TW200915463A - Techniques for optical ion beam metrology - Google Patents

Description

200915463 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 於一有’一種半導體製造設備’且特別是有關 ;種光子離子束度量技術。 【先前技術】 墼，是藉由利用能量化的離子對基板進行直接撞 類的化學品沈積至基板内之處理。在半導體 之摻哞：植入機主要用於改變靶材的導電性的類型和 中#·破1Γ广理。在積體電路(Integrated circuit,ic)基板 而二It，廊及其構對於達到理想的1C性能 二:重要的。為達成所希望的摻雜輪廓，可在 麵類:“_gy㈣與不同的劑量下植入-個或多 矣而在植人處理中，離子束通常會掃描晶18或基板之 的表面是扑:ii:斤:用’利用離子束“掃描，，晶圓或基板 离 ==晶圓或基板的表面之相對運動。 (spot 近似圓形或橢圓剖面之“點狀射束 二二露 ^ ^—d ,bbon 回地掃描點狀射束=帶狀射束可11由在較高頻率中來 點狀中’藉由在兩個端點之間來回掃描 點狀射束认成射束路經（beampath)，並且藉由同時地 200915463 移動垂直於射束路徑 可使點狀射束保持不圓、 一維(2-D)圖案中移動。。目對於點狀射束而在 η不動，並且藉二移由使帶狀 束，而達朗晶圓之掃描。若横跨此帶狀射 的一維(1_D)移動 :狀射束寬於晶圓，晶圓 單晶圓離子植入^ m—晶圓表面 。對於 束成為較佳之選擇Γ 5 ’更⑽單的1_D#描使得帶狀射 勻』狀射束會遭受内在的均 狀射束内的射束在大致 =2狀射束。雖然帶 束均不可恰好指向相同的二△ °上傳播，但任何兩個射 固有角度展開度（intrlsiea°。另外，每個射束均可具有 帶狀射束之離子植入_，。結果，在使用 不同的離子入射角。再者二====置會經歷 古，射隹从 束稀疏地分配之一部分帶狀射束而 “。因：，二帶狀射束可傳輸較高劑量 均勻性。 $狀射束可能會缺少角度均勻性和/或劑量 圖1 #田述了習知的離子植入機系統1〇〇。如同通常使 用的多數離子植入機系統’此離子植入機系統⑽可包括 離子源102和一系列複雜的部件，其中，透過該-系列複 雜的部件傳遞離子A 1Q。舉例來說，此—系列部件可包 200915463 括：萃取操作裝置l〇4 (extraction manipulator)、過濾器 磁鐵 106( filter magnet)、加速或減速柱體 108(accelemti〇n or deceleration column)、分析器磁鐵 n〇 (analyzer magnet)、轉動質量狹缝 n2 (r〇tating mass sUt)、掃描 器 114 (Scanner)及校正器磁鐵 116 (c〇rrect〇rmagnet)。 非常類似於可控制光束之一系列光學透鏡，離子植入機部 件在將離子束1〇引導至終點站12〇之前，可過濾並聚焦該 離子束10。 諸如接地電極及抑制離子電極（未顯示）之萃取電極配 置，其可疋位於萃取操作裝置1〇4之前部。接地電極和抑 制離子電極中之每—者均具有與萃取操作裝置刚的孔徑 之孔徑，以從離子源102萃取所明確限定之離子束10 來應用於離子植入機系統1〇〇。 =點站120在離子束1()的路彳f上支持—個或多個工件

入至：向諸如工件122 ’使得所希望的離子種類植 a ,,. 舉例來§兒，工件122可為半導體晶圓或 括1板Ι2Ϊ入之其它類似的目標對象。終點站120還可包 它:來固定Λ支ST2。台板m可使用靜娜 1千122。終點站12〇還可句扭田 + 的方向上移動…、」包括用以在所希望 包括_ _ + I22 牛(未繪示）。終點站120還可 ^括附加的精，諸如用於將工件η 系統100以及在^至離子植入機 處理元件。直入後移除工件122内之自㈣ 入期間是將離子it此項技藝者應當理解到，在離子植 子束10所經過的整個路徑抽真空的。 200915463 離子植入機系統〗〇〇還可包括控制器（未繪示），用以 控制離子植入機系統100的多種子系統及部件。離子植入 j 幾系統⑽可還包括大量測量器件，諸如劑量控制法拉第 杯 118 (dose contr〇i Faraday cup)、移動法拉第杯 (traveling Faraday cup )及劑量法拉第杯〗26(加％ 吖

