TW200929266A - Circuit connection material, and connection structure of circuit member and connection method of circuit member using the circuit connection material - Google Patents

Description

200929266 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種電路連接材料、使用其之電路構件之 連接構造及電路構件之連接方法。 . 【先前技術】 對液晶顯示用玻璃面板之液晶驅動用IC之實裝，係 可使用將液晶驅動用1C直接以電路連接構件接合於玻璃 面板上之CHIP-ON-GLASS實裝（以下稱爲COG實裝）方法 ，或將液晶驅動用1C接合於具有金屬配線之可撓性帶， 以玻璃面板與電路連接構件接合之CHIP-ON-FLEX實裝（ 以下稱爲COF實裝）方法。由於該等微細電路所形成之電 路構件彼此之連接藉由以往的焊料或橡膠連接器爲對應困 難，因此使用具有異方導電性之黏著劑組成物。 相對於此，伴隨著近年之液晶顯示器之高精細化，形 〇 成於電路構件的電路電極之高密度化正在進展當中。爲此 ，有電路電極之更進一步微細化，亦即往多電極化或狹節 ’ 距化等高精細化發展的傾向，高精細液晶模組中之高連接 • 信賴性正被需求著。另一方面，電路電極之形成係使爲電 路本源的金屬形成於基板全面，於電路電極部塗佈阻劑， 硬化，其以外的部分以酸或鹼進行蝕刻之步驟進行，而在 上述經過高密度化的電路之情況，若形成於基板全面的金 屬之凹凸大，則由於在凹部與凸部蝕刻時間爲相異，因此 無法進行精密的鈾刻，會有鄰接電路間之短路或斷線發生 -5- 200929266 的問題。因此，期望在高密度電路之電極表面凹凸小，亦 即電極表面爲平坦，而使用以往之電路連接材料使如此之 相對向的平坦的電路電極彼此連接的情況下，在電路連接 ' 材料中所含的導電粒子與平坦電極間，黏著劑樹脂殘留， 會有無法確保在電路電極間充分之電連接及長期連接信賴 - 性的問題。 再者，在液晶模組之製造步驟之中，有使用於表面容 φ 易形成氧化膜的金屬材料所構成之電路電極的情況，使用 以往之電路連接材料時，導電粒子將氧化膜穿破，無法同 時高水準地達成確保電連接，及確保長期連接信賴性之兩 者。 於是，藉由在導電粒子表面設置複數之突起部，在電 路連接時，藉由使導電粒子與平坦電極間之黏著劑組成物 突起而貫穿，並接觸電路電極之方法（參照專利文獻1)， 以及藉由在基材粒子表面上配置複數之金屬微粒子，以金 Q 屬鍍敷層覆蓋表面的至少一部份而成之導電粒子，即使是 容易形成氧化膜的電路電極，亦能確保充分之電連接及長 * 期連接信賴性的方法（參照專利文獻2)正在被規劃之中。 • 專利文獻1 :特開2005-166438號公報 專利文獻2 :國際公開第07/05 8 1 5 9號小冊子 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 然而，即使使用上述方法，會依照電路電極之材質等 -6 - 200929266 規格’而有無法確保初期之電連接，及無法確保良好的連 接信賴性等，效果淺薄的情況。 本發明係鑑於如此之事情而完成者，目的爲提供一種 電路連接材料、使用其之電路構件之連接構造及電路構件 之連接方法，可達成對向的電路電極彼此間之良好的電連 接，同時可充分地提高電路電極間之電氣特性之長期信賴 性。 ❹ [用於解決課題之方法] 本發明人等，爲了解決上述課題專心檢討的結果，發 現了上述課題發生原因在於導電粒子之最外層之材質。亦 即，以往之電路連接材料所含的導電粒子之最外層爲Au 金屬膜，在電路連接時，即使藉由導電粒子與平坦電極間 之黏著劑組成物突起而貫穿，由於Au爲比較軟的金屬， 因此相對於電路電極導電粒子之最外層變形，往電路電極 Q 的陷入變爲困難。 於是本發明人等，爲了解決上述課題進一步反覆努力 硏究之結果，發現藉由將導電粒子之最外層之材質變更爲 較Au硬的金屬，能提升連接信賴性，而使本發明達到完 成。 本發明提供一種電路連接材料，係含有黏著劑組成物 與導電粒子的電路連接材料，而導電粒子爲具有在核體上 具備1或2以上之金屬層所成之突起的導電粒子，至少突 起之表面形成金屬層’該金屬層係由鎳或鎳合金所構成、 200929266 導電粒子之20%壓縮之壓縮彈性模數爲100〜800kgf/mm2 〇 本發明之電路連接材料，被使用作爲在製作電路構件 ' 之連接構造時，夾在2個電路構件（以下依照情況稱爲「 第1及第2電路構件」）之間，隔著電路構件被加熱加壓 - ，而使電路電極間電連接的電路連接用之異方性導電性黏 著劑。根據本發明之電路連接材料，與導電粒子之金屬層 φ (最外層）爲Au的情況相比，隔著導電粒子呈對向的電路 電極彼此進一步良好地.電連接，同時成爲可進一步提高電 路電極間之電氣特性之長期信賴性。亦即，即使黏著劑組 成物之硬化物進入導電粒子與電路電極之間，因爲在導電 粒子表面側設置突起，藉由此導電粒子，加在黏著劑組成 物之硬化物的壓力與沒有突起的導電粒子相比充分地變大 ，因此導電粒子之突起可容易地貫穿黏著劑組成物之硬化 物，另外，藉由某程度陷入於電路電極’可使導電粒子與 φ 電路電極之接觸面積增加。再者’由於導電粒子之最外層 的鎳（Ni)或鎳合金較Au硬’因此導電粒子之最外層對電 ' 路電極變成較爲容易陷入’可使導電粒子與電路電極之接 • 觸面積增加，藉此，可得到較爲良好的電連接及電氣特性 之長期信賴性。然後，藉由將導電粒子之20 %壓縮之壓縮 彈性模數定爲1〇〇〜800kgf/mm2，由於對電路電極導電粒 子之最外層容易陷入’因此可得到充分之電連接。此外還 加上即使伴隨溫度之變動等’電路電極間之間隔變寬，可 充分追隨導電粒子爲電路電極間隔之擴大’並可確保長期 -8 - 200929266 連接信賴性。 上述電路連接材料之中，導電粒子之突起之高度係以 65〜5 OOnrn爲佳。另外，導電粒子之中，鄰接之突起間之 ' 距離爲lOOOnm以下爲佳。藉由使導電粒子之突起之高度 及鄰接之突起間之距離在上述範圍內’導電粒子之突起可 • 較爲容易地貫穿黏著劑組成物之硬化物’可得到較爲良好 的電連接及電氣特性之長期信賴性。 φ 黏著劑組成物係以含有薄膜形成材、環氧樹脂及潛在 性硬化劑者爲佳。據此，由本發明產生的上述效果可較爲 確實地發揮。 本發明提供一種電路構件之連接構造’係具備形成電 路電極，使電路電極對向配置之2個電路構件’夾在電路 構件之間，進行加熱加壓，使該電路電極進行電連接之電 路連接構件，電路連接構件係本發明之電路連接材料或其 硬化物。此電路構件之連接構造係使用上述電路連接材料 ❿ 製作，因此可得到電路電極彼此間之良好的電連接。然後 ，隔著導電粒子呈對向的電路電極間之良好的電連接狀態 ' ，係藉由黏著劑組成物之硬化物經過長期間被保持，可成 - 爲充分地提高電氣特性之長期信賴性。 在上述之連接構造中，2個電路構件之至少一個爲1C 晶片亦可。在上述之連接構造中，2個電路構件之電路電 極中之至少一個電路電極的表面爲以選自金、銀、錫、鈾 族之金屬、鋁、鈦、鉬、鉻、銦一錫氧化物（ITO)及銦— 鋅氧化物（IZO)所成群之至少一種構成亦可。在上述之連 -9- 200929266 接構造中，2個電路構件中之至少一個電路構件的表面爲 選自氮化矽、矽氧化合物及聚醯亞胺樹脂所成群之至少一 種，進行有塗佈或附著處理亦可。 本發明提供一種電路構件之連接方法，係在形成有電 路電極，且使電路電極對向配置之2個電路構件之間，夾 設有本發明之電路連接材料，並藉由進行加熱加壓使電路 電極進行電連接。