TW200919509A - Metal capacitor and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
200919509 九、發明說明: 【考务明戶斤屬4支彳椅4員士成】 本發明係有關於金屬電容器及其製造方法,更詳而言 之,係有關於以金屬材質作為電解質而可大幅改善導電度 ' 5 之金屬電容器及其製造方法。
【先前技術;J 背景技術 以往,已有|呂電解電容器(aluminuin electrolytic capacitor)作為使從電源電路輸出之電源平滑而成固定值、 10或作為低頻旁路使用之電容器,其製造方法如下。 首先,為了增加紹箔的表面積以增加靜電電容,實施 餘刻(etching)銘箔(aiuminum f〇il)表面之步驟。在钮刻結束 後,則實施在紹落形成介電體之化學轉化(f〇rming)步驟。 在透過蝕刻與化學轉化步驟分別製造出陰極與陽極的鋁箔 15後,則實施依製品的長度將鋁箔與電解紙剪成所需尺寸的 寬度之裁斷(slit)步驟。裁斷結束後,實施將作為拉出端子 之鋁導線棒接合至鋁箔之連結(stitch)步驟。 在鋁箔與電解紙之裁斷結束後,實施將電解紙插入陽 極鋁箔與陰極鋁箔之間,然後捲成圓筒狀,且以膠帶黏著 20使其不鬆開之捲繞(winding)步驟。捲繞步驟結束後,將捲 好的元件插入鋁盒,然後實施注入電解液之浸潰 (impregnation)步驟。電解液注入結束後,實施用封口材料 封住鋁盒之捲邊(curling)步驟。在捲邊步驟結束後,實施修 復介電體損傷之老化(aging)步驟,以完成銘電解電容器之 200919509 組裝。 i:發明内容3 發明所欲解決之課題 5 10 15 然而,於最近開發之電子機器中使用如此製造之習知 鋁電解電容器時,會有以下之問題。 驾去銘電解電谷益因使用電解液作為電解質,故導電 度低,有高頻區之電阻顯著增加、電容器之阻抗增加之問 題此外S電容器之電阻高時,高頻特性會降低,且 ESR(EqmValem Series ;等效争聯電阻)變高電 f器之可#性降低,有損失增加之問題。X,由於阻抗變 高’起因於連波電流之發熱變高,可能會產生發煙、起火, 有安全性及耐環祕*適合的之問題。 本發明之目 質作為電解質, 導體作為電解質 及其製造方法。 的在於解決歧_,且提供❹金屬材 使導電度相較於過去使肖電解液或有機半 ’可改善華0〜!,_,_倍之金屬電容器 解質==目的在於提供藉由使用金屬材質作為電 ° 化、低耗損化、減少漣波發熱、長# 财熱安全性、不發煙、不起火及環境可13、 及其製造方法。 今益 解決課題之手段 為達成前述目的,本發明之金屬電容器,包含.金屬 構件’储有配置多個貫魏所形成之貫通 ㈣成於前物絲输⑽ ^ 20 200919509 屬氧化層,係形成於金屬構件;絕緣層,係在金屬構 =極拉出部與多個貫通孔分別露出之狀態下,形成於金屬 -化層’及主電極層,係以填塞形成於金屬構件之貫通孔 形成部的多個貫通孔之狀態所形成,並且導線端子分別連 5、’、《於金屬構件之電極拉出部與前述主電極層。 本發明之金屬電容器之製造方法,包含:彻dc蚀刻 方糾母材形成配置有多個貫通孔之貫通孔形成部,且形 成-體地形成有電極拉出部與填塞部之金屬構件的步驟; ,金屬構件—體地形成貫通孔形成部、電極拉出部及填塞 10 Z後,彻陽極氧化方法在金屬構件形成金屬氧化層 的化 子轉化步驟,在金屬構件之電極拉出部露出至外部之狀態 下’利用CVD方法將絕緣層形成於主電極層與金屬構件的 步驟,及利用電鍍或無電電鍍方法,在填塞已形成於貫通 孔形成部之金屬氧化層的多個貫通孔之狀態下,形成主電 15 極層的步驟。 