200952038 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種塗布顯影裝置、塗布顯影方法及記憔有每 施該方法之程式之記憶媒體，該塗布顯影裝置包含加熱模，二 加熱模組包含能量供給部，對塗布有化學放大型光阻並沿圖 曝光之基板表面紐供給能量，贿沿_缝曝光之 影液之溶解性變化。 —τ 【先前技術】 ❹ 在係半導體製程之-之光阻步射，塗布光阻於 (以下稱晶®)表面卿成光賴，頌賴线此光阻 曰 之處理—般係使用連接曝光裝置於 進仃先阻之塗布、顯影之塗布顯影裝置之系統進行。 該光阻中，含有會因曝光使能量獲得供給 劑之化學放大型光_為主流廣受使 ^之^產生 形成光阻膜，受_光之晶圓在㈣處a t 進行化學放大反應會熱擴散而在光阻内 液之溶解性變化。 應）¥致姆光之區域㈣，對顯影 該曝光裝置中曝光步驟為：朝 光之區域之對顯影液之溶解性合 — 裝置曝光時，會就-騎區域持·："、、°因此’藉由該曝光 之能量已獲得供給為止 裝置之光源之光脈衝能量，依序來㈣於該曝光 光阻供給之。施加於絲阻之'、舰域並魏定圖案對 有範圍，即不會自酸產峰齑丨姦〜里就該光阻而言若未超過固 進行之充二;處理?恰可使該酸觸媒反應 曝光之區域之對龜影说★ 先阻之此置超過固有範圍時，經 —一1八^柯坩软降兀^ •々進行曝光至如此超過固有範圍 5 200952038 使===液體膜照射來自· ，不採用 源之光，發出EUV(極紫外線)之Euv光Ϊ以ίΐ 曝先;理，關於具體使用之光源或光阻材料等之檢討正 然而，相較於該雷射等，EUV豆 進仃中。 度亦有其極限，故EUV翻於“裝 之其結果會使曝光處理之處理量降低。— ==載在=人認為，以-進行曝光處= 哥π又馱1所§己載，應分為2次進行曝光。 使將ΪΓ阻、布顯影裝置之輸送機構必須控制下列動作，俾 布顯影裝置，故例如於曝光結束後，各晶圓必 Φ , 5 進行PEB之加熱模組為止設置於通路之模組 間合於2 一 J1送機構之輸送完成準備為止待命，有時，該待命時 2 ^1日日圓皆不同。已知在如此恰充分使曝光區域變質之量 上比ίίΐ，’至進!^PEB為止之時間(PED時間)一旦於每一晶圓 作if: ’至進⑽peb為止產生之酸之分布即會具有差異’ 2二ί使光阻圖案之形狀產生差異。該專利文獻1中未 阻何種日輪進行曝光後之ρεβ處理。因此，為抑制光 圖案形狀之劣化，以專利文獻丨之發明不夠充分。 【專利文獻1】曰本特開平3_142918(圖i等） 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 200952038 鑒於如此情事，本發明之目的在於提供一 $布顯影方法及實施該方法之記憶媒體，可抑制、 訏間變長’且即使自以曝光裝置結束曝光處理起，至^ ^巧 化學放大型光阻中產生之酸，使經曝光 ，仃為猎由 J化，進行之加Μ理為止之時間於每―:板皆;之 制於母一基板所形成之光阻圖案形狀之差異。 …亦可抑 (解決課題之手段） ' 本發明之塗布顯影裝置包含： Ο ⑩ |布模組，將-化學放大型光阻塗布於基板表面 H 大贱阻會因被供給之能量總量超有範 化;u導致找該能量供給之區域帽顯影液之溶解性產生g ，遞機構，魏於曝絲置輯該光_所供給之 不超過該範圍之対沿圖錢到曝*之基板； 朵铉夕杈組，包含：能量供給部’由該傳遞機構傳遞受到曝 J對該光阻膜整體供給能量，該能量之量 圍已及加^、該時所供給之能量之量之總和超過該固有範 圏，及加熱板，加熱該基板以使該溶解性產生變化；及 卿組，使於該加熱模組受到加熱之基板顯影以於該光阻 量或;板途一給能 機構構，繼絲胸自該傳遞 里供給部可對由該輸送機構輸送之基板供給能量，此 亦可包含載置基板之載置面，為控制自該能量供 附機，可包含以靜電吸_如基板之靜電吸盤，該載 w猎由此靜電吸盤表面構成之，或是藉由抽吸基板背面以吸 200952038 可設載熱置:向== ^ ’此時，為㈣自雜量供給雜至基供給能 2:或是藉由抽吸基板背面以將其吸附=== Ο =供給部可包含例如使基板曝光之光源 2 3電’以縣板供給帶電粒子 ㈡m 3起放電之電極構成。