TW200926274A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

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200926274 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於對基板施行洗淨處理用的基板處理裝置。處理 對象的基板係包括有：例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基 .板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emissi〇n Display，場發 - 射顯不器）用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、 光罩用基板等。 〇 【先前技術】 在半導體裝置的製造步驟中，半導體晶圓（以下簡稱「晶圓」） 周緣部的污染，將會有對晶圓處理品質造成無法忽視之影響的 凊况。具體而言，在所謂的批次處理步驟中，因為複數片晶圓 將依錯直姿勢浸潰於處理液中，因而若晶圓周緣部遭污染物質 附著，該污染物質便將擴散於處理液中，將有再度附著於晶圓 表面之裝置形成區域的可能性。 ® 因而，最近對晶圓等基板周緣部洗淨的要求正高漲中。 .相關基板周轉洗淨的先行技術，例如有提案㈣著在基板 • 表面上的附著物（污染）利用藥液除去後，在使基板進行旋轉之 情況下，對該基板表面的中央部供應純水，而將基板表面上所 殘留的藥液及附著物除去時，藉由使基板周緣部抵接於圓筒狀 刷子之外周面，便形成將附著於基板周緣部上的附著物除去之 構造（例如參照日本專利特開2006_278592號公報）^ 但是，當基板表面呈現疏水性時（例如在基板表面上形成 97128068 4 200926274

Low-k膜（低介電率膜）的情況、 --的情況等)，_於：:^ 的可能性。 應純水，則裝置形域便將有產生水潰（純水之乾燥細 的可能性。此外’當在基板表面上形成銅佈線等情況時，若對 基板表面財央部供應純水，便將有_線氧化叫致遭賴 為能迴避此種問題，雖亦有考慮不要對基板表面供應純水， ❹但依此的話，利用刷子從基板周緣部所刮取的污染便殘留於周 緣部上’將殘留著該污染的基板施行乾燥，便有污染對基板發 生髒污附著的可能性。 【發明内容】 緣是，本發明目的在於提供不致對基板表面的農置形成區域 造成不良影響，且可從基板表面的周緣區域，將污染良好地除 去之基板處理裝置。 ❹ 本發_紐處雜㈣妹有：基減料元、刷子、及 周緣清洗液吐出單元；其中，該基板旋轉單元係用來使基板進 行旋轉；該刷子係對利用上述基板旋轉單元進行旋轉的基板， 至少抵接於基板表面的周緣區域；該周緣清洗液吐出單元係對 基板表面周緣區域的上述刷子所接觸到區域，朝在基板旋轉方 向下游側而隔有間隔的既定清洗液吐出位置，從較該既定清洗 液吐出位置更靠基板旋轉半徑方向的内侧，吐出清洗液。 該構造中，對利用基板旋轉單元進行旋轉的基板，藉由刷子 97128068 5 200926274 至少抵接於基板表面的周緣區域，便可刮取附著在該周緣區域 上的污染。另一方面，在基板表面的周緣區域，對刷子所接觸 到的區域，朝在基板旋轉方向下游側而隔有間隔的清洗液吐出 位置，供應來自周緣清洗液吐出單元的清洗液。藉此，利用刷 • 子所到取的污染，便可在剛刮取後，即馬上利用清洗液進行沖 洗。因而，可防止在基板表面周緣區域，殘留利用刷子所刮取 的污染而造成髒污附著的情況發生。 ❹ 再者，因為供應清洗液的清洗液吐出位置，對刷子的接觸區 域係在基板旋轉方向下游側隔有間隔而設置，因而供應給清洗 液吐出位置的清洗液便幾乎不會供應給刷子。藉此，便可抑制 利用清洗液所沖洗掉的污染附著於刷子上之狀況發生。 再者，對基板表面周緣區域上的清洗液吐出位置所供應之清 洗液，因為對該清洗液吐出位置係從基板旋轉半徑方向内側進 行供應’因而具有朝基板旋轉半徑方向外側的向量（_㈣。 ❹所以，在該供應後’對清洗液將作用由基板旋轉所產生的離心 力。因而’對基板表面周緣區域所供應的清洗液幾乎不會進入 表面中央部，以，基板表面的裝置形成區域不會有因清洗液 而造成不良影響的威脅。 其結果，將可在不會對基板表面的裝置形成區域造成不良影 響之情況下，從基板表面周緣區域將污染良好地除去。 亦可更進-步包括有用來對上述刷子供應藥液的藥液供應 單元。根據該構造，對刷子供應藥液，其内部含有藥液的刷子 97128068 6 200926274 便抵接於基板表面的周緣區域1可_具有高洗淨力的藥 液，將基板表面周_域上所附著的污染良好地除去。 上述藥液供應單元亦可對基板表面周緣區域中的上述刷子 所接觸的區域，朝基板旋轉方向上游側的既定藥液吐出位置， ‘ 魏該既定藥液吐出位置更靠基板旋轉半徑方向之内侧，吐出 '樂液。根據該項構造’在基板表面周緣區域，對刷子所接觸之 區域，朝基板旋轉方向上游侧的藥液吐出位置，供應來自藥液 ©供應單元的藥液。因而，對基板表面周緣區域所供應的藥液， 將承受由基板旋轉所產生的離心力，並提供給接觸到基板周緣 部的刷子。因而，可對刷子良好地供應藥液。 再者，從驗供應單元補祕纽置所供應㈣液，在基 板表面的周緣區域中傳遞，並供應給旋轉狀態的刷子。因而， 相較於從藥液供應單元朝刷子直接供應藥液的構造，前者將可 抑制伴隨刷子旋轉所造成的藥液濺散情況。 © 再者，縣板表面麟區域上的錄吐出位置所供應藥液， 由於對該藥液吐出位置從基板旋轉半徑方向之内側進行供 應，因而具有朝基板旋轉半徑方向外側的向量。所以，在該供 應後’將對藥液作用由基板旋轉所產生的離心力。因而，對基 板表面周緣區域所供應的藥液便幾乎不會進入表面t央部。所 以，在對基板表面的裝置形成區域不致因藥液而造成不良影響 之情況下，對刷子供應藥液。 上述基板旋轉單元亦可係將基板保持呈其表面朝上方且幾 97128068 ， 200926274 乎呈水平姿勢的狀態，並且圍繞鉛直軸線進行旋轉β此情況， 上述藥液供應單元亦可對由上述基板旋轉單元進行旋轉的基 板彦面供應藥液。