發明效果 本發明之金屬電容器提供藉由使用金屬材質作為電解 質’相較於過去使用電解液或有機半導體作為電解質,可 使導電度改善10,0004,000,000倍,且可直列積層,可高電 20壓化,並且電安全性高,可改善小型化、低耗損化、低ESR、 低阻抗化、耐熱安全性、不發煙、不起火及環境耐受性之 優點。 C實施方式3 實施發明之最佳形態 7 200919509 【第1實施例】 以下參照圖式說明本發明第1實施例之金屬電容器構 造。 第1圖係本發明第1實施例之金屬電容器的立體圖,第2 5圖係第1圖所示之金屬電容器之A1-A2線上的截面圖,第3 圖係第1圖所示之金屬電容器之B1_B2線上的截面圖。如第工 圖至第3圖所示,本發明之金屬電容器1〇係由金屬構件u、 金屬氧化層12、種子電極層13、主電極層14、絕緣層丨5、 第1導線端子21、第2導線端子22及密封構件30構成,且構 10成為具無極性,但前述種子電極層13依使用者亦有不適用 的時候。以下,依序說明本發明之金屬電容器1〇的各構造 如下。 如第4b圖所示,金屬構件u形成有由配置多個貫通孔 lid所形成之貫通孔形成部Ua,並於前述貫通孔形成部ιι& 15之兩側分別形成電極拉出部lib、及填塞部11c。此外,前 述貫通孔形成部11a、電極拉出部llb、及填塞部lle互相係 一體地形成。多個貫通孔lld所形成之金屬構件丨丨係適用多 種金屬材質,其中亦適用鋁(A1)、鈮(Nb)、钽(Ta)、鈦(Ti) 及錯(Zr)中任一者,且形成於貫通孔形成部lla之多個貫通 2〇孔lld係形成為圓形或多角形。 金屬氧化層12形成於金屬構件11之表面。即,如第1圖 所示’金屬氧化層12係形成於金屬構件11之全部表面,且 依據金屬構件11之材質,適用氧化鋁(ai2o3)、五氧化二銳 (Nb2〇5)、氧化鈮(NbO)、五氧化二钽(Ta205)、二氧化鈦(Ti〇2) 200919509 及二氧化鍅(Zr02)中任一者。 如第4d圖所示,絕緣層15在金屬構件η之電極拉出部 11b與形成於貫通孔形成部lla之多個貫通孔Ud分別露出 之狀態下,形成於金屬氧化層丨2。此種絕緣層15亦可在形 5成多個主電極層14後形成。即,絕緣層15在金屬構件丨丨之 電極拉出部lib露出至外部之狀態下,形成於主電極層14與 金屬構件11。更具體而言,絕緣層15在金屬構件u之電極 拉出部lib露出至外部之狀態下,分別形成於與電極拉出部 lib對向之填塞部llc與貫通孔形成部Ua之上/下側面與主 10電極層14。此種絕緣層15適用絕緣膠帶(tape)或樹脂系列的 材質。 種子電極層13形成於已形成在金屬構件u之貫通孔形 成部lla的金屬氧化層12。如第i圖至第3圖及第如圖所示, 種子電極層13形成於包含多個貫通孔lld表面且由貫通孔 15 Hd所开>成之金屬氧化層12。然而,前述種子電極層13依使 用者之要求亦有不適用的時候。 主電極層14以填塞形成於金屬構件丨丨之貫通孔形成部 lla的多個貫通孔lid之狀態,形成於已形成在貫通孔形成 部lla之種子電極層13。主電極層14在填塞多個貫通孔Ud 20之狀態下,形成於貫通孔形成部lla之兩面,即,上/下側表 面。