TW200919509A - Metal capacitor and manufacturing method thereof - Google Patents

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200919509 九、發明說明： 【考务明戶斤屬4支彳椅4員士成】 本發明係有關於金屬電容器及其製造方法，更詳而言 之，係有關於以金屬材質作為電解質而可大幅改善導電度 ' 5 之金屬電容器及其製造方法。

【先前技術;J 背景技術 以往，已有|呂電解電容器（aluminuin electrolytic capacitor)作為使從電源電路輸出之電源平滑而成固定值、 10或作為低頻旁路使用之電容器，其製造方法如下。 首先，為了增加紹箔的表面積以增加靜電電容，實施 餘刻（etching)銘箔（aiuminum f〇il)表面之步驟。在钮刻結束 後，則實施在紹落形成介電體之化學轉化(f〇rming)步驟。 在透過蝕刻與化學轉化步驟分別製造出陰極與陽極的鋁箔 15後，則實施依製品的長度將鋁箔與電解紙剪成所需尺寸的 寬度之裁斷(slit)步驟。裁斷結束後，實施將作為拉出端子 之鋁導線棒接合至鋁箔之連結(stitch)步驟。 在鋁箔與電解紙之裁斷結束後，實施將電解紙插入陽 極鋁箔與陰極鋁箔之間，然後捲成圓筒狀，且以膠帶黏著 20使其不鬆開之捲繞(winding)步驟。捲繞步驟結束後，將捲 好的元件插入鋁盒，然後實施注入電解液之浸潰 (impregnation)步驟。電解液注入結束後，實施用封口材料 封住鋁盒之捲邊(curling)步驟。在捲邊步驟結束後，實施修 復介電體損傷之老化(aging)步驟，以完成銘電解電容器之 200919509 組裝。 i:發明内容3 發明所欲解決之課題 5 10 15 然而，於最近開發之電子機器中使用如此製造之習知 鋁電解電容器時，會有以下之問題。 驾去銘電解電谷益因使用電解液作為電解質，故導電 度低，有高頻區之電阻顯著增加、電容器之阻抗增加之問 題此外S電容器之電阻高時，高頻特性會降低，且 ESR(EqmValem Series ；等效争聯電阻)變高電 f器之可#性降低，有損失增加之問題。X，由於阻抗變 高’起因於連波電流之發熱變高，可能會產生發煙、起火， 有安全性及耐環祕*適合的之問題。 本發明之目 質作為電解質， 導體作為電解質 及其製造方法。 的在於解決歧_，且提供❹金屬材 使導電度相較於過去使肖電解液或有機半 ’可改善華0〜!，_，_倍之金屬電容器 解質==目的在於提供藉由使用金屬材質作為電 ° 化、低耗損化、減少漣波發熱、長# 财熱安全性、不發煙、不起火及環境可13、 及其製造方法。 今益 解決課題之手段 為達成前述目的，本發明之金屬電容器，包含.金屬 構件’储有配置多個貫魏所形成之貫通 ㈣成於前物絲输⑽ ^ 20 200919509 屬氧化層，係形成於金屬構件；絕緣層，係在金屬構 =極拉出部與多個貫通孔分別露出之狀態下，形成於金屬 -化層’及主電極層，係以填塞形成於金屬構件之貫通孔 形成部的多個貫通孔之狀態所形成，並且導線端子分別連 5、’、《於金屬構件之電極拉出部與前述主電極層。 