根據該構造，對基板背面所供應的藥液，將 承受由基板旋轉所產生的離心力，並在基板背面上傳遞且朝該 * 周緣區域流動。然後，到達基板背面周緣區域的藥液將供應給 - 接觸到基板周緣部的刷子。因而，可在不致對基板表面的裝置 區域供應藥液之情況下，對刷子進行藥液供應。 ❹ 再者，亦可更進一步包括有：用來抽吸上述刷子内部中所含 有的藥液的藥液抽吸單元。根據該項構造，因為將對刷子供應 來自藥液供應單元的藥液，且將刷子内部所含有的藥液利用藥 液抽吸單元騎抽吸，目_子内部便含有必要充分量的藥 液。所以’對基板表面周緣區域中刷子所接觸到的區域，便可 形成具有適當潤濕寬度的藥液液膜。 其絲’可在基減面的裝置形祕域不朗藥液造成不良 ❹衫響’ ^良好地將基板表_周緣區域施行洗淨。 #可更進纟包含有.對基板表面周緣區域中的上述刷子所 接觸到的區域’朝基板旋轉方向下游侧而隔有間隔的既定藥液 吐出位置’從較該既定藥液吐出位置更靠基板旋轉半徑方向之 内側’用來吐出藥液的下游侧周緣藥液吐出單元。根據該項構 造1基板表面的周緣區域，對刷子所接觸到的區域 ，朝在基 板旋轉方向下游侧隔有間隔的藥液吐出位置，供應來自下義 周緣藥液吐出單元的藥液。藉此，便可將利用刷子所刮取的污 ^7128068 8 200926274 染在剛完成刮取後即馬上利用藥液進行沖洗。所以，將可防止 在基板表面的周緣區域殘留由刷子所刮取的污染’而導賴污 附著的狀況發生。 再者，由於供縣㈣藥液㈣位置，係㈣基板表面周緣 .區域與刷子間的接觸區域，在基板旋轉方向下游側而隔有間 .隔，因而可防止朝藥液吐出位置所供應的藥液，經由基板而直 接接賴刷子的狀況發生。藉此，便可防止經藥液所沖洗掉的 〇 污染附著於刷子上的狀況發生。 再者，對基板表面周緣區域上的藥液吐出位置所供應之藥 液，由於對該藥液吐出位置從基板旋轉半徑方向之内侧進行供 應，因而具有朝基板旋轉半徑方向外侧的向量。所以，在該供 應後，將對藥液作用由基板旋轉所產生的離心力。因而，對基 板表面周緣_所供應的藥㈣乎不會進人表財央部。所 以，基板表面的裝置形成區域將不會有因藥液而造成不良影響 ❹ 的威脅。 m可在不輯基板表面裝置形成區域造成不良影響的 情況下，從基板表面周緣區域良好地將污染除去。 再者最好更包括有.對由上述周緣清洗液吐出單元朝基板 表2周緣區域所供應的清洗液，在較上述既定清洗液吐出位置 更靠基板旋轉方向下游側而隔有間隔的位置處，從基板旋轉半 徑方向之内側’用來吹出非活性氣體的氣體喷出單元。根據該 構造，對基板表面周緣區域所供應的清洗液，從基板旋轉半徑 97128068 9 200926274 方向之内侧，吹出非活性氣體。因而，可將經污染洗淨後的清 洗液排出於基板外。藉此，便可從基板表面的周緣區域迅速地 將/亏染除去’俾可防止經乾燥後對基板表面發生污染髒污附著 的情況。 . n U氣體喷出單元時，即使將從周緣清洗液吐出單 • 70所吐出的清洗液設為少量’仍可從基板表面的周緣區域良好 地將污染除去。此時，由於減少對基板表面周緣區域所供應的 ❿清洗液量，因而可防止從基板周緣區域所賤散的清洗液反彈至 基板表面的狀況發生。 上述刷子亦可使用可彈性變形的材料而形成，且具備有朝垂 直於利用上述基板旋轉單元進行旋轉的基板表面之垂直線方 向其中-侧變狹窄形狀的第！洗淨面。由於此種形狀的第m 淨面係對該垂直線方向呈傾斜，因而可跨越並抵接於基板表面 的周緣區域及周端面。藉此，可將基板表面之周緣區域及周端 ❹ 面同時洗淨。 再者，上述刷子亦可更具財^上述第丨洗淨面的上述其 中一側端緣，朝上述垂直線方向的上述其中一側變擴大形狀的 第2洗淨面。此種第2洗淨面將可跨越並抵接於基板背面的周 緣區域及周端面。藉此，可將基板背面的周緣區域及周端面同 時洗淨。所以，利用第1洗淨面可同時將基板表面的周緣區域 及周端面施行洗淨’且，利用第2洗淨面可同時將基板背面的 周緣區域及周端面施行洗淨^其結果，可將包括基板雙面之周 97128068 10 200926274 緣區域及周端面在内的周緣部全域良好地施行洗淨。 再者，上述藥液係可為氨_過氧化氫水混合液。 本發明的前述或其他目的、特徵及效果，參照所附圖式經下 述實施形態的說明便可清楚明瞭。 【實施方式】 圖1所示係本發明一實施形態（第i實施形態）中 裝置1的構造示意側視圖。 ❹ ❹ 基板處理裝置1所示係將作為基板—實例的晶圓w，以每次 片施行處理的單片型裝置。該基板處理裝置i係具備有：旋 轉夾具3、一對背面SC1喷嘴5、一對背面丽喷嘴6、刷子 機構7、第1表面SC1喷嘴8、第i表面麵喷嘴9、及N2氣 體喷嘴10。該方疋轉炎具3係將晶圓w依表面（有形成裝置之一 侧的面）朝上絲持大致呈水平㈣，並使其進行㈣。該等 一對背面奶喷嘴咖丨中僅圖示其中之一者）係對由旋轉夹 具3所保持的晶圓W背面（表面背後侧之一面），供應作為藥液 的SCK氨·過氧化氫水）。該等―對背面DIW喷嘴6(圖i中僅 ==之-者）係對晶_面供應作為清洗液的謂(經脫 =水。該刷子機構7係為將晶圓W的周緣部施行洗卜 第1表面SC1喷嘴δ係對晶圓W表面的周緣區域(未形成裝 置的區_供應SC1。該第！表面緣匚域（未^ 面的周緣區域4G供應DIW。該N2氣體 靖晶圓 的周緣區域4刚作為非活性氣體的N_係對顯表面 97128068 11 200926274 另外，所謂「晶圓w周緣部」係指包括··晶圓w表面的周緣 區域40、晶圓W背面的周緣區域41及周端面42在内的部分。 此外’所謂「職區域40'41」係指例如距晶圓丨周端緣寬 度1〜4mm的環狀區域。 . 旋轉夾具3係真空吸附式夾具，具備有：旋轉軸U、吸附 •座12、及旋轉馬達13。該旋轉轴11係、大致朝錯直方向延伸。 該吸附座12係安裝於該旋轉轴11上端，並將晶圓w依大致水 ❹平姿勢吸附其背面並储。該旋轉馬達13係具有結合於虚旋 轉軸η同軸的旋轉軸。在晶圓w背面被吸附保持於吸附座12 上的狀態下，若驅動旋轉馬達13，晶圓w便圍繞旋轉轴u的 中心軸線進行旋轉。 對各背面SCI喷嘴5經由背面sr 吗6C1閥14供應來自SC1供應 源的SCI。 對各背面則喷嘴6經由背面_閥15供應來自則供應 Φ 源的DIW。 對第1表面SCI喷嘴8經由第1矣