形成於種子電極層13之主電極層14與種子電極層13分 別適用鋁(A1)、銅(Cu)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鎳(Ni)、錫(Sn)、 銦(In)、鈀(Pd)、白金(Pt)、鈷(c〇)、釕(Ru)及金(Au)中任一 200919509 如第3圖所不’第1導線端子21連結於金屬構件11之電 極拉出部lib ’且第2導線端子η連結於主電極層μ。於主 電極層14之任一面更具有連結第2導線端子22之導線性接 著層\6,以改善連結於主電極層I4之第2導線端子22的接著 5力藉由拔封構件3〇密封連結於第1及第2導線端子2卜u 之金屬構件11。為在第1及第2導線端子21、22露出至外部 之狀態下密封金屬構件11,密封構件3〇適用模製材質或内 部中空的覆蓋構件。此外,密封構件3〇係以板狀或圓筒狀 中之任-形狀密封金屬構件u,且以前述圓筒狀密封時, 10金屬構件11係於捲繞後密封。 參照附加圖式說明具有前述構造之本發明第1實施例 的金屬電容器10之製造方法如下。 準備如第4a圖所示之金屬材質之膜或箔(f〇il)等母材 1並如第4b圖所示,使用Dc(Direct Current)钮刻方法形成 15配置母材1之多個貫通孔lid之貫通孔形成部11a,且在一側 與另一側形成一體地形成有電極拉出部nb與填塞部Uc之 金屬構件11。 前述蝕刻方法係於約40〜60°C下以磷酸1%水溶液對母 材1進行1〜3分鐘左右之前處理步驟,並於7〇〇c〜9(rc下以混 2〇合有硫酸、磷酸及鋁等的混合物進行2〜5分鐘左右的1次蝕 刻°此時’電流密度為1〇〇至40〇111八/(:1112。然後,再於約75〜85 C左右下以混合有硝酸、鱗酸及鋁等的混合物進行5〜10分 鐘左右的2次蝕刻。此時’電流密度為10至l〇〇mA/cm2。在 前述餘刻結束後’於6〇。(:至70。(:下以硝酸30〜70g/l溶液進行 200919509 5〜15分鐘左右的化學洗淨。亦可視使用者之要求,更進行 多次前述化學洗淨。 形成於貫通孔形成部11a之多個貫通孔lld係形成圓筒 狀或多角形地貫通’且分別之直徑係形成為1μπ1至1〇〇μΐη。 5此外,前述貫通孔lid除了 DC蝕刻方法以外,可使用濕式 - 或機械性鑽孔、雷射鑽孔輕易地形成。 如第4c圖所示,在貫通孔形成部lla、電極拉出部llb、 及填塞部11c 一體地形成於金屬構件η後,利用陽極氧化方 法實施在金屬構件11形成金屬氧化層丨2之化學轉化步驟。 10 前述陽極氧化方法首先以80。(:〜100。(:之去離子 (deionized water)進行1〜15分鐘左右的加熱(Boiling)步驟, 且一面於硼酸與硼酸銨的水溶液中以丨2〇〜I50v的電壓進行 氧化1次,以慢慢使前述水溶液之濃度與電壓改變,一面進 行多次(2〜3次)氧化。然後,以預定溫度,例如400〜600°C 15進行熱處理’再次進行再化學轉化。又,進行副產物處理, 以去除再化學轉化時所產生的副產物。之後,再次反覆進 行再化學轉化與熱處理。然後,進行多次預定的洗淨步驟, 以拭去硼酸或磷酸。 如第 4d圖所示’利用 CVD(Chemical Vapor Deposition ; 20 化學氣相沉積)方法’在金屬構件11之電極拉出部lib露出 至外部之狀態下,於主電極層14與金屬構件11形成絕緣層 15,以形成貫通型金屬構件i〇a。前述絕緣層15適用絕緣膠 帶(tape)或樹脂系列的材質。