TW200923112A - Indium oxide transparent conductive film and method for making the same - Google Patents
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Description
200923112 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關透明導電膜及其製造方法，該導電膜係 可成膜為非晶形膜（amorphous film)，此非晶形膜藉由弱 酸蝕刻即可容易地圖案化，並可容易地結晶化，且經結晶 化之膜是低電阻且穿透率高之透明導電膜。 【先前技術】 氧化銦-氧化錫（ImOs-SnCh之複合氧化物，以下稱為 「ΙΤ0」）膜，因可視光透過性高，並且導電性高，故作成 透明導電膜後，可以廣泛作為液晶顯示裝置或防止玻璃結 露用之發熱膜、紅外線反射膜等使用，但有難以製作非晶 形膜之問題存在。 另一方面，作為非晶形膜者，雖已知有氧化銦-氧化辞 (ΙΖ0)透明導電膜，但該膜比ΙΤ0膜的透明性差，有帶黃色 之問題。 在此，本案申請人曾提出，在ΙΤ0膜中添加矽，並於 預定之條件下製成非晶形之透明導電膜以作為透明導電膜 的提案（參考專利文獻1) ^但在添加碎時有南電阻化之傾 向的問題。 [專利文獻1]日本特開2005-135649號公報（申請專利範 圍） 【發明内容】 [發明欲解決之課題] 本發明係有鑑於上述情況，而以一種透明導電膜及其 3 320645 200923112 製造方法作為課題，該透明導電膜可提供成膜為非晶形 膜，而此非晶形膜藉由弱酸蝕刻即可容易地圖案化，並容 易結晶化，且經結晶化之膜是低電阻且穿透率高者。 [解決課題之手段] 本發明為了解決上述之課題而重複各種檢討之結果， 發現：經添加鋇之氧化銦系透明導電膜，為低電阻且透明 性優良之非晶形膜且藉由弱酸蝕刻即可容易地圖案化，同 時進一步可容易地結晶化，而先行提出申請（日本特願 2007-095783) 〇 在此情形中，也有：關於結晶化溫度在100°C以下之 組成範圍，為了成膜非晶形膜之條件很嚴苛之課題，本發 明也是解決相關課題者。 解決前述課題之本發明的第1態樣，係一種透明導電 膜，其係使用具備有含有氧化銦與錫、同時含有相對於銦 1莫耳為0. 00001莫耳以上不足0. 10莫耳之鋇的氧化物燒 結體之濺鍍靶，而成膜為非晶形膜之透明導電膜，其特徵 為含有氧化銦與錫同時含有鋇，且係在水之分壓為1. 0χ1(Γ4 Pa以上1. 0x10-4Pa以下之條件下成膜者。 在相關第1態樣中，係藉由在預定之水分壓下製成含 有鋇之氧化銦系透明導電膜，而較容易地製成非晶形膜， 且可用弱酸性钱刻劑進行#刻。 本發明的第2態樣，其特徵係在第1態樣所述之透明 導電膜中，前述非晶形膜含有氫。 在相關第2態樣中’係猎由水分壓而之成膜’而成為 4 320645 200923112 在非晶形財攝人lL之狀態。 、本發明的第3態樣，其特徵係在第1或2態樣所述之 透月^電膜中’相對於銦1莫耳之錫的莫耳比y為：相對 於鋼1莫耳之鋇的莫耳比以X表示時之（-6. 9xl(T2Ln(x) 下、並且在（_8.1χ1()Λη(χ)+ι. 8χΐ(Γΐ)之 值以下的範圍。 在相關第3 g樣中’變成結晶化溫度較低的非晶形膜。 本發明的第4態樣，其特徵係在第j或2態樣所述之 透明導電财，相對於銦丨料之錫㈣耳&為：相對 二1莫耳之鋇的莫耳比以x所表示時之（_8_ lxlG-zLn(x)
Xl0 )之值以下、並且在卜7. 1x10—3Ln(x) + l. 6x10」）之 值以下範圍。 二者容“膜為非晶形膜’且 本發明的第5態樣， 導電膜中，在水之分壓為 之條件下成膜。 其特徵係在第4態樣所述之透明 1· 0xl(T3Pa 以上 1. 0x10—% 以下 在相關弟5態樣中，兹士 ％ 〜 干猎由於預定之水分壓下的成膜， 即月b形成預定範圍組成非a 膜。 固珉之非日日形且結晶化溫度比較低之 本發明的第6態樣，ι牲料总+ —, /、特欲係在弟1至5的任何態才 所述之透明導電膜中，成膜祛 成、後係藉由退火來製成經結』 在相關第6態樣中 係在成膜為非晶形膜後，藉由退 320645 5 200923112 火可Li易結晶化，可以賦予耐弱酸性。 本發明的第7自g g 導電膜中，^ 〜、，，其特徵係在第β態樣所述之透明 ㈣之退火是在刚至3 在相關第7能娓士 . 丁f 膜。 心，，係在比較低之溫度製成結晶化之 本發明的第8態樣 透明導電膜巾，、—㈣在第6或7態樣所述之 Ω·〇η以下者Λ後之透明導電膜的電阻率為5_〇潔 在相關第8態樣中，退火後 成電阻率為5·。她· cm以下之低電二“"以製 ㈣態樣’係透明導電膜之製造方法，其特 為======-時含有相對於錮1莫耳 淹鲈說，屮^ .1〇莫耳之鋇的氧化物燒結體之 膜^成膜士3有氧化銷與錫同時含有鎖、且為非晶形之 Pa=成料之水分麵'設定成1._、以上]._-1 在相_ 9態樣中’係藉由在預定之水錢下形成 有鋇之氧化銦系透明導電膣 膑’而可較容易地製成為非晶形 胺，而侍到以弱酸性之蝕刻劑即可蝕刻之膜。 本發明的第㈣樣，其係在第9態樣所述之透明導電 膜之製造方法中’使用下述躁練而成膜：相對於銦】莫 耳之錫的料比y #:相對於銦〗財之鋇的莫耳比以χ 表示時之（-6. 9xl〇-2Ln(x)-Uxl〇-〇之值以下、並且在 (-8· 1x10 Ln(x)+1· 8x1ο-1)之值以下的範圍。 320645 6 200923112 在相關第ίο態樣中，係藉由預定範圍之組成，可以得 到結晶化溫度比較低之膜。 本發明的第11態樣，其係在第9態樣所述之透明導電 膜之製造方法中，係使用下述濺鍍靶：相對於銦1莫耳之 錫的莫耳比y為：相對於銦1莫耳之鋇的莫耳比以X表示 時之（-8· 1χ1〇Λη(χ)-2· 6xl0_1)值以下、並且在（-7. 