Clip)。該些器件可用於監視及控制離子束狀態。 儘管該些附加部件已經在習知離子植入機中使用，以 '改良帶狀射束之角度均勻性或劑量均勻 技效率之方法，用於提供可滿足離子植人2:體= 制$及角度均勻性要求之帶狀射束。舉例來說，在晶圓平 面中’通常要求帶狀射束應提供變化小於1%之劑量均勾 性以及變化小於0.5。之角度均勾性。由於此兩種均勾性類 型Ϊ難以捉摸，特別是對於要求具有相對較高的專-性和 =性之^導體製造而言尤甚之，故报難滿足當前所需的 繁於前述’應可理解到當前的離子植入技術存在著重 大的問題和缺點。 【發明内容】 a本文揭:了-種提供光學離子束度量之技術。在一特 =的示例，貫施例中’該等技術可被理解為是用於控制射 束密度輪靡之方法和裝置。該裝置可包括：—個或多個攝 ，機系統，獅-離子束的至少_個圖像；以及控制系統， 個攝景m控制離子束之射束密 度輪廓。 200915463 廓可性實施例的其它様態，射束密度輪 多個攝影機系==例態’ 1-個或 根據此特定从_ 们次夕個可動式反射鏡。 #、不例性實施例之附加樣態，所述一個或 ==著離子射束铜各個位置而定位。 f縛二少一個旋轉式攝影機。 餅、衰示例性實施例之-樣態，戶斤述控制系 ^$輪靡儀’提供資訊至—個或多個離子植 二产路：制：述射束密度輪廓，其中離子植入部件位在 回饋％路和珂饋環路中的至少一者中。 特定的示例性實施例之附加樣態，所述—個或 二糸統可包括：至少一個渡色器’增強離子束之 離子束已增強的圖像提供有關於射束中的離 …、垔、岔度及電荷等附加資訊中之至少一者。 β根據此特定的示例性實施例之其它樣態，所述裝置還 可包括’’或多種氣體，增強所述離子束的圖像。 更根據此特定的示例性實施例之樣態，所述裝置還可 包括·與離子束相交的桿體和罩體中的至少〆者，產生在 離子束的圖像巾之陰影，進而判定肖度均勻性。 根據本揭露内容的另一示例性實施例，所述裝置可包 括：一個或多個攝影機系統，擷取離子束的至少一個圖像； 200915463 以及控制系統，输於所述—個或 做（customize)所述離子束的輪廓。如糸統的，定 為讓本發明之上述特徵和僖 舉實施例，並配合所附圖式作詳細:^易十重’下文特 【實施方式】 ^ I— 本揭露内容的實施例提供了一 該方法可使用光學離子束度量 ，=法，其中 子束角度之測量。 文良對料束輪廓和離 請參照圖2A，結合本揭露内容 性的離子植入機系統配置200。圖'人不了示例 200合併了圖丨的所有元件^ 6、料植人機系統 可包括攝影機 J2L φ 1Λ ^ , 攝衫機230可齠祈南6: 于采10而疋位，以拍攝離子走 近離 由攝影機23。、且透過反應室束上圈像。籍 離子束U)。在一實施例中，離子 體’可觀察