依據如此之連接方法，由於使用本發明 之電路連接材料，因此可確保良好的電連接及長期連接信 賴性。 [發明之效果] 依據本發明可提供一種電路連接材料，欲連接的電路 電極之表面爲平坦之情況，及/或氧化膜容易形成的電路 電極之情況下皆可達成對向的電路電極彼此間之良好的電 連接，同時可充分地提高電路電極間之電氣特性之長期信 φ 賴性，及使用此材料之電路構件之連接構造，以及用於得 到此之電路構件之連接方法。 【實施方式】 以下，參照圖1〜圖2同時對本發明之適合之實施形 態詳細地作說明。另外，在圖式之說明中，於相同要素附 上相同符號，而省略重複的說明。另外，圖示之方便上， 圖式之尺寸比率未必與說明者一致。 圖1係表示使用本發明所關連之電路連接材料的電路 -10- 200929266 構件之連接構造之一實施形態之槪略剖面圖。本實施％態、 之電路構件之連接構造1係具備有相互對向的第1電路_ 件30及第2電路構件40,在第1電路構件30與第2電路 ' 構件40之間，設置有連接該等的電路連接材料1〇。 ' 第1電路構件30係具備電路基板（第1電路基板）3ι、 • 與電路基板31之主面31a上所形成之電路電極（第1電路 電極）32。第2電路構件4 0 ’係具備電路基板41、與電路 0 基板41之主面41a上所形成之電路電極（第2電路電極）42 〇 在電路基板31、41中，電路電極32、42之表面成爲 _ 平坦。另外，此處所謂的「電路電極之表面平坦」係指電 路電極之表面之凹凸充分地小，表面之凹凸係以20nm以 下者爲佳。 電路電極32、42之厚度爲50nm以上爲所希望者。在 厚度爲50nm未滿之情況下，在電路連接材料中之導電粒 〇 子12之表面側的突起部14會在壓著時貫穿電路電極32、 42，而有與電路基板31、41接觸的可能性。此情況，電 ' 路電極32、42與導電粒子12之接觸面積減少，連接電阻 * 有上昇的傾向。另外，電路電極32、42之厚度爲製造成 本等觀點看來，宜爲lOOOnm以下，較佳爲500nm以下。 就電路電極32、42之材質而言，可列舉Au、Ag、Sn 、Pt族之金屬（例如釘、铑、鈀、餓、銥、鈾）或IT Ο、 ΙΖΟ、A1、Cr、Mo、Ti等，而特別是電路電極32、42之 材質爲ITO或IZO之情況，電連接顯著成爲良好，能發揮 -11 - 200929266 本發明之效果。另外，電路電極32、42全體以上述材質 構成’或僅最外層爲以上述材質構成皆可。 電路基板31、41之材質並未特別受到限制，而通常 ' 爲有機絕緣性物質、玻璃或矽。 '* 就第1電路構件3〇及第2電路構件40之具體例而言 • ’可列舉半導體晶片（1C晶片）、電阻體晶片、電容器晶片 等晶片零件、捲帶式封裝（TCP)、可撓性電路基板（FPC)、 φ 印刷電路板、玻璃基板等。 於該等電路構件30、40，通常設置多數電路電極（電 路端子）3 2、42 (依照情況亦可爲單數）。就電路構件之連接 構造1之形態而言，亦有1C晶片與晶片搭載基板之連接 、電子電路相互之連接、COG實裝或COF實裝中之1C晶 片與玻璃基板或與可撓性帶之連接等形態。特別是，以第 1及第2電路構件30、40中至少一者爲1C晶片者爲佳。 另外，在上述實施形態中，於電路構件之連接構造1 • 並未設置絕緣層，而在第1電路構件30中，於第1電路 電極32與電路基板31之間亦可進一步形成絕緣層，在第 ' 2電路構件40中，於第2電路電極42與電路基板41之間 ' 亦可進一步形成絕緣層。 絕緣層只要以絕緣材料構成，則沒有特別受到限制， 而通常由有機絕緣性物質、二氧化矽或氮化矽所構成。特 別是，第1及第2電路構件30、40中至少一者之表面係 以選自氮化矽、矽氧化合物、聚醯亞胺樹脂所成群之至少 一種進行塗佈或附著處理者爲佳。根據上述之電路連接材 -12- 200929266 料1 〇 ’對如此的電路構件3 0、4 0之接著強度成爲特別良 好。 電路連接材料10係含有具絕緣性的黏著劑成分（黏著 ' 劑組成物）1 1與導電粒子1 2。關於導電粒子1 2之詳細如 '· 後述，而如圖2(a)〜（b)所表示般，在其表面側具有複數之 . 突起部14。 於是，在此電路構件之連接構造1中，對向的第1電 Q 路電極32與第2電路電極42隔著導電粒子12而電連接 。亦即，導電粒子12直接接觸著電路電極32、42之兩者 。具體而言，導電粒子12之突起部14貫穿黏著劑成分（ _ 黏著劑組成物）11，而接觸第1電路電極32、第2電路電 極4 2。 因此，電路電極32、42間之連接電阻充分地減低， 電路電極32、42間之良好的電連接成爲可能的。因此， 可使電路電極3 2、4 2間之電流流動變圓滑，可充分地發 Q 揮電路所持有的機能。 導電粒子12之複數突起部14之內一部份之突起部14 ' ，係以分別於第1電路電極32或第2電路電極42產生凹 • 陷ΤΙ、T2之方式陷入者爲佳。此情況，導電粒子12之突 起部14與電路電極32、42之接觸面積較爲增加’可使連 接電阻較爲減低。 在電路構件之連接構造1中’第1電路電極32、第2 電路電極42之至少一個之表面積爲3 000μιη2以下’且在 第1電路電極32與第2電路電極42之間的平均導電粒子 -13- 200929266 數係以1 5個以上者爲佳。此處，平均導電粒子數係意指 每1個電路電極的導電粒子數之平均値。此情況，可較充 分地減低對向的電路電極32、42間之連接電阻。 ' 以下，對於電路連接構件1 〇作詳細地說明。電路連 ' 接構件1 〇係成爲薄膜狀，如以上所述，可藉由對含有於 • 表面側具有突起部1 4之導電粒子1 2、與黏著劑組成物的 電路連接材料進行硬化處理而得到。 ❿ (導電粒子） 對於本發明中之電路連接構件10之成分之導電粒子 1 2之構成作詳細地說明。圖2係表示構成本發明所關連之 電路連接材料的導電粒子之各種形態的剖面圖。如圖2(a) ' 所表示般，導電粒子12係由具有導電性的粒子（本體部）， 與形成於此粒子表面上的複數之突起部14所構成。此處 ，複數之突起部14係以具有導電性的金屬所構成。導電 φ 粒子12，係如圖2(a)所表示般，由核體21、與形成於核 體21之表面上的金屬層22所構成。核體21係由核心部 21a、與形成於核心部21a之表面上的突起部21b所構成 - ，金屬層22係在其表面側具有複數之突起部14。金屬層 22覆蓋著核體21，在對應於突起部21b的位置突出，其 突出的部分成爲突起部14。 就核體21的材質而言，達成高連接信賴性的觀點看 來，以使用可充分追隨電路電極32、42彼此連接後之電 路電極32、42間之間隔擴大的材質者爲佳。伴隨溫度之 -14- 200929266 變動等之電路電極32、42間之間隔擴大，若核體21無法 充分地追隨，則連接部分之電阻値有上昇的情況。從有效 率地防止如此電阻値之上昇的觀點看來，及與金屬所構成 ' 之核體相比成本低，加上熱膨脹或壓著接合時對尺寸變化 ·- 彈性變形範圍廣的觀點看來，使用有機高分子化合物所構 . 成之物作爲核體2 1者爲佳。 另外，導電粒子12係以粒子直徑之20%壓縮變形時 φ 之壓縮彈性模數爲100〜800kgf/mm2者爲佳，400〜 700kgf/mm2爲更佳。若上述粒子直徑之20%壓縮變形時之 壓縮彈性模數未滿lOOkgf/mm2，則對電路電極導電粒子 12之最外層陷入困難，因此連接部分之電阻上昇，故爲不 佳。另一方面，壓縮彈性模數超過800kgf/mm2之情況下 ' ，將相對向的電路電極32、42加壓時，導電粒子12有並 未充分變形成爲扁平形狀的傾向。因此，與電路電極32、 42的接觸面積變爲不充分，連接部分之電阻上昇。