TW200921590A - Display unit and method of manufacturing the same - Google Patents

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200921590 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種顯示單元，其係 電致發光顯示器或液晶顯示器， ·''例如有機 ^ ± 益且亦關於其製造方法。 本發明包含關於2007年10月19日向 本專利中請案㈣〇7_272754號之標的本請之日 引用方式併入本文。 、’、全部内容藉由 【先前技術】 近年來，下-代顯示H之發展因為增加對於節省空間、 Μ度、低功率消耗及等等之需求而積極進行。在此狀況 下，使用有機發光元件之有機電致發光顯示器（有機孔顯 為其Μ此等需求而引起關注。在有機電致發光 顯不器中，寬視角係由於其發光特徵而可用。更甚者，因 為無須背光，故可實現功率節省及高回應性，且進一步減 少厚度尺寸。此外’當將塑膠板用作基板以利用對於有機 發光材料係固有之撓性本質時，有機電致發光顯示器由於 其撓性而吸引更多關注。 關於有機電致發光顯示器之驅動系統，其中一薄膜電晶 體（TFT)係用作其驅動元件之主動矩陣系統，與先前技術 之被動矩陣系統相比，可認知在回應時間及解析度方面之 優點’從而視為極適合具有以上提及之特徵的有機電致發 光顯不器。 至於用在主動矩陣有機電致發光顯示器中之薄膜電晶 體’用於控制一像素之色調的至少一切換電晶體及一用於 132637.doc 200921590 必要。一電容器 —顯示信號保持 控制有機發光元件之發光的驅動電晶體係 係連接至驅動電晶體之一閘極電極以根據 電荷。 由於其擴大之顯示器大小及先進的精細度，此主動矩陣 有機發m經受更長及更精細閘極佈線、來源信號線及 電流供應線的缺點。然而’佈線之電阻與長度成比例而盘 斷面面積成反比例地增加。電阻中之此増加導致信號波形

的失真及信號的傳輸延遲，從而導致影像品質之不均句性 及劣化。 為了降低該佈線電阻，使用例如鋁⑷)之低電阻材料可 能有用。然而，如鋁（AI)之此低電阻材料不具有足夠熱 阻。因為在一薄膜電晶體（其包括例如一閘極絕緣膜）之製 程中不可避免地會提升基板之溫度至3〇crc或更多，紹（ai) 的單獨使用可能由於熱應力而造成丘狀，從而在層間絕緣 膜中觀察到絕緣品質的退化。 例如，由日本專利公開案第2003_45966號之揭示内容顯 示一掃描線3a及一資料線6a的主要部分61 a係由例如紹戍 紹合金之低電阻金屬製成。在此，於佈線相交處，資料線 6a之一繼電器部分62a(其係由一耐火金屬製成）係佈置在掃 描線3 a及一電容線3 b下。此等經分開之佈線致能抑制在相 交處的丘狀產生，即使當繼電器部分在薄膜電晶體之製程 中曝露至高溫。 【發明内容】 然而，在以上所述之揭示内容中，因為繼電器部分62a 132637.doc 200921590 並非由低電阻金屬製成，佈線電阻增加不少，因此對於— 更大螢幕而言係有信號傳輸延遲的可能性。 附帶地，由日本專利公開案第07-86230號之揭示内容顯 不在氧氣氛圍下氧化一鋁（A1)佈線的表面後，其係用—高 炫化材料覆蓋。在此情況下，在⑽佈線及高炫化材料 間形成之氧化膜具有-電阻成分特性。在除了經分開佈線 以外之正常佈線的情況下，因為銘（Ai)佈線及高溶化材料 係透過一針孔或類似者在數點處連接，故電阻成分不成問 題。然而，當該揭示内容係應用至以上所述之經分開佈線 時，在各繼電器部分内會出現電阻成》，因此下層之低電 阻特徵係極少有效率地使用’猶如其係藉由上耐火金屬單 獨組態。結果’其係難以足夠地減少佈線電阻，導致信號 波形之失真及信號的傳輸延遲’因而導致影像品質之不均 勻及劣化。 在薄膜電晶體之製裎中，士 # & ^ 有時雷射照射係施加至基板的 整個表面用於石夕結晶之目的 各丄& 士 的。在s亥情況下，即使當用一耐 火金屬覆蓋時，例如鋁（An夕把& 、 〔）之低電阻材料係亦不可使用， 因為在高溫令可能有熱阻或擴散之缺點。 有鑑於以上所述缺點，故兩 双而要k供一種能減少一經分開 佈線之佈線電阻以改進爭伤σ 'ν像口口貝的顯示器，及其製造方 法。 〜η印從供一種顯示單元， 一絕緣基板上包括複數條 致條形成以不同方向延伸之佈線、 溥膜電晶體及一顯示元件 如 在該複數條佈線間，其至少 132637.doc 200921590 者係一經分開佈線，該佈線具有一交越（crossing)部分，其 係形成在一與該複數條佈線之另一佈線的相交處；及一主 要部分，其係形成在與該複數條佈線之另一佈線相同的一 層中’該複數條佈線具有一絕緣膜於其間，且該主要部分 係經由一在该絕緣膜中提供之導電連接電連接至該交越部 分。在該主要部分及該交越部分間’其至少一者包括從絕 -、緣基板側依序堆疊之一第一層及一第二層。該第二層係直 接接觸该第-層且係由-熔點比該第一層更高的材料製 成。 根據本發明之—具體實施例係提供一種製造顯示單元的 方法’該顯示單元係從在―絕緣基板上形成複數條佈線之 步驟構成，該複數條佈線包括一來源信號線及一閘極佈 線、一薄膜電晶體及一顯示元件。形成該複數條佈線之步 驟包括在與該閘極佈線之一相交處形成該來源信號線的一 交越°卩刀，在該交越部分形成於其上之該絕緣基板上形成 C)、’邑緣膜，且在該絕緣膜上形成該來源信號線之一主要部 刀亥閘極佈線，及在該絕緣膜中提供一導電連接用於電 連接該主要部分及該交越部分之步驟。在形成該來源信號 線之该交越部分的步驟中，一第一層及一由一熔點比該第 層更鬲之材料製成的第二層係從該絕緣基板側依序連續 地形成。 在本t明之具體實施例的顯示單元中，因為該第一層及 由熔點比該第一層更高之材料製成的該第二層係彼此直 接接觸’故減少該交越部分的電阻。此允許被分開之佈線 132637.doc 200921590 減少其佈線電阻，從 ^ ^ 抑制信號波形之失真及信號的傳輸 乙遲專專’以致改進影像品質。