1χ1(Γ3 Ln(x) + 1.6x10’之值以下範圍；且成膜時之水分壓設定為 1. 0xl(T3Pa以上1. OxlOla以下來成膜。 在相關第11態樣中，係藉由在預定水分壓下製成預定 組成之膜，可以得到結晶化溫度比較低之膜。 本發明的第12態樣，其係在第9至11之任何態樣所 述之透明導電膜之製造方法中，成膜為非晶形膜後，藉由 退火來製成結晶化膜的透明導電膜之製造方法。 在相關第12態樣中，係成膜為非晶形膜後，可藉由退 火容易地結晶化，而可以賦予耐弱酸性。 本發明的第13態樣，其特徵係在第12態樣所述之透 明導電膜的製造方法中，藉由前述退火之結晶化係在100 至3Q0°C進行。 在相關第13態樣中，可在100至300它之比較低之溫 度得到結晶化之膜。 本發明的第14態樣，其特徵係在第13態樣所述之透 明導電膜的製造方法中，退火後之透明導電膜的電阻率為 5. 0χ10_4Ω · cm 以下。 在相關第14態樣中，退火後之電阻率非常低，可以製 7 320645 200923112 成電阻率為5. 0x10_4Ω · cm以下之低電阻膜。 [發明效果] 依據本發明，由於形成為在氧化銦中添加鋇之膜且在 預定之水分壓下成膜，故可成膜為非晶形膜，而此非晶形 膜藉由弱酸I虫刻即可容易圖案化，進一步可以容易結晶 化，且經結晶化之膜可以製成低電阻且穿透率高之透明導 電膜。 【實施方式】 用於形成本發明的氧化銦系透明導電膜而使用之透明 導電膜用濺鍍靶，係以氧化銦作為主體，而含有錫者、且 為含有鋇之氧化物燒結體，鋇只要是以其氧化物之形態、 或複合氧化物、或固溶體存在即可，並無特別限定。 鋇之含有量，係期望能於形成所用濺鍍靶之範圍，亦 即相對於銦1莫耳含有0.00001莫耳以上不足0.10莫耳 者。添加量比上述少時之效果不顯著，同時，高於上述量 時，所形成之透明導電膜的電阻會有變高之傾向與黃色會 有惡化之傾向。同時，藉由上述濺鍍靶所形成之透明導電 膜中之鋇含有量，是成為與所使用之濺鍍靶中之含量相同 之含量。 又，錫之含有量，係期望能於形成用以成膜之濺鍍靶 之範圍，亦即相對於銦1莫耳含有0. 001莫耳至0. 3莫耳， 較佳為0. 005至0. 3莫耳者。只要在此範圍，濺鍍靶之承 載電子之密度及移動速度經適當控制就可以保持於導電性 良好之範圍。同時，添加超越此範圍時，因會降低藏鍍革巴 8 320645 200923112 之承載電子的移動速度，同時會使導電性朝向劣化方向移 動之故而不佳。又，藉由上述濺鍍靶所形成之透明導電膜 中的錫含量，會與使用之藏鑛革巴中之含量成為相同含量。 如此之氧化銦系透明導電膜的組成分析，亦可將單膜予以 全量溶解後以ICP來分析。又，在膜本身不是元件構成之 情形等中，也可因應必要藉由FIB等切出該部分之剖面， 並使用附屬於SEM或TEM等之元素分析裝置（EDS或WDS， 歐偕（Auger)分析等）予以特定。 該濺鍍靶因為具有能以DC磁控管濺鍍機進行濺鍍程 度的電阻值，故可以用比較廉價的DC磁控管濺鍍機來濺 鍍，當然亦可使用高頻磁控管濺鍍裝置。 使用如此之透明導電膜用濺鍍靶，藉由在水分壓為1. 0 xl(T4Pa以上1. Oxli^Pa以下之條件成膜，即可形成同一組 成之非晶形之氧化姻糸透明導電膜。 於此，為了將水分壓設成上述預定範圍，在成膜室成 膜時，將所導入之環境氣體（一般為Ar(氬），因應必要可 為含氧氣之氣體，並例如為10_4Pa程度之壓力）與水蒸氣經 由質量流量控制器等同導入就可以，在到達真空度小於10_4 Pa的高真空之情形中，以設成為環境氣體的1/100至1 /10程度的壓力為宜。尚且，到達真空度為1 (Γ4至1 (T3Pa 左右而真空度差之條件下，此殘留氣體之主成分是水。亦 即，由於此到達真空度幾乎相當於水之分壓，故不必特別 導入水蒸氣就可以達到所期望之水分壓的狀態。 如此之本發明的氧化銦系透明導電膜，因含有預定量 9 320645 200923112 之鋇，故藉由在室溫以上比結晶化溫度低溫度的條件（其隨 著鋇之含量而異）下成膜（例如比200°C低之溫度條件，較 佳為比150°C低之溫度條件，更佳是在比100°C低之溫度條 件而以在非晶形狀的狀悲製成膜。此種非晶形膜具有可 以用弱酸性之蝕刻劑進行蝕刻之優點。於此，在本案說明 書中，蝕刻是包含在圖案化步驟中，而用於得到預定之圖 案者。 此外，所得透明導電膜之電阻率雖然也是隨著鋇的含 量而異，但電阻率為1.〇\1〇—4至1.〇\1〇-3〇.^11。 又，經成膜之膜的結晶化溫度是隨著所含鋇之含量而 異，含量愈多結晶化溫度愈上昇，但藉由在100°C至300 °C之溫度條件下退火，就可以結晶化。此溫度區域因是通 常於半導體製造製程所使用，故在如此之製程中也可以結 晶化。同時，在此溫度範圍之中，以在100°C至300°C結晶 化者為宜，在150°C至250°C結晶化則更佳，在200 °C至 25(TC結晶化者最佳。 在此，退火是指在大氣中、環境氣體中、真空中等之 中，於所期望的溫度中加熱一定時間之意。此一定時間通 常是指數分鐘到數小時左右，在工業上若效果相同時，以 短時間為佳。 在此，本發明之透明導電膜，係藉由在水分壓為1. Ox 10_4Pa以上、1. OxlOla以下之條件成膜，成膜溫度即使設 定稍高也可以得到非晶形膜。 在此，就是否可以成膜為非晶形膜而言，必需於較如 10 320645 200923112 上述所成膜之膜組成的結晶化溫度為低的成膜溫度進行成 膜，錫或鋇之含量愈少之組成其結晶化溫度愈低，錫或鋇 之含量愈多之組成其結晶化溫度有愈變高之傾向，但藉由 在水分壓為1. OxlO_4Pa以上、1. OxlO—^a以下之條件下成 膜，各組成之結晶化溫度與在水分壓不足1. Oxl(T4Pa下成 膜時相比可以高50至100°C左右。因此，關於在水分壓不 足1. Oxl(T4Pa下成膜時之結晶化溫度係100°C以下（尤其在 室溫附近）之組成範圍之膜，為了得到非晶形膜之成膜條件 係變得相當嚴酷，視情況於成膜時也可能會結晶化。