TW202331768A - 描繪裝置及描繪方法 - Google Patents

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中山貴仁
中橋怜
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Abstract

提供一種能夠抑制散射射束對描繪處理造成的影響之描繪裝置及描繪方法。 按照本實施形態之描繪裝置，係將多帶電粒子束照射至照射對象的規定位置而在照射對象上描繪規定圖樣之描繪裝置，具備：射束生成機構，生成多帶電粒子束；遮沒孔徑機構，具備將生成的多帶電粒子束遮蔽之限制孔徑基板、以及將多帶電粒子束朝規定方向偏向之偏向器，而將多帶電粒子束遮沒；平台，載置照射對象且可移動；驅動部，使限制孔徑基板移動；及控制部，控制描繪裝置；控制部，於遮沒的期間，使限制孔徑基板在相對於多帶電粒子束的軸方向垂直的面內從描繪時的配置位置移動，而於描繪時使其返回配置位置。

Description

描繪裝置及描繪方法
本實施形態有關描繪裝置及描繪方法。
描繪裝置，是將從電子槍放出的帶電粒子束照射至光罩底板(mask blanks)，而使光罩底板上的感光材料感光成所需的圖樣。描繪裝置中，是使帶電粒子束通過孔徑陣列而生成所需的多射束。
此外，為了將散射射束減小到能夠忽略，可以設想將遮沒器(blanker)的電極間間隙縮窄，來使多射束大幅度偏向。但，若將遮沒器的電極間極端地縮窄，則會肇生導致多射束照射至電極等的問題。
生成多射束時，帶電粒子束亦會照射至孔徑的側壁等，而大量產生來自孔徑側壁的散射電子，因而生成漏射束。在成型孔徑陣列的下游側，為了個別地或全體地控制多射束的照射，設有遮沒孔徑機構。但，漏射束不能藉由它們而控制，而有照射到光罩底板之虞。在此情形下，有光罩底板上的感光材料因漏射束而非意圖地被曝光之虞。
本實施形態，提供一種能夠抑制漏射束對描繪處理造成的影響之描繪裝置及描繪方法。
按照本實施形態之描繪裝置，係將多帶電粒子束照射至照射對象的規定位置而在照射對象上描繪規定圖樣之描繪裝置，具備：射束生成機構，生成多帶電粒子束；遮沒孔徑機構，具備將生成的多帶電粒子束遮蔽之限制孔徑基板、以及將多帶電粒子束朝規定方向偏向之偏向器，而將多帶電粒子束遮沒；平台，載置照射對象且可移動；驅動部，使限制孔徑基板移動；及控制部，控制描繪裝置；控制部，於遮沒的期間，使限制孔徑基板在相對於多帶電粒子束的軸方向垂直的面內從描繪時的配置位置移動，而於描繪時使其返回配置位置。
按照本實施形態之描繪方法，係將多帶電粒子束照射至照射對象的規定位置而在照射對象上描繪規定圖樣之描繪方法，其係：生成多帶電粒子束，將生成的多帶電粒子束朝規定方向偏向而藉由限制孔徑基板將多帶電粒子束遮沒，於遮沒的期間，使限制孔徑基板在相對於多帶電粒子束的軸方向垂直的面內從描繪時的配置位置移動，而於描繪時使其返回配置位置。
以下參照圖面，說明本發明之實施形態。本實施形態並不限定本發明。圖面為模型化或概念化之物，各部分的比例等未必和現實之物相同。說明書與圖面中，有關已展示之圖面對於和前述者同樣的要素會標注同一符號並適宜省略詳細的說明。 (第1實施形態)
圖1為示意按照第1實施形態之描繪裝置的構成例的圖。描繪裝置100例如為多射束方式的帶電粒子束曝光裝置，用以描繪半導體裝置的製造中運用之微影的光罩或樣板。本實施形態，除描繪裝置外，亦可為曝光裝置、電子顯微鏡等的將電子束、離子束照射至試料W的裝置。是故，作為處理對象的試料W，除光罩底板外亦可為半導體基板等。
描繪裝置100具備描繪部150與控制部160。描繪部150具備電子鏡筒102與描繪室103。控制部160，具備照射控制部4、平台控制部5、平台位置測定器7、邏輯電路131、DAC(Digital-Analog Converter)放大器134、限制孔徑控制部135。