於此作為參考適用CVD,但亦 可適用使用絕緣樹脂或絕緣油墨的浸潰(Diping)步驟、使用 11 200919509 喷墨印刷(Ink-jet printing)或網版印刷(Screen printing)之喷 霧(Spray)步驟中任一者。 如第4e圖所示’如使用電鍍或無電電鍍方法滲透,在 形成於貫通孔形成部lla之金屬氧化層12,形成種子電極層 5 13。前述種子電極層13依使用者之要求亦有不適用的時 候’但此處形成有種子電極層13。 在種子電極層之形成步驟中,以作為活化劑(Activator) 之常溫的硫酸鈀水溶液浸潰1〇〜數百秒後,於常溫下浸潰洗 淨1秒〜30秒’以去除表面活化劑。於鎳無電電鍵中使用鎳 10磷酸鹽水溶液’適當地調節pH範圍(pH為4〜8)或溫度(50〜80 °C),電鍍5〜20分鐘。此時,可僅在貫通孔nd内部形成種 子電極層13。然後,進行電鍍步驟與1〇〇它以下之乾燥步驟。 如第4f圖所示,在形成多個種子電極層丨3後,利用電 鍍或無電電鍍方法以各種子電極層13為媒介,形成主電極 15層14 ’以填塞已形成於金屬構件11之貫通孔形成部lla之多 個貫通孔lid。 用以形成前述主電極層14之電鍍係將硫酸鎳或氯化鎳 水溶液設為pHl至5,維持溫度為30〜7〇。(:,且施加電流密度 為20〜120mA/cm2之DC電流,實施電鑛,以形成主電極層 20 14。又,用以形成主電極層I4之無電電鍍係將70〜90°C間之 鎳磷酸水溶液調節在pH5〜7之間,且於其中對形成有種子電 極層13之素材進行10〜30分鐘無電電鍍,並進行用以去除表 面的電鍍液成分之洗淨與l〇〇°C以下之乾燥,形成主電極層 14 〇 12 200919509 如第4g圖所示於金屬構件11之電極拉出部llb與主電 極層!4分別連結第i及第2導線端子2卜22。在連結扪及第 2導線端子21、22之步驟’可更加具有於連結有第2導線端 子22之主電極層14形成導電性接著層16的步驟,以改善第】 5及第2導線端子2卜22之接著力,電性接著層16適用塗布 金屬接著劑或焊料膏之方法、電鍍方法及無電電鍛方法中 任一者。 10 如第3圖所示,在連結第1及第2導線端子2卜22後,在 W及第2導線端子21、22露出至外部之狀態下,以密封構 件30密封金屬構件11。於密封金屬構件丨丨時, 質或内部中空之覆蓋構件密封,以製造金屬電容器1〇。 【第2實施例】 參照附加圖式說明使用構成本發明第i實施例之金屬 電容器10之貫通型金屬構件1〇a的具無極性之金屬電容器 15 110如下。 如第5圖所示,本發明第2實施例之金屬電容器i 1〇係由 多個貫通型金屬構件10a、導電性接著層16、第3導線端子 23、第4導線端子24及密封構件3_成,且構成為具無極 性,依序說明各構造如下。 20 乡個貫通型金屬構件1〇3分別由金屬構件11、金屬氧化 層12、種子電極層13、主電極層14、絕緣層15構成,且由 於各構造與第4d圖所*之貫通型金屬構件响目同,故省略 詳細說明。具有前述構造之多個貫通型金屬構件伽,在電 極拉出部lib朝向-侧與另-側方向之狀態下交互地積層。 13 200919509 導電丨生接著層〗6分別設置於多個貫通型金屬構件1 〇 a =主電極層14之間,使多個貫通型金屬構件IGa交互地接 从第‘線立而子23連結於多個貫通型金屬構件i〇a之電極 拉出部11b朝向—側之貫通型金屬構件l〇a的電極拉出部 5 Ub即,如第5圖所示,第3導線端子23連結於分別形成在 »又置於左側之多個貫通型金屬構件工如的電極拉出部仙。 