御板亦可例如Hi: 3: 該處^容如包含供給水絲之水紐供給機^理4内’於 本發明之塗布顯影方法包含下列步驟： 將化子放大型光阻塗布於基板表面以形 大型光阻會因被供給之能量總量超過固有範圍並I二二 ❹ 妒遞機構朝加熱模組傳遞以使對該光阻所供达之浐量不 ί由圍光阻於曝光裝置沿圖案受到曝光1^板 之基加熱板途中 該能量之板中該先阻·體供給能量， 之總和超過該固°有^圍广圍’且與該曝光時所供給之能量之量 ^於該加熱模組中之加熱板上載置該基板； 產生變化；及 膜 '又丨力，、、、之基板頦衫以形成圖案於該光阻 透過該送入區域 驟，
例如包含藉由設於加熱模組中之輸 將於曝絲技轉紅基_加熱域H 200952038 • 對由該輸送機構輸送之基板進行藉由該能量供給部供仏能吾 ' 錢麟加熱餘中之域板上載^基板 之步驟後只轭猎由該能量供給部供給能量之步驟。此由 加熱板對被載置於加熱板上之基板進行基板加熱 ^ 施藉由該能量供給部供給能量之步驟。 ^驟以中實 本發明之記憶媒體記憶有用於一種塗布顯影 式，該塗布顯影裝置包含： p衣置r之職程 膜，ίίΐί女ίΓ化ί放大型光阻塗布於基板表面以形成光阻 阻會因被供給之能量總量超過固有範圍並受 ❹ 2加熱轉致糾該能量供給之區域情顯影液之溶解性產生變 彻’舰該絲鱗絲置沿贿朗料之基板， 俾使對該先阻所供給之能量不超過該固有範圍； 遞之ίί模組’包含加熱板’該加熱板加熱因該傳遞機構而被傳 於該組’使於該加熱模组受到加熱之基板顯影以形成圖案 該記憶媒體之特徵在於·· 該電腦程絲肋實施上述塗袖影方法者。 ® (發明之效果） 放大型光阻形絲賴於基板，再藉由曝 埶板途巾衫熱巾之綠供給部，對被送入加 量於加熱板上之基板之該光阻膜整體供給能 之量該固有範圍，且與該曝光時所供給之能量 光曝光裝置進行圖案曝 光所需之眭門，置文到抑制，故可抑制該圖案曝 曰 可抑制因該圖案曝光而產生於光阻膜中之酸之 固右iirt塗布顯影裝置，藉由會隨供給之能量總量超過 到加熱，致受到該能量供給之區域中對顯影液之 9 200952038 ί酸i旦能量供給部供給能量，可使受到圖案曝光之區域 里增加後迅速以加熱板加熱，故即使以曝光裝置 輸送為止之時間於每—基板中皆有差異，亦可抑制酸 =布中產生差異，故可抑制光阻圖案之形狀於每—基板中皆產 -X- 【實施方式】 (實施發明之最佳形態） 第1實施形態 首先，就係本發明實施形態之主要部位即進行PEb處理之加 熱杈組(PEB模組)之第1實施形態，參照係其縱剖側視圖、橫剖俯❹ 視圖之圖1、_ 2並加以說明之。圖中所示之加熱模組i設於後述 塗布顯影裝置8内大氣氛圍中，送人晶圓w，該晶圓w.係藉由例 如化學放大型之正型光阻(以下僅記載為光阻)形成光阻膜，再藉由 連接塗布顯影裝置8之曝絲置C4沿既定_使該光阻膜‘光 者。 此加熱模組1包含框體11 ’於框體η之側壁形成晶圓…之 輸送口 12之開口。於框體11内设有分隔板η，將該框體I〗内上 下分隔。分隔板13之上側構成為送入區域19，用以將晶圓w送 入加熱板41。若以朝輸送口 12之一側為前侧，於該送入區域19 之前侧設有水平之冷卻板2。冷卻板2中於其背面侧包含未經圖示U 之冷卻流路’用以使例如溫度調節水在其中流動，構成為俾使將 被載置在係該冷卻板2表面之載置面20上之晶圓w冷卻。 冷卻板2之表面部21由介電質所構成，該表面^ 21内設有 電極22。電極22連接施加例如高電壓之電源部23 ,藉由後述之 控制部80控制自此電源部23朝電極22之電壓之施加。