TW200952131A - Process of structure with embedded circuit - Google Patents

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200952131 υδυ 1 υυ^/υ801010 27306twf.doc/n 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種線路結構的製程，且特別是有關 於一種内埋式線路結構的製程。 【先前技術】 現今的線路板科技已發展出内埋式線路板（embedded ❹ circuit board) ’而這種線路板在其表面的線路結構是埋入 於介電層中，並非突出於介電層的表面。圖1A至圖1C是 根據習知一種内埋式線路板的製造方法所繪示的流程示意 圖。 首先，請參照圖1A ’提供一基板11〇 ’並在基板110 上形成一圖案化介電層120,圖案化介電層no具有一凹 槽圖案122。凹槽圖案122具有貫孔122a與溝槽122b。接 著，請參照圖1B，在圖案化介電層12〇上形成一種子層（未 繪示）。然後，再進行無電電鍍製程與電鍍製程以形成銅 ❹ 層130，以填滿凹槽圖案122。之後，請參照圖ic，蝕刻 銅層130，形成導電通道（conductive via) 130a與線路 (circuit) 130b。 由於以習知技術形成的銅層130需同時填滿深度較深 的貫孔122a與深度較淺的溝槽122b且銅層13〇的表面需 達到平坦，因此銅層130的厚度較大（約2〇微米）。也因 此，蝕刻銅層130需耗費較長的時間且易於蝕刻的過程中 損壞導電通道13〇a與線路130b，尤其是當線路13%為細 5 200952131 υδυιυυ^801〇ΐ〇 27306twf.doc/n · 線路（fine circuit)時，線路13〇b更容易於侧的過程中 損壞。 【發明内容】 本發明提出—種内埋式線路結構的製程，其適於形成 細線路結構。 為具體描述本發明之内容’在此提出一種内埋式 ❹祕結翻製程如下所述。首先，提供—基板，其具有〆 上表面與-下表面’且上表面相對於下表面。接著，形成 -第-介電層於基板的上表面上。_，形成—第一⑽ 層於第一介電層上。之後，圖案化第一阻鍍層與第一介電 層，以於第一介電層上形成一第一凹槽圖案。接著，以一 化學方法形成一第一底導電層於第一凹槽圖案内，且第一 底導電層暴露出第一阻鏡層。然後，移除第一阻鑛層。 在本發明之一實施例中，第一阻鍍層的材質包括一疏 水性南分子材料。 ® 在本發明之一實施例中，疏水性高分子材料的材質包 括碳與氫。 在本發明之一實施例中，疏水性高分子材料的材質包 括甲基丙烯酸酯（methacrylate)型樹脂、乙烯苯基（vinyi phenyl)型樹脂、烯丙基（aiiyi)型樹脂、聚丙烯酸酿 (polyacrylate)型樹脂、聚醚（polyether)型樹脂、聚歸 烴（polyolefin)型樹脂、聚胺（polyamine)型樹脂或聚石夕 氧炫（polysiloxane)型樹脂。 200952131 osuiuuy/usoioio 27306twf.doc/n 在本發明之一實施例中，形成第一阻鍍層的方法包括 液相沉積（Liquid Phase Deposition，LPD)或分子氣相沉積 (Molecular Vapor Deposition，MVD )。 在本發明之一實施例中’移除第一阻鍍層方法包括乾 式钮刻、分子氣相沉積法之逆向程序、研磨或刮除。 在本發明之一實施例中，圖案化第一阻鑛層與第一介 電層的方法包括雷射燒蝕、電漿蝕刻或機械切割製程。 ❹

在本發明之一實施例中，機械切割製程包括水刀切 割、喷砂或外型切割。 在本發明之一實施例中，化學方法包括化學金屬沈積 或化學氣相沈積。 在本發明之一實施例中，在形成第一底導電層之後， 内埋式線路結構的製程更包括以無電電鑛法形成一第一厚 導電層於®—底導電層上’且第-料電層的厚度大於第 底導電層的厚度。 在本發明之—實施例中，内埋式線路結構的製程更包 表面工所述的製程。首先，形第二介電層於基板的下 圖幸务笛接著’形成—第二阻鎮層於第二介電層上。然後’ -第-顿層與第二介電層，以於第二介電層上形成 於第I凹^圖案。之後，以化學方法形成—第二底導電層 然後，移2案内，且第二底導電層暴露出第二阻鐘層。 咏第二阻鍍層。 