第4導線端子24連結於多個貫通型金屬構件i〇a之電極 拉出部iib朝向另_側之貫通型金屬構件1〇a的電極拉出部 lib,構成具無極性之金屬電容器u〇。即如第5圖所示, 第4導線端子24連結於設置在右側之?個貫通型金屬構件 10a的電極拉出部llb。 於具有相同極性之金屬氧化層12所形成之貫通型金屬 構件10a的電極拉出部llb,分別連結第3導線端子23及第4 導線端子24,藉此,金屬電容器11〇會具無極性。 15 在第3及第4導線端子23、24露出至外部之狀態下,密 封構件30岔封第3及第4導線端子23、24連結之多個貫通型 金屬構件1 〇a,保護由外部積層的多個貫通型金屬構件1 〇a。 【第3實施例】 參照附加圖式說明使用構成本發明第1實施例之金屬 20電容器10的貫通型金屬構件10a之具極性的金屬電容器12〇 如下。 如第6圖所示,本發明第3實施例之具極性的金屬電容 器120係由多個貫通型金屬構件l〇a、導電性接著層16、第} 極性導線端子25、第2極性導線端子26、及密封構件3〇構 14 200919509 成,依序說明該等構造如下。 如第5圖所示,多個貫通型金屬構件1〇a分別由金屬構 件11、金屬氧化層12、種子電極層13、主電極層14、及絕 緣層15構成,且由於各構造與第4d圖所示之貫通型金屬構 5件10a相同,故省略詳細說明。多個貫通型金屬構件1〇a在 電極拉出部llb朝向相同方向之狀態下積層。即,如第6圖 所示’僅於左側設置電極拉出部11b。 導電性接著層16分別設置於多個貫通型金屬構件1〇a 之主電極層14之間,使多個貫通型金屬構件10a交互地接 1〇 著。 第1極性導線端子25連結於多個貫通型金屬構件1〇a之 電極拉出部Ub朝向-側之貫通型金屬構件1Ga的電極拉出 部爪。在以第丨極性導線端子25作為陽㈣作用之狀態 15 \ 20 I連L於形成有金屬氧化層12之金屬構件u的電極拉出 邛11b ’藉此作為陽極(an〇(je)電極使用。 第2極性導線端子26連結於多個貫通型金屬構件此中 任-個主電極層14。在以第2極性導線端子%作為陰極羯作 用之狀態下,連結於未形成金屬氧化層12之主電極層Μ , 藉此作為陰極(eathGde)電極使用,金屬電容議具極性。 屬構时線料25崎結之電肺出部仙的金 純極、,自作用。當金屬構件11作為陰極羯作 主電極層14係作為陽極箱作用。因此,當第2極性導 =Γ6作為陰極電極使用時,第1極性導線端找則作為 电極使用,而當第2極性導線端子26作為陽極電極使用 15 200919509 時’第1極性導線端子25則作為陰極電極使用。又,當第j 極性導線端子25作為陰極電極使用時,第2極性導線端子% 則作為陽極電極使用,而當第丨極性導線端子25作為陽極電 極使用時,第2極性導線端子26則作為陰極電極使用。 5 於將作為陽極或陰極使用之第2極性導線端子26連結 至多個貫通型金屬構件中之一個主電極層14時,可於主電 極層14形成導電性接著層16後,將第2極性導線端子%連結 於該導電性結著層16,以改善接著力。 如此,於積層金屬電容器10構成金屬電容器11()、12〇 10時,可得到高電壓、高電容之金屬電容器。又,藉由在構 成金屬電容器1〇之金屬構件n形成兩面,即上/下面貫通之 貫通孔lid,可自動地連結形成於金屬構件丨丨上/下面之主電 極層14,且除法以外’刊㈣式關、機械性 鑽孔或雷射鑽孔固定地形成維持貫通孔lld,而可改善漏茂 15 電流及承受電壓。 