CN108307664B - 背接触式太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于制造背接触式太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：(i)制备半导体基底，该半导体基底在其背侧面上包含n层和p层；(ii)将导电糊料施加在该n层和该p层二者上，其中该导电糊料包含银(Ag)粉末，钯(Pd)粉末，选自由钼(Mo)、硼(B)和其混合物组成的组的附加的金属粉末，玻璃料，以及有机介质；以及(iii)烧制所施加的导电糊料。

Description

背接触式太阳能电池及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种背接触式太阳能电池，更具体地涉及其电极。
背景技术
要求背接触式太阳能电池的电极在p层和n层二者上具有低电阻。
US 2010258182披露了在p层和n层二者上具有电极的背接触式太阳能电池。该电极由含有以下各项的导电糊料形成：(a)含有以下各项的导电粉末：Ag粉末、Ti颗粒或TiH2颗粒，以及(i)选自由Zr、Cr、Co、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、W、Re、Os、Ir和Pt组成的组的金属颗粒，(ii)包括所述金属的合金颗粒，或者(iii)承载所述金属颗粒的载体颗粒；(b)玻璃料；以及(c)树脂粘合剂。
发明内容
目的是提供一种在n层和p层二者上具有电极的背接触式太阳能电池，该电极具有足够的电特性。
一个方面涉及一种用于制造背接触式太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：(i)制备半导体基底，该半导体基底在其背侧面上包含n层和p层；(ii)将导电糊料施加在该n层和该p层二者上，其中该导电糊料包含银(Ag)粉末，钯(Pd)粉末，选自由钼(Mo)、硼(B)和其混合物组成的组的附加的金属粉末，玻璃料，以及有机介质；以及(iii)烧制所施加的导电糊料。
另一方面涉及一种包含电极的背接触式太阳能电池，其中该电极包含银，钯和选自由钼(Mo)、硼(B)和其混合物组成的组的附加的金属，以及玻璃。
可以通过本发明提供具有电极(具有足够的电特性)的背接触式太阳能电池。
附图说明
图1是背接触式太阳能电池的截面示意图；
图2A至2E是用于解释背接触式太阳能电池的制造方法的图；
图3A至3D是用于解释背接触式太阳能电池的制造方法的图；
图4A至4D是用于解释背接触式太阳能电池的制造方法的图；
图5是用来解释实例的测量方法的图。
实施方式
背接触式太阳能电池的实例100包含光接收部分102、载流子产生部分104以及电极部分106，如在图1中所示。该光接收部分102具有纹理化结构，并且其表面覆盖有减反射膜108。该减反射膜108是由例如二氧化钛(TiO2)和二氧化硅(SiO2)构成的薄膜。由于该光接收部分102具有被减反射膜108覆盖的纹理化结构，更多的太阳光进入载流子产生部分104，由此该背接触式太阳能电池100的发电量可以增加。
该载流子产生部分104是半导体110。当光从该光接收部分102进入该半导体110时，价带电子被激发到导带上，自由电子在该导带中产生，并且自由空穴在该价带中产生。这些自由电子和自由空穴被称为载流子。
如果这些载流子在该载流子产生部分104中复合之前扩散到达该电极部分106，则可以从该电极部分106获得电流。因此，为了增加该太阳能电池100的转化效率，优选的是使用削弱载流子复合的半导体。由于这个原因，在该载流子产生部分104中使用的半导体110是例如晶体硅片。
该电极部分106是其中获得在该载流子产生部分104中所产生的电流的部分。此电极部分106在该太阳能电池100的光接收部分102的相反侧面上形成。该电极部分106具有阳极112和阴极114。在实施例中，该阳极112和该阴极可以交替地在该半导体110的背侧面上形成。