内埋之—實施射’在形絲二底導電層之後， 、…構的製程更包括以無電電鍍法形成一第二厚 7 200952131 ^801010 27306twf.doc/n 導二底導電層上，且第二厚導電層的厚度大於第 二底導電層的厚度。 于又入及弟 ^本發明之—實施射，在形成第—阻鍍層之前，内 =式線路結構的製程更包括形成—第―初始導電声於第一 7初始導電層的方法包括化學金屬沈 成第-凹槽圖案的同時，内埋式線路 ❹ 化並裸露部分__粒，且化學方^ 更包括活 觸:顆粒為多個奈米顆粒’觸媒顆粒的材質:括屬 ==過渡金屬錯合物的材f選自於由猛 二 鉑所組成的群組。 紛犯Μ汉 另外，在形成第-底導電層之後 製程更包括以電鍍法形成—第 2線路:構的 土。在移除第一阻链層之後， :::第;:;導電:Ϊ第-厚導電二=層 包二=:初始尊電層與部分第-厚導電層的方法 程。=，：式第線，製程更包括如下所述的製 不百无，形成-第二介電層於基 形成-第二初始導電層於第二 :上=者第 二介電層，以於第“4上之二=化第二阻鍵層與第 『學方法形成一第二广:二= = 後，以電鎪法形成—第二厚導電層 8 200952131 ν/〇υ jlw w v301010 273〇6twf.doc/n 後，移除第二阻鍍層。之後，移除第二初始導電声一 厚導電層突出於第二介電層的部分。 3/、弟— 為具體描述本發明之内容，在此提出一種内 線路結構的S程包括如下所述的製程。首先，提供 ' 基板具有-上表面與一下表面’且上表面相對於下表土二’ 接著’形成-第-介電層於基板的上表社，第 包括多顆第-觸媒顆粒。然、後，形成—第—親水性薄膜ς 第-介電層上。之後’圖案化第—親水性薄膜與第—介電 層’以於第-介電層上形成一第—凹槽圖案並使其中一此 第-觸媒齡活化轉露於第—簡随内。接著除 =-親水性薄膜。之後，利用_化學方法，在第一凹圖 案内形成一第一圖案化導電層。 句圑 在本發明之-實施例中，第—親水性薄 親水性高分子材料。 刊貝〇括 t在本發明之-實施例中，親水性高分子材料包括碳盘 ❹ 氫。 〆、 在本發明之-實施例中，親水性高分子材料包括與— 親水性官能基繼的聚〔騎（PGlyvinylaleGhG1)、聚氧 乙烯（polyoxyethylene)、聚丙烯酸（p〇ly(acrylic acid))， f中親水性官錄減氧基（OH)、醯絲（α)ΝΗ2)、 磺酸基（SO3)或羧酸基（c〇〇H)。 在本發明之-實施财’形成第—親水性薄膜的方法 包括液相沉積或分子氣相沉積。 在本發明之-實施例中，移除第一親水性薄膜的方法 9 200952131 υΛυχυυ^/υ^ΟΙΟΙΟ 27306twf.doc/n 包括水洗製程。 在本發明之-實施例中，第-觸媒顆粒為多個奈米顆 粒0 在本發明之一實施例中，第—觸媒 渡金屬錯合物。 材質包括過 在本發明之-實施例中，過渡金屬錯合物的 於由錳、鉻、鈀以及鉑所組成的群組。 、 ❹ ❷ -入ίί發明之—實關巾，圖案化第-親水性薄膜盡第 一 m方法包括雷射燒餘、電漿餘刻或機械切割製程 在本發明之—實_巾，顧 割、喷砂或外型切割。 η匕栝水刀切 在本發明之一實施例中，化學方法 學氣相沈積。 υ電鍍或化 第-’知案化第—親水性薄膜與 凹 ί圖=内埋式線路結構的製程更包括對第 槽圖案進仃一除膠渣處理。 >查處理包括化學氧化還 在本發明之一實施例中，除膠 原法或電漿處理法。 後，之—實_巾’在移除第―ί卩性薄膜之 播闽电式線路結構的製程更包括鈍化第一介電芦的筮 凹槽圖案的内壁上緣。 』丨€層的弟一 > f本發明之—實施例中，在形成第—圖案化 刖’埋式線路結構的雜更包括於第 曰 -第-導電材料。 U僧圖案内配置 200952131 usuiuuy/udOlOlO 27306twf.doc/n 在本發明之一實施例中，第一導電材料包括銅膏、銅 膠、碳膠、碳膏、銀膏或銀膠。