由㈣本發明具體實施例的顯示單元，因為一第一層及一 由一炼點比該筮_ s * A 技縮 更馬之材料製成的第二層係彼此直接 接觸，故降低一交赭卹八1 ^ " 11刀的電阻。此允許被分開佈線減少 佈線電阻，從而抑制作 °喊波形之失真及信號的傳輸延遲等 寺，以致改進影傻σ @ , , ,、 、°〇質。根據本發明具體實施例之顯示單

:的裝k方法’因為第—層及第二層係連續地形成，形成 叙月之具體實施例的顯示單元的變得更容易。 本發明之其他及進_ + 進步目的、特徵及優點可從下面的說 明更完全明白。 【實施方式】 一以下將參考圖式詳細說明本發明之具體實施例。 第一具體實施例 圖1 ‘4不根據本發明之第一具體實施例的顯示單元之 組態。該顯示單元係用作超薄彩色有機EL顯示器及等等， 且典型係依一顯示區11〇(其係從以後提及之複數個配置在 矩陣中的有機發光元件10R、1〇G及1〇B構成)係佈置在一 。玻离或塑膝製成之絕緣基板11上，而一信號線驅動 電路1 20及一掃描線驅動電路i 3〇(其係視訊顯示器之驅動 器）係圍繞顯示區11 〇形成之方式組態。 像素驅動電路1 4 0係形成在顯示區1 1 〇中。複數條閘極 佈線XI係成列配置且複數條來源信號線Y1係成行配置在 像素驅動電路140上。個別閘極佈線X1及來源信號線Y1間 132637.doc 200921590 之各相交係逐一地對應於有機發光元件i〇r、及 _(子像素)之任一者。來源信號線γι之各者係連接至信 號線驅動電路120，以致一影像信號係從信號線驅動電路 no經由來源信號線Y1供應至下文提及之—寫人電晶體m 之源極電極。閘極佈線X1之各者係連接至掃描線驅動電路 130，因此一掃描信號係從掃描線驅動電路13〇經由閘極佈 線XI順序地供應至寫入電晶體Tr2之閘極電極。 、 〃圖2係像素驅動電路140之一範例。像素驅動電路140(其 係在下文提及之第一電極13的一下層中形成)係一主動驅 動電路，其包括一驅動電晶體Trl、寫入電晶體Tr2、一電 谷器Cs及有機發光元件10R(或1〇(3、1〇B)。 寫入電晶體Tr2之閘極電極係連接至閘極佈線χι，其源 極電極係連接至來源信號線Y i，且其沒極電極係連接至驅 動電晶體Trl之閘極電極及電容器^的一末端。驅動電晶 體Trl之源極電極係連接至一電流供應線γ2，其以一長度 ) 方向延伸，且其汲極電極係連接至有機發光元件1 (或 1〇G 1 〇B)。電谷器Cs之其他末端係連接至電流供應線 Y2。 圖3顯示驅動電晶體Trl及寫入電晶體Tr2的一範例◎驅 動電阳體Tr 1及寫入電晶體Tr2係一反轉交錯式結構的典型 薄膜電晶體（所謂底部閘極TFT)，其中一閘極電極15卜一 閘極絕緣臈1S2、一半導體膜B3、一蝕刻停止層154、一 n+型a矽層丨55及源極/汲極電極156係依序佈置在絕緣基板 1 1上，且最後鈍化膜1 57係形成以覆蓋整個表面。亦應注 132637.doc •12- 200921590 意的係驅動電晶體Trl及寫入電晶體Tr2之組態尤其不限於 以上所述且可為一交錯式結構（頂部閘極TFT)。 間極電極151係例如由含有選自由鉬（Mo)、鉻（Cr)、銳 (T〇、鎢（W)及鈕（Ta)組成之群組的至少一種耐火金屬之— 金屬或一合金製成。 閘極絕緣膜152例如係依一 SiNx層152A(100 nm厚）及—

SiOx層152B(200 nm厚）從閘極電極151側依序堆疊之此— 方式形成結構。較佳係，在考慮洩漏電流及容量之平衡時 閉極絕緣膜152之厚度總計係在50 nm至7〇〇 nm的量級之範 圍内。 半導體膜153(其典型係形成至1〇 nm至50 nm的厚度）係 藉由退火形成，其中一 a矽膜係用雷射束照射以獲得一多 晶矽（p矽）或一微晶矽，此退火程序係用於減少驅動電晶體 Trl或寫入電晶體Tr2之臨限值偏移的誘發所需。即，在用 於有機電致發光顯示器之薄膜電晶體中，為人已知的係對 於閘極電極之長時間電壓施加可誘發臨限電壓的一偏移。 最糟的係’只要有機發光元件丨〇R、i 0G及i 〇B發光，因為 用於有機電致發光顯示器之薄膜電晶體需要被連續供給能 ϊ，故更易於誘發臨限值偏移。當驅動電晶體Trl之臨限 電壓偏移時，通過驅動電晶體Trl之電流量係改變，從而 構成各像素之有機發光元件1〇R、1〇(}及1〇8的亮度亦改 變。為了減少驅動電晶體Tr丨之臨限值偏移，藉由退火使 半導體膜1 53結晶化係有用，以致其一通道區可由多晶矽 或微晶砂形成。 132637.doc 200921590 蝕刻分止層154係由SiNx、Si〇x4 si〇N製成，且典型分 别形成為50 nm至500 nm的厚度，明確言之係2〇〇 nm的量 級。 該〇+型3矽層155典型係形成為10 nm至300 !^的厚度， 更明確言之係100 nm的量級。 源極/汲極電極156具有一例如一銘（A1)層及一鈦（Ti)層的 堆疊結構。 Π 圖4係一在圖2中所示之像素驅動電路140的平面組態， ‘ 且圖5顯示在圖4之來源信號線γι及閘極佈線幻及電2供 應線Y2間的相交。閘極佈線χι及電流供應線則、以寬度 方向延伸。以長度方向延伸之來源信號線γι係垂直於閘極 佈線XI及電流供應線Υ2交越。 來源信號線丫！係在與閘極佈線X1及電流供應線Υ2之相 交處分成-主要部分m及一交越部分160β交越部分⑽ 係在與閘極電極151相同的-層中形成，且主要部分170係 ，在與源極/汲極電極156、閘極佈線XI及電流供應線Υ2相同 之層中形成’其間具有一閘極絕緣膜152。交越部分⑽ 及主要部分1 70係經由一在閘極絕緣膜1 52中提供之導電連 接1 8 0電連接。 圖6顯不交越部分16〇之斷面組態。交越部分⑽從絕緣 基板U側依序包括-第-層161及-由具有比第一層161更 面炫點的材料製成之第二層162。 第一層⑹係例如由含有選自由紹（Α1)、鋼（cu)及銀(Ag) 組成之群組中的至少一種低電阻金屬的一金屬或一合金製 I32637.doc -14- 200921590 成。第一層1 61之厚度需要根據必要電阻決定，但從熱阻 之觀點而言’較佳係50 nm至1000 nm之量級的厚度。第一 層1 61之組態可為一單一結構或一包括兩層或兩層以上之 堆疊結構。 第一層162係由具有比第一層161更高炼點的一材料製 成°更明確a之，構成第二層162之一成分材料的範例包 括含有選自由鉬（Mo)、絡（Cr)、鈦（Ti)、鎢（W)、鈕（Ta)、

