TW200919621A - Wafer spin chuck and an etcher using the same - Google Patents

Wafer spin chuck and an etcher using the same Download PDF

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Description

200919621 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種旋轉夾盤。更特定而_ 關於一種旋轉夾盤，其隔絕該旋轉失盤之^轉 定體之間的一空間，以及使用該旋轉失盤之蝕刻器: 【先前技術】 在半導體製程中-般可使用多種製程在— 板、-破墙面板或-流體面板上形成所想要的圖案¥體土 概δ之，-蝕刻製程代表在旋轉該晶曰 圓上預定的圖案移除金屬層的程序。同時，一钱 二：晶圓的背面上實施，以移除殘留的化學物質或異ί的 ^導體製程中亦可藉由在提供㈣劑時旋轉一 到母，刀釦一千轉(Revolution^ PerMinute) 旋轉作業。該旋轉作業可包括—清 g = 並可用於其它料㈣造料。 該，可使用-旋轉體來旋轉。該晶圓可使用真空吸 f 轉體上，或該晶圓的邊緣可機械式地©定 到該晶圓的側邊。 、疋 但疋’因為該晶圓以高速旋轉 =該晶，射出，並射到-製程處理室之壁面。該 t!:;累ί在該晶圓上，或者該晶圓物質可能因此接； ，附者，轉該晶圓的機械作業零件，而增加該半導體= 率’亚且良率也可能會因此降低。因此，本發明 it ::止一旋轉晶圓遭異常物質接觸或附著之旋轉 〜，以及-種使㈣輯夾盤的半導體製造裝置。 200919621 【發明内容】 本發明一示範性餘办丨—# 晶 旋 圓 轉失盤之-旋轉=可错由封閉由流體旋轉該晶圓的 式的粒子科與—固定體之間—空間，來防止一 可包ϊ據一供—種晶圓旋轉失盤裂置，其 間的一阻隔單^，中该固定體可包括利用流體隔絕該空 其可=供—㈣__裳置， 忐技其可方疋轉一晶圓；及一固定體，a可 定體:S二ΐυ轉體之下可具有該旋轉體與該固 突出員其中該固定體可包括隔絕該空間的- 含另一範例可提供—種晶圓蝕刻器，其可包 二皇處室，其可提供—1竭製程的-空間；二了ί 圓旋轉夾盤可包括一旋轉體，:該晶 浮起時旋轉該晶圓，—固定體惰性氣體 該旋轉體與該固定體之間-空間;、及ί:單‘之 隔絕該空間；及—化學物質供應單元，其可二化 學物質到該晶圓的表面。 ” j貝灑化 本發明不應視為限定於以上的目 =的以及其它目的、特徵及優點將可由本以 才欢視以下說明之後而更加理解。 寻菜人士在 200919621 【實施方式】 當併同附圖來進行閱★奮 上概述以及以下對本發明k詳地理解以 發明之目的’圖式中展告田u於說明本 及手段。 赞月不限於所不之精確配置 現將洋細表臺+ 例。盡其可能/所有圖^比:說明的本發明之範 代相同或相似之部分0。工白吏用相同參考數字來指 ===轉轉=置之截*圖。 轉晶圓w。該旋轉夾盤裝置，並旋 體，例如氮氣。利用噴灑氣體將：二孚=提供惰性氣 圓W實施如餘刻或清洗等半導體I1 程。喊時，即可對晶 !w的背側可被二。餘刻曰… k. 包括預定圖案的晶圓W之整:W的背側時， 旋轉體10接觸到晶圓w的整，靶因為旋轉夾盤的 藉由通過該中央通道之惰而受到損害。因此， 綱’而不需要將旋轉體r接:圓整:表的面背側的中央可 出）來提供惰性氣體給内部通道專。亚可包括—氣體泵(未示 固定體20可連接至 支撐一旋轉體〗〇。因此，鞋'"又』40，其經由一軸承50 20在當旋轉夾盤4〇旋“的軸* 50，固定體 ®為碇轉夾盤4〇與' 此當旋轉夹盤40旋轉時 ^ 可連接成一個單元，因 疋轉體10可與旋轉夾盤40 —起旋 200919621 ^。旋轉夾盤40可藉由一驅動裝置(未示出）以高速 因此，軸承50由於旋轉夾盤40的高速旋轉而亦以^轉。 轉，因此會產生粒子P。此外，由於機械摩摔，竣 或旋轉夾盤40也會產生粒子。 疋趟 所產生的粒子P會暫時停留在固定體20與 4〇之間的空間中。藉由白努利(Bernoulli)效應，各失麵 體穿過固定體20之中央時，固定體2〇之中‘壓链氣 低，且所產生的粒子可流經固定體2〇之中央p會降 子可藉由惰性氣體移動到晶圓W，並黏著到晶 jb，％ 5。