本發明之金屬電容器之製造方法，包含：彻dc蚀刻 方糾母材形成配置有多個貫通孔之貫通孔形成部，且形 成-體地形成有電極拉出部與填塞部之金屬構件的步驟； ，金屬構件—體地形成貫通孔形成部、電極拉出部及填塞 10 Z後，彻陽極氧化方法在金屬構件形成金屬氧化層 的化 子轉化步驟，在金屬構件之電極拉出部露出至外部之狀態 下’利用CVD方法將絕緣層形成於主電極層與金屬構件的 步驟，及利用電鍍或無電電鍍方法，在填塞已形成於貫通 孔形成部之金屬氧化層的多個貫通孔之狀態下，形成主電 15 極層的步驟。 發明效果 本發明之金屬電容器提供藉由使用金屬材質作為電解 質’相較於過去使用電解液或有機半導體作為電解質，可 使導電度改善10,0004,000,000倍，且可直列積層，可高電 20壓化，並且電安全性高，可改善小型化、低耗損化、低ESR、 低阻抗化、耐熱安全性、不發煙、不起火及環境耐受性之 優點。 C實施方式3 實施發明之最佳形態 7 200919509 【第1實施例】 以下參照圖式說明本發明第1實施例之金屬電容器構 造。 第1圖係本發明第1實施例之金屬電容器的立體圖，第2 5圖係第1圖所示之金屬電容器之A1-A2線上的截面圖，第3 圖係第1圖所示之金屬電容器之B1_B2線上的截面圖。如第工 圖至第3圖所示，本發明之金屬電容器1〇係由金屬構件u、 金屬氧化層12、種子電極層13、主電極層14、絕緣層丨5、 第1導線端子21、第2導線端子22及密封構件30構成，且構 10成為具無極性，但前述種子電極層13依使用者亦有不適用 的時候。以下，依序說明本發明之金屬電容器1〇的各構造 如下。 如第4b圖所示，金屬構件u形成有由配置多個貫通孔 lid所形成之貫通孔形成部Ua，並於前述貫通孔形成部ιι& 15之兩側分別形成電極拉出部lib、及填塞部11c。此外，前 述貫通孔形成部11a、電極拉出部llb、及填塞部lle互相係 一體地形成。多個貫通孔lld所形成之金屬構件丨丨係適用多 種金屬材質，其中亦適用鋁(A1)、鈮(Nb)、钽(Ta)、鈦(Ti) 及錯(Zr)中任一者，且形成於貫通孔形成部lla之多個貫通 2〇孔lld係形成為圓形或多角形。 金屬氧化層12形成於金屬構件11之表面。即，如第1圖 所示’金屬氧化層12係形成於金屬構件11之全部表面，且 依據金屬構件11之材質，適用氧化鋁(ai2o3)、五氧化二銳 (Nb2〇5)、氧化鈮(NbO)、五氧化二钽(Ta205)、二氧化鈦(Ti〇2) 200919509 及二氧化鍅(Zr02)中任一者。 如第4d圖所示，絕緣層15在金屬構件η之電極拉出部 11b與形成於貫通孔形成部lla之多個貫通孔Ud分別露出 之狀態下，形成於金屬氧化層丨2。此種絕緣層15亦可在形 5成多個主電極層14後形成。即，絕緣層15在金屬構件丨丨之 電極拉出部lib露出至外部之狀態下，形成於主電極層14與 金屬構件11。更具體而言，絕緣層15在金屬構件u之電極 拉出部lib露出至外部之狀態下，分別形成於與電極拉出部 lib對向之填塞部llc與貫通孔形成部Ua之上/下側面與主 10電極層14。此種絕緣層15適用絕緣膠帶(tape)或樹脂系列的 材質。 種子電極層13形成於已形成在金屬構件u之貫通孔形 成部lla的金屬氧化層12。如第i圖至第3圖及第如圖所示， 種子電極層13形成於包含多個貫通孔lld表面且由貫通孔 15 Hd所开>成之金屬氧化層12。然而，前述種子電極層13依使 用者之要求亦有不適用的時候。 主電極層14以填塞形成於金屬構件丨丨之貫通孔形成部 lla的多個貫通孔lid之狀態，形成於已形成在貫通孔形成 部lla之種子電極層13。主電極層14在填塞多個貫通孔Ud 20之狀態下，形成於貫通孔形成部lla之兩面，即，上/下側表 面。