在本發明之一實施例中，内埋式線路結構的製程更包 括下列步驟。首先’形成一第二介電層於基板的下表面上， 第二介電層包括多顆第二觸媒顆粒。接著，形成一第二親 水性薄膜於第二介電層上。然後，圖案化第二親水性&膜 與第二介電層，以於第二介電層上形成一第二凹槽圖案並 使其中一些第二觸媒顆粒活化且裸露於第二凹槽^案内了 之後，移除第二親水性薄膜。然後，利用化學方法^ 凹槽圖案内形成一第二圖案化導電層。 一 在本發明之一實施例中’在形成第二圖案化導電層之 前，内埋式線路結構的製程更包括於第二凹槽圖案曰 一弟 導電材料。 — 在本發明之一實施例中，第二導電材料包括鋼喜、 膠、碳膠、碳膏、銀膏或銀膠。 网 承上所述，本發明的介電層上覆蓋有阻鍍層，因 實施例可以化學方法選擇性地形成底導於介電 ^ 定的區域。因此，本實施例不需如習知技術一般需二〜丄 蝕刻步驟以移除多餘的導電層，當然，也不會 仃一 過程中損壞導電通道與線路的問題產生。由二可知，刻的 明適於應用在細線路的製程中。 〇，本發 。Γ，尽發明之化學方法可直接在介電層上升 電層，而不需如習知技術一般需先在介電層丄形^-才能進行無電電鍍製程，故本發明之製程4為^易$ 11 200952131 uoui^^/udOlOlo 27306twf.doc/n 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂’下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如 下。 【實施方式】 篇一實施例 圖2A〜圖2E與圖3A〜圖3D為本發明第一實施例之 ❹ 内埋式線路結構的製程的剖面圖。 ^首先’請參照圖2Α ’提供一基板210，基板210可以 疋介電基板也可以是單層或多層線路基板。於本實施例 中，基板210是以雙層線路板做說明，但並非用以限定本 發明。基板210具有一上表面2丨2與一下表面214，且上 表面212相對於下表面214。於本實施例圖示中，基板21〇 可具有兩接墊216、218分別位於基板210的上表面212 與下表面214。接著，形成一第一介電層220a於基板21〇 〇 的上表面212上，並形成—第二介電層鳩於基板21〇 =下表面214上。第一介電層2施與第二介電層2勘的 材料可以是«亞胺、聚二？基魏誠娜膜。 然後，請參照圖2B，形成一第一阻鍍層23〇a於第一 二電層22Ga上，並形成—第二崎層2遞於第二介電層 ，上此外’第一阻鑛層23〇a與第二阻鍛層細匕的材 列如疋疏水性n分子材料或是其他適合的疏水性材料， 疏水性高分子材_材質包括碳與氳。此外，疏水性 ^刀子材料的材質還包括甲基丙烯酸醋型樹脂、乙烯苯基 12 200952131, vfuv i\jy/yi wOIOIO 27306twf.doc/n 型樹脂、烯丙基型樹脂、聚丙烯酸酯型樹脂、聚醚型樹脂、 聚烯烴型樹脂、聚胺型樹脂或聚矽氧烷型樹脂、或是其他 適合的疏水性高分子材料。疏水性高分子材料可具有良好 的疏水性（hydrophobicity) ’也就是說水或水溶液不易沾 附在疏水性尚分子材料的表面。形成第一阻鍵層23〇a與第 二阻鍍層230b (例如疏水性高分子材料）的方法例如是液 相沉積或分子氣相沉積。 之後’請參照圖2C，圖案化第一阻鍍層23〇a、第一 介電層220a、第一阻鑛層230b與第二介電層220b，以於 苐一"電層220a與第二介電層220b上分別形成一第一凹 槽圖案II與一第二凹槽圖案12。圖案化第一阻鑛層23〇a、 第一介電層220a、第二阻鍍層23〇b與第二介電層22〇b的 方法例如是雷射燒蝕、電漿蝕刻或機械切割製程，其中機 械切割製程包括水刀切割、噴砂或外型切割。 第凹槽圖案II可具有至少一第一溝槽222a與至少 一第一貝孔224a，且第二凹槽圖案12可具有至少一第二 瘳雜222b與至少一第二貫孔224b。第一貫孔224a與第二 貫孔224b分別暴露出兩接墊216、218。第一貫孔224a與 第=貫孔224b的剖面形狀例如為τ字形（如圖％所示）、 梯形（未繪示）或錐形。第一溝槽222a與第二溝槽22处 的深度Dl、D2分別小於第一介電層2施與第二介電層 220b 的厚度 ΤΙ、T2。 接著，請參照圖2D，於第一凹槽圖案n與第二凹槽 圖案12 N以一化學方法分別形成一第一底導電層240a與 13 200952131 υ»υιυυν/υ801010 27306twf.doc/n 一苐一底導電層240b。而且，第一底導電層24〇a與第二 底導電層240b分別暴露出第一阻鐘層23〇a與第二阻鍵層 230b。於本實施例中，化學方法包括化學金屬沈積或化學 氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD)，其中化學 金屬沈積例如是化學銅沈積（例如薄化銅製程）。