此外還 φ 加上變形不充分的導電粒子12變爲無法充分追隨伴隨溫 度之變動等的電路電極3 2、42間之間隔擴大，連接後之 ' 電阻顯著上昇，因此爲不佳。 • 就構成核體21之核心部21a的有機高分子化合物而 言，可列舉例如丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、苯胍胺樹脂、 聚矽氧樹脂、聚丁二烯樹脂或該等共聚物，亦可使用使該 等交聯者。另外’核體21之核心部21a之平均粒徑可因 應用途等適宜設計’而以1〜ΙΟμιη者爲佳，2〜8μηι者爲 較佳，3〜5 μιη者爲更佳。若平均粒徑未滿1 μιη則發生粒 -15- 200929266 子之次級凝集，與鄰接電路的絕緣性有變爲不充分的傾向 。另一方面，若平均粒徑超過ΙΟμιη，則起因於其大小， 鄰接電路的絕緣性有變爲不充分的傾向。 • 就構成核體21之突起部21b的有機高分子化合物而 -- 言，可列舉例如丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、苯胍胺樹脂、 . 聚矽氧樹脂、聚丁二烯樹脂或該等共聚物，亦可使用使該 等交聯者。構成突起部21b的有機高分子化合物，係與構 φ 成核心部2 1 a的有機高分子化合物相同或相異皆可。 核體21可藉由使核心部21a之表面吸附複數個具有 小於核心部2 1 a的直徑的突起部2 1 b而形成。使突起部 2 1 b吸附於核心部2 1 a之表面的方法而言，可列舉例如將 兩者或一者之粒子以矽烷、鋁、鈦等各種偶合劑及黏著劑 之稀釋溶液進行表面處理後，混合兩者使其附著的方法等 〇 就金屬層22的材料而言，可列舉例如Cu、Ni或Ni e 合金、Ag或Ag合金等，就鎳合金而言，可列舉例如Ni-B、Ni-W、Ni-W-Co、Ni-Fe及Ni-Cr等。由硬並且容易陷 ' 入電路電極32、42之觀點看來，特別以鎳或鎳合金者爲 ' 佳。金屬層22可藉由，將該等金屬對核體21使用無電解 鍍敷法進行鍍敷而形成。無電解鍍敷法大致分成批次方式 與連續滴下方式，而使用任一方式皆可形成金屬層22。 金屬層22之膜厚（鍍敷膜厚）係以65〜125nm者爲佳 ’較佳爲75〜l〇〇nm，更佳爲 8〇〜9〇nm。藉著將金屬層 22之膜厚定爲如此的範圍，可使電路電極32、42間之連 -16- 200929266 接電阻成爲更加良好者。金屬層22之膜厚未滿65 nm，則 由於膜厚薄，連接電阻有變大的傾向，超過125nm，則在 鍍敷時導電粒子12間凝結發生，鄰接的電路電極32、42 ' 間有短路發生的傾向。此處，本說明書中之導電粒子12 -- 之金屬層22之厚度係指不含突起部21b的金屬層部分之 . 厚度，可藉由電子顯微鏡測定。 導電粒子12之突起部14之高度Η係以65〜1000 nm _ 者爲佳，65〜500nm者爲較佳，100〜500nm者爲特佳。 另外，鄰接之突起部14間之距離S係以1 000mm以 下爲佳，50〇nm以下爲較佳。另外，鄰接之突起部14間 之距離S，爲了使黏著劑組成物不進入導電粒子12與電 路電極32、42之間，並充分地使導電粒子12與電路電極 ' 32、42接觸，希望爲至少50mm以上。另外，導電粒子 12之突起部14高度Η及鄰接之突起部14間之距離S可 藉由電子顯微鏡進行測定。 ❹ 另外，導電粒子12係如圖2(b)所表示般，核體21僅 由核心部21a構成亦可。換言之，在圖2之（a)所表示之導 * 電粒子12中，不設置突起部21b亦可。此導電粒子12係 • 可藉由對核體21之表面進行金屬鍍敷，使金屬層22形成 於核體2 1之表面上而得到。 此處，對用於使突起部14形成的鍍敷方法作說明。 突起部14，在金屬鍍敷時，藉由在鎪敷反應的途中變更鍍 敷條件使金屬層22之厚度變化，可形成金屬層22。鍍敷 條件之變更可藉由例如在最初使用的鍍液，再增加相較於 -17- 200929266 此濃度較闻的鍍液，使鍍液濃度成爲不均勻進行。另外， 藉著調節鍍液之p Η ’例如將鎳鍍液之p Η定爲6，可得到 結節狀之金屬層，亦即具有突起部14的金屬層22(望月… 等、表面技術、Vol.48，Νο·4、429 〜432 頁、1997)。另 外’相對於使用甘胺酸作爲鍍浴而有助於安定性的錯化劑 - 之情況’可得到平滑的金屬層（被膜），使用酒石酸或DL- 蘋果酸的情況’可得到結節狀之被膜，亦即具有突起部1 4 φ 的金屬層22(荻原…等、非晶質鍍敷Vol.36，第35〜37頁 、19 94;荻原…等、電路實裝學會誌、v〇i.10. No.3, 148 〜152 頁、1995)。 其他’在導電粒子12中，金屬層22由核體21完全 剝離的粒子之混入率爲2 5萬個粒子中未滿5 %者爲佳，較 佳爲未滿1%，更佳爲未滿0.1%。藉由金屬層22由核體 21完全剝離的粒子之混入率定爲如此之範圍，可使電路電 極32、42間之導通成爲確實的。金屬層22由核體21完 φ 全剝離的粒子之混入率爲5%以上之情況下，由於與導電 無關的粒子存在於電極上，連接電阻有變大的傾向。 ' 本發明中之導電粒子12，會有核體21部分露出的情 •況。由連接信賴性之觀點看來，金屬層22的被覆率爲 70%以上者爲佳，較佳爲80〜100%。藉由將金屬層22的 被覆率定在如此之範圍，可使電路電極32、42間之連接 電阻更進一步成爲良好的。金屬層22的被覆率未滿70% 子。 粒向 電傾 導的 於大 由變 , 有 下阻 況電 情接 之連 匕 因 小 變 積 面 通 導 之 面 表 -18- 200929266 金屬層22爲由單一金屬之層所構成者，或由複數金 屬之層所構成者皆可。 ' (黏著劑組成物） 接著，對於上述電路連接材料10中之黏著劑成分（黏 . 著劑組成物）11作詳細地說明。電路連接材料1 〇中所含之 黏著劑成分（黏著劑組成物）11係具有接著性，藉由對第i φ 及第2電路構件30、40進行硬化處理而硬化。 就黏著劑組成物而言’以含有薄膜形成材、環氧樹脂 及潛在性硬化劑者爲佳。據此，可較確實地發揮本發明產 生之上述效果。 就於本發明使用之薄膜形成材而言，可列舉苯氧基樹 脂、聚乙烯甲醛樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯丁醛樹脂、 聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、二甲苯樹脂、聚胺甲酸乙酯樹脂 等。薄膜形成材係指在使液狀物固形化，使構成組成物製 〇 成薄膜形狀的情況下，其薄膜之操作爲容易，並賦予不容 易裂開、破損、沾黏的機械特性等者，並且爲可在通常狀 態（常溫常壓）以薄膜的形式之操作者。 • 薄膜形成材之中，尤其從接著性、相溶性、耐熱性、 機械強度優異之觀點看來，以苯氧基樹脂爲特佳。苯氧基 樹脂，係藉由使2官能酚類與表鹵醇反應至高分子量，或 使2官能環氧樹脂與2官能酚類進行加成聚合所得到之樹 脂。具體而言，可藉由使2官能酚類1莫耳與表鹵醇 0.985〜1.015莫耳，在鹼金屬氫氧化物之存在下，於非反 -19- 200929266 應性溶劑中，40〜120°C之溫度反應而得到。 另外’由樹脂之機械的特性或熱的特性之觀點看來， 特別是將2官能性環氧樹脂與2官能性酚類之配合等量比 ' 定爲環氧基/酚羥基=W0.9〜1/1.1，在鹼金屬化合物、有 - 機磷系化合物、環狀胺系化合物等觸媒之存在下，在沸點 . 爲120 °C以上之醯胺系、醚系、酮系、内酯系、醇系等有 機溶劑中，反應固體成分爲50質量份以下，於50〜200乞 0 加熱使其進行加成聚合反應所得到者爲佳。 就上述2官能環氧樹脂而言，可列舉雙酚a型環氧樹 脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、雙酚S型 環氧樹脂、聯苯二環氧丙基醚、甲基取代聯苯二環氧丙基 醚等。