因此，由於未預期異常的物質黏著到晶圓w ^ 成晶圓W的缺陷。當粒子黏著到晶圓w的整仏會埯 其會在製造半導财將可能會造成嚴重的缺陷。4時， 圖2為根據本發明之—示範性範例晶圓旋轉 ，截面圖。® 3為根據本發明之另— ，坡复 夹盤裝置之平。 關0，竣轉 盤 400。 請參照圖2,根據本發明之一示範性範 f置可包括-旋轉體1〇〇、一固定體2〇〇及 0爽 〇。 釋爽趣 旋轉體刚可配置成輪子的形狀，並 乃轉體_可包括—失盤检150，其可在固定Q，。 請參照圖3，夾盤栓150以放i夷 置在日a0的邊、核，並可朝向其中心 吹故 上述，夾盤栓15G的該直線運動可使用滑塊⑽Ϊ 。 曰y 二定體200可置於旋轉體100之下也。 ，悲，亚it中心處包括—空洞250，以允許惰性氣體ί過狀 固疋體200與旋轉體1〇〇之間的空間· 部230、270，以阻隔微細異常物質構成的粒子運動括^ 200919621 部230、270可包括-個以上的突出物件 2〇〇上。突出部230、270可包括具有圓角牛邊緣的突在出物件體 =方止由軸承5〇〇之金屬性接觸產生的粒子移動到空洞 旋轉夾盤400連接至旋轉體100成為—個 ，刚可由旋轉夾盤400的旋轉所旋轉。 由了驅動裝置(未示_高速補。旋轉缝可^ 軸承500連接至固定體2〇〇。因此，由於 、 轉夹盤400旋轉時，固定體200仍可維持^500 ’即使方疋 說明^本發明之一示範性範例晶圓旋轉^盤裝置的運作 ，了安全地承載—晶圓在—旋轉體⑽ 喷壤。當晶圓浮動‘該= i來检150到旋轉體1〇0的中 當旋轉夾盤400由一驅動裝置（未 時，連接至旋轉夾盤400之旋轉體1〇(〇未；^^ ^ =J ，藉由利用附加於旋;= 圓而旋轉。在-範例中，該晶圓的 奴轉速率不同於旋轉體100的旋轉速率。 軸承500可於固定體200與旋轉失盤 相對運動，因此當固定體縣之間進灯一 子P合I Ιϋ ί 速旋轉時，異常物質如粒 ^，口而由轴承500、固定體200及旋轉爽盤所產 明之健空、洞250，但是根據本發 23。= = ^ /υ尸/ΓII隔。因此，精由阻隔粒 即可防止粒子黏著到-晶圓的表面!子移動到Μ 250， 200919621 圖4為根據本發明之另一示範性範例晶圓旋轉夾盤裝 置之截面圖。 請參照圖4 ’該晶圓旋轉夾盤裝置可包括一旋轉體 100、一固定體200及一旋轉夾盤4〇〇。固定體200可包括 一阻隔單元’其隔絕旋轉體1〇〇與固定體2〇〇之間的一空 間240。由於旋轉體1〇〇、固定體2〇〇與旋轉夾盤4〇〇已在 先前示範性範例中說明，在此僅說明阻隔單元。 該阻隔單元可藉由流體隔絕旋轉體1〇〇與固定體2〇〇 之間的空間240。該阻隔單元可藉由將該流體喷灑到空間 240中來形成一流體阻隔層260。上述的該流體可為液體或 氣體，並且其中可包括去離子水。 該阻隔單元可包括一喷灑渠道33〇來噴灑該流體，一 收集渠道來收集所噴灑的該流體，及一泵3〇〇來提供該流 ^。因為該阻隔單元包括建構在固定體2〇〇内部的噴灑渠 迢330及收集渠道370，由喷灑渠道33〇喷灑的流體可 用收集渠道370來收集。 由所喷灑的该流體所形成的流體阻隔層260可封閉空 =240，並阻隔粒子移動。如上所述，該阻隔單元可阻g ，粒子移動，其會在旋轉體100與固定體2〇〇之間的空間 中產生，並且其實際上由形成該流體阻隔層來區隔， =需要機械式地接觸。因此，藉由阻隔該等 =體之空洞㈣中，粒子可防止累積在 面圖示範性範例晶_刻器之截 圖根據本發明另—示範之性範例的晶圓 = ^程處理室51〇、一晶圓旋轉夾盤 化學物質供應單元530。 由供㈣製程的空間。製程處理室51( 口柱體構成’其比―基板的大小或具有-多邊形截面 200919621 =容器要具有—更大的截面積。製程處理室训 一 口（未不出）’用以在蝕刻製程之後排出剩餘的物質。 果曰=„單^ 530可提供晶圓表面的_劑 '。如 Ξίϊ 3，_劑。化學物質供應單元530與該晶 23圓種以上的化學物質喷射器535，以根 據忒曰曰圓供應不同種類的化學物質。 Ϊ 一100、一固定體220、一旋轉夾盤400 ==夹盤之說明即略過’因為它們已= 如圖4所示，該阻隔單元噴灑流體進入 固定體勘之間的空間，以形成—流體阻 隔絕空間24G。