在電子鏡筒102內，配置有電子槍201、照明透鏡202、成形孔徑陣列基板203、遮沒孔徑陣列機構204、縮小透鏡205、限制孔徑基板206、對物透鏡207、主偏向器208、副偏向器209、遮沒偏向器212、限制孔徑驅動部136。
在描繪室(writing chamber)103內，配置可朝彼此正交的X方向及Y方向(略水平方向)移動的平台105。平台105可載置描繪時成為多射束的處理對象之光罩底板等的試料W。試料W例如為在玻璃基板上層積鉻膜等的遮光膜與阻劑膜而成之光罩底板。此外，在平台105上配置有用來測定平台105的位置的鏡210。另，電子鏡筒102及描繪室103的內部被抽真空而成為減壓狀態。
作為射束照射部的電子槍201，生成帶電粒子束B0。帶電粒子束B0例如為電子束、離子束。藉由電子槍201而生成的帶電粒子束B0照射至試料W。
成形孔徑陣列基板203例如具有縱m列×橫n列(m，n≧2)地以規定的排列間距排列之複數個開口30。開口30各自由相同尺寸及形狀的矩形而形成。開口30的形狀亦可是圓形。從電子槍201放出的帶電粒子束B0，會藉由照明透鏡202而近乎垂直地對成形孔徑陣列基板203全體做照明。帶電粒子束B0，將包含成形孔徑陣列基板203的所有開口30之區域予以照明。帶電粒子束B0的一部分，藉由通過複數個開口30而被成形為多射束B。像這樣，成形孔徑陣列基板203將來自電子槍201的帶電粒子束B0成形而生成多射束B。
遮沒孔徑陣列基板204，以和成形孔徑陣列基板203的各開口30的配置位置相對應之方式具有複數個開口40。雖未圖示，但在各開口40分別配置成對的2個電極的組(遮沒器)。通過各開口40的多射束B，會藉由施加於成對的2個電極之電壓而分別獨立地被偏向。亦即，複數個遮沒器，係對通過了成形孔徑陣列基板203的複數個開口30的多射束B當中分別相對應的射束進行遮沒偏向。藉此，遮沒孔徑陣列基板204，能夠對通過了成形孔徑陣列基板203的多射束B的各者依每一射束個別地進行射束的ON/OFF控制。亦即，遮沒孔徑陣列基板204能夠進行是否將多射束B的各者往試料W照射之遮沒控制。遮沒孔徑陣列基板204受到偏向控制電路130所控制。遮沒孔徑陣列基板204的開口40，比成形孔徑陣列基板203的開口30還大，以便容易使多射束B的各射束通過。
在遮沒孔徑陣列基板204的下方，設有將多射束全體予以集體做遮沒控制之遮沒偏向器212。遮沒偏向器212能夠進行是否將多射束B的全體往試料W照射之遮沒控制。
在遮沒偏向器212的下方，設有在中心部形成有開口50之限制孔徑基板206。藉由遮沒孔徑陣列基板204或遮沒偏向器212而被偏向成為射束OFF的狀態的電子束，其位置會偏離限制孔徑基板206的中心的開口50，而被限制孔徑基板206遮蔽。把像這樣電子束被限制孔徑基板206遮蔽的狀態稱為射束OFF。未被遮沒孔徑陣列基板204及遮沒偏向器212偏向的電子束會通過限制孔徑基板206，藉由偏向器208、209被偏向而照射到試料W上的所需的位置。把像這樣電子束通過限制孔徑基板206的開口50而照射至試料W的狀態稱為射束ON。
像這樣，限制孔徑基板206透過設於其中心的開口50而使多射束B全體通過，或者將藉由遮沒偏向器212而被偏向的多射束B全體遮蔽。
遮蔽偏向器212，設於成形孔徑陣列基板203或者遮沒孔徑陣列基板204與限制孔徑基板206之間。遮沒偏向器212受到邏輯電路131及偏向控制電路130所控制，進行是否將通過了遮沒孔徑陣列基板204的多射束B全體往試料W照射之遮沒控制。藉此，不需變更遮沒孔徑陣列基板204的控制狀態，便能夠將多射束B全體控制成射束ON／射束OFF。偏向器208、209各自透過DAC放大器134而受到偏向控制電路130所控制。