C 可儲存於攝影機23G内。在p f 1G1 —個或多個圖像 10的一個或多個圖像至控制只二歹1，：傳廷離子束 f個或多個^ 分析自攝影機230傳送之離子束'夕 顯示)，以 基於自離子幻_像職^=圖像。纽例子中， 指令至離子植人機系統細制线240提供 置刚、過攄器磁_、加速或=^:取，作裝 鐵n〇、轉動質量狭縫112、掃插器m及校正器 200915463 中之至少-者’以調整離子劑量 可藉由劑量法拉第杯126將 ^束角度。應當理解， 240，並結合來自攝影機23〇的圖月^供至控制系統 2〇〇的各辦件處_子缝及 ^離子植入機系統 在一實施例中，如圖2Β中 ^度。 2〇〇b可包括：鄰近離子束1Q ^ ^，子植入機系統 之攝影機2施。舉例來說， ft該平面上 Γ 束1〇平面以上約六⑹至八⑻笨二么230a Z在距離離子 定角度(例如45度_之反練2sT^f2= ^ (topview) 貝鉍例中，反射鏡250為可動式 ^ 由諸如金屬或非金屬之各種反射材質形^。^、’可 抑里解到，當將圖像區域300描述為頂視圖時，本 二或"、、知此項技蟄者應認識到可從多㈣度和/或位置(例 側視、底視等)觀察圖像區域，以最佳地顧取離子束10 之圖像。 應㊄理解到，當使用反射鏡250以擷取圖像區域3〇〇 =的離子束10之圖像時，本領域熟知此項技藝者應認識到 逛可使用多種實施例。舉例來說，在一實施例中，反射鏡 250不是必需的。在這種情況下，攝影機23〇&可直接定位 =圖像區域3〇〇之上方，以擷取離子束1〇的圖像。在另一 錢％例中’可使用兩個或多個可動式的反射鏡。於此例子 中，在攝影機230a被固定、或因太大以至不能移動至另一 位置之情況下，該兩個或多個可動式反射鏡可優化圖像擷 200915463 == 匕，該兩個或多個可動式反射鏡可為各種類 於_練，制是在不能讀地定位攝影 離子植入機系統2〇。内之區域上時，其效果尤為 m^ ^=B結合本揭露内容的實_描述了離子束 圖像的不例性晝面。 $ =照圖3A ’提供了描述離子束圖像通、和離子 ^象:的圖解積分（graphicalill她 :r=screenshot)。在此例子中，離子束圖像』 兴M 1G不具有均勻的劑量輪摩（dQSepiOflle)。

Stilts 了較大離子，旦k緣。此較大的光線強度代表

Rows Αν a如糟由平均化位在列中（Number of 子束i〇的圖像之晝素強度），並且產生離 可利用此資訊^ 3❿。因此，控制系統 可利用回離==穿:。於-實施例中，㈣ _的這些上游部件是定位在攝影機 饋 圖像地使得^科巾’娜機，，取乡個離子束 。 糸統240對該些上游部件進行分析並回 於另一實祐右,1 1中，控制系統240可利用前饋環路 12 200915463 (feedforward loop)來調整離子植入機系統2〇〇之所有下 游部件，這些下游部件是定位在攝影機23〇的下游。於此 例子中’攝影機230及劑量法拉第杯126(例如劑量輪廓儀） 可同時作用以改良劑量均勻性。例如’劑量輪靡儀126可 回饋離子劑量不均勻之資訊至控制系統24〇。然而，攝影

