JP2002267623A - 電子ビーム欠陥検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速且つ高分解能での検査が可能な電子ビー
ム欠陥検査装置を実現。 【解決手段】 試料15の表面に複数の電子ビームを照射
する電子ビーム照射手段10,11,12,13と、試料の表面か
らの二次電子、反射電子もしくは散乱電子を受けて検査
像を結像する検査像結像手段13,16,17,18,23と、検査像
の複数の電子ビームの照射位置に対応した複数の検出領
域を有する検出器19と、試料の表面を、複数の電子ビー
ムに対して相対的に移動する移動手段14とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ上に形成さ
れた半導体デバイスのパターンやコンタクト導通不良な
どの欠陥を電子ビームを使用して検出する電子ビーム欠
陥検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの微細化が進むに
従って、歩留まり向上のために微細化に対応した検査方
法が要求されている。現在、半導体前工程の検査におい
ては、主に明視野及び暗視野の光学式検査装置が使用さ
れている。暗視野による検査装置の場合には、ＣＭＰ処
理されたようなフラットな表面上の異物に対しては高感
度であるが、凹凸のあるレイヤーではノイズ成分が増加
してしまい、十分な感度を得るのが難しいという問題が
ある。これに対して、明視野の光学的検査装置の場合に
は、凹凸のあるレイヤーに対しても適切な感度における
検査が可能であるが、検出感度は光の波長により決定さ
れる光学的分解能を超えることできず、近年の半導体デ
バイスのパターンはこの限界を超えるようになってき
た。そのため、光学式でこれ以上の微細化に対応するの
は難しくなってきた。

【０００３】そこで、電子ビームによる検査装置が使用
されるようになってきた。電子ビームによる検査装置
は、高い空間分解能、下層の導通不良の検出が可能であ
る、焦点深度が深くラインやホールの底部の検査が可能
であるなどの各種の利点を有するが、従来の装置は一本
の電子ビームを走査して像を得ているため、光学式に比
べて検査速度が遅いという問題を有していた。これが、
電子ビームによる検査装置が光学式検査装置を補う形で
しか使用されていない大きな原因である。

【０００４】電子ビームによる検査装置の検査速度を向
上させるため、例えば、特開平９−３１１１１２号公報
や特開平１０−１３４７５７号公報は、試料の表面に複
数の電子ビームを照射し、各電子ビームによる二次電
子、反射電子及び後方散乱電子をそれぞれ検出すること
により検査速度を向上した検査装置を開示している。ま
た、特開平１１−３２６２４７号公報は、ある程度の面
積を有する大きな電子ビームを試料の表面に照射し、試
料表面からの二次電子、反射電子及び後方散乱電子を二
次電子ビームとしてその電子像を結像し、結像面に電子
ビームに対して感動を有する撮像手段を配置して、電子
像に対応する画像信号を高速に得る方法及び装置を開示
している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】特開平９−３１１１１
２号公報や特開平１０−１３４７５７号公報などに開示
された複数の電子ビームを照射する検査装置は、各電子
ビームによる二次電子、反射電子及び後方散乱電子を分
離して検出するのが難しく、電子ビームの本数を大幅に
増加させることができず、検査速度を十分に向上させる
ことはできない。また、試料を連続移動させながら像を
取得できず、ステップアントリピート動作が必要となる
ために検査速度を増加させることが困難である。

【０００６】また、特開平１１−３２６２４７号公報が
開示している検査装置では、分解能は電子像を結像する
場合の分解能に影響されるが、高分解能の電子像を得る
のが難しいという問題がある。また、ある程度の面積の
電子ビームを照射するために試料表面内チャージを引き
起こしやすいという問題がある。本発明は、このような
問題点に解決して、高速且つ高分解能での検査が可能な
電子ビーム欠陥検査装置を実現することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の電子ビーム欠陥
検査装置は、上記目的を実現するため、試料の表面に複
数の電子ビームを照射し、試料表面からの二次電子、反
射電子もしくは後方散乱電子の電子像を結像して、照射
した各電子ビームによる電子像を分離して形成し、電子
像の各電子ビームに対応する部分に検出領域を有する検
出器で各電子ビームによる二次電子、反射電子もしくは
後方散乱電子を検出する。なお、複数の電子ビームは離
れて配置する必要があり、試料の全面に電子ビームを照
射して電子像を検出するには、試料の表面を複数の電子
ビームに対して相対的に移動し、複数の電子ビームの試
料の表面での照射位置を変化させることが必要である。