_ 丨表面SC1閥16供應來自SCI 供應源的SCI。 對第1表面⑽喷嘴9經由第1表面_π供應來自DIW 供應源的DIW ° 對N2氣體喷嘴1〇經由N2氣體龆1β糾你Α 1 題問18供應來自沁氣體供應源 的N2氣體。 刷子機構7係具備有：搖擺機械臂19、機械臂支撐轴2〇及 97128068 12 200926274 :子2卜該搖擺機械臂19係在較由旋轉夾具3對晶圓w的保 持位置更靠上方且朝略水平延伸。該機械臂域軸2()係支撑 搖擺機械臂19。制子21係由搖擺機械们9的前端所保持， 且將晶圓W周緣部施行洗淨。 機械臂支擇轴20係朝錯直方向延伸設置。該機械臂支撐轴 20的上端韻結合於搖擺機械臂μ —端部（基端部）的下面。 ❹ 對機械臂域轴20輸人搖擺驅動機構23的驅動力。將搖擺驅 動機構23的鶴力輸人於機械臂讀軸2()巾，藉由使機械臂 支揮軸2G進行往復旋轉，便可使搖擺機械臂a以機械臂支撐 轴20為支點進行搖擺^此外，機械臂支撲轴別結合於升降驅 動機構24。利用升降驅動機構24使機械臂支撲轴20進行上 下移動’便可使搖擺機械臂19與該機械臂支撐軸2〇 一體的進 行上下移動。 在搖擺機械臂19的前端部可旋轉地保持著刷子旋轉軸25。 ©在刷子旋轉軸25上，於搖擺機械臂19之内部，結合有使刷子 方疋轉軸25進行旋轉用的刷子自轉機構26。另一方面，在刷子 旋轉軸25的下端部蚊敎架安裝部27。在支終裝部2? 上經由刷子支架28安裝有刷子21。 圖2所示係刷子21的構造側視圖。 刷子21係由例如PVA(聚乙烯醇）等海綿材質構成。該刷子 21係上下一體地具備有第1洗淨部3〇及第2洗淨部31 ^該第 1洗淨部30係用來對晶圓W表面的周緣區域4〇及周端面42 97128068 13 200926274 施行洗淨1第2洗淨部31_來對晶㈣背面 41及周端面42施行洗涤#们：。 螂 轉對稱之略沙漏軸。軒21形朗祕直轴線的旋

第1洗淨4 30係其上部3〇a形成略圓筒狀，而下部鳥形 成朝下方變狹窄的略圓錐梯形狀。第丨洗淨部別的下部別^ 側面係上端緣將連續於上部侧㈣下魏，且具有相對龙 中心軸線呈勤45。傾斜肢，並_靠下方_靠近中心轴 線的方式傾斜。該第！洗淨部3G中，下部施的側面成為抵 接於晶圓w表面之周緣區域4〇及周端面42的第i洗淨轉 第2洗淨部31係一體地結合於第1洗淨部30下端’並配置 成與第1洗淨部3G財中心轴態。該第2洗淨部31係形 成上部.朝下方擴大的略圓錐梯形狀，而下部31b呈略圓筒 狀。第2洗淨部31的上部31a侧面係上端緣連續於第i洗淨 部3〇的下部識側面下端緣，且具有對其中心轴線呈45。傾斜 角度’並依越#下相越麟巾々減方式傾斜。此外，上部 31a侧面的下端緣將連續於下部训侧面的上端緣。該第2洗 淨部31 + ’上部31a的侧面成為抵接於晶圓w背面之周緣區 域41及周端面42的第2洗淨面33。 圖3所示係旋轉夾具3所保持晶圓的俯視圖。 一對背面SCI喷嘴5係依俯視在以旋轉軸u中心軸線為中 心的圓周上，配置成以該中心軸線為中心呈對稱狀態。各背面 SCI喷嘴5係將其也出口在靠近晶圓w背面的位置處配置成朝 97128068 14 200926274 鉛直方向上方的狀態。 一對背面DIW喷嘴6係依俯視在與背面SC1喷嘴5相同的圓 周上，形成以其中心轴線為中心並呈相互對稱狀態，並且配置 於偏離背面SCI噴嘴5的位置90。之位置處。各背面DIW喷嘴 6係將其_口在#近晶位置處，㈣成朝鉛直方 向上方的狀態。 第1表面SCI喷嘴8係在旋轉夾具3的上方，將其吐出口朝 向晶圓w表面周、緣區域40上的SC1到達位置p2，且配置成較 SCI到達位置P2更靠晶圓w旋轉半徑方向之内側。藉此，從 第1表面SC1喷嘴8的吐出口所吐出之奶，在俯視便沿晶圓 w的旋轉半徑方向，從其内_向外側。⑽到達位置係相 對於刷子21所抵接的晶圓w周緣部之刷子接觸位置pi，設定 於在晶，旋轉方向（箭頭35所示方向）下游側隔有間隔ΰ的 位置處。該間隔L1係可例示如晶„直徑的1/1〇左右之尺寸。 第1表面請噴嘴9係在旋轉夾具3上方，將其吐出口朝向 晶圓w表面周緣區域40的_到達位置p3，且配置於較雨 到達位置P3更靠晶圓W旋轉半徑方向的内侧。藉此，從第夏 噴嘴9吐出的卿，在俯射將沿晶圓W旋轉半徑方 ^ 置㈣相對於幻到達位置 隔Γ係t曰曰圓w旋轉方向下游側隔有間隔L2的位置處。該 a係、可例示如晶圓W直徑的1/1〇左右之尺寸。 N2氣體嘴嘴10係在旋轉夾具3上方，將其吐出口朝向晶圓f 97128068 200926274 ==Γ氣體噴出位置P4，且配置於較队_ + 日日w旋轉半控方向的内側。藉此，從队氣體 喷嘴10吹出的沁氣體，+ 、 體在俯財將UW旋轉半徑方 内侧朝向外純氣體喷出位置P4係相對於D_達位置P3, .4於日日® W&轉方向下游侧隔有間隔以的位置處。該間隔 L3係可例示如晶圓W直徑的1/1〇左右之尺寸。 圖4所示係基板處理裝置的電氣構造說明方塊圖。 ❹ 基板處理裝置1係具備有包含微電腦構造的控制部5〇。 該控制部50連接於控制對象的旋轉馬達13、背面奶閥 14、背面DIW閥15、第1表面SC1閥16、第i表面⑽閥17、 N2氣體閥18、搖擺驅動機構23、升降驅動機構24及刷子自轉 機構26。 圖5所示係就基板處理裝置1說明晶圓w處理的步驟圖。以 下，就在其表面中央部（裝置形成區域）形成有L〇w—k膜（疏水 〇 性膜）的晶圓w施行洗淨之情況為例而進行說明。 經搬入基板處理裝置1内的晶圓w，係其表面朝上方並保持 在旋轉夾具3。 當晶圓W由旋轉夾具3保持時，便利用控制部5〇控制旋轉 馬達13，並開始利用旋轉夾具3而進行晶圓w的旋轉（步驟 S1)。晶圓W係朝箭頭35所示方向，依例如1〇〇rpm旋轉速度 進行旋轉。 