を使用することができる。より具体的には、本発明において使用される炭素粒子は、不活性雰囲気下で有機前駆体を熱処理することによって製造される炭素、たとえば、Ketchenブラック、カーボンブラック、活性炭、コークス、黒鉛である。炭素粒子の粒径(D50)は、好ましくは1.0〜10.0μmの範囲内である。炭素粒子に担持される金属粒子の粒径(D50)は、好ましくは0.01〜0.2μmの範囲内である。金属粒子の含有率は、炭素粒子の全重量を基準として、好ましくは1〜10重量%の範囲内である。
金属粒子の量は、導電性粉末の全重量を基準として1〜5重量%の範囲内である。添加粒子の量が少なすぎると、効果が得られない。さらに、添加粒子の量が多すぎると、導体抵抗が増加し、焼結性が低下し、費用が増加する。
前述したように、金属粒子は理想的にはRu、Pd、およびPtであるが、これらの金属は高価である。導電性粉末として主として従来使用されてきたAg粉末も高価である。本発明では、このような高価なAg粉末および金属粒子の含有率を制御するために、比較的安価なTi粒子またはTiH2粒子が加えられるため、電極材料の費用を減少させることができる。
2.ガラスフリット
本発明の電気伝導性ペーストは、好ましくは、ガラスフリットの形態の無機バインダーを含有する。本発明においてガラスフリットの化学組成は重要ではないので、電子材料の電気伝導性ペースト中に使用されるガラスフリットであるなら、あらゆるガラスフリットを使用することができる。たとえば、好ましくはホウケイ酸鉛ガラスが使用される。ホウケイ酸鉛ガラスは、軟化点範囲およびガラスの接着の両方の観点から、本発明において優れた材料で。さらに、ケイ酸ビスマス無鉛ガラスなどの無鉛ガラスを使用することもできる。ガラスフリットは350〜600℃の軟化点を有する。
本発明の電気伝導性ペーストは、好ましくは、ガラスフリットの形態の無機バインダーを含有する。本発明においてガラスフリットの化学組成は重要ではないので、電子材料の電気伝導性ペースト中に使用されるガラスフリットであるなら、あらゆるガラスフリットを使用することができる。たとえば、好ましくはホウケイ酸鉛ガラスが使用される。ホウケイ酸鉛ガラスは、軟化点範囲およびガラスの接着の両方の観点から、本発明において優れた材料で。さらに、ケイ酸ビスマス無鉛ガラスなどの無鉛ガラスを使用することもできる。ガラスフリットは350〜600℃の軟化点を有する。
提供されるガラスフリットの形態の無機バインダーの含有率に関して特に制限は存在しないが、その量は、本発明の目的が達成される量で存在する。その量は、ペーストの重量を基準にして、好ましくは0.5〜20.0重量%、より好ましくは1.0〜15.0重量%である。無機バインダーの量が0.5重量%未満である場合には、接着強度が不十分となりうる。無機バインダーの量が15.0重量%を超える場合には、ガラスの流動などのために、後のはんだ付けステップにおいて問題が発生しうる。さらに、導体としての抵抗値も増加する。
3.樹脂バインダー
本発明の電極を製造するための電気伝導性ペーストは、樹脂バインダーを含有する。本発明、任意のあらゆる樹脂バインダーを使用することができる。有機樹脂の種類として、たとえば、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、エチレン−酢酸ビニルコポリマー、および変性セルロース、たとえばポリ塩化ビニル酢酸コポリマー、フェノール樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース、ニトロセルロースが挙げられる。好ましくは、良好な溶剤溶解性を有するエチルセルロースが本発明において使用される。樹脂バインダーの含有率は、ペーストの重量を基準として好ましくは10〜50重量%である。
本発明の電極を製造するための電気伝導性ペーストは、樹脂バインダーを含有する。本発明、任意のあらゆる樹脂バインダーを使用することができる。有機樹脂の種類として、たとえば、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、エチレン−酢酸ビニルコポリマー、および変性セルロース、たとえばポリ塩化ビニル酢酸コポリマー、フェノール樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース、ニトロセルロースが挙げられる。好ましくは、良好な溶剤溶解性を有するエチルセルロースが本発明において使用される。樹脂バインダーの含有率は、ペーストの重量を基準として好ましくは10〜50重量%である。
4.溶剤
本発明においては、必要に応じて粘度調整剤として、溶剤をさらに使用することができる。任意のあらゆる溶剤を使用することができる。溶剤の例としては、芳香族、ケトン、エステル、エーテル、グリコール、グリコールエーテル、およびグリコールエステルが挙げられる。スクリーン印刷が行われる場合は、好ましくは、エチルカルビトールアセテート、ブチルセロソルブアセテート、シクロヘキサノン、ベンジルアルコール、テルピネオールなどの高沸点溶剤が使用される。
本発明においては、必要に応じて粘度調整剤として、溶剤をさらに使用することができる。任意のあらゆる溶剤を使用することができる。溶剤の例としては、芳香族、ケトン、エステル、エーテル、グリコール、グリコールエーテル、およびグリコールエステルが挙げられる。スクリーン印刷が行われる場合は、好ましくは、エチルカルビトールアセテート、ブチルセロソルブアセテート、シクロヘキサノン、ベンジルアルコール、テルピネオールなどの高沸点溶剤が使用される。
5.添加剤