在如 此之組成範圍中，尤其，藉由將水分壓設為1. Oxl(T4Pa以 上、1.0xl0_1Pa以下之條件下，則結晶化溫度例如可以上 昇到150至200°C左右，因而例如在100°C左右之成膜條件 也可以付到非晶形膜。 另一方面，在水之分壓小於1.0xl(T4Pa下成膜時之結 晶化溫度例如在300°C至400°C之組成範圍，藉由將水分壓 設為1. Oxl(T4Pa以上1. OxlO^Pa以下之條件下，結晶化溫 度例如會高達350至500°C，即使可以做成非晶形膜，相 反的因結晶化條件變得嚴酷’在此情況，將水分壓設成1. 0 xl(T4Pa以上1. 0xl0_1Pa以下之條件係不佳。 因此，由此觀點而言，作為將水分壓設定成1. 0x1 (T4Pa 以上1. Oxli^Pa以下之條件下成膜的膜組成者，以相對於 銦1莫耳之錫莫耳比y為：相對於銦1莫耳之鋇莫耳比以 X表示時之（υχΙΟ'ηζχΡΙ.βχΙίΤ1)之值以下、並且在 (-8. lxlO_3Ln(x) + l. 8x10’之值以下的範圍為佳。若在此範 11 320645 200923112 圍内，結晶化溫度成為100至300°C，用於製成非晶形膜 並予以結晶化時比較容易進行。 又，尤其在水分壓設定成l.〇xl(T3Pa以上l.OxlOla 以下成膜時，以相對於銦1莫耳之錫莫耳比y為：相對於 銦1莫耳之鋇莫耳比以X表示時之（-8. lxlO_2Ln(x)-2. 6χ 10—之值以下、並且在（-7. 1χ1〇Λη(χ) + 1· 6ΧΗΓ1)之值以下 的範圍之組成為佳。若在此範圍内，結晶化溫度成為100 至300°C，用於製成非晶形膜並予以結晶化時會變成比較 容易。 同時，水分壓較1. Ox 10 4Pa低時，如上述之使結晶化 溫度上昇之效果並不顯著，另一方面，水之分壓比上限（1. 0 xlO_1Pa)還大時，所得之膜雖是非晶形膜，但在退火後結晶 化之際，膜之電阻率不會降低，得不到所期望之5. 0χ1(Γ4 Ω · cm以下之結晶膜，因而不佳。 其次說明本發明使用的濺鍍靶之製造方法，但此僅為 例示者，製造方法並無特別限定。 首先，作為構成本發明的濺鍍靶之起始原料者，一般 有In2〇3、Sn〇2、BaC〇3之粉末，但Iri2〇3與BaC〇3係經預锻燒 成為BaIn2〇4，並在此混合In2〇3與Sn〇2而使用為佳。其係 為了防止由於BaC〇3分解而發生的氣體造成之氣孔之故。同 時，此等之單體、化合物、複合氧化物等亦可以作為原料。 使用單體、化合物之情形係先經由預先作成氧化物之製程。 將此等之原料粉，以所期望之配合率混合，成形之方 法並無特別限定，可以使用以往一直習知的各種濕式法或 12 320645 200923112 乾式法。 乾式法可列舉如冷壓法（cold press)及熱壓法（hot press)等。冷壓法係將混合粉充填到成型模中製作成形體 後予以煅燒。熱壓法係將混合粉在成形模内煅燒、燒結。 濕式法例如以使用濾過式成形法（參照日本特開平 11-286002號公報）為佳。此濾過式成形法，係使用由陶瓷 原料漿料（slurry)減壓排除水分而得到成形體用的非水溶 性材料所做成的濾過式成形模，該模係由具有1個以上除 水孔之成形用下模、與載置在此成形用下模之上的具有通 水性的過滤器、以及隔介密封此過濾器用之密封材自上面 側挾持之成形用模具框而構成，前述成形用下模、成形用 模具框、密封材及濾過器係以分別可以分解之方式組裝， 並只由該濾過器而側減壓排除漿料中之水分；並調製混合 粉、離子交換水與有機添加劑所成之漿料，將此漿料注入 濾過式成形模具後，只由該濾過器面側減壓排除漿料中之 水分而製作成形體，將所得到之陶瓷成形體乾燥脫脂後， 加以锻燒。 以冷壓法或濕式法成形者的煅燒溫度，以1300至1650 °C為宜，更佳為1500至1650°C。其環境為大氣環境、氧 環境、非氧化性環境、或是真空環境等。另一方面，熱壓 法的情形，以在1200°C附近燒結為宜，此環境氣為非氧化 性環境或真空環境等。同時，在各個方法中進行煅燒後， 進行為了成形、加工為預定尺寸的機械加工而做成靶。 [實施例l· 13 320645 200923112 以下，根據實施例說明本發明，但不侷限於此等實施 例。 (濺鍍靶製造例1至67) 準備純度> 99. 99%之In2〇3粉、Sn〇2粉、及純度>99. 9% 之BaCOs粉。 首先，以 BET=27 m2/g 之 1112〇3粉 58. 6 重量％及 BET=1. 3 m2/g之BaC〇3粉41. 4重量％之比率，準備全量200 g，在 乾燥狀態下以球研磨機混合，在大氣中於1100°C預煅燒3 小時，得到BaIm〇4粉。 其次，準備上述BaIm〇4粉、BET=5 m2/g之Iri2〇3粉及 BET=1. 5 m2/g之Sn〇2粉，以相對於1莫耳之In、Ba及Sn 為相當下述表1至表6所示之莫耳的比率，使全量約為1.0 kg，將此以球研磨機混合。之後，添加作為黏著劑的PVA 水溶液並加以混合、乾燥、冷壓後得到成形體。將此成形 體，在大氣中以600°C、60°C/h昇溫進行脫脂10小時， 其次，在氧環境下於1600°C烺燒8小時得到燒結體。煅燒 條件具體上為：自室溫以l〇〇°C/h昇溫到800°C，自800 °C以400°C/h昇溫到1600°C，維持8小時後，自1600°C 以100°C/h之條件冷卻到室溫的條件。然後，加工此燒結 體而得到靶。此時之密度與體電阻率（Bulk resistivity)，例如在 32 之組成，分別為 6. 88g/cm3、2. 81 χ1(Γ4Ω · cm，在 22 之組成分別為 6. 96g/cm3、2. 87x10—4 Ω · cm ° (試驗貫施例A1至A 6 7) 14 320645 200923112 在4英吋之DC磁控管濺鍍裝置中，分別安裝各製造例 1至67之濺鍍靶，基板溫度設為室溫（約20°C)、水之分壓 設為1. Oxl(T4Pa，氧分壓在0至3. 0 seem之間變化（相當 於0至1. lxl(T2Pa)，得到試驗實施例A1至A67之透明導 電膜。 濺鍍之條件如下述，得到厚度為1200A之膜。 草巴尺寸：Φ=4英忖，ΐ=6ππη 濺鍍方式：DC磁控管濺鍍 排氣裝置：回轉泵+低溫泵 到達真空度：5. 3xlO_6[Pa]
