TW200933309A - Stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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200933309 ·,. ' 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於載台裝置、曝光裝置及元件製造方法。 本案係根據2007年12月17日所申請之日本特願 2007-325076號而主張優先權，在此援用其内容。 ί先翁技術】 光微影製程中所使用之曝光裝置，係以曝光用光照明 光罩’以透過該光罩之曝光用光將基板曝光。例如專利文 獻1中所揭示，曝光裝置，具備：保持光罩並使其移動之 光罩栽台、及保持基板並使其移動之基板載台。 [專利文獻1 ]美國專利申請公開第2005/0248744號說 明書 【發明内容】 例如在藉由曝光用光之照射而使光罩產生溫度變化 後’存在發生曝光不良之可能性。例如，藉由曝光用光之 照射而使光罩溫度上升並發生熱變形後，會使光罩之圖案 像發生畸變、或基板上之圖案之重疊精度降低，從而有可 能導致形成於基板上之圖案發生缺陷等曝光不良。其結果 有可能產生不良元件。 本發明之態樣，其目的在於提供一種可抑制光罩之溫 度變化的載台裝置。又，本發明之態樣，其目的在於提： 一種可抑制發生曝光不良之曝光裝置。此外，本發明之態 200933309 樣，其 方法。 目的在於提供一種 可抑制產生不良元件 之元件製造 移動二本發明之第1態樣，可提供-種載台裝置，具備. =及用：保持被曝光用光照射之光罩並沿著既定面移 藉此部’㈣質上隨該移動體之移動而移動， 控制4光罩附近之氣體流動。

:本發明之第2態樣，提供一種載台裝置，具備：移 構件，具有將被曝光用光照射光 部，沿著包含曝& 持之保持 耗.、 之照射位置之既定面，保持光罩而 ，以及進氣機構，包含引入氣體之引入口供自引入 引入之氣體流動之第！通氣路徑、及將流動於第^通氣 路徑之氣體供應於由保持部所保持之光罩表面之供應口。 依本發明之第3態樣，提供一種載台裝置，具備：移 動構件’具有用以保持被曝光用光照射之光罩之保持部， &著包含曝光用光之照射位置之既定面，保持光罩而移 動，以及排氣機構，包含供通過光罩表面之氣體之至少一 口 I5刀机入之流入口、供自流入口流入之氣體流動之第2通 氣路徑、及將流經第2通氣路徑之氣體排出的排氣口。 依本發明之第4態樣，提供一種曝光裝置，係以曝光 用光照明光罩，以透過光罩之曝光用光將基板曝光，其具 備第i、第2、及第3態樣之載台裝置。 依本發明之第5態樣，提供一種元件製造方法，包含： 使用第4態樣之曝光裝置將基板曝光之動作；以及將經曝 光之基板進行顯影之動作。 7 200933309 發明之敔畢 依本發明之態樣，可抑制光罩之溫度變化。又，依本 發明之態樣，可抑制曝光不良之發生。此外，依本發明之 態樣，可抑制不良元件之發生。 【實施方式】 又下 邊參照圖式一邊對本發明之實施形態進行說 明，但本發明並不限定於此。於以下之說明，設定正 交座標系，參照該χγζ正交座標系來對各構件之位置關係 加以說明。將水平面内之既定方向設為χ軸方向，將水平 面内與X轴方向正交之方向設為丫轴方向，並將與χ抽方 向及γ軸方向分別正交之方向（即垂直方向）設為ζ軸方 向又，將繞X轴、γ轴及ζ轴之旋轉（傾斜）方向分別 設為ΘΧ、0Υ及0Ζ方向。 <第1實施形態> 對第1實施形態進行說明。圖i係表示第【實施形態 之曝光裝置Ex之—例的概略構成圖。於圖1中，曝光裝置 EX具備：光罩載台卜用以將光罩Μ加以保持且使其可移 板載〇 2，用以將基板Ρ加以保持且使其可移動；昭 明系統二，其以曝光用光虹來對由光罩載…保持之： 罩Μ進订照明，投影光學系統’用以將曝光用光此所 光罩M之圖案像投影於由基板載台2所保持之基板 P上’以及控制裝置3，用以控制曝光裝置Μ整體之動作。 控制裝置3例如句合領^ ^ 3電聪》系統。又，曝光裝置EX，具備形 200933309 成對基板P進行處理之内部空間4之室裝置5。室裝置5能 夠調整内部空間4之環境（包含溫度、濕度及潔淨度）。 基板P係用以製造元件之基板，其包含例如於發晶圓 之類的半導體晶圓等基材形成有感光膜者。感光膜係感光 材料（光阻）之膜。又，對於基板P而言，亦可於感光膜 上形成保護膜（外塗膜）之類的各種膜。 光罩Μ包含由投影於基板p上之元件圖案所形成之標 線片（reticle)。本實施形態，光罩Μ例如係使用鉻等之 ® 遮光膜而於玻璃板等之透明板形成既定圖案之透射型光 罩。該透射型光罩並不限於以遮光膜而形成圖案之二元式 光罩（binary mask )，亦包含例如半色調（half t〇ne)型或 空間頻率調變型等之相移光罩。又，本實施形態，使用透 射型光罩來作為光罩Μ ’但亦可使用反射型光單。 本實施形態之曝光裝置ΕΧ，係一邊使光罩Μ與基板ρ 同步移動於既定之掃描方向，一邊以透過光罩“之曝光用 ❹光EL將基板Ρ曝光之掃描型曝光裝置（所謂掃描步進機）。 本實施形態，將基板ρ之掃描方向（同步移動方向）設為Υ 軸方向，並將光罩Μ之掃描方向（同步移動方向）亦設為 Υ軸方向。曝光裝置ΕΧ，係使基板Ρ相對於投影光學系統 PL之技衫£域PR而移動於Υ轴方向，且與該基板ρ在γ 軸方向上之移動同步，一邊使光罩Μ相對於照明系統比之 照明區域IR而移動於γ轴方向，一邊以曝光用光el照明 光罩Μ，使來自該光罩M之曝光用光由投影光學系 統PL而照射於基板！>上。照明系統比之照明區域汛，包 9 200933309 含自照明系統IL射出之曝光用光el之照射位置，投影光 學系統PL之投影區域PR，包含自投影光學系統pL射出之 曝光用光EL之照射位置。

曝光裝置EX具備本體8，該本體8包含例如設置於潔 淨室内之地面FL上之第1柱6、及設置於第丨柱6上之第 2柱7。第1柱6具有複數根第j支柱9、及由該等第】支 柱9經由防振裝置1〇所支承之第1平板u。第2柱7，具 有設置於第1平板11上之複數根第2支柱12、及 2支柱12所支承之第2平板13。 等第 照明系統IL以照度均勻分布之曝光用光EL照明既定 之照明區域IR。光罩Μ可移動於照明系統IL之照明區域 IR (曝光用光EL之照射位置）。照明系統IL以照度均勻 分布之曝光用光EL照明配置於照明區域IR上之光罩μ之

至少-部分。作為自照明系統IL射出之曝光用光虹，可使 用例如自水銀燈所射出之光線（g線、h線、d線）及尺汀 準分子雷射光（波長248 nm)等遠紫外光（DUV光）、細 準分子雷射光（波長193 nm)及F2雷射（波長157nm)等 之真空紫外光（VUV光）等。本實施形態，係使用作為紫 外光（真空紫外幻之ArF準分子雷射光來作為曝光用光 光罩載台1，具有將曝光用光EL所照射之光罩m加以 保持之光罩保持部14。鮮保持部14可裝卸光罩M。本實 施形態，光罩保持部14，以使光罩M之下面（圖案形成面) Mb與XY平面大致平行之方式來保持光罩光罩載台1 10 200933309 藉由氣體轴承（gasbearing)以非接觸方式被支承於第2 板13之上面（導引面）13G。本實施形態，第2平板 上面⑽與灯平面大致平行。光罩載台i，藉由包含線性 馬達等致動器之光罩載台驅動裝置15之作動，沿著包含自 照明系統IL所射出之曝光用光EL之照射位置（照明系統 IL之照明區域IR)的第2平板13之上面ug來保持光罩 Μ且可移動。本實施形態，光罩載台】，係在將光單μ保 持於光罩保持部14之狀態下，於第2平板13上可移動於χ 軸、Υ軸及ΘΖ方向3個方向。光罩載台i，具有例如在進 行基板P之曝光時、或在使用曝光用光EL2測量時等供曝 光用光EL通過之第"省口 16。第2平板13具有供曝 光EL通過之第2開口 17。自照明系統IL射出、且對光罩 Μ進行照明後之曝光用光EL，在通過第丨開口 16及第2 開口 1 7後射入投影光學系統pL。