该阳极112和该阴极114分别以具有三角形截面的V型槽116和118的形式形成。p层120在该阳极112的V型槽116中形成，并且n层122在该阴极114的V型槽118中形成。该光接收部分102的相反侧面的表面覆盖有氧化膜124。此外，电极126嵌入V型槽116和118中。该电极包含银，钯和选自由钼(Mo)、硼(B)和其混合物组成的组的附加的金属，以及玻璃。
背接触式太阳能电池的制造方法
用于制造背接触式太阳能电池的方法包括以下步骤：(i)制备半导体基底，该半导体基底在其背侧面上包含n层和p层；(ii)将导电糊料施加在该n层和该p层二者上；以及(iii)烧制所施加的导电糊料。
制备半导体基底202，并且钝化层204a和204b在其两侧上形成(图2A)。在实施例中，该半导体基底202可以是硅片。这些钝化层204a和204b可以例如通过热氧化形成。在该半导体基底一侧上的钝化层204a通过光刻法或激光蚀刻等去除留下预定图案的条带，例如100μm的宽度以及300μm的间隔(图2B)。各向异性蚀刻用氢氧化钾(KOH)或氢氧化四甲基铵(TMAH)在一侧上进行，氧化膜的一部分已经由该侧去除以便以具有三角形截面的条带形式形成V型槽206(图2C)。
将其中已经形成这些V型槽206的基底置于扩散炉中以扩散磷，由此在这些V型槽处形成n层208(图2D)。在该扩散炉中，通过中断充当磷材料的气体并且仅引入氧气，这些V型槽206的表面可以覆盖有氧化膜(图2E)。
钝化层204然后以在这些V型槽206之间的某些间隔由该基底部分去除(图3A)，并且新的V型槽302如以上描述的在去除钝化层的裸区处形成(图3B)。
将已经形成这些V型槽302的基底置于扩散炉中以扩散硼，由此在硅基底202上在这些V型槽302处形成p层304(图3C)。在该扩散炉中，通过中断充当硼材料的气体并且仅引入氧气，这些V型槽302的表面可以覆盖有氧化膜(图3D)。
在从光接收侧面去除钝化层204b之后，用KOH或TMAH进行各向异性蚀刻，以便在该光接收侧面形成纹理化结构402(图4A)。通过然后在扩散炉中进行干氧化，在该光接收侧面上形成钝化层404(图4B)。
随后，例如然后通过溅射将二氧化钛(TiO2)沉积在该钝化层404上以形成TiO2层406。因此，由该钝化层404和该TiO2层406组成的减反射涂层(ARC)在该光接收侧面形成(图4C)。
将该导电糊料502施加在这些V型槽中(图4D)。在实施例中，该导电糊料502可以通过图案化方法如丝网印刷、漏板印刷或滴涂来施加。在实施例中，然后将所施加的糊料502在约150℃下干燥3至10分钟。在另一个实施例中，所施加的糊料可以不经干燥步骤而直接进入下一个烧制步骤。
在温度例如450℃至950℃下烧制该导电糊料502以形成电极。在实施例中，在烧制期间，该导电糊料穿透该钝化层204a以分别到达n层208和p层304。在另一个实施例中，可以在施加该导电糊料之前例如通过激光烧蚀在该钝化层204a中制作开口。
用于制造太阳能电池的方法不限于参考附图的以上实施例。本发明适用于各种类型的太阳能电池结构和方法。例如，本发明可以应用于没有凹槽的太阳能电池。
导电糊料
该导电糊料包含银(Ag)粉末；钯(Pd)粉末；选自由钼(Mo)、硼(B)和其混合物组成的组的附加的金属粉末；玻璃料；和有机介质。
银粉末
该银(Ag)粉末是导电金属粉末。在实施例中，该Ag粉末可以是薄片状、球形、不规则的或其混合物。该Ag粉末的粒径(d50)在一个实施例中为0.1至10μm，在另一个实施例中为0.3至6μm，在另一个实施例中为0.8至5μm，在另一个实施例中为1至4μm，并且在还另一个实施例中为1.5至3.5μm。在实施例中，粒径(D50)通过经由采用激光衍射散射法测量粒径分布来获得，并且可以被定义为D50。Microtrac型号X-100是可商购的装置的实例。
该Ag粉末的纯度在一个实施例中可以是80％或更高、在另一个实施例中是90％或更高、在另一实施例中是97％或更高。
