JP2003077413A - 電子線装置及び該装置を用いた半導体デバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】投写型の電子線装置において、ステージ移動方
向とＴＤＩ−ＣＣＤ受光面配列の積算方向とを高精度で
整合させる。 【解決手段】電子重１から放出された複数の一次電子ビ
ームが、ステージ２１上に載置された試料１１に照射さ
れる。これにより、試料から二次電子１２が放出され、
マイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）１６に受け取ら
れ、シンチレータ１７、リレー光学系１８を介し、ＴＤ
Ｉ−ＣＣＤ１９において電気信号に変換される。ＭＣＰ
１６へ向かう電子ビームは、磁気レンズ１５からの磁界
強度を調整することにより、適宜回転され、これによ
り、ステージの移動方向とＴＤＩ−ＣＣＤ受光面配列の
積算方向とが一致される。ＴＤＩ−ＣＣＤで得られた電
気信号は、処理されて画像表示部２０において表示され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、最小線幅０．１μｍ以下
の高密度パターン等の形状観察及び欠陥検査等を高精度
かつ高信頼性で行うための電子線装置、及び、該電子線
装置を用いて、プロセス途中及び完了後の半導体デバイ
スのパターン検査を行うデバイス製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体ウエハ等の試料上に電子ビ
ームを照射し、該試料の表面から生じる２次電子ビーム
をマイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）に結像させ、電
子を増倍させた後、シンチレータにより光に変換し、リ
レー光学系を経て、ＴＤＩ−ＣＣＤにより電気信号に変
換し、その結果得られた電気信号に基づいて、試料表面
を表す連続した画像を形成して表示部に映し出すように
した写像投影型の電子線装置が知られている。なお、Ｔ
ＤＩ−ＣＣＤは、時間遅れ積算（Time Delay Integrati
on）型の電荷結合素子であり、ＴＤＩ−ＣＣＤセンサは
ラインイメージセンサである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来例の写像
投影型の電子線装置においては、電子ビームを試料上に
スキャンさせるために試料を載置したステージを移動さ
せているが、該ステージの移動方向を、ＴＤＩ−ＣＣＤ
配列の積算方向と精度よく一致させる必要がある。この
ため、従来例の電子線装置においては、該装置自体の製
造時に、ステージの移動方向がＴＤＩ−ＣＣＤ配列の積
算方向と一致するように、装置を機械的に調整してい
る。しかしながら、電子線装置を機械的に調整する手法
では、近年の０．１μｍ以下の線幅を有する半導体ウエ
ハ等の形状観察や欠陥検出を行う場合に、必要な精度を
達成することが極めて困難であった。本発明は、このよ
うな従来例の問題点に鑑みてなされたものであり、その
目的は、写像投影型の電子線装置において、ステージの
移動方向とＴＤＩ−ＣＣＤ配列の積算方向とのアライン
メントを、高精度に実現できるようにすることである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明に係る電子線装置においては、試料を載
置して移動させるステージと、複数の一次電子ビームを
走査しつつ試料に照射する電子照射部と、一次電子ビー
ムの照射により試料から放出された二次電子ビームを光
学的に処理する二次光学系と、二次光学系の出力を受け
取るマイクロチャネルプレートと、マイクロチャネルプ
レートの出力を受け取るシンチレータと、シンチレータ
の出力を受け取るリレー光学系と、リレー光学系からの
光信号を電気信号に変換するＴＤＩ−ＣＣＤと、ＴＤＩ
−ＣＣＤからの電気信号を処理して画像を表示する画像
表示部とを含み、二次光学系は、マイクロチャネルプレ
ートへ向かう電子ビームを回転させることにより、ステ
ージの移動方向とＴＤＩ−ＣＣＤ配列の積算方向とを一
致させるための磁気レンズを含んでいる写像型の電子線
装置であることを特徴としている。