又，於第2平板13上，設置有與光罩載台1朝Y轴方 向之一方向（例如+Y方向）移動對應而朝與該光罩載台t 相反之方向（例如—γ方向）移動的反塊（c〇unter mass)丨8。 反塊1 8，藉由包含氣墊（air pad )之自體重消除機構以非 接觸方式被支承於第2平板13之上面13G。本實施形態， 反塊18設置於光罩載台1周圍。 光罩載台1 (光罩Μ)之位置資訊藉由干涉計系統i 9 之雷射干涉計19 A而測量。雷射干涉計i 9 a對光罩載台1 之反射面1R照射測量光Lb ^雷射干涉計19A使用照射於 光罩載台1之反射面1R之測量光LB，來測量於X軸、γ 200933309 轴及0Z方向之光罩載纟i之位置資訊。控制裝置3根據干 涉計系統19 (雷好料19A)之測量結果而使光罩載台 驅動裝置15作動’對保持於光罩載台1上之光罩Μ進行位 置控制。 >投影光學系統PL，對既定之投影區域pR照射曝光用 光Eb基板P可移動於投影光學系統pL之投影區域p琰曝 光用光EL之照射位置）。投影光學系統pL，係以既定之 投影倍率，將光罩M之圖案像投影於配置在投影區域 之基板P之至少一部分。投影光學系統PL之複數個光學元❹ 件保持於鏡筒20。鏡筒20具有凸緣21。凸緣21由第1平 板11所支承。本實施形態之投影光學系統PL，其投影倍率 例如為1/4、1/5、或ι/g等之縮小系統。再者，投影光學系 統PL亦了為等倍系統及放大系統之任一者。本實施形態， 投影光學系統PL之光軸AX與z軸平行。又，投影光學系 統PL，亦可為不包含反射光學元件之折射系統不包含折 射光學元件之反射系統、及包含反射光學元件與折射光學 兀件之反射折射系統中之任一者。又，投影光學系統pL可 ❹ 形成倒立像與正立像之任一者。 基板載台2,具有將曝光用光el所照射之基板p加以 保持之基板保持部22。基板保持部22可裝卸基板P。本實 施形態，基板保持部22，係以使基板P之曝光面（上面）

Pa與XY平面大致平行之方式來保持基板ρβ基板載台2， 藉由氣體軸承以非接觸方式被支承於第3平板23之上面 (導引面）23G。本實施形態，第3平板23之上面23G與 12 200933309 XY平面大致平行。第3平板23經由防振裝置24而被支承 於地面FL。基板載台2，藉由包含線性馬達等之致動器之 基板載台驅動裝置25之作動，沿著包含自投影光學系統pL 所射出之曝光用光EL之照射位置（投影光學系統PL之投 影區域PR)的第3平板23之上面23G來保持基板p且可 移動。本實施形態，基板載台2,在將基板p保持於基板保 持部22之狀態下，於第3平板23上可移動於χ軸、γ軸、 ζ軸、θχ、0Υ及方向6個方向。 ® 基板載台2(基板Ρ)之位置資訊，藉由干涉計系統19 之雷射干涉計19Β而測量。雷射干涉計19Β對基板載台2 之反射面2R照射測量光LB〇雷射干涉計19Β使用照射於 基板載台2之反射面2R之測量光LB，來測量於χ軸、γ 轴及0Ζ方向之基板載台2之位置資訊。又，保持於基板載 台2之基板ρ之曝光面Pa之面位置資訊（於冗軸、0χ及 ΘΥ方向之位置資訊），藉由未圖示之聚焦調平檢測系統而 ❹檢測。控制裝置3，根據干涉計系統19 (雷射干涉計19B) 之測量結果及聚焦調平檢測系統之檢測結果而使基板載台 驅動裝置25作動，對保持於基板載台2之基板p進行位置 控制。 其次，參照圖2、圖3及圖4，對光罩載台i加以說明。 圖2係本實施形態之光罩载台卜反塊18及第2平板^附 近之立體圖，圖3係將光罩載台丨之一部分放大後的立體 圖’圖4係圖3之A-A線截面圖。 於圖2、圖3及圖4，光罩載台i，具備設置有光罩保 13 200933309 之光罩MS 體27、及對由光軍保持部14所保持 ==面供應氣體之進氣機構5〇。進氣機… =構/者’因此例如亦可稱為流量控制器、流 量調整構件、導風構件、或引入箱等。 如圖2所示’光罩載台本鱧27 致為矩形之第〖構件28、及與第丨構件28二= 接且於Υ轴方向上較長之第2構件29。光罩保持部14係設 置於第1構件28。第i開口 16係形成於第i構件28之大 致中央。光罩保持部14係配置於第！開口 16周圍之至少 一部分。 第1構件28,於+Y側之側面具有被雷射干涉計i9A之 測量光LB照射之反射面1R。第i構件28之反射面以與 Y軸大致垂直。於反塊18之+¥侧之側面，配置有雷射干涉 計19A之測量光LB可透射之透射區域18γ。雷射干涉計 19Α經由透射區域Ι8γ可將測量光LB照射於第i構件28 之反射面1R。 第2構件29’於+X側之側面上’具有被雷射干涉計19八 之測量光LB照射之反射面1R。第2構件29之反射面1R 與X轴大致垂直。於反塊1 8之+X側之側面，配置有雷射 干涉計19A之測量光LB可透射之透射區域18X。雷射干涉 計19A經由透射區域18X可將測量光LB照射於第2構件 29之反射面1R。 本實施形態，於第2平板13之大致中央設置有凸部 13A。第2平板13之導引面13G包含凸部13A之上面。光 200933309 罩載台本體27’藉由氣體拍承以非接觸方式被支承於凸部 13A之上面13G。第2開口 17形成於第2平板I〗之凸部 1 3A之大致中央。 光罩載台驅動裝置15可使光罩載台1移動。光罩載台 驅動裝置丨5,具有可使光罩載台1移動於γ軸及02方= 之第！驅動裝置30、及可使光罩載台！移動於χ軸方向之 第2驅動裝置3卜本實施形態，第1驅動裝置川包含一對 ❹ 線性馬達32、33。第2驅動裝置31包含音團民、击r 曰固馬違（voice coil motor) 36 ° 第1驅動裝置30,具備於Y軸方向上較長之一對導引 構件34、35。導引構件34、35分別具有作為線性馬達& 33之固定件而發揮作用之線圈單元。導引構件η、”配置 於反塊18之内側。導引構件34與導引構件35於X轴方向 分開。導引構件34、35之+γ側之端及一 γ側之端經由既定 之固定構件而固定於反塊18之内面。 ❾ 導引構件34、35’以可移動於γ轴方向之方式而支承 先罩載台本體27。本實施形態’光罩載台本體η之 件28’具有作為線性馬達32、33之可動 鐵單元。第1構件28配置於導I 之、 置於導引構件34與導引構件35之 間，線性馬達32 ' 33之άτ命·处八口， + 了動件刀別設置於第1構件28之 X側之端及一X側之端。 本實施形態，藉由設置於第丨 動件、及設置於導引構件34的固=28/+Χ侧之端的可 台本體27移動於Υ軸方&少“二 使光罩載 轴方向之動磁式線性馬達η。同樣地， 15 200933309 藉由設置於第1構件28之一 X側之媸的 側之端的可動件、及設置於 導引構件35的固定件，而形成可使光罩載台本體27移動 於Y軸方向之動磁式線性馬達33。 控制裝置3,藉由使-對線性馬達m各自所產生 之推力相等而使光罩載台1(光罩載台本體27)移動於γ 軸方向，且可控制其於γ軸方向之位置。又控制褒置3, 藉由使一對線姓馬達32、33各自所產 s A w , 曰所座生之推力不同而使光 罩載口 1(光罩載台本體27)移動（旋轉）於以方向，且 可控制其於ΘΖ方向之位置。 第2驅㈣置31，具備於γ軸方向上較長之導引構件 Γ!引構件37具有作為音圈馬達36之固定件而發揮作 用之線圈單元。導引構件37 構件37配置於導引構株μ置、反塊Μ之内側。導引 置於導引構件35之-X側。導引構件37之+¥侧 :端及-Υ側之端經由既定之固定構件而固定於反塊 内面。 達：之=載台本趙27之—X側之端，配置有作為音圈馬 可動件而發揮作用之磁鐵單元。 本實施形態，藉由設置於光罩載台本體27之-Χ侧之 端的可動件、及設置於導丨 使光罩載台本體27移動 # $件’而形成可 ㈣於X轴方向之動磁式音圈馬達36。 ’裝置3’藉由使電流於音圈馬達％之固定件之線 "°流動，而可產生根據流動於該線圈單元之電气及 由可動件之磁鐵單元所產生之磁場❹轴方向 命兹力）。控制裝置3,藉由該勞侖兹力之反作：力： 200933309 罩載台1 (光罩载台本體27)移動 其於X轴方向之位置。 神方向，且可控制 如此，光罩載台卜藉由包含第1、第2 3!之光罩載台驅動裝置15而可移 第2驅動裝置3〇、 向3個方向。光罩載台本體27 軸及ΘΖ方 射位置（照明系統IL之照明區域）之：曝光用光抓之照 M保持於光罩保持部14並可移動。 平面，而將光罩 反塊18係具有可配置光 二 β構件，為了抵鎖伴隨光罩載台i :二開口之矩形的框狀 第2平板U之上面移動。反塊，之反作用力而可於 移動方向相反之方向移動 與光罩載台1之 $汉之方向移動，而抵銷伴 之反作用力。 早戰口〗之移動 如圖3及圖4所示，第1構# 2〇目士 #署 稱件28具有凹部（蓬坑）40。 光罩保持〇卩14配置於凹部4〇之 1 U之内侦1。於凹部40周圍，g& 置有第1構件28之上面41。 〇 於XY平面内，凹部40配置於第1構件28之大致中央。 曝光用光孔所通過之第1開口 16配置於凹部4〇之内侧。 於ΧΥ平面内，第1開口 16配置於凹部40之大致中央。光 罩保持部14配置於第1開口 16周圍之至少一部分。、 光罩保持部14，具有配置於第！開口 16周圍之至少一 部分之台座43 ( 43Α、43Β)、及設置於台座43之吸附墊 吸附墊44設置於台座43之上面43τ。本實施形態，台 座43及吸附墊44於第！開口 16周圍之一部分設置有2個。 本實施形態，台座43包含相對第i開口 16配置於+χ側之 17 200933309 第1台座43A、及配置於—X側之第2台座43b。又本實 施形態，台座43之上面43了於Υ軸方向上較長。吸附塾 44具有將光罩Μ之下面奶之至少一部分加以保持之保持 面45。保持面45包含台座43之上面43Τ之至少一部分。 本實施形態，保持面45與ΧΥ平面大致平行。吸附墊料具 有形成於台座43之上面43Τ之一部分的槽46、及形成於槽 46内側之吸引口 47。保持面45，包含台座43之上面43τ 〇 中未形成有槽46之部分。吸引口 47，經由未圖示之流路而 連接於包含真空系統之吸引裝置。 吸附墊44以吸附光罩Μ之下面Mb之至少一部分之方 式而保持。在使吸附墊44之保持面45與光罩厘之下面動 之一部分接觸之狀態下，藉由連接於吸引口 47之吸引裝置 之作動以吸引口 47來吸引由光罩M之下面Mb與槽46 之内面所包圍之空間之氣體，以使該空間成為負壓。藉此， 將光罩Μ之下面Mb吸附保持於保持面^上。光罩載台卜 可一邊藉由保持面45保持光罩邊移動。又’藉由讓使 〇 用吸引口 47之吸引動作停止而可自光罩保持部14卸下光 罩Μ。 兀* 光罩Μ於其下面Mb之一部分 具有形成有圖案之圖 ^ D〇 ，包含保持面45之吸附墊44，將該光罩Μ之 下面Mb中的圖案形成區域以外之區域加以保持。光罩保持 ° 、使光罩河之圖案形成區域配置於第1開口 16上 之方式來保持光罩Μ。 光罩保持部14，以使光罩Μ之下φ Mb與· χγ平面大 18 200933309 致平行之方式而保持光罩M。又，由光罩保持部14所保持 之光罩Μ之上面Ma與又丫平面大致平行。 凹邛40具有於γ軸方向配置於第i開口 16之兩側之 内側面48、及於X轴方向配置於第1開口 16之兩側之内侧 面49。内侧面48、49，配置於光罩保持部14及由該光罩 保持部14所保持之光罩M肖圍。本實施形態，内侧面48 與Y軸大致垂直，而内側面49與又軸大致垂直◊本實施形 。内側面48具有段差，且包含+z侧之第i内側面48a 及-z側之第2内側面48B。内側面49包含+z側之第3内 侧面49A及一z侧之第4内側面49B。第卜第3内側面48A、 49A之至少—部分，配置於由光罩保持部i4所保持之光罩 Μ之上面仏的+2侧，第2、第4内側面彻、49b,配置 於由光罩保持部14所保持之光罩M之下面1^^的—2側。 ❹ 光罩保持部14配置於凹部40之内侧，保持面杉配置 於上面4HZ側。本實施形態，由光罩保持部Μ所保持 之光罩Μ配置於凹部40之内側。換言之，由光罩保持部 Μ所保持之光罩Μ之上面Ma及下面Mb*別配置於凹部 4〇之内側。即，由光罩保持部14所保持之光罩m之上面 配置於第i構件28之上面41之―2側。又，由光罩 保持部14所保持之光罩M之下面⑽，配置於帛1構件28 之下面42之+z側。 第1構件28之上面4丨，配置於光罩保持部u及由該 ^罩保持部14所保持之光罩M之上面^周圍。本實施形 “，上面斜與乂丫平面大致平行’且與光軍保持部μ所保 19 200933309 持之光罩Μ之上面Ma大致平行。又第㈤牛 42,配置於光罩保持部14及由該光罩保持部U所伴持之 光罩Μ之下面Mb周圍。本實施形態，下面42與X 大致平行，且與光罩保持部14 大致平行。 所保持之光罩Μ之下面Mb 如此，本實施形態，於Z轴方向，由光罩保持部_ 保持之光罩Μ之上面Ma，較第】構件28之上面a 1構件28之中心。又，於 〇 由光罩保持部14所保 持之光罩Μ之下面Mb，較第i構件28之下面42 i 構件2 8之中心。 〇 本實施形態，由於在第1構件28形成凹部40,並於該 之内側配置有光罩M，因此，例如於z轴方向，、ί 構件28之重心位置與光罩Μ之下面（圖案形成面） 之位置靠近。換言之’就算在光罩保…4保持有光 ^之狀態下，亦可良好地維持於ζ軸方向之光罩載台本 之對稱性（重量平衡）。藉此，例如就算光罩載台1 ^光革保持部U保持有光單Μ之狀態下而移動於γ轴方 亦可抑制光罩載台i之傾斜（以方向之傾斜）。又， 心可抑制光罩載台1之弯曲變形。此外，藉由在凹部40之 統1配置光罩Μ，而可使光罩M之下面Mb與投影光學系 成為所t入射面（投影光學系統“物體面）之位置關係 月望之狀態。如此，藉由在第i構件28形成凹部4〇, 旧凹部40之内側配置光罩M，可抑制包含光μ台ι 移動性能等的曝光裝置ΕΧ之性能降低。 20 200933309 進氣機構（流動控制部）50具有：引入氣體 5^供自引入口 51引入之氣體流動之第i通氣路=入： 將流動於第1通氣路徑52之氣體供應於由光罩保持。’ 所保持之光罩Μ之上面Ma的供應口（喷出口）53、部14 本實施形態’進氣機構50配置於第1構件 母丨卞z8。配置於 第1構件28之進氣機構50可與第i構件28同步移動。、 本實施形態，進氣機構50配置在與第〗構件28之上