増粘剤および/または安定剤および/またはその他の典型的な添加剤を、本発明の電極を製造するための電気伝導性ペーストに加えてもよいし、加えなくてもよい。加えることができる他の典型的な添加剤の例としては、分散剤および粘度調整剤が挙げられる。添加剤の量は、最終的に要求される電気伝導性ペーストの性質に依存して決定される。添加剤の量は、当業者によって好適に決定することができる。さらに、複数の修理の添加剤を加えることもできる。以下に説明するように、本発明の電気伝導性ペーストは、所定の範囲内の粘度を有する。粘度調整剤は、電気伝導性ペーストに好適な粘度を付与するために必要に応じて加えることができる。加えられる粘度調整剤の量は、粘度最終的な電気伝導性ペーストの粘度に依存して変化するが、その量は当業者によって好適に決定することができる。
増粘剤および/または安定剤および/またはその他の典型的な添加剤を、本発明の電極を製造するための電気伝導性ペーストに加えてもよいし、加えなくてもよい。加えることができる他の典型的な添加剤の例としては、分散剤および粘度調整剤が挙げられる。添加剤の量は、最終的に要求される電気伝導性ペーストの性質に依存して決定される。添加剤の量は、当業者によって好適に決定することができる。さらに、複数の修理の添加剤を加えることもできる。以下に説明するように、本発明の電気伝導性ペーストは、所定の範囲内の粘度を有する。粘度調整剤は、電気伝導性ペーストに好適な粘度を付与するために必要に応じて加えることができる。加えられる粘度調整剤の量は、粘度最終的な電気伝導性ペーストの粘度に依存して変化するが、その量は当業者によって好適に決定することができる。
導電性ペーストを使用した電極の製造:
以下に、電極ペーストを使用した電極の製造の説明を行う。本発明の電極を製造するための電気伝導性ペーストは、ロール混合ミルまたは回転ミキサーなどを使用して前述の各成分を混合することによって製造することができる。本発明電気伝導性ペーストは、好ましくはスクリーン印刷によって太陽電池Siウエハ上に印刷されるが、この種類の印刷によって印刷される場合、ペーストは好ましくは所定の粘度範囲を有する。Brookfield HBT粘度計に#14スピンドルを使用し、ユーティリティカップを使用して10rpmおよび25℃において測定した場合に、電気伝導性ペーストの粘度は好ましくは50〜350Pa・sである。加えられる粘度調整剤の量は、粘度最終的な電気伝導性ペーストの粘度に依存して変化するが、その量は当業者によって好適に決定することができる。スクリーン印刷されたペーストは、約150℃で3〜10分間乾燥される。乾燥されたペーストは、450〜900℃、好ましくは500℃〜800℃の温度で、10〜60秒間焼結される。900℃未満の温度で焼結すると、P−N接合の損傷が減少し、熱損傷によって生じる破壊が発生しにくくなり、および費用が低下するという利点が得られる。
以下に、電極ペーストを使用した電極の製造の説明を行う。本発明の電極を製造するための電気伝導性ペーストは、ロール混合ミルまたは回転ミキサーなどを使用して前述の各成分を混合することによって製造することができる。本発明電気伝導性ペーストは、好ましくはスクリーン印刷によって太陽電池Siウエハ上に印刷されるが、この種類の印刷によって印刷される場合、ペーストは好ましくは所定の粘度範囲を有する。Brookfield HBT粘度計に#14スピンドルを使用し、ユーティリティカップを使用して10rpmおよび25℃において測定した場合に、電気伝導性ペーストの粘度は好ましくは50〜350Pa・sである。加えられる粘度調整剤の量は、粘度最終的な電気伝導性ペーストの粘度に依存して変化するが、その量は当業者によって好適に決定することができる。スクリーン印刷されたペーストは、約150℃で3〜10分間乾燥される。乾燥されたペーストは、450〜900℃、好ましくは500℃〜800℃の温度で、10〜60秒間焼結される。900℃未満の温度で焼結すると、P−N接合の損傷が減少し、熱損傷によって生じる破壊が発生しにくくなり、および費用が低下するという利点が得られる。
裏面電極型PVの製造:
一実施形態においては、本発明の電極は、反対側にN層およびP層の両方を有する裏面電極型太陽電池中に使用することができる。以下に、図1中に示されるような、裏面電極型太陽電池の説明、および裏面電極型太陽電池電極の製造方法の説明を行いながら、太陽電池の製造の一例の説明も行う。
一実施形態においては、本発明の電極は、反対側にN層およびP層の両方を有する裏面電極型太陽電池中に使用することができる。以下に、図1中に示されるような、裏面電極型太陽電池の説明、および裏面電極型太陽電池電極の製造方法の説明を行いながら、太陽電池の製造の一例の説明も行う。
図1Aは、裏面電極型太陽電池の一部の断面図であり、図1Bは、受光側とは反対側上の電極パターンの一部を示す上面図である。裏面電極型太陽電池100は、受光セクション102、キャリア発生セクション104、および電極セクション106から構成される。受光セクション102はテクスチャー構造を有し、その表面は反射防止膜108で覆われている。反射防止膜108は、たとえば、二酸化チタン(TiO2)および二酸化ケイ素(SiO2)から構成される薄膜である。この反射防止膜108で覆われたテクスチャー構造を受光セクション102が有することで、より多くの入射光がキャリア発生セクション104に入射し、それによって太陽電池100の変換効率を増加させることが可能となる。
キャリア発生セクション104は半導体110から構成される。受光セクション102からの光(特に、半導体110のバンドギャップ以上のエネルギーを有する光)がこの半導体110に入射すると、価電子帯電子が伝導帯まで励起し、伝導帯中に自由電子が発生し、価電子帯中に自由正孔が発生する。これらの自由電子および自由正孔はキャリアと呼ばれる。これらのキャリアが、キャリア発生セクション104中で再結合する前に、拡散によって電極セクション106に到達すると、電極セクション106から電流を得ることができる。したがって、太陽電池100の変換効率を増加させるためには、キャリア再結合が減少する(すなわち長いキャリア寿命を有する)半導体を使用することが好ましい。この理由のため、キャリア発生セクション104中で使用される半導体110は好ましくは、たとえば結晶シリコンである。