【０００８】すなわち、本発明の電子ビーム欠陥検査装
置は、試料の表面に複数の電子ビームを照射する電子ビ
ーム照射手段と、試料の表面からの二次電子、反射電子
もしくは散乱電子を受けて検査像を結像する検査像結像
手段と、検査像の複数の電子ビームの照射位置に対応し
た複数の検出領域を有する検出器と、試料の表面を複数
の電子ビームに対して相対的に移動する移動手段とを備
えることを特徴とする。

【０００９】本発明の電子ビーム欠陥検査装置によれ
ば、試料の表面に照射された複数の電子ビームによる試
料表面からの二次電子、反射電子もしくは後方散乱電子
は、検査像結像手段により電子像として結像される。試
料表面からの電子の速度のばらつきによる収差等の影響
のため、この電子像の分解能を高くすることは難しい
が、電子ビームの間隔をある程度広げれば各電子ビーム
による電子像を分離して形成することは容易であり、分
離した各電子ビームによる電子像を、対応する位置に複
数の検出領域を有する検出器で検出すれば各電子ビーム
による二次電子、反射電子もしくは後方散乱電子を正確
に検出することが可能である。本発明によれば、検出の
分解能は試料表面に照射される電子ビームの大きさで決
定され、試料表面に照射される電子ビームを小さくする
ことは、検査像結像手段により二次電子、反射電子もし
くは後方散乱電子から形成する電子像の分解能を高くす
ることよりはるかに容易であり、高分解能の検査を行え
る。更に、電子ビームの本数を増加させることも容易で
あり、検査速度を大幅に向上できる。

【００１０】各電子ビームの間隔は、検査像結像手段の
結像性能に応じて、結像された各電子ビームによる電子
像を分離できるように決定するが、例えば、各電子ビー
ムの中心は、試料の表面では、隣接する電子ビームの中
心から、電子ビームの試料の表面での大きさの２倍以上
離れていることが望ましい。上記のように、試料の全面
に電子ビームを照射して電子像を検出するには、試料の
表面を複数の電子ビームに対して相対的に移動すること
が必要であるが、検査速度を高くするには、試料の表面
を複数の電子ビームに対して一方向に連続して移動する
走査を行って、試料の全面に電子ビームを照射できるこ
とが望ましい。そこで、走査した時の複数の電子ビーム
の軌跡が走査に垂直な方向に等間隔で、複数の電子ビー
ムの試料の表面での大きさが略この間隔に等しいことが
望ましい。これであれば、１回の走査で試料の表面に密
に電子ビームを照射できる。

【００１１】更に、１回の走査で試料の表面に密に電子
ビームを照射できる複数の電子ビームを２組設け、走査
した時の複数の電子ビームの軌跡がそれぞれ２つ以上一
致するようにし、検出器は、蓄積及び遅延機能を有し、
軌跡が一致する電子ビームの照射位置に対応する少なく
とも２つの検出領域の出力を、試料の表面の同一箇所の
出力になる時に加算するようにすれば、検出感度を一層
向上できる。これは、いわゆるＴＤＩ(Time Delay Inte
gration)方式と呼ばれる方式である。

【００１２】結像された各電子ビームによる電子像は、
ぼけがなければ試料の表面での大きさに検査像結像手段
による結像倍率を乗じた大きさになるはずであるが、実
際にはそれよりも大きくなっている。そこで、相互に分
離可能な範囲内で、検出器の各検出領域をそれよりも大
きくすれば、効率よく電子像を検出できる。移動手段
は、例えば、試料を保持して主走査方向に連続移動が可
能なＸＹステージである。