面41相對向之位置…本實施形態，進氣機構5〇配置於上 面41之既定區域。 、 供應口 53,配置於光罩保持部14及由該光罩保持部 14所保持之光罩μ周圍的至少一部分。本實施形態，供應 口 53於光罩保持部14及由該光罩保持部14所保持之光罩 Μ周圍配置有2個。本實施形態，供應口 53於丫軸方向， 分別配置於由光罩保持部14所保持之光罩Μ之兩側。 又，於ζ軸方向，供應口 53配置在與光罩μ之上面 φ Ma不同之位置。本實施形態，供應口 53相對光罩μ之上 面Ma配置於+Ζ側。本實施形態，供應口 53相對光罩μ之 上面Ma配置於遠離第！構件28上之上面41的位置。即， 供應口 53配置於較上面41靠近側。 又，本實施形態，供應口 53，於χγ平面内配置於光 罩Μ之上面Ma之外侧。本實施形態，供應口 53自斜方向 對由光罩保持部14所保持之光罩M之上面Ma供應氣體。 引入口 51 ’相對光罩保持部ι4及由該光罩保持部I# 所保持之光罩Μ配置於供應口 53之外侧。引入口 5丨，於γ 21 200933309 軸方向而分別配置於由光罩保持部14所保持之光罩m之兩 側0 即’本實施形態，包含引入口 5卜第lit氣路徑52及 供應口 53之進氣機構50，於丫轴方向配置於由光罩保持部 14所保持之光罩Μ之兩側。 又，本實施形態，引入口 51配置在與第1構件28之 上面41相對向之位置，配置於上面41之+2侧。換言之， 引入口 5!於ΧΥ平面内配置於上面41之外緣之内側。即， 引入口 51於ΧΥ平面内配置於較反射面ir靠近第i構件 〇 28之中〜的位置。雷射干涉計19A ’為了測量光罩載台本 艘27之位置資訊，對相對光罩保持部14 (第】構件冗之 中心）配置於進氣機構50之外側之反射面ir照射測量光 LB。