2官能酚類係具有2個酚性羥基者。就2官能酚類 而言’可列舉例如氫醌類、雙酚A、雙酚F、雙酚AD、雙 酚S、雙酚莽、甲基取代雙酚莽、二羥基聯苯、甲基取代 二羥基聯苯等雙酚類等。苯氧基樹脂亦可藉由自由基聚合 φ 性之官能基’或其他之反應性化合物變性（例如環氧變性） 。苯氧基樹脂係單獨使用，或混合2種以上使用皆可。 * 就於本發明使用之環氧樹脂而言，可將環氧氯丙烷與 . 雙酚A或由F、AD等衍生的雙酚型環氧樹脂、由環氧氯 丙烷與苯酚酚醛或甲酚酚醛衍生的環氧酚醛樹脂或具有含 萘環骨架之萘系環氧樹脂、縮水甘油胺、環氧丙基醚、聯 苯、脂環式等在1分子內具有2個以上之縮水甘油基之各 種環氧化合物等單獨或混合2種以上使用。該等環氧樹脂 ’係使用使雜質離子（Na+、CT等），或水解性氯等減低至 -20- 200929266 3 OOppm以下的高純度品，由於防止電子遷移，因此爲佳 〇 就本發明所使用之潛在性硬化劑而言，能使環氧樹脂 ' 硬化者即可，就如此之潛在性硬化劑而言，可列舉陰離子 *- 聚合性之觸媒型硬化劑、陽離子聚合性之觸媒型硬化劑、 - 加成聚合型之硬化劑等。該等可單獨或以2種以上之混合 物之形式使用。該等中，由在速硬化性方面優異，不需要 φ 化學當量方面的考慮之觀點看來，係以陰離子或陽離子聚 合性之觸媒型硬化劑爲佳。 就陰離子或陽離子聚合性之觸媒型硬化劑而言，可列 _ 舉咪唑系、醯肼系、三氟化硼-胺錯合物、锍鹽、胺-醯亞 胺、二胺基馬來腈、三聚氰胺及其衍生物、聚胺之鹽、二 氰基二醯胺等，亦可使用該等轉化物。就加成聚合型之硬 化劑而言，可列舉聚胺類、聚硫醇、多酚、酸酐等。 就陰離子聚合型之觸媒型硬化劑而言，在配合第3級 胺類或咪唑類的情況下，環氧樹脂在160 °C〜20 0°C程度之 中溫藉由數1 〇秒〜數小時程度之加熱而硬化。因此，使 * 用期（pot life，有效時間）成爲比較長，故爲佳。 - 就陽離子聚合型之觸媒型硬化劑而言，以例如藉由能 量線照射使環氧樹脂硬化的感光性鑰鹽（主要使用芳香族 重氮鹽、芳香族锍鹽等）爲佳。另外，除了能量線照射以 外，藉由加熱活性化使環氧樹脂硬化者而言，有脂肪族鏡 鹽等。此種之硬化劑係具有所謂速硬化性的特徵，因此爲 佳。 -21 - 200929266 將該等潛在性硬化劑以聚胺甲酸乙酯系或聚酯系等高 分子物質，或鎳、銅等金屬薄膜及矽酸鈣等無機物被覆而 微膠囊化之物，使用期可延長，故爲佳。 ' 本實施形態之電路連接材料10，進一步可使用以丙烯 * 酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或丙烯腈之內至少一個作爲 - 單體成分的聚合物或共聚物，在倂用含有環氧丙基醚基的 縮水甘油丙烯酸酯或含縮水甘油甲基丙烯酸酯的共聚物系 φ 丙烯酸橡膠的情況下，由於應力緩和優異，故爲佳。該等 丙烯酸橡膠之分子量（由尺寸排除層析而得之聚苯乙烯換 算重量平均分子量），從提高黏著劑之凝集力的觀點看來 以20萬以上爲佳。 導電粒子1 2的配合量係以相對於黏著劑組成物1 〇〇 體積份爲0.1〜30體積份者爲佳，其配合量可依照用途分 別使用。由防止過剩的導電粒子12造成電路電極32、42 間之短路等的觀點看來，導電粒子12的配合量係以0.1〜 _ 1 0體積份爲較佳。 本實施形態之電路連接材料10，進一步亦可含有橡膠 ' 微粒子、充塡劑、軟化劑、促進劑、老化防止劑、難燃化 - 劑、色素、搖變劑、偶合劑、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、異 氰酸酯類等。 上述橡膠微粒子，只要具有所配合的導電粒子12之 平均粒徑之2倍以下之平均粒徑，且具有導電粒子1 2及 黏著劑組成物在室溫（25。(：）之貯藏彈性率的1/2以下之貯 藏彈性率者即可。特別是，橡膠微粒子之材質爲矽酮、丙 -22- 200929266 烯酸乳膠、SBR、NBR、聚丁二烯橡膠之微粒子，適合以 單獨，或混合2種以上使用。3維交聯之該等橡膠微粒子 耐溶劑性優異，容易分散在黏著劑組成物中。 ' 含有充塡劑之情況，可得到連接信賴性等提升，故爲 ·· 佳。充塡劑之最大徑只要爲未滿導電粒子12之粒徑即可 - 使用，相較於導電粒子12之粒徑爲更大的情況下，有阻 礙導電粒子之扁平化之虞。充塡劑之配合量爲5〜60體積 Φ 份（相對於黏著劑組成物之樹脂成分1 00體積份）之範圍爲 佳。若超過60體積份則信賴性提升效果有飽和的情形， 未滿5體積份則添加效果小。 就偶合劑而言，酮亞胺、乙烯基、丙烯酸基、胺基、 環氧基及異氰酸酯基含有物，從接著性提升之觀點看來爲 適合。就具有胺基的矽烷偶合劑具體而言，可列舉N- yS ( 胺基乙基）γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-石（胺基乙基）γ-胺 基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、Ν-φ 苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷等。就具有酮亞胺的矽烷偶 合劑而言，可列舉在上述之具有胺基的矽烷偶合劑，使丙 ' 酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮化合物進行反應所得 • 到者。 另外，薄膜狀之電路連接材料係可藉由使用塗佈裝置 (未圖示）將上述電路連接材料塗佈在支持體（聚對苯二甲酸 乙二酯（PET)薄膜等）上，既定時間熱風乾燥而製作。 [電路構件之連接構造之製造方法] -23- 200929266 接著，對於上述電路構件之連接構造1之製造方法作 說明。 首先，準備上述第1電路構件30與第2電路構件40 - 、與電路連接材料。就電路連接材料而言，可準備例如成 形爲薄膜狀的電路連接材料（以下稱爲薄膜狀電路連接材 - 料。）。薄膜狀電路連接材料係含有藉由對第1電路構件 30及第2電路構件40進行硬化處理而硬化的黏著劑組成 Q 物、與導電粒子12者。薄膜狀電路連接材料之厚度爲5〜 50μιη者爲佳。若薄膜狀電路連接材料之厚度未滿5μιη， 則在第1及第2電路電極32、42之間薄膜狀電路連接材 . 料有變成充塡不足的傾向。另一方面，若厚度超過50μιη ’則第1及第2電路電極32、42間導通之確保有變爲困 難的傾向。 接著，使薄膜狀電路連接材料載置於第1電路構件30 之上。然後，將第2電路構件40以第1電路電極32與第 © 2電路電極42呈對向配置之方式載置於薄膜狀電路連接材 半斗之上。藉此，成爲可將薄膜狀電路連接材料夾在第1電 路構件30與第2電路構件40之間。此時，薄膜狀電路連 ' 接材料爲薄膜狀，操作容易。因此，只要藉由此薄膜狀電 路連接材料，則連接第1電路構件30與第2電路構件40 可容易地夾在該等之間，而可容易地進行第1電路構 件30與第2電路構件4〇之連接作業。 接著，隔著第1電路構件30及第2電路構件40，對 薄膜狀電路連接材料加熱，同時加壓，並施行硬化處理， -24- 200929266 在第1及第2電路構件30、40之間，形成電路連接材料 10之硬化物。硬化處理可藉由一般的方法進行，其方法可 依照黏著劑組成物適宜選擇。此時，由於電路連接材料中 ' 之導電粒子12最外層之Ni較以往的Au硬，因此對第1 ·- 或第2電路電極32、42之最外層，相較於以往的導電粒 . 子，突起部14成爲更深地陷入，使導電粒子與電路電極 之接觸面積增加。另外，藉由將第1或第2電路電極32、 U 42之厚度定爲50nm以上，防止導電粒子之突起部貫穿電 路電極，而使接觸面積減少。