釩（V)、鈮（Nb)、鎳（Ni)及鎂（Mg)組成之群組的至少一者之 一金屬或合金。尤其係，所謂耐火金屬或其（如鉬（M〇)、 鎢（W)、钽（Ta)及鈮（Nb))一合金係最佳。或可從例如氧化 銦或氧化鋅之一化合物導電材料構成。即使當其熱阻係低 時亦需要調整第二層162的厚度以防止在第一層161中之任 何麻煩，及較佳係例如厚度為1〇 11111至2〇〇 nm之量級。第 二層162之組態可為一單層或一包括兩層或兩層以上之堆 疊結構。 因為第-層⑹及第二層162係如後續所提連續地形成， 其彼此直接接觸且未在其間形成—天絲面氧化膜。此使 得顯示單元可減少來源信號線们之一佈線電阻，從而改進 影像品質。 交越部分1 60之上表面及側面係用 一覆蓋層164覆蓋。因 為覆蓋層164覆蓋第一層 第一層1 61之熱阻係低時 等。結果，改進了閘極絕緣膜152的耐壓 由包含具有比第一層161更高熔點的至少 161之側面以防止其曝露，即使當 ’亦可抑制由退火造成之丘狀等 性。覆蓋層164係 一種耐火金屬的 132637.doc • 15- 200921590 一材料或一合金製成，如典型選自由鉬（M〇)、鎢（W)、钽 (Ta)及鈮（Nb)組成之群組。 主要部分1 70例如具有一類似源極/汲極電極丨56之鋁（A1) 層及鈦（T i)層的堆疊結構。

交越部分160及主要部分17〇之位置係考慮雷射束⑶之 照射區域R來決定用於將半導體膜1 53退火，如圖9中所 示。在此，交越部分1 60係在雷射束lb之照射區域R外部 形成。因為用雷射束LB照射係一 400。〇或更高的熱處理， 即使第一層161 (典型係由低電阻金屬構成）係用主要由耐火 金屬製成的第二層162覆蓋，亦有在此高溫下之熱阻或擴 散的可能性。因此，較佳係在雷射束LB之照射區域R外部 形成父越部分160，以避免由雷射束]^3造成之熱損害。 圖7係顯示區110之一斷面組態。發射紅色光之有機發光 70件1 〇R，發射綠色光的有機發光元件10G及發射藍色光 的有機發光元件1 0B係在顯示區丨丨〇上依次排成陣列以整體 形成一矩陣。應注意的係有機發光元件10R、10G及10B具 有—平面矩形組態，且相鄰之三個有機發光元件丨、 l〇G及10B的結合構成一像素。 有機發光元件10R、10G及1〇B之各者係依一在以上所述 像素驅動電路14()中提供之驅動電晶體ΤΗ，—平坦化絕緣 膜12 ’ -作為陽極之第—電極13，一電極間絕緣臈Μ，一 包括下文所述發光層之有機層15,及-作為陰極之第 極16係從基板11側依序堆疊之此-方式組態。

此等有機發光元件1〇R 10G及10B係視需要用一典型由 132637.doc -16 - 200921590 氮切（㈣)或氧切（Si〇)製成之保護膜17覆^接著， 一典型由玻璃製成之密封基板21係進-步層壓在保護膜17 之正個表面上，其間具有一典型由熱固性樹脂或紫外線固 化樹脂製成之點著層30，用於密封之目的。-遽色器22及 一成為黑矩陣的来神紅：樹/ 土 -、 尤遮蔽膜（未顯不）可視需要佈置在密封基 板21上。 驅動電晶體Τ Γ 1伟姑rli L τ '、、，i由一在平坦化絕緣膜丨2中提供之連 接孔12A電連接至第一電極η。 平坦化絕緣膜12(其係用於使其上形成像素驅動電路14〇 土板1的面平坦化所需)較佳係由一具有良好圖案精確 度的材料製成’用於促進一精細連接孔12八的形成。平坦 化絕緣膜12之成分材料的範例包括例如聚醯亞胺之有機材 料，及例如氧化矽（Si〇2)的無機材料。 第一電極13係分別對應於有機發光元件10R、10G及10B 开/成0為第電極13具有一成為反射從發光層發射之 光的反射電極之功能，故需要有盡可能高之反射比以提升 發光效率$冑極13(典型係形成至⑽_到}刚㈣的 厚度）係由如銀（Ag)、紹（A1)、鉻（Cr)、鈦（Ti)、鐵（Fe)、銘 (Co)鎳（Νι)、鉬（Mo)、銅（Cu)、组（Ta)、鎢㈤、銘（pt) 及金（Au)之金屬元素的單質或合金製造。 電極間絕緣膜14確保第一電極13及第二電極關的絕緣 及精確地確保發光區之-所需形狀。其典型係由例如聚醢 亞胺之有機材料’或例如氧化石夕（Si〇2)的無機絕緣材料製 成。在此，開口係在對應於第一電極13中之個別發光區的 132637.doc 200921590 電極間絕緣膜14内提供。有機層15及第二電極16可不僅在 發光區上且亦在電極間絕緣膜14上連續地延伸。無論如 何，光係僅透過在電極間絕緣膜14中提供之開口發射。 有機層15在此係以一電洞注入層、一電洞傳送層、一發 光層及一電子傳送層（其皆未顯示）係從第一電極1 3側依序 堆疊之此一方式形成結構。然而，除了發光層以外其並非 始終不可或缺，且可視需要提供。此外，有機層15可取決 於個別有機發光元件l〇R、10G及1〇B之發射色彩不同地組 態。電洞注入層增加電洞注入效率以及運作為一用於防止 洩漏電流之缓衝層。電洞傳送層具有一增加傳送電洞至發 光層之效率的功能。當施加一電場時發光層發光，因為其 誘發電子及電洞的復合。電子傳送層增加傳送電子至發光 層的效率。有機層15之成分材料可為一般低分子量或聚合 物有機材料，且尤其係不加以限制。 第一電極16(其典型係形成至5 nm到5〇 nm的厚度）係由 例如鋁（A1)、鎂（Mg)、鈣（Ca)及鈉（Na)之一金屬元素的單 質或合金製成。尤其係，鎂及銀的合合金），或鋁 (A1)及鋰（Li)的合金（AlLi合金）係符合需要。第二電極“可 由ITO(銦錫複合氧化物）或IZ〇(銦鋅複合氧化物）製成。 此顯示單元可例如依以下所述方式製造。 圖8A、8B及9係用於解釋顯示單元之製造方法的視圖。 顯示單元之製造方法典型包括—在基板"上形成上述之像 素驅動電路140的步驟，及一形成有機發光元件i〇r、1〇(} 及10B的步驟。 132637.doc -18- 200921590 形成像素驅動電路1 4〇之步驟 首先’如圖8Α中所子， 層⑹及第二層162#“ 上所述之材料及厚度的第— 之A板11上、二…、型藉由濺鍍方法在以上所述材料 連續形成，而無須曝露在大氣中。接著，其传 藉由例如微影錄列另名I W 其係 ，… 刻形成成為-預定形狀，以致獲得 該父越部分160。因為笼 „ A. 于 口為弟一及第二層16丨及 成’故其係彼此直接接觸以阶… 竹運續地形 防止形成具有如一電阻成 Ο