【０００５】上記した本発明に係る電子線装置におい
て、磁気レンズは、二次光学系に含まれるウイーンフィ
ルタとマイクロチャネルプレートとの間に配置されてい
ることが好ましいく、このとき、磁気レンズは、マイク
ロチャネルプレートに最も近いクロスオーバー位置、も
しくは、二次光学系に含まれる静電レンズ系の最終段に
最も近い結像位置に配置されていることが好ましい。

【０００６】本発明はまた、上記した電子線装置を用い
て、プロセス途中又は完了後の半導体デバイスを検査す
る工程を含んでいる半導体デバイス製造方法も提供す
る。

【０００７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る写像投影型
の電子線装置の第１の実施例を示しており、図１におい
て、１は電子銃であり複数の一次電子ビームを放出す
る。放出された各一次電子ビーム２は、レンズ３及び４
を介して、電極６及び磁石７からなるＥ×Ｂ偏向器すな
わちウィーンフィルタ８の偏向中心面にそれぞれ楕円状
に結像し、そして、ウィーンフィルタ８により偏向さ
れ、レンズ９及び１０によって例えば１／５に縮小さ
れ、試料１１の表面に照射される。このとき、偏向器５
により、複数の一次電子ビーム２は、同時に、図面と直
交する方向にスキャンされ、一方、試料１１を載置した
ステージ２１は、＋ａ（又は−ａ）方向に連続的に移動
され、これにより、全体として、試料１１の表面の矩形
領域に均一に電子ビームが照射される。

【０００８】なお、検査領域が広い場合、ステージ２１
の移動により、試料１１の検査領域のａ方向端部に一次
電子ビーム２が到達したとき、該電子ビーム２のスキャ
ン幅だけ、該スキャン方向（図面と直交する方向）にス
テージ２１はステップ移動され、そして、その後、前回
とは逆の−ａ（又は＋ａ）方向にステージ２１が連続移
動される。このようなステージ２１の移動及び偏向器５
による一次電子ビーム２の走査を繰り返すことにより、
試料１１の検査領域全体に電子ビームが均一に照射され
る。

【０００９】試料１１は、電子ビームが照射されること
により、それぞれの照射点から二次電子１２を放出す
る。放出された二次電子１２は、レンズ１０、９、１
３、及び１４により拡大され、磁気レンズ１５におい
て、ＴＤＩ−ＣＣＤ１９の受光面の配列方向と試料１１
の連続移動方向ａとの角度補正が行われる。この角度補
正については、以降で詳細に説明する。角度補正が行わ
れた二次電子は、マイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）
１６上に全体として矩形画像を結像する。この二次電子
は、ＭＣＰ１６によって、１万〜数万倍に増感され、シ
ンチレータすなわち蛍光部１７によって光に変換され、
リレー光学系１８を経て、ＴＤＩ−ＣＣＤ１９におい
て、試料の連続移動速度に同期した電気信号となり、画
像表示部２０において、連続した画像として表示され
る。

【００１０】電子ビームは、試料１１の表面に、できる
だけ均一にかつ照射むらを少なくして、例えば、矩形又
は楕円状に照射されるように調整する必要がある。ま
た、スループットを向上させるためには、より大きな照
射電流で検査領域を照射する必要がある。これは、照射
電流が多くなれば、その分、ステージの移動速度を増大
させることができ、これにより、スループットが上昇す
るためである。なお、従来の電子線装置においては、１
つの電子ビームを用いて検査領域を走査しているため、
電子ビームの照射むらが±１０％程度あり、また、電子
ビームの照射電流は５００ｎＡ程度で少ないため、高ス
ループットが得られないという問題があった。また、走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）方式に比べて、写像投影型の
電子線装置は、広い画像観察領域を一括して電子線照射
するために、チャージアップによる結像障害が生じやす
いと言う問題があった。これに対して、本発明の方式に
おいては、複数の電子ビームを試料上に走査して照射し
ているので、１本の電子ビームを用いている従来の電子
線装置に比べて、照射むらを、例えば１／３程度にまで
減少させることができ、また、照射電流は、８本の電子
ビームを用いる場合、試料表面で全体として、従来例の
３倍以上を得ることができる。また、電子線の本数を増
やすことにより、スループットをさらに向上させること
ができる。