本實施形態，進氣機構50包含形成有引入口 51、第i 通氣路徑52及供應口 53之嘴構件M。嘴構件54固定於第 1構件28之上面41之既定位置。嘴構件54，於γ轴方向 而分別配置於由光罩保持部14所保持之光罩m之兩側。配 Θ 置於光罩Μ之+Y側之嘴構件54之構造及相對於光罩R 位置關係 '與配置於-Υ侧之嘴構件54之構造及相對於光 罩Μ之位置關係大致相同。 本實施形態’引入口 51大於供應口 53。第W氣路徑 52自引入口 51朝供應口 53逐漸變窄。本實施形態，供應 53於X軸方向上為較長之狹縫狀。供應口 μ之寬度（X 軸方向之尺寸）與光罩M之寬度（X轴方向之尺寸）大致 22 200933309 相同。再者’供應口 53之寬度亦可大於光罩M之寬度 本實施形態’進氣機構5〇具有控制面59,藉由該控制 面59至少控制氣體流動方向。控制面59之至少-部分相 對光罩載台1之移動面呈傾斜。控制面59之傾斜，係沿著 光罩載台1之移動面越靠近光罩Μ，則會沿著與移動面交 叉之方向而越靠近光罩Μ。 其次，對本實施形態之曝光裝置EX之動作之一例進行 說明。將光罩Μ搬送至光罩保持部14並加以保持，且將基 板Ρ搬送至基板保持部22並加以保持。控制裝置3,在藉 由室裝置5而調整了内部空間4之環境（包含溫度、濕度 及潔淨度）之狀態下，開始進行基板？之曝光。 控制裝置3,將光罩載台驅動裝置15及基板載台驅動 裝置25作動，以將基板Ρ對投影光學系統PL·之投影區域 PR而移動於γ軸方向，並且與上述基板卩在Υ轴方向上之 移動同步，一邊使光罩Μ相對於照明系統江之照明區域π Φ 而移動於Y軸方向，一邊藉由照明系統IL而以曝光用光EL 來對光罩Μ進行照明，並且以透過上述光罩M及投影光學 系統PL之曝光用光EL而將基板ρ曝光。藉此，光罩肘之 圖案像經由投影光學系統PL而投影於基板ρ。 ^圖5係表示光罩載台1移動於+γ方向之狀態。藉由使 光罩載台1移動於+γ方向，室裝置5之内部空間4之氣體 會机入配置於於γ轴方向而移動之光罩Μ前方的引入口 51。具體而言，内部空間4之氣體流入相對光罩Μ配置於 +Υ侧之嘴構件54的引入口 51。引入口 51引入内部空間4 23 200933309 之氣體。自引入口 51所引入之氣體流動於上述嘴構件54 ' 之第1通氣路徑52,並朝供應口 53供應。供應口 A J將流 動於第1通氣路徑52之氣體供應於由光罩保持部 1 1 4所保 得之光罩Μ之上面Ma。供應口 53於XY平面内光罩M 上面Ma之外側，自光罩μ之上面Ma之上方對光罩M 上面Ma從傾斜方向供應氣體。 藉由自供應口 53供應於光罩M之上面Ma之氣體，例 如可抑制因曝光用光EL之照射而導致的光罩撾之溫卢上 升。本實施形態，照明系統IL之曝光用光EL射入光f Μ 〇 之上面Ma，供應口 53對上述光罩Μ之上面Ma|斜方向 供應氣體。供應口 53例如朝光罩M之上面Ma的曝光用光 EL之照射位置（照明區域IR )或其附近而供應氣體。供應 口 53配置於上述光罩M之上面Mai+z侧，且可朝上述光 罩Μ之上面Ma的曝光用光El之照射位置而順利地供應氣 體。 又，本實施形態，由於包含供應口 53之嘴構件54，係 於χγ平面内配置於光罩M之上面Ma之外側，因此並不妨 〇 礙曝光用光EL對於光罩Μ之照射。 此外，本實施形態，引入口 51大於供應口 53，因而町 效率良好地引入内部空間4之氣體。又，第〗通氣路徑52 自引入口 51朝供應口 53逐漸變窄，故可提高自供應口 53 對光罩Μ所供應之氣體之流速。本實施形態，供應口 ”對 光罩Μ供應至少比光罩載台丨之移動速度快的流速之氣 體。藉此’可有效地抑制光罩Μ之溫度上升。 24 200933309 又，本實施形態，供應口 53呈寬度與光罩訄大致相同 或較大之狹縫狀，因此可對光罩M之上面Ma之較廣的區 域良好地供應氣體。此外’ t χγ平面内照明系、统虬之照 明區域IR於X軸方向為較長之狹縫狀（長方形狀）時，： 可藉由使供應口 53之寬度（χ軸方向之尺寸）與照明區域 IR之寬度（X軸方向之尺寸）大致相同而有效地抑制光罩 Μ之溫度上升。 乃外，本實施形態，於ΧΥ平面内，進氣機構50配置 於上面41之外緣之内側，即較反射面1R靠近第i構件Μ 之中〜的位置。藉此’可抑制進氣機構％對雷射干涉計Μ 之測量動作造成影響。例如1由進氣機構5G所產生之氣 體流動流入雷射干涉計19A之％ 、 之利量光LB之光路，則有可能 導致雷射干涉計19A之測|撼疮政μ 量精度降低。根據本實施形態， =進氣機構50對雷射干涉計19A之測量動作造成影 響’從而可抑制雷射干涉計19A之測量精度降低。

©自供應口 53供應於光罩M 置 上面Ma、且通過上述光 之上面Ma之氣體的至少一 舳古a*，* 夕°卩分，朝配置在移動於Υ 軸方向之光罩Μ後方的嘴構件 而言，通過光罩Μ之上之供應口 53流入。具體 對光I Ma之氣體之至少一部分，朝相 對光罩Μ配置於—γ側之嘴 .^ t 嘴構件54之供應口 53流入。 本實施形態，包含配置在 方的嘴構件54的進氣機構5。，::排罩Μ後 而發揮作用，排氣機構包含供通作過為光排；^構（流動控制部） 體之至/|、 X ^ "過光罩M之上面Me之氣 體之至.一部分流入之流入口（53);供自流入口⑺） 25 200933309 流入之氣體流動之第2通氣路徑（52);及將流動於第2 通氣路徑（52)之氣體排出之排氣口（51)。於以下之說 明’將配置在移動於γ軸方向之光罩M後方的嘴構件W 之供應口 53適當地稱為流入口 53，將上述嘴構件μ之第 1通氣路徑52適當地稱為第2通氣路# 52，並將上述嘴構 件54之引入口 51適當地稱為排氣口 51。 再者’配置於光罩Μ之+γ側且作為進氣機構而發揮作 用之嘴構件54之構造及相對於光罩^位置關係、與配置 ❹ 於-Υ側^作為排氣機構而發揮作用之嘴構件54之構造及 相對於光罩Μ的位置關係大致相同。 流入口 53配置於相對光罩厘之上面Ma之斜方向上， 且通過光罩Μ之上面Ma之氣體之至少一部分流入到流入 口 53。流入口 53呈寬度與光罩m大致相同或較大之狹縫 狀’因此通過光罩M之上面Ma之氣體可順利地流 入口 53。 〇 流入到流入口 53之氣體，流動於上述嘴構件54之第2 通氣路徑52,並朝排氣口 51供應。排氣口 53將流動 2通氣路徑52之氣體朝與測量光LB之光路方向不同之方向 排出。藉此，可抑制排氣機構對雷射干涉言"9a之測 作造成影響，如，若自排氣機構之排氣口 5ι所排 體流入雷射干涉計19Α之測景# T R +丄々 氣 T 之和里光LB之光路，則可能導致雷 ，干涉計之測量精度降低。根據本實施形態，可 排氣機構對雷射干涉計19A之測量動作造成影響，從而可 抑制雷射干涉計19A之測量精度降低。 26 200933309 又’本實施形態，由於排氣口 51大於流入口 53，且第 2通氣路徑52自流入口 53朝排氣口 51逐漸變寬，故可使 自排氧口 5 1所排出之氣艘之流速降低。因此，例如可抑制 自排氣口 51所排出之氣體對雷射干涉計19A之測量光LB 之光路等造成影響。 以上，以光罩载台i移動於+γ方向之情形為例進行說 明。當光罩載台1移動於一γ方向時，相對光罩M配置於

Y側之嘴構件54作為進氣機構而發揮作用，配置於+γ側 之嘴構件54作為排氣機構而發揮作用。作為配置於光罩μ 之側之排氣機構而發揮作用之嘴構件54的排氣口 53朝 與測里光LB之光路方向不同之方向排出氣體。由於光罩載 台1移動於-Υ方向時的冑氣機構及排氣機構之作用，與光 罩載台1移動於+Υ方向時㈣氣機構及排氣機構之作用相 同’因此省略說明。 如以上所說明’根據本實施形態，藉由進氣機構50, 例如可抑制因曝光用光EL之照射而導致的光罩μ之溫度 變化（溫度上升）〇因此，可拍j岳丨丨职，φ 』抑制因光罩Μ之溫度變化所 發生之曝光不良。 及由該光罩保持部14所 之凹部40之内側。藉此， 1之移動性能等的曝光裝 本實施形態，光罩保持部14 保持之光罩Μ配置於第1構件28 如上所述，可抑制包含光罩載台 置ΕΧ之性能降低。 之光罩Μ之溫度上升 。當本實施形態之進 本實施形態’配置於凹部4〇内側 可藉由進氣機構50而受到充分地抑制 27 200933309 氣機構不存在時，可能會導致配置於凹部4〇内側之光罩Μ 之溫度容易上升。例如，若僅使光罩載台i朝γ轴方向移 動，則難以在配置有光| Μ之凹冑4〇之内側產生氣體流 動，從而有可能導致光罩Μ之溫度容易上升。本實施形離， 藉由設置有進氣機構50,就算將光罩Μ配置於凹部糾之 内側時，僅藉由移動光罩載台！即可自供應口 53將從引入 1所引入之氣體供應於光罩Μ，故可於凹部40之内側 產生氣體流動。因此’可抑制配置於凹部40之内側之光罩 不貫施形 m ❹ 軋機構及排氣機構叫炫琊尤卓] 附近之對光罩之氣趙流動（相對流動）。例如，可促進, 罩Μ附近（凹部4〇内部） )之軋體之更換。藉由位於移動4 則方的進氣機構，至少促進朝向光罩_近之案 體之相對流動’且藉由位於移動中相 構’至少促推趂P弓土 $ w 攸刀的徘乳相 促進離開光罩Μ附近之氣體之相對流動。 冑由進氣機構及排氣機構而可在配