形成於種子電極層13之主電極層14與種子電極層13分 別適用鋁(A1)、銅(Cu)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鎳(Ni)、錫（Sn)、 銦(In)、鈀(Pd)、白金(Pt)、鈷(c〇)、釕(Ru)及金(Au)中任一 200919509 如第3圖所不’第1導線端子21連結於金屬構件11之電 極拉出部lib ’且第2導線端子η連結於主電極層μ。於主 電極層14之任一面更具有連結第2導線端子22之導線性接 著層\6,以改善連結於主電極層I4之第2導線端子22的接著 5力藉由拔封構件3〇密封連結於第1及第2導線端子2卜u 之金屬構件11。為在第1及第2導線端子21、22露出至外部 之狀態下密封金屬構件11，密封構件3〇適用模製材質或内 部中空的覆蓋構件。此外，密封構件3〇係以板狀或圓筒狀 中之任-形狀密封金屬構件u，且以前述圓筒狀密封時， 10金屬構件11係於捲繞後密封。 參照附加圖式說明具有前述構造之本發明第1實施例 的金屬電容器10之製造方法如下。 準備如第4a圖所示之金屬材質之膜或箔（f〇il)等母材 1並如第4b圖所示，使用Dc(Direct Current)钮刻方法形成 15配置母材1之多個貫通孔lid之貫通孔形成部11a，且在一側 與另一側形成一體地形成有電極拉出部nb與填塞部Uc之 金屬構件11。 前述蝕刻方法係於約40〜60°C下以磷酸1%水溶液對母 材1進行1〜3分鐘左右之前處理步驟，並於7〇〇c〜9(rc下以混 2〇合有硫酸、磷酸及鋁等的混合物進行2〜5分鐘左右的1次蝕 刻°此時’電流密度為1〇〇至40〇111八/(：1112。然後，再於約75〜85 C左右下以混合有硝酸、鱗酸及鋁等的混合物進行5〜10分 鐘左右的2次蝕刻。此時’電流密度為10至l〇〇mA/cm2。在 前述餘刻結束後’於6〇。(：至70。(：下以硝酸30〜70g/l溶液進行 200919509 5〜15分鐘左右的化學洗淨。亦可視使用者之要求，更進行 多次前述化學洗淨。 形成於貫通孔形成部11a之多個貫通孔lld係形成圓筒 狀或多角形地貫通’且分別之直徑係形成為1μπ1至1〇〇μΐη。 5此外，前述貫通孔lid除了 DC蝕刻方法以外，可使用濕式 - 或機械性鑽孔、雷射鑽孔輕易地形成。 如第4c圖所示，在貫通孔形成部lla、電極拉出部llb、 及填塞部11c 一體地形成於金屬構件η後，利用陽極氧化方 法實施在金屬構件11形成金屬氧化層丨2之化學轉化步驟。 10 前述陽極氧化方法首先以80。(：〜100。(：之去離子 (deionized water)進行1〜15分鐘左右的加熱(Boiling)步驟， 且一面於硼酸與硼酸銨的水溶液中以丨2〇〜I50v的電壓進行 氧化1次，以慢慢使前述水溶液之濃度與電壓改變，一面進 行多次(2〜3次）氧化。然後，以預定溫度，例如400〜600°C 15進行熱處理’再次進行再化學轉化。又，進行副產物處理， 以去除再化學轉化時所產生的副產物。之後，再次反覆進 行再化學轉化與熱處理。然後，進行多次預定的洗淨步驟， 以拭去硼酸或磷酸。 如第 4d圖所示’利用 CVD(Chemical Vapor Deposition ; 20 化學氣相沉積）方法’在金屬構件11之電極拉出部lib露出 至外部之狀態下，於主電極層14與金屬構件11形成絕緣層 15，以形成貫通型金屬構件i〇a。