L 特性的天然氧化膜或類 飞類似者。此允許交越部分160減少 從而致能減少來源信號線Y1的佈線電阻。’、 164其血後Λ如圖沾中所示，由以上所述材料製成之覆蓋層 〃型.系藉由一濺鍍方法形成，及藉由微影蝕刻及蝕刻 形成預定形狀’以致交越部分160之上表面及側面係 用覆盖層164覆蓋。同時，閘極電極151係使用與覆蓋層 164相同的成分材料形成。依此方式係、簡化生產程序。 其後，以上所述材料及厚度之閘極絕緣臈152及半導體 膜153典型係藉由電漿CVD(化學汽相沈積）形成。 接著，半導體膜153係用雷射束LB照射，用於使用一固 態雷射振盪器退火以使構成半導體臈153之3矽結晶化。此 時，如圖4中所示，雷射束1^3使其長度尺寸比像素大小稍 乍點，且沿著像素之次要轴方向掃描。即，因為雷射束 LB之照射區域尺係藉由圖9之陰影部分界定，其顯示驅動 電曰a體Tr 1及寫入電晶體Tr2係形成於雷射束lb之照射區域 R内’但交越部分1 60係形成於照射區域r外。因為雷射束 LB之照射係能因此避免交越部分16〇，其允許第一層161不 132637.doc -19. 200921590 二：避=於在雷射照射下之峨或更高的高溫 相害，同日守亦可依一高處理速率處理。 如同雷射束LB’可使用一具有如像素大小之相 =轴尺寸的準分子雷射束’以致照射係藉由在 方向中重複像素長度段差移動及脈衝照射來施加。 在用雷射束LB照射半導體膜153後，以上所述厚度 料之姓刻停止層154係形成在結晶化半導體膜153上，接著 其係藉由例如一蝕刻程序形成為預定形狀，以致蝕刻停止 層154了僅留在最後將成為通道區之一區域上。 在形成㈣停止層154後，以上所述厚度之n+型㈣層 係例如藉由CVD程序在勉刻停止層154及結晶化半導體 膜153上形成，接著藉由蝕刻形成為預定形狀。 在形成n+型a石夕層155後，以上所述材料之源極/沒極電極 156係例如藉由㈣形成在其上，接著其典型係藉由餘刻 形成為預定形狀。此時’由以上所述材料製成的閑極佈線 XI、電流供應線Y2及來源信號線γι之主要部分17〇係亦形 成及連接至源極/汲極電極丨5卜來源信號線γι之主要部分 Π0係經由在閘極絕緣膜丨52中提供之導電連接18〇連接至 交越部分160。此外，係形成鈍化臈157以覆蓋整個表面。 依此方式，如圖1至6中所不之像素驅動電路丨4〇係因此完 成。 形成有機發光元件10R、10G及10B之步驟 其後，平坦化絕緣膜12係藉由典型地藉由例如一旋塗方 法接著曝光與顯影將以上所述材料施加於像素驅動電路 132637.doc -20- 200921590 140 上。 之後，在平坦化絕緣膜12上，由以上所述材料製成之第 -電極13係例如藉由Dc濺鑛 /成之第 it- ^ 接者例如藉由微影技 術選擇性钮刻以圖案化成為預定形狀。其後，以上所述厂 曰 度及材料的電極間絕緣膜】4#、典型地藉由CVD形成: 開口係例如使用微影技術在電極間絕緣膜]4中形成。之 後’以上所述材料的有機層15及第二電極Μ係例如藉由一 蒸鑛方法順序地形成，以致獲得有機發光元件贿、1⑽ 及湖。接著，由以上所述材料製成之保護膜⑽形成以 致覆蓋有機發光元件l〇R、l〇G及10B。 其後，黏著層30係在保護膜17上形成。接著，係製備由 以上所述材料製成^具有濾色器之密封基板2卜接著，基 板η及密封基板21係接合在一起，其中黏著層3〇係在其 間。依此方式，如圖7中顯示之顯示單元係因此完成。 在顯示單元中，當一給定電壓係橫跨第一電極13及第二 電極16施加時，電流通過有機層丨5之發光層以誘發電洞及 電子的復合，從而發生發光。此光透射第二電極16、保護 膜Π及密封基板21且被擷取。在此，來源信號線γι係分成 主要邠刀170及交越部分16〇，且在交越部分“ο中，由— 低電阻金屬製成之第一層161及由具有比第一層161更高熔 點之材料製成的第二層162係彼此直接接觸以致減少交越 部分160之電阻。此實現來源信號線γ〗之更小佈線電阻， 從而抑制信號波形之失真及信號傳輸延遲等等，以改進影 像品質。 132637.doc -21 - 200921590 如以上所述，在本具體實施例之顯示單元中，因為來源 信號線Y1係分成交越部分160及主要部分17〇，且在交越部 分160中，第一層161係直接接觸由一具有比第一層16丨更 高熔點的材料製成之第二層162，交越部分16〇之電阻係降 低。此允許來源信號線γ丨減少佈線電阻，從而抑制信號波 形之失真及信號的傳輸延遲等等，以改進影像品質。此