此外， 於本實施例中，在形成第一底導電層240a與第二底導電層 240b之前，可先行對第一介電層22〇a與第二介電層22〇b ❹ 的進行表面處理（例如表面粗糙化）以利於之後形成的第 一底導電層240a與第二底導電層240b有較佳的附著力。 值得注意的是，不同於習知，本實施例之第一介電層22〇a 上覆蓋有第一阻鍍層230a’因此當以化學方法形成第一底 導電層240a時，第一底導電層24〇a只會形成在未被第一 阻鍍層230a覆盍的第一介電層22〇a (即第一凹槽圖案η) 上，而不會形成在第一阻鍍層23〇a上。同理，第二底導電 層240b只形成在第二凹槽圖案12内，而不會形成在第二 阻鍍層230b上。 由前述可知，本實施例可以化學方法選擇性地形成第 一底導電層240a與第二底導電層24〇b於第一介電層22〇& 與第二介電層220b上特定的區域（例如第一凹槽圖案n 及第二凹槽圖案12)。因此，本實施例不需如習知技術一 般需進行一蝕刻步驟以移除多餘的導電層，也不會有於蝕 刻的過程中損壞導電通道13〇a與線路13〇b的問題產生（請 參照圖1A〜圖iC)。也因此，本實施例適於用在細線路 的製程中。 200952131 υου ιυυ^/υ801010 27306twf.doc/n 之後，請再次參照圖2D，在形成第一底導電層24〇a 與第二底導電層240b之後，於第一底導電層240a與第二 底導電層240b上以無電電鍍法分別形成一第一厚導電層 250a與一第一厚導電層250b。而且，第一厚導電層25〇a 的厚度大於第一底導電層240a的厚度。第二厚導電層25〇b 的厚度大於第二底導電層240b的厚度。 然後，請參照圖2E，移除第一阻鍵層230a與第二阻

Ο 錢層230b。移除第一阻鍵層230a與第二阻鍍層23〇b的方 法包括乾式蝕刻法、分子氣相沉積法之逆向程序、研磨、 刮除或是其他簡易的機械加工方法。其中，乾式蝕刻法包 括電榮·餘刻法。 此外，請參照圖3A，在本實施例中，也可以是在形 成第一阻鍍層230a與第二阻鍍層230b之前，先在第一介 電層220a與第二介電層220b上分別形成一第一初始導& 層31〇a與一第二初始導電層31〇b。形成第一初始導電屛 3l〇a與第二初始導電層31〇b的方法包括化學金屬沈積: 而化學金屬沈積可以是化學銅沈積（例如薄化鋼製程）’ 第一介電層220a與第二介電層220b可分別具有多個第二 觸媒顆粒（未繪示）與多個第二觸媒顆粒（未續示）。— 第一觸媒顆粒與第二觸媒顆粒可分別包括多個各” 顆粒（未繪示）。而且’這些奈米顆粒的材質可以是=米 金屬錯化物’其中過渡金屬錯合物的材質例如是選自^夜 路、鉑、把或這些金屬的任意組合。此外，第一觸 與第二觸媒顆粒更可以包括多個分別包覆這些奈米顆 15 200952131 ν〇υχυ^/υ<}〇1〇ι〇 27306twf.doc/n 高分子膜層（未緣示），而高分子膜層的材質可以是聚醯 亞胺或其他適當的高分子材料。 之後，請參照圖3B，圖案化第一阻鍍層23〇a、第一 初始導電層31〇a與第一介電層22〇a，以於第一介電層22〇a 上形成一第一凹槽圖案U，並使其中一些第一觸媒顆粒活 化且裸硌於弟一凹槽圖案η内。並且，圖案化第二阻鑛層 230b、第二初始導電層31〇b與第二介電層22〇b，以於第 ❹=介電層22㈨上形成一第二凹槽圖案12，並使其中一些 第一觸媒顆粒活化且裸露於第二凹槽圖案12内。 接著，請參照圖3C，於第一凹槽圖案π與第二凹槽 圖案12内以一化學方法分別形成一第一底導電層240a與 一第二底導電層240b。於本實施例中，化學方法包括無電 電鍍或化學氣相沈積。 ‘ 值得注意的是，當以化學方法形成第一底導電層24〇a 時，第一底導電層240a只會形成在第一介電層22〇a具有 活化的第一觸媒顆粒分布的表面部分（即第一凹槽圖案η ❹ 内）以及第一初始導電層31〇a的開口侧邊。因此，本實施 例可以化學方法選擇性地形成第一底導電層24〇a於第一 介電層220a上特定的區域（例如第一凹槽圖案η内）以 及第一初始導電層310a的開口侧邊。同理，本實施例可以 化學方法選擇性地形成第二底導電層240b於第二介電層 220b上特定的區域（例如第二凹槽圖案12内）以及第二 初始導電層31〇b的開口側邊。 之後，請再次參照圖3C，於第一底導電層240a與第 200952131 U〇wiW^^01〇l〇 27306twf.d〇c/n 二底導電層24〇b上以電鍍法分別形成一第一厚導電層 25〇a與-第二厚導電層值得注意的是，由於本實^ 例的第-底導電層24〇a與第-初始導電層施電性連 接，且第二底導電層240b與第二初始導電層310b電性連 接二因此本實施例可以電鍍的方式形成第一厚導電層25〇& 與第二厚導電層2通。