【００１１】図１には示してないが、本発明の電子線装
置には、レンズの他に、ＮＡ絞り及び視野絞り等の各種
の絞り、電子ビームの軸調整のための４極又はそれ以上
の極を備えた偏向器（アライナー）、非点収差補正器
（スティグメータ）、並びに、ビーム形状を整形する複
数の４重極レンズ（４極子レンズ）等の、電子ビームの
照明及び結像に必要なユニットを備えている。

【００１２】図２を参照して、図１に示した磁気レンズ
１５の構成及び動作原理について説明する。図２の
（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、磁気レンズ１５の平面図
及び断面図であり、図示のように、磁気レンズ１５は、
中央に円状開口部を有する円形の２つのポールピース
（極部材）２２によって形成されている。ポールピース
２２の開口部を二次電子１２が通過すると、該ポールピ
ース２２により生成された磁界が該二次電子１２に印加
され、それによって、二次電子１２は、光軸に対して矢
印２３の方向に回転させられる。このときの二次電子の
回転量は、ポールピース２２によって二次電子１２に印
加される磁界の強度を大きくするに連れて、大きくな
る。

【００１３】この原理を利用し、磁気レンズ１５を、レ
ンズ１４とＭＣＰ１６との間に配置し、磁気レンズ１５
が発生する磁界の強度を調整することにより、試料１１
から放出された二次電子ビーム１２がＭＣＰ１６上に結
像したときの画像を、回転させることができる。したが
って、磁気レンズ１５の磁界強度を調整することによ
り、ステージ２１上の試料１１を電子ビームで走査する
ときの試料の連続移動方向（すなわち、ステージの移動
方向ａ）とＴＤＩ−ＣＣＤ１９の受光面配列方向の積算
方向とを一致させることができる。また、レンズ１４を
静電型レンズ系の最終段レンズとして形成した場合、磁
気レンズ１５の磁界強度の調整により、静電型レンズ系
に対して、該レンズ系の倍率を変えてしまったり、収差
や歪みを生じさせてしまったり等の影響を与えることが
なく、二次電子ビームの回転すなわち結像画像の回転を
行うことができる。

【００１４】図１に示した電子線装置を用いて、実機テ
ストを行った。実機テストにおいては、まず、試料１１
の連続移動方向ａとＴＤＩ−ＣＣＤ１９の受光面配列の
積算方向とを、機械的に精度±１度に調整し、その後、
磁気レンズ１５の磁界強度を種々に変化させて、二次電
子ビームの回転角度を測定した。この実機テストによ
り、二次電子ビーム１２の回転を精度±１分以内の角度
で行うことができるという結果が得られた。

【００１５】なお、例えば、ＴＤＩ−ＣＣＤの受光面配
列の積算方向の段数を５１２とし、かつ１段のサイズが
１ピクセルサイズと等しい場合、５１２段進んで１／１
０ピクセルサイズのずれが許容範囲であると仮定する
と、１段当たりの角度精度は、 角度精度＜１／１０×（ピクセルサイズ）／５１２×
（ピクセルサイズ） ＝１／５１２０ ≒２×１０^-4ラジアン ≒０．０１１度 ≒０．７分 が得られる。したがって、実機テストにおいて得られた
±１分以内の二次電子ビーム１２の回転角度はほぼ上記
例の角度精度に匹敵し、したがって、本発明によれば、
極めて高精度で、二次電子ビームをＴＤＩ−ＣＣＤ１９
の受光面配列の積算方向に一致させることができること
が分かる。