上述的流體可為液體或氣體， 丄 该阻隔單元可位在固定體200中，並可包括—嗜 道M0，其供應一渠道給空間240來喷灑該流體；」l i f道370 ’其收集所噴灑的該流體；及一泵3〇〇，其可揚^ 該流體。因此，由泵300所供應的流體流經喷灑^首二 並在空間240中形成流體阻隔層260。當該流體在* 中溢流時，其自動透過收集渠道37〇收集。收 可再次地經由噴灑渠道330供應。 ，、的邊k體 如上所述，藉由在固定體2〇〇與旋轉體1〇〇 間240中形成該阻隔層，即可防止粒子移動。同日± 圓角邊緣突出部230、270，可實體上阻隔粒子移&。 當喷灑惰性氣體，並經由固定體2〇〇之空洞2夕 時，在該空洞中的壓力即藉由通過該空洞的惰性 私動 率而降低。因此，粒子可被吸入到該空洞中。=體f速 丨—疋，猎由 200919621 形成流體阻隔層260，阻隔單元及突出部230、270之實體 壁，即可阻隔粒子移動。此可防止粒子黏著到一晶圓的 面，並改善晶圓良率。 所此ί，如果惰性氣體未透過空洞250喷灑，該化學物 貝著空間240流動，並在軸承5〇〇的區域中流動。在 此範例中，軸承500可能受到侵蝕，並造成旋轉夾盤500 ，平順，轉與該驅動單元(未示出）之高速旋轉的困難。因 此，由該阻隔單元形成流體阻隔層260可防止化學物質流 承500的區域中，並侵蝕到機械運作零件， 500。 r 士上所述，根據本發明示範性範例，利 絕一旋轉夾盤的旋轉體及固定體之間的空間，即==曰曰 H同時’藉由阻隔可在旋轉夾盤中 即可防止該旋轉缝的舰。 η木物貝 Λ 明-已參照附屬圖式配合本發明之示範性範例 口 ° 本行人士將可瞭解到其可進行多種修改與變 化也皆不背離本發明之範圍與精神。因此，本行人i將 可瞭解到上述的範例並非限制性，而是涵蓋所有範例之例
TjT 〇 12 200919621 【圖式簡單說明】 本發明上述以及其它特徵與優點將可藉由以下詳細說 明示範性範例並參照附屬圖式而瞭解，其中： 圖1為一典型的旋轉夾盤裝置之截面圖； 圖2為根據本發明之一示範性範例晶圓旋轉夾盤裝置 之截面圖； 圖3為根據本發明之另一範例性範例晶圓旋轉夾盤裝 置之平面圖； 圖4為根據本發明之另一示範性範例晶圓旋轉夾盤裝 置之截面圖；以及 圖5為根據本發明之另一示範性範例晶圓蝕刻器之截 面圖。 【主要元件符號說明】 10 旋轉體 20 固定體 40 旋轉夾盤 50 軸承 100 旋轉體 150 失盤栓 160 滑塊 200 固定體 230 突出部 240 空間 250 空洞 13 200919621 260 流體阻隔層 270 突出部 300 泵 330 喷灑渠道 370 收集渠道 400 旋轉夾盤 500 晶Η旋轉爽盤 510 製程處理室 530 化學物質供應單元 535 化學物質喷射器 550 晶圓旋轉爽盤 P 粒子 w 晶圓 14

Claims (1)

  1. 200919621 十、申請專利範圍： 1. 一種晶圓旋轉夾盤裝置，其包含： 一旋轉體，其旋轉一晶圓；以及 一固定體，其夾持該旋轉體，且在該旋轉體之下具 有該旋轉體與該固定體之間的一空間，其中該固定體包 含一阻隔單元，其係利用液體隔絕該空間。 2. 如申請專利範圍第1項之晶圓旋轉夾盤裝置，其中該阻 隔單元藉由喷灑去離子水到該空間中阻隔該空間。 3. 如申請專利範圍第1項之晶圓旋轉夾盤裝置，更包含在 該固定體上至少一突出部。 4. 如申請專利範圍第1項之晶圓旋轉夾盤裝置，其中該阻 隔單元包括一喷灑渠道，其係用於喷灑該流體進入該空 間，以及一收集渠道，其係用於經由該喷灑渠道收集該 噴灑的流體。 5. 如申請專利範圍第1項之晶圓旋轉夾盤裝置，更包含一 驅動單元，其可旋轉該旋轉體。 6. 如申請專利範圍第1項之晶圓旋轉夾盤裝置，其中該旋 轉體包括複數個夾盤栓，其可夾持該晶圓。 7. 如申請專利範圍第6項之晶圓旋轉夾盤裝置，其中該夾 盤栓係位在該旋轉體的一周緣侧處，並藉由移動到一中 央方向失持該晶圓。 8. 如申請專利範圍第1項之晶圓旋轉夾盤裝置，其中該固 定體使得氣體通過位在中央處的一空洞，以防止該晶圓 接觸該旋轉體的表面。 9. 一種晶圓旋轉失盤裝置，其包含： 一旋轉體，其旋轉一晶圓；以及 一固定體，其夾持該旋轉體，且在該旋轉體之下具 有該旋轉體與該固定體之間的一空間，其中該固定體包 15 200919621 括隔絕該空間的一突出部份之至少一項。 