TWI651749B - 多重帶電粒子束描繪裝置及其調整方法 - Google Patents

多重帶電粒子束描繪裝置及其調整方法 Download PDF

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Abstract

本發明的一態樣之多重帶電粒子束描繪裝置，具備：放出帶電粒子束的放出部；形成有複數開口部，藉由使前述帶電粒子束通過前述複數開口部來形成多重束的孔徑構件；配置有複數阻斷器以在前述多重束之中進行分別對應的束的遮蔽偏向的遮蔽板；藉由前述複數阻斷器來遮蔽被偏向的各束，使其成為束OFF狀態的限制孔徑構件；載置照射前述多重束的基板的載台；檢出來自前述基板的反射帶電粒子的檢出器；計算基於前述檢出器的檢出值之孔徑像的特徵量的特徵量計算部；以及基於前述特徵量進行帶電粒子束的像差補正的像差補正部。

Description

多重帶電粒子束描繪裝置及其調整方法
本發明係有關於多重帶電粒子束描繪裝置及其調整方法。
隨著LSI的高積體化，半導體裝置的電路線寬也一年比一年更細微化。為了在半導體裝置上形成所期望的電路圖案，係使用縮小投影型曝光裝置，採用將在石英上形成高精度的原始圖案(遮罩、或者特別是用於步進器或掃描器者，也稱之為光罩。)縮小轉印至晶圓上的方法。高精度的原始圖案藉由電子束描繪裝置來描繪，就是利用所謂的電子束光蝕刻技術。
例如，有使用多重束的描繪裝置。藉由使用多重束，相較於以1束電子束來描繪的情形，因為一次(1次射擊)能照射許多束，能夠大幅地提升產率。在多重束方式的描繪裝置中，例如，使從電子槍放出的電子束通過具有複數孔的孔徑構件來形成多重束，藉由遮蔽板進行各束的遮蔽控制，未經遮蔽的束經由光學系統縮小，照射至被載置於可移動的載台上的基板。
在形成多重束的孔徑構件，由縱m列×橫n列 (m，n≧2)的孔以預定的配列節距形成矩陣狀。因此，照射至基板的多重束全體的形狀(孔徑像)理想上會成為矩形。但是，因為設於描繪裝置的光學系統之球面像差的影響，束形狀的外周的四邊會成為向外側膨脹的形狀、或向內側凹入的形狀。
評價這種特異的束形狀進行球面像差的自動調整是困難的。
本發明提供一種多重帶電粒子束描繪裝置及其調整方法，能夠高精度地自動調整照射多重束時的光學系統像差。
本發明的一態樣之多重帶電粒子束描繪裝置，具備：放出帶電粒子束的放出部；形成有複數開口部，藉由使前述帶電粒子束通過前述複數開口部來形成多重束的孔徑構件；配置有複數阻斷器以在前述多重束之中進行分別對應的束的遮蔽偏向的遮蔽板；藉由前述複數阻斷器來遮蔽被偏向的各束，使其成為束OFF狀態的限制孔徑構件；載置照射前述多重束的基板的載台；檢出來自前述基板的反射帶電粒子的檢出器；計算基於前述檢出器的檢出值之孔徑像的特徵量的特徵量計算部；以及基於前述特徵量進行帶電粒子束的像差補正的像差補正部。
W‧‧‧描繪部
2‧‧‧電子束鏡筒
20‧‧‧描繪室
4‧‧‧電子槍
6‧‧‧照明透鏡
8‧‧‧孔徑構件
10‧‧‧遮蔽孔徑陣列
12‧‧‧縮小透鏡
14‧‧‧限制孔徑構件
16‧‧‧對物透鏡
18‧‧‧偏向器
40‧‧‧像差補正透鏡
20‧‧‧描繪室
22‧‧‧XY載台
26‧‧‧檢出器
24‧‧‧基板
30‧‧‧電子束
80‧‧‧孔
50‧‧‧控制計算機
52‧‧‧記憶裝置
54‧‧‧透鏡控制電路
56‧‧‧控制電路
58‧‧‧信號取得電路
30a~30e‧‧‧多重束
圖1為本發明的實施形態之多重帶電粒子束描繪裝置的概略圖。
圖2為孔徑構件的概略圖。
圖3(a)~(c)為表示孔徑像之例的圖。