前述絕緣層15適用絕緣膠 帶(tape)或樹脂系列的材質。於此作為參考適用CVD，但亦 可適用使用絕緣樹脂或絕緣油墨的浸潰(Diping)步驟、使用 11 200919509 喷墨印刷（Ink-jet printing)或網版印刷（Screen printing)之喷 霧(Spray)步驟中任一者。 如第4e圖所示’如使用電鍍或無電電鍍方法滲透，在 形成於貫通孔形成部lla之金屬氧化層12，形成種子電極層 5 13。前述種子電極層13依使用者之要求亦有不適用的時 候’但此處形成有種子電極層13。 在種子電極層之形成步驟中，以作為活化劑(Activator) 之常溫的硫酸鈀水溶液浸潰1〇〜數百秒後，於常溫下浸潰洗 淨1秒〜30秒’以去除表面活化劑。於鎳無電電鍵中使用鎳 10磷酸鹽水溶液’適當地調節pH範圍(pH為4〜8)或溫度(50〜80 °C)，電鍍5〜20分鐘。此時，可僅在貫通孔nd内部形成種 子電極層13。然後，進行電鍍步驟與1〇〇它以下之乾燥步驟。 如第4f圖所示，在形成多個種子電極層丨3後，利用電 鍍或無電電鍍方法以各種子電極層13為媒介，形成主電極 15層14 ’以填塞已形成於金屬構件11之貫通孔形成部lla之多 個貫通孔lid。 用以形成前述主電極層14之電鍍係將硫酸鎳或氯化鎳 水溶液設為pHl至5，維持溫度為30〜7〇。(：，且施加電流密度 為20〜120mA/cm2之DC電流，實施電鑛，以形成主電極層 20 14。又，用以形成主電極層I4之無電電鍍係將70〜90°C間之 鎳磷酸水溶液調節在pH5〜7之間，且於其中對形成有種子電 極層13之素材進行10〜30分鐘無電電鍍，並進行用以去除表 面的電鍍液成分之洗淨與l〇〇°C以下之乾燥，形成主電極層 14 〇 12 200919509 如第4g圖所示於金屬構件11之電極拉出部llb與主電 極層！4分別連結第i及第2導線端子2卜22。在連結扪及第 2導線端子21、22之步驟’可更加具有於連結有第2導線端 子22之主電極層14形成導電性接著層16的步驟，以改善第】 5及第2導線端子2卜22之接著力，電性接著層16適用塗布 金屬接著劑或焊料膏之方法、電鍍方法及無電電鍛方法中 任一者。 10 如第3圖所示，在連結第1及第2導線端子2卜22後，在 W及第2導線端子21、22露出至外部之狀態下，以密封構 件30密封金屬構件11。於密封金屬構件丨丨時， 質或内部中空之覆蓋構件密封，以製造金屬電容器1〇。 【第2實施例】 參照附加圖式說明使用構成本發明第i實施例之金屬 電容器10之貫通型金屬構件1〇a的具無極性之金屬電容器 15 110如下。 如第5圖所示，本發明第2實施例之金屬電容器i 1〇係由 多個貫通型金屬構件10a、導電性接著層16、第3導線端子 23、第4導線端子24及密封構件3_成，且構成為具無極 性，依序說明各構造如下。 20 乡個貫通型金屬構件1〇3分別由金屬構件11、金屬氧化 層12、種子電極層13、主電極層14、絕緣層15構成，且由 於各構造與第4d圖所*之貫通型金屬構件响目同，故省略 詳細說明。具有前述構造之多個貫通型金屬構件伽，在電 極拉出部lib朝向-侧與另-側方向之狀態下交互地積層。 13 200919509 導電丨生接著層〗6分別設置於多個貫通型金屬構件1 〇 a =主電極層14之間，使多個貫通型金屬構件IGa交互地接 从第‘線立而子23連結於多個貫通型金屬構件i〇a之電極 拉出部11b朝向—側之貫通型金屬構件l〇a的電極拉出部 5 Ub即，如第5圖所示，第3導線端子23連結於分別形成在 »又置於左側之多個貫通型金屬構件工如的電極拉出部仙。 