外，在本具體實施例之顯示單元中，因為第一層IN及第 二層162係順序地形成，故簡化了本具體實施例之顯示單 元的製程。尤其係，其係適於庫用5古拖雨 你週7、應用至有機電致發光顯示 器，其中發光性能對於由驅動電晶體 造成的電流流動之量中的波動敏感。 第二具體實施例 丁rl中之臨限值偏移 係構成在-根據本發明之第二具體實施例的顯示單 凡中提供之來源信號線Y1的交越部分16〇的斷面組態。本 具體實施例係與第一具體實施例相 11¾ 笼 M m a 除了在—絕緣基板 11及一第一層161間增加一第三 诨I 03 u外，以致 160可成為三層結構。因此， 乂越4刀 ^ 丄 下文中’對應於第一呈體 實施例中者之成分元件係藉由相同參考數字指示 第三層163係提供以覆蓋第—層 曰不 Μ ^ , λ - 的底面，其係由一低 電阻金屬構成，以致第一層161係 择由雷射昭身+ a #、土 λ、 罪地交到保護避免一 措田田射照射加熱造成的熱損宝， 壓性係進—+ &戈m L 閘極絕緣膜152之抗 /尖丨土你步改進。因此，第二思,η 乐一層163係 層丨6丨更高熔點的材料製成。更明確古 具有比第一 之一成分；W·极λα μ / , & 。之’構成第三層163 之成刀材枓的靶例包括含有選自 _ (Mo)、鉻（Cr)、鈦 I32637.doc •22· 200921590 ㈤、鶴（w)、组（Ta)、鈒（v)、銳（狗、錦⑽制（⑽組 成之群、.且的至〃者之一金屬或合金。或者，第三層w :由-如氧化銦或氧化辞的化合物導電材料製成。較佳係 第三層163例如形成至1〇 _到2〇〇麵的厚度，因為為了製 造便利，較佳係第二層162、第一層161及第三層酬共 同地蝕刻，以致其斷面可為向前漸縮形狀。第三層1〇可 為一單層或一包括兩層或兩層以上的堆疊結構。 應注意的係，在本具體實施例中，在構成交越部分16〇 之第一至第三層161至163間，若至少第一層161及第二層 162係彼此直接接觸即已足夠。此係因為來源信號線γι之 主要部分170係經由覆蓋層！ 64連接至第二層162，故第三 層163對於佈線電阻不施加直接影響。亦需要第三層163係 藉由一天然氧化膜與第一層161分離以避免彼此直接接 觸。此係因為希望經由一天然氧化膜避免一在層間之直接 接觸以致其不影響電阻’且第三層1 63係一對於佈線電阻 幾乎不施加影響的部分。然而，因為連續膜形成在製造方 面更簡單’故第三層163可在第一層161上連續形成以與之 直接接觸。 顯示單元可依類似於第一具體實施例之方式製造，除了 以上所述厚度及材料之第三層1 63以外，當形成交越部分 1 60時第一層i 6丨及第二層i 62係從絕緣基板丨丨側依序堆 疊。在此情況下，第三層163、第一層161及第二層162可 連續地形成，或僅第一層161及第二層162可連續地形成。 第二具體實施例 132637.doc -23· 200921590 圖π顯示當將本發明應用於一液晶顯示器時之斷面組態 的範例。除了顯示元件係從液晶顯示元件構成以外，本= 體實施例係完全與以上所述第—及第二具體實施例相同了 且其操作及效應係亦相同。因此，對應於第一及第二具體 實施例中者之成分元件係藉由描述中之相同參考數字指 示0 儘官在此不限制液晶顯示元件的組態（尤其如圖丨1中顯 示）’ TFT係對應於各像素在絕緣基板u上形成，且例如二 平坦化絕緣膜42及-由ITO(氧化銦錫）製成之像素元件電 極43係在其上被形成。一由Ιχ〇製成且係在一由玻璃等製 造的相對基板44上形成之共同電極45係配置以面對像素元 件電極43 ’其中-液晶層46在其間。偏光板47係分別形成 在基板U及相對基板44上’因此其光學軸（未顯示）係彼此 正交。耗並未說明，應、注意的係其他抓、電容元件、 佈線及等等係在絕緣基板丨丨上提供。 模組與應用範例 下文中將描述根據以上所述具體實施例之顯示單元的應 用範例。以上所述具體實施例的顯示單元係可應用於一在 任何領域中之電子設備的鞀+ . , , _ 两扪頌不窃，例如電視裝置、數位相 機、膝上型個人電腦、包括一 -5Γ ^ -i' ^ „ , J搞式電活及視訊相機的個 人數位助理器件，只要盆顯千 〜aL * * 女/、顯不一從外部輸入或内部產生之 視訊信號成為一影像或視訊。 以上所述具體實施例的 顯示單元係内建於下文所述應 用 132637.doc •24- 200921590 ㈣1至5所示的各種類型之電子設備中，如圖12中顯示 之’。該模組典型係依一曝露區21〇以自密封基板21 及黏者層3G曝4之此—方式在—基板11的-側上提供的方 式’’且心以致偽號線驅動電路12〇及—掃描線驅動電路 130的佈線可朝曝露區210延伸以在其上形成-外部連接端 子（未顯示）。該外部連接端子可包括—用於輪人/輸出信號 之挽性印刷電路（FpC)220。 應用範例1 圖13顯示-應用以上所述具體實施例之顯示單元的電視 裝置的外觀。該電視|置包括―影像顯示#幕3⑽，其包 括例如一前面板310及一濾光玻璃32〇，且影像顯示 300係從以上所述具體實施例之顯示單元構成。 應用範例2 圖14A及14B顯示應'用以上所述具體實施例 < 顯示單元 的數位相機的外觀。該數位相機包括例如一發光閃光部分 410、一顯示部分420、一功能表開關43〇及一快門按2 440 ’且顯示部分420係從以上所述具體實施例之顯示單元 構成。 愿用蚝例3 圖15顯示應用如上所述具體實施例之顯示單元的膝上型 個人電腦之外觀。該膝上型個人電腦包括例如一本體 510、-用於輸人字it等等之鍵盤52G及—顯示影像之顯干 部分530,且顯示部分530係從以上所述具體實施例的顯示 單元構成。 132637.doc -25- 200921590 應用範例4 圖〗6顯示應用以上所述具體實施例之顯示單元的視訊相 機之外觀。該視訊相機包括例如一本體部分61〇、一安裝 在本體部分610的前面上用於投射物體之透鏡62〇、一當投 射時操作之開始/停止開關63〇及一顯示部分64〇 ^顯示部 分640係從以上所述具體實施例之顯示單元構成。 應用範例5