圖4(a)~(c)為表示孔徑像之特徵量的算出方法的圖。
圖5為說明近似孔徑像的四角形的計算方法的流程圖。
圖6為說明近似四角形的求法的圖。
圖7為說明近似四角形的求法的圖。
圖8為說明近似四角形的求法的圖。
圖9為說明近似四角形的求法的圖。
圖10(a)及(b)為說明近似四角形的求法的圖。
圖11(a)及(b)為說明近似四角形的求法的圖。
圖12為表示孔徑像面積比例與像差補正透鏡電壓之間的關係之例的圖形。
圖13(a)~(c)為表示別的實施形態的孔徑像之特徵量的算出方法的圖。
圖14為別的實施形態之多重帶電粒子束描繪裝置的概略圖。
圖15為表示伴隨著像散補正線圈值變更的孔徑像形狀的變化之例的圖。
圖16為說明孔徑像之特徵量的算出方法的圖。
圖17為表示第1特徵量的計算結果之例的圖。
圖18為表示第2特徵量的計算結果之例的圖。
詳細的說明
以下，根據圖式說明本發明的實施形態。
圖1為關於本發明的實施形態之多重帶電粒子束描繪裝置的概略圖。在本實施形態中，作為帶電粒子束的一例，說明有關利用電子束的構成。不過，帶電粒子束並不限於電子束，利用離子束等其他帶電粒子束也可以。
該描繪裝置具備：對描繪對象的基板24照射電子束而描繪所期望的圖案的描繪部W、控制描繪部W動作的控制部C。
描繪部W具有：電子束鏡筒2及描繪室20。電子束鏡筒2內配置有：電子槍4、照明透鏡6、孔徑構件8、遮蔽孔徑陣列10、縮小透鏡12、限制孔徑構件14、對物透鏡16、偏向器18、及像差補正透鏡40。
像差補正透鏡40被設於照明透鏡6與孔徑構件8之間，例如使用箔透鏡。
在描繪室20內配置XY載台22及檢出器26。XY載台22上載置有描繪對象的基板24。描繪對象的基板24例如包含：晶圓、對晶圓利用以準分子雷射作為光源的步進器或掃描器等的縮小投影型曝光裝置及極端紫外光曝光裝置(EUV)等將圖案轉印的曝光用遮罩。
從電子槍4放出的電子束30藉由照射透鏡6以大致垂直的方式照射孔徑構件8全體。圖2為表示孔徑構件8的構成的概念圖。在孔徑陣列構件8係使縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m，n≧2)的孔(開口部)80以預定的配列間距形成矩陣狀。例如，形成512×512列的孔80。各孔80都以相同的尺寸形狀的矩形來形成。各孔80也可以是相同直徑的圓形。
電子束30照射包含孔徑構件8的所有孔80的區域。藉由讓電子束30的一部分分別通過該等複數孔80，形成圖1所示的那種多重束30a~30e。
孔80的配列方式，並不一定是如圖2所示的縱橫配置成格子狀的情形。例如，在縱方向上鄰接的孔彼此以交錯狀相互錯位配置也可以。
在遮蔽孔徑陣列10一致於孔徑構件8的各孔80的配置位置形成貫通孔，在各貫通孔分別配置由成對的2個電極所形成的阻斷器。通過各貫通孔的電子束30a~30e，分別獨立地被阻斷器所施加的電壓偏向。藉由該偏向，各束被遮蔽控制。藉此，藉由遮蔽孔徑陣列10，對通過孔徑構件8的複數孔80的多重束的各束，進行遮蔽偏向。
通過遮蔽孔徑陣列10的多重束30a~30e藉由縮小透鏡12來將各個束的尺寸與配列間距縮小，朝向形成於限制孔徑構件14的中心孔前進。又，具備調整光軸使多重束通過限制孔徑構件14的孔中心的對準線圈也可以。
被遮蔽孔徑陣列10的阻斷器所偏向的電子束，其軌道變位而位置從限制孔徑構件14的孔開始偏移，並被限制孔徑構件14所遮蔽。另一方面，不被遮蔽孔徑陣列10的阻斷器偏向的電子束，通過限制孔徑構件14的孔。
藉此，限制孔徑構件14藉由遮蔽孔徑陣列10的電極，遮蔽被偏向的各束使其成為束OFF的狀態。接著，在成為束ON之後到成為束OFF為止，通過限制孔徑構件14的束，成為1次份的射擊束。