第4導線端子24連結於多個貫通型金屬構件i〇a之電極 拉出部iib朝向另_側之貫通型金屬構件1〇a的電極拉出部 lib，構成具無極性之金屬電容器u〇。即如第5圖所示， 第4導線端子24連結於設置在右側之？個貫通型金屬構件 10a的電極拉出部llb。 於具有相同極性之金屬氧化層12所形成之貫通型金屬 構件10a的電極拉出部llb，分別連結第3導線端子23及第4 導線端子24，藉此，金屬電容器11〇會具無極性。 15 在第3及第4導線端子23、24露出至外部之狀態下，密 封構件30岔封第3及第4導線端子23、24連結之多個貫通型 金屬構件1 〇a，保護由外部積層的多個貫通型金屬構件1 〇a。 【第3實施例】 參照附加圖式說明使用構成本發明第1實施例之金屬 20電容器10的貫通型金屬構件10a之具極性的金屬電容器12〇 如下。 如第6圖所示，本發明第3實施例之具極性的金屬電容 器120係由多個貫通型金屬構件l〇a、導電性接著層16、第} 極性導線端子25、第2極性導線端子26、及密封構件3〇構 14 200919509 成，依序說明該等構造如下。 如第5圖所示，多個貫通型金屬構件1〇a分別由金屬構 件11、金屬氧化層12、種子電極層13、主電極層14、及絕 緣層15構成，且由於各構造與第4d圖所示之貫通型金屬構 5件10a相同，故省略詳細說明。多個貫通型金屬構件1〇a在 電極拉出部llb朝向相同方向之狀態下積層。即，如第6圖 所示’僅於左側設置電極拉出部11b。 導電性接著層16分別設置於多個貫通型金屬構件1〇a 之主電極層14之間，使多個貫通型金屬構件10a交互地接 1〇 著。 第1極性導線端子25連結於多個貫通型金屬構件1〇a之 電極拉出部Ub朝向-側之貫通型金屬構件1Ga的電極拉出 部爪。在以第丨極性導線端子25作為陽㈣作用之狀態 15 \ 20 I連L於形成有金屬氧化層12之金屬構件u的電極拉出 邛11b ’藉此作為陽極(an〇(je)電極使用。 第2極性導線端子26連結於多個貫通型金屬構件此中 任-個主電極層14。在以第2極性導線端子％作為陰極羯作 用之狀態下，連結於未形成金屬氧化層12之主電極層Μ , 藉此作為陰極(eathGde)電極使用，金屬電容議具極性。 屬構时線料25崎結之電肺出部仙的金 純極、，自作用。當金屬構件11作為陰極羯作 主電極層14係作為陽極箱作用。因此，當第2極性導 =Γ6作為陰極電極使用時，第1極性導線端找則作為 电極使用，而當第2極性導線端子26作為陽極電極使用 15 200919509 時’第1極性導線端子25則作為陰極電極使用。又，當第j 極性導線端子25作為陰極電極使用時，第2極性導線端子％ 則作為陽極電極使用，而當第丨極性導線端子25作為陽極電 極使用時，第2極性導線端子26則作為陰極電極使用。 5 於將作為陽極或陰極使用之第2極性導線端子26連結 至多個貫通型金屬構件中之一個主電極層14時，可於主電 極層14形成導電性接著層16後，將第2極性導線端子％連結 於該導電性結著層16，以改善接著力。 如此，於積層金屬電容器10構成金屬電容器11()、12〇 10時，可得到高電壓、高電容之金屬電容器。又，藉由在構 成金屬電容器1〇之金屬構件n形成兩面，即上/下面貫通之 貫通孔lid，可自動地連結形成於金屬構件丨丨上/下面之主電 極層14,且除法以外’刊㈣式關、機械性 鑽孔或雷射鑽孔固定地形成維持貫通孔lld，而可改善漏茂 15 電流及承受電壓。 