Ar 壓力：4. OxlO_1[Pa] 氧壓力：0 至 1. lxlO_2[Pa] 基板溫度：室溫 濺鍍電力：130 W(電力密度1. 6W/cm2) 使用基板：康寧#1737(液晶顯示用玻璃）t=0.8mm 針對試驗貫施例A1至A 6 7 ’求得在室溫成膜中乳分壓 與電阻率之關係，以及250°C退火後之氧分壓與電阻率之 關係。 在下述表1及表2中，顯示Ba及Sn相對於各試樣之 1吴耳In之莫耳比、在室溫成膜之結晶狀悲（非晶形膜以a 表不’結晶化膜以c表不）’同時，顯不非晶形膜之結晶化 溫度。 在下述表1及表2中，成膜時電阻率係指室溫成膜時 之最適氧分壓之膜之電阻率。同時，退火後之電阻率係在 15 320645 200923112 250 C退火時之最適氧分壓之電阻率。 同時’在表1及表2所示之結晶化溫度，係以如下方 式ί得。將在25代退火後在會成為最低電阻之氧分麼中、 於室溫成膜之膜，自⑽。㈡ 於每50t進行大氣中〗小時之 為止 — 返又將此艇以薄膜XRD進 仃“斤。針對表示室溫成膜之非晶形膜的繞射峰細。 Ρ_)，係由退火溫度變高而檢出繞射線。此最初之溫度定 為結晶化溫度。㈣，作為結晶化溫度之其他求取方法者， 也可以使用高溫薄膜XRD法。 同時’將試驗實施例A1至A67，在第1圖中作圖，,士 晶化溫度請至30{rc以•表示，結晶化溫度在35代： 上以▲表示。 由此結果，可知結晶化溫度在3〇〇t：w下之範圍為， 相對於銦1莫耳之錫.的莫耳比y為：相對於錮1莫耳之鎖 的莫耳比以X表示時之（-6.9xlG-2Ln(xM 6χ1(Γΐ)之值以 下、且在（-8. lxl〇—3Ln(xHl. 8x1ο—1)之值以下的範圍。 320645 16 200923112 表1 試樣 編號 製造例 Sn比 Ba比 結晶 狀態 結晶化溫度 rc) 成膜時電阻率 (Xl〇-4Q-cin) 退火後電阻率 <Χ10—Ω .cm) A 1 1 0 0. I a >500 19.6 21.4 A2 2 0. 025 0.07 a >500 12.8 14.4 A3 3 0. 025 0. 1 a >500 16.0 18.2 A4 4 0.05 Q. 0001 a 150 4.7 3.4 A 5 5 0. 05 0. 0002 a 150 4.8 3.4 A6 6 0,05 0. 0005 a 150 4.9 3.5 A7 7 Q. 05 0.001 a 150 4.7 8. 6 A 8 8 0.05 0. 002 a 150 4,7 3.4 A 9 9 0. 05 0,005 a 150 4.8 3. 5 A 1 0 10 0. 05 0. 01 a 150 5. 2' 3. 6 All 11 0. 05 0.02 a 200 5.4 4.7 A 1 2 12 0. 05 0. 03 a 2SD 6. 0 4.9 A 1 3 13 0. 05 0.05 a 400 8. 2 9.2 A1 4 14 0. 075 0. 002 a 150 4.6 2.5 A1 5 15 0.075 0. 005 a 150 4. S 2. 6 1 6 16 0. 075 0.01 a 200 S. 1 2.7 A1 7 17 0. 075 0.02 a 250 5.3 3.2 A 1 8 1 8 0.075 0. 03 a 300 6. 1 4.6 A1 9 19 0. 1 0. 0001 a 150 4.5 1.9 A2 0 2 0 0. 1 0. 0002 a 150 4.5 1.9 A2 1 2 1 0.1 0. 0005 a 150 4.5 1. 9 A2 2 2 2 0· 1 0. 001 a 150 4.5 1.9 A2 3 2 3 0. 1 0.002 a 150 4.5 1.9 A2 4 2 4 0.1 . 0. 005 a 150 4. 6 1.9 A2 5 2 5 0.1 0, 01 a 200 5.0 2. 2 A2 6 2 6 0. 1 0.02 a 300 5.2 2.6 A2 7 2 7 0, 1 0.03 2 SBO 6.2 6.0 A2 8 2 8 0, 1 0.05 a 450 8.0 7.9 A2 9 2 9 0. 1 0. 1 a >500 14 8 15.7 A 3 0 3 0 0, 15 0. 0001 a 200 4.7 2.0 A3 1 3 1 0. 15 0. 0002 a 200 4.7 2.0 A3 2 3 2 0. 15 0. 0005 a 200 4.6 2.0 A3 3 3 3 0. 15 0. 001 a 200 4.7 1.9 A3 4 3 4 0. 15 0. 002 a 200 4.8 1.9 A3 5 3 5 0. 16 0. 005 a 200 4.8 1,9 17 320645 200923112 表2
在4英忖之DC石兹控管藏鍍裝置中，分別安裝各製造例 1至67之濺鍍靶，基板溫度設為室溫（約20。〇、水之分屙 設為1.0xl0—3Pa、氧分壓在〇至3〇謂之間變化（才刀目^ 於〇至1. 1x10 2Pa)，而得到試驗實施例B1至Β67之 導電膜。 η 320645 18 200923112 濺鍍之條件如下述，得到厚度為1200A之膜。 萆巴尺寸：Φ=4英叶，t=6mm 濺鍍方式：DC磁控管濺鍍 排氣裝置：回轉果+低溫果 到達真空度：5. 3xl(T6[Pa]