9因具有如 此構成，冷卻板2可構成為靜電吸盤，可將被載置在其表面部21 上之晶圓W背面整體吸附於冷卻板2。 '、 口 冷卻板2構成為一輸送機構，輸送所载置之晶圓w，透過支· 持部24連接驅動部25 ’構成為俾使可藉由該驅動部25，在框體 200952038 L1朝内側沿水平方向移動。驅動部25包含例如未經圖示 7 α正為，可因應自控制部8〇所送信之控制信號，使冷卻板 以速度移動。圖2中18係狹縫，用以使支持部24通過。 上伸i m降二?由昇降機構15在移動至前側之冷卻板2 2出:入’在透過輸运口 12進入框體u a之輸送 板2之間傳遞晶圓w。 j入區域I9中设有伸長之能量供給部3，俾使與例如冷卻板 之則進方向垂直。藉由基部31與設於該基部31下方之例如棒狀 之光=32構成能量供給部3，藉由例如爪燈構成光源32，朝下 m 方呈帶狀’紫外線。此能量供給部3連接輸出酿部％，調整 光源32之輸出。輸出調整部33根據來自控制部8〇之控制信號柃 制來自光源32之光輸出。 工 圖3(a)、（b)所示’將晶圓W吸附於其載置面2〇之冷卻板 2在能量供給部3下方自前侧朝内側移動時通過光源32下方，對 晶圓W表面整體供給來自光源32之光。此時，如上述，因晶圓 W由冷卻板2所吸附，故圖中以hl所示之光源32與其下方晶圓 W之距離於冷卻板2移動中保持固定。 、 於框體11之内側設有圓形之加熱板41，載置有晶圓w，就 該被載置之晶圓W進行加熱。加熱板41之内部設有加熱器42， ® 加熱器42接受來自控制部80之控制信號，控制係加熱表面 之晶圓W之載置面40之溫度，將由該載置面4〇所載置之晶圓w 以任意溫度加熱。圖中41a、41b係支持構件，支持加熱板41。圖 中16係昇降銷’透過昇降機構π在加熱板41上伸出沒入，在移 動至加熱板41上之冷卻板2與加熱板41之間傳遞晶圓w。 於加熱板41周圍設有環狀之排氣部43，於排氣部43表面設 有複數之排氣口 44，沿該排氣部43之周向形成開口。排氣部= 連接排氣管46之一端’排氣管46之另一端連接排氣機構47，由 真空泵等所構成。藉由排氣機構47 ’自排氣孔44透過形成於排氣 * 管46及排氣部43内之排氣流路45進行排氣。排氣機構47具^_ 11 200952038 =====自梅~信號，因 由昇自透f支持構件沿並藉 43之邊緣密接，由加熱板41 接構件48與排氣部 空間之處理空間s。排· 43 am圍構成為係密閉 如圖4所示，蓋體51之中成處理容器50。 蓋體5!分別以水平之方式言之一端。於 隔晶圓W上之空間，形成目5 下方向分 〇 =5_流通室57。整==== 體流出口 54a、55a，自羲體徂仏其μ ± @刀⑴0又有爹數之軋 體依氣體_ 54a、= 56供給之氣 通，朝處理空間S供給之，以對曰圓=553之順序流 係加熱部，_⑽結蒸===舰給之。圖” 露而：安裝: J管61内水蒸氣結 之氣體溫度而加熱。且如二二應===給管65内流通 儲存有純水之編2之氣相部形成^ ◎ =之==之外周，藉由二二包= j ΪΪ包圍隔熱材_之外裝部*所構成，該 二=感測器63朝控制部8〇輪出因應容器纪内之 ^號’根據該輸出’控制部8G對包覆式加 制; 控制容器62内之水溫為奴温度。… 噴嘴相部分中浸潰有噴嘴67，_進行起泡， ，繼供給㈣ 器62之途中分支而形成分支管65，分f 體供給源69。 g 65之上游側連接該胤 12 200952038 咏分支官65及氣體供給管68中插設有由閥或質詈a旦批制π 2構成之氣體供域11雜66 ’控嚮此等各f供^ =體。Ν2氣體-旦自氣體供給管68並自喷嘴 2 t，藉由該包覆式加熱器64將其加熱並起泡 流入氣體供給管6卜且魏分絲65流 ^2乳體並 反^ 3有既疋罝之水減之叫氣體，俾使促進光阻中之酸觸媒 Ο Ο 其次說明關於包含加熱模組1之塗布顯影 ，，置C4連接塗布顯影裝置8之^= 8 、洗之立體圖。且圖7係同系統之縱剖面圖。