【００１６】磁気レンズ１５を、静電型レンズ系の最終
段レンズ１４とＭＣＰ１６との間に配置する場合、図３
に示したように、該磁気レンズ１５は、クロスオーバー
位置３１に配置することが好ましい。これにより、写像
投影系の合焦条件に与える影響が無視し得る程度の状態
で、磁気レンズ１５の二次電子ビームに対する回転作用
を利用することができる。磁気レンズ１５は、また、図
４に示されるように、最終段レンズ１４に関してＭＣＰ
１６とは反対側に配置することも可能である。この場
合、磁気レンズ１５は、レンズ１４に最も近い結像位置
４１に配置されることが好ましい。結像位置４１は、試
料１１の表面及びＭＣＰ１６の二次電子ビーム入射面と
共役の位置であり、磁気レンズ１５の回転作用以外のい
かなるレンズ作用も働かない位置である。このため、磁
気レンズ１５が発生する磁界強度を変化させても、試料
１１の連続移動方向ａとＴＤＩ−ＣＣＤ１９の受光面配
列の積算方向との間の角度に影響を与えるだけである。
したがって、写像投影系の静電型レンズ系に収差や歪み
等の影響を及ぼすことなく、試料１１の連続移動方向と
ＴＤＩ−ＣＣＤ１９の受光面の段数方向とのずれを容易
に補正することができる。

【００１７】図５は、本発明に係る電子線装置の第２の
実施例を示す概略図である。該第２の実施例は、図１に
示した第１の実施例に、開口絞り１０１及びＮＡ絞り１
０２を追加し、かつ第１の実施例からレンズ１０を削除
したものである。なお、開口絞り１０１を設けたことに
より、電子銃１の構成が第１の実施例のものとは相違し
ている。この第２の実施例においては、４本の一次電子
ビーム２０１〜２０４は各々、開口絞り１０１で整形さ
れ、２段のレンズ３及び４によりウイーンフィルタ８の
偏向中心面に１０μｍ×１２μｍの楕円状に結像され、
偏向器５により図面に直交する方向にラスタスキャンさ
れることにより、全体として、１ｍｍ×０．２５ｍｍの
矩形領域（ウイーンフィルタ８の偏向中心面上）を均一
にカバーするよう結像される。その後、一次電子ビーム
は、ウイーンフィルタ８によって偏向され、ＮＡ絞り１
０２でクロスオーバーを結び、レンズ９で例えば１／５
に縮小され、試料１１の２００μｍ×５０μｍをカバー
するように、試料１１にほぼ垂直に照射される。

【００１８】一次電子ビームの照射により試料１１から
放出された二次電子ビームは、第１の実施例に関連して
説明したように、磁気レンズ１５よって試料１１の連続
移動方向とＴＤＩ−ＣＣＤ１９の段数方向すなわち配列
方向との角度補正が行われ、ＭＣＰ１６上に拡大投影像
３０２として結像する。拡大投影像３０２は、ＭＣＰ１
６で１万倍に増感され、蛍光部１７により光に変換さ
れ、ＴＤＩ−ＣＣＤ１９において電気信号に変換され、
画像表示部２０において画像として処理され、画像表示
部２０に出力される。第２の実施例においても、磁気レ
ンズ１５は、図３及び図４に示したいずれかの位置に配
置することが好適である。

【００１９】図６は、第２の実施例における、一次電子
ビーム２を構成する４本のビーム２０１〜２０４それぞ
れの試料１１上の走査方法を示している。それぞれのビ
ーム２０１〜２０４は２μｍ×２．４μｍの楕円形状を
しており、それぞれが２００μｍ×１２．５μｍの矩形
領域をラスタスキャンし、それらが重なり合わないよう
に足し合わせて４本のビーム全体として、２００μｍ×
５０μｍの矩形領域を走査する。ビーム２０１は、位置
２０１から位置２０１’に有限の時間で到達した後、実
質的な時間損失無しに、ビームスポットの径（１０μ
ｍ）だけずれた、位置２０１の真下（−ａ方向）に戻
り、前回の走査ラインの真下を前回と同様に走査する。
これを繰り返して、図の２００μｍ×１２．５μｍの領
域（図中の全体領域の１／４）を走査し、かつ、再度位
置２０１に戻って、再度１／４領域を走査する。他のビ
ーム２０２〜２０４もビーム２０１と同様に、それぞれ
に対応する１／４領域を高速で数回走査する。これによ
り、４つのビーム全体として、２００μｍ×５０μｍの
領域を均一にかつ高速に照射することができる。