機230所擷取之圖像可顯示攝影機23〇所在之處的離子I 1〇是均勻的。結果，此資訊可使得控制系統24〇 了解到可 能需要調整諸如校正器磁鐵116之上游部件，以提供均勻 的離子束至終點站120，其中該校正器磁鐵116可位於 影機230和劑量輪廓儀126之間。還可利用其它的各種餘 施例或組合。 只 凊參照圖3B，提供了描述離子束圖像31〇b、和離子 束，像!10a中的射束角度（angie(deg))的圖解積分⑽ 之螢幕單幅3GQb。於此例子中，離子束圖像島可用於 =量在離子束1G的外緣之離子束1G的射束角度和展開度 314 (啊ead)。該些基於圖像之測量可代表不均勻的離子 ^ ί的區域。因此’控制系統可使用此資訊對離子 H糸統的部件進行調整及微調，以提供均勻的射 3Α ίί (beam angUlarity) 〇 ^ ^ 200 統可利用回饋環路來調整離子植入機系統 上游 上⑯藉、些上游部件定财攝影機230的 ^於此例子中，該攝影機23Q可她多個離子束圖像 a一使雜制錢對該些上游部件進行分析及回饋。於 1施财’控·統刊用_環路來調整離子 13 200915463 植入機系統200之所有下游部件，這些下游部件是定位在 攝影機230之下游。於此例子中，類似於圖3A ,攝影機 230和劑量法拉第杯丨26(例如劑量輪廓儀)可同時作用以改 良角度均勻性。來自攝影機230的資訊、和劑量輪廓儀126 所接收而到達控制系統240的資訊可用於調整諸如校正器 磁鐵116之上游部件，以改良在終點站12〇處之離子角度 均勻性，其中該校正器磁鐵116可位於攝影機23〇和劑量 輪廓ϋ之間。還可湘其它的各種實關或組合。 請參照圖2Α〜圖3Β ’應當理解到雖然僅描述了使用 -個攝影機230，但本領域熟知此項技#者應該認識到還 可使用大量的攝影機。舉例來說，圖4八結合本揭露内容 的貫施例描述了帶有多個攝影機之示例性離子植入機系统 配置條。於此例子中，多個攝影機430a、43〇b、430c、 八430二43:fA 430g可位於離子植入機系統4，内 诸如A〜G之各個位置上。於一麻 可位於鄰近終點站12。之位二上以=:’攝機4働 置上。於此，控制系統240 =對=植人機祕她的—個或多個 父再者:可拍攝位於位置Β (在該位置β上:= 、仃進出系統200移動）之離子束1〇，盆中 ° 之離子束1G可提供諸如晶圓電荷控制之附加位置Β 加資訊對於附加系統的校準及調整是、口貝5孔’而該附 實施例中，攝影機43〇c可位於鄰近 =°於另一 置C。於此，控制系統24。可對離子植=置职之位 個或多個下游部件作出調整。於每糸、、、先400a的一 、另一貫施例中，攝影機 200915463 430a及43Gd〜43Gg可位於沿離子射束路徑之位置a及位 置D〜G中。還可使用其它各種實施例。 應當理解，本領域熟知此項技藝者會認識到在圖4A 中所描述祕何位置上可_使用—個或多個攝影機。再 者應§理解到，當攝影機43〇a、43〇b、43〇c、43〇d、43〇e、 430f及430g位於各種位置A〜G上時，亦可提供在離子植 ^機系統400a内之其它的各種位置。另外，應當理解到， 並不要求同時使用攝影機430a、430b、430c、430d、430e、 430f及43〇g。舉例來說，在一實施例中，可使用攝影機 430a、j3Gb及侧之組合以提供圖像#料至控制系統 240還可使用其它的各種組合和/或實施例。 少i圖4B結合本揭露内容的實施例描述了帶有旋轉式攝 影機435 ( swivel camem )的示例性離子植入機系統配置 4〇〇b。於此例子中，旋轉式攝影機435可配備於離子植入 機^先200中的預定位置上，該旋轉式攝影機435可齡 在/α離子射束路徑的各種位置上(例如，位置A〜G)之圖 像。在一實施例中，旋轉式攝影機435可從單個或多個位 =操取離子束1Q的圖像，而不需要在各個位置上操作攝影 ，435。在—實施例中，旋轉式攝影機435可具有一個視 =:用於從一個位置上同時擷取一個或多個圖像。於另一 只靶例中，旋轉式攝影機435可具有多個視窗，在沿離子 身2束路仏之不同位置上同時擷取多個圖像。或者，應當理 ，〗夕個攝影機可黏附於一旋轉軸（swivel )，以在沿 離子射束路徑之不同位置上同時擷取多個圖像。 15 200915463 圖5A〜圖5B結合本揭露内容的實施例描述了帶 體520 (post)之示例性離子植入機系統配置5〇〇a、5〇〇b。

L 如上所討論，除強度輪科，離子束1〇亦可顯示角度展開 度510 (spread)。儘管攝影機23〇可提供顯示了劑姊 部角度均勻性之離子束圖像，而利用垂直於離子幻〇 體520可提供附加的方法來測量角度展開度51〇，並且: 桿體520位在離子束10内部尤為有效。於此例子 520可投影出（㈣陰影（_歸），此陰影包財影 522 (腦bra)和半影524 (penumbra)。在離子束ι〇内的 桿體520所投影出之陰影可顯示定位有桿體52〇之位置上 的角度大小（angular content)。具有陰影的離子束之一 或多個圖像可透過攝影機23〇而獲得，使得控制系統24〇 可分析及最後判定桿體52〇的位置上之射束角度。在_杏 施例中，桿體520可如目5A的箭頭所描述沿離子束1〇 ^ 行掃描。於此例子中，當桿體52〇沿預定的增量(例如 未^動時’在每個預定的增量中攝影機23〇可操取離 =桿體520投影出的陰影之圖像。結果，一旦該桿體汹 牙過了整個離子束，就可在沿離子束1()的各增量上狗 體520和對應的陰影之多個圖像。因此，在每 L娜統240可使用該些圖像為離子束10的内部提ί ，藉此判定離子束放射（i〇nbeamemittance)及 正;;=廊再者，在桿體520上之具體測量還可用於校 使用本揭露内容的實施例之—優點包括：具有能夠基 16