電極セクション106は、キャリア発生セクション104中で発生した電流が得られるセクションである。この電極セクション106は、半導体110の受光セクション102の側とは反対側の上に形成される。電極セクション106はアノード112およびカソード114を有し、これらは半導体110の受光セクション102の側の反対側の上に交互に形成される。アノードおよびカソードは、三角形の断面を有するV字型溝116および118の形態でそれぞれ形成される。アノードのV字型溝116の中にはp層120が形成され、カソードのV字型溝118の中にはn層122が形成される。受光セクション102の側とは反対側の表面は、酸化物膜124で覆われる。さらに、電気伝導性ペーストから形成された電極126がV字型溝中に埋め込まれる。
次に、図2〜5を参照しながら裏面電極型太陽電池の製造方法の説明を行うとともに、本発明の裏面電極型太陽電池電極の製造方法の説明を行う。
最初に、図2〜5を参照しながら裏面電極型太陽電池電極の製造に使用される裏面電極型太陽電池基体の製造を説明する。
シリコン基体202を提供し、その両側に酸化物膜204aおよび204bを形成する(図2A)。これらの酸化物膜は、たとえば熱酸化によって形成することができる。次に、シリコン基体の一方の側の上の酸化物膜204aを、フォトリソグラフィまたはレーザーエッチングなどによって除去して、所定の幅(たとえば、幅100μmおよび間隔300μm)のストライプを残す(図2B)。
次に、酸化物膜の一部が除去された側に対して、水酸化カリウム(KOH)または水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)異方性エッチングを行って、三角形の断面を有するストライプの形態のV字型溝206(たとえば300μmの間隔で)を形成する(図2C)。
次に、V字型溝206が形成された基体を拡散炉中に入れて、リンを拡散させる。これらのステップの結果、図2Dに示されるように、V字型溝206が形成されたシリコン部分上にn層208が形成される。拡散炉中、リン材料として機能するガスを中断して、酸素のみを導入することによって、V字型溝206の表面を酸化物膜で覆うことができる(図2E)。
次に、この方法で得られた基体(図3A)から、酸化物膜204aのV字型溝206の間の部分において、フォトリソグラフィまたはレーザーエッチングを行うことによって、等間隔で酸化物膜を除去する(図3B)。たとえば、V字型溝206の間の酸化物膜部分の幅が300μmである場合、この酸化物膜部分の両側のV字型溝206の距離が100μmとなるように酸化物膜が除去される。
次に、酸化物膜が除去された場所において水酸化カリウム(KOH)または水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)などを使用して異方性エッチングを行って、三角形の断面を有するストライプの形態のV字型溝302(たとえば、幅100μm)を形成する(図3C)。
次に、V字型溝302が形成された基体を拡散炉中有に入れて、ホウ素を拡散させる。その結果、図3D中に示されるように、V字型溝302のシリコン部分上にp層304が形成される。拡散炉中、ホウ素材料として機能するガスを中断して、酸素のみを導入することによって、V字型溝302の表面を酸化物膜で覆うことができる(図3E)。
この方法で2種類のV字型溝が形成されたシリコン基体202(図4A)の他方の表面(酸化物膜204bが形成される表面)上の酸化物膜を除去した後、水酸化カリウム(KOH)または水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)などを使用して異方性エッチングを行って、三角形の断面を有するストライプの形態のテクスチャー構造402を形成する(図4B)。次に、拡散炉中でドライ酸化を行うことによって、基体の他方の側の上に酸化物膜404を形成する(図4C)。
続いて、たとえば、スパッタリングなどによって常温で酸化物膜404の側の上に二酸化チタン(TiO2)を堆積する(二酸化チタン膜:406)。その結果、テクスチャー構造を有する反射防止膜を有する受光側が、基体の反対側に形成される(図4D)。
次に、電気伝導性ペーストを使用して電極を形成する(本発明の製造方法のステップ(1))。このステップにおいては、前述の方法を使用して得られた基体(図5A)のV字型溝の中に電気伝導性ペースト502が埋め込まれる(図5B)。電気伝導性ペーストの埋め込みは、スクリーン印刷、ステンシル印刷、またはディスペンサー塗布などのパターン化方法によって行うことができる。
次に、電気伝導性ペーストが充填された基体(図5A)を所定の温度(たとえば、450〜900℃)で焼成する(図5C)(本発明の製造方法のステップ(2))。その結果、電極504が形成される。
本発明においては、n層208およびp層304の上に酸化物膜が形成される場合、電極の形成中に電気伝導性ペーストを焼成して酸化物膜を介して焼成することで、電極材料が半導体に直接結合し、電気接点が形成される。
本発明の裏面電極型太陽電池電極は、図2〜5中に示される方法により製造される。
p型ベースPVの製造:
本発明の別の一実施形態においては、p型シリコン層がベースとして使用され、電極がベースの受光面上に存在する、すなわち、表面と裏側との両方に存在するp型ベース太陽電池中に本発明の電極を使用することができる。以下に、本発明の電極を使用したシリコン型太陽電池の説明、および図1に示す構造を有する太陽電池の例を使用したシリコン型太陽電池の製造方法の説明を行う。
本発明の別の一実施形態においては、p型シリコン層がベースとして使用され、電極がベースの受光面上に存在する、すなわち、表面と裏側との両方に存在するp型ベース太陽電池中に本発明の電極を使用することができる。以下に、本発明の電極を使用したシリコン型太陽電池の説明、および図1に示す構造を有する太陽電池の例を使用したシリコン型太陽電池の製造方法の説明を行う。