產業上利用之可能性 本發明之金屬電容器可使用於電源電路之平滑電路、 噪音過據器或旁路電容器等。 【圖式簡尊說《明】 20第1圖係本發明第1實施例之金屬電容器之立體圖。 第2圖係第1圖所示之金屬電容器之A1-A2線的截面 圖。 第3圖係第1圖所示之金屬電容器之B1-B2線的截面圖。 第4a圖至第4g圖係顯示本發明第i實施例之金屬電容 16 200919509 器之製造步驟的圖式。 第5圖係本發明第2實施例之金屬電容器的截面圖。 第6圖係本發明第3實施例之金屬電容器的截面圖。 【主要元件符號說明】 1…母材 14…主電極層 10,110,120…金屬電容器 15…絕騎 10a…貫通型金屬構件 16...導電性接著層 11…金屬構件 21…第1導線端子 11a...貫通?L形成部 22...第2導線端子 lib...電極拉出部 23...第3導線端子 11c.·.填塞部 24...第4導線端子 lid...貫通孔 25…第1極性導線端子 Π…金屬氧化層 26...第2極性導線端子 13...種子電極層 30.··密封構件 17

Claims (1)

1. 200919509 十、申請專利範圍： L 一種金屬電容器，包含： 金屬構件，係具有配置多個貫通孔所形成之貫通孔 开7成。卩、及分別形成於前述貫通孔形成部之電極拉出部 與填塞部： 金屬氣化層，係形成於前述金屬構件； 絕緣層’係在前述金屬構件之電極拉出部與多個貫 通孔分別露出之狀態下’形成於金屬氧化層；及 主電極層，係以填塞形成於前述金屬構件之貫通孔 形成部的多個貫通孔之狀態所形成， 並且’導線端子分別連結於前述金屬構件之電極拉 出部與主電極層。 2· —種金屬電容器，包含： 金屬構件，係具有配置多個貫通孔所形成之貫通孔 $成。卩、及分別形成於前述貫通孔形成部之電極拉出部 與填塞部； 金屬氧α化層，係形成於前述金屬構件； 種子電極層’係形成於已形成於前述金屬構件之貫 通孔形成部的金屬氧化層； 20 包極層’係以填塞形成於前述金屬構件之貫通孔 7成卩的夕個貫通孔之狀態，形成於已形成於貫通孔形 成部之種子電極層； 絕緣層 部之狀態下 係在前述金屬構件之電極拉出部露出至外 形成於主電極層與金屬構件； 18 200919509 第1導線端子，係連結於前述金屬構件之電極拉出 部； 第2導線端子，係連結於前述主電極層；及 密封構件，係在前述第1及第2導線端子露出至外部 5 之狀態下，密封已連結於前述第1及第2導線端子之金屬 構件。 3.如申請專利範圍第2項之金屬電容器，其中前述金屬構 件係使用鋁(A1)、鈮(Nb)、钽(Ta)、鈦(Ti)及鍅(Zr)中任 一者。 10 4•如申請專利範圍第2項之金屬電容器，其中形成於前述 金屬構件之貫通孔形成部的多個貫通孔係形成圓筒狀 或多角形。 5·如申請專利範圍第2項之金屬電容器，其中前述金屬氧 化層係使用氧化鋁(Ai2〇3)、五氧化二鈮(Nb2〇5)、氧化 15 鈮(Nb0)、五氧化二钽(Ta205)、二氧化鈦(Ti〇2)及二氧 化鍅(Zr〇2)中任一者。 6·如申請專利範圍第2項之金屬電容器，其中前述種子電 極層與前述主電極層係分別使用鋁(A1)、銅（Cu)、鋅 (Zn)、銀(Ag)、鎳(Ni)、錫（Sn)、銦(In)、鈀(Pd) ' 白金 -〇 (Pt)、始(Co)、釕(Ru)及金(Au)中任一者。 