200915463 回饋(或前饋)資訊至沿離子束的離子植 性之能力。另夕各地改良劑量和角度均勻 ^ =之非侵入式方法，特 “t(諸如法_、磁場或其 估田卜、+、士 丁物理上相父（Physically intersected)， ^二:ΓΓ對晶圓進行處理和測量嫩 一 、乜點。π果，基於圖像實施在各位置上具有 句ί·/福H H控㈣統，可為增加的舰及角度均 勻；美供對離子植入機部件的近似實時調整 real-time adjustment)。 再者，聽本揭露崎时施舰常涉及無射束相交 轉（no beam-intersectingpart)，所以不需對其進行維護 (或者只需作髓的維護），因此，藉由相對定期㈤咖^ regulamy)的維護’即可使離子束測量達成一致性和可 性。本揭露内容的另-優點包括：可增加對離子束之使 率’進而節約成本。 味除了该些優點外，本揭露内容的實施例可提供附加的 診斷處理（diagnostic implementation)。舉例來說，還可 使用光學離子束度量技術進行離子源調整和/或離子束大 小測量。而且，本揭露内容的實施例還可用於判定射束腰 部(beam waist)的位置，並且程式性地將腰部移動至任何所 希望的位置，諸如鑑別孔徑（resolving aperture )之中心處。 藉由對離子植入機系統2 00之各種射束部件（如上所介鲈） 200915463 乂及對電壓和笔々丨5又疋進行調整和微調，可提供該些處 理。還可提供其它的各種處理。 應當理解’雖然本揭露内容的實施例在具有較大的離 ：!束10的環境(黑色背景）中使用了-個或多個攝影機，但 遷可提供其它％境。舉例來說，控制系統24〇可改善在任 =背景中所拍_離子束圖像之訊號雜訊比。在—實施例 中，藉由從攝影機230獲得多個離子束圖像，且同時重A =相加Udd)該些圖像、且隨即將該些圖像平均化，可ς 訊號雜訊比的效果。在另—實施例中，可#由控制 例中，4。來消除背景雜訊和/或不需要的光線。在另一實施 例如-可使用一個或多個濾色器以增強離子束10的圖像。 攝影機230和離子束H)間定位一個或多^ 體至離子束成:;尤積:種，，氣 子束圖像。另外，辦/一先線，該光線可改善及增強離 之附加處理。舉㈣“、種氣體可提供本揭露内容 子之諸如密度m:光;顏色可包含有關射束中的離 施例。 了、加貝矾。還可提供其它的各種實 應當理解到，雖麸太兩 植入中的光學離^ 4内容的實施例提供了在離子 又里，但亦可提供其它的處理方法。 18 200915463 2例來說’提供了光學離子束度量之技術可應用於基於電 漿的離子植入系統，諸如輝光放電電漿摻雜(gl〇w discharge

Plasma doping, GD_PLAD)系統或射頻〗_(radi0 frequency doping，RF-PLAD)系統。還可使用其它的各種系統。 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 本鲞明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 本發明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，故本 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1描述了習知的離子植入機系統。 圖2A〜圖2B結合本揭露内容的實施例描述了示例性 離子植入機系統配置。 圖3A〜圖3B結合本揭露内容的實施例描述了離子束 圖像的示例性晝面。 圖4A結合本揭露内容的實施例描述了帶有多個攝影 機的示例性離子植入機系統配置。 ^圖4B結合本揭露内容的實施例描述了帶有旋轉式攝 衫機的示例性離子植入機系統配置。 圖5A〜圖5B結合本揭露内容的實施例描述了帶有桿 體的示例性離子植入機系統配置。 【主要元件符號說明】 10 :離子束 100、200、200b、500a、5〇0b :離子植入機系統 102 :離子源 19 200915463 / ,▲太·^ 104 :萃取操作裝置 106 :過濾器磁鐵 10 8 :加速或減速柱體 110 :分析器磁鐵 112 :轉動質量狹缝 114 :掃描器 116:校正器磁鐵 118 :劑量控制法拉第杯 (' 120 :終點站 122 :工件 124 :台板 126 :劑量法拉第杯 128 :移動法拉第杯 230、230a :攝影機 240 :控制系統 250 :反射鏡 ; 3 00 ·圖像區域 300a、300b :螢幕單幅 310a、310b :離子束圖像 312a、312b :圖解積分 314、510 :角度展開度 430a〜430g、435 :攝影機 520 :桿體 522 :本影 20 200915463 524 :半影

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Claims (1)