圖17A至ΠΟ顯示應用以上所述具體實施例之顯示單元 的可攜式電話之外觀。該可攜式電話係依—上外殼71〇及 下外忒720係與一連接點（鉸鏈部分）73〇連接之此一方式 組態’且包括例如一顯示器74〇、一子顯示器75〇、一圖像 光760及一相機770。顯示器74〇或子顯示器75〇係從以上所 述具體實施例之顯示單元構成。 範例 此外，本發明之詳細範例將在下文中解釋。 範例1 像素驅動電路14G係依與以上所具體實施例類似 之方式形成。首先，由一鋁鎘合金製成至3〇〇⑽厚度之第 一層161及由鉬（Mo)製成至5〇 nm厚度的第二層162,係藉 由-濺鍍程序在由玻璃製成之絕緣基板n上連續地形成： 其未曝露至大氣。接著’其係藉由微影㈣及㈣形成為 一預定形狀以獲得交越部分“〇(參考圖8a)。 、其後：由鉬(M〇)製成之覆蓋層164係藉由錢程序形 成’接著藉由微影蝕刻及蝕刻形成為預定形狀以覆蓋交越 132637.doc •26· 200921590 部分1 6 0之上表面及伽而 ρη * 汉側面冋時，閘極電極151係用與覆蓋 層164相同的材料形成（參考圖8Β)。 其後’閘極絕緣膜152及半導體膜153係藉由電聚CVD形 成。閘極絕緣膜152具有一包括一 層152A(100⑽厚） 及-SiOx層152B⑽⑽厚）之堆疊結構。半導體膜153係 由非晶性聚石夕氧（a石夕）製造且形成至3〇_的厚度。 之後丨導體膜153係使用_固態雷射振盡器以雷射束 LB照射（退火）以使構成半導體膜ΐ53〇石夕結晶化。此時， 當雷射束_像素的次要轴方向掃描時，雷射束LB之長 度尺寸係比如圖4中顯示之像素大小稍窄，以致雷射束^ 係照射至藉由如圖9中顯示之陰影區域界定的照射區域， 避開交越部分1 60。 在用雷射束LB照射半導體膜153以後，由驗製成至 2〇〇⑽厚度的敍刻停止層154係在結晶半導體膜153上形 成，且係藉由一韻刻程序形成至預定形狀，因此钮刻停止 層154係僅留在一最後將成為通道區的區域内。 在形成敍刻停止層154後，石夕層155係在飯刻停止 :154及結晶半導體膜153上藉由一cvd程序形成至_ _ 厚度，及藉由一蝕刻程序形成為預定形狀。 在形成n+型㈣層155後’源極/㈣電極156(其係藉由— 濺鑛方法堆疊-銘⑽層及一鈦㈤層形成）係形成在其上 且接著藉由一钮刻程序形成為預定形狀。同時，閉極佈線 X1、電流供應線Y2及來源信號線γι之主要部分17〇係亦類 似地藉由堆疊一紹（A1)層及一欽⑼層形成’及係連接至 132637.doc •27· 200921590 源極/汲極電極156。來源信號線Y1之主要部分17〇係經由 在閘極絕緣膜1 52中提供之導電連接1 8〇連接至交越部分 160。此外，係形成鈍化膜157以覆蓋整個表面。依以上所 提的此方式，係製造在圖丨至6中顯示之像素驅動電路 140。 範例2 像素驅動電路140係依類似以上所述範例}之方式形成 除了已使交越部分160成為如具有如上所述第二具體實施 例之三層結構。此時，第三層163係由鉬（Mo)製成至50 nm 的厚度。第一層161及第二層162係在纟曝露至大氣中連續 地形成。 比較範例1 一像素驅動電路係依類似於以上所述範例丨之方式形 成，除了 一第一層在形成後曝露至大氣中一次接著一第二 層在數小時後形成。 比較範例2 、一像素驅動電路（其中佈線係未如圖18中所示分開）係形 成。首先，整個來源信號線们係在一絕緣基板8ιι上形 成。如在其斷面中檢視到，來源信號線们之結構且有如範 例1的交越部分160由第-層及第二層製成之堆疊結構。然 而，未連續地形成第-及第二層。更明確言之，在形成一 藉由減鍵方法由紹锡合金形成至3〇〇 nm厚度的第一層861 後：其係曝露至大氣。數小時後，一由峰。)製成至5〇 旱又的第一層862係形成’接著其係藉由微影蝕刻及蝕 132637.doc •28- 200921590 刻形成為預定形狀。 其後，一驅動電晶體Trl及類似者係依類似於範例1之方 式形成，除了未執行對於半導體膜的雷射照射以外。具有 一鋁（Α1)層及一鈦（Ti)層之堆疊結構的一閘極佈線XI及一 電流供應線Y2係當源極/汲極電極形成時形成，接著其係 連接至源極/汲極電極。 佈線電阻之評估 佈線電阻之測量係針對範例丨及2與比較範例丨及2中橫跨 個別佈線（長度300 mm且寬度5 μηι)之兩個末端獲得的個別 來源信號線實行。包括一鋁（Α1)層及一鈦（Ti)層之堆疊結 構的一引線區段係在測量點之個別佈線的兩個末端處形 成，因此一用於測量之接觸端子係接觸用於測量之引線區 段。結果係顯示於表1中。 表1 來源 信號線 第一層 -----— 第三層 連續形成(第1/第 2層之直接接觸） 雷射 佈線 電阻 (ΚΩ) 範例1 分開 Al-Nd Mo - 照射 10 範例2 分開 Al-Nd Mo s Mo 實行 照射 10 " 比較 範例1 分開 Al-Nd — Mo ----- 未實行 照射 60 比較 範例2 未分開 Al-Nd Mo 未實行 未照射 10 如表1所不’對於其中交越部分16〇係藉由連續形成第一 層161及第一層162形成之範例丨及2，佈線電阻係等於八卜 Nd合金的電阻’其係第—層161之成分材料。另一方面， 對於其中第-層及第二層未連續形成之比較範例i ’佈線 132637.doc '29· 200921590 電阻等於鉬（Mo)的電阻，其係第二層162的成分材料。應 注意的係在比較範例2之情況下，即使第一層及第二層係 未連續地形成，佈線電阻係被抑制至如Ai_Nd合金之電阻 的相同位準。其可能因為來源信號線γι(其中其整條佈線 /、有未分開佈線之第一及第二層的堆疊結構）可能忽略 例如表面氧化膜及等等之電阻成分的影響，因為第一及第 —層係在若干點處藉由針孔或類似者連接。此外，可能第 —層係未經受照射熱之熱損害因為未實行雷射照射，或類 i 似者。 亦即，頃發現當來源信號線γι被分成交越部分1 及主 要邛刀170，且交越部分16〇係依如連續形成第一層16丨及 由一具有比第一層161更高熔點之第二層162的此一方式構 成以致兩層係彼此直接接觸時，交越部分丨之電阻係降 低，使什來源信號線Y丨中之佈線電阻係減少。 耐壓評估 耐壓評估係在範例1及2及比較範例2上實行。分別在絕 緣基板U的整個表面上，第一及第二層係形成用於範例丄 較範例2 ’且第_至第三層係形成用於範例2，以致個 I層在尺寸上係形成為—3G陶以則_的圖案。接著， ^圖案係皆用一由鉬(M〇)製成的覆蓋層徹底覆蓋。一呈有 一紹⑷）層及-鈦（Ti)層之堆疊結構的反電極係在個別圖 案上形成，其中一具有—SiN層（則nm厚）及—Si〇2層（3〇〇 nm厚）之堆疊結構的絕緣膜係在其間。 電壓係分別橫跨_ i r 、垮在fe例1及2與比較範例2中獲得之圖 132637.doc •30- 200921590 案’及反電極施加。若該等圖案之-通過10至7A或更多的 電μ其被視為故P章。累積故障率係因此計算。結果係顯 示於圖19中。 如在圖19中1貝不，故障率之顯著減少係在範例2的情況 下觀家至丨其中交越部分丨6〇係一包括在絕緣基板"及第 層161間增加之第三層163的三層結構。即，頃發現抗壓 !生係此藉由在絕緣基板"及第一層⑹之間提供由一具有 f 比第層161更向熔點的材料製成之第三層163來更加改 1 進。 +如以上所提，雖'然本發明已參考前面具體實施例及範例 4田述’但本發明不受限於該等具體實施例及範例，而是可 進行各種L改。例如，在以上所提之具體實施例及範例， 雖然說明係對於其中來源信號線Y1係針對各像素分開之情 況進行但亦可依相鄰像素係彼此線性對稱且且有__乘_ :-共同結晶區域之此-方式設計像素組態，以= V 晶之雷射束_照射’可針對二乘二相鄰線性對稱像素之 各對同時實行。即使在此情況下，當交越部分⑽係佈置 纟雷射束LB之照射區域R外部時，亦可獲得與第—及第二 具體實施例類似的效應。 或者，在以上所述的具體實施例及範例中，雖然說明係 僅在來源信號線Y1之交越部分⑽例如具有—包括第—及 第二層161及162的兩層結構，或包括第-至第三層161至 163的三層結構之情況下進行，其亦可使交越部分⑽及主 要部分1 70兩者具有兩層結構或三層結構。 132637.doc • 31 - 200921590 此外在如上所述的具體實施例及範例中，雖然說明係 在其中來源信號線γι例如分成交越部分16〇及主要部分17〇 之情況下進行，其亦可分開閘極佈線χι及電流供應線 Y2。 *此外，例如各層之成分材料與厚度，或用於形成層及等 等之方法及條件，係不受限於以上所述具體實施例及範例 中所解釋者，而是可使用其他材料、厚度、方法及條件。