=…近產生所期望之狀態的氣體流動，因:二 I可3氣體流入雷射干涉計心之測量光LB之光路。藉 此可抑制雷射千、来呌,η Α 稭 罩Μ之溫度上升。’ °之測量精度降低，並可抑制光 此外，根據本實施形態 氣體，具有對應於光罩載台 光罩載台1之移動速度變快 之氣體之流逮亦變快。例如 自供應口 53供應於光罩馗之 1之移動速度的流速。即，若 則自供應口 53供應於光罩μ 在依據提高產能之觀點等而 28 200933309 加快光罩載台1之移動速度時，為了於基板p上獲得所期 望之曝光量，有可能會提高射入光罩Μ之曝光用光El之 照度。於該情形時，光罩Μ之溫度變得容易上升《本實施 形態’當加快光罩載台丨之移動速度時，自供應口 53供應 於光罩Μ之氣體之流速亦變快，故可提高光罩μ之冷卻效 果。 本實施形態，進氣機構及排氣機構本身，形成至少沿 著光罩載台1之移動方向之供氣體流動的流路。於其他實 施形態，進氣機構及/或排氣機構與其他構件配合，從而可 形成至少沿著光罩載台丨之移動方向之供氣體流動的流路。 本實施形態，流路之至少一部分，在與光罩載台丨之 移動面交又之方向之位置與光罩M在上述方向之位置不 同。又，流路之至少一部分，具有越沿著光罩載台丨之移 動面靠近光罩Μ、越沿著與移動面交又之方向靠近光罩Μ 之面向。

本實施形態，進氣機構及排氣機構等之流動控制部係 呈筒狀。本實施形態及下述的其他實施形態，流動控制部 並不限定於筒狀’可採用各錄报能 ， 叫合禋形態。例如，流動控制部可 呈孔狀、板狀、及羽翼狀之至少一種。 <第2實施形態> 對第2實施形態進行說明。於以下之說明，對於與上 述實施形態㈣或料之構成部分附以相同之符號，簡化 或省略其說明。再者’以下之i 之各實施形態所說明之進氣機 構與上述第1實施形態同樣，對應 丁應於先罩載台1之移動方 29 200933309 向而作為排氣機構來發揮作用。於以下之說明，主要對進 氣機構進行說明，而關於排氣機構之說明則簡化或省略。 圖6係表示具有第2實施形態之進氣機構50B之光罩 載台1之一例。第2實施形態之進氣機構50B，包含使自供 應口 53供應之氣逋成為亂流之亂流產生機構60。本實施形 態，亂流產生機構60，包含配置於引入口 51與供應口 53 間之至少一部分的複數個微小構件61。本實施形態，微小 構件6 1係配置於第1通氣路徑5 2之微小的平板構件。 藉由配置於第1通氣路徑52上之微小構件6卜使流動 〇 於第1通氣路徑52之氣體產生旋渦，從而使自供應口 53 供應於光罩Μ之氣體成為亂流。因此，可進一步抑制光罩 Μ之溫度上升。其原因在於，供應於光罩Μ之氣體之雷諾 (Reynolds)數上升，從而熱傳遞係數變高。 再者，如圖7所示之進氣機構5〇c般，亂流產生機構 60B ’亦可具有配置於引入口 5 1與供應口 53間之至少一部 分的多孔構件（網狀構件）62。於圖7所示之例，多孔構 件62分別配置於引入口 5丨及供應口 53上。再者，多孔構 〇 件62例如亦可於第丨通氣路徑52配置於引入口 51與供應 口 53之中間。又’多孔構件62可配置於引入口 51與供應 口 53間之既定之i個部位，亦可配置於複數個部位。氣體 因通過多孔構件62而成為亂流。因此，在引入口 51與供 應口 53間之至少一部分配置多孔構件62，從而可使自供應 53供應於光罩μ之氣體成為礼流。再者，亂流產生機構 60Β亦了稱為例如滿流產生器（v〇rtex Generat〇r)等。 30 200933309 〈第3實施形態> 對第3實施形態進行說明。於以下之說明，對於與上 述各實施形態相同或同等之構成部分附以相同之符號，簡 化或省略其說明。

圖8係表示第3實施形態之光罩載台丨之一例。第3 實施形態之特徵部分在於，設置有為調整第i構件Μ與嘴 構件54之位置關係而可移動嘴構件54之驅動裝置w。 圖8中，進氣機構5〇D，具備使嘴構件“可移動之驅 動裝置63。本實施形態，驅動裝置〇配置於第i構件28 之上面41與嘴構件54之間。驅動裝置63,例如包含藉由 音圈馬達等之勞侖兹力所驅動之致動器。驅動裝置63,使 嘴構件54相對於第1構件28而可移動於X軸、γ轴、z 轴ΘΧ、打及方向6個方向。驅動裝置㈠，可藉由 使嘴構件54移動而調整由光罩保持部14所保持之光罩m 與供應口（流入口）53之你罟gjg在 , 置關係。由於能夠調整光罩Μ

與供應口 53之位置關係，從而 來自供應口 53之氣趙…由於期望位置供應 53之位署_ 夠調整光罩以與流入口 53之位置關係，從而可使通過 好地流入到流入口 53。 t上面Ma之氣體良 八，綱勒衣 由於能夠調整引入口 51之位置， 位置。 置從而可效率良好妯dλh 部空間4之氣體。又，由於能翁 内 由於此夠調整排氣口 51之位置，您 而可朝所期望之方向排出氣體。 置從 接姓〇 丹者本實施形態，铺嵴 構件54可移動於6個自由度 使嘴 但其移動方向亦可為5 31 200933309 個以下，例如僅γ軸方向、或僅γ軸及Z轴方向2個方向。 另外，驅動裝置63並不限於上述構成，亦可為任意構成。 <第4實施形態> 對第4實施形態進行說明。於以下之說明，對於與上 述各實施形態相同或同等之構成部分附以相同符號，簡化 或省略其說明。 圏9係表示第4實施形態之進氣機構5〇E之一例。於 圖9中，進氣機構50E，具備在與第i構件28之上面“之 間可形成引入口 51、第1通氣路徑52及供應口 53之至少 一部分的流路形成構件64。 流路形成構件64,係具有可與第1構件28之上面41 相對向之下面（控制面）65的平板槿杜, 在下面65與上面41之間形成=冓件。流路形成構件“， 52及供應σ 53。如圖 人° 51、第1通氣路徑 如圖9所不，流路形成構件64 相對上面41呈傾斜’第1通氣路徑 面65 口 53逐漸變窄。 自引入口 5丨朝供應 流路形成構件 動。支承裝置66， 與流路形成構件64 之致動器。

64，藉由支承^键番 包含為㈣楚 ⑥被支承成可移 包含為調整第i構件28(光翠裁 之位置關係而可移動流路形成構；64 文不衮置66與第！構件2 而使流路形成構件64 栽台1)之移動同步 J砂動。支承驻 之移動同步而使流路形成構件 ^置66,與光罩載台！ 台1與流路形成構件64 ，以將移動之光罩載 之位置關係加以維持（固定）。本 32 200933309 實施形態’亦可抑制光罩Μ之溫度上升。 <第5實施形態> 對第5實施形態進行說明。於以下之說明，對於與上 述各實施形態相同或同等之構成部分附以相同符號，簡化 或省略其說明。 圖10係表示第5實施形態之進氣機構5〇F之一例。如 圖10所示’本實施形態’進氣機構5〇F之至少一部分形成 於第1構件28。本實施形態，引入口 51形成於第1構件 28之上面41 ’供應口 53形成於第1内侧面48A，第1通氣 路徑52形成於第1構件28之内部。供應口 53對由光罩保 持部14所保持之光罩M之上面Ma供應氣體。本實施形態， 進氣機構50F亦可抑制光罩M之溫度上升。 <第6實施形態> 對第6實施形態進行說明。於以下之說明’對於與上 述各實施形態相同或同等之構成部分附以相同之符號，簡 化或省略其說明。 圖11係表示第6實施形態之進氣機構50(3之一例。於 上述各實施形態，以進氣機構之供應口 53朝光罩M之上面 Ma供應氣體之情形為例進行說明，但本實施形態之特徵部 分在於，向光罩讁之下面（圖案形成面）Mb供應氣體。 如圖Π所示，本實施形態，進氣機構5〇G之至少一部 分形成於第1構件28。本實施形態，引入口 51形成於第^ 構件28之下面42，供應口 53形成於内側面48 ( 48B) ’ 第1通氣路徑52形成於第i構件28之内部。供應口 ^對 33 200933309