【００２０】なお、均一な照射が得られるのであれば、
上記のようなラスタスキャンである必要が無く、例え
ば、リサージュ形を描くように走査してもよい。この場
合、ステージの移動方向は図６に示すａ方向である必要
はない。このように４本のビームを用いて走査した結
果、電子ビームの照射むらを±３％程度に押さえること
ができた。これは、高速で数回領域を走査したこと、及
びステージの移動方向に積算された結果である。また、
ビーム１本当たりの照射電流は２５０μＡであり、４本
のビームで１．０μＡを得ることができた。これは、従
来例の２倍に相当する。ビーム本数をさらに増やすこと
により、照射電流を増加できるので、走査速度を上げる
ことができ、よって、スループットを向上させることが
できる。さらに、照射点の面積が従来例と比べて１／８
０程度に小さく、また照射点が高速で移動するので、チ
ャージアップを従来例の１／２０以下に押さえることが
できた。

【００２１】図示を省略しているが、第２の実施例にお
いても、第１の実施例と同様に、レンズの他に、制限視
野絞り、電子ビームの軸調整のための４極又はそれ以上
の極数の偏向器（アナライナー）、非点収差補正器（ス
ティグメータ）、ビーム形状を整形する複数の４重極レ
ンズ（４極子レンズ）等の、電子ビームの照明及び結像
に必要なユニットを備えている。

【００２２】上記においては、偏向器５により電子ビー
ムをラスタスキャンすることにより、１ｍｍ×０．２５
ｍｍの矩形領域をカバーする例について説明したが、そ
の代わりに、０．５ｍｍ×０．１２５ｍｍ、１ｍｍ×
０．２５ｍｍ、及び２ｍｍ×５０ｍｍの３段階の大きさ
の矩形領域を均一にカバーできるようにしてもよい。こ
の場合、試料１１上の、１００μｍ×２５μｍ、２００
μｍ×５０μｍ、４００μｍ×１００μｍの矩形領域を
カバーすることができる。また、ＭＣＰ１６による二次
電子ビームの増感は、ＭＣＰ１６への印加電圧を調整す
ることにより、２０００〜２万倍の倍率から選択するこ
ともできる。

【００２３】図１及び図５に示した第１及び第２の実施
例において、図示していないが、情報処理部をＴＤＩ−
ＣＣＤ１９の後段に設け、該情報処理部により、ＴＤＩ
−ＣＣＤ１９で得られた画像情報を、複数のセル画像の
比較、及び／又は複数のダイ画像の比較を行うことによ
り、試料表面の欠陥を検出し、検出された欠陥の形状等
の特徴と位置座標、数を判定し、画像表示部に表示する
こともできる。また、試料１１である半導体基板の酸化
膜や窒化膜の表面構造が個々に相違している場合、又は
加工工程が個々に異なっている場合、相違するそれぞれ
の試料毎に適切な照射条件を設定し、これにより得られ
た画像を画像表示部２０に表示して、欠陥を検出すれば
よい。

【００２４】次に、本発明の半導体デバイス製造方法に
ついて説明する。本発明の半導体デバイス製造方法は、
上記した電子線装置を用いて、図７及び図８を参照して
以下に説明する半導体デバイス製造方法において実行さ
れるものである。半導体デバイス製造方法は、図７に示
すように、概略的に分けると、ウエハを製造するウエハ
製造工程Ｓ１、ウエハに必要な加工処理を行うウエハ・
プロセッシング工程Ｓ２、露光に必要なマスクを製造す
るマスク製造工程Ｓ３、ウエハ上に形成されたチップを
１個づつに切り出し、動作可能にするすチップ組立工程
Ｓ４、及び完成したチップを検査するチップ検査工程Ｓ
５によって構成されている。これら工程はそれぞれ、幾
つかのサブ工程を含んでいる。