此裝置执右、:主 =，才籌成為俾使傳遞臂82自被在該載置台81上^: 載體c取出晶m w以祕麵塊C2 _之，傳遞臂8 區塊C2接收經處理之晶圓霄以使其回到载體c。 處里 構成Ϊ處理區塊C2中’如圖6所示於此例中自下而上依序堆4 第1區塊(DEV層)B1，用以進行顯影處理； 第2區塊(BCT層)B2，用以進行形成於光阻膜之 射膜之形成處理； 曰之抗反 第3區塊(COT層)B3 ’用以塗布光阻膜；及 第4區塊(TCT層)B4，用以進行形成於光阻膜 射膜之形成。 屬之抗反 成第2區塊(BCT層)B2與第4區塊(TCT層)B4係藉由下列者構 塗布模組，藉由旋轉塗布法將用以使形成於光阻臈下岸 反射膜、被覆光阻膜之保護膜形成之藥液加以塗布； g几 架座單元，構成加熱•冷卻系之處理模組群組，用以 此塗布模組所進行之處理之前處理及後處理；及 輸送臂A2、A4，設於該塗布模組與處理模組群組之 等者之間傳遞晶圓W。 牧此 13 200952038 藉由Si 輸送臂A移動之輪送區域ri排列，分別 除該藥液係光阻液外亦# ^，於苐3£塊(聊卵3 B，以鱼Μ ^ ^糸相门之構成。關於上述第2〜第4區塊 ΐ-二㊣塊B1就俯視之視點而言相同之布局構成之。 ^第1區塊(DEV層)B1，如圖7所示，於一 座單元"ui mH2段龍布淑之顯影齡83，設有架 读壁Δ Ί m、士 後處理 於該DEV層B1内，設有輸 亦卽此等顯影模組83與該處理模組輸送晶圓w。 層R1由/ ΤιΛ/於3段顯影模組輸送臂A1受到共通化。且此DEV 歹1架座單元U4係藉由上述加熱模、組i所構成。 仿於ίίΓ區塊C2中’如圖5及圖7所示，設有架座單元U5， ίf A H近之位置。絲座單元U5，如圖7所示， K鬥具溫度調節功能之傳遞平# cpl及可使複數 ^暫_留之傳遞平台BF，俾使可與各區塊B1〜B4之輸送 ί二〜、Ϊ間傳遞晶圓w。於架座單元U5附近設有可自由昇 ίΐΛ达ί可對此等設於架座單元U5之平台接近。且傳遞 f亦可對設於對應BCT層拉及卿層B1之高度位置之平台 接近。 ❹ 且於處理區? C2，輪送區域R1之與介面區境C3鄰接之區 7所示’設钱鮮元U6，位於輸送臂ai及後述之 84可接近之位置。該架座單元U6與架座單元U5相同， 包含傳遞平台TRS及CPL。 於DEV層B1内之上部設有穿梭臂84，係一專用之輸送機 構丄用以將曰^圓w直接自設於架座單元U5之傳遞平台cpL輸送 ^设於架座單元U6之舰平纟CPL。且於介面魏ο設有介面 煮85，構成一傳遞機構，可在架座單元U6之各平台與曝光 C4之間傳遞晶圓w。 且連接塗布顯影裝置8之曝光裝置C4之光源中，可使用例 如照射極紫外線(EUV)者，此euv之波長為 13nm~14nm ° 14 200952038 塗布頒衫裝置8包含由例如電腦所播士、 ㈣係藉由程式、記憶體、成==== 號，以進行後述之塗布顯影處理之各部傳送控制信 如軟碟、光碟、硬碟、Μ0(磁光碟)等記=，===， 且控制部80包含未圖示之輸入螢幕，：^=。 ϋ對一批次設定於加熱模組1能量供^部3中之曝 ί ΐ : ίΪ 之加熱溫度等處理條件。如此因_設定之^ ❹ 鲁 部33以對應此之輪出使光照射並藉由驅= =速度’以使冷卻板2上之晶圓w以此4定 接著參照係顯示形成於晶圓w表面之光 =i側視圖之圖8並同時說明關於塗布 、J J狀J之 之操作員預先設定加熱模組1中各批 批次之能量供給部3之曝光量等。該曝光量係 根據所塗布之光阻性質與曝光裝置C4中之曝光量設定。 ’、 、此例中’如圖9所不’晶圓w上塗布有正型之化學放大型 ，:被供給之能量總和多於llmJ/cm2〜12mJ/cm2，且受到加熱 該被供給能量之區域雌騎之轉性會劇朗大，^裝 =4如後述沿既定圖案進行曝光例如7mJ/cm2。