由光罩保持部14所保持之光罩M 實施形離，％名地 下面Mb供應氣體。本 實絲態進氣機構5〇G亦可抑制光罩Μ之温戶上升。 再者，亦可於第1構件28 " 實施形態所說明之嘴構件54 上这第1 53鉬# ® 亚目该嘴構件54之供應口 朝先罩Μ之下面Mb供應氣體。 再者：亦可在與第1構件28之下面4"目對向之位置 =置如上述第4實施形態所說明之流路形成構件料，並在 ❹ iHHn1構件Μ之下面42之間，形成朝光 口 53之兹 供應乱體之供應口 53、以及連接於該供應 口 53之第！通氣路徑52及引入口 51。 ❹ 再者，於上述各實施形態，以供應口 53相對光罩_ 置於+Y側及-Y側之情形為例進行說明，但供應口 53亦可 相對光罩Μ配置於+X側及。例如，可在移動於丫轴 方向之光罩Μ前方側配置引入口 51，在光罩厘之+X側（或 —X侧）配置供應口 53’並以將引入口 51與供應口 ”加 以連接之方式而形成第i通氣路徑52。藉此，使光罩載台 1移動於Y軸方向，從而可將自引人σ 51所引人之氣體: 由第1通氣路徑52及供應口 53而供應於光罩Μ。

例如’將引入口51配置在移動於γ轴方向之光罩厘前 方側，將具有於光罩Μ之+Χ側（或一χ側）配置有供應口 53之形狀的嘴構件配置在第丨構件28，並使光罩載台 Y轴方向移動’藉此可將自引入口 51所引入之氣艘經由第 1通氣路徑52及供應口 53而供應於光罩M。又，例如，於 第1構件28之上面41形成引入口 51，於第3内側面49A 34 200933309 形成供應口 53,並以將上述引人口 51與供應口 ^ 接之方式而於第i構件28之内部形成第】通氣路徑 此可將氣體供應於光“之上面Ma。又，例如，於第 =下面42形成，入口 51，於第4内側面49b形成供 ’、 以將上述引入口 51與供應口 53加以連接之方 式而於第1構件28之内部形成第1通氣路徑52,藉此可將 氣體供應於光罩Μ之下面Mb。 ❹ ❹ 佯持二’供應口 A可配置於光罩保持部1及由該光罩 保持部14所保持之光罩M周圍的至少一部分。 再者’引入口 51配置於移動之光罩M前方側即可，例 如，與第3内側面49Α之供應口 53連接之引入口 5 :於第1構件28之下面-，亦可形成於第】構件2以

軸方向之側面的至少-部分。同樣地，與帛4内側面49B 之供應口 53連接之引入口 5卜可形成於第i構件28之上 面41’亦可形成第1構件28之Y輛方向之側面的至少一部 分。 <第7實施形態> 對第7實施形態進行說明。於、，十 仃說月於以下之說明，對於與上 建各實施形態相同或同箄之描：ώ \ 寻之構成冲分附以相同之符號，簡 化或省略其說明。 於上述各實施形態，以將光罩M配置於凹部4 為例進行說明，但亦可如圖12所― 光罩載台1B之第1構件28Β τ <列如在不具有凹部之 8 配置進氣機構50H。於圖 35 1

中，第1構件28B之由光罩保持部MB所保持之光罩M 200933309 之上面Ma，配置於較該光罩Μ周圍所配置之第1構件28b 的上面41B靠近+Z側。進氣機構50H之嘴構件54B係配置 於第1構件28B之上面41B。進氣機構50H可抑制光罩M 之溫度上升。 再者，於上述各實施形態，使室裝置5之内部空間4 之氣體流入到進氣機構中，但並不限定於此，例如亦可自 連接於室裝置5之空氣調節裝置將氣體導引至光罩載台附 近’並使該氣體流入到進氣機構。於該情形時，可將該氣 體之溫度設定為低於内部空間4之氣體之溫度。藉此，可 ❽ 提南溫度上升之抑制效果。 又’於上述各實施形態，亦可將進氣機構安裝於光罩 載台，亦可使進氣機構之至少一部分與光罩載台構成為一 體。進而，光罩載台並不限定於上述構成，可為任意之構 成。 再者，作為上述各實施形態之基板P，並不僅限於半導 體兀•件製造用之半導體晶圓，可適用於顯示元件用之玻璃 基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩 〇 或標線片之原版（合成石英、發晶圓）等。 作為曝光裝置EX’除了使光罩M與基板p同步移動來 對光罩Μ之圖案進行掃描曝光的步進掃描…邛and scan)方 式之掃描型曝光裝置（掃描步進機）之外，亦可適用於光 罩Μ與基板P靜止之狀態下對光罩M之圖案進行整體曝 光，並使基板ρ依序進行步進移動之步進重複（step and repeat)方式的投影曝光裝置（步進機）〇 36 200933309 進而，在步進重複方式之曝光，亦可在第丨圖案與基 板p大致靜止之狀態下，使用投影光學系統將第丨圖案之 縮小像轉印至基板P上之後，在第2圖案與基板p大致靜 止之狀態下，使用投影光學系統而使第2圖案之縮小像與 第1圖案局部重疊並於基板p上進行整體曝光（接合方式 之整體曝光裝置）^此外，作為接合方式之曝光裝置，亦 可使用使至少2個圖案局部重疊並轉印至基板p上，且使 基板p依序移動之步進接合（step and stitch)方式之曝光裝 置。 又，如美國專利第6611316號說明書中所揭示，例如 亦可將本發明適用於使2個光罩之圖案經由投影光學系統 而合成於基板上，並以一次掃描曝光而使基板上之丨個照 射區域大致同時進行雙重曝光之曝光裝置等。此外，亦可 將本發明適用於近接（proximity)方式之曝光裝置鏡面投影 對準曝光裝置（mirror projection aligner)等。 另外，作為曝光裝置EX，亦可適用於如美國專利第 6341007號說明書、美國專利第64〇〇441號說明書、美國專 利第6549269號說明書、美國專利第6590634號說明書、 美國專利第6208407號說明書、及美國專利第6262796號 說月書等所揭示之具備複數個基板載台之雙載台型曝光震 置。 進而’亦可將本發明適用於如美國專利第6897963號 說明書、歐州專利申請公開第1713113號說明書等所揭示 之具備保持基板之基板載台、及形成有基準標記之基準構 37 200933309 件及/或配置有各種光電感測器之測量載台的曝光裝置。此 外’亦可採用具備複數個基板載台及測量載台之曝光裝置。 又，例如亦可適用於如國際公開第99/49504號小冊子 等所揭示之以曝光用光透過液體而將基板曝光的液浸曝光 裝置。此外，亦可適用於使用超紫外光而使基板P曝光之 EUV (超紫外光）光光源曝光裝置。 作為曝光裝置EX之種類，並不限定於將半導體元件圖 案曝光於基板P上之半導體元件製造用之曝光裝置，亦可 廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝 ❹ 置、或用以製造薄膜磁頭、攝影元件（CCD )、微型機器、 MEMS (微電機系統）、DNA晶片、或標線片或光罩等之 曝光裝置等。 再者，於上述各實施形態，使用干涉計系統來測量光 罩載台及基板載台之各位置資訊，但並不限定於此，例如 亦可使用對設置於各載台之標度（繞射光栅）進行檢測之 編碼器系統。此時，較佳為具備干涉計系統與編碼器系統 兩者之混合系統，並使用干涉計系統之測量結果來校正 ◎ (calibration )編碼器系統之測量結果。此外，亦可切換使 用干涉計系統與編碼器系統、或使用該兩者，來進行載台 之位置控制。 又，於上述各實施形態，使用ArF準分子雷射來作為 產生曝光用光EL之ArF準分子雷射光的光源裝置，但亦可 如美國專利第7〇2361〇號說明書所揭示，例如使用包含dfb 半導體雷射或光纖雷射等之固態雷射源、具有光纖放大器 38 200933309 等之光放大部、及波長轉換部等且將波長為193nm之脈衝 光輸出的高諧波產生裝置。進而’於上述實施形態，上述 各照明區域與投影區域分別為矩形狀，但亦可為其他形 狀，例如為圓弧狀等。 再者，於上述各實施形態，使用了於透光性基板上形 成有既定之遮光圖案（或相位圖案、減光圖案）之透光型 光罩但亦可代替該光罩，如美國專利第6778257號說明 書所揭示，例如使用根據待曝光之圖案之電子資料而形成 透射圖案或反射圖案、或發光圖案之可變成形光罩（亦稱 為電子罩、主動光罩、或影像產生器）。可變成形光罩包 含例如非發光型影像顯示元件（空間光調變器）之一種即 DMD (Digital Micro-mirror Device，數位微鏡元件）等。 又’作為可變成形光罩，並不限於DMD，亦可代替DMD 而使用以下所說明之非發光型影像顯示元件。此處，非發 光型影像顯示元件係對朝既定方向行進之光之振幅（強 ◎度）、相位或偏光之狀態進行空間調變之元件，作為透射 型空間光調變器，除了透射型液晶顯示元件（LCD)以外， 可列舉電色顯示器（ECD)等。另外，作為反射型空間光調 變器，除了上述DMD之外，可列舉反射鏡陣列、反射型液 晶顯示元件、電泳動顯示器（EPD : Electr〇 ph〇netic