通過限制孔徑構件14的多重束30a~30e，藉由對物透鏡16來對焦，成為具有所期望的縮小率的圖案像。通過限制孔徑構件14的各束(多重束全體)藉由偏向器18整合在同方向上而偏向，照射至基板24。檢出器26係檢出從基板24反射的反射電子(二次電子)。
經由一次照射的多重束，理想上成為以對孔徑構件8的複數孔80的配列間距乘以上述所期望的縮小率而得到的間距來排列。該描繪裝置以將射擊束連續地依序照射的逐線掃瞄方式來進行描繪動作，在描繪所期望的圖案時，因應圖案而必要的束藉由遮蔽控制被控制成束ON。當XY載台22連續移動時，藉由偏向器18控制束的照射位置以追隨XY載台22的移動。
控制部C具有：控制計算機50、記憶裝置52、透鏡控制電路54、控制電路56、及信號取得電路58。控制計算機50從記憶裝置52取得描繪資料，對描繪資料進行複數段的資料轉換處理，生成裝置固有的射擊資料，並輸出 至控制電路56。在射擊資料，定義各射擊的照射量及照射位置座標等。
控制電路56控制描繪部W的各部並進行描繪處理。例如，控制電路56因為將各射擊的照射量除以電流密度而求出照射時間t，進行對應的射擊時，對遮蔽孔徑陣列10的對應阻斷器施加偏向電壓，僅使照射時間t為束ON。
又，控制電路56演算偏向量並向偏向器18施加偏向電壓，以使各束偏向至射擊資料所表示的位置(座標)。藉此，將這次射擊的多重束整合並偏向。
通過孔徑構件8的複數孔80而形成的多重束被照射至基板24。如上所述，在孔徑構件8係形成縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m，n≧2)的孔80。因此，表現出照射至基板24的多重束全體的形狀的影像(以下，有單記載成「孔徑像」的情形)，理想上會成為圖3(a)所示的多重束B1那樣的四角形(略四角形)。
但是，在多重束描繪裝置中，因為透鏡的球面像差的影響孔徑像會變形，會有如圖3(b)所示的束B2那樣孔徑像的外周四邊會成為向外側膨脹的滾筒型形狀、或如圖3(c)所示的束B3那樣外周四邊向內側凹入的針墊型形狀的情形。
在本實施形態中，計算出孔徑像特徵的特徵量，並根據算出的特徵量來調整球面像差。控制計算機50基於通過信號取得電路58所取得的檢出器26的檢出值，得 到孔徑像。特徵量計算部51計算孔徑像的特徵量。透鏡控制電路54基於算出的特徵量控制向像差補正透鏡40施加的電壓，進行球面像差補正，調整成使孔徑像成為所期望的形狀(四角形)。
特徵量計算部51生成近似於所得到的孔徑像的四角形，在孔徑像之中，求出位於近似四角形內側的面積、位於近似四角形外側的面積、成為近似四角形的內側且孔徑像外側區域的面積等，將該等比例作為特徵量來計算。
例如，如圖4(a)所示，略四角形狀束B1，其孔徑像的大半位於近似四角形R內側，位於近似四角形R的外側的區域61之面積較小。又，成為近似四角形R的內側且孔徑像外側的區域為0或幾乎沒有。
如圖4(b)所示，滾筒型束B2與圖4(a)所示的略四角形狀束B1一樣，雖孔徑像大多位於近似四角形R的內側，但位於近似四角形R的外側的區域62的面積較圖4(a)的區域61的面積還大。成為近似四角形R的內側且孔徑像外側的區域為0或幾乎沒有。
如圖4(c)所示，針墊型束B3，其成為近似四角形R的內側且孔徑像的外側的區域60的面積，較略四角形狀束B1及滾筒型束B2還大。又，位於近似四角形R的外側的孔徑像的面積極小。