在此例如將以能量 供給部3供給之曝光量(劑量)設定為7mJ/cm2，俾使例如將多於 12mJ/cm之能量朝以曝光裝置〇4所曝光之區域供給之。 、 、於其設定後，例如自外部將收納有晶圓W之載體c載置於 載置部82 ’依序藉由傳遞臂82將來自載體c之晶圓w朝對應 2區塊(BCT層)B2之傳遞平台CPL2輸送之。第2區塊(BCT層^Β2 内之輸送臂Α2自此傳遞平台CPL2接收晶圓w，將其朝各模組(抗 15 200952038 反細形成模組及加熱•冷卻系之處 此等模組使抗反射膜形成於晶圓w。模組稃組)輪送之，以藉由 其後，將晶圓w透過架座單元U5 D1、架座單元U5之傳遞平台cpL3及^傳遞平口 BF2、傳遞臂 層)B3，朝該C0T層B3之塗布 '』、迗摩A3送入第3區塊(c〇T W供給正型植較A型光阻，布單元對晶圓 將形成有光阻膜之晶圓w經過輪 、。 傳遞單元BF3—傳遞臂D1架座單元U5之 BF3。又，有時座單元U5中之傳遞平台 晶圓W進一步形成有S保謹膜^ 層)B4使形成有光阻膜之 W朝輸送臂Μ傳遞，在形成保日^後遞平台CPL4將晶圓 TRS4傳遞之。 ”濩膜後猎由輪达臂Α4朝傳遞平台 包含既ί之St 光裝置c4輸送晶®w，在此透過 光如以箭頭所示^a 遮罩％將自非圖示之光源所發出之 部93之區域94曝^又W f面供給之’使光阻膜％中對應開口 區域移動，並同時/既定罩=平移動以依序使曝光 轉光之_ 94所供給之能量為 所示，如插1 供置在曝光區域中幾乎不會產生酸，如圖9 解於顯^液。此直接繼續進行加熱處理、顯影處理亦幾乎不會溶 置於面臂85將於曝光裝置C4曝光處理結束之晶圓W載 層βΓ之之傳遞平台TRS6 ’ '然後藉由輸送臂A1朝DEV i圓m之加熱模組1輸送之。昇降銷14 一旦接收 之冷外把0 9電源部23對待命於加熱模組1前側(輸送口 11侧） 之电極22施加電壓。接著昇降銷14 一旦下降，即將 16 200952038 晶圓W整體吸附於冷卻板2上。然後，藉由控制部8〇自光源32 以對應預先所没定之曝光量之輸出照射光，並以對應該曝光量 速度使冷卻板2在能量供給部3之光源32下方朝加熱板41上移 動，自光源32朝晶圓W表面整體照射紫外線，供給7mJ/cm2 能量。 猎由來自光源32之曝光，如圖9之曲線圖所示，先以曝光裝 置C4進行圖案曝光之區域94中所供給之能量總和為14mJ/cm2， 在該區域94中已引起之後進行PEB處理時充分之酸觸媒反應(化 予放大反應）’產生充分量之酸’俾使顯影處理時區域94整體為可 溶。而另一方面，於曝光裝置C4未受到曝光之區域95之曝光量 則停留在7mJ/cm2，故相較於區域94酸之產生受到抑制，該區域 95中於PEB處理時不進行酸觸媒反應，區域95於顯影處理時 乎不溶解。 將因能量供給部3受到曝光之晶圓w加以固持之冷卻板2 一 旦位於加熱板41上’即停止照射來自光源32之光，透過昇降銷 16將晶圓W傳遞至加熱板41，使冷卻板2回到加熱模組丨之前 侧。接著使蓋體51下降，形成密閉之處理空間s。接著對晶圓w 表面整體供給含有水蒸氣之Ns氣體，將此&氣體抽吸至排氣口 44，朝晶圓W之周向加以排氣。使晶圓w暴露於如此之氣流中 並同時藉由加熱板41之熱將其加熱，以使光阻膜91之經圖案曝 光之區域94中酸觸媒反應得以進行。 、 八 自將晶圓W載置於加熱板41起經過既定時間後，停止對晶 圓W供給氣體，以與送入處理容器5〇之送入動作相反之動作g 曰曰圓W自加熱板41朝冷卻板2傳遞，透過輸送臂Ai將因該冷卻 板2而被冷卻之晶圓W朝顯影桓組DEV輸送之。一旦以DEV供 給顯影液’即如圖8(c)所示，僅光阻膜91中已於曝光裝置C4受 至J圖案曝光之£域94溶解於顯景；j液’形成圖案96。然後，藉由輸 送臂A1將晶圓W朝架座單元U5之傳遞台TRS1傳遞，其後，透 過傳遞臂82使其回到載體C。 