10. —種晶圓蝕刻器，其包含： 一製程處理室，其提供一蝕刻製程的一空間； 一晶圓旋轉夾盤，其在該製程處理室中旋轉一晶圓， 其中該晶圓旋轉夾盤包括： 一旋轉體，其在當該晶圓由惰性氣體浮起時旋 轉該晶圓， 一固定體，其在該旋轉體之下具有該旋轉體與 該固定體之間一空間；以及 一阻隔單元，其利用液體隔絕該空間；以及 一化學物質供應單元，其喷灑化學物質到該晶圓的 表面。 11. 如申請專利範圍第10項之晶圓蝕刻器，其中該化學物質 供應單元喷灑該化學物質到該晶圓的一背側表面。 12. 如申請專利範圍第10項之晶圓蝕刻器，其中該阻隔單元 喷灑去離子水到該空間來阻隔該空間。 13. 如申請專利範圍第10項之晶圓蝕刻器，更包含在該固定 體上至少一突出部。 14. 如申請專利範圍第10項之晶圓蝕刻器，其中該阻隔單元 包括一噴灑渠道，用於喷灑該流體進入該空間，以及一 收集渠道，用於經由該喷灑渠道收集該喷灑的流體。 15. 如申請專利範圍第10項之晶圓蝕刻器，其中該晶圓旋轉 夹盤包括一夾盤栓，其係位在該旋轉體的一周緣侧處， 並藉由移動到一中央方向夾持該晶圓。 16
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100912701B1 (ko) * 2007-10-22 2009-08-19 세메스 주식회사 웨이퍼 스핀 척과 스핀 척을 구비한 에칭 장치
US8485204B2 (en) 2010-05-25 2013-07-16 Lam Research Ag Closed chamber with fluid separation feature
CN102269310A (zh) * 2010-06-03 2011-12-07 北京中电科电子装备有限公司 旋转接头
KR101874901B1 (ko) * 2011-12-07 2018-07-06 삼성전자주식회사 기판 건조 장치 및 방법
CN103286086A (zh) * 2012-03-05 2013-09-11 无锡华润华晶微电子有限公司 圆片清洗方法与圆片清洗装置
JP2014154776A (ja) * 2013-02-12 2014-08-25 Toshiba Corp 基板処理装置
JP6330998B2 (ja) * 2014-02-17 2018-05-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10249521B2 (en) * 2016-03-17 2019-04-02 Lam Research Ag Wet-dry integrated wafer processing system
CN107546101A (zh) * 2016-06-23 2018-01-05 上海新昇半导体科技有限公司 一种外延生长方法
KR101860839B1 (ko) * 2017-12-27 2018-05-28 주식회사 다이나테크 웨이퍼 세정 장치 및 웨이퍼 세정 방법
JP7175118B2 (ja) * 2018-07-25 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
KR20210045504A (ko) * 2018-09-14 2021-04-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 비-접촉식 회전식 유니온
KR20210037075A (ko) 2019-09-27 2021-04-06 무진전자 주식회사 마모방지기능이 구비된 스핀척 장치
CN111112186B (zh) * 2019-12-27 2022-08-09 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种晶圆片清洗设备
KR102562264B1 (ko) * 2021-08-11 2023-08-02 엘에스이 주식회사 플로팅 가스 가변 유량 제어 기능이 구비된 스핀 척 장치