限制孔徑驅動部136連接至限制孔徑基板206，能夠使限制孔徑基板206往X方向或Y方向移動。限制孔徑基板206能夠在相對於帶電粒子束B0或多射束B的照射方向略垂直的X-Y面(略水平面)內移動。
限制孔徑控制部135連接至限制孔徑驅動部136，而控制限制孔徑驅動部136。限制孔徑控制部135，能夠藉由控制限制孔徑驅動部136而控制限制孔徑基板206的位置。
例如，如上述般，在射束OFF(遮沒)的期間，多射束B藉由遮沒偏向器212而被偏向至X-Y面內(略水平面內)的任意方向，而照射至偏離限制孔徑基板206的開口50的位置。把多射束B藉由遮沒偏向器212而被偏向的方向稱為偏向方向。在這樣的遮沒的期間，限制孔徑控制部135使限制孔徑基板206相對於多射束B的偏向方向朝反方向移動。藉此，除了遮沒偏向器212所造成的多射束B全體的偏向外，還藉由限制孔徑基板206的開口50的移動，讓散射射束更難通過限制孔徑基板206的開口50。
控制部160可由1或複數個電腦、CPU、PLC等所構成。例如，限制孔徑控制部135可由1或複數個電腦、CPU、PLC等所構成。控制部160可和描繪部150構成為一體，亦可構成為不同個體。限制孔徑驅動部136例如可為壓電元件、超音波馬達等。
平台控制部5控制平台105的動作，使得平台105朝X方向或Y方向(略水平方向)移動。
平台位置測定器7例如由雷射測長計所構成，將雷射光照射到被固定於平台105的鏡210，藉由其反射光而測定平台105的X方向的位置。如同平台位置測定器7及鏡210的構成不僅設置在X方向也設置在Y方向，而亦測定平台105的Y方向的位置。
圖1中，記載了用以說明第1實施形態所必須之構成。描繪裝置100具備其他必要的構成亦無妨。
描繪裝置100，是以XY平台105一面移動一面將擊發射束連續依序逐漸照射的逐線掃描(raster-scan)方式來進行描繪動作。當描繪所需的圖樣時，根據圖樣而必要的射束會藉由遮沒控制而被控制成射束ON或射束OFF。
圖2A為示意射束ON下的描繪裝置100的狀態的概念圖。圖2B為示意射束OFF下的描繪裝置100的狀態的概念圖。
如圖2A所示，射束ON當中，來自遮沒孔徑陣列基板204的多射束B通過遮沒偏向器212及限制孔徑基板206的開口50，而照射至圖1的試料W。此時，遮沒偏向器212幾乎不將多射束B偏向，在限制孔徑基板206不會將多射束B遮蔽(遮沒)。射束ON例如為正在執行描繪處理時運用的狀態。
如圖2B所示，射束OFF當中，來自遮沒孔徑陣列基板204的多射束B藉由遮沒偏向器212而朝+X方向被偏向。又，限制孔徑控制部135及限制孔徑驅動部136，使限制孔徑基板206從描繪時的配置位置往和偏向方向(+X方向)反方向(-X方向)移動。像這樣，藉由將多射束B朝+X方向偏向，且使限制孔徑基板206往-X方向移動，限制孔徑基板206能夠將多射束B幾乎完全遮蔽。此時，限制孔徑基板206亦能夠遮蔽散射射束。亦即，在按照本實施形態之射束OFF狀態中，多射束B及散射射束會被限制孔徑基板206遮蔽(遮沒)。射束OFF，例如運用於尚未執行描繪處理之描繪前的準備期間(例如均熱(soaking)處理、Z測繪(map)測定)。此外，當將多射束B沿著試料W上的複數個線照射而掃描的情形下，遮沒的期間亦可設為從第1線的照射結束至下個第2線的照射開始為止的期間(線條端點)。
接著，說明按照本實施形態之描繪裝置100的控制方法。
圖3為示意均熱處理中的描繪裝置100的控制方法的流程圖。均熱處理，為描繪前的處理，係於將光罩底板等的試料W載置於平台105上之後，等待直到試料W的溫度和描繪室103內的平台105的溫度相符。均熱期間，為從將試料W搭載於平台105上起算至試料W成為規定溫度為止的期間。均熱處理中，為了避免多射束B照射至試料W，遮沒孔徑陣列基板204及遮沒偏向器212成為射束OFF狀態。是故，多射束B會被限制孔徑基板206遮蔽，而不會到達試料W。