基于导电糊料的重量，该Ag粉末在一个实施例中可以为11wt.％至80wt.％、在另一个实施例中为25wt.％至70wt.％、在另一个实施例中为32wt.％至55wt.％、在还另一个实施例中为40wt.％至50wt.％。
基于导电糊料中固体的重量，该Ag粉末在一个实施例中可以为20wt.％至94wt.％、在另一个实施例中为36wt.％至93wt.％、在另一个实施例中为55wt.％至91wt.％、并且在还另一个实施例中为82wt.％至90wt.％。该导电糊料中的固体至少包含该Ag粉末、该钯粉末、该附加的金属粉末以及该玻璃料。
钯粉末
该钯(Pd)粉末是至少包含Pd的金属粉末。在实施例中，该Pd粉末可以是薄片状、球形、不规则的或其混合物。该Pd粉末的粒径(d50)在一个实施例中为0.1至10μm，在另一个实施例中为0.5至6.5μm，在另一个实施例中为1至3μm。
在实施例中，该Pd粉末可以是Pd元素粉末、Pd合金粉末或其混合物。基于Pd粉末的重量，Pd粉末在一个实施例中包含至少30wt.％、在另一个实施例中至少65wt.％、在另一个实施例中至少90wt.％的Pd。
基于导电糊料的重量，该Pd粉末在一个实施例中可以为0.1wt.％至20wt.％、在另一个实施例中为0.4wt.％至16wt.％、另一个实施例中为0.6wt.％至12wt.％、在另一个实施例中为0.8wt.％至8wt.％、并且在还另一个实施例中为1wt.％至3wt.％。
基于导电糊料中固体的重量，该Pd粉末在一个实施例中可以为0.7wt.％至30wt.％、在另一个实施例中为1wt.％至15wt.％、在另一个实施例中为1.5wt.％至8wt.％、并且在还另一个实施例中为2wt.％至3.5wt.％。
当该Ag粉末是100重量份时，该Pd粉末在一个实施例中可以为0.5至100重量份、在另一个实施例中为1至30重量份、在还另一个实施例中为1.5至12重量份、并且在还另一个实施例中为2至8重量份。
附加的金属粉末
该附加的金属粉末本质上包含除银和钯之外的金属元素的粉末。该附加的金属选自由钼(Mo)、硼(B)和其混合物组成的组。当用含有如在以下实例中示出的附加的金属粉末的导电糊料形成电极时，背接触式太阳能电池的电特性改善。
在实施例中，该附加的金属粉末可以是薄片状、球形、不规则形状的或其混合物。该附加的金属粉末的粒径(D50)在一个实施例中为0.1至10μm，在另一个实施例中为0.3至5μm，在另一个实施例中为0.8至3μm。
在实施例中，该附加的金属粉末可以是金属元素粉末、合金粉末或其混合物。在另一个实施例中，附加的金属的合金粉末至少包含Mo、B或其二者。基于该附加的金属粉末的重量，附加金属的合金粉末在一个实施例中包含至少50wt.％、在另一个实施例中至少70wt.％、在另一个实施例中至少90wt.％的该附加金属。基于该附加的金属粉末的重量，附加金属的合金粉末在一个实施例中包含99wt.％或更低，在另一个实施例中90wt.％或更低，在另一个实施例中80wt.％或更低的该附加金属。
基于糊料的重量，该附加的金属粉末在一个实施例中可以为0.1wt.％至10wt.％、在另一个实施例中为0.5wt.％至3.5wt.％、在另一个实施例中为0.8wt.％至2.5wt.％、在还另一个实施例中为1wt.％至2wt.％。
基于导电糊料中固体的重量，该附加的金属粉末在一个实施例中可以为0.8wt.％至15wt.％、在另一个实施例中为1.5wt.％至5wt.％、并且在还另一个实施例中为2wt.％至3.5wt.％。
当该Ag粉末是100重量份时，该附加的金属粉末在一个实施例中可以为0.5至90重量份、在另一个实施例中为0.7至50重量份、在另一个实施例中为0.8至20重量份、在另一个实施例中为1至8重量份、在还另一个实施例中为1.5至6重量份、并且在还另一个实施例中为2至4重量份。