Display )、電子紙（或電子墨）、光栅型光閥（

Valve)等。 在以光罩保持部來保持可變成形光罩時，使用上述各 實施形態所說明之進氣機構及排氣機構，可抑制可變成形 39 200933309 光罩之溫度變化。 另外亦可具備包含自發光型影像顯示元件之圖案形 成裝置以代替具備非發光型影像顯示元件之可變成形光 罩。此時，無需照明系统。此處，作為自發光型影像顯示 凡件’可列舉例如CRT (陰極射線管）、無機el(電致發

光）顯示器、有機EL顯示器（〇 LED )、LED顯示器、LD (雷射一極體）顯示器、場發射顯示器（FED )、電衆顯示 器（PDP)等。又，作為具備圖案形成裝置之自發光型影像 顯不元件，使用具有複數個發光點之固態光源晶片、將晶 片以陣列狀排列複數個而成之固態光源晶片陣列、或於i 塊基板製作複數個發光點之類型者等，並對該固態光源晶 片進打電氣控制而形成圖案。再者，固態光源元件可為無 機或有機。 在以保持部來保持上述的圖案形成裝置時，使用上述 各實施形態所說明之進氣機構及排氣機構，可抑制圖案形 成裝置之溫度變化。 於上述各實施形態，以具備投影光學系統pLi曝光裝 置為例進行說明，但亦可將本發明適用於未使用投影光學 系統PL之曝光裝置及曝光方法。如此，在未使用投影光學 系統PL時，曝光用光亦可經由透鏡等之光學構件而照射於 基板。 如上所述，曝光裝置，係以確保既定之機械精度、電 氣精度、光學精度之方式將包含各構成要件之各種子系 組裝而製造。為了確保上述各種精度，於該組裝之前後統 200933309 對各種光學系統進行調整以達成光學精度，對各種機械系 統進行調整以達成機械精度，且對各種電氣系統進行調整 以達成電氣精度。由各種子系統組裝成曝光裝置之組裝步 驟包含各種子系統相互之機械連接、電路之佈線連接、氣 壓電路之配管連接等。在由該等各種子系統組裝成曝光裝 置之組裝步驟之前，當然具有各子系統各自之組裝步驟。 在由各種子系統組裝成曝光裝置之組裝步驟結束之後，進 Φ 行综合調整，確保曝光裝置整體之各種精度。再者，曝光 裝置之製造較理想的是於溫度及潔淨度等受到管理之潔淨 室中進行。 如圖13所示，半導體元件等之微型元件經由以下步驟 等而製造：步驟201，進行微型元件之功能、性能設計；步 驟202，製作根據上述設計步驟之光罩（標線片）；步驟 =3,製造作為元件基材之基板；基板處理步驟其包 土板處理（曝光處理），該基板處理根據上述實施形態 G 而包含以透過光罩之曝光用光而使基板曝光、及將所曝光 之基板進行顯影；元件組裝步驟（包含切割步驟、接合步 驟、封裝步驟等之加工處理）205;以及檢查步驟2〇6。 再者，上述各實施形態之要件可適當地組合。又，將 與上述各實施形態及變形例中所引用之曝光裝置等相關之 所有文獻及美國專利之揭示加以援用而成為本說明書之一 【圖式簡單說明】 41 200933309 圖1係表示第1實施形態之曝光裝置之一例的概略構 成圖。 圖2係表示第1實施形態之光罩載台附近的立體圖。 圖3係將第1實施形態之光罩載台之一部分放大後的 立體圖。 圖4係圖3之A-A線截面圖。 圖5係表示第1實施形態之光罩載台之動作之一例。 圖6係表示第2實施形態之光罩載台。 圖7係表示第2實施形態之光罩載台。 圖8係表示第3實施形態之光罩載台。 圖9係表示第4實施形態之光罩載台。 圖丨〇係表示第5實施形態之光罩載台。 圖Η係表示第6實施形態之光罩載台。 圖丨2係表示第7實施形態之光罩載台。 圖13係表示微型元件之製程之—例的流程圖。 【主要元件符號說明】 1 :光罩載台 :反射面 13〇 :導引面 19 :干涉計系統 19Α .雷射干涉計 28 :第1構件 40 :凹部（窪坑） 200933309 41 :上面 42 :下面 48 :内側面 49 :内側面 50 :進氣機構（排氣機構、流動控制部） 5 1 :引入口 （流入口） 52:第1通氣路徑（第2通氣路徑） 53 :供應口（排氣口） © 54 :嘴構件 60 :亂流產生機構 6 1 :微小構件 62 :多孔構件 63 :驅動裝置 64 .流路形成構件 66 :支承裝置 EL :曝光用光 w EX :曝光裝置 Μ :光罩 Ma :上面 Mb :下面 P :基板 43

Claims (1)

1. 200933309 十、申請專利範圍： 1.一種載台裝置，具備： 移動體，用以保持被曝光用光照射之光罩並沿著 面移動；以及 流動控制部，係實質上隨該移動體之移動而移動藉 此控制該光罩附近之氣體流動。 2·如申請專利範圍第1項之載台裝置，其中，於該移動 中，藉由該流動控制部使該氣體朝向該光罩。 3. 如申請專利範圍第i或第2項之載台裝置，其中，該 流動控制部，係於該移動體之移動方向位於該光罩前枝 後方之至少一方。 4. 如申請專利範圍第u 3項中任_項之載台裝置，其 十，藉由該流動控制部促進該光罩附近之該氣體之更換。、 5. 如申請專利範圍第工至4項中任一項之載台裝置，其 中’藉由於該移動體之移動方向之該光罩前方之該流動控 制部，至少促進朝向該光罩之該氣體之流動。 6. 如申請專利範圍第4 5項中任一項之載台裝置其❹ 中，藉由於該移動體之移動方向之該光罩後方之該流動控 制部，至少促進離開該光罩之該氣體之流動。 7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之載台裝置，其 中’該流動控制部，係在與該既定面交又之方向配置於該 光罩之圖案形成面側或相反側附近。 8. 如申請專利範圍第m項中任一項之載台裝置其 中，該流動控制部，具有至少控制該氣體流動方向之控制 44 200933309 面。 9. 如申請專利範圍第8項之載台裝置，其中，該控制面 之至少一部分相對該既定面呈傾斜。 10. 如申請專利範圍第丨至9項中任一項之栽台裝置， 其中，該流動控制部本身、或與其他構件配合，而形成至 少沿著該移動體之移動方向之該氣體流動之流路。 11·如申請專利範圍第10項之載台裝置，其令，該流路 之至少一部分，在與該既定面交又之方向之位置係與該光 Θ 罩在該方向之位置不同。 12. 如申請專利範圍第⑺或丨丨項之載台裝置，其中， 該流路之至少一部分，具有沿著該既定面越靠近該光罩、 越沿著與該既定面交又之方向靠近該光罩之面向。 13. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之載台裝置， 其中，該流動控制部，具有使該氣體流動產生紊亂之亂流 產生部。 ) μ·如申請專利範圍第項中任一項之載台裝置， 其中’該移動體具有於其内部配置該光罩之窪坑。 15. —種曝光裝置，係以來自光罩之曝光用光將基板曝 光，其具備申請專利範圍第1至14項中任一項之載台装置。 16. 如申請專利範圍第15項之曝光裝置，其中，該基板 係透過該光罩而以步進掃描方式被曝光； 該光罩，於該基板之曝光動作中，往返移動於與該既 定面平行之方向。 17. —種元件製造方法，包含·· 45 200933309 使用申請專利範圍第15或16項之 光之動作；以及 ％展置將基板曝 將經曝光之基板進行顯影之動作。 18.—種載台裝置，具備： 移動構件，具有用以保持被曝光用光 持部，沿著包含該曝光用光之照射位光罩之保 光罩而移動,·以及 置之既疋面，保持該 〇 進氣機構，包含引入氣體之引入口、供 入之氣體流動之第丨通氣路徑、及將流動騎引 :之氣體供應於由該保持部所保持之該光I表面之:: 19·如申請專利範圍第18項之載 機構係配置於該移動構件。 裝置其中’該進氣 凊專利範圍第18或19項之載台裝置，其中， "乳機構係與該移動構件同步移動。 、 21.如申請專利範圍第18 〇 置，其申，姑項中任—項之載台裝 、〜供應口係配置於該保持部周圍之至少一部分。 2.如申請專利範圍第18至21項中杠s ^ 置，其中，在與該光罩表面大致垂直:方中:一項之載台裝 配置在與該光罩表面不同之位置垂直之方向’該供應口係 置，=.中如申請專利範圍第18至22項中任一項之載台裝 24“ 口係自斜方向對該光罩表面供應氣體。 置，其中 利範圍第18至23項中任一項之載台裝 、’該供應口係於該既定面内配置在該光罩表面之 46 200933309 yr im 25·如申請專利範圍第18至24 置，其中，該移動構件具有配置於該保持—項之載台裝 該進氣機構之至少—部㈣配 ^園之第I面； 之位置。 與这第1面相對向 26.如申請專利範圍第25 ❹ ❿ 面係::保持部所保持之該光罩C，該第1 該供應二專:罩範表圍第25或26項之载台裝置，其中， 子目野該先罩表面配置於 28.如，請專利範圍第25 A 27項中任相之位置。 置’其中，於與該既定面大致垂項之載台裝 所保持之該光軍表面較 第方向，該保持部 29·如申請專㈣該移動構件之，心。 置，其中m 8至28項中任-項之載台裝 部之内側。動構件具有凹部，該保持部係配置於該凹 3〇·如申請專利範圍第29項 持部所保持之今井 裝置’其中，由該保 3^1 係配置於該凹部之内側。 •申凊專利範圍第29或30項t φ 該移動構件之表面係配置於該凹部周項圍之载台裝置，其中’ 向，持構件所保持之該光罩表面大致垂直之方 心。° 自較該移動構件之表面靠近該移動構件之中 該保持部於該進氣機構之外側，具有被用 47 200933309 以測量該移動構件之位置資訊之測量光照射的第2面。 33.如申請專利範圍第18至32項中任—項之載台裝 置，其中，該進氣機構，包含形成有該引入口該第1通 氣路徑及該供應口之嘴構件。 34·如申請專利範圍第33項之載台裝置，其中，該嘴構 件係固定於該移動構件之既定位置。 35. 如申請專利範圍第33或34項之載台裝置，其具備 為調整該移動構件與該嘴構件之位置關係而可移動該嘴 件之驅動裝置。 36. 如申請專利範圍帛18至35射任一項之載台裝 置，其中，該進氣機構，在與該移動構件之間包含^形 成該引人口、該第丨通氣路徑及該供應口之至少 流路形成構件。 =如申請專利範圍第36項之載台裝置，其具備為調整 該移動構件與該流路形成構件 形成構件之驅動裝置^ ’、而可移動該流路 置 ❹ 二如申請專利範圍帛18至37項中任一項之 其中’該進氣機構之至少一部分 置 ;9.:申請專利範圍第…項中任一= ^中，該移動構件係移動於該既定面之第2方向； 置 二引入口，係於該第2方向配置於移動的該光罩前方。 二如申請專利範圍第18至39射任一 :中’該移動構件係移動於該既定面之第2方向;。裝 氣機構，係於該第2方向分別配置於該光罩之兩 48 0 200933309 側。 41. 如申請專利範圍第18至4〇項中任—項之載台裝 置’其中’該引入口係大於該供應口。 42. 如申請專利範圍第18至41項中任—項之載台裝 置，其中，該第1通氣路徑係自該引入口朝該供應口逐漸 變窄》 43. 如申請專利範圍第18至42項中任一項之載台裝 置，其中，該供應口係呈寬度與該光罩大致相同或較大之 © 狭縫狀。 44. 如申請專利範圍第18至43項中任—項之載台裝 置，其中，該進氣機構，包含使自供應口供應之氣體成為 亂流之亂流產生機構。 45. 如申請專利範圍第44項之載台裝置，其中，該亂流 產生機構包含配置於該引入口與該供應口間之至少一部分 的複數個微小構件。 46. 如申請專利範圍第44或45項之載台裝置，其中， 該亂流產生機構包含配置於該引入口與該供應口間之至少 一部分的多孔構件。 47. 如申請專利範圍第18至46項中任一項之載台裝 置，其中，該供應口係朝該光罩之圖案形成面以外之面供 應氣體。 48. 如申請專利範圍第μ至47項中任一項之載台裝 置，其中，該供應口係朝該光罩之圖案形成面供應氣體。 49. 如申請專利範圍第18至48項中任一項之載台裝 49 200933309 置’其具備排氣機構’該排氣機構包含：供通過該光罩表 面之氣體之至少一部分流入之流入口、供自該流入口流入 之氣體流動的第2通氣路徑、及將流經該第2通氣路徑之 氣體排出之排氣口。 50. 如申請專利範圍第49項之載台裝置，其中，該排氣 機構係配置於該移動構件。 51. 如申請專利範圍第49或5〇項之載台裝置，其中， 該排氣機構係與該移動構件同步移動。