【００１３】更に、電子ビーム照射手段が、電子ビーム
を出力する電子源と、電子ビームを長方形の平行電子ビ
ームにする電磁レンズ系と、複数の電子ビームに対応す
る開口を有するマスクと、長方形の平行電子ビームをマ
スク上で主走査方向に垂直な方向に走査する副走査手段
とを備えるように構成し、検出器の１回の読み出し動作
の間に整数回の副走査を行うようにすれば、電子ビーム
の照射時間を短くして試料のチャージアップを低減でき
ると共に、マスクを照射する平行電子ビームの副走査方
向のむら、すなわち各電子ビームの副走査方向の強度の
ばらつきによる影響を低減できる。なお、長方形平行電
子ビーム副走査方向の長さは可変であり、試料に照射さ
れる電子の量が制御可能であることが望ましい。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施例の電
子ビーム欠陥検査装置の構成を示す図である。第１実施
例の電子ビーム欠陥検査装置は、半導体デバイスの製造
工程で、ウエハなどの基板上に形成されたパターンを検
査して欠陥を検出する装置であり、検出結果は製造工程
にフィードバックされて、工程の改善などに使用され
る。

【００１５】図１の構成において、電子源１０から放出
された電子は、電磁レンズ１１により平行な電子ビーム
となり、複数の開口が配列されたマスク１２を通過し、
マスク１２の開口に対応した複数の電子ビームが形成さ
れる。複数の電子ビームは、後述するＥ−Ｂフィルタ１
６をそのまま通過した後、電磁レンズ１３により縮小さ
れて基板１５の表面に照射される。電子源１０としては
電流密度の高いものが望ましいため、本実施例では熱電
界放出電子銃を使用しており、１０ｋｅＶの引き出し電
圧を印加している。引き出された１０ｋｅＶの電子は、
リターディング電圧印加回路２３により基板１５に印加
される−５ｋｅＶから−９．５ｋｅＶのリターディング
電圧により減速されて基板１５に照射される。

【００１６】図２は、マスク１２の開口の配列を示す図
である。図示のように、マスク１２には多数の開口３０
が形成されており、開口３０は５個を１組とするグルー
プ３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂなどに分けられる。
図３は、マスク１２の開口の配列の位置関係を詳細に示
す図であり、図２と対応させれば、参照番号１１１ａ〜
１１５ａで示す開口がグループ３１ａに属し、参照番号
１１１ｂ〜１１２ｂで示す開口がグループ３１ｂに属
し、参照番号１２１ａ〜１２５ａで示す開口がグループ
３２ａに属し、参照番号１２１ｂ〜１２２ｂで示す開口
がグループ３２ｂに属する。各グループ内の開口は、順
にｙ軸方向に１ピッチＰ、ｘ軸方向に５Ｐずつずれて配
置されている。従って、例えば、開口１１５ａは開口１
１１ａに対して、ｙ軸方向に４Ｐ、ｘ軸方向に２０Ｐず
れている。グループ３２ａの開口は、グループ３１ａの
開口をｙ軸方向に５Ｐだけ平行移動した関係を有する。
また、グループ３１ｂの開口はグループ３１ａの開口を
ｘ軸方向に２５Ｐだけ平行移動した関係を有する。

【００１７】本実施例では、マスク１２の各開口３０
は、１μｍ角であり、ピッチＰも１μｍである。マスク
１２を通過した電子ビームは開口に対応する複数の小さ
な電子ビームに分割され、電磁レンズ１３により１／１
０に縮小されて基板１５上に照射される。従って、基板
１５上には、０．１μｍ角で図３のピッチＰが０．１μ
ｍの複数の電子ビームが照射されることになる。電子ビ
ームは回折による影響が少ないので、小さな電流密度で
クーロン相互作用が小さければ、マスク１２の開口を正
確に縮小した形で基板１５上に複数の電子ビームを照射
できる。