八 17 200952038 之將晶圓w送處加熱模組1 使形成有沿既定圖宰“受到曝#、二〗内5又有#量供給部3 ’ 以此能量供給部匕二g之;1^膜壯之晶圓…表面整體曝光’ 中因圖案曝絲曝絲置c4 抑制該圖案曝光所需之時門'™ B 之此里之里叉到抑制，故可 中產生之酸之量。又，可曝絲在光阻膜 〇 =每:·雜施為2時 3推Λ在f 板2朝加熱板41輸送晶圓W中以能量供Μ 3進订曝光，故可抑制處理量。，，供、，、口 口Ρ 加熱模組1内時，例如於曰圓w 為大軋氦圍構成 光源32下方時光源32鱼曰^ 曲^晶圓W變形’通過 ra*每道功处旦a # /回W各部之距離一旦產生差異，即會 曰=減’而有差異產生於對晶®w&部所供认之能 卩使如此將具她曲之晶圓w送人力中 板2朝加熱板41移動時，m9 肢保持水平，故在冷卻 亦為固定，故可抑二部之距離 確實抑制於每-晶圓先阻圖案之 異生差異。因此’可更 且於此加熱模組1中在加熱晶圓W時供給水基氣，蕪由力執 板41加熱晶圓W時使光阻 ==加熱 散活化，並促進之。因此，相較 1 於94中酸之擴 ^94 , C4對絲供給之能量。如此以曝光 衣置C4供,。之月匕里叉到抑制時，可實現縮短曝光裝置a中之曝 18 200952038 光時間，縮短就1片晶圓w自曝光開始至曝光結束之時 士 可抑制至藉由加熱模組1加熱為止因以此曝光裝置(：4曝 酸於晶圓W面内分布之均—性降低，故可在晶圓w 一性高之圖案。 π取巧
—為使於冷卻板移動中光源32與其下方之晶圓w之距離hl為 固定：亦可例如圖10(a)、（b)所示構成冷卻板作為真空埠。， 之冷卻板ιοί中於該表面包含多數之開口部102，開口部1〇2 冷卻板101内之流路103連接排氣管1〇4之一端，排氣管1〇4之 另一端連接構成抽吸機構之喷射器105。喷射器1〇5接受到自控 部80所輸出之控制信號，自開口部1〇2以既定流量進行 脾 晶圓W吸附於冷卻板ιοί上。 將 且能量供給部3之光源部中，不限於如上述光源32對晶圓W 壬帶狀照射光者。圖11(a)所示之光源部1〇6構成為朝下方呈點狀 ^射光，透過驅動部107安裝於基部31。驅動部1〇7以對應冷 f 2移動速:度之速度在基部31之一端與另一端重複來回移動，如 圖11(2)，示，可對朝加熱板41上輸送之晶圓w整體照射光。 口能I供給部3之光源部中不限於照射紫外線等短波長光者， =要可對晶® 予能量，亦可使賴射電子束者或騎離子 Ϊ田且曝光裝置C4巾亦除藉由EUY曝光者外，亦可使用以往所 之例如包含KrF光源或ArF光源者，且亦可使用在晶圓上形 成液體膜，透過該液體膜進行曝光之進行液浸曝光者。 第2實施形態 一接著s兒明關於進行PEB之加熱模組第2實施形態。圖12顯 =熱模、板111之縱剖側面。關於與加熱模組丄構成相同之處則 =相隨號’省略酬。此加熱模組m巾冷卻板112未構成 f靜電吸盤，朝加熱板41送入晶圓W之送入區域19中未設有能 ^部3。構成處理抑5〇之蓋體113軸蓋體51構成相同， 流板55中，如圖13所示形成有構成能量供給部之多數之 斟if 114，俾使朝下方突出。藉由電源部115並透過整流板55 、針氣極114施加電壓’經施加電壓之針電極會於處理空間$ 19 200952038 產生電暈放電，將因該放雷 表面整體供给之。 斤產生之電漿中之帶電粒子朝晶圓w 圖14⑻顯示整流板55之 正方格子狀。且圖中雖省略衰^面針电極114例如此配置為 形成於針電極m與針電極〗=出口 ==該氣體流出口外 氣體。且針電極114之斬番±之間俾使可均一對晶圓w供给 配置為三方格子狀。置中不_此例，亦可例如圖14(b)所示 電極m戶^施加之電^114與晶圓w之距離及對針 構成 且 並透過該靜電健^加盤121，藉由加熱器42 同其表面係藉由介電質力^相 極123，該電極123連接電筹二。二：質土22内部中喪入有電 表面之晶圓W之載置面，構成A 平形成為靜電吸盤121上 晶圓W所施加之，控 ^制自靜電吸盤121對 量。