儘管係提供特定範例以解釋以上所述具體實施例中之有 機發光元件職、窗及_的組態，但無須製備所有層， 或可另外增加另一層。 矛' 了有機發光兀件及液晶顯示元件以外，本發明亦可應 用於使用其他顯示元件之顯示單元，例如一無機電致發光 元件電沈積/電子呈色顯示元件及等等。 处月’、肩地’根據以上教示，本發明之許多修改及變化係可 能。因此應瞭解在隨附申請專利範圍之範疇内 依特定描述者外之方法實現。 … 【圖式簡單說明】 圖1顯示根據本發明之一第 組態。 一具體實施例的顯示單元之 性 電二係―顯示圖1中出現之像素驅動電路的範例之代表 電晶體 圖3係—顯示圖2中出現之一驅動電晶體及 的範例之斷面圖。 ””

圖4係一g貞千R ，‘、，員不圖2中出現之像素驅動電路之範例的平面 132637.doc -32- 200921590 圖5係-顯示一閘極佈線、電流供應線、及一在其相交 處之來源信號線的組態之透視圖。 圖6係一顯示圖5中出現之交越部分的組態之斷面圖。 圖7係一顯示圖1之顯示單元之組態的斷面圖。 圖8A及8B係依處理順序顯示圖！之顯示|元的製造步驟 之斷面圖。

圖9係一繼圖8A及8B之後的步驟之平面圖。 圖1〇係-顯示在根據本發明之第二具體實施例的顯示單 元中所提供之-來源信號線的交越部分之組態的斷面圖。 圖11係-顯示根據本發明之第三具體實施例的顯示單元 之組態的斷面圖。 一圖顯示包括根據第—至第三具體實施例之顯示單 元的模組之示意性構造的平面圖。 圖13係一顯示第—至第r且舻眘& 王弟一具體實允例之顯示單元所應用 的應用範例1之外觀的透視圖。 圖14A係一顯示從前側所見之應用範例2的外觀之透視 圖，且圖14B係一從背側所見之其透視圖。 圖15係-顯示應用範例3之外觀的透視圖。 圖1 6係-顯示應用範例4之外觀的透視圖。 圖17A係當應用範例5開啟時 了心八正視圖’圖17B係其側 視圖，圖17C係當應用範例5 、 守之其正視圖，圖17D係 其左側視圖，圖1 7E係一太彳目，丨’、 曰阁17〜甘 右側視圖，且圖”F係其俯視圖， 且圖1 7G係其仰視圖。 132637.doc -33 - 200921590 圖1 8係顯示根據比較範例2之一閘極佈線、電流供應 線’及一在其相交處之來源信號線的組態之透視圖。 圖1 9係一顯示經計算用於各範例之累積故障率的圖表。 【主要元件符號說明】