図6Aは、p型シリコン基体601を示している。
図6B中、リン(P)の熱拡散などによって、導電型が逆であるn層602を形成する。リン拡散源としてはオキシ塩化リン(POCl3)が一般に使用される。特に修正を行わない場合、n層602はシリコン基体601の全面上に形成される。シリコンウエハは、p型基体601からなり、n層602は典型的には数十オーム/スクエア(Ω/°)程度のシート抵抗を有する。レジストなどを使用してn層の1つの表面を保護した後、エッチングによって大部分の表面からn層602を除去し、それによって、図6C中に示されるように1つの主面上にのみn層602が残存する。次に、有機溶剤などを使用してレジストを除去する。次に、プラズマ化学気相堆積(CVD)などの方法によって、図6D中に示されるように、n層602上に反射防止コーティング603を形成する。図6E中に示されるように、反射防止コーティング603である窒化ケイ素膜の上に、前面電極604用の導電性ペーストをスクリーン印刷した後、乾燥させる。本発明は、前面電極604に使用することができる。次に、基体601の裏面上に導電性ペーストをスクリーン印刷して裏面電極605を形成し、続いて乾燥させる。本発明は、前面電極と同様に裏面電極605にも使用することができる。裏面導電層は、それぞれ異なる金属を含む2つの層であってよい。次に、赤外炉中、約450℃〜900℃の温度範囲で数分から数十分間焼成を行う。
n型ベースPVの製造:本発明の別の一実施形態においては、n型シリコン層がベースとして使用され、ベースの受光面上、すなわち、前面とベースの反対側、すなわち裏側との上に電極が存在するn型ベース太陽電池中に本発明の電極を使用することができる。図7Aはn型シリコン基体701を示している。図7B中、ホウ素(B)の熱拡散などによって、導電型が逆であるp層702が形成される。ホウ素拡散源としては三臭化ホウ素(BBr3)が一般に使用される。特に修正を行わない場合、p層702はn型シリコン基体701の全面上に形成される。シリコーンウエハはn型基体701からなり、p層702は典型的には数十オーム/スクエア(Ω/℃)程度のシート抵抗を有する。レジストなどを使用してp層の1つの表面を保護した後、エッチングによって大部分の表面からp層702を除去すると、それによって、図7C中に示されるように1つの主面上にのみp層702が残存する。次に、有機溶剤などを使用してレジストを除去する。次に、プラズマ化学気相堆積(CVD)などの方法によって、図7D中に示されるようにp層702に反射防止コーティング703を形成する。図7E中に示されるように、窒化ケイ素膜703上に、前面電極704用の導電性ペーストをスクリーン印刷する。本発明は前面電極704に使用することができる。さらに、n型シリコン基体701の裏面上にも導電性ペーストをスクリーン印刷し、続いて乾燥させる。本発明は、前面電極と同様に裏面電極705にも使用することができる。導電層は、それぞれ異なる金属を含む2つの層であってよい。次に、赤外炉中、約450℃〜900℃の温度範囲で数分から数十分間焼成を行う。
p型ベースおよびn型ベースの両方の太陽電池で、半導体が、たとえば光触媒として使用され、半導体のバンドギャップエネルギーを超えるエネルギーを有する光が照射されると、価電子帯の電子が伝導帯まで光励起して、伝導帯で自由電子が発生し、これに対して、正孔が価電子帯に発生する。キャリアと呼ばれるこれらの自由電子および正孔が再結合する前に電極に多くの電子が到達するほど、多くの電流が得られる。したがって、再結合を減少させることが、太陽電池の効率を増加させるのに効果的となる。
本発明を以下の実施例によって説明するが、本発明がこれらに限定されるものではない。
(I)導電性ペースト材料
以下の材料を使用して導電性ペーストを製造した。
(i)導電性粉末
−銀粒子:フレーク粉末[レーザー散乱型粒度分布測定装置を使用して測定したD50が2.7μm]
−チタン粒子:非晶質粉末[レーザー散乱型粒度分布測定装置を使用して測定したD50が27μm](TIE06PB、純度99.9%、高純度化学研究所)
−パラジウム粒子:球状粉末[レーザー散乱型粒度分布測定装置を使用して測定したD50が0.8μm]
(ii)ガラスフリット:ホウケイ酸鉛ガラス(軟化点:440℃)
(iii)樹脂バインダー:エチルセルロース
(iv)溶剤:テルピネオール
以下の材料を使用して導電性ペーストを製造した。
(i)導電性粉末
−銀粒子:フレーク粉末[レーザー散乱型粒度分布測定装置を使用して測定したD50が2.7μm]
−チタン粒子:非晶質粉末[レーザー散乱型粒度分布測定装置を使用して測定したD50が27μm](TIE06PB、純度99.9%、高純度化学研究所)
−パラジウム粒子:球状粉末[レーザー散乱型粒度分布測定装置を使用して測定したD50が0.8μm]
(ii)ガラスフリット:ホウケイ酸鉛ガラス(軟化点:440℃)
(iii)樹脂バインダー:エチルセルロース
(iv)溶剤:テルピネオール
(II)導電性ペーストの製造
エチルセルロース樹脂およびテルピネオールを混合し、加熱し、溶解させ、次にその混合物を室温まで冷却して、16重量%の樹脂濃度のテルピネオール溶液を得た。68.0重量%の銀粒子粉末、7.0重量%のガラスフリット、および25.0重量%のテルピネオール溶液を以下の比率で秤量し、混合して、その混合物を3本ロールミルで処理して、Agペーストを得た。次に、Ag−Pd混合物のペーストを製造するための材料として、65.3重量%の銀粉末、2.7重量%のパラジウム粉末、7.0重量%のガラスフリット、および25.0重量%のテルピネオール溶液を同様に使用した。50.0重量%Ti粒子および50.0重量%テルピネオール溶液も秤量し、混合して、その混合物を、それ自体周知の回転型ミキサーで2分間処理して、Tiペーストを得た。この結果得られたAgペースト、Ag−Pdペースト、およびTiペーストを表1中に示す比率で混合し、その混合物を回転型ミキサーで30秒間処理した。導電性ペースト組成物1〜11は、表1中に示される種々のAgペースト、Pdペースト、およびTiペーストの含有率を有する。各ペースト中の導電性粉末の全重量に対するAg粒子、Ti粒子、およびPd粒子の重量%を表2中に示している。