且亦可設置突出指曰曰固w所供給之帶電粒子能量之 電吸盤121表面浮起，萨此上之銷，使晶圓W稍微自靜 如此藉由二=:如:二加二=^^ 因空氣引起能量衰断，針電極曝 化，即會因電場強度變化而在 1 旦發錄 生差異，而導致對晶圓W之光阻粒子數上發 如上述融靜紐盤⑵不m 針電極114與其下方之晶圓w ^ 夺水平，該各 W各部^在各晶圓之間所供給之能距量離以抑制對晶圓 說明關於加熱模組111之作用。如上述，—日將於曝 先裝置C3賴光之晶圓W送人此加熱模組lu，透過^板 20 200952038 ' 112將晶圓w送人處理容㈣，即對靜 '加傾，將透過昇降銷16被載置於靜電吸盤121之1^123施 ，，靜電讀121上，藉由加触41 與晶表面之距離於固定。 上门Η呆持針電極114 藉由電源部115對針電極i 14施加電塵以 體供給因放電產生之賴中之帶電粒子。例 夏^使於曝光裝置C4所曝光之區域之酸增加Ξ 了 即知止放電。因加熱晶圓w，產 曰加後 ❹ 光之區域中擴散，引起化學放大反生應裝献置C =曝 定IS?實施形態相同自處理容 量達到既定量之區域所供給之能 理止圓後產生酸起’至進行PEB處
於每-晶®產生差/ίίί：： °因此’可抑制光關案之形狀 虚理，^ 差異猎由如此_供給帶電粒子並進行PEB 抑制加，f如此縮短處理時間，藉此可實現 制該附著之昇細51’因此可抑 ❹ 壓之對針電極114施加電塵之時點及停止施加電 之。二=圓上二宜帶因電==促進效果進行 板41之，上昇再進二:電理粒子’自“該供给起’使加熱 體51内棒形例中’如圖Η⑻、_示，亦可使於蓋 線上之多數之名fHHr沿支持部125之長度方向排列在直 排列方向垂直’， 透過該支持部125水平移動，俾使與該 中以箭頭所示，使於體供給帶電粒子。且亦可如圖16 横移動，以對晶圓^整下體方^帶1=電極114之支持部卿 21 200952038 施形態中’亦可不於蓋體51内設置針電植114而代 f 進行曝光’使晶圓W整體曝
先第貝施形悲中可猎由此針電極114供給帶電粒子，玄丨 如圖17(a)、（b)所示於基部31下立 亦可iJ 極U4下=之晶圓W供給帶ϋ置針电極114，對通過該針電 第2實施形態中亦可不構成加熱板41表面為靜雷吸盤 41之載其^成為將晶圓w背面^該加熱板 ❹ 數之開口部，透過排氣管104自該開;;部128抽圓H口^夕 i關於第2實施職及其變形例，亦可在加熱晶圓w圓H月水蒸 之,ϋίί施縣巾，雖已說·於塗布由曝鱗所供仏 正固 時，供食塗布所供給之能量總量超過固有範圍 =驗r域於顯料為不溶之負型光阻。 評價試驗1 ❹ 朵壯^備械有光賴於其表面之複數之晶® W，使賴述之曝 定圖案對每一晶圓以不同之曝光量進=Ϊ Ϊ
後，進行顯影處理。又，觀曝光，更進行PEB 多少全面案區域對顯影液之轉性變化最低需 士廿心如圖19所示，分別設定圖案曝光量、全面珉氺旦於甘讲^ 狀之關示上賴驗結果以_之又旦 全面曝ft卩會增加崎之全面曝錄。換言之 藉由進行沪圖：暾先德p:減2圖案之曝光量。因此如本發明， H卞曝先後進行整體曝光之步驟，可抑制曝光裝置中 22 200952038 ϊ其結果加以製圖為球狀之點。ί此 :對顯影液之溶解性變化所需之圖案;=== 評價試驗2 冗布:二之::處束理曝容==，置= 7.5麵U容=板41與針電極山之距離h3為 分別設定對釙雷^ n4 # 1板”加熱板41之距離h4為丨6.5_。 其他晶圓時為-12kV。^"之電麼在處理某晶圓時為+12kV，處理 時。πΠ得知，無論是施加+12kV之電壓 可如上述fm ^時皆可見顺之擴散。因此可喊認亦