產業上利用之可能性 本發明之金屬電容器可使用於電源電路之平滑電路、 噪音過據器或旁路電容器等。 【圖式簡尊說《明】 20第1圖係本發明第1實施例之金屬電容器之立體圖。 第2圖係第1圖所示之金屬電容器之A1-A2線的截面 圖。 第3圖係第1圖所示之金屬電容器之B1-B2線的截面圖。 第4a圖至第4g圖係顯示本發明第i實施例之金屬電容 16 200919509 器之製造步驟的圖式。 第5圖係本發明第2實施例之金屬電容器的截面圖。 第6圖係本發明第3實施例之金屬電容器的截面圖。 【主要元件符號說明】 1…母材 14…主電極層 10,110,120…金屬電容器 15…絕騎 10a…貫通型金屬構件 16...導電性接著層 11…金屬構件 21…第1導線端子 11a...貫通?L形成部 22...第2導線端子 lib...電極拉出部 23...第3導線端子 11c.·.填塞部 24...第4導線端子 lid...貫通孔 25…第1極性導線端子 Π…金屬氧化層 26...第2極性導線端子 13...種子電極層 30.··密封構件 17
Claims (1)
- 200919509 十、申請專利範圍: L 一種金屬電容器,包含: 金屬構件,係具有配置多個貫通孔所形成之貫通孔 开7成。卩、及分別形成於前述貫通孔形成部之電極拉出部 與填塞部: 金屬氣化層,係形成於前述金屬構件; 絕緣層’係在前述金屬構件之電極拉出部與多個貫 通孔分別露出之狀態下’形成於金屬氧化層;及 主電極層,係以填塞形成於前述金屬構件之貫通孔 形成部的多個貫通孔之狀態所形成, 並且’導線端子分別連結於前述金屬構件之電極拉 出部與主電極層。 2· —種金屬電容器,包含: 金屬構件,係具有配置多個貫通孔所形成之貫通孔 $成。卩、及分別形成於前述貫通孔形成部之電極拉出部 與填塞部; 金屬氧α化層,係形成於前述金屬構件; 種子電極層’係形成於已形成於前述金屬構件之貫 通孔形成部的金屬氧化層; 20 包極層’係以填塞形成於前述金屬構件之貫通孔 7成卩的夕個貫通孔之狀態,形成於已形成於貫通孔形 成部之種子電極層; 絕緣層 部之狀態下 係在前述金屬構件之電極拉出部露出至外 形成於主電極層與金屬構件; 18 200919509 第1導線端子,係連結於前述金屬構件之電極拉出 部; 第2導線端子,係連結於前述主電極層;及 密封構件,係在前述第1及第2導線端子露出至外部 5 之狀態下,密封已連結於前述第1及第2導線端子之金屬 構件。 3.如申請專利範圍第2項之金屬電容器,其中前述金屬構 件係使用鋁(A1)、鈮(Nb)、钽(Ta)、鈦(Ti)及鍅(Zr)中任 一者。 10 4•如申請專利範圍第2項之金屬電容器,其中形成於前述 金屬構件之貫通孔形成部的多個貫通孔係形成圓筒狀 或多角形。 5·如申請專利範圍第2項之金屬電容器,其中前述金屬氧 化層係使用氧化鋁(Ai2〇3)、五氧化二鈮(Nb2〇5)、氧化 15 鈮(Nb0)、五氧化二钽(Ta205)、二氧化鈦(Ti〇2)及二氧 化鍅(Zr〇2)中任一者。 6·如申請專利範圍第2項之金屬電容器,其中前述種子電 極層與前述主電極層係分別使用鋁(A1)、銅(Cu)、鋅 (Zn)、銀(Ag)、鎳(Ni)、錫(Sn)、銦(In)、鈀(Pd) ' 白金 -〇 (Pt)、始(Co)、釕(Ru)及金(Au)中任一者。 7. 如申請專利範圍第2項之金屬電容器,其中前述主電極 層更具有用以連結前述第2導線端子之導電性接著層。 