エチルセルロース樹脂およびテルピネオールを混合し、加熱し、溶解させ、次にその混合物を室温まで冷却して、16重量%の樹脂濃度のテルピネオール溶液を得た。68.0重量%の銀粒子粉末、7.0重量%のガラスフリット、および25.0重量%のテルピネオール溶液を以下の比率で秤量し、混合して、その混合物を3本ロールミルで処理して、Agペーストを得た。次に、Ag−Pd混合物のペーストを製造するための材料として、65.3重量%の銀粉末、2.7重量%のパラジウム粉末、7.0重量%のガラスフリット、および25.0重量%のテルピネオール溶液を同様に使用した。50.0重量%Ti粒子および50.0重量%テルピネオール溶液も秤量し、混合して、その混合物を、それ自体周知の回転型ミキサーで2分間処理して、Tiペーストを得た。この結果得られたAgペースト、Ag−Pdペースト、およびTiペーストを表1中に示す比率で混合し、その混合物を回転型ミキサーで30秒間処理した。導電性ペースト組成物1〜11は、表1中に示される種々のAgペースト、Pdペースト、およびTiペーストの含有率を有する。各ペースト中の導電性粉末の全重量に対するAg粒子、Ti粒子、およびPd粒子の重量%を表2中に示している。
(III)試験片の製造
電極(長さ10mm、幅1mm、厚さ20μm)802の間の間隔を1mmとして、Nベース型およびPベース型のSiウエハ(25mm×25mm)801の上に上記方法で得た導電性ペーストスクリーン印刷した(図8A)。すなわち、導電性ペーストは、n型ベースSiウエハ中のp層上、およびp型ベースSiウエハ中のn層上に印刷した。ウエハ上に印刷した導電性ペーストを、対流式オーブン中150℃で5分間乾燥させた。次に、種々の温度設定(650℃、700℃、および725℃)でIR加熱型のベルト炉中で焼結することによって電極を得た。焼結中のベルト速度は370cpmであった。
電極(長さ10mm、幅1mm、厚さ20μm)802の間の間隔を1mmとして、Nベース型およびPベース型のSiウエハ(25mm×25mm)801の上に上記方法で得た導電性ペーストスクリーン印刷した(図8A)。すなわち、導電性ペーストは、n型ベースSiウエハ中のp層上、およびp型ベースSiウエハ中のn層上に印刷した。ウエハ上に印刷した導電性ペーストを、対流式オーブン中150℃で5分間乾燥させた。次に、種々の温度設定(650℃、700℃、および725℃)でIR加熱型のベルト炉中で焼結することによって電極を得た。焼結中のベルト速度は370cpmであった。
(IV)抵抗の測定
ソースメーター(2420、Keithley Instruments Inc.)を使用して、電極間の抵抗(パッド間の抵抗、Ω)を測定した。図8B中に示されるように、パッド間で測定される抵抗は、Siウエハ抵抗、電極自体の抵抗、およびSiウエハと電極との間の界面における接触抵抗の合計であった。電極抵抗は、他の抵抗と比較して相対的に非常に低い。Siウエハの抵抗は、サンプル間でほぼ同じである。同じSiウエハを使用したので、パッド間の抵抗はすべて同じSiウエハ抵抗であった。一般に知られているように電極の固有抵抗は比較的低い。したがってパッド間の抵抗の大きさは、すなわち接触抵抗の大きさを表している。
ソースメーター(2420、Keithley Instruments Inc.)を使用して、電極間の抵抗(パッド間の抵抗、Ω)を測定した。図8B中に示されるように、パッド間で測定される抵抗は、Siウエハ抵抗、電極自体の抵抗、およびSiウエハと電極との間の界面における接触抵抗の合計であった。電極抵抗は、他の抵抗と比較して相対的に非常に低い。Siウエハの抵抗は、サンプル間でほぼ同じである。同じSiウエハを使用したので、パッド間の抵抗はすべて同じSiウエハ抵抗であった。一般に知られているように電極の固有抵抗は比較的低い。したがってパッド間の抵抗の大きさは、すなわち接触抵抗の大きさを表している。
(V)結果
表2は、種々の導電性ペーストを使用して形成した電極のパッド間の抵抗の測定結果を示している。導電性ペースト7〜11を使用して形成した電極のパッド間の抵抗は、焼結温度とは無関係に、n層上で2.0Ω以下、p層上で20Ω以下であった。すなわち、銀、チタン、およびパラジウムを含有するペーストをn層およびp層の両方の上に形成した場合でさえも、焼結温度とは無関係にパッド間の抵抗を低く維持することができた。
表2は、種々の導電性ペーストを使用して形成した電極のパッド間の抵抗の測定結果を示している。導電性ペースト7〜11を使用して形成した電極のパッド間の抵抗は、焼結温度とは無関係に、n層上で2.0Ω以下、p層上で20Ω以下であった。すなわち、銀、チタン、およびパラジウムを含有するペーストをn層およびp層の両方の上に形成した場合でさえも、焼結温度とは無関係にパッド間の抵抗を低く維持することができた。
(VI)TiH2の使用
次に、銀、チタン、およびパラジウムを含有するペースト4〜10に使用される組成物中のチタン粒子を水酸化チタン(TiH2)粒子(TII04PB、高純度化学研究所)に交換したことを除けば前述と同じ方法でペースト12〜19を調製した。ペースト中に含まれる銀、チタン、およびパラジウムの含有率を表3中に示す。使用したTiH2の平均粒径(D50)は5〜10umであった。これらのペースト12〜19を使用して得られたパッド間の抵抗を前述と同じ方法で測定した(表3)。
次に、銀、チタン、およびパラジウムを含有するペースト4〜10に使用される組成物中のチタン粒子を水酸化チタン(TiH2)粒子(TII04PB、高純度化学研究所)に交換したことを除けば前述と同じ方法でペースト12〜19を調製した。ペースト中に含まれる銀、チタン、およびパラジウムの含有率を表3中に示す。使用したTiH2の平均粒径(D50)は5〜10umであった。これらのペースト12〜19を使用して得られたパッド間の抵抗を前述と同じ方法で測定した(表3)。