並且，相較於習知技術多採用無電 電鍍的方式形成導電層，本實施例以電鑛的方式形成導電 ❿ 層將可大幅縮短形成導電層的時間。 然後，請參照圖3D，移除第一阻鍍層23如與第二阻 鍍層230b。之後，移除第一初始導電層驗與第一厚導 電層250a突出於第一介電層22〇a的部分，以及移除第二 初始V電層310b與第二厚導電層25〇b突出於第二介電層 UOb的部分。移除第一初始導電層31〇&、部分第一厚導^ 層25〇a、第二初始導電層31〇b與部分第二厚導電層25此 的f法包括侧或研磨’其中钱刻例如是以驗性蚀刻液來 麕 進行移除，且鹼性蝕刻液包括甲醛及胺水。 值得注意的是，本實施例所需移除的第一初始導電層 poa、部分第一厚導電層25〇a、第二初始導電層 310b 與 吾上分第二厚導電層25%的厚度（約〇 8微米〜i 2微米） 运小於習知技術中需移除的銅層的厚度（約微米）。 因此’本實施例的移除速度較快且移除的過程較易控制而 不會如習知-般於移除銅層13Q的過程中損壞線路⑽ 或導電通道130a (請參照圖1B與圖lc)。 17 200952131 υ»υ ιυυν/υδΟΙΟΙ 0 27306twf.doc/n 第二實施例 圖4A〜圖4E為本發明第二實施例之内埋式線路結構 的製程的剖面圖。 首先’請參照圖4A ’提供一基板210，並於基板210 的上表面212與下表面214上分別形成一第一介電層402a 與一第二介電層4〇2b。第一介電層402a與第二介電層4〇2b 分別具有多個第一觸媒顆粒A1與多個第二觸媒顆粒A2， ❹ 且第一及第二觸媒顆粒A1、A2與第一實施例之第一及第 二觸媒顆粒相同。 然後，請參照圖4B，於第一介電層402a與第二介電 層402b上分別形成一第一親水性薄膜41〇a與一第二親水 性薄膜410b，而形成第一親水性薄膜41〇a的方法例如是 塗佈。第一親水性薄膜410a與第二親水性薄膜41〇b的材 ，包括親水性高分子材料’而親水性高分子材料包括碳與 氫。親水性高分子材料包括與一親水性官能基鍵結的聚乙 烯醇、聚氧乙烯、聚丙烯酸，其中親水性官能基為氫氧基、 義基、績酸基、缓酸基或是其他適合的親水性官能 卜之後，請參照圖4C，圖案化第一親水性薄膜41〇t蛊 第一介電層402a，以於第一介電層4〇2a上形成—第—㈤ 槽圖案II並使其巾-些第-觸制粒A1活化且裸露於 -凹槽圖案II内。第-凹槽圖案U具有至少—第一貫 312a與至少-第一溝槽314a，且形成第一凹槽圖案j匕 方法可以是同時或依序形成第—貫孔仙*第 = 314a。圖案化第二親水性薄膜41%與第二介電層孔糟 200952131 υου^υο^^ΟΙΟΙΟ 27306twf.doc/n 以於第二介電層402b上形成一第二凹槽圖案I2並使其中 一些第二觸媒顆粒A2活化且裸露於第二凹槽圖案12内。 第一凹槽圖案12具有至少一第二貫孔3i2b與至少一第二 溝槽314b，且形成第二凹槽圖案n的方法可以是同時或 依序形成第二貫孔312b與第二溝槽314b。 e

於本實施例中，圖案化第一親水性薄膜41〇a、第一介 電層402a、第二親水性薄膜41〇b與第二介電層4〇沘的方 法包括雷射燒蝕、電漿蝕刻或機械切割製程，其中機械切 割製程包括水刀切割、噴砂或外型切割。此外，由於前述 圖案化製程易產生多個膠渣’且這些膠料附著於第一介 電層4〇2a與第二介電層仙烈上，因此在圖案化製程之後， 還可對第-凹_案n與第二凹槽圖案12進行一除膠潰 處理=去除這些膠渣。除膠祕理包括化學氧 啻猜虛铒法。 按者，請翏 + 圖4D，移除第一親水性薄膜410a與第 二親水性薄膜41%，而移除第一親水性薄膜41如與第二 f=410b的方法包括水洗製程’且水洗製程所使用 娜可有助於去除前賴膠渣進而1 ί電戶的可電層4〇2a與第二介電層_上的 1〜“方_加人可與紫外光反應的螢光劑， 仰似_是否已完全移除，進而可判定是否已 19 200952131 υουιυυ^/υ301010 27306twf.d〇c/n 清除前述的膠渣。 此外，由於之後形成的導電層易從第一凹槽圖案η 的内壁上緣Ρ1與第二凹槽圖案12的内壁上緣Ρ2向外延伸 至第一凹槽圖案II與第二凹槽圖案之外而影響導電層 的可靠度。