该Pd粉末与该附加的金属粉末的重量比率(Pd粉末:附加的金属粉末)在一个实施例中可以为1:0.01至1:10，在另一个实施例中为1:0.05至1:7，在另一个实施例中为1:0.08至1:5，在另一个实施例中为1:0.1至1:3，在还另一个实施例中为1:0.2至1:2。
玻璃料
在烧制期间，玻璃料熔化以粘附到基底上。该玻璃料的粒径在一个实施例中可以为0.05至5μm，在另一个实施例中为0.1至3.5μm，在另一个实施例中为0.5至1.5μm。该玻璃料的软化点在一个实施例中可以为390℃至600℃，在另一个实施例中为400℃至550℃，在另一个实施例中为410℃至460℃。当软化点是在该范围内时，玻璃料可以适当熔化以获得以上提及的效果。玻璃料的软化点可以通过ASTM C338-57的纤维伸长方法获得。
这里的玻璃料的化学组成不受限制。任何适合用于导电糊料的玻璃料都是可用的。在实施例中，玻璃料可以包含铅硅酸盐(Pb-Si)玻璃、铅硼硅酸盐(Pb-B-Si)玻璃、铅碲(Pb-Te)玻璃、无铅的铋(Bi)玻璃、无铅的硼硅酸锌(Zn-B-Si)玻璃或其混合物。在实施例中，从软化点和玻璃熔融特性二者的角度来看含铅玻璃料可能是优异的。在实施例中，从环境友好的角度来看无铅的玻璃料可能是优异的。在另一个实施例中，玻璃料包含Pb-B-Si玻璃、Pb-Si-Al玻璃、Pb-Te-B玻璃、Pb-Te-Li玻璃、Pb-V玻璃、Bi-Si-B玻璃、Bi-Te玻璃或其混合物。
基于导电糊料的重量，该玻璃料在一个实施例中可以为1wt.％至40wt.％，在另一个实施例中为1.8wt.％至32wt.％，在另一个实施例中为2.5wt.％至18wt.％，在还另一个实施例中为3wt.％至9wt.％。
基于导电糊料中固体的重量，该玻璃料在一个实施例中可以为4wt.％至75wt.％，在另一个实施例中为5wt.％至62wt.％，另一个实施例中为6wt.％至42wt.％，在另一个实施例中为6wt.％至31wt.％，并且在还另一个实施例中为7wt.％至17wt.％。
当该Ag粉末是100重量份时，玻璃料在一个实施例中可以为6至300重量份，在另一个实施例中为6.5至200重量份，在另一个实施例中为6.8至100重量份，在另一个实施例中为7至100重量份，在另一个实施例中为7.5至50重量份，在另一个实施例中为8至20重量份，在另一个实施例中为8.5至15重量份，并且在还另一个实施例中为9.5至13重量份。
有机介质
有机介质是有机树脂或有机树脂和溶剂的混合物。在实施例中，有机介质可以是例如松油溶液、聚甲基丙烯酸酯的乙二醇单丁醚单乙酸酯溶液、乙基纤维素的乙二醇单丁醚单乙酸酯溶液、乙基纤维素的萜品醇溶液或乙基纤维素的酯醇-12(texanol)溶液。在另一个实施例中，有机介质可以为乙基纤维素的萜品醇溶液。在实施例中，该有机树脂是基于有机介质的重量的5wt％至50wt％。
基于糊料的重量，有机介质在一个实施例中可以为10wt.％至60wt.％、在另一个实施例中为15wt.％至57wt.％、在另一个实施例中为22wt.％至53wt.％、在还另一个实施例中为35wt.％至50wt.％。
当该Ag粉末是100重量份时，有机介质在一个实施例中可以为25至135重量份、在另一个实施例中为55至129重量份、并且在还另一个实施例中为80至121重量份。
添加剂
可以将增稠剂、稳定剂和其他典型的添加剂加入该导电糊料中。取决于最终需要的导电糊料的特性，可以确定添加剂。
导电糊料可以通过用混合机如辊压混炼机和旋转混合机混合以上提及的组分的每一种来产生。可以加入溶剂以调节黏度。在使用14号转子与Brookfield HBT黏度计并且使用效用杯(utility cup)以10rpm在25℃下测量的情况下，导电糊料的黏度在一个实施例中为50至350Pa·s，在另一个实施例中为80至300Pa·s，在另一个实施例中为95至220Pa·s。
实例
本发明通过以下实例来说明但不限于以下实例。
用以下材料制备导电糊料。每种材料的量示于表1中。
-银粉末：具有2.7μm的粒径(D50)的薄片状Ag粉末。