導電性ペースト12〜19を使用して形成した電極のパッド間の抵抗は、焼結温度とは無関係にn層上で2.0Ω以下、p層上で20.0Ω以下であった。すなわち、65.3〜92.2重量%の銀、4〜32重量%のTiH2、および2.7〜3.8重量%のパラジウムを含有するペーストをn層およびp層の両方の上で形成した場合でさえも、焼結温度とは無関係にパッド間の抵抗を低く維持することができた。
従来、パッド間の抵抗が低い導電性ペーストはn層上では存在したが、本発明の電極は、n層およびp層の両方の上で使用した場合にパッド間で低い抵抗が得られる。したがってベースの種類によって異なる導電性ペーストを使用する必要がなくなり、一方の側にn層およびp層の両方を有する裏面電極型太陽電池における使用に本発明が理想的となる。さらに、高温で焼結した場合でさえも抵抗が増加しないので、焼結温度を調節せずに抵抗を低く維持することが可能となる。すなわち、従来は導電性ペーストに適合した焼結温度に設定することが必要であったが、本発明の導電性ペーストを使用する場合には、設定可能な焼結温度の範囲がより広いため、抵抗の低い電極を適合させて太陽電池中に形成することができる。
Claims (6)
- (a)導電性粉末であって、銀粒子、Ti粒子、またはTiH2粒子、ならびに(i)Zr、Cr、Co、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、W、Re、Os、Ir、およびPtからなる群から選択される金属粒子、(ii)前記金属を含む合金粒子、あるいは(iii)前記金属粒子を担持する担持粒子、を含有する導電性粉末と;
(b)ガラスフリットと;
(c)樹脂バインダーと
を含む、導電性ペーストを焼結することによって形成される、太陽電池電極。 - 前記導電性粉末が、30〜98重量%の銀粒子、1〜70重量%のTi粒子またはTiH2粒子、および1〜10重量%の(i)Zr、Cr、Co、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、W、Re、Os、Ir、およびPtからなる群から選択される金属粒子、(ii)前記金属を含む合金粒子、あるいは(iii)前記金属粒子を担持する担持粒子、を含有する、請求項1に記載の太陽電池電極。
- 太陽電池電極の製造方法であって、
(a)銀粒子、Ti粒子、またはTiH2粒子、ならびに(i)Zr、Cr、Co、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、W、Re、Os、Ir、およびPtからなる群から選択される金属粒子、(ii)前記金属を含む合金粒子、あるいは(iii)前記金属粒子を担持する担持粒子、を含有する導電性粉末と;
(b)ガラスフリットと;
(c)樹脂バインダーと
を含有する太陽電池電極用導電性ペーストを、シリコン基体上に塗布するステップと、
塗布された前記導電性ペーストを焼結するステップと
を含む、太陽電池電極の製造方法。 - 前記ペーストが450〜900℃で焼結される、請求項3に記載の太陽電池電極の製造方法。
- 前記導電性粉末が、30〜98重量%の銀粒子、1〜70重量%のTi粒子またはTiH2粒子、および1〜10重量%の(i)Zr、Cr、Co、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、W、Re、Os、Ir、およびPtからなる群から選択される金属粒子、(ii)前記金属を含む合金粒子、あるいは(iii)前記金属粒子を担持する粒子から選択される添加粒子、を含有する、請求項3に記載の太陽電池電極の製造方法。
- 太陽電池電極の製造方法であって、前記方法が、
(a)銀粒子、Ti粒子、またはTiH2粒子、ならびに(i)Zr、Cr、Co、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、W、Re、Os、Ir、およびPtからなる群から選択される金属粒子、(ii)前記金属を含む合金粒子、あるいは(iii)前記金属粒子を担持する担持粒子、を含有する導電性粉末と;
(b)ガラスフリットと;
(c)樹脂バインダーと
を含有する太陽電池電極用導電性ペーストをシリコン基体のn層およびp層の両方の上に塗布して焼結するステップを含む、太陽電池電極の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16763609P | 2009-04-08 | 2009-04-08 | |
US61/167,636 | 2009-04-08 | ||
PCT/US2010/030069 WO2010118004A1 (en) | 2009-04-08 | 2010-04-06 | Solar cell electrode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012523696A true JP2012523696A (ja) | 2012-10-04 |
Family
ID=42201180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012504770A Pending JP2012523696A (ja) | 2009-04-08 | 2010-04-06 | 太陽電池電極 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8263858B2 (ja) |
EP (1) | EP2417607A1 (ja) |
JP (1) | JP2012523696A (ja) |
KR (1) | KR20110135880A (ja) |
CN (1) | CN102369580A (ja) |
TW (1) | TW201101337A (ja) |