8. 如申請專利範圍第2項之金屬電容器,其中前述密封構 件係以模製材質將金屬構件密封成板狀或圓筒狀之任 19 200919509 一形狀,且以前述圓筒狀密封時,金屬構件係於捲繞後 密封。 9. 一種金屬電容器,包含: 多個貫通型金屬構件,係由以下構件交互積層而形 5 成者: 金屬構件,係具有配置多個貫通孔所形成之貫 通孔形成部、及分別形成於前述貫通孔形成部之電 極拉出部與填塞部; 金屬氧化層,係形成於前述金屬構件; 10 種子電極層,係形成於已形成於前述金屬構件 之貫通孔形成部的金屬氧化層; 主電極層,係以填塞形成於前述金屬構件之貫 通孔形成部的多個貫通孔之狀態,形成於已形成於 貫通孔形成部之種子電極層;及 15 絕緣層,係在前述金屬構件之電極拉出部露出 至外部之狀態下,形成於主電極層與金屬構件,並 且各個電極拉出部係朝向一側與另一側方向; 又,該金屬電容器更包含: 導電性接著層,係分別設置於前述多個貫通型金屬 20 構件之主電極層間,且使多個貫通型金屬構件交互地接 著; 第3及第4導線端子,係交互地分別設置於前述多個 貫通型金屬構件之電極拉出部;及 密封構件,係在前述第3及第4導線端子露出至外部 20 200919509 之狀態下,密封已連結前述第3及第4導線端子之多個貫 通型金屬構件。 10. —種金屬電容器,包含: 多個貫通型金屬構件,係由以下構件交互積層而形 5 成者: 金屬構件,係具有配置多個貫通孔所形成之貫 通孔形成部、及分別形成於前述貫通孔形成部之電 極拉出部與填塞部; 金屬氧化層,係形成於前述金屬構件; 10 種子電極層,係形成於已形成於前述金屬構件 之貫通孔形成部的金屬氧化層; 主電極層,係以填塞形成於前述金屬構件之貫 通孔形成部的多個貫通孔之狀態,形成於已形成於 貫通孔形成部之種子電極層;及 15 絕緣層,係在前述金屬構件之電極拉出部露出 至外部之狀態下,形成於主電極層與金屬構件,並 且各個電極拉出部係朝向一側與另一側方向; 又,該金屬電容器更包含: 導電性接著層,係分別設置於前述多個貫通型金屬 20 構件之主電極層間,且接著多個貫通型金屬構件; 第1極性導線端子,係連結於前述多個貫通型金屬 構件之電極拉出部; 第2極性導線端子,係連結於前述多個貫通型金屬 構件中之一個主電極層;及 21 200919509 密封構件’係在前述第1及第2極性導線端子露出至 外°卩之狀態下,密封已連結前述第1及第2極性導線端子 之多個貫通型金屬構件。 申叫專利範圍第1〇項之金屬電容器,其中前述第1極 f導線端子切述第2極性導線端子作為陰極電極使用 % 1作為陽極電極使用,且當前述第2極性導線端子作 為陽極電極使用時,則作為陰極電極使用。 12. 如申δ月專利範圍第1〇項之金屬電容器,其中前述第2極 性導線端子當前述第1極性導線端子作為陰極電極使用 10 時’作為陽極電極使用,且當前述第1極性導線端子作 為陽極電極使用時,則作為陰極電極使用。 13. 如申請專利範圍第1()項之金屬電容器其中於連結前述 第2極性導線端子之多個貫通型金屬構件中之—個主電 極層更具有導電性接著層。 15 14· 一種金屬電容器之製造方法,包含: 利用DC姓刻方法在母材形成配置有多個貫通孔之 貫通孔形成部,且形成—體地形成有電極拉出部與填塞 部之金屬構件的步驟; 在金屬構件-體地形成貫通孔形成部、電極拉出部 〇 及填塞部後,利用陽極氧化方法在金屬構件形成金屬氧 化層的化學轉化步驟; 在前述金屬構件之電極拉出部露出至外部之鮮 下,利用CVD方法將絕緣層形成於主電極層與金屬構:· 的步驟;及 22 200919509 利用電鑛或無電電鑛方法,在填塞已形iL於貫通孔 形成部之金>1氧化層的多個貫通孔之狀訂,形成主電 極層的步驟。 