7. 如申請專利範圍第2項之金屬電容器，其中前述主電極 層更具有用以連結前述第2導線端子之導電性接著層。 8. 如申請專利範圍第2項之金屬電容器，其中前述密封構 件係以模製材質將金屬構件密封成板狀或圓筒狀之任 19 200919509 一形狀，且以前述圓筒狀密封時，金屬構件係於捲繞後 密封。 9. 一種金屬電容器，包含： 多個貫通型金屬構件，係由以下構件交互積層而形 5 成者： 金屬構件，係具有配置多個貫通孔所形成之貫 通孔形成部、及分別形成於前述貫通孔形成部之電 極拉出部與填塞部； 金屬氧化層，係形成於前述金屬構件； 10 種子電極層，係形成於已形成於前述金屬構件 之貫通孔形成部的金屬氧化層； 主電極層，係以填塞形成於前述金屬構件之貫 通孔形成部的多個貫通孔之狀態，形成於已形成於 貫通孔形成部之種子電極層；及 15 絕緣層，係在前述金屬構件之電極拉出部露出 至外部之狀態下，形成於主電極層與金屬構件，並 且各個電極拉出部係朝向一側與另一側方向； 又，該金屬電容器更包含： 導電性接著層，係分別設置於前述多個貫通型金屬 20 構件之主電極層間，且使多個貫通型金屬構件交互地接 著； 第3及第4導線端子，係交互地分別設置於前述多個 貫通型金屬構件之電極拉出部；及 密封構件，係在前述第3及第4導線端子露出至外部 20 200919509 之狀態下，密封已連結前述第3及第4導線端子之多個貫 通型金屬構件。 10. —種金屬電容器，包含： 多個貫通型金屬構件，係由以下構件交互積層而形 5 成者： 金屬構件，係具有配置多個貫通孔所形成之貫 通孔形成部、及分別形成於前述貫通孔形成部之電 極拉出部與填塞部； 金屬氧化層，係形成於前述金屬構件； 10 種子電極層，係形成於已形成於前述金屬構件 之貫通孔形成部的金屬氧化層； 主電極層，係以填塞形成於前述金屬構件之貫 通孔形成部的多個貫通孔之狀態，形成於已形成於 貫通孔形成部之種子電極層；及 15 絕緣層，係在前述金屬構件之電極拉出部露出 至外部之狀態下，形成於主電極層與金屬構件，並 且各個電極拉出部係朝向一側與另一側方向； 又，該金屬電容器更包含： 導電性接著層，係分別設置於前述多個貫通型金屬 20 構件之主電極層間，且接著多個貫通型金屬構件； 第1極性導線端子，係連結於前述多個貫通型金屬 構件之電極拉出部； 第2極性導線端子，係連結於前述多個貫通型金屬 構件中之一個主電極層；及 21 200919509 密封構件’係在前述第1及第2極性導線端子露出至 外°卩之狀態下，密封已連結前述第1及第2極性導線端子 之多個貫通型金屬構件。 申叫專利範圍第1〇項之金屬電容器，其中前述第1極 f導線端子切述第2極性導線端子作為陰極電極使用 % 1作為陽極電極使用，且當前述第2極性導線端子作 為陽極電極使用時，則作為陰極電極使用。 12. 如申δ月專利範圍第1〇項之金屬電容器，其中前述第2極 性導線端子當前述第1極性導線端子作為陰極電極使用 10 時’作為陽極電極使用，且當前述第1極性導線端子作 為陽極電極使用時，則作為陰極電極使用。 13. 如申請專利範圍第1()項之金屬電容器其中於連結前述 第2極性導線端子之多個貫通型金屬構件中之—個主電 極層更具有導電性接著層。 