接著，利用控制部50將背面SCI閥14開啟，便開始從一對 97128068 16 200926274 背面犯嘴嘴5朝晶圓W背面進行SC1 對背面SC1喷嘴5所吐出的SC1 從 曰m 量係例如20mL/min。對 日日圓w责面所供應的SC1將承 .又由日日回W旋轉所產生的離心 力，並在晶圓W背面傳遞且朝其周緣區域μ流動。 ㈣’ __P5W1表面_16開啟並從約 表面⑽喷嘴8朝晶圓W表面周緣區域4{)的⑽到達位置 ❹ 吐出SCI (步驟S2)。對晶圓w表面周緣區域仙所供應的⑽， ，具有在俯視中沿㈣W旋轉半徑方向從其内側朝外侧的向 置。從第1表竭喷嘴8所吐出的SC1流量係例如佩/min。 依此之所以將sa流量設為較少量的理由，係在於防止從晶圓 w表面所濺散的SC1接觸到在旋轉夾具3周圍所配置的構件（例 如依包圍旋轉夾具3狀態而收容的未圖示處理杯）並反彈，而 發生晶圓W表面的中央部有SC1附著的狀況。 再者’利用控制部50將N2氣體閥18開啟，從仏氣體噴嘴 1〇朝明圓W表面周緣區域4Q的N2氣體喷出位置p4吹出仏氣 體（步驟S2)。從队氣體喷嘴1〇所吹出的仏氣體流量係例如 5L/min ° 再者’利肋制部50對刷子自轉機構26進行控制，刷子 21係例如依l〇〇~2〇〇rpm之旋轉速度，朝與晶圓w旋轉方向的 才同方向進行旋轉。然、後’利用控制部5G對搖擺驅動機構23 及升降驅動機構24進行鋪，刷子21的第2洗淨面33將抵 接於晶圓W背面的周緣區域41及周端面42(步驟％)。具體而 97128068 17 200926274 δ，首先，對升降驅動機構24進行控制，使刷子2丨移動至預 設高度位置處，刷子21的第2洗淨面33便與晶圓讯的周端面 42呈相對向。接著’對搖擺驅動機構23進行控制，使搖擺機 械臂19進行迴轉，藉由使刷子21朝水平移動，晶圓w便咬入 .於刷子21的第2洗淨面33中，刷子21的第2洗淨面33將押 . 抵著晶圓W背面的周緣區域41及周端面42。在此狀態下，在 刷子21將供應到達晶圓w背面周緣區域41的％卜然後，利 ❹用被供應SCI的刷子21，將晶圓W背面的周緣區域41及周端 面42施行洗淨。 在刷子21的第2洗淨面33抵接到晶圓w之後，於經過既定 時間，便利用控制部50對升降驅動機構24進行控制，使刷子 21下降至既定高度（步驟S4)。藉此，刷子21的第2洗淨面 33便離開晶圓w，而晶圓w的周緣部抵接在第1洗淨面32上。 然後，在晶圓W便咬入於第1洗淨面32中（步驟S5 :刷子的 ❾第1洗淨面抵接）’第1洗淨面32將押抵著晶圓W表面的周緣 區域4 0及周端面4 2。在此狀態下，持續對晶圓w背面進行sc i 供應，對刷子21供應在晶圓W背面上傳遞並到達周端面42的 sci °藉此，便利用經供應SC1的刷子21，將晶圓^表面的周 緣區域40及周端面42施行洗淨。 對位於較刷子接觸位置P1更靠晶圓W旋轉方向下游侧的SC1 到達位置P2，供應來自第1表面SCI喷嘴8的SCI。利用刷子 21從晶圓w上所剝除的污染，將利用來自第1表面sci嘴嘴8 97128068 18 200926274 的SCI進仃沖洗。由於對較刷子接觸位置更靠旋轉方向下 游侧進行SCI供應’因而在從表面周緣區域4G剝落之後，便 可亳無停留地利用SCI將污染沖洗掉。 —對晶圓W表面的周緣區域4G所供應的SC1，承受由晶圓w 旋轉所產生的離心力，並朝晶圓w旋轉半徑方向的外邊流動。 .㈣SCI到達位置P2係相對刷子接觸位置pl位於隔有間隔 L1的位聽，因而經洗淨_⑽將不會經由晶圓w而直接 φ 接觸到刷子21。 再者’對晶圓W表面周緣區域4〇所供應的奶，從晶圓^ 旋轉半徑方向的内侧，將來自N2氣體喷嘴1〇的N2氣體吹出。 藉此’⑽便被朝旋轉半徑方向外側推擠，便不會停止於晶圓 W表面的周緣區域4〇上’而是從周緣區域4〇上迅速地被除去。 在刷子21的第1洗淨面犯抵接於晶圓W之後，於經過既定 時間，便利用控辦50對搖擺驅動親23及升降驅動機構 24進行控制，刷子21將_至處理開始前的起始位置（步驟 S6)。此外，在刷子21返回起始位置的期間，將對刷子自轉機 構26進行㈣，俾储子21騎轉停止。此外，彻控制部 50將背面SC1閥14及第1表面sa㈣關閉，並停止來自 背面SC1喷嘴5及第1表面SCI喷嘴8的SC1供應（步驟S7)。 然後，利用控制部50將背面謂閥15開啟，便對晶圓贤背 面的中央部供應順步驟S8)。藉此，便將在晶圓^面上所 附著的SCI沖洗掉。此外，利用控制部5〇將第j表面爾閥 97128068 19 200926274 你表面的周緣區域40所附著的SC1 17開啟。藉此，便將在晶圓 沖洗掉。 此時’持續從沁氣體噴喈n ^

叉嘴10朝晶圓讲表面的周緣區域40 進仃沁氣體供應。藉此，便 匕域4lJ 況發生。 方止歸折回至表面中央部的情 時Γ=:Γ15及第1表面Diw閥17開啟後，於經過既定 ^，利用控制㈣將背面⑽㈣及^表 «’便停止來自背面DIW噴嘴6的則供應、以及來二 =嘴嘴9的則供應(步謂。此外，利用控制部5。 ⑽218關’轉增N2輯嘴1G的N2氣體供 應（步驟S9)。 古:傻，利用控制部50對旋轉馬達13進行控制，晶圓^依 同速（例如300〇rpm)進行旋轉，便將晶圓w上所附著的雨甩 乾’俾使晶圓W乾燥。在晶圓w之高速旋轉持續經既定時間後， ❹便停止利用旋轉夾具3所進行的晶圓w旋轉。然後，待晶圓# ,靜止後，便將該已完成處理的晶圓W從基板處理裝置i中搬出。 如上述，根據該實施形態，藉由刷子21抵接於利用旋轉失 具3進打旋轉的晶圓w表面周雜域4() ’便可到取在該周緣 區域40上所附著的污染。另一方面，對在晶圓*表面的周緣 區域40，相對刷子接觸位置ρι在晶圓w旋轉方向下游側隔有 間隔L1的SC1到達位置p2，供應來自第】表面父丨噴嘴8的 SC1。藉此’經利用刷子21所刮取的污染，便可在其剛刮取後， 97128068 20 200926274 利用sn進行沖洗掉。因而，可防止在晶圓w表面的周 緣區域殘留著由刷子21所麻掉的污染， 的情況發生。 汗㈣者 再者，由於SCI到達位置？