然後，藉由使電路連接材料 經過硬化處理而使黏著劑組成物硬化，可實現對第1電路 構件3 0及第2電路構件40的高接著強度，經過長期間可 保持導電粒子12與第1及第2電路電極32、42確實接觸 ' 的狀態。 因此，不拘在第1及/或第2電路電極32、42表面的 凹凸之有無，可充分地減低對向的第1及第2電路電極32 φ 、42間之連接電阻，可達成第1電路電極32與第2電路 電極42良好的電連接，同時可充分地提高第1及第2電 ' 路電極32、42間之電氣特性之長期信賴性。 • 另外，在上述實施形態中，使用薄膜狀電路連接材料 製造電路構件之連接構造1，而亦可使用形成爲薄膜狀的 前述電路連接材料代替薄膜狀電路連接材料。此情況下， 只要使電路連接材料溶解於溶劑，將此溶液，塗佈於第1 電路構件30或第2電路構件40之任一者並使其乾燥，即 可使其夾設在第1及第2電路構件30、40之間。 -25- 200929266 以上，對於本發明之適合之實施形態作說明，而本發 明並非受到上述實施形態所限定者。本發明，係在不脫離 其要旨之範圍各式各樣之變形爲可能的。 *· [實施例] ► 以下，藉由實施例對本發明之內容進一步具體地說明 ，而本發明並非受到該等實施例所限制者。 〇 [導電粒子之製作] (導電粒子No.l之製作） 藉著改變四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、二乙烯基苯及苯 乙烯單體之混合比，使用苯甲醯基過氧化物作爲聚合起始 劑進行懸浮聚合，將所得到之聚合物分級，可得到具有約 3μηι之粒徑的核體。對所得到之核體之表面進行無電解鍍 Ni處理時，藉由依照鍍液之裝入量、處理溫度及時間變更 ❹ 鍍敷厚，可於上述核體之表面形成鍍Ni之突起部，得到 亦含突起部的Ni目標膜厚爲90nm之導電粒子No.l。 • 使用FISCHER INSTRUMENTS股份有限公司製Η-1 00 微小硬度計，對上述導電粒子No · 1測定壓縮彈性模數之 結果，該粒子之粒子直徑之20%壓縮變形時之壓縮彈性模 數爲65 0kgf/mm2。進一步使用電子顯微鏡（日立製作所製 ，S-800)觀察上述導電粒子No.l，測量突起部之高度與鄰 接之突起部間之距離之結果’突起部之高度爲l〇〇nm、鄰 接之突起部間之距離爲50〇nm。 -26- 200929266 (導電粒子No.2之製作） 另外，藉由將Au以2 Onm取代鍍敷於導電粒子No. 1 上，形成具有複數之突起部的Au層，得到導電粒子No .2 。使用 FISCHER INSTRUMENTS股份有限公司製 H-100 微小硬度計，對上述導電粒子No .2測定壓縮彈性模數的 結果，該粒子之粒子直徑之20%壓縮變形時之壓縮彈性模 數爲650kgf/mm2。進一步，使用電子顯微鏡（日立製作所 製S-800)觀察上述導電粒子No.2，測量突起部之高度與 鄰接之突起部間之距離之結果，突起部之高度爲lOOnm、 鄰接之突起部間之距離爲5 00nm。 (導電粒子No.3之製作） 導電粒子No. 1之核體係指使用壓縮彈性模數相異的 具有約3 μιη之粒徑的核體，對表面進行無電解鍍Ni處理 時，藉由依照鍍液之裝入量、處理溫度及時間變更鍍敷厚 ，於上述核體之表面形成鑛Ni之突起部，得到亦含突起 部的Ni目標膜厚爲9Onm之導電粒子No.3。對上述導電 粒子Νο·3使用FISCHER INSTRUMENTS股份有限公司製 Η-1 00微小硬度計測定壓縮彈性模數之結果，該粒子之粒 子直徑之20%壓縮變形時之壓縮彈性模數爲400kgf/mm2。 進一步使用電子顯微鏡（日立製作所製、s_8〇〇)觀察上述導 電粒子No.3，測量突起部之高度與鄰接之突起部間之距離 之結果，突起部之高度爲lOOnm、鄰接之突起部間之距離 -27- 200929266 爲 5 0 0nm。 (導電粒子No.4之製作） 導電粒子No. 1之核體係指使用壓縮彈性模數相異的 具有約3μιη之粒徑的核體，對表面進行無電解鍍Ni處理 時，藉由依照鍍液之裝入量、處理溫度及時間變更鍍敷厚 ，於上述核體之表面形成鍍Ni之突起部，得到亦含突起 部的 Ni目標膜厚爲 90nm之導電粒子 No.4。使用 FISCHER INSTRUMENTS股份有限公司製H-100微小硬度 計，對上述導電粒子No. 4測定壓縮彈性模數之結果，該 粒子之粒子直徑之 20%壓縮變形時之壓縮彈性模數爲 90kgf/mm2。進一步，使用電子顯微鏡（日立製作所製，S-8 0 0)觀察上述導電粒子No.4，測量突起部之高度與鄰接之 突起部間之距離之結果，突起部之高度爲10 Onm、鄰接之 突起部間之距離爲500nm。 [電路連接材料之製作] (電路連接材料A之製作） 由雙酚A型環氧樹脂、與9,9'-雙（4-羥苯基）蒹合成苯 氧基樹脂。使此樹脂50g溶解於質量比50 : 50之甲苯（沸 點1 l〇.6°C ’ SP値8.90)與醋酸乙酯（沸點77.1°C、SP値 9.10)之混合溶劑，製成固體成分40質量％之溶液。 另外’準備了以質量比34: 49: 17含有微膠囊型潛 在性硬化劑（經過微膠囊化的胺系硬化劑）、與雙酚F型環 -28- 200929266 氧樹脂、與萘型環氧樹脂的含液狀硬化劑的環氧樹脂（環 氧當量：202)。 將上述材料以苯氧基樹脂：硬化劑，含有環氧樹脂成 • 爲固體成分質量40: 60之方式配合，製作黏著劑組成物 ·- 含有液。於所得到之黏著劑組成物含有液進一步配合導電 • 粒子No. 1相對於樹脂成分5體積％，使其分散，調製含電 路連接材料的液體。 U 然後’使用塗佈裝置將此含電路連接材料的液體塗佈 於對單面進行表面處理的厚度5 0 μηι之PET薄膜之後，藉 由70 °C 5分鐘之熱風乾燥，於pet薄膜上得到厚度爲 20μιη之薄膜狀電路連接材料a。 (電路連接材料Β之製作） 將雙酚Α型苯氧基樹脂5〇g，溶解於質量比50: 50 之甲苯與醋酸乙酯的混合溶劑，製成固體成分40質量％之 ❹ 第1溶液’另一方面，將雙酚A.F共聚合型苯氧基樹脂 50g溶解於質量比50: 50之甲苯與醋酸乙酯之混合溶劑， ’ 得到固體成分45質量％之第2溶液。 ’ 混合上述之第1及第2溶液，於其混合液進一步配合 液狀環氧樹脂（環氧當量：185)。該等雙酚A型苯氧基樹 脂：雙酚A· F共聚合型苯氧基樹脂：液狀環氧成爲固體 成分質量比3 0 : 3 0 : 40之方式配合，製作含黏著劑組成 物的液體。於所得到之黏著劑組成物含有液，配合導電粒 子No.l相對於樹脂成分爲5體積％，使其分散，進一步， -29- 200929266 添加芳香族銃鹽4 · 8 g作爲潛在性硬化劑，調製含電路連 接材料的液體。 然後’使用塗佈裝置將此含電路連接材料的液體塗佈 • 於對單面進行表面處理的厚度50μιη之PET薄膜之後，藉 ·- 由70 °C 5分鐘之熱風乾燥，於pet薄膜上得到厚度爲 . 20μιη之薄膜狀電路連接材料B。 ❹ （電路連接材料C之製作） 除了使用導電粒子Νο·2代替在上述電路連接材料A 中之導電粒子No.l之外，藉由與電路連接材料a相同的 方法得到電路連接材料C。 (電路連接材料D之製作） 除了使用導電粒子No.2代替在上述電路連接材料B 中之導電粒子No.1之外，藉由與電路連接材料b相同的 φ 方法得到電路連接材料D。 ' (電路連接材料E之製作） ' 除了使用導電粒子No.3代替在上述電路連接材料a 中之導電粒子Ν〇·ι之外，藉由與電路連接材料a相同的 方法得到電路連接材料E。 (電路連接材料F之製作） 除了使用導電粒子Νο·3代替在上述電路連接材料b -30- 200929266 中之導電粒子No. 1之外，藉由與電路連接材料b相同的 方法得到電路連接材料F。 (電路連接材料G之製作） 除了使用導電粒子Νο·4代替在上述電路連接材料a 中之導電粒子Νο·1之外’藉由與電路連接材料a相同的 方法得到電路連接材料G。 (電路連接材料Η之製作） 除了使用導電粒子Νο·4代替在上述電路連接材料β 中之導電粒子No. 1之外，藉由與電路連接材料β相同的 方法得到電路連接材料Η。 (實施例1) 準備了配置有凸塊面積50μιηχ50μηι、節距ΐΟΟμίη、高 〇 度20μηι之金凸塊的1C晶片作爲第1電路構件。接著，準 備了於表面上具備ΙΤΟ電路電極（膜厚：200nm、表面電阻 < 2 0 Ω ))，對準IC晶片之凸塊排列力□工有電路電極的玻璃 ' 基板（厚度〇.5mm)作爲第2電路構件。然後，於第2電路 構件上黏貼裁切成既定大小（2.5x30mm)的電路連接材料A ，以70°C、l.OMPa進行加熱、加壓5秒鐘進行假連接。 接下來，將PET薄膜剝離之後，以1C與第2電路構件夾 住薄膜狀電路連接材料A之方式配置1C，進行1C電路與 第2電路構件之電路定位。接下來，以石英玻璃與加壓頭 -31 - 200929266 夾住，以200°C、lOOMPa、10秒之條件由1C上方進行加 熱、加壓而將1C與第2電路構件正式連接。如此一來， 得到實施例1之電路構件之連接構造。 (實施例2) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著，準備了於表面上具備ITO(最外層，膜厚l〇〇nm)/MO( 膜厚：50nm)/Al(膜厚：1 50nm)之3層構成之電路電極（表 面電阻< 30 Ω ))，對準1C晶片之凸塊排列加工有電路電極 的玻璃基板（厚度〇.5mm)作爲第2電路構件。然後，與實 施例1之連接方法相同地進行電路連接材料A之假連接、 正式連接，得到實施例2之電路構件之連接構造。 (實施例3) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 Φ 著，準備了於表面上具備 ΙΖ0(最外層，膜厚： 1 0 Onm )/Mo (膜厚：5 0 nm)/A1 (膜厚：1 5 0 nm)之 3 層構成之 * 電路電極（表面電阻< 40 Ω ))，對準1C晶片之凸塊排列加 工有電路電極的玻璃基板（厚度〇.5mm)作爲第2電路構件 。然後，與實施例1之連接方法相同地進行電路連接材料 A之假連接、正式連接，得到實施例3之電路構件之連接 構造。 (實施例4) -32- 200929266 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著，準備了與實施例1相同的具備ITO電路電極（膜厚： 200nm、表面電阻<20Ω)的玻璃基板（厚度0.5mm)作爲第 2電路構件。然後，於第2電路構件上黏貼裁切成既定大 小（2.5x30mm)的電路連接材料B，以 70°C，l.OMPa進行 加熱、加壓5秒鐘假連接。接下來，將PET薄膜剝離之後 ，以1C與第2電路構件夾住薄膜狀電路連接材料B之方 式配置1C，進行1C電路與第2電路構件之電路定位。接 下來，以石英玻璃與加壓頭夾住，以160°C、lOOMPa、10 秒之條件由1C上方進行加熱、加壓而將1C與第2電路構 件正式連接。如此一來，得到實施例4之電路構件之連接 構造。 (實施例5) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 〇 著，準備了與實施例2相同的具備ITO(最外層，膜厚： 1 00nm)/Mo(膜厚：50nm)/Al(膜厚：1 50nm)之 3 層構成之 " 電路電極（表面電阻< 30 Ω ))的玻璃基板（厚度〇.5mm)作爲 • 第2電路構件。然後，與實施例4之連接方法相同地進行 電路連接材料B之假連接、正式連接，得到實施例5之電 路構件之連接構造。 (實施例6) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 -33- 200929266 著’準備了與實施例3相同的具備IZO(最外層，膜厚 100nm)/Mo(膜厚：50nm)/Al(膜厚：150nm)之 3 層構成之 電路電極（表面電阻< 40Ω ))的玻璃基板（厚度0.5 mm)作爲 第2電路構件。然後，與實施例4之連接方法相同地進行 電路連接材料B之假連接、正式連接，得到實施例6之電 路構件之連接構造。 φ (實施例7) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著’準備了與實施例1相同的具備ITO電路電極（膜厚 200nm、表面電阻<20Ω)的玻璃基板（厚度〇.5mm)作爲第 2電路構件。然後，於第2電路構件上黏貼裁切成既定大 小（2.5x30mm)的電路連接材料E，以 70°C、l.OMPa進行 加熱、加壓5秒鐘假連接。接下來，將PET薄膜剝離之後 ，以1C與第2電路構件夾住薄膜狀電路連接材料E之方 〇 式配置1C，進行1C電路與第2電路構件之電路定位。接 下來，以石英玻璃與加壓頭夾住，以200°C、lOOMPa、10 ‘ 秒之條件由1C上方進行加熱、加壓而將1C與第2電路構 • 件正式連接。如此一來，得到實施例7之電路構件之連接 構造。 (實施例8) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著，準備了與實施例2相同的具備ITO(最外層，膜厚： -34- 200929266 1 00nm)/Mo(膜厚：5 Onm)/A1(膜厚：150nm)之 3 層構成之 電路電極（表面電阻<30Ω))的玻璃基板（厚度〇.5mm)作爲 第2電路構件。然後，與實施例7之連接方法相同地進行 電路連接材料E之假連接、正式連接，得到實施例8之電 路構件之連接構造。 (實施例9) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著，準備了與實施例3相同的具備IZO(最外層，膜厚： 100nm)/Mo(膜厚：50nm)/Al(膜厚：150nm)之 3 層構成之 電路電極（表面電阻< 40Ω ))的玻璃基板（厚度0.5 mm)作爲 第2電路構件。然後，與實施例7之連接方法相同地進行 電路連接材料E之假連接、正式連接，得到實施例9之電 路構件之連接構造。 φ (實施例10) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著，準備了與實施例1相同的具備ITO電路電極（膜厚： • 200nm、表面電阻< 20 Ω )的玻璃基板（厚度0.5mm)作爲第 2電路構件。然後，於第2電路構件上黏貼裁切成既定大 小（2.5x30mm)電路連接材料F，以70°C、l.OMPa進行加 熱、加壓5秒鐘假連接。接下來，將PET薄膜剝離之後， 以1C與第2電路構件夾住薄膜狀電路連接材料F之方式 配置1C’進行1C電路與第2電路構件之電路定位。接下 -35- 200929266 來，以石英玻璃與加壓頭夾住，以160°C、l〇〇MPa、10秒 之條件由1C上方進行加熱、加壓而將1C與第2電路構件 正式連接。如此一來，得到實施例1 0之電路構件之連接 構造。 (實施例1 1) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著，準備了與實施例2相同的具備ITO(最外層，膜厚 100nm)/Mo(膜厚：50nm)/Al(膜厚1154nm)之3層構成之電 路電極（表面電阻<30Ω))的玻璃基板（厚度〇.5mm)作爲第 2電路構件。然後，與實施例10之連接方法相同地進行電 路連接材料F之假連接、正式連接，得到實施例11之電 路構件之連接構造。 (實施例12) φ 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著，準備了與實施例3相同的具備IZO(最外層’膜厚： • 100nm)/Mo(膜厚：50nm)/Al(膜厚：150nm)之 3 層構成之 . 電路電極（表面電阻<40Ω))的玻璃基板（厚度〇.5 mm)作爲 第2電路構件。然後，與實施例1〇之連接方法相同地進 行電路連接材料假連接、正式連接’得到實施例12 之電路構件之連接構造。 (比較例1) -36- 200929266 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著，準備了與實施例1相同的具備ITO電路電極（膜厚 200nm、表面電阻<20Ω)的玻璃基板（厚度0.5mm)作爲第 2電路構件。然後，於第2電路構件上黏貼裁切成既定大 小（2.5x30mm)的電路連接材料C，以 70°C、l.OMPa進行 加熱、加壓5秒鐘假連接。接下來，將PET薄膜剝離之後 ，以1C與第2電路構件夾住薄膜狀電路連接材料C之方 式配置1C，進行1C電路與第2電路構件之電路定位。接 下來，以石英玻璃與加壓頭夾住，以200°C、lOOMPa、10 秒之條件由1C上方進行加熱、加壓而將1C與第2電路構 件正式連接。如此一來，得到比較例1之電路構件之連接 構造。 (比較例2) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 φ 著，準備了與實施例2相同的具備ITO(最外層，膜厚 100nm)/Mo(膜厚：50nm)/Al(膜厚：150nm)之 3 層構成之 * 電路電極（表面電阻< 30Ω ))的玻璃基板（厚度0.5 mm)作爲 - 第2電路構件。然後，與比較例1之連接方法相同地進行 電路連接材料C之假連接、正式連接，得到比較例2之電 路構件之連接構造。 (比較例3) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 -37- 200929266 著，準備了與實施例3相同的具備IZO(最外層，膜厚： 100nm)/Mo(膜厚5 0nm)/Al(膜厚：1 5 Onm)之3層構成之電 路電極（表面電阻<40Ω))的玻璃基板（厚度0.5 mm)作爲第 2電路構件。然後，與比較例1之連接方法相同地進行電 路連接材料C之假連接、正式連接，得到比較例3之電路 構件之連接構造。 0 (比較例4 ) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著，準備了與實施例1相同的具備ITO電路電極（膜厚： 200nm、表面電阻<20Ω)的玻璃基板（厚度0.5mm)作爲第 2電路構件。然後，於第2電路構件上黏貼裁切成既定大 小（2.5x30mm)的電路連接材料D，以70°C、l.OMPa進行 加熱、加壓5秒鐘假連接。接下來，將PET薄膜剝離之後 ’以1C與第2電路構件夾住薄膜狀電路連接材料D之方 G 式配置IC’進行1C電路與第2電路構件之電路定位。接 下來’以石英玻璃與加壓頭夾住，以 16(TC、l〇〇MPa、10 秒之條件由I c上方進行加熱、加壓而將IC與第2電路構 - 件正式連接。如此一來，得到比較例4之電路構件之連接 構造。 (比較例5 ) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著’準備了與實施例2相同的具備ITO(最外層，膜厚： -38- 200929266 100nm)/Mo(膜厚5 4 nm)/A1 (膜厚：1 5 0 nm)之3層構成之電 路電極（表面電阻< 30Ω ))的玻璃基板（厚度0.5 mm)作爲第 2電路構件。然後，與比較例4之連接方法相同地進行電 路連接材料D之假連接、正式連接，得到比較例5之電路 構件之連接構造。 (比較例6) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1之電路構件。 接著，準備了與實施例3相同的具備IZO(最外層，膜厚： 1 00nm)/Mo(膜厚：50nm)/Al(膜厚：1 5 0 nm)之 3 層構成之 電路電極（表面電阻<40 Ω))的玻璃基板（厚度〇.5mm)作爲 第2電路構件。然後，與比較例4之連接方法相同地進行 電路連接材料D之假連接、正式連接，得到比較例6之電 路構件之連接構造。 (比較例7) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著，準備了與實施例1相同的具備ITO電路電極（膜厚： 200nm、表面電阻<2〇Ω)的玻璃基板（厚度0.5mm)作爲第 2電路構件。然後，於第2電路構件上黏貼裁切成既定大 小（2.5x30mm)的電路連接材料 G，以 70°C、l.OMPa進行 加熱、加壓5秒鐘進行假連接。接下來，將PET薄膜剝離 之後，以1C與第2電路構件夾住薄膜狀電路連接材料G 之方式配置1C，進行1C電路與第2電路構件之電路定位 -39- 200929266 。接下來，以石英玻璃與加壓頭夾住，以20(TC、lOOMPa 、1 〇秒之條件由1C上方進行加熱、加壓而將ic與第2電 路構件正式連接，如此一來，得到比較例7之電路構件之 連接構造。 (比較例8) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著，準備了與實施例2相同的具備ITO(最外層，膜厚； 1 00nm)/Mo(膜厚：50nm)/Al(膜厚：1 50nm)之 3 層構成之 電路電極（表面電阻< 30Ω ))的玻璃基板（厚度0.5 mm)作爲 第2電路構件。然後，與比較例7之連接方法相同地進行 電路連接材料G之假連接、正式連接，得到比較例8之電 路構件之連接構造。 (比較例9) 〇 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著，準備了與實施例3相同的具備IZO(最外層，膜厚： • 1 00nm)/Mo(膜厚：50nm)/Al(膜厚：1 50nm)之 3 層構成之 • 電路電極（表面電阻<40Ω))的玻璃基板（厚度〇·5 mm)作爲 第2電路構件。然後，與比較例7之連接方法相同地進行 電路連接材料G之假連接、正式連接’得到比較例9之電 路構件之連接構造。 (比較例10) -40- 200929266 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 著，準備了與實施例1相同的具備ITO電路電極（膜厚： 200nm’表面電阻<20Ω)的玻璃基板（厚度〇.5mtn)作爲第 2電路構件。然後，於第2電路構件上黏貼裁切成既定大 小（2.5x30mm)的電路連接材料H，以70°C、l.OMPa進行 加熱、加壓5秒鐘進行假連接。接下來，將PET薄膜剝離 之後，以1C與第2電路構件夾住薄膜狀電路連接材料Η 之方式配置1C，進行1C電路與第2電路構件之電路定位 。接下來，以石英玻璃與加壓頭夾住，以160°C、lOOMPa 、10秒之條件由1C上方進行加熱、加壓而將1C與第2電 路構件正式連接。如此一來，得到比較例1 0之電路構件 之連接構造。 (比較例1 1) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 φ 著，準備了與實施例2相同的具備ITO(最外層，膜厚： 100nm)/Mo(膜厚：50nm)/Al(膜厚：1 50nm)之 3 層構成之 ' 電路電極（表面電阻<30Ω))的玻璃基板（厚度0.5 mm)作爲 - 第2電路構件。