【００１８】基板１５の表面の各電子ビームが照射され
た領域からは二次電子及び反射電子が発生するが、これ
ら二次電子及び反射電子は基板１５に印加されているリ
ターディング電圧により電子源１０の方向（図では上方
向）に加速された後、Ｅ−Ｂフィルタ１６により軸Ｂ−
Ｂ’方向に曲げられ、電磁レンズ１７及び位置調整用の
電磁レンズ１８により検出器１９の表面に投影される。
すなわち、基板１５の表面の二次電子及び反射電子の像
が検出器１９の表面に結像される。なお、位置調整用の
電磁レンズ１８は、投影される像における基板１５の表
面の複数の電子ビームの照射位置と検出器１９の検出領
域が一致するように調整するもので、検出器１９の位置
を変化させる駆動機構を設けて位置が一致するように調
整することも可能である。Ｅ−Ｂフィルタ１６は、電子
ビームを基板に照射する光学系の光軸Ａ−Ａ’に垂直な
平面内において、電界と磁界を直交させた構造を有し、
電子ビームが図１で上から下に進む時には電界と磁界に
よる偏向力が相殺して電子ビームは偏向せず、下から上
に進む時には電界と磁界による偏向力が合わされて、電
子ビームは偏向する。Ｅ−Ｂフィルタ１６については知
られているので、ここではこれ以上の詳しい説明は省略
する。なお、電子源１０、電磁レンズ１１、電磁レンズ
１３，１７、１８、及びＥ−Ｂフィルタ１６は、電子光
学系制御回路２２により制御される。

【００１９】図４は、検出器１９の表面の検出領域を説
明する図である。基板１５の表面の像が検出面上に結像
され、基板１５の表面の各電子ビームが照射された領域
４１は、図４で参照番号４１で示す領域に相当するとす
る。二次電子及び反射電子が発生するのは、基板１５の
表面の各電子ビームが照射された領域からであり、検出
表面における二次電子及び反射電子の像は領域４１に存
在する。しかし、電磁レンズ１７の結像能力は十分でな
く、検出表面における二次電子及び反射電子の像はぼけ
て領域４１を越えて分布することになる。そこで、広が
った二次電子及び反射電子の像を効率よく検出するた
め、検出器１９の検出領域４２は領域４１より大きくし
ている。ただし、検出の分解能は基板表面の各電子ビー
ムの大きさで決定されるので、検出器１９の各検出領域
を大きくしても分解能は低下しない。すなわち、得られ
る二次電子像及び反射電子像の分解能は走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）と同様に基板に照射される電子ビームの径
によって決定される。なお、検出表面における各電子ビ
ームの二次電子及び反射電子の像が相互に重なると分離
して検出できないので、基板表面に照射する複数の電子
ビームの間隔は、電磁レンズ１７の結像能力を考慮して
相互に重なることのないように決定する必要がある。な
お、電磁レンズ１７の結像能力が十分良好な場合や検出
感度が問題にならない場合には、検出器１９の各検出領
域は領域４１に示す大きさやそれ以下の大きさでもよ
い。

【００２０】検出器１９は、検出領域４２の部分に設け
た蛍光体の層により電子を光に変換して検出し、検出領
域４２以外の部分は金属膜で覆うことにより光を検出し
ない構造になっている。なお、検出器の感度が十分でな
い場合には、蛍光体層の上にＭＣＰ(Multi Channel Pla
te)を取り付けて電子を増幅した後蛍光体層により光に
変換する方式とすることも可能である。検出器１９の信
号は信号処理回路２０に転送され、検出結果から欠陥の
有無、欠陥の種類、サイズなどを判定する処理が行われ
るが、この部分は従来の電子ビーム欠陥検査装置や光学
式欠陥検査装置と同様のものが使用されるので、ここで
は説明を省略する。