2相對刷子接觸位置p卜在晶圓 ,W旋轉方向下游側隔有間隔L1，因而可防止對SC1到達位置 斤供應的SC1 ’經由晶圓W而直接接觸到刷子21。藉此， 便可防止經SC1所沖洗掉的污染附著於刷子21上。 ❹再者對曰曰圓W表面周緣區域40上的SCI到達位置P2所供 應的sa，由於對該SC1到達位置p2，從晶圓w旋轉半捏方向 之内侧進行供應’因而具有朝晶圓w旋轉半徑方向外側的向 量。然後，在該供應後，便將對SCH乍用由晶圓w旋轉所產生 的離力目❿對晶圓w表面周緣區域所供應的⑽便 4乎不會進入晶圓W表面的中央部。所以，晶圓w表面的裝置 形成區域將不會有因SC1而造成不良影響的威脅。 ❿縣，便可林鱗㈣丨表_裝置形祕域造成不良影 響之情況下，從晶圓W表面的周緣區域4〇良好地將污染除去。 ® 6所示係本發明另—實麵態（第2實細彡態）巾，基板處 理裝置51的構造示意侧視圖。該第2實施形態中，減前述 圖卜圖5的實施形態（第！實施形態）所示各部位相對應的部 分’便賦予與圖卜圖5情況相同的元件符號，除必要特別說 明之情況外’均省略該部份的說明。 第1實施形態中’針對為能對刷子21進行SCI供應，而就 97128068 200926274 構成朝晶圓W背面供應來自背面sci喷嘴5的^ 說明，但在第2實施形態中，使用對晶圓w表面周緣區: 所供應的SCI，而將SCI供應給刷子21。然後，該第2實施， 態中’省略背面SCI喷嘴5及背面diw喷嘴6。 少 — 基板處理裝置51係具備有：第2表面SC1嘴嘴52、及 •表面则喷嘴57。該第2表面SC1喷嘴52係用來對晶圓 面的周緣區域40供應SCI。該第2表面w嘴嘴57係 ❹ 晶圓W表面的周緣區域40供應diw。 ” ^ 對第2表面SC1喷嘴52經由第2表面SC以53,供應來自 未圖示SCI供應源的SCI。 · 對第2表面DIW喷嘴57蛵由篦9矣& 工由第2表面晴閥58,供應來自 未圖示DIW供應源的DIW。 再者’基板處理裝置51係具備有將刷子21内部所含犯進

G 行抽吸用的抽吸噴嘴54。抽吸喷嘴54連接於抽吸管Μ 一端。 抽吸管55另-端連接於將抽吸管55内部進行真空抽吸用的抽 吸裝置（未圖示）。在抽吸管55的中途部，將介設有用於切換 抽吸喷嘴54的抽吸/抽吸停止的抽吸閥％。該抽吸喷嘴μ係 =用刷子支架28上所卡接的保持夾具（未圖示），構成可與刷 子21 —體地進行升降的構造。 圖7所示係由圖6所示旋轉夾具3所保持的晶圓俯視圖。 第2表面SC1喷嘴52係在旋轉夾具3上方將其吐出口朝 向晶圓W表面周緣區域4 〇上的沉1到達位置p 5，並配置於較 97128068 22 200926274 SCI到達位置P5更靠晶圓w旋轉半徑方向的内側。藉此，從 第2表面SC1喷嘴52吐出口所吐出的们，在俯視中便沿晶 圓w的旋轉半徑方向從其内侧朝向外侧。奶到達位置π係 子刷子21所抵接的晶圓w周緣部之刷子接觸位i pi，設置 .於晶圓讲旋轉方向（箭頭35所示方向）上游側隔有間隔 L4的位 •置處。該間隔L 4係可例示如晶圓W直徑的！ / 3 〇左右之尺寸。 第2表面耐喷嘴57係在旋轉夾具3上方，將其吐出口朝 ❹向晶圓w表面周緣區域40的雨到達位置p6，且配置於較爾 達4置P6更罪晶圓w旋轉半徑方向的内側。藉此，從第2 表面DIW噴嘴57所α土出的雨，在俯視中將沿晶圓w旋轉半 徑方向從其内侧朝向外侧。則到達位置ρ6係相對刷子Μ所 抵接私m w躲部之刷子接觸位置ρ卜設定於_ w旋轉 方向下游侧隔有間隔位置處。該_L5係可例示如晶圓 W直棱的1/10左右之尺寸。 © 再者，第2實施形態中，來自⑷氣體喷嘴1Q的吹出仏氣體 的^氣體喷出位置P4，係相對麵到達位置p6，設定於晶圓 旋轉方向下游侧隔有間隔L6的位置處。該間隔l6係可例示 如晶圓W直徑的1/10左右之尺寸。 抽吸噴嘴54係配置成其前端隔開刷子21周面（圖6及圖7 中’例如第2洗淨面33)微小間隔（例如3mm)。因而，在刷子 21中含有sci的狀態下，將抽吸閥56開啟，當抽吸管仍的 内。p利用抽吸裝置（未圖示）進行抽吸時，則刷子21内部所含 97128068 23 200926274 的SCI便將被抽吸喷嘴54所抽吸。所以，可在不妨礙刷子 旋轉之情況下’將刷子21内部所含的SC1利用抽吸喷嘴％進 行抽吸。 圖8所示係基板處理裝置51的電氣構造說明方塊圖。 控制部5〇將連接於控制對象的旋轉馬達、第2表面奶 閥53、第2表面DIW閥58、仏氣體閥18、抽吸閥56、搖擺驅 動機構23、升降驅動機構24及刷子自轉機構26。 ❹ 目9所示係就基板處理1置51說明晶圓處理的步驟圖。如 同第1實施形態’就在其表面中央部（裝置形成區域)形成有

Low-k膜（疏水性膜）的晶gj w施行洗淨之情況為例而進行說 明。 經搬入基板處理裝置51㈣晶圓w，健表面朝上方並保 持在旋轉夾具3。 當晶圓W由旋轉夾具3保持時，利用控制部5〇控制旋轉馬 ©達13，並開始利用旋轉夾具3而進行晶圓w的旋轉（步驟 S11)。晶圓W將依例如I00rpm旋轉速度進行旋轉。 接著，利用控制部50將第2表面SC1閥53開啟（步驟si2)。 藉此，從第2表面SCI喷嘴52朝晶圓W表面周緣區域4〇的 sci到達位置P5吐出SC1 (步驟S12)。從第2表面⑽喷嘴犯 所吐出的SCI流量係例如2〇mL/min。對晶圓w表面周緣區域 4〇所供應的SC1 ’具有在俯視中沿晶圓w旋轉半徑方向從内側 朝外侧的向量。 97128068 24 200926274 再者’利用控制部50將抽吸閥56開啟（步驟S12)。 再者，利用控制部50將N2氣體閥18開啟，從N2氣體噴嘴 10朝晶圓W表面周緣區域4〇的沁氣體喷出位置P4吹出吣氣 體（步驟S12)。從沁氣體噴嘴1〇所吹出的N2氣流量係例如 5L/min ° 再者，利用控制部50對刷子自轉機構26進行控制，刷子 21係例如依1〇〇〜20〇rpm旋轉速度，朝與晶圓W旋轉方向的相 Ο 同方向進行旋轉。然後，利用控制部50對搖擺驅動機構23及 升降驅動機構24進行控制，刷子21的第2洗淨面33將抵接 於晶圓w背面的周緣區域41及周端面42(步驟S13)，便將晶 圓W背面的周緣區域41及周端面42施行洗淨。