10B 有機發光元件 10G 有機發光元件 10R 有機發光元件 11 基板 12 平坦化絕緣膜 12A 連接孔 13 第一電極/陽極 14 電極間絕緣膜 15 有機層 16 第二電極/陰極 17 保護膜 21 &'封基板 22 濾色器 30 黏著層 42 平坦化絕緣膜 43 像素元件電極 44 相對基板 45 共同電極 46 液晶層 47 偏光板 132637.doc -34· 200921590 132637.doc 110 顯示區 120 信號線驅動電路 130 掃描線驅動電路 140 像素驅動電路 151 閘極電極 152 閘極絕緣膜 152A SiNx 層 152B SiOx 層 153 半導體膜 154 1虫刻停止層 155 n+型af夕層 156 源極/汲極電極 157 鈍化膜 160 交越部分 161 第一層 162 第二層 163 第三層 164 覆蓋層 170 主要部分 180 導電連接 210 曝露區 220 撓性印刷電路/FPC 300 影像顯示螢幕 310 前面板 )C -35- 200921590 ί 132637.doc 320 濾光玻璃 410 發光閃光部分 420 顯示部分 430 功能表開關 440 快門按鈕 510 本體 520 鍵盤 530 顯示部分 610 本體部分 620 透鏡 630 開始/停止開關 640 顯示部分 710 上外殼 720 下外殼 730 連接點/鉸鏈部分 740 顯示器 750 子顯示器 760 圖像光 770 相機 811 絕緣基板 861 第一層 862 第二層 Cs 電容器 LB 雷射束 )C -36- 200921590 R 照射區域 TFT 薄膜電晶體 Trl 驅動電晶體 Tr2 寫入電晶體 XI 閘極佈線 Y1 來源信號線 Y2 電流供應線 ί 132637.doc -37-

Claims (1)

1. 200921590 十、申請專利範圍： 1. 一種顯示單元，其在一絕緣基板上包含： 複數條佈線，其係形成以不同方向延伸；a 體；及一顯示元件， 日日 r 其中該複數條佈線之至少一者係—經分開的佈線，发 具有-交越部分’該交越部分係形成在—與該複數㈣ 線之另一佈線的相交處；及一主要部分，其係形成在斑 具有-絕緣膜於其間的該複數條佈線之另—佈線相同的 層中且該主要部分係經由—在該絕緣膜中提供之導 電連接電連接至該交越部分，及 該主要部分及該交越部分之至少一者包括從絕緣基板 側依序堆疊之-第-層及—第二層，該第二層係直接接 觸該第-層且係由-熔點比該第—層更高的材料製成。 2·如請求们之顯示單元，其中該第一層及該第二層係連 續地形成。 3.如請求項1之顯示單元，其中 第層係由含有選自由鋁（A1)、銅（Cu)及銀（Ag)組 成之群組的至少一者的一金屬或一合金製成，及 ^第—層係由含有選自由鉬（M〇)、鉻（&)、鈦（们）、 鳥（W)鈕（Ta)、釩（V)、鈮（Nb)、鎳（Ni)及鎂（Mg)組成 之=組的至少一者之一金屬或—合金製成。 月求項1之顯示單元，其中該主要部分及該交越部分 ^ ~者包括一第三層，其係由一熔點比該第一層更 门之材料製成，且係佈置於該絕緣基板及該第一層間。 132637.doc 200921590 5. 如請求項4之顯示單元，其中該第三層係由含有選自由 翻（Mo)、鉻（Cr)、鈦（Ti)、鎢（w)、钽（Ta)、釩（V)、鈮 (Nb)、鎳（Ni)及鎂（Mg)組成之群組的至少一者之一金屬 或一合金製成。 6. 如請求項1之顯示單元，其中該交越部分之一上表面及 一側面係用—覆蓋層覆蓋，該覆蓋層係由一熔點比該第 • 一層更高的材料製成。 7. 如請求項1之顯示單元’其中該複數條佈線包括一來源 C 信號線及一閘極佈線，該來源信號線係該經分開的佈 線。 8. 如請求項7之顯示單元，其中 3亥薄膜電晶體係藉由用雷射束之—照射將一半導體膜 退火而形成，及 該來源信號線之該交越部分係形成以致位於該雷射束 之照射區域外部。 1.) 9·種製造一顯示單元的方法，該顯示單元係從在一絕緣 基板上形成複數條佈線、一薄膜電晶體及一顯示元件之 步驟構成’該複數條佈線包括-來源信號線及-閘極佈 線， 其中形成該複數條佈線之步驟包含以下步驟： 在與該闊極佈線之一相交處形成該來源信號線的-交 越部分； 在該交越部分係形成於其上之該絕緣基板上形成―絕 緣膜；及 132637.doc 200921590 在該絕緣膜上形成該來源信號線之一主要部分與該閘 極佈線’及在該絕緣膜中提供一導電連接用於電連接該 主要部分及該交越部分，及 在形成該來源信號線之該交越部分的步驟中，一第一 層及一由一熔點比該第一層更高之材料製成的第二層係 從該絕緣基板側依序連續地形成。 1 〇·如請求項9之製造該顯示單元的方法，其中

   °亥第廣係由含有選自由銘（A1)、銅（Cu)及銀（Ag)組 成之群組的至少一者之一金屬或一合金製成，及 β亥第二層係由含有選自由鉬（Mo)、鉻（Cr)、鈦（Ti)、 鹤（W)、纽（Ta)、叙⑺、鈮⑽）、鎳⑽）及鎮⑽）組成 之群組的至少一者之—金屬或一合金製成。 11·如請求項9之製造該顯示單元的方法，其中在形成該來 源L唬線之該交越部分的步驟中，一由一熔點比該第_ 層更高的材料製成之第三層、該第一層及該第二層係從 該絕緣基板側依序連續地形成。 12.如印求項i丨之製造該顯示單元的方法，其中該第三層係 由含有選自由鉬（Mo)、鉻（Cr)、鈦（Ti)、鎢（w)、钽 (Ta)、釩（V)、鈮（Nb)、鎳（Ni)及鎂（Mg)組成之群組的至 少一者之一金屬或一合金製成。 13·如6月求項9之製造該顯示單元的方法，丨中該交越部分 之一上表面及一側面係用—覆蓋層覆蓋，該覆蓋層係由 -熔點比該第一層更高的材料製成。 14.如凊求項13之製造該顯示單元的方法，其中該薄膜電晶 132637.doc 200921590 體之一閘極電極係用與該覆蓋層相同的材料形成，其係 與該覆蓋層同時形成。 1 5.如請求項9之製造該顯示單元的方法，其中 形成該薄膜電晶體之步驟包括一用雷射束之一照射將 一半導體膜退火之步驟，及 該來源信號線之該交越部分係形成以致位於該雷射束 之一照射區域外部。 132637.doc