Ar 壓力：4. OxlOlPa] 氧壓力：0 至 1. lxl(T2[Pa] 基板溫度：室溫 濺鍍電力：130 W(電力密度1. 6W/cm2) 使用基板：康寧#1737(液晶顯示用玻璃） 有關試驗實施例B1至B67，求得在室溫成膜中氧分壓 與電阻率之關係，以及25〇t：退火後之氧分壓與電阻率之 關係。 在下述表3及表4中，顯示Ba及Sn.相對於各試樣之 1莫耳In之莫耳比、在室溫成膜之結晶狀態（非晶形膜二& 表不，結晶化膜以c表示），同時，顯示非晶形膜之結晶化 温度。其中，結晶化溫度、成膜時電阻率、退火後電： 係如上述。 同時，將試驗實施例B1至B67在第2圖中作圖，結晶 化脈度為1〇〇至3〇(rc以鲁表示，結晶化溫度在犯〇艺以上 以▲表示。 二匕結果，可知結晶化溫度在3〇〇。°以下之範圍為，' =1莫耳之錫之莫耳比y為：相對於銦！莫耳之鎖, 莫耳m表示時之（-8.1χ10'η(χ)_2·6χΐ(Γ1)之值」 320645 19 200923112 下、且在（-7. lxlO_3Ln(x) + l. 6ΧΗΓ1)之值以下的範圍。 表3 試樣 編號 製造例 Sn比 Ba比 結晶 狀態 結晶化溫度 (Ό) 成膜時電阻率 (ΧΙΟ'-Ώ^πι) 退火後電阻率 (XI0hQ*cbi) B 1 1 0 0, 1 a >500 20, 2 22.3 B 2 2 0. 025 0.07 a >500 13. 0 14 8 B 3 3 0.025 0. 1 a >500 16.2 I S. 4 B4 4 0. 05 0. 0001 3 200 4.7 3-5 B 5 5 0. 05 0. 0002 a 200 4. S 3.5 B 6 6 0. 05 0.0005 a 200 4. 9 3.5 B7 7 0.05 0,001 a 200 4.9 3.4 B 8 8 0. 05 0.002 a 200 4. 9 3.5 B 9 9 0.05 0. 005 a 200 5, 0 3. 6 B 1 0 10 0. 05 0. 01 a 200 5.4 3.6 B 1 1 11 0.05 0. 02 a 250 5,5 4. S B 1 2 12 0«05 0.03 a 3S0 6. 3 6.2 B 1 3 13 0,05 0. 05 a 450 8.6 9.3 ΒΪ 4 14 0. 075 0. 002 a 200 4·$ ΙΛ B 1 5 15 0.075 0. 005 a 200 4.9 2.7 B 1 6 16 0.075 0.01 a 250 5.2 2.8 B X 7 17 0.075 0. 02 a 350 5.4 5.2 B 1 8 18 0.075 0.03 边 400 6, 2 5.9 B 1 9 19 0. 1 0. 0001 a 200 4.5 2. 1 B 2 0 2 0 0. 1 0. 0002 2L 200 4.5 2.0 B 2 1 2 1 0. 1 0. 0005 a 200 4.6 2. 1 B 2 2 2 2 0. 1 0. 001 & 200 4.6 2. 1 B 2 3 2 3 0, 1 0. 002 a 200 4.7 2, 1 B 2 4 2 4 0.1 0. 006 a 200 4.8 2.2 B 2 5 2 5 0. 1 0.01 a 250 5, 1 2.4 B2 6 2 6 0. 1 0.02 a 350 5.6 5,4 B 2 7 2 7 0. 1 0.03 a 400 6.2 6,0 B 2 8 2 8 0. 1 0.05 a 500 S. 4 a. 7 B 2 9 2 9 0· 1 0.1 a >500 15.0 16. 0 B 3 0 3 0 0. 15 0. 0001 a 250 4.6 2.2 B 3 1 3 1 0. 15 0. 0002 a 250 4.7 2. 0 B 3 2 3 2 0. 15 0. 0005 a 250 4.7 2.2 B 3 3 3 3 0. ]5 0. 001 a 250 4.7 2.1 B 3 4 3 4 0. 15 0. 002 u 250 4.3 2.2 B 3 5 3 5 0.15 0. 005 a 250 5.0 2.3 20 320645 200923112 表4
(參考試驗例Cl至C67) 在4英吋之DC磁控管濺鍍裝置中，分別安裝各製造例 1至67之濺鍍靶，在基板溫度設為室溫（約2(rc)、水之分 壓設為l.Gxl(T5Pa、即為實際上林存在之環境下，使= 分壓在〇至3. 0 seem之間變化（相當於〇至丨.1χΐ〇—2^)， 得到參考試驗例Cl至C67之透明導電膜。 320645 21 200923112 濺鍍之條件如下述，得到厚度為1200A之膜。 乾尺寸：Φ=4英对，t=6mm 濺鍍方式：DC磁控管濺艘 排氣裝置：回轉泵+低溫泵 到達真空度：5· 3xl(T6[Pa]
Ar 壓力：4. OxiolPa] 氧壓力：0 至 1. lxl(T2[Pa] 基板溫度：室溫 濺鍍電力：130 W(電力密度1. 6W/cm2) 使用基板.康寧#1737(液晶顯示用玻璃）t=〇. 8mm 針對參考試驗例C1至C67，求得在室溫成膜中氧分壓 與電阻率之關係，以及250°C退火後之氧分壓與電阻率之 關係。 ' 在下述表5及表6中顯示各試樣之以及％相對於 1莫耳In之莫耳比、在室溫成膜之結晶线（非晶形膜以a 表示，結晶化膜以c表示），同時，顯示非晶形膜之結晶化 溫度。其中’結晶化溫度、成膜時電阻率、退火後電阻率 係如上述。 使用各衣仏例1至67之錢鍍無，求得在室溫（約2{rc) 之氧分壓與在此分壓賴之膜的電阻率_後求得最適氧 分壓，同時’從在各氧分壓成膜之膜在2抓退火後之電 阻率與成膜氧分壓之關係，以退火後之電阻率成為最低電 阻的氧分壓當作在250°C成臈之際的最適氧分壓，判斷兩 者的最適氧分壓是否相異，相異者以籲表示，幾乎相同者 320645 22 200923112 以▲表示，並予以表示在第3圖。 、…由此結果，可知相對於銦丨莫耳之錫莫耳比y為在下 述範圍：亦即，相對於銦丨莫耳之鋇的莫耳比以X表示時 之（Hl〇 2Ln(x)-6. 7xl〇-2)值以上、且在（_2. 〇xl()_lLn⑴ ^、6χ1〇 )之值以下並去除y=〇之範圍時，成膜後的非晶形 ，為，電阻的成膜氧分壓、與退火後之膜為低電阻之成膜 ^刀壓不同，且在25〇°c中最適氧分壓與在室温之最適氧 分壓不同。