步驟幻3的處 理係如同圖5中步驟S3的相同處理。 在刷子21的第2洗淨面33抵接到晶圓w後，於經過既定時 間，便利用控制部50對升降驅動機構24進行控制，使刷子 ❿21下降至既定高度（步驟S14)。藉此，刷子21的第2洗淨面 33便離開晶ϋ w，而晶m W的周緣部抵接於第丨洗淨面32上。 然後，晶圓？便咬入於1洗淨面32中（步驟S15 :刷子的第！ 洗淨面抵接）’第1洗淨面32將押抵著晶圓W表面的周緣區域 40及周端面42在此狀態下，將持續來自第2表面幻喷嘴 52的SC1供應。已到達晶圓w表面周緣區域4〇的幻到達位 置P5處之SG，將承受由晶圓？旋轉所產生的離心力，便在 表面周緣區域40上朝向晶圓W旋轉半徑方向的外邊進行移 97128068 25 200926274 動，並賦予接觸到晶圓w周緣部的刷子2i。藉此，利用經供 應sa的刷子21將晶圓#表面的周緣區域4〇及周端面❹施 仃洗淨所以，日日圓#表面的周緣區域仙及周端面仏上所附 著的污染便將被剝落。 _ s者’在此狀態下，利用抽吸喷嘴54進行的sci抽吸將持 -續進行。即，對刷子21供應來自第2表面SC1喷嘴52的SC1， 另方面’利用抽吸喷嘴54抽吸刷子21内部所含的sn。 ❹ 自於利用抽吸喷嘴54對刷子21内部中所含的SCI進行抽 吸，同時對刷子21供應sa ’因而刷子21中所含的SC1將依 必要充分的適當量而進行保存。所以，在刷子21所抵接的晶 圓W周緣部之刷子翻位置p卜將可形錢當職寬度(例如 2咖〇的SCI液膜。 再者，對晶圓W表面周緣區域4〇所供應的SC1，將從晶圓w 旋轉半徑方向的内侧，吹出來自沁氣體喷嘴1〇的沁氣體。藉 ❹此，sci便被朝旋轉半徑方向外側推擠，不會停止於晶圓评表 面的周緣區域40上，而從周緣區域40上迅速地被除去。 在刷子21的第1洗淨面32抵接於晶圓W之後，於經過既定 時間’便利用控制部50將第2表面SCI閥53關閉，而停止來 自第2表面SCI喷嘴52的SCI供應（步驟S16)。此外，在利 用控制部50維持抽吸閥56呈開啟的狀態下，將持續進行從抽 吸嘴嘴54的SCI抽吸（步驟S16)。另外，利用控制部50將n2 氣體閥18關閉’而停止來自沁氣體喷嘴10的队氣體供應（步 97128068 26 200926274 驟 S16)。 然後，利用控制部50將第2表面DIW閥58開啟（步驟sn)。 藉此’從第2表面DIW嘴嘴57朝晶圓W表面周緣區域4〇的 削到達位置P6吐出爾。從第2表面則噴嘴57所吐出的 ^ DiW流量係例如10mL/min。對晶圓W表面周緣區域4〇所供應 •的爾’具有在俯視中沿晶圓W旋轉半徑方向從内側朝向外侧 的向量。此外’對晶圓w表面周緣區域40所供應的則將 ❹作用由晶圓W旋轉所產生的離心力。因而，朝到達位置砰所 吐出的DIW幾乎不會被於晶gj w的外邊。然而，部份的 DIW將殘留於晶圓w表面的周緣區域4〇。 再者，利用控制部50對升降驅動機構24進行控制，使刷子 21上升至既定高度（步驟S18)。藉此，刷子21的第】洗淨面 32離開晶圓W，而晶圓W周緣部抵接於第2洗淨面犯上。然 後，晶圓W咬入於第2洗淨面33中（步驟S19 :刷子的第2洗 ©淨面抵接），第2洗淨面33將押抵著晶圓w背面的周緣區域 41及周端面42。在此狀態下，隨晶圓w的旋轉，在晶圓％表 面周緣區域40上所殘留的DIW將供應給刷子2卜利用經供應 DIW的刷子21，將晶圓w背面的周緣區域41及周端面42施行 洗淨，在晶圓W背面的周緣區域41上所附著的SC1便將被沖 洗掉。 在刷子21的第2洗淨面33抵接到晶圓w之後，於經過既定 時間’便利用控制部5〇對升降驅動機構24進行控制，使刷子 97128068 27 200926274 21下降至既定高度（步驟S20)。藉此，刷子21的第2洗淨面 33便將離開晶圓w，而晶圓W的周緣部將抵接於第1洗淨面 32上。然後’晶圓w便咬入於第1洗淨面32中（步驟S21 :刷 子的第1洗淨面抵接）’第1洗淨面32將押抵於晶圓w表面的 -周緣區域40及周端面42。在此狀態下，將持續進行來自第2 表面DIW喷嘴57的DIW供應。因而，隨晶圓w的旋轉，在晶 圓W表面的周緣區域40上所殘留的DIW便供應給刷子21。利 0 用經供應DIW的刷子21，晶圓W表面的周緣區域4〇及周端面 42將被洗淨，在晶圓w表面的周緣區域40上所附著SC1便被 沖洗掉。 對較刷子接觸位置P1位於更靠晶圓w旋轉方向下游侧的DIW 到達位置P6，供應來自第2表面DIW噴嘴57的DIW。利用刷 子21而從晶圓W上剝落的污染，將利用來自第2表面mw噴 嘴57的DIW而被沖洗掉。由於對較刷子接觸位置ρι更靠旋轉 〇 方向下游侧供應DIW，因而從表面周緣區域4〇剝落的污染將 可利用DIW沖洗掉。 在刷子21的第1洗淨面32抵接於晶圓W之後，於經過既定 時間，便利用控制部50對搖擺驅動機構23及升降驅動機構 24進行控制，刷子21將退縮至處理開始前的起始位置，同時 利用控制部50將抽吸閥56關閉，便停止來自抽吸噴嘴54的 抽吸（步驟S22)。此外，在刷子21返回起始位置的期間，刷 子自轉機構26將被控制，而停止刷子21的旋轉。此外，利用 97128068 28 200926274 控制部50將第2表面DIW閥58關閉，停止來自第2表面DIW 喷嘴57的DIW供應（步驟S23)。 然後，利用控制部50對旋轉馬達13進行控制，晶圓w便依 高速（例如300〇rpffl)進行旋轉，而將晶圓w上所附著的MW甩 -乾:俾使晶圓W乾燥。待晶圓W進行之高速旋轉持續經既定時 .間後’停止利用旋轉失具3進行的晶圓W旋轉。然後，待晶圓 呈靜止後’將該已完成處理的晶目W從基板處理裝置μ中 ❹ 搬出。 依如上述，藉由使經供應SC1的射21抵接於利用旋轉夾 具3進行旋轉的 W表面周緣區域4{)，便可將該周緣區域 上所附著的污染進行刮取。另一方面，在晶圓w表面的周 =〇’對刷子接觸位置打在晶圓ff旋轉方向下 間的DIW到達位1P6，供應來自第2表面帅喷嘴 的DIW。