-钯粉末：具有2.0μm的粒径(D50)的球形Pd粉末。
-附加的金属粉末：具有1.5μm的粒径(D50)的球形铋(Bi)元素粉末、具有1.5μm的粒径(D50)的球形钼(Mo)元素粉末或者具有1.5μm的粒径(D50)的球形硼(B)元素粉末。
-玻璃料：具有0.79μm的粒径(D50)和437℃的软化点(Ts)的硼硅酸铅玻璃料。
-有机介质：乙基纤维素的萜品醇溶液。
-添加剂：分别是流变剂、触变剂和表面活性剂。
混合这些材料以形成导电糊料。当充分混合时，使该导电糊料在从0至400psi的逐渐增加的压力下反复通过三辊研磨机。通过研磨细度(FOG)来衡量分散程度。典型的FOG值被调节至20/10或更少。通过Brookfield HBT用10rpm的14号转子在25℃测量的黏度为100-200Pa·s。
将以上制备的导电糊料分别丝网印刷在具有p层的N基硅基底(30mm长×30mm宽×0.15mm厚)以及具有n层的P基硅基底上。所印刷的线条图案在图5中示出，其中四个线条600a、600b、600c和600d以在线条600a与600b之间1mm的间距、在线条600b与600c之间2mm的间距、以及在线条600c与600d之间3mm的间距形成。
通过在150℃干燥这些线条图案90秒随后在IR加热带式炉中在600℃的设定温度下烧制30秒形成电极。这些电极是1mm宽和10mm长。
通过使用TLM方法测定接触电阻(Rc)。下式是可用的：R＝(L/W)×Rsh+2Rc，其中W是电极的宽度，L是两个电极之间的空间距离，Rsh是Si基底的薄层电阻，并且R是两个电极之间的电阻。如从以上数学公式明显的，在电极之间的电阻R具有与电极之间的距离L的线性关系。因而，通过分别测量在电极之间的空间距离L下的每个电阻R来测定2Rc。Si基底的薄层电阻Rsh是常数。
在此实例中，在X轴上绘制在两个电极之间的距离L。这些电极的电阻R的值通过四端法测量并且以在X轴上的距离Ln绘制在Y轴上。相对于两个任意电极的其他组合进行此程序并且绘图。通过最小二乘法测定等于2Rc的Y轴截距，并且由此测定在电极与硅基底之间的接触界面处的接触电阻Rc的值。结果示于表1中。
在其中导电糊料含有Ag粉末、Pd粉末和Mo粉末或B粉末的实例(Ex.)1和2中，电极在n层和p层二者上都具有足够低的Rc。在对比实例(Com.Ex.)1至5中，不含附加的金属粉末和/或Pd粉末的电极在p层上具有不足够高的Rc。在Com.Ex.3至5中的Rc在n层和p层二者上太高以致于不能测量。
表1 (重量份)
Figure BDA0001669055140000101
*值太高以致于不能测量。

Claims (8)

1.一种用于制造背接触式太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：
(1)、制备半导体基底，该半导体基底是晶体硅片；
(2)、在所述半导体基底的两侧形成钝化层；在所述半导体基底的背侧面的钝化层留下预定图案的条带并采用各向异性蚀刻，以形成具有三角形截面的第一V型槽；将形成了所述第一V型槽的半导体基底扩散磷，以在所述第一V型槽形成n层；通过引入氧气在所述半导体基底的背侧面覆盖氧化膜；
(3)、去除所述半导体基底的背侧面上第一V型槽之间的某些间隔的氧化膜，并形成第二V型槽；将形成了所述第二V型槽的半导体基底扩散硼，以在所述第二V型槽形成p层；通过引入氧气在所述半导体基底的背侧面覆盖氧化膜；
(4)、将导电糊料施加在所述第一V型槽和所述第二V型槽中，其中该导电糊料包含银(Ag)粉末、钯(Pd)粉末、附加的金属粉末、玻璃料，以及有机介质；所述附加的金属粉末选自硼(B)、或者钼(Mo)和硼(B)的混合物；并且
(5)、烧制所施加的导电糊料，使所述导电糊料穿透氧化膜并分别到达n层和p层，到达n层的导电糊料形成阴极，到达p层的导电糊料形成阳极；