因此，本實施例可在移除第一親水性薄膜41此 之後，純化第一介電層402a的第一凹槽圖案η的内壁上 緣Ρ1以及第二介電層402b的第二凹槽圖案ο的内壁上緣 ❹ P2 ’以避免之後形成在第一與第二凹槽圖案II、12内的導 電層由内壁上緣PI、P2延伸至第一與第二凹槽圖案n、 12之外。鈍化第一與第二介電層31〇a、310b的方法包括 對第一與第二介電層310a、310b進行一驗性處理。 之後，請參照圖4E，利用一化學方法，在第一凹槽圖 案II與第二凹槽圖案12内分別形成一第一圖案化導電層 420a與第二圖案化導電層420b’且化學方法包括無電電鍍 或化學氣相沈積。無電電鍍例如是無電電鍍銅。此外，本 實施例在形成第一圖案化導電層420a與第二圖案化導電 ❹ 層420b之前’還可在第一凹槽圖案II的第一貫孔312a内 配置一第一導電材料430a，以及在第二凹槽圖案12的第 二貫孔312b内配置一第二導電材料430b。第一與第二導 電材料430a、430b包括銅膏、銅膠、碳膠、碳膏、銀膏或 銀膠。 綜上所述’本發明之第一實施例的介電層上覆蓋有阻 鍍層’因此本實施例可以化學方法選擇性地形成底導電層 於介電層上特定的區域。由此可知，本實施例不需如習知 20 200952131 OHOWUWUSOIOIO 27306twf.doc/n 技術一般需進行一蝕刻步驟以移除多餘的導電層，也因此 本實施例適於應用在細線路的製程中。此外，本實施例之 化學方法可直接在介電層上形成底導電層’而不需如習知 技術一般需先在介電層上形成種子層才能進行無電電鍍製 程’故本實施例之製程較為簡易。 再者，本發明之第一實施例由於底導電層與初始導電 層電性連接，因此本實施例可以電鍍的方式形成導電層， ❹ 進而大幅縮短形成導電層的時間。另外，本實施例所需糝 除的導電層（初始導電層與部分厚導電層）的厚度遠小於 白知技術中所需移除的導電層厚度，因此本實施例的移除 速度較快且移除的過程較易控制。 〃 除此之外，本發明之第二實施例的内埋式線路結構的 製程是先形成一親水性薄膜於介電層上，之後再圖案化親 水性薄膜及介電層，然後藉由移除親水性薄膜以去除圖案 化介電層時所產生的膠渣，進而提升之後將形成於介電層 上的導電層的可靠度。 ' 此外，在本發明之第二實施例中，於介電層上形成凹 槽圖案的同時，亦使介電層中的一些觸媒顆粒活化且裸露 於凹槽圖案内。因此’本實施例可以化學方法（例如無電 電鍍法）直接在凹槽圖案内形成底導電層，而不需如習知 技術一般需先形成一種子層之後才能進行之後的無電電鍍 製程。此外’由於底導電層只會形成在介電層具有活化的 觸媒顆粒的部分，因此本實施例可以化學方法選擇性地形 成底導電層於介電層上特定的區域。 21 200952131 U8UlU〇y/u801010 27306twf.doc/n 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明’任何所屬領域中具有通常知識者，在不脫離本發 明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發 明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1A至圖ic是根據習知〆種内埋式線路板的製造方 法所繪示的流程示意圖。 圖2A〜圖2E與圖3A〜圖3D為本發明第一實施例之 内埋式線路結構的製程的剖面圖。 圖4A〜圖4E為本發明第二實施例之内埋式線路結構 的製程的剖面圖。 【主要元件符號說明】 216 :第一接墊 218 :第二接墊 220a、402a :第一介電層 220b、402b :第二介電層 222a、314a :第一溝槽 222b、314b :第二溝槽 224a、312a:第一貫孔 224b、312b :第二貫孔 230a :第一阻鍍層 230b :第二阻鍍層 110 ' 210 :基板 120 :圖案化介電層 122 :凹槽圖案 122a :貫孔 122b .溝槽 130 :銅層 130a :導電通道 130b :線路 212 :上表面 214 :下表面 22 200952131 ❹ _ 1 (J09/U8。1 _ 27306twf.doc/n 240a :第一底導電層 240b :第二底導電層 250a :第一厚導電層 250b :第二厚導電層 310a :第一初始導電層 310b :第二初始導電層 410a :第一親水性薄膜 410b :第二親水性薄膜 420a :第一圖案化導電層 420b :第二圖案化導電層 430a :第一導電材料 430b :第二導電材料 A1 :第一觸媒顆粒 A2 :第二觸媒顆粒 Dl、D2 :深度 11 :第一凹槽圖案 12 :第二凹槽圖案 IQ、T2 :厚度