亦即，在此等組成範圍，並非以由剛成膜之電 阻率求得最適氧分壓，而以在退火後之結晶化膜成為最低 电阻之氧分屢下成膜者’退火後之膜的電阻率會變低 而更佳。 _ 同時’已知相對於銦丨莫耳之錫的莫耳比y低於㈣ 於=1莫耳之鋇莫耳比以χ表^時之(nmn⑴—6·, x10 )之值的範圍’為結晶化溫度小於10(TC之範圍。. 方面’參照第1圖及第2圖，將水之分M設在預 疋耗圍中成膜時，可知相對於錮1莫耳之錫的莫耳比y， 1 x^^.c-2.9, 150t：n以Χ|· 7Χί° )之值之範圍’結晶化之溫度仍為高達 ，而容易成膜為非晶形膜。 亦即’如第i圖及第2圖所示’可知在水之分壓為ι 〇 存在之件成膜時’與如'第3圖之屬於實質上水不 的未達心心(較佳為在1()xl(r5pa以下 =下成膜時相比較，非晶形膜的結晶化溫度變高。 Μ，已知尤其水實f上為不存在的條件下結晶化溫度為 320645 23 200923112 不足100°C，相對於銦1莫 科於細1 m… 錫的4耳比y為：低於相 對於銦1冥耳之鋇莫耳屮 "1Λ2、 斗比 X 表不時之('2.9xl〇-2Ln(x) -6. 7x10 )之值之範圍中，即# ^ 1丨优知日日化溫度為比loot：小之 範圍，結晶化溫度也變成在100。〇以上（較佳是1501以 上）’而非晶形膜變得容易成膜。
320645 24 200923112 表5 試樣 編號 製造作 J Sn比 Ba比 結晶 狀態 結晶化溫度 (V) 成膜時電阻率 (Xl〇-4Q-cm) 退火後電阻率 (Χ1〇·4Ω·οιη) C 1 1 0 0. 1 a >450 19.2 21.4 C2 2 0.025 0. 07 a 400 12, 7 14.3 C 3 3 0.025 0, 1 a >460 IS. 3 17. 5 C4 4 0.05 0. 0001 c <100 4. δ 3.S C 5 5 0. 05 0.0002 c <100 4.7 3.4 C6 6 0.05 D. 0005 c <100 4.8 3.4 C7 7 0.05 0.001 c <100 4.7 3.5 C 8 8 0.05 0.002 c <100 4.2 3.0 C 9 9 0.05 0. 005 c <100 4.2 3.1 C10 10 0.05 0.01 c <100 4.3 3.4 C 1 1 11 0.05 0,02 a 150 5,2 4.9 C 1 2 1 2 0.05 0.03 a 200 7.5 6.2 C 1 3 13 0.05 0. 05 a 400 8.2 9.2 C 1 4 1 4 0.075 0. 002 c <100 3.3 2. 1 C 1 5 15 1 075 0.006 c <100 3.4 2. 1 C 1 6 16 0*075 0.01 a 100 4. 2 3.1 C 1 7 17 0.075 0.02 a 150 5. 1 3.5 C 1 8 18 0. 075 0.03 a 250 6.7 5.1 C 1 9 19 0.1 0. 0001 c <100 4.4 1.8 C 2 0 2 0 0. 1 0. 0002 c <100 4.4 1.8 C2 1 2 1 0. 1 0. 0005 c <100 4.4 1.8 C 2 2 2 2 0.1 0. 001 c <100 4.4 1,8 C 2 3 2 3 0. 1 0. 002 c <100 4.5 1.8 C 2 4 2 4 0.1 0. 005 a 100 4. 5 l.g C 2 5 2 5 0. 1 0.01 a 150 4.7 2.S C 2 6 2 6 0. 1 0. 02 a 200 S. 6 2.7 C 2 7 2 7 0. 1 0.03 a 250 6. 1 4.6 C2 8 2 8 0.1 0.05 a 400 S. 6 10.0 C 2 9 2 9 0.1 0. 1 a >450 14.2 15.3 C3 0 3 0 0. 15 0. 0001 c <100 4.7 1.8 C 3 1 3 1 0.1£ 0. 0002 c <100 4. 7 1.8 C 3 2 3 2 0.15 0. 0005 c <100 4 8 1.8 C 3 3 3 3 0. 15 0.001 a 150 4. 6 1.8 C 3 4 3 4 0.15 0. 002 a 150 4. 6 1.8 C 3 5 3 5 0. 15 0.005 a 150 4.8 1.8 25 320645 200923112 表6
與藏鑛靶製造例1至67相同地操作，pa r 仔到由下说本 所示組成的燒結體所得之製造例68至74的靶 k表 將各靶分別安裝在4英吋之阢磁控管濺鍍裝置 板溫度設在室温（約20。〇、水之分壓設在h 〇xi〇_h，’: 分屢於0至3.〇sccm間變化（相當於至Llxl(r2pa)，= 320645 26 200923112 試驗實施例A68至A74之透明導電膜。 濺鍍之條件，如下述，得到厚度為1200A之膜。 革巴尺寸：Φ=4英对，t=6imn 濺鍍方式：DC磁控管濺鍍 排氣裝置：回轉泵+低溫泵 到達真空度：5. 3xl(T6[Pa]