藉此，利用刷子21所去丨 一 =田掉。因而’將可防止在晶圓W表面的周緣區域40殘留 :子21所刮取掉的污染’而導致髒污附著的狀況發生。 再者，由於DIW到達位置P6係對刷子 旋轉方向下亀有魏5，_^ 請將物會録謝_接_子21。^應 =抑制經利㈣犧_㈣著W2i上的料 再者’對晶圓W 97128068 表面周緣區域40上的_到達位置P6所供 29 200926274 應的DIW，由於將對該DIW到達位置 晶圓f旋轉半徑方 向的内側進行供應，因而將具有朝晶圓w ^ ^ 轉半徑方向外侧的 向置。然後，在該供應後，將對DIW作用山 由晶圓W旋轉所產生 的離心力。因而，對晶圓w表面周緣區奸 碑40所供應的DIW， 4乎不會進入晶圓W表面中央部，所以對曰π 于日曰圓w表面的裝置形 成區域將不會有因DIW而造成不良影響的咸脅 其結果’可在不致對晶圓W表面的裴署 ❹ „ 罝形成區域造成不良影 響之情況下，從晶圓w表面的周緣區域4 0將亏染，好地除去 再者，在利用旋轉夾具3進行旋轉的 ^ 〃 Μ如4 4 日日圓w表面周緣區域 40’朝相對刷子接觸位置P1位於晶圓w

w 欠轉方向上游侧的SCI 圓W表面難應來自第2表面SC1噴嘴52的幻。對晶 生的ΓΓ 所供應的⑽，承受由晶圓w旋轉所產 的離心力，並賦予接觸到晶圓W周緣部的刷子21。因而可 對刷子21良好地供應sa。 ❹ 再者，來自第2表面SC1喷嘴52的SC卜在晶圓w表面的 〇緣區域40中傳遞’並供應給呈旋轉狀態的刷子21。因而， 相較^從第2表面SCI喷嘴52朝刷子21直接吐出SC1的構 造可抑制因刷子21旋轉所伴隨的SCI濺散情況。 再者，對刷子2丨供應來自第2表面SCI喷嘴52的SCI，同 時在刷子21内部所含的SCI，利用抽吸喷嘴54而進行抽吸， 刷子21内部便含有必要充分量的SCI。因而，在晶圓w 表面周緣區域40的刷子接觸位置P1，將可形成具有適當潤濕 97128068 30 200926274 寬度的SCI液膜。其結果，晶圓W表面的裝置形成區域便可在 不受因SCI所造成不良影響之情況下，將晶圓w表面的周緣區 域40良好地施行洗淨。 以上，已針對本發明2個實施形態進行說明，惟本發明尚可 依其他形態實施。例如亦可採用將SC1直接供應給刷子21的 • 構造。此情況，亦可對刷子21的洗淨面32、33供應％卜亦 可經由刷子旋轉轴25對刷子21的内部供應sci。 © 再者，上述2種實施形態，係針對使用基板處理裝置丨、51， 對在晶圓W表面中央部形成有Low-k膜（疏水性膜）的晶圓界施 行洗淨之情況為例進行說明，惟使用基板處理裝置1、Μ的洗 淨處理，亦可以使在其表面中央部形成有銅佈線的晶圓w作為 洗淨對象，亦可將除此以外的晶圓Ψ當作洗淨對象。 再者’第1實施職的基板處理裝置丨中，並未具備將刷子 21進行抽吸的抽吸喷嘴，但亦可更進一步設置如同第2實施 ©形態的基板處理裝置51般的抽吸噴嘴54及抽吸管55，而將 刷子21内的SCI等液體進行抽吸。 再者，第1實施形態的基板處理裝置丨之處理步驟中，在施 行步驟S8的沖洗處理時，刷子21退縮至起始位置，但進行該 沖洗處理時的刷子21亦可接觸到晶圓w周緣部。此情況，^ 沖洗處理將如步驟S2〜S7的SC1處理，最好首先由刷子Μ的 第2洗淨面33抵接於晶圓w背面的周緣區域41及周端面必 然後，再使刷子21的第i洗淨面32抵接到晶圓w表面的周緣 97128068 200926274 區域40及周端面42。 再者，第2實施形態的基板處理裝置51中，亦可如第】實 施形態的基板處理裝置1，採用配設背面DIW喷嘴6的構造。 在該情況下，在進行步驟S17〜S22的沖洗處理時，來自背面 DIW喷嘴6的DIW將可供應給刷子21。因而，並不需要將來自 第2表面DIW噴嘴57的DIW供應給刷子21。 所以，在步驟S17〜S22的沖洗處理中，亦可從N2氣體噴嘴 ❹10吐出N2氣體。此時，對被供應到晶圓w表面的周緣區域4〇 的DIW，從晶圓W旋轉半徑方向的内侧，吹出來自队氣體喷嘴 10的吣氣體。藉此，DIW便被朝旋轉半徑方向外侧推擠，可在 不致停留於晶圓W表面的周緣區域4〇上之情況下，從周緣區 域40上迅速地被除去。 再者，在沖洗處理中’當從⑷氣體喷嘴1G吐出队氣體時， 即使減少從第2表面DIW喷嘴57所吐出DIW的量，仍可從晶 ❹圓W表面的周緣區域40將污染良好地除去。藉由減少來自第 2表面DIW嘴嘴57的⑽量，便可防止從晶圓w表面周緣區 域40所濺散的DIW，反彈於晶圓w表面的情況發生。 再者’在配設背面DIW噴嘴6的構造中，於沖洗處理時將對 刷子21供應充分量的DIW。因❿，從抽吸喷嘴％所進行抽吸， 不僅可在步輝S12〜S16的SC1處理中進行，亦可在步驟阳〜奶 的沖洗處理中進行。此情況，將可防止DIW進入晶圓W的中央 部。 、 97128068 32 200926274 再者，上述2個實施形態中，係舉在s(：i處理後將實施沖洗 處理的構造為例而進行說明，但亦可不使用奶（藥液），僅使 用DIW(清洗液）而對晶圓W表面的周緣區域4〇施行洗淨。在 該情況’第2實施形態中亦可刪除步驟sl2〜si6的⑽處理之 相關步驟。 • 此情況，藉由經供應DIW的刷子21接觸到晶圓w表面的周 緣區域40，便可刮取附著在該周緣區域4〇上的污染。另一方 © 面，在晶圓W表面的周緣區域40，於相對刷子接觸位置P1位 於晶圓w旋轉方向下游侧而隔有間隔L5的DIW到達位置p6 處，供應來自第2表面DIW喷嘴57的DIW。藉此，利用刷子 21進行刮取的污染，便可在其剛被刮取後即馬上利用DIW沖 洗掉。因而，可防止因晶圓W表面周緣區域4〇上殘留著經刷 子21所刮取掉的污染，而造成髒污附著的狀況發生。 再者，上述2個實施形態中，藥液係例示SC1，但除此之外， © 尚可使用例如氨水。 再者，清洗液並不僅揭限於DIW，亦可使用例如碳酸水、離 子水、臭氧水、還原水（reductive water)(hydrogen water， 氫水）或磁化水(magnetic water)等機能水。 