如同上述，理想的束形狀即略四角形狀束B1，其位於近似四角形R的外側的區域61的面積小，成為 近似四角形R的內側且孔徑像外側的區域為0或幾乎沒有。因此，透鏡控制電路54，控制向像差補正透鏡40施加的電壓，進行球面像差補正，而使得位於近似四角形R外側的區域的面積成為在預定範圍內，且成為近似四角形R的內側且孔徑像的外側的區域在預定值以下。
接著，利用圖5示的流程圖，說明近似孔徑像的四角形R的計算方法。近似四角形R藉由計算4個頂點來決定。
特徵量計算部51在基於通過信號取得電路58所取得的檢出器26的檢出值而得到孔徑像後，將孔徑像的輪廓上的X座標、Y座標分別成為最大的點、及最小的點抽出來。將X座標成為最大的點設為Xmax、將X座標成為最小的點設為Xmin、將Y座標成為最大的點設為Ymax、將Y座標成為最小的點設為Ymin。Xmax、Xmin、Ymax、Ymin分別成為唯一確定時(步驟S1_Yes)，計算所抽出的各點之間的間隔(步驟S2)。
所算出的間隔全部在預定值以上時(步驟S3_Yes)，如圖6所示可以將Xmax、Xmin、Ymax、Ymin分別設為近似孔徑像B10的四角形之頂點，並決定近似四角形(步驟S4)。
當所算出的間隔有未滿預定值(例如，想定的四角形的一邊的十分一的長度)者存在時(步驟S3_No)，將成為未滿預定值的間隔的2點視為同一點(步驟S5)。例如，圖7所示的Xmax與Ymax的間隔為預 定值未滿，Xmax及Ymax相當於近似孔徑像B11的四角形的同一頂點。藉由將2點視為同一點，因為用以決定近似四角形的必要頂點數(=4)不足，所以進入步驟S20。步驟S20以後的處理於後述。
因孔徑像的不同，Xmax、Xmin、Ymax、Ymin會有非唯一確定的情形發生(步驟S1_No)。例如，在圖8所示的孔徑像B12中，Xmin非唯一確定。
當Xmax或Xmin非唯一確定時(步驟S10_Yes)，從複數候補中將Y座標成為最大的點及Y座標成為最小的點抽出來(步驟S11)例如，因為圖8所示的例中Xmin非唯一確定，如圖9所示，從成為Xmin的候補當中，將Y座標成為最大的點Xmin_ymax及Y座標成為最小的點Xmin_ymin抽出來。
同樣地，當Ymax或Ymin非唯一確定時(步驟S12_Yes)，從複數候補中將X座標成為最大的點及X座標成為最小的點抽出來(步驟S13)。
接著，從孔徑像的輪廓上的複數抽出點選擇未選擇的1點(步驟S14)。接著，從選擇的點來計算到其他抽出點為止的距離(步驟S15)。當所算出的距離有未滿預定值者存在時(步驟S16_Yes)，將成為未滿預定值的間隔的2點的一者消去(步驟S17)。當存在未選擇的點時(步驟S18_Yes)，回到步驟S14。對於孔徑像的輪廓上的所有抽出點，進行同樣的處理。經由步驟S14~S18的處理而剩下的抽出點為4個時(步驟S19_Yes)，可以設為近 似孔徑像的四角形的頂點，而決定近似四角形(步驟S4)。
例如，在圖9所示的例中，因為從Ymax到Xmin_ymax的距離成為預定值未滿，將任一者消去。藉此，在孔徑像B12的輪廓上留下4個點Xmax、Xmin_ymin、Ymax(或Xmin_ymax)、Ymin，決定成將其等作為頂點的近似四角形。
此外，在步驟S17中，不消去成為預定值未滿的距離的2點中的一者，而將該等2點的輪廓上的中間點重新抽出來，而消去2點也可以。例如，在圖9所示的例中，將孔徑像B12的輪廓上的Ymax與Xmin_ymax的中間點重新抽出來，而將Ymax與Xmin_ymax消去也可以。
孔徑像藉由步驟S17的點消去，剩下的抽出點成為3個以下(步驟S19_No)。例如，對於圖10(a)所示的孔徑像B13進行步驟S14~S18的處理時，將Ymin與Xmin_ymin整合成1點。又，將Xmax與Ymax整合成1點。因此，如圖10(b)所示，只留下點P1、P2、P3的3個頂點。