【００２５】上記した工程の中で、半導体デバイスの製
造に決定的な影響を及ぼす工程は、ウエハ・プロセッシ
ング工程Ｓ２である。この工程において、設計された回
路パターンをウエハ上に形成し、かつ、メモリやＭＰＵ
として動作するチップを多数形成する。このように半導
体デバイスの製造に影響を及ぼすウエハ・プロセッシン
グ工程Ｓ２において加工されたウエハの加工状態を評価
することが重要であり、該工程Ｓ２は、以下のサブ工程
を含んでいる。

【００２６】１．絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あ
るいは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成
工程（ＣＶＤやスパッタリングを用いる） ２．この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程 ３．薄膜層やウエハ基板等を選択的に加工するためのマ
スク（レクチル）を用いてレジスト・パターンを形成す
るリソグラフィ工程 ４．レジスト・パターンに従って薄膜層や基板を加工す
るエッチング工程（例えば、ドライ・エッチング技術を
用いる） ５．イオン・不純物注入拡散工程 ６．レジスト剥離工程 ７．加工されたウエハを検査するウエハ検査工程。 なお、ウエハ・プロセッシング工程Ｓ２のサブ工程は、
必要な層数だけ繰り返し行われ、チップ組立工程Ｓ４に
おいてチップ毎に分離される前のウエハが形成される。

【００２７】図８は、図７のウエハ・プロセッシング工
程のサブ工程であるリソグラフィ工程を示すフローチャ
ートである。図８に示したように、リソグラフィ工程
は、レジスト塗布工程Ｓ２１、露光工程Ｓ２２、現像工
程Ｓ２３、及びアニール工程Ｓ２４を含んでいる。レジ
スト塗布工程Ｓ２１において、ＣＶＤやスパッタリング
を用いて回路パターンが形成されたウエハ上にレジスト
を塗布し、露光工程Ｓ２２において、塗布されたレジス
トを露光する。そして、現像工程Ｓ２３において、露光
されたレジストを現像してレジスト・パターンを得、ア
ニール工程Ｓ２４において、現像されたレジスト・パタ
ーンをアニールして安定化させる。これら工程Ｓ２１〜
Ｓ２４は、必要な層数だけ繰り返し実行される。

【００２８】本発明の半導体デバイス製造方法において
は、図１〜図６に関連して説明した電子線装置を用い
て、加工途中の工程（ウエハ検査工程）のみならず、完
成したチップを検査するチップ検査工程Ｓ５において用
いることにより、微細なパターンを有する半導体デバイ
スであっても、歪み、ぼけ等が低減された画像を得るこ
とができるので、ウエハの欠陥を確実に検出することが
できる。

【００２９】

【発明の効果】本発明は以上のように構成されており、
電子的調整によって、試料の走査方向とＴＤＩ−ＣＣＤ
の受光面配列の積算方向とを一致させているので、機械
的に調整する場合と対比して、容易にしかも高精度で一
致させることができる。したがって、これら方向の不一
致に起因する画像のぼけを排除又は最小化することがで
き、０．１ミクロン以下という優れた分解能の下で、信
頼性の高い形状観察や欠陥検査が可能となる。また、本
発明においては、試料に対する走査の方向とＴＤＩ−Ｃ
ＣＤ受光面配列の積算方向との不一致に起因する画像ぼ
けが少ないため、多数段のＴＤＩ−ＣＣＤを使用するこ
とが可能となり、よって、より一層高感度の電子線装置
を提供することができ、また、高スループットも実現す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子線装置の第１の実施例を示す
概略図である。