其中，基于该导电糊料的重量，该银粉末为40至80重量百分比(wt.％)，该钯粉末为0.1wt.％至3wt.％，该附加的金属粉末为0.1wt.％至3.5wt.％，该玻璃料为1wt.％至9wt.％，并且该有机介质为10wt.％至50wt.％。
2.一种用于制造背接触式太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：
(1)、制备半导体基底，该半导体基底是晶体硅片；
(2)、在所述半导体基底的两侧形成钝化层；在所述半导体基底的背侧面的钝化层留下预定图案的条带并采用各向异性蚀刻，以形成具有三角形截面的第一V型槽；将形成了所述第一V型槽的半导体基底扩散磷，以在所述第一V型槽形成n层；通过引入氧气在所述半导体基底的背侧面覆盖氧化膜；
(3)、去除所述半导体基底的背侧面上第一V型槽之间的某些间隔的氧化膜，并形成第二V型槽；将形成了所述第二V型槽的半导体基底扩散硼，以在所述第二V型槽形成p层；通过引入氧气在所述半导体基底的背侧面覆盖氧化膜；
(4)、将导电糊料施加在所述第一V型槽和所述第二V型槽中，其中该导电糊料包含银(Ag)粉末、钯(Pd)粉末、附加的金属粉末、玻璃料，以及有机介质；所述附加的金属粉末选自硼(B)、或者钼(Mo)和硼(B)的混合物；并且
(5)、烧制所施加的导电糊料，使所述导电糊料穿透氧化膜并分别到达n层和p层，到达n层的导电糊料形成阴极，到达p层的导电糊料形成阳极；
其中，基于该导电糊料中的固体的重量，该银粉末为55至91重量百分比(wt.％)，该钯粉末为0.7wt.％至3.5wt.％，该附加的金属粉末为0.8wt.％至5wt.％，该玻璃料为4wt.％至17wt.％。
3.一种用于制造背接触式太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：
(1)、制备半导体基底，该半导体基底是晶体硅片；
(2)、在所述半导体基底的两侧形成钝化层；在所述半导体基底的背侧面的钝化层留下预定图案的条带并采用各向异性蚀刻，以形成具有三角形截面的第一V型槽；将形成了所述第一V型槽的半导体基底扩散磷，以在所述第一V型槽形成n层；通过引入氧气在所述半导体基底的背侧面覆盖氧化膜；
(3)、去除所述半导体基底的背侧面上第一V型槽之间的某些间隔的氧化膜，并形成第二V型槽；将形成了所述第二V型槽的半导体基底扩散硼，以在所述第二V型槽形成p层；通过引入氧气在所述半导体基底的背侧面覆盖氧化膜；
(4)、将导电糊料施加在所述第一V型槽和所述第二V型槽中，其中该导电糊料包含银(Ag)粉末、钯(Pd)粉末、附加的金属粉末、玻璃料，以及有机介质；所述附加的金属粉末选自硼(B)、或者钼(Mo)和硼(B)的混合物；并且
(5)、烧制所施加的导电糊料，使所述导电糊料穿透氧化膜并分别到达n层和p层，到达n层的导电糊料形成阴极，到达p层的导电糊料形成阳极；
其中该银粉末是100重量份，该钯粉末是0.5至8重量份，该附加的金属粉末是0.5至6重量份，并且该玻璃料是6至13重量份。
4.如权利要求1-3任一所述的方法，其中该银粉末的粒径为0.1至10μm。
5.如权利要求1-3任一所述的方法，其中该钯粉末的粒径为0.1至10μm。
6.如权利要求1-3任一所述的方法，其中该附加的金属粉末的粒径为0.1至10μm。
7.如权利要求1-3任一所述的方法，其中烧制温度是在450℃至950℃。
8.一种背接触式太阳能电池，包含：
半导体基底，该半导体基底是晶体硅片；
第一V型槽和第二V型槽，交替位于所述半导体基底的背侧面；
n层，通过扩散磷形成于所述第一V型槽内；
p层，通过扩散硼形成于所述第二V型槽内；
氧化膜，覆盖于所述半导体基底的背侧面上；
阴极，形成于所述第一V型槽内并穿透所述氧化膜到达n层；
阳极，形成于所述第二V型槽内并穿透所述氧化膜到达p层；
其中所述阴极和所述阳极包含银、钯、附加的金属以及玻璃，所述附加的金属选自硼(B)、或者钼(Mo)和硼(B)的混合物。
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