WO (1) | WO2010118004A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101199194B1 (ko) * | 2010-10-28 | 2012-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지 |
KR101497038B1 (ko) * | 2011-04-07 | 2015-03-02 | 주식회사 엘지화학 | 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법 |
CN102222732A (zh) * | 2011-06-30 | 2011-10-19 | 江阴浚鑫科技有限公司 | 太阳能电池片烧结方法 |
TWI528382B (zh) * | 2011-07-29 | 2016-04-01 | 碩禾電子材料股份有限公司 | 導電組合物及其製造方法 |
WO2013024602A1 (ja) | 2011-08-15 | 2013-02-21 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 有機太陽電池用有機材料の評価装置および評価方法 |
MX2014004393A (es) * | 2011-10-11 | 2014-08-22 | Exeger Sweden Ab | Metodo para la fabricacion de celdas solares sensibilizadas con tintes y celdas solares de este modo producidas. |
TWI552975B (zh) * | 2011-10-25 | 2016-10-11 | 賀利氏貴金屬北美康舍霍肯有限責任公司 | 含有金屬奈米顆粒之導電膠組合物 |
CN102637467A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-08-15 | 苏州晶讯科技股份有限公司 | 用于硅晶太阳能电池正面电极的导电浆料 |
KR101315407B1 (ko) | 2012-06-04 | 2013-10-07 | 한화케미칼 주식회사 | 에미터 랩 스루 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
CN103632953B (zh) * | 2012-08-20 | 2016-04-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种基于氧化硅衬底的v型槽结构的制作方法 |
CN103030935B (zh) * | 2012-12-13 | 2014-12-03 | 台州市竞日电子浆料有限公司 | 可调电阻的浆料及其制作方法 |
US20150007874A1 (en) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Back-contact solar cell module |
CN103489501B (zh) * | 2013-09-13 | 2016-01-20 | 厦门大学 | 一种复合导电钼浆及应用其制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极的方法 |
KR101627204B1 (ko) | 2013-11-28 | 2016-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
US20150197645A1 (en) * | 2014-01-16 | 2015-07-16 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacturing non-firing type electrode |
EP3144986A4 (en) * | 2014-05-16 | 2017-11-22 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module |
CN104009124B (zh) * | 2014-06-13 | 2018-09-18 | 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 | 太阳能电池超精细电极转移薄膜、制备方法及其应用方法 |
US9997653B2 (en) | 2015-10-12 | 2018-06-12 | E I Du Pont De Nemours And Company | Back-contact solar cell and method for manufacturing the same |
JP6741626B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2020-08-19 | 信越化学工業株式会社 | 高効率裏面電極型太陽電池及びその製造方法 |
KR102406747B1 (ko) * | 2018-12-21 | 2022-06-08 | 창저우 퓨전 뉴 머티리얼 씨오. 엘티디. | 태양전지 전극 형성 방법 및 태양전지 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5911687A (ja) | 1982-07-12 | 1984-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池 |
JPS5933868A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置用電極材料 |
JP2001307549A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Furuya Kinzoku:Kk | 銀ペースト及びその製造方法 |