不以加熱模組進行曝先而代之以藉由帶電粒I 評價試驗3 複數自«上堆疊， 電粒子。針電極114與晶圓w之距離對其^心，，帶 針電極114施加之電壓在處理 時為.：’$別J定對 圓W時為_12kv。對此晶圓w雖圓已^^= ’、處理其他晶 未進行曝光處理。供給帶餘子後，在ιί Γ上，進行顯影處理’然後觀察晶圓W中心之情形 ”，、細疋以+i2kV施加電壓時’亦戍是 > 圓W中心附近觀察到化學放大反應。因 2可得知’顯示藉由不進行曝光而代 =^貝= 與進行曝光時相同使光阻中之酸增大。1、σ ▼電粒子，可如 23 200952038 【圖式簡單說明】 - 圖1係設於本發明之塗布顯影裝置之依第1實施形態之加埶-模組之縱剖侧視圖。 … 圖2係該加熱模組之橫剖俯視圖。 圖3(a)、(1^係顯示以該加熱模組使晶圓曝光之情形之說明圖。 圖4係顯示以該加熱模組加熱晶圓之情形之說明圖。 圖5係該塗布顯影裝置之俯視圖。 圖6係該塗布顯影裝置之立體圖。 圖7係該塗布贿裝置之_側姻。 圖8(a)、（b)、（c)係藉由該塗布顯影裝置所形成之光阻膜之 剖侧視圖。 q 圖9係顯不光阻之曝光量與對顯影液之溶解量之關係圖。 圖10(a)、（b)係顯示加熱模組中冷卻板之其他構成例之縱剖側 視圖。 圖11(a)、（b)係顯示加熱模組中表面曝光部之其他構成例之縱 剖侧視圖。 圖12係依第2實施形態之加熱模組之縱剖侧視圖。 圖13係該加熱模組之蓋體之縱剖侧視圖。 圖14(a)、（b)係顯示設於該蓋體之針電極配置例之俯視圖。 圖。圖15(a)、（b)係顯示該加熱模組之針電極之其他構成例之說明❹ 圖16係顯示該加熱模組之針電極之其他構成例之說明圖。 ^ 係將針電極適用於第1實施形態之構成圖。 圖係顯示該加熱模組之其他構成例之說明圖。 圖19係顯示評價試驗結果之曲線圖。 圖20(a)、（b)係顯示評價試驗中使用之裝置構成之概略圖。 【主要元件符號說明】 A1〜A4:輪送臂 B1:第1區塊(DEV層） 24 200952038 - B2:第2區塊(BCT層） ' B3:第3區塊(COT層） B4:第4區塊(TCT層） BF、BF2、BF3、CPL、CPL2、CPL3、CPL4、CPLn、CPL12 TRS、TRS1〜TRS6:傳遞平台 C1:載持塊 C2:處理區塊 C3:介面區塊 C4:曝光裝置 C:載體 ❹ D1:傳遞臂 DEV:顯影模組 hi〜h5:距離 R1:輸送區域 S:處理空間 U1〜U6:架座單元 晶圓 1、 111:加熱模組 2、 皿、112:冷卻板 _ 3:能量供給部 8:塗布顯影裝置(裝置） 11:框體 12:輸送口 13:分隔板 14、 16:昇降銷 15、 17:昇降機構 18:狹缝 19:送入區域 - 20、40、120:載置面 21:表面部 25 200952038 22、 123:電極 23、 115、124:電源部 24、 125、126:支持部 25、 107:驅動部 31:基部 32、106:光源(光源部） 33:輸出調整部 41:加熱板 41a、41b:支持構件 42:加熱器 · 43:排氣部 44:排氣口 45:排氣流路 46、104:排氣管 47:排氣機構 48:密接構件 50、 130:處理容器 51、 113:蓋體 51a:支持構件 52:昇降機構 54、55:整流板 54a、55a:氣體流出口 56:第1流通室 57:第2流通室 58:加熱部 6卜65、68:氣體供給管 61a:捲帶式加熱器 62:容器 63:溫度感測器 64:包覆式加熱器 200952038 ' 64a:加熱器 64b:隔熱材 64c:外裝部 65:分支管 66:氣體供給機器群組 67:喷嘴 69:氣體供給源 80:控制部 81:載置台 82:傳遞臂 ❹ 83:顯影模組 84:穿梭臂 85:介面臂 91:光阻膜 92:曝光遮罩(遮罩） 93、 102、128:開口部 94、 95:區域 96:圖案 103:流路 ❿ 105:喷射器 114:針電極 121:靜電吸盤 122:介電質 127:真空埠