【図２】本発明に係る電子線装置に具備される磁気レン
ズの構成及び動作原理を説明するための平面図及び断面
図である。

【図３】本発明に係る電子線装置に具備される磁気レン
ズの好適な配置位置の一例を示す説明図である。

【図４】本発明に係る電子線装置に具備される磁気レン
ズの好適な配置位置の他の例を示す説明図である。

【図５】本発明に係る電子線装置の第２の実施例を示す
概略図である。

【図６】本発明に係る電子線装置の第２の実施例におけ
る電子ビームの走査を説明するための図である。

【図７】半導体デバイスの製造方法の一例を示すフロー
チャートである。

【図８】図７に示したウエハプロセッシング工程の中核
をなすリソグラフィ工程を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１…電子銃 ２…一次電子ビーム ３，４…レンズ
５…偏向器 ６…電極 ７…磁石 ８…ウイーンフィルタ
９，１０…レンズ １１…試料 １２…二次電子ビーム １３，１４…
レンズ １５…磁気レンズ １６…ＭＣＰ １７…蛍光部
１８…リレー光学系 １９…ＴＤＩ−ＣＣＤ ２０…画像表示部 ２１…
ステージ １０１…開口絞り １０２…ＮＡ絞り ２０１〜２０
２…一次電子ビーム ３０１…試料像 ３０２…拡大投影像

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ２１Ｋ 1/093 Ｇ２１Ｋ 5/04 Ｍ 5/04 Ｗ Ｈ０１Ｊ 37/141 Ｚ Ｈ０１Ｊ 37/141 37/28 Ｂ 37/28 37/29 37/29 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｌ (72)発明者 山崎 裕一郎 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 佐竹 徹 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 野路 伸治 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 2G001 AA03 BA07 CA03 DA09 GA01 GA06 GA10 GA13 HA13 JA02 JA03 KA03 LA11 MA05 2G088 EE29 EE30 FF12 FF14 GG19 GG20 GG28 JJ01 JJ05 JJ22 KK32 LL12 LL13 2G132 AD15 AF13 AL12 4M106 AA01 BA02 CA39 DB04 DB05 DJ23 5C033 DE01 DE03 DE06 NN01 NP01 NP05 UU02 UU04

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子線装置において、 試料を載置して移動させるステージと、 複数の一次電子ビームを走査しつつ試料に照射する電子
   照射部と、 一次電子ビームの照射により試料から放出された二次電
   子ビームを光学的に処理する二次光学系と、 二次光学系の出力を受け取るマイクロチャネルプレート
   と、 マイクロチャネルプレートの出力を受け取るシンチレー
   タと、 シンチレータの出力を受け取るリレー光学系と、 リレー光学系からの光信号を電気信号に変換するＴＤＩ
   −ＣＣＤと、 ＴＤＩ−ＣＣＤからの電気信号を処理して画像を表示す
   る画像表示部とを含み、 二次光学系は、マイクロチャネルプレートへ向かう電子
   ビームを回転させることにより、ステージの移動方向と
   ＴＤＩ−ＣＣＤ受光面配列の積算方向とを一致させるた
   めの磁気レンズを含んでいることを特徴とする写像投影
   型の電子線装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の電子線装置において、磁
   気レンズは、二次光学系に含まれるウイーンフィルタと
   マイクロチャネルプレートとの間に配置されていること
   を特徴とする電子線装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の電子線装置において、磁
   気レンズは、マイクロチャネルプレートに最も近いクロ
   スオーバー位置、もしくは、二次光学系に含まれる静電
   レンズ系の最終段に最も近い結像位置に配置されている
   ことを特徴とする電子線装置。
4. 【請求項４】 半導体デバイスを製造する方法におい
   て、請求項１〜３いずれかに記載の電子線装置を用い
   て、プロセス途中又は完了後の半導体デバイスを検査す
   る工程を含んでいる半導体デバイス製造方法。