再者’上述2個實施形態中，旋轉夾具3係使用真空吸附式 夾具，但旋轉夾具3並不僅侷限於此種真空吸附式夾具。亦可 採用例如將晶圓W的周端面42使用複數個旋轉輥夾持，而可 將晶圓W依大致水平姿勢保持的滾輪式夾具。此情況，當採用 97128068 33 200926274 對s曰圓w背面供應藥液或清洗液的構造時，最好藉由對晶圓w —的旋轉巾〜騎供應驗或清洗液，便可達成對刷子^ 的藥液或清洗液供應。此外，當非採用對晶圓W背面供應藥液 或清洗液的構造時，亦可採用藉由將晶圓W的周端面42使用 複數個夾具栓夾持，便可將晶圓W依大致水平姿勢保持的端面 . 夾持型夾具。 雖針對本發明實施形態已進行詳細說明，惟該等僅止於為明 ❹瞭本發明技術内容而使用的具體例而已，本發明不應解釋為僅 偈限於該等具體例’本發明的精神及範嘴僅依照所附示申請專 利範圍進行限定。 本申請案係對應於2007年7月26日對日本特許廳所提出申 清的特願2007-194166號’該申請案的全部揭示内容均將爰引 並組合於本案中。 【圖式簡單說明】 G 圖1係本發明一實施形態（第1實施形態）中，基板處理裝置 的構造示意侧視圖。 圖2係圖1所示刷子的構造侧視圖。 圖3係由圖1所示旋轉夾具所保持的晶圓俯視圖。 圖4係圖1所示基板處理裝置的電氣構造說明方塊圖。 圖5係圖1所示基板處理裝置中，用以說明晶圓處理的步雜 圖。 圖6係本發明第2實施形態中，基板處理裝置的構造示意側 97128068 34 200926274 視圖。 圖7係由圖6所示旋轉夾具所保持的晶圓俯視圖。 圖8係圖6所示基板處理裝置的電氣構造說明方塊圖。 圖9係圖6所示基板處理裝置中，用以說明晶圓處理的步驟 圖。 【主要元件符號說明】 1 基板處理裝置 ❾ 3 旋轉爽具 5 背面SCI喷嘴 6 背面DIW喷嘴 7 刷子機構 8 第1表面SCI喷嘴 9 第1表面DIW喷嘴 10 N2氣體喷嘴 〇 11 旋轉軸 12 吸附座 13 旋轉馬達 14 背面SCI閥 15 背面DIW閥 16 第1表面SCI閥 17 第1表面DIW閥 18 N2氣體閥 97128068 35 200926274

19 搖擺機械臂 20 機械臂支撐軸 21 刷子 23 搖擺驅動機構 24 升降驅動機構 25 刷子旋轉轴 26 刷子自轉機構 27 支架安裝部 28 刷子支架 30 第1洗淨部 30a、31a 上部 30b、31b 下部 31 第2洗淨部 32 第1洗淨面 33 第2洗淨面 35 箭頭 40、41 周緣區域 42 周端面 50 控制部 51 基板處理裝置 52 第2表面SCI喷嘴 53 第2表面SCI閥 97128068 36 200926274

54 抽吸喷嘴 55 抽吸管 56 抽吸閥 57 第2表面DIW喷嘴 58 第2表面DIW閥 LI 間隔 L2 間隔 L3 間隔 L4 間隔 L5 間隔 L6 間隔 PI 刷子接觸位置 P2、P5 SCI到達位置 P3 DIW到達位置 P4 N2氣體喷出位置 P6 DIW到達位置 W 晶圓 97128068 37

Claims (1)

1. 200926274 七、申請專利範圍： 1_ 一種基板處理裝置，係包括有： 基板旋轉單元，其係絲使基板進行旋轉； 刷子，其鑛_上述紐轉單元進行旋轉的基板直少 抵接於基板表面的周緣區域；以及 周緣清洗液吐A單元’其係縣板表面周龍域巾的上述刷 子所接觸到的區域’朝在基板旋轉方向下游侧而隔有間隔的既

   ⑩ 疋/月洗液吐出位置，從較該既定清洗液吐出位置更靠基板旋轉 半控方向的内侧，吐出清洗液。 2. 如申請專利範圍第丨項之基板處理裝置，係更進一步包括 有用來對上述刷子供應藥液的藥液供應單元。 3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述藥液 供應單元储基板表面周賴域巾的上述刷子所接觸到的區 域’朝位於基板旋轉方向上游_既定_吐出位置，從較該 既定藥液吐出位置更靠基板旋轉半徑方向的内侧，&出藥液。 4. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述基板 旋轉單元傭基板保持呈其表面朝上方且幾乎呈水平姿勢的 狀態，並且圍繞錯直軸線進行旋轉； 進行旋轉的基 上述藥液供應單元係對由上述基板旋轉單元 板背面供應藥液。 5.如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，係更進一步包括 有·用來抽吸上述刷子㈣巾所含有的藥液的藥料吸單元。 97128068 200926274 6·.如申請專利難第2項之基板處理裝置，係更進—步包括 有:對基板表面周緣區域中的上述刷子所接觸到的區域，朝基 =轉方向下游侧而隔有間關既定藥液吐出位置，從較該既 疋藥液吐出位置更菲基板旋轉半徑方向的内侧用來吐出藥液 - 的下游侧周緣藥液吐出單元。 八 * 7·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，係更進-步包括 有.對由上述周緣清洗液吐出單元朝基板表面周緣區域所供應 ❹的/月洗液’在較上述既定清洗液吐出位置更靠基板旋轉方向下 游侧而隔有間隔的位置處’從基板旋轉半徑方向的内侧，用來 吹出非活性氣體的氣體喷出（ejection)單元。 8.如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述刷子 係使用可彈性變形的材料所形成，且具備有朝垂直於利用上述 基板旋轉單70進行旋轉的基板表面之垂直線方向其中-侧變 狹窄形狀的第1洗淨面。 ❹9·如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述刷子 係具備有.從上述第i洗淨面的上述其中一側端緣，朝上述垂 直線方向的上述其中—舰擴大雜的第2洗淨面。 10.如申請專利範圍第丨項之基板處理裝置，其中，上述藥 液係氨-過氧化氫水混合液。 、 97128068 39