在這種情形時，首先，將連結剩下頂點之間的直線拉伸(步驟S20)。例如，如圖11(a)所示，將連結點P2與點P3的直線L1、連結點P1與點P3的直線L2、連結點P1與點P2的直線L3拉伸。
接著，從孔徑像的輪廓上的點，求出到步驟S20中所拉伸的直線為止的最短距離。拉伸出複數直線 時，在到各直線為止的最短距離之內，求出最短者。接著，將該最短距離成為最大的點視為頂點(步驟S21)。重複步驟S20及S21的處理到頂點數成為4個為止。當頂點數成為4個時(步驟S22_Yes)，可以設為近似孔徑像的四角形的頂點，而決定近似四角形(步驟S4)。
例如，到圖11(a)所示的直線L1、L2、L3的最短距離成為最大的是圖11(b)所示的點P4。將點P1、P2、P3、P4作為頂點的四角形，成為近似孔徑像B13的四角形。
這樣計算近似孔徑像的四角形，求出位於近似四角形外側的孔徑像的面積、及成為近似四角形的內側且孔徑像的外側的區域的面積，控制向像差補正透鏡40施加的電壓，來補正球面像差。
例如，針對孔徑像的全面積，位於近似四角形外側的孔徑像的面積比例、與向像差補正透鏡40施加的電壓之間的關係，會有圖12所示的傾向。因此，透鏡控制電路54控制向像差補正透鏡40施加的電壓，使得面積比例成為所期望的值。藉此，能夠自動調整球面像差，使孔徑像成為四角形(略四角形)。此外，成為調整對象的面積比例，特別將描繪精度等作為基礎先決定。又，因為施加電壓變高的話面積比例會上升，在自動調整時能夠以二進位探索來調整。
這樣的話，根據本實施形態，因為利用孔徑像(束形狀)的近似四角形計算孔徑像的特徵量，基於該 特徵量調整球面像差，能夠高精度地自動調整照射多重束時的光學系統的球面像差。
在上述實施形態中，雖將位於孔徑像的近似四角形外側的面積等作為特徵量，但特徵量並不以此為限。例如，將近似四角形的對角線、與孔徑像的外周(輪廓)的長度比例作為特徵量也可以。
如圖13(a)(b)(c)所示，表示出略四角形狀束B1、滾筒型束B2、針墊型束B3的近似四角形R的對角線DL1、DL2。滾筒型束B2或針墊型束B3與略四角形狀束B1相比較，相對外周長度的例如長方的對角線長度的比例變小。透鏡控制電路54控制向像差補正透鏡40施加的電壓，調整球面像差，使得該比例變大(變成預定值以上)。
又，將孔徑像內的亮度(照度)分佈的標準偏差作為特徵量也可以。例如，略四角形狀束與孔徑像內的亮度幾乎一樣，標準偏差小。滾筒型束中央部變暗，外周部變亮，標準偏差大。又，針墊型束中央部變亮，外周側變暗，標準偏差大。透鏡控制電路54控制向像差補正透鏡40施加的電壓，調整球面像差，使得該標準偏差變小(變成預定值以下)。
本實施形態的球面像差調整方法也能適用於孔徑像成為正方形以外的形狀的情形。例如，孔徑像形狀為長方形時，基於長邊與短邊的比使孔徑像變形，根據上述實施形態調整球面像差。或調整球面像差，使得照度的 標準偏差變小。
孔徑像的形狀為圓形時，調整成孔徑像的直徑與外周長度的比例變小。或調整球面像差，使得照度的標準偏差變小。
在上述實施形態中，雖說明有關利用像差補正透鏡40進行球面像差補正的構成，但作為像差補正透鏡除了箔透鏡以外，例如組合格子透鏡及補正透鏡者、或利用多極電磁場的像差補正器也可以。像差補正透鏡藉由靜電透鏡及線圈產生軸對稱的電場/磁場，可以使得束的球面像差成份縮小。