Ar 壓力：4. 0x10—VPa] 氧壓力：0 至 1. lxl(T2[Pa] 基板溫度：室溫 濺鍍電力：130 W(電力密度1.6W/cm2) 使用基板：康寧#1737(液晶顯示用玻璃）t=0.8mm 針對試驗實施例A68至A74,求得在室溫成膜中氧分 壓與電阻率之關係，以及250°C退火後之氧分壓與電阻率 之關係。 在下述表7中，顯示各樣品之相對於1莫耳In之Ba 及Sn之莫耳比、在室溫成膜之結晶狀悲（非晶形膜以a表 示，結晶化膜以c表示），同時，顯示非晶形膜之結晶化溫 度。其中，結晶化溫度、成膜時電阻率、退火後電阻率係 如上述。 同時，將試驗實施例A68至A74與試驗實施例A1至 A67共同在第1圖中作圖，結晶化溫度為100至300°C以· 表示，結晶化溫度在350°C以上以▲表示。 27 320645 200923112 表7 試樣 編號 A 6 8 製造例 6 8 Sii比 〇.〇2δ Ba比 〇 ooooe 法曰 样日曰 狀態 结晶化溫度 CC) 1 ΑΛ 成膜時電piy*] 一 (Χ10·4Ω·π«、 退火後電阻率 (X10·4。. mu) A6 9 A 7 0 6 9 7 0 0.025 0.025 0.001 0. 01 狂 a 1UU 100 9flA t>. 6 4.2 5.7 4.3 A7 1 7 1 0. 05 0. 0000] (i a 150 Q. 2 4.7 4.9 Q g A7 2 7 2 0.15 0. 00002 a 200 4.6 〇4 〇 2 A7 3 A 7 4 7 3 7 4 Uty 0. 3 0. 00001 0. 00001 a 250 A(ii\ 4.6 t 2 (試驗實施例B68至B74) 將製造例68至74的靶，分別安裝在4英吋之Dc磁控 管濺鍍裝置中’基板溫度設在室溫（約2〇。〇、水之分壓設 在1. 0x10 3Pa ’氧分壓在〇至3. Osccm間變化（相當於〇至 1. lxl(T2Pa)，得到試驗實施例B68至B74之透明導電膜。 濺鍍之條件與試驗實施例A68至A74相同，得到厚度 為1200A之膜。 又 針對試驗實施例B68至B74，求得在室溫成膜中氧分 壓與電阻率之關係，以及250t退火後之氧分壓與電阻率 之關係。 在下述表8中，顯示各樣品之相對於」莫耳&的 及Sn之莫耳比、在室溫成膜之結晶狀態（非晶形膜以&表 示，結晶化膜以c表示），同時，顯示非晶形臈之結晶化溫 度。其中’結晶化溫度、成膜時電阻率、退火後電阻率 如上述。 , 同時，將試驗實施例B68至B74與試驗實施例βι至 Β67共同在第2圖中作圖，結晶化溫度為1〇〇至3〇〇。匸以 表示’結晶化温度在35(TC以上以▲表示。 320645 28 200923112 表8 試樣 編說 製造例 Sd比 比 結晶 狀態 結晶化溫度 (V) 成膜時電阻率 (X1 〇— ϋ. cm) 退火^電运^~ B 6 8 6 8 0, 025 0. 00005 a 150 5 7 (XHMQtW d __ 4,4 γ— B 6 9 6 9 0.025 0.001 a 150 — υ· · 5.9 '~ B 7 0 7 0 10. 025 0.02 a 250 u 8 3 — B 7 1 7 1 0. 05 〇. 00001 a 200 4. 7 LCH 2‘ 1 B 7 2 7 2 0. 16 0. 00002 a 250"^ 4 5-- B 7 3 7 3 0. 2 0. 00001 a 300 4.~9^ ' B 7 4 7 4 0. 3 0. 00001 & 450 ft 7 ^ -—2· 4 —«ΰΖΙΓ (參考試驗例C68至C74) 將製造例68至74的靶，分別安裝在4英吋之Dc磁控 管減鑛裝置中，基板溫度設在室溫（約2〇。〇、水之分屋設 在1. 0x10 Pa、即貫質上水不存在之環境下，氧分壓於在〇 至3.0 seem間變化（相當〇至，得到參考試 驗例C 68至C 74之透明導電膜。 藏鍵之條件與試驗實施例A68至A74相同，得到厚度 為1200A之膜。 又 針對參考試驗例C68至C74，求得在室溫成膜中氧分 壓與電阻率之關係，以& 25{rc退火後之氧分壓與電阻之 關係。 在下述表9中，顯示各樣品之相對於i莫耳^的骀 及^之莫耳比、在室溫成膜之結晶狀態（非晶形膜以a表 結晶化膜以c表示）’同時，顯示非晶形膜之結晶化溫 、口日日化’皿度、成膜時電阻率、退火後電阻率係如 上述。 C1 參相驗例⑽至C74之結果與參考試驗例 '、同在第3圖中作圖’亦即針對製造例68至74 320645 29 200923112 之乾，求得在室溫（約20。〇之氧分壓與在此分壓成膜的膜 的電阻率的關係後求得最適氧分壓，同時從各氧分壓成膜 之膜在25代退火後之電阻率與成膜氧㈣之關係，並以 退火後之電阻率成為最低電阻的氧分壓料2就成膜之 際的最適氧分壓，骑兩者的最_分岐否相昱，相里 者以•表示，幾乎相同者以▲表示，而在第3圖表示。
(氫存在之確認試驗) 在4英时之DC磁控管職鑛裝置中，分別安裝製造例 之滅鍍乾，基板溫度設在室溫（約2〇t)，在水之分壓設 及(作為實施例！）、5. GxlG_3pa(作為實施例
Pa(作為比較例υ之3條件下，得到實施例卜 只包例2、比較例1之透明導電膜。 濺錢之條件，如下述，得到厚度為12〇〇Α之膜。 靶尺寸··卜4英吋，t=6ram 濺鍍方式：DC磁控管濺鍍 排氣裝置：回轉泵+低溫泵 到達真空度：5. 3xl(T5[paj Ar 壓力：4. ΟχΙΟΙρ^ 320645 30 200923112 % 、 氧壓力：0[Pa] 基板溫度：室溫 濺鍍電力：130 W(電力密度1. 6W/cm2) 使用基板：康争#1737(液晶顯示用玻璃）t=0. 8mm 在此，於各條件中成膜之試料的結晶狀態以薄膜XRD 分析時，可以確認在實施例1及實施例2是無晶體，在比 較例1是結晶化。 同時，有關各膜内之氫的存在，則是使用飛行時間型 二次離子質量分析法（T0F-SIMS、ULVAC PHI公司製TRIFT Iv) ’針對實施例1及比較例1之試樣，由以下所示測定條 件’比較所檢出之（H+離子之計數）/(全離子之計數）來確 認。 [剛定條件] 1次離子：Au+
加速電壓：30kV I. 掃描條件：逐線掃描（2〇〇x2〇〇vm) 在表10 ’表示成膜之試料的T0F-SIMS分析之結果、 (H離子的計數）/(全離子的計數）。 在此’雖然即使在成膜時之水分壓設為5 〇xl〇-5Pa而 只質上水不存在之環境下成膜的比較例1之試料中，也可 乂才致出Η離子’但此可以認定為背景值（back gr〇und)。亦 即’在最近之研究中，己有自較比較例1的水分壓更低之 /刀墨中所成膜的氧化銦膜檢出矿離子之報告（Jpn. j. Appl.