然後，與比較例1 0之連接方法相同地進 行電路連接材料Η之假連接、正式連接，得到比較例11 之電路構件之連接構造。 (比較例1 2 ) 準備了與實施例1相同的1C作爲第1電路構件。接 -41 - 200929266 著，準備了與實施例3相同的具備IZO(最外層，膜厚： 100nm)/Mo(膜厚：50nm)/Al(膜厚：150nm)之 3 層構成之 電路電極（表面電阻<40Ω))的玻璃基板（厚度0.5mm)作爲 • 第2電路構件。然後，與比較例10之連接方法相同地進 、 行電路連接材料Η之假連接、正式連接，得到比較例1 2 . 之電路構件之連接構造。 φ [連接電阻之評估] 關於如上述之方式所得到之電路構件之連接構造，使 用將1 m Α之定電流流過電路間時之兩電極間之電位差測 出之4端子測定法，以萬用電表（ADVANTEST股份有限公 司製，商品名「數位萬用電表」）對1C之金凸塊電極與第 2電路構件之電路電極間之連接電阻値進行測定。連接電 阻値，係於初期（連接後即刻）、與在8 5 °C、8 5 % RH之恆溫 恆濕槽中保持5 0 0小時（高溫高濕處理）後，於室溫（2 3 °C ) φ 放置3 0分鐘之後進行測定。 將實施例1〜12及比較例1〜12之連接構造中之連接 * 電阻値的測定結果表示於表1。 -42- 200929266 [表i] 實施例及 比較例 電路連接材料 第2連接構件 (玻璃基板)電極構成 連接電阻値(Ω) 初期 處理後 實施例1 A (粒子No.l) ΙΤΟ電路 <1 <5 實施例2 ITO/Mo/Al 電路 <1 <5 實施例3 IZO/Mo/Al 電路 <1 5〜10 實施例4 B (粒子No.l) IT◦電路 <1 <5 實施例5 ITO/Mo/Al 電路 <1 <5 實施例6 IZO/Mo/Al 電路 <1 <5 實施例7 E (粒子No.3) ITO電路 <1 <5 實施例8 ITO/Mo/Al 電路 <1 <5 實施例9 IZO/Mo/Al 電路 <1 5〜10 實施例10 F (粒子No.3) ITO電路 <1 <5 實施例11 ITO/Mo/Al 電路 <1 <5 實施例12 IZO/Mo/Al 電路 <1 <5 比較例1 C (粒子Νο·2) ITO電路 <1 5〜10 比較例2 ITO/Mo/Al 電路 <1 <5 比較例3 IZO/Mo/Al 電路 1〜5 >20 比較例4 D (粒子Νο.2) ITO電路 <1 <5 比較例5 ITO/Mo/Al 電路 <1 <5 比較例ό IZO/Mo/Al 電路 1〜5 >20 比較例7 G (粒子Νο·4) ITO電路 <1 10 〜20 比較例8 ITO/Mo/Al 電路 1〜5 10 〜20 比較例9 IZO/Mo/Al 電路 1〜5 >20 比較例10 Η (粒子Νο·4) ITO電路 <1 5〜10 比較例11 ITO/Mo/Al 電路 <1 5〜10 比較例12 IZO/Mo/Al 電路 1〜5 >20 ※導電粒子

No.l :鍍Ni粒子(有突起)歷縮彈性模數：650kgf/mm2 Νο·2 :鍍Au/Ni粒子(有突起)歷縮彈性模數：650kgf/mm2 Να3 :鍍Ni粒子(有突起)/壓縮彈性模數：400kgf/mm2 No.4 :鍍Ni粒子(有突起)/壓縮彈性模數：90kg£Wn2 ※電路連接材料 A、 C、E、G :正式連接條件；200°C、l〇〇MPa、10 秒 B、 D、F、Η :正式連接條件；160。〇、lOOMPa、10秒 如表1所示般，將電路電極之全體或最外層爲以IT 0 -43- 200929266 或IZO構成的電路構件使用電路連接材料A、B、E、F連 接之實施例1〜12之連接構造、與將相同電路構件使用電 路連接材料C、D、G、Η連接之比較例1〜12之連接構造 * 之初期或高溫高濕處理後之連接電阻作比較的情況，比較 ·. 例1、7與實施例1、7，比較例3、9與實施例3、9，比 • 較例6、1 2與實施例6、1 2之比較之中所見到般，可得到 初期或高溫高濕處理後之連接電阻値改善的結果。 φ 由此可知，藉由對電路電極之全體或最外層爲以ΙΤΟ 或ΙΖΟ構成的電路電極，將含導電粒子（在表面具有突起 部而最外層爲Ni，同時20%壓縮時之壓縮彈性模數爲1〇〇 〜800kgf/mm2)的電路連接材料使用於連接，發現電連接 特性之提升，尤其連接信賴性之改善。進一步認爲，上述 « 之連接電阻値之改善，特別是表面與ITO比較，以平滑的 IZO構成的電路電極中效果顯著，平坦的電路電極中之電 連接特性之提升爲可能的。 〇 根據本發明之連接構造，可得到即使在高溫高濕環境 下或熱衝撃測試等亦爲安定的連接信賴性。 【圖式簡單說明】 圖1表示本發明所關連之使用電路連接材料之電路構 件連接構造一實施形態之剖面圖。 圖2表示本發明所關連之構成電路連接材料之導電粒 子各種形態之剖面圖。 -44- 200929266 【主要元件符號說明】 1:電路構件之連接構造 1 〇 :電路連接材料 * 11 :黏著劑成分（黏著劑組成物） *· 12 :導電粒子 • 14 :突起（突起部） 21 :核體 φ 2 1 a :核心部 21b :突起部 22 :金屬層 3 0 :第1電路構件 31:電路基板（第1電路基板） * 3 1 a :主面 32:電路電極（第1電路電極） 40 :第2電路構件 〇 41:電路基板（第2電路基板） 4 1 a :主面 * 42 :電路電極（第2電路電極） • Τ1:由導電粒子造成之第1電路電極之凹陷 Τ2:由導電粒子造成之第2電路電極之凹陷 Η:導電粒子之突起部之高度 5 :鄰接之突起部間之距離 -45-

Claims (1)

1. 200929266 十、申請專利範圍 1. 一種電路連接材料，其係含有黏著劑組成物與導電 粒子的電路連接材料，其特徵係前述導電粒子爲具有在核 體上具備1或2以上之金屬層所成之突起的導電粒子，至 少在前述突起之表面形成前述金屬層’該金屬層係由鎳或 鎳合金所構成，前述導電粒子之20%壓縮時的壓縮彈性模 數爲 100 〜800kgf/mm2。 2. 如申請專利範圍第1項之電路連接材料，其中該突 起之高度爲65〜500nm。 3. 如申請專利範圍第1或2項之電路連接材料，其中 鄰接之前述突起間之距離爲l〇〇〇nm以下。 4. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項之電路連接材 料，其中該黏著劑組成物含有薄膜形成材、環氧樹脂及潛 在性硬化劑。 5. —種電路構件之連接構造，其特徵係具備：形成電 路電極，使前述電路電極對向配置之2個電路構件， 夾在前述電路構件之間，進行加熱加壓，使前述電路 電極進行電連接的電路連接構件， 前述電路連接構件爲申請專利範圍第1〜4項中任一 項之電路連接材料。 6 .如申請專利範圍第5項之電路構件之連接構造，其 中該2個電路構件之至少一個爲1C晶片。 7.如申請專利範圍第5或6項之電路構件之連接構造 ’其中該2個電路構件之電路電極中之至少一個電路電極 -46- 200929266 的表面爲選自金、銀、錫、鉛族之金屬、鋁、鈦、鉬、鉻 、銦-錫氧化物及銦-鋅氧化物所成群之至少一種所構成。 8. 如申請專利範圍第5〜7項中任一項之電路構件之 連接構造，其中該2個電路構件中之至少一個電路構件的 表面爲藉由選自氮化矽、矽氧化合物及聚醯亞胺樹脂所成 群之至少一種進行了塗佈或附著處理。 9. 一種電路構件之連接方法，其特徵係在形成有電路 電極，且使前述電路電極對向配置之2個電路構件之間， 夾設有申請專利範圍第1〜4項中任一項之電路連接材料 ，並藉由進行加熱加壓，使前述電路電極進行電連接。 -47-