【００２１】基板１５はｘ方向に連続移動可能なＸＹス
テージ１４上に保持され、ＸＹステージ１４の移動によ
り各電子ビームが基板１５上に照射される位置が連続的
に変化する。ＸＹステージ１４の移動は、ステージ制御
回路２１により制御される。ここで、図２及び図３を参
照して複数の電子ビームの配置と走査の関係について説
明する。図３に示すように、各グループの開口はｙ方向
に順に１ピッチＰだけずれて配置され、更に図２及び図
３に示すようにこのようなグループがｙ方向に５Ｐずつ
ずれて順次配置されている。従って、ステージをｘ方向
に連続移動すると、基板表面のすべての領域を電子ビー
ムが密に通過する。いま、このようなグループがｙ方向
にｍ個配列されている場合には、ｙ方向に５ｍ個の開口
が配列され、１回の連続移動で５ｍＰの幅を走査できる
ことになる。なお、検出器も同様にｙ方向に５ｍ個の検
出領域が配列され、１回の読み出しで５ｍ個の出力が順
次転送される。ここでは、５ｍ個の検出領域群を１行と
し、１行の検出領域の個数を電荷転送列数と呼ぶ。ただ
し、開口１１１ａと開口１１２ａはｘ軸方向に５Ｐだけ
ずれているので、開口１１１ａと開口１１２ａを通過し
た隣接する電子ビームがｙ座標が同一の点に照射される
のはこの距離を移動する時間差分だけ照射タイミングが
異なる。

【００２２】次に、図３に示すように、グループ３１ａ
の開口１１１ａとグループ３１ｂの開口１１１ｂはｙ方
向の位置は同じであり、ステージをｘ方向に連続移動す
ると同一軌跡上を通過する。ただし、開口１１１ａと開
口１１１ｂはｘ方向に２５Ｐだけずれており、同一点を
通過するタイミングは、２５Ｐを移動する時間差分だけ
異なる。そこで、検出器１９では、開口１１１ａに対応
する電子ビームを検出する検出領域の出力を２５Ｐを移
動する時間差分だけ遅延させ、開口１１１ｂに対応する
電子ビームを検出する検出領域の出力に加算する処理を
行う。これを他の開口についても行う。なお、図示の例
では、ｙ座標が同一なのは２個の開口、すなわち行数は
２であったが、ｙ座標が同一なＮ個の開口を設けること
（行数をＮにすること）も可能である。これにより同一
点についてＮ回の検出が行われることになり、各電子ビ
ームの強度が同じであれば検出感度がＮ倍になり、検出
感度が同一であれば各電子ビームの強度を１／Ｎにでき
る。電子ビームの強度を１／ＮにしてＮ回に分けて照射
すれば、基板表面のチャージアップが生じにくくなり良
好な検出が可能になる。この方式は、いわゆるＴＤＩ方
式と呼ばれ、上記のような同一軌跡上にＮ個の検出領域
を有し、各検出領域の出力をそれぞれ所定時間遅延させ
て加算するセンサをＴＤＩセンサと呼ぶ。

【００２３】検査のスループットは、ＴＤＩセンサの電
荷転送列数ｍに電荷転送周波数を乗じたもので表され
る。例えば、電荷転送列が２０００のＴＤＩセンサにお
いて５００ｋＨｚの周波数で電荷が転送された場合に
は、１Ｇピクセル／秒の検査速度が得られることにな
る。図５は、本発明の第２実施例の電子ビーム欠陥検査
装置の構成を示す図である。第２実施例の電子ビーム欠
陥検査装置も、ウエハなどの基板上に形成されたパター
ンを検査して欠陥を検出する装置であり、第１実施例と
類似の部分については説明の一部を省略する。