15 14· 一種金屬電容器之製造方法，包含： 利用DC姓刻方法在母材形成配置有多個貫通孔之 貫通孔形成部，且形成—體地形成有電極拉出部與填塞 部之金屬構件的步驟； 在金屬構件-體地形成貫通孔形成部、電極拉出部 〇 及填塞部後，利用陽極氧化方法在金屬構件形成金屬氧 化層的化學轉化步驟； 在前述金屬構件之電極拉出部露出至外部之鮮 下，利用CVD方法將絕緣層形成於主電極層與金屬構:· 的步驟；及 22 200919509 利用電鑛或無電電鑛方法，在填塞已形iL於貫通孔 形成部之金>1氧化層的多個貫通孔之狀訂，形成主電 極層的步驟。 5 10 15. 如申請專利範圍第14項之金屬電容器之製造方法，其中 ㈤述化子轉化步驟之陽極氧化方法係以去離子水進行 加'、、、步驟J_進行—面以领酸與姻驗的水溶液使水溶 液的濃度與包壓改變，—面進行多次氧化的步驟，接著 進行反覆進行熱處理、再化學轉化之步驟，再進行副產 物處理，以除去再化學轉化時所產生的副產物，且進行 洗淨步驟，以拭去硼酸或磷酸。 16. —種金屬電容器之製造方法，包含： 利用DC姓刻方法在母材形成配置有多個貫通孔之 貫通孔形成部，且形成—祕形成有電 部之金屬構件的㈣； Μ 15

   在金屬構件-體地形成貫通孔形成部、電極拉出部 及填塞部後’陽極氧化方法在金屬構件形成金魏 化層的化學轉化步驟； 20 在前述金屬構件之電極拉出部露出至外部之狀態 下，利用CVD方法將鱗層形成於主電極層與金屬構= 的步驟； 利用電鑛或無電電錢方法，將種子電極層形成於已 形成於金屬構件之貫通孔形成部的金騎化層的步驟； 利用電鍍或無電電鍍方法，在填塞已形成於金屬構 件之貫通孔形成部之多個貫通孔之狀態下，將主電極層 23 200919509 形成於前述種子電極層的步驟； 於前述金屬構件之電極拉出部與前述主電極層分 別連結第1及第2導線端子的步驟；及 於連結前述第1及第2導線端子後’在第1及第2導線 端子露出至外部之狀態下，以密封構件密封前迷金屬構 件的步驟。 17. 如申請專利範圍第16項之金屬電容器之製造方法，其中 在將多個種子電極層形成於前述金屬氧化層之步驟 中，電鍍方法係使用常溫之硫酸鈀水溶液作為活化劑， 浸潰預定時間後，再於常溫下進行預定時間之浸潰洗 淨’以去除表面的活化劑。 18. 如申請專利範圍第16項之金屬電容器之製造方法，其中 在形成前述主電極層之步驟中，於電鍍時，將硫酸鎳或 氯化鎳水溶液設為PH1至5，溫度維持在3〇〜7〇〇c，且施 加電流密度為2〇〜120mA/cm2之DC電流，實施電鐘，形 成主電極層，且於無電電鑛時，將70〜9〇°c之間的錄構 酸水溶液調節在PH5〜7之間，於其中對形成有種子電極 層之素材進行1〇〜30分鐘之無電電鍍，再進行用以去除 表面的電鍍液成分之洗淨與l〇〇°C以下之乾燥，形成主 電極層。 19. 如申請專利範圍第16項之金屬電容器之製造方法，其中 在將前述貫通孔形成部之一側與另一側之電極拉出部 與填塞部一體地形成於前述金屬構件之步驟中，利用濕 式蝕刻、機械性鑽孔及雷射鑽孔中任一者，令形成於貫 24 200919509 通孔形成部之多個貫通孔的直徑分別形成為Ιμηι至 ΙΟΟμΓη。 20. 如申請專利範圍第16項之金屬電容器之製造方法，其中 在連結前述第1及第2導線端子之步驟中，更具有在連結 5 第2導線端子之主電極層形成導電性接著層，以改善第1 及第2導線端子之接著力的步驟，又，前述導電性接著 層之形成係使用塗布金屬接著劑或焊料膏之方法、電鍍 方法及無電電鍍方法中任一者。 21. 如申請專利範圍第16項之金屬電容器之製造方法，其中 10 以密封構件密封前述金屬構件之步驟中，密封構件係以 模製材質或内部中空的覆蓋構件來密封。 25