1. 200915463 十、申請專利範圍： 種控制射束密度輪廓的褒置，包括： 個或多個攝影機系統，擷取一離子束的至少一圖 像；以及 ^制系統，耦接於所述一個或多個攝影機系統，控制 斤述離子束的一射束密度輪廓。 . # 2.如申請專利範圍冑1項所述之控制射束密度輪廓的 ::，其中所述離子束的所述射束密度輪廓包括：離子束 均勻度。 3. 如申請專利範圍第2項所述之控制射束密度輪廓的 :置，其中所述離子束均勻度包括：劑量均勻性和角度均 句性中的至少一者。 4. 如申請專利範圍第1項所述之控制射束密度輪廓的 置其中所述一個或多個攝影機系統包括：一個或多個 可動式反射鏡。 〆 I 5.如申請專利範圍第1項所述之控制射束密度輪廓的 _置其中所述一個或多個攝影機系統沿著一離子射走跋 也的各個位置而定位。 6.如申請專利範圍第1項所述之控制射束密度輪廓的 、置，其中所述一個或多個攝影機系統包括：至少一個旋 轉式攝影機。 ^ 7.如申請專利範圍第1項所述之控制射束密度輪廓的 裳置，其中所述控制系統還包括： 一劑量輪廓儀，提供資訊至/個或多個離子植入部件 22 200915463 而控制所述射束密度輪廓，其中所述離子植入部件位在/ 回饋％路和—前饋環路的至少-者中。 8. 如申請專利範圍第1項所述之控制射束密度輪廓的 裝置，其中所述—個或多個攝影機系統包括：至少一個濾 色益，增強所述離子束的所述圖像。 9. 如申請專利範圍第8項所述之控制射束密度輪廓的 裳置’其中所述離子束的所述已增強的圖像提供有關所述 射束中的離子的下列附加資訊中的至少一者：類型、密度 及電荷。 的壯10·如，请專利範圍第1項所述之控制射束密度輪廓 Μ衣置’遇包括：—種或多種氣體’增強所述所述離子束 的圖像。 K F I U 的穿如Γ請專利範圍第1顿述之控制射束密度輪靡 少二，U包括：與所述離子束相交的桿體和罩體中的至 i定角度所述離子束的所述圖像中之-陰影，進而 =·-種控制射束密度輪叙方法，包括： 圖像個或多個攝影機系統擷取—離子束的至少-個 所述:::束至所述-個或多個攝影機系統，基於 射束密個圖像，以控制所述離子束的― 之方法如:12項所述讀制射束密度輪磨 所柄束讀輪廓包括：離子束均勾度。 200915463 14. 如申請專利範圍第13項所述之控制射束密度輪廓 之方法，其中所述離子束均勻度包括：劑量均勻性和角度 均勻性中的至少一者。 15. 如申請專利範圍第12項所述之控制射束密度輪廓 之方法，其中所述一個或多個攝影機系統包括：一個或多 個可動式反射鏡。 16. 如申請專利範圍第12項所述之控制射束密度輪廓 之方法，其中所述一個或多個攝影機系統沿著一離子射束 路徑的各個位置而定位。 17. 如申請專利範圍第12項所述之控制射束密度輪廓 之方法，其中所述一個或多個攝影機系統包括：至少一個 旋轉式攝影機。 18. 如申請專利範圍第12項所述之控制射束密度輪廓 之方法，其中所述控制系統還包括： 一劑量輪廓儀，提供資訊至一個或多個離子植入部件 而控制所述射束密度輪廓，其中所述離子植入部件位在一 回饋環路和一前饋環路的至少一者中。 19. 如申請專利範圍第12項所述之控制射束密度輪廓 之方法，其中所述一個或多個攝影機系統包括：至少一個 濾色器，增強所述離子束的所述圖像。 20. 如申請專利範圍第19項所述之控制射束密度輪廓 之方法，其中所述離子束的所述已增強的圖像提供有關所 述射束中的離子的下列附加資訊中的至少一者：類型、密 度及電荷。 24 200915463 21. 如申請專利範圍第12 之方法，還肖衽：插人一M所&制射束密度輪廓 束的所述圖像。 ’多種氣體’以增強所述離子 22. 如申請專利範圍第 之方法，還包括：與所述離射束密度輪靡 述離子束的所述圖像中之—降Ϊ相：的桿體，以產生在所 23 丨衣衫’進而判定角度均勻性。 於，可下載的、電财讀舰，包括： 度輪廓之請專纖圍第12賴述之控制射束密 之方法的所述步驟之代碼。 種定做射束輪廓的裝置，包括： 像；以^或多個攝影機系統，擷取一離子束的至少一個圖 做所、十、=制系統，耦接於所述一個或多個攝影機系統，定 处離子束的輪廓。