JP2002141520A (ja) | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
JP3967911B2 (ja) | 2001-11-19 | 2007-08-29 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子の製造方法 |
JP3853793B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2006-12-06 | 京セラケミカル株式会社 | 太陽電池用導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
JP4846219B2 (ja) | 2004-09-24 | 2011-12-28 | シャープ株式会社 | 結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
US7435361B2 (en) * | 2005-04-14 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
US20080230119A1 (en) | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Hideki Akimoto | Paste for back contact-type solar cell |
US8309844B2 (en) * | 2007-08-29 | 2012-11-13 | Ferro Corporation | Thick film pastes for fire through applications in solar cells |
US20090211626A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Hideki Akimoto | Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells |
-
2010
- 2010-04-06 KR KR1020117026445A patent/KR20110135880A/ko active IP Right Grant
- 2010-04-06 JP JP2012504770A patent/JP2012523696A/ja active Pending
- 2010-04-06 US US12/754,655 patent/US8263858B2/en active Active
- 2010-04-06 EP EP10712869A patent/EP2417607A1/en not_active Withdrawn
- 2010-04-06 WO PCT/US2010/030069 patent/WO2010118004A1/en active Application Filing
- 2010-04-06 CN CN2010800158918A patent/CN102369580A/zh active Pending
- 2010-04-08 TW TW099110920A patent/TW201101337A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100258182A1 (en) | 2010-10-14 |
WO2010118004A1 (en) | 2010-10-14 |
TW201101337A (en) | 2011-01-01 |
EP2417607A1 (en) | 2012-02-15 |
US8263858B2 (en) | 2012-09-11 |
KR20110135880A (ko) | 2011-12-19 |
CN102369580A (zh) | 2012-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012523696A (ja) | 太陽電池電極 | |
US8138415B2 (en) | Paste for back contact-type solar cell | |
CA2718207C (en) | Solar cell device and manufacturing method therefor | |
US8088993B2 (en) | Solar cell electrode | |
JP2011519150A (ja) | シリコン太陽電池用導電ペーストおよびグリッド電極 | |
JP5438113B2 (ja) | アルミニウムペーストおよびシリコン太陽電池の製造におけるアルミニウムペーストの使用 | |
JP2010524257A (ja) | 厚膜伝導性組成物、および半導体デバイスの製造における使用方法 | |
JP2006332032A (ja) | 半導体デバイスの製造に使用される導電性組成物および方法 | |
JP2006302890A (ja) | 半導体デバイスの製造方法、およびそこで使用される導電性組成物 | |
TW201007967A (en) | A process of forming a silicon solar cell | |
JP2013122916A (ja) | 厚膜伝導性組成物およびその使用 | |
TW201333975A (zh) | 含有氧化銻之厚膜組成物及其於製造半導體裝置的用途 | |
JP2017152520A (ja) | メタルマスクによるスクリーン印刷用の導体ペーストおよびその利用 | |
JP2017092253A (ja) | 導電性組成物 | |
CN108307664B (zh) | 背接触式太阳能电池及其制造方法 | |
KR101165160B1 (ko) | 태양전지 소자 및 그 제조방법 |