如圖2所示，在形成多重束的孔徑構件8，由縱m列×橫n列的孔80以預定的配列節距形成矩陣狀。孔徑像的近似四角形理想為矩形，特別是m=n時成為正方形。但是，因為像散像差的影響，孔徑像會變形，有近似四角形形狀無法成為正方形的情形。此外，為了容易看到孔徑像，僅在調整時有將焦點適宜地偏移的情形。
在此，如圖14所示，可以設有：進行多重束的像散像差補正(調整)的像散調整線圈42、44、控制對像散調整線圈42、44激磁的激磁值(像散補正線圈值)的線圈控制電路59，以進行像散調整。像散調整線圈42、44分別在水平面內，進行垂直第1軸方向及第2軸方向(例如x軸方向及y軸方向)的像散調整。
如圖15所示，分別變更像散調整線圈42、44的像散補正線圈值後，孔徑像的近似四角形的形狀發生變 化。
特徵量計算部51計算表示孔徑像的近似四角形的正方形程度的特徵量。線圈控制電路59基於所算出的特徵量，控制設定於像散調整線圈42、44的像散補正線圈值，進行像散像差補正，調整成使孔徑像的近似四角形的形狀成為正方形。
說明有關計算表示孔徑像的近似四角形的正方形程度的特徵量。特徵量計算部51以上述實施形態所說明的方法，計算基於檢出器26的檢出值之孔徑像的近似四角形。正方形為四邊長度相等，4個內角相等(全部為直角)的圖形。因此，特徵量計算部51計算：表示近似四角形的四邊長度的偏差之第1特徵量、表示近似四角形的4個內角的角度偏差的第2特徵量的至少一者。
例如，特徵量計算部51對圖16所示的近似四角形，將四邊的長度H1、H2、H3、H4的標準偏差(或分散)作為第1特徵量來計算。重複像散補正線圈值的設定變更及第1特徵量的算出，使第1特徵量變小。圖17為表示設定於像散調整線圈42、44的像散補正線圈值、與所算出的第1特徵量之間的關係的圖形。藉由將設定於像散調整線圈42、44的像散補正線圈值設為圖17的虛線所示的值，近似四角形的四邊的長度H1、H2、H3、H4變得大致相等。
又，例如，特徵量計算部51對圖16所示的近似四角形，將4個內角θ1、θ2、θ3、θ4的內積平方和作為第 2特徵量來計算。內積平方和利用以下的式子來計算。
(cosθ 1)2+(cosθ 2)2+(cosθ 3)2+(cosθ 4)2
該第2特徵量表示4個內角θ1、θ2、θ3、θ4的直角程度，當近似四角形為正方形時，第2特徵量為0。重複像散補正線圈值的設定變更及第2特徵量的算出，使第2特徵量變小。圖18為表示設定於像散調整線圈42、44的像散補正線圈值、與所算出的第2特徵量之間的關係的圖形。藉由將設定於像散調整線圈42、44的像散補正線圈值設為圖18的虛線所示的值，4個內角θ1、θ2、θ3、θ4大致成為90°。
利用第1特徵量及第2特徵量的兩者來控制像散補正線圈值，以進行像散調整也可以。此時，可以使第1軸變化而調整使第2特徵量變小，使第2軸變化而調整使第1特徵量變小。
理想的孔徑像的近似四角形的形狀成為長方形時，控制像散補正線圈值，使得上述的第1特徵量成為基於長邊與短邊的比例的預定值。近似四角形的形狀為矩形以外時，例如為圓形時，可以基於孔徑像的直徑與外周長度的比例來調整像散補正線圈值，六角形時視為圓形而進行調整也可以。又，進行光學系統的調整，使得孔徑像的照度的標準偏差(分散)變小也可以。
取代孔徑構件8或遮蔽孔徑陣列10，設置設有開口的調整用平板來進行像散調整也可以。此時，選定對應設於調整用平板的開口的特徵量。
包含特徵量計算部51的控制計算機50的各機能，可以以硬體來構成，也可以以軟體來構成。以軟體來構成時，可以將實現控制計算機50的至少一部的機能的程式儲存至CD-ROM等記錄媒體，使電腦來讀取並執行。記錄媒體不限於磁碟或光碟等可裝卸之物，硬碟裝置或記憶體等固定型的記錄媒體也可以。