KR102597414B1 (ko) * 2022-02-21 2023-11-02 (주)디바이스이엔지 기판 검출유닛을 구비한 기판 식각 처리장치
CN117066242B (zh) * 2023-10-13 2024-02-02 济南晶博电子有限公司 一种硅片清洗装置及其使用方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59154028A (ja) * 1983-02-23 1984-09-03 Hitachi Ltd ウエハ洗浄装置
DE3527516A1 (de) 1984-08-01 1986-02-13 FSI Corp., Chaska, Minn. Vorrichtung zum bespruehen von substratflaechen oder plaettchen, insbesondere fuer elektronische schaltungen oder bauteile
US5022419A (en) 1987-04-27 1991-06-11 Semitool, Inc. Rinser dryer system
JP2990409B2 (ja) * 1994-08-31 1999-12-13 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH1167650A (ja) * 1997-08-22 1999-03-09 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH11108059A (ja) * 1997-10-07 1999-04-20 Canon Inc 気体軸受装置およびステージ装置
JP2000291646A (ja) * 1999-04-08 2000-10-20 Daido Steel Co Ltd 軸受機構、それを用いたハードディスク駆動機構及びポリゴンミラー駆動機構
US6179921B1 (en) * 1999-04-19 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Backside gas delivery system for a semiconductor wafer processing system
US6536454B2 (en) * 2000-07-07 2003-03-25 Sez Ag Device for treating a disc-shaped object
EP1397827B1 (de) * 2001-05-29 2008-04-02 Aixtron AG Aus einem tragkörper und darauf gasgelagerten und drehangetriebenen substrathalter bestehende anordnung
JP4177068B2 (ja) 2002-10-08 2008-11-05 葵精機株式会社 基板処理装置およびその製造方法
KR20050003289A (ko) * 2003-06-30 2005-01-10 주식회사 하이닉스반도체 케미컬 오염 방지가 가능한 회전용 척
US7288165B2 (en) * 2003-10-24 2007-10-30 Applied Materials, Inc. Pad conditioning head for CMP process
JP2007115728A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Sumco Corp ウェーハの枚葉式エッチング装置及びウェーハの枚葉式エッチング方法
KR20070064162A (ko) * 2005-12-16 2007-06-20 삼성전자주식회사 매엽식 기판 처리 장치
KR100912701B1 (ko) * 2007-10-22 2009-08-19 세메스 주식회사 웨이퍼 스핀 척과 스핀 척을 구비한 에칭 장치

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