【００２４】図５の構成において、熱電界放出電子銃で
ある電子源６０から引き出し電圧１０ｋｅＶで引き出さ
れた電子は、電磁レンズ６１により平行な電子ビームと
なり、長方形の開口を有するスリット６２を通過して長
方形に成形される。この長方形の電子ビームは、走査光
学系６３により第１実施例と同様の複数の開口を有する
マスク６４に対して走査される。マスク６４を通過した
複数の電子ビームは、Ｅ−Ｂフィルタ６９を通過した
後、静電レンズ６５ａと磁気レンズ６５ｂから構成され
る対物レンズにより縮小されて基板６６の表面に照射さ
れる。基板６６は一方向に連続移動可能なＸＹステージ
６７上に保持され、リターディング電圧印加回路６８に
より−５ｋｅＶから−９．５ｋｅＶのリターディング電
圧が印加される。

【００２５】基板６６の表面からの二次電子及び反射電
子が発生するが、これら二次電子及び反射電子はリター
ディング電界により加速された後、Ｅ−Ｂフィルタ６９
により軸Ｄ−Ｄ’方向に曲げられ、電磁レンズ７０及び
位置調整レンズ７１によりＴＤＩセンサである検出器７
２の表面に投影される。検出器７２からの検出信号は、
信号処理回路７３に転送され、画像比較方式により欠陥
検出を行う。また、第２実施例の装置では、ステージ６
７はステージ制御回路７４により、電子光学系は電子光
学系制御回路７５により制御される。

【００２６】図６は、スリット６２により形成された長
方形の電子ビームでマスク６４を走査する様子を示す。
図６において、参照番号５０はマスク６４の開口であ
り、参照番号５１はスリット６２により成形された電子
ビームを示す。電子ビーム５１は、走査光学系６３によ
りステージ６７の連続移動方向（ｘ方向）に垂直な方向
（ｙ方向）に走査される。ここで、電子ビーム５１の形
状は、ｘ方向はマスク６４で開口が設けられた開口部を
すべてカバーするのに十分な長さであり、ｙ方向はマス
ク６４の開口部の幅よりも短い長方形である。電子ビー
ム５１は、走査光学系６３によりｙ方向に一定速度で繰
り返し走査される。その際の走査周波数は、ＴＤＩセン
サ７２の電荷転送周波数をｆとした時に、ｆ／２となる
ように設定される。これにより１回のＴＤＩセンサ７２
からの読み出しの間に書く開口部５０から同一量の電子
ビームが基板に照射される。例えば、転送周波数が５０
０ｋＨｚであるＴＤＩセンサに対して走査周波数を２５
０ｋＨｚとすると、電荷転送の間に各電子ビームが１回
照射されることになる。各電子ビームが照射される時間
は電子ビーム５１の走査方向の幅を変えることにより制
御できる。すなわち、電子ビームを照射することによる
基板６６のチャージアップが起きやすい場合には、幅を
狭くして電子ビームの照射時間を低減することにより、
チャージアップの影響を低減できる。なお、対象とする
基板に応じて電子ビーム５１の幅を変えられることが望
ましく、スリットを２つのスリットから構成し、２つの
スリットの間の幅を変えるなどの構成により、幅を可変
にできる。

【００２７】また、第２実施例においては、対物レンズ
を静電レンズ６５ａと磁気レンズ６５ｂから構成し、倍
率を変化させる場合には、磁気レンズ６５ｂに流す電流
値は一定として静電レンズ６５ａに印加する電圧を変化
させることにより行う。これにより、磁気レンズ６５ｂ
に流す電流を増減させる時に生じる熱ドリフトの影響を
なくすことが可能になる。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明により電子
ビームによる欠陥検査の特徴である高分解能の特性を生
かしながら、検査速度を大幅に向上させることが可能に
なり、高速かつ高感度での欠陥検査が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の第１実施例の電子ビーム欠陥
検査装置の基本構成を示す図である。