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Claims (1)

1. 200952131 ⑽ uiu_801010 27306twfd〇c/n 十、申請專利範圍： 1. 一種内埋式線路結構的製程，包括： 提供一基板，該基板具有一上表面與—下表 上表面相對於該下表面； 且U 形成一第一介電層於該基板的該上表面上； 形成一第一阻鍍層於該第一介電層上； 圖案化該第一阻鍍層與該第一介電層， ❹電層上形成一第一凹槽圖案； 於誘第-” 以一化學方法形成一第一底導電層於該第—凹槽圖 案内，且該第一底導電層暴露出該第一阻鍍層；以及曰σ 移除該第一阻鍍層。 2. 如申請專利範圍第丨項所述的内埋式線路結構的 製程，其中該第一阻鍍層的材質包括一疏水性高分子材料。 3. 如申請專利範圍第2項所述的内埋式線路結構的 製程，其中該疏水性高分子材料的材質包括碳與氫。 _ 4.如申請專利範圍第2項所述的内埋式線路結構的 製程，其中該疏水性高分子材料的材質包括甲基丙烯酸酯 型樹脂、乙烯苯基型樹脂、烯丙基型樹脂、聚丙烯酸酯型 樹脂、聚醚型樹脂、聚烯烴型樹脂、聚胺型樹脂或聚矽氧 烷型樹脂。 5·如申請專利範圍第2項所述的内埋式線路結構的 製程，其中形成該第一阻鍍層的方法包括液相沉積或分子 氣相沉積。 6.如申請專利範圍第2項所述的内埋式線路結構的 24 200952131 υ〇υιυυ?/ν801〇1〇 27306twf.doc/n 製程，其中移除該第一阻鍍層方法包括乾式蝕刻、分子氣 相沉積法之逆向程序、研磨或刮除。 7.如申請專利範圍第1項所述的内埋式線路結構的 製程，其中圖案化該第一阻鍍層與該第一介電層的方法包 括雷射燒飯、電漿蝕刻或機械切割製程。 8·如申請專利範圍第1項所述的内埋式線路結構的 製程，其中該機械切割製程包括水刀切割、喷砂或外型切 ❹ ❹ 割。 9·如申請專利範圍第1項所述的内埋式線路結構的 製程’其中該化學方法包括化學金屬沈積或化學氣相沈積。 10·如申請專利範圍第1項所述的内埋式線路結構的 製程，在形成該第一底導電層之後，更包括以無電電鍍法 形成一第一厚導電層於該第一底導電層上，且該第—厚導 電層的厚度大於該第一底導電層的厚度。 η·如申請專利範圍第1項所述的内埋式線路結構的 製程，更包括： Α成一第一介電層於該基板的該下表面上； 形成一第二阻鍍層於該第二介電層上； 圖案化該第二阻鍍層與該第二介電層，以於該第二介 電層上形成一第二凹槽圖案； 以該化學方法形成一第二底導電層於該第二凹槽圖 案内，且該第二底導電層暴露出該第二阻鍍層；以及 移除該第二阻鑛層。 12.如申請專利範圍第11項所述的内埋式線路結構 25 200952131 u〇uiuw^v801010 27306twf.doc/n 的製程，在形成該第二底導電層之後，更包括以無電電鍍 法形成一第二厚導電層於該第二底導電層上，且該第二厚 導電層的厚度大於該第二底導電層的庳度。 13. 如申請專利範圍第1項所述的内埋式線路結構的 製程，在形成該第一阻鍍層之前，更包括形成—第一初始 導電層於該第一介電層上。 14. 如申請專利範圍第13項所述的内埋式線路結構 ❹ 的製程，其中形成該第一初始導電層的方法包括化學金屬 沈積。 15. 如申請專利範圍第13項所述的内埋式線路結構 的製程，其中該第一介電層包括多顆觸媒顆粒，而在該第 一介電層上形成該第—凹槽圖案的同時，更包括活化並裸 露部分的該些觸媒顆粒，且該化學方法包括無電電鍍法。 16. 如申請專利範圍第15項所述的内埋式線路結構 的製程，其中該些觸媒顆粒為多個奈米顆粒。 ,17.如申請專利範圍第15項所述的内埋式線路結構 的製私’其中該些觸媒顆粒的材質包括過渡金屬錯合物。 18.如申請專利範圍第17項所述的内埋式線路結構 的製程’其中該些過渡金屬錯合物的材質選自於由錳、鉻、 鈀以及鉑所組成的群組。 19·如申請專利範圍第13項所述的内埋式線路結構 的製耘，在形成該第—底導電層之後，更包括以電鍍法形 成一第一厚導電層於該第一底導電層上。 