然而，本發明並不限於上述的實施形態，可以在實施階段中，以不脫離此內容的範圍內，改變及具體化構成要素。此外，也可以將上述實施形態所揭示的複數構成要素做適當的組合，完成各種發明。例如：也可以將實施形態所示的全部構成要素做一些刪除。再來，也可將不同的實施形態中的構成要素做適當的組合。

Claims (10)

  1. 一種多重帶電粒子束描繪裝置，具備：放出帶電粒子束的放出部；形成有複數開口部，藉由使前述帶電粒子束通過前述複數開口部來形成多重束的孔徑構件；配置有複數阻斷器以在前述多重束之中進行分別對應的束的遮蔽偏向的遮蔽板；藉由前述複數阻斷器來遮蔽被偏向的各束，使其成為束OFF狀態的限制孔徑構件；載置照射前述多重束的基板的載台；檢出來自前述基板的反射帶電粒子的檢出器；計算基於前述檢出器的檢出值之孔徑像的特徵量的特徵量計算部；以及基於前述特徵量進行帶電粒子束的像差補正的像差補正部。
  2. 如請求項1所記載的多重帶電粒子束描繪裝置，其中，前述特徵量計算部生成近似於前述孔徑像的近似圖形；利用位於前述近似圖形的內側及外側的至少任意一者的前述孔徑像之面積來計算前述特徵量；前述像差補正部基於前述特徵量進行帶電粒子束的球面像差補正。
  3. 如請求項1所記載的多重帶電粒子束描繪裝置，其中，前述特徵量計算部生成近似於前述孔徑像的近似四角形，並將前述近似四角形的對角線之中較長者的長度、與前述孔徑像的外周長度的比例作為前述特徵量來計算；前述像差補正部基於前述特徵量進行帶電粒子束的球面像差補正。
  4. 如請求項1所記載的多重帶電粒子束描繪裝置，其中，前述特徵量計算部將前述孔徑像內的照度的標準偏差作為前述特徵量來計算；前述像差補正部基於前述特徵量進行帶電粒子束的球面像差補正。
  5. 如請求項1所記載的多重帶電粒子束描繪裝置，其中，前述特徵量計算部生成近似於前述孔徑像的近似四角形，並將前述近似四角形的四邊長度的偏差作為第1特徵量來計算；前述像差補正部基於前述第1特徵量進行帶電粒子束的像散像差補正。
  6. 如請求項1所記載的多重帶電粒子束描繪裝置，其中，前述特徵量計算部生成近似於前述孔徑像的近似四角形，並將前述近似四角形的4個內角的直角程度作為第2特徵量來計算；前述像差補正部基於前述第2特徵量進行帶電粒子束的像散像差補正。
  7. 如請求項1所記載的多重帶電粒子束描繪裝置，其中，前述特徵量計算部生成近似於前述孔徑像的近似四角形，並將前述近似四角形的四邊長度的偏差作為第1特徵量來計算，將前述近似四角形的4個內角的直角程度作為第2特徵量來計算；前述像差補正部基於前述第1特徵量及前述第2特徵量來進行帶電粒子束的像散像差補正。
  8. 一種多重帶電粒子束描繪裝置的調整方法，具備：放出帶電粒子束的工程；使前述帶電粒子束通過孔徑構件的複數開口部以形成多重束的工程；對載置於載台上的基板照射前述多重束的工程；檢出來自前述基板的反射帶電粒子的工程；計算基於所檢出的前述反射帶電粒子的孔徑像的特徵量的工程；以及基於前述特徵量進行帶電粒子束的像差補正的工程。
  9. 如請求項8所記載的多重帶電粒子束描繪裝置的調整方法，其中，基於前述特徵量進行帶電粒子束的球面像差補正。
  10. 如請求項8所記載的多重帶電粒子束描繪裝置的調整方法，其中，生成近似於前述孔徑像的近似四角形，並將前述近似四角形的四邊長度的偏差作為第1特徵量來計算，將前述近似四角形的4個內角的直角程度作為第2特徵量來計算；基於前述第1特徵量及前述第2特徵量來進行帶電粒子束的像散像差補正。
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