PhyS•’ Vo1·46，N〇. 28, 2007，pp. L685-L687)，由此， 31 320645 200923112 可推測所檢出之氫離子是在成膜時附著於基板的少許水分 被攝入膜内者。因此，本申請案發明是以屬於實質上水不 存在環境之水分壓為5. 0xl0_5Pa以下之環境成膜的試樣之 (H+離子數）/(全離子數）、即7· 75xl0—4當作基準，並以由 此值所增高之（H+離子數）/(全離子數）作為膜中含有之氫 離子。 因此，比較實施例1及2、與比較例1之（H+離子的計 數）/(全離子的計數）時，可知是隨著成膜時的水分壓變大 而變大。因此，如實施例1及2，可以確認藉由控制成膜 時的水分壓，可以改變由膜内攝入之水分而得之氫量。尚 且，關於攝入膜内之氫，由於膜内原子的懸空鍵（dangling bond，未結合鍵）與氫成為終端，故可以推測會有阻礙膜結 晶化的效果。 表10 成膜時水分壓 [Pa] r離子數/全離子數 測定結果 (測定結果）-(基準值） 實施例1 1. OxlO-2 9· 18xl0—4 1. 43x10“ 實施例2 5. OxlO'3 8. 98x10—4 1.23x10“ 比較例1 5. OxlO'5 7. 75x10—4 0. 00x10"° 【圖式簡單說明】 第1圖表示本發明試驗實施例A1至A74之結晶化溫度 圖。 第2圖表示本發明試驗實施例B1至B74之結晶化溫度 圖。 32 320645 200923112 第3圖表示本發明試驗實施例Cl至C74之結晶化溫度 圖。 【主要元件符號說明】 無。 33 320645
Claims (1)
- 200923112 七、申請專利範圍： 1. -種透明導電膜，其係使用具備有氧化物燒結體的賤鑛 =而成膜為非晶形膜之透明導電膜，該氧化物燒結體係 含有氧化錮與錫，同時相對於銦〗莫耳含有〇 〇〇〇〇1 莫耳之鋇’其中，該透明導電膜係 合f氧化銦與錫同時含有鋇，且在水之分壓為1. l〇4Pa以上i.0xl0-!Paw下之條件下成膜者。 2·如申請專利範圍第1項之透明導電膜，其中，前述非曰 形臈含有氳。 aa 3. 如申請專利範圍第1項之透明導電膜，其中，相對於銦 1莫耳之錫的莫耳比y係：相對独！莫耳之鋇的莫耳 比以x表示時之（-6. 9x10—2Ln(x)-l. 6x10—。的值以下、 並且在（-8· Ιχίο 3Ln(x)+i. gxio-1)的值以下的範圍。 4. 如申請專·圍第2項之透明導電膜，其中，相對於鋼 1莫耳之錫的莫耳比y係A:相對銦i莫耳之鋇的莫耳 比以X所表示時之（-6‘9χ10'η(χ)_ΐ 6χ1〇—)的值以 下、並且在㈠·ΐχ1〇Λη(χ)+1·8χ1(Γΐ)之值以下的範圍。 .如申請專利範圍第丨至4項中任—項之透明導電膜，其 中相對於銦1莫耳之錫的莫耳比y為：相對銦1莫耳 之鋇的莫耳比以x所表示時之（-8.1xl(T2Ln(x)-2.6x W。之值以下、並且在（_7. lxl〇-3Ln(x)+1. 6χΐ(Γΐ)之 以下之範圍。 6.如申請專利範圍第5項之透明導電膜，其係在水之分壓 為1· 0x10 3Pa以上1· 0xl0-iPa以下之條件下成膜者。 320645 34 200923112 7.如申請專利範圍第1至4項中任一項之透明導電膜，其 係在成膜後’藉由退火製成結晶化之膜。 8·如申請專利範圍第5項之透明導電膜，其係在成膜後， 藉由退火製成結晶化之膜者。 9·如申請專利範圍第6項之透明導電膜，其係在成膜後， 藉由退火製成結晶化之膜者。 前述之退 10. 如申請專利範圍第7項之透明導電膜，其中 火是在100t至30(TC進行。 前.述之退 11. 如申請專利範圍第8項之透明導電膜，其中 火是在100t至300t進行。 前述之退 12. 如申請專利範圍第9項之透明導電膜，其中 火是在lOOt：至300°C進行。 退火後之 13·如申睛專利範圍第7項之透明導電膜，其中 透明導電膜的電阻率為5. 0χ10—4Ω · cm以下 14. 如申請專利範圍第8項之透明導電膜，其中，退火後之 透明導電膜的電阻率為5.0χ1(Γ4Ω · cm以下。 15. 如申請專利範圍第9項之透明導電膜，其中，退火後之 透明導電膜的電阻率為5. 〇x1〇-4q ·⑽以下。 申明專利範圍第1〇項之透明導電膜，其中，退火後 17之透：導電膜的電阻率為5.0χ1(Γ4Ω · cm以下。 申明專利範圍第11項之透明導電膜，其中，退火後 18 t明導電膜的電阻率為5._—4Ω 以下。 明專利範圍第12項之透明導電瞑，其中，退火後 、月^電膜的電阻率為在5· Οχ1〇—4ω · cm以下。 35 320645 200923112 19. -種翻導賴之製造方法，其係使料純化物燒結 體(該氧化物燒結體係含有氧化銦與錫，同時相對於銦 1莫耳含有〇·〇〇〇〇〗莫耳以上不足〇.]〇莫耳的鋇）的濺 鍍靶，形成含有氧化銦與錫同時含有鋇、且為非晶形之 臈之際，成膜時之水分壓係設為〗· 0xl0-4pa以上h 0x 10—iPa 以下。 20.如申喷專利範圍第19項之透明導電膜之 ，i 係使用下述_乾而顏：相對於姻丨料之錫的莫耳 比y為：相對於銦1莫耳之鋇的莫耳比以X表示時之 (^· gxlOlnOO-L 6xl0-)之值以τ、並且在㈠上 M LnCxHUxlfT1)之值以下的範圍。 扎如申請專利範圍第19項之透明導電膜之製造方法，其 係使用下述減鍍乾：相對於銦j莫耳之锡的莫耳比乂 為峋對船莫耳之鋇莫耳比以4示時之（mb i^2.6XlGl)之，下、並且在卜UX1_XHUX 1(Γ3ρ之值以下之乾圍；且成膜時之水分壓設定為l.Ox Pa以上1.〇><1〇18以下而成膜者。 22.如申請專利範圍第 Y至21射任1的透明導電膜之 ^方法’其中，在形鱗晶形職，藉由退 結晶化之膜。 取 申請糊範圍第22項之透明導電膜之製造方法，量 中，猎由前述退火進行'、 24.如申往真利㈣笛二之…曰化是在1◦◦至_。(：進行。 中申項之透明導電膜之製造方法，其 中’退火後之透明導電膜的 ⑽ 320645 36 200923112 « 以下者 k 37 320645
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