【図２】図２は、第１実施例におけるマスクの開口パタ
ーンを示す図である。

【図３】図３は、第１実施例におけるマスクの開口パタ
ーンの詳細を示す図である。

【図４】図４は、第１実施例における検出器の検出領域
を示す図である。

【図５】図５は、本発明の第２実施例の電子ビーム欠陥
検査装置の基本構成を示す図である。

【図６】図６は、第２実施例におけるマスクの走査を示
す図である。

【符号の説明】

１０…電子源（熱電界放出電子銃） １１…電磁レンズ １２…マスク １３…電磁レンズ １４…ＸＹステージ １５…基板 １６…Ｅ−Ｂフィルタ １７…電磁レンズ １８…位置調整用レンズ １９…検出器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ Ｆターム(参考） 2G001 AA03 AA10 BA07 BA14 CA03 DA02 FA21 GA01 GA06 GA09 GA11 HA01 HA13 JA02 JA03 JA04 JA11 KA03 LA11 MA05 PA11 SA01 SA02 SA04 4M106 AA01 BA02 CA39 DB01 DB04 DB05 DJ04 DJ23 5C033 BB02 NN01 NN02 NP06 NP08 UU03 UU04

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 試料の表面に複数の電子ビームを照射す
   る電子ビーム照射手段と、 前記試料の表面からの二次電子、反射電子もしくは散乱
   電子を受けて検査像を結像する検査像結像手段と、 前記検査像の前記複数の電子ビームの照射位置に対応し
   た複数の検出領域を有する検出器と、 前記試料の表面を、前記複数の電子ビームに対して相対
   的に移動する移動手段とを備えることを特徴とする電子
   ビーム欠陥検査装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の電子ビーム欠陥検査装
   置であって、 前記試料の表面では、各電子ビームの中心は、隣接する
   電子ビームの中心から、前記電子ビームの前記試料の表
   面での大きさの２倍以上離れている電子ビーム欠陥検査
   装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の電子ビーム欠陥検査装
   置であって、 前記複数の電子ビームの照射位置は、前記移動手段で相
   対的に移動した時の前記複数の電子ビームの軌跡が前記
   移動方向に垂直な方向に等間隔で、前記複数の電子ビー
   ムの前記試料の表面での大きさが略この間隔である電子
   ビーム欠陥検査装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の電子ビーム欠陥検査装
   置であって、 前記移動手段で相対的に移動した時の前記複数の電子ビ
   ームの軌跡は、少なくとも２つの電子ビームの軌跡がそ
   れぞれ一致し、 前記検出器は、蓄積及び遅延機能を有し、前記軌跡が一
   致する電子ビームの照射位置に対応する少なくとも２つ
   の検出領域の出力を、前記試料の表面の同一箇所の出力
   になる時に加算する電子ビーム欠陥検査装置。
5. 【請求項５】 請求項１から４のいずれか１項に記載の
   電子ビーム欠陥検査装置であって、 前記検出器の各検出領域は、各電子ビームの前記試料の
   表面での大きさに、前記検査像結像手段による結像倍率
   を乗じた大きさよりも大きい電子ビーム欠陥検査装置。
6. 【請求項６】 請求項１に記載の電子ビーム欠陥検査装
   置であって、 前記移動手段は、前記試料を保持し、前記電子ビーム照
   射手段と前記検査像結像手段と前記検出器とを含むコラ
   ムに対して前記試料を主走査方向に移動するＸＹステー
   ジである電子ビーム欠陥検査装置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の電子ビーム欠陥検査装
   置であって、 前記電子ビーム照射手段は、 電子ビームを出力する電子源と、 前記電子ビームを長方形の平行電子ビームにするコリメ
   ータ手段と、 前記複数の電子ビームに対応する開口を有するマスク
   と、 前記長方形の平行電子ビームを、前記マスク上で前記主
   走査方向に垂直な方向に走査する副走査手段とを備える
   電子ビーム欠陥検査装置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の電子ビーム欠陥検査装
   置であって、 前記コリメータ手段は、前記電子ビームを平行ビームと
   する手段と、前記長方形の平行電子ビームの形状に対応
   する開口を有し、前記平行な電子ビームが通過するスリ
   ットとを有し、 該スリットの前記開口の形状は可変である電子ビーム欠
   陥検査装置。