   52. 如申請專利範圍第49至51項中任一項之載台裝 置，其中，該流入口係配置於該保持部周圍之至少一部分。 53. —種載台裝置，具備： 移動構件，具有用以保持被曝光用光照射之光罩之保 持部，沿著包含該曝光用光之照射位置之既定面保持該 光罩而移動；以及 排氣機構，包含供通過該光罩表面之氣體之至少一部 分流入的流入口、供自該流入口流入之氣體流動之第2通

   氣路徑、及將流經該第2通氣路徑之氣體排出之排氣口。 54·如申請專利範圍第53項之載台裝置，其中，該排氣 機構係配置於該移動構件。 55·如申請專利範圍第53或54項之載台裝置，其中， 该排氣機構係與該移動構件同步移動。 項中任一項之載台裝 周圍之至少一部分。 項中任一項之載台裝 56. 如申請專利範圍第53至54 置，其中，該流入口係配置於該保持部 57. 如申請專利範圍第53至56 50 200933309 置，其中，在與該光罩表面大致垂直之方向，該流入口係 配置在與該光罩表面不同之位置。 58·如申請專利範圍第53至57項中任一項之載台裝 置，其中，該流入口係配置於相對該光罩表面之斜方向。 59.如申請專利範圍第53至58項中任—項之載台裝 置，其中，該流入口係於該既定面内配置在該光罩表面之 外側。 〇 60.如申請專利範圍第53至59項中任—項之載台裝 置，其中，該移動構件具有配置於該保持部周圍之第丨面； 該排氣機構之至少一部分係配置在與該第i面相對向 61. 如申請專利範圍第6〇項之載台裝置，其令，咳第】 面係與該保持部所保持之該光罩表面大致平行\ " 62. 如申請專利範圍第6〇或61項之载台裝置，其中， 該流入口’係相對該光罩表面配置於較該帛i面遠離之位

   m 專利範圍第6…2項中任—項之載台裝 置其中，於與該既定面大致垂直之第i方向 部所保持之該光罩表面較該第丨面靠近該移動構件之;^寺 ^如申請專利範圍第53至63項中任—項之載台裝 部之内 ：：該移動構件具有凹部’該保持部係配置於該凹 其令，由該保 内側。 65.如申請專利範圍第64項之載台裝置 夺部所保持之該光罩表面係配置於該凹部之 51 200933309 *申吻專利範圍第64或65項之載台裝置，其中， ι移動構件之表面係配置於該凹部周圍； 於與該保持構件所保持之該光罩表面大致垂直的方 :’該光罩表面較該移動構件之表面靠近該移動構件之中 67·如申請專利範圍第53 盆 〜二仕一項之載台裝 、，相對該保持部於該排氣機構之外側，具有被 以測量該移動構件之# ¥ # 具有被用 構件之位置資訊之測量光照射的第2面。 0 68. 如申請專利範圍第67項之載台裝詈使士 口朝斑# 目,ι I 項乙戰σ裝置，其中，該排氣 、…量光之光路方向不同之方向排出氣體。 69. 如申請專利範圍第53至6 置，装成^之载台裝 其中該錢機構’包含形成有該 氣路徑及該排氣口之嘴構件。 Μ 2通 7〇.如申請專利範圍第 件係固定於該移動心 $之載。裝置’其中’該嘴構 通移動構件之既定位置。 71·如申請專利範圍第69 〇 為調整該移動構侔盥切- 項戰。裝置，其具備 構件與該嘴構件之位置關係 件之驅動裝置。 叨』移動該嘴構 72. 如申請專利範圍第53 番，甘rb 巧^任一項之載台奘 其中，該排氣機構，在與該移動構 成該流入口、哕篦9 、s & 心間’包含可形 〜弟2通氣路徑及該排氣口之 流路形成構件。 ^ 邛为之 73. 如申凊專利範圍第72項之載台裝置，其具 件與該流路形成構件之位置關係而可移動該流路 52 200933309 形成構件之驅動裝置。 二如申靖專利範圍第53至”項中任—項之載台裝 ，、，該排氣機構之至少一部分係形成於該移動 75·如申請專利範圍第53至74頂中杯 B 番甘士 項中任一項之栽台裝 ，其中，該移動構件係移動於該既定面之第2方向· 該机入口，係於該第2方向配置於移動之該光罩°後方。 76_如申請專利範圍第兄至乃項中 ❹

   置，，、中，該移動構件係移動於該既定面之第2方向. 該排氣機構，係於該第2方向分， 側。 直於该先罩之兩 77. 如申請專利範圍第53至％項中任—項之 置，其中，該排氣口係大於該流入口。 口 78. 如申請專利範圍第53至77項中任一項之載台裝 置，其中，該帛2通氣路徑係自該流入口朝該排氣 變寬。 79.如申請專利範圍第53至78項中任一項之載台裝 置，其中，該流入口係呈寬度與該光罩大致相同或較大之 狹縫狀。 光罩，以透過該 任一項之載台裝 80.—種曝光裝置，係以曝光用光照明 光罩之該曝光用光將基板曝光； 其具備申請專利範圍第18至79項中 置。 81.—種元件製造方法，包含： 使用申請專利範圍第80項之曝光裝置將基板曝光之動 53 200933309 作；以及 將經曝光之基板進行顯影之動作。 十一、圖式： 如次頁 54