但，如上述般在成形孔徑陣列基板203的開口30的側面等散射之散射射束的一部分，可能無法以遮沒孔徑陣列基板204及遮沒偏向器212充分地遮蔽。這樣的散射射束的一部分有通過遮沒孔徑陣列基板204及遮沒偏向器212而往試料W照射之虞。在此情形下，會導致試料W上的感光材料藉由局部性的散射射束而非意圖地被曝光。
鑑此，本實施形態中，於遮沒孔徑陣列基板204或遮沒偏向器212正在做遮沒控制以避免多射束B照射至試料W的期間(遮沒的期間)中，限制孔徑控制部135會使限制孔徑基板206相對於多射束B的偏向方向(例如+X方向)朝反方向(例如-X方向)移動。藉此，射束OFF時，能夠將多射束B大幅偏離限制孔徑基板206的開口50，而能夠避免試料W藉由散射射束而被曝光。
例如，首先遮沒孔徑陣列基板204及／或遮沒偏向器212使多射束B全體偏向而照射至限制孔徑基板206上，而設為射束OFF(S10)。此時，例如多射束B全體朝+X方向被偏向。
接著，或者和步驟S10同時，限制孔徑控制部135及限制孔徑驅動部136使限制孔徑基板206在相對於射束的軸方向(Z方向)略垂直的面內移動。例如使其移動至和多射束B的偏向方向反方向的遮蔽位置(S20)。更具體而言，限制孔徑控制部135及限制孔徑驅動部136，使限制孔徑基板206朝-X方向移動。藉此，抑制從限制孔徑基板206的開口50洩漏的多射束B。此時，限制孔徑基板206的移動距離較佳為開口50的開口徑以上。藉此，開口50會大幅偏離而不會和原本的位置的開口50重疊，可進一步抑制從限制孔徑基板206的開口50洩漏的多射束B。
接著，或者和步驟S10、S20同時，將時間t重置為0，開始計時(S30)。例如，偏向控制電路130或限制孔徑控制部135具備未圖示的計時器，從均熱處理開始(t=0)計測時間t。此外，均熱處理時間T，為從試料W被載置於平台105起算至試料W的溫度成為和平台105的溫度幾乎相同的規定溫度為止的時間(成為平衡狀態為止的時間)，係事先被設定。均熱處理，持續直到時間t成為均熱處理時間T為止。
接著，偏向控制電路130或限制孔徑控制部135將時間t和均熱處理時間T比較(S40)。當時間t尚未達均熱處理時間T的情形下(S40的NO)，偏向控制電路130或限制孔徑控制部135繼續計時(S40)。
接著，當時間t已達均熱處理時間T的情形下(S40的YES)，限制孔徑控制部135及限制孔徑驅動部136將限制孔徑基板206返回使多射束B通過之描繪時的配置位置(S50)。例如，限制孔徑控制部135及限制孔徑驅動部136使限制孔徑基板206朝+X方向移動。藉此，多射束B便可通過限制孔徑基板206的開口50。此時，限制孔徑基板206往+X方向的移動距離，和步驟S20中的移動距離為相同距離。藉此，開口50返回原本的配置位置。藉此，均熱處理結束。
其後，執行描繪前的其他處理，一旦從射束OFF變為射束ON，則開始描繪處理。
按照本實施形態，於均熱處理的射束OFF的期間中，限制孔徑控制部135例如使限制孔徑基板206相對於多射束B的偏向方向朝反方向移動。藉此，能夠將多射束B大幅偏離限制孔徑基板206的開口50，而能夠抑制試料W藉由散射射束而被曝光。
另，遮沒的期間中的限制孔徑基板206的移動方向，較佳是在相對於多射束B的照射方向略垂直的面(例如略水平面)內，和多射束B的偏向方向反方向。是故，當多射束B的偏向方向為+Y方向的情形下，限制孔徑基板206的移動方向可設為-Y方向。此外，當多射束B的偏向方向相對於X方向及Y方向為傾斜方向的情形下，限制孔徑基板206的移動方向可設為和多射束B的偏向方向相反的傾斜方向。但，所謂反方向不必為180˚的相位差，亦可為180˚±10˚程度，在以下的實施形態中