5 10 15. 如申請專利範圍第14項之金屬電容器之製造方法,其中 ㈤述化子轉化步驟之陽極氧化方法係以去離子水進行 加'、、、步驟J_進行—面以领酸與姻驗的水溶液使水溶 液的濃度與包壓改變,—面進行多次氧化的步驟,接著 進行反覆進行熱處理、再化學轉化之步驟,再進行副產 物處理,以除去再化學轉化時所產生的副產物,且進行 洗淨步驟,以拭去硼酸或磷酸。 16. —種金屬電容器之製造方法,包含: 利用DC姓刻方法在母材形成配置有多個貫通孔之 貫通孔形成部,且形成—祕形成有電 部之金屬構件的㈣; Μ 15在金屬構件-體地形成貫通孔形成部、電極拉出部 及填塞部後’陽極氧化方法在金屬構件形成金魏 化層的化學轉化步驟; 20 在前述金屬構件之電極拉出部露出至外部之狀態 下,利用CVD方法將鱗層形成於主電極層與金屬構= 的步驟; 利用電鑛或無電電錢方法,將種子電極層形成於已 形成於金屬構件之貫通孔形成部的金騎化層的步驟; 利用電鍍或無電電鍍方法,在填塞已形成於金屬構 件之貫通孔形成部之多個貫通孔之狀態下,將主電極層 23 200919509 形成於前述種子電極層的步驟; 於前述金屬構件之電極拉出部與前述主電極層分 別連結第1及第2導線端子的步驟;及 於連結前述第1及第2導線端子後’在第1及第2導線 端子露出至外部之狀態下,以密封構件密封前迷金屬構 件的步驟。 17. 如申請專利範圍第16項之金屬電容器之製造方法,其中 在將多個種子電極層形成於前述金屬氧化層之步驟 中,電鍍方法係使用常溫之硫酸鈀水溶液作為活化劑, 浸潰預定時間後,再於常溫下進行預定時間之浸潰洗 淨’以去除表面的活化劑。 18. 如申請專利範圍第16項之金屬電容器之製造方法,其中 在形成前述主電極層之步驟中,於電鍍時,將硫酸鎳或 氯化鎳水溶液設為PH1至5,溫度維持在3〇〜7〇〇c,且施 加電流密度為2〇〜120mA/cm2之DC電流,實施電鐘,形 成主電極層,且於無電電鑛時,將70〜9〇°c之間的錄構 酸水溶液調節在PH5〜7之間,於其中對形成有種子電極 層之素材進行1〇〜30分鐘之無電電鍍,再進行用以去除 表面的電鍍液成分之洗淨與l〇〇°C以下之乾燥,形成主 電極層。 19. 如申請專利範圍第16項之金屬電容器之製造方法,其中 在將前述貫通孔形成部之一側與另一側之電極拉出部 與填塞部一體地形成於前述金屬構件之步驟中,利用濕 式蝕刻、機械性鑽孔及雷射鑽孔中任一者,令形成於貫 24 200919509 通孔形成部之多個貫通孔的直徑分別形成為Ιμηι至 ΙΟΟμΓη。 20. 如申請專利範圍第16項之金屬電容器之製造方法,其中 在連結前述第1及第2導線端子之步驟中,更具有在連結 5 第2導線端子之主電極層形成導電性接著層,以改善第1 及第2導線端子之接著力的步驟,又,前述導電性接著 層之形成係使用塗布金屬接著劑或焊料膏之方法、電鍍 方法及無電電鍍方法中任一者。 21. 如申請專利範圍第16項之金屬電容器之製造方法,其中 10 以密封構件密封前述金屬構件之步驟中,密封構件係以 模製材質或内部中空的覆蓋構件來密封。 25
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