20.如申請專利範圍第19項所述的内埋式線路結構 26 200952131 叫 w 叫力 „801010 27306twf.doc/n 的製程’在移除該第一阻鍍層之後，更包括移除該第一初 始導電層與該第一厚導電層突出於該第一介電層的部分。 21. 如申請專利範圍第20項所述的内埋式線路結構 的製程’其中移除該第一初始導電層與部分該第一厚導電 層的方法包括钱刻或研磨。 22. 如申請專利範圍第2〇項所述的内埋式線路結構 的製程，更包括： ❹ 形成一第二介電層於該基板的該下表面上； 形成一第二初始導電層於該第二介電層上； 形成一第二阻鍍層於該第二介電層上； 圖案化該第二阻鍍層與該第二介電層，以於該第二介 電層上形成一第二凹槽圖案； 以該化學方法形成一第二底導電層於該第二凹槽圖 案内； 以電鍍法形成一第二厚導電層於該第二底導電層上； _ 移除該第二阻鍍層；以及 移除該第二初始導電層與該第二厚導電層突出於該 第二介電層的部分。 23. —種内埋式線路結構的製程，包括： 提供一基板，該基板具有一上表面與一下表面，且該 上表面相對於該下表面； 形成一第一介電層於該基板的該上表面上，該第一介 電層包括多顆第一觸媒顆粒； 形成一第一親水性薄膜於該第一介電層上； 27 200952131 u〇uiv,v,y/U801010 27306twf.d〇c/n 圖 案化該第-親水性賴與該第—介 :介電層上形成-第1槽圖案並使其 一觸= 粒活化且裸露於該第一凹槽圖案内；-弟觸媒顆 以及 移除該第一親水性薄膜 圖 案化S層化學方法，在該第—凹_案内形成一第一 的製：·，ΐΓϊί利範圍第23項所述的内埋式線路結構 材料親水性薄膜的材質包括親水性高分子 的製範圍第24項所述的内埋式線路結構 L 性高分子材料的材f包括碳與氫。 的製程，巧第24項所述的内埋式線路結構 鍵結的聚’乙烯二:聚子==與-親水性官能基 基為氫氧基、酿胺=基=:，親水性官能 Ο 料概圍第23項__埋式線路結構 子氣^沉積第—親水性_方法液相沉積或分 的iHU利範11第23項所述的内埋式線路結構 ’/、巾移除該第-親水性薄朗方法包括水洗製程。 的制2f. *巾專利㈣第23項所述的内埋式線路結構 私〃中該些第一觸媒顆粒為多個奈米顆粒。 的制3„〇. *中料利範圍第23項所述的内埋式線路結構 、程八中該些第一觸媒顆粒的材質包括過渡金屬錯合 28 27306twf.doc/n 200952131 \j\j\j l\j\j ^ > v801010 物 31. 如申請專利範圍第3〇項所述 的製程’其中該些過渡金屬錯合物的材里式線路、、、。構 鈀以及鉑所組成的群組。 k自於由錳、鉻、 32. 如申請專利範圍第23項所述 的製程，其中圖案化該第一親水性薄„構 方法包括雷射燒餘、·_或機械切割^7電層的 33. 如申請專利範圍第32項所述 ^程，其中該機械切割製程包括水刀切割 二項所述的内埋式線路結構 5二d 括無電電鑛或化學氣相沈積。 的製程，在二/利範圍第23項所述的内埋式線路結構 後Μ权圖案化該第一親水性薄膜與該第一介電層之 ’更匕括對該第—凹槽圖案進行-除膠渣處理。 的散u6 "^中⑺專利範圍第35項所述的内埋式線路結構 理法程’，、中該除膠渣處理包括化學氧化還原法或電聚處 的制17.如中請專職圍第23項所述的内埋式線路結構 二八t麵除該第—親水性薄膜之後，更包括鈍化該第 )1電層的該第—凹槽圓案的内壁上緣。 3,如申請專利範圍第23項所述的内埋式線路結構 ’在形成該第—圖案化導電層之前，更包括於該第 四槽圖案内配置—第—導電材料。 29 200952131 sulOlO 27306twf.doc/n 39. 如申請專利範圍第38項所述的内埋式線路結構 的製程，其中該第一導電村料包括鋼膏、銅膠、碳膠、碳 膏、銀膏或銀膠。 40. 如申請專利範圍第23項所述的内埋式線路結構 的製程，更包括： 形成一第二介電層於該基板的該下表面上，該第二介 電層包括多顆第二觸媒顆粒；

   形成一第二親水性薄膜於該第二介電層上； 圖案化該第二親水性薄膜與該第二介電層，以於該第 電層上形成一第二凹槽圖案並使其中一些第二觸媒顆 粒活化且裸露於該第二凹槽圖案内； 移除該第二親水性薄膜；以及 案化化學方法，在該第二叫®翻形成一第二圖

   的製程範=4〇項所述的内埋式線路結構 的製程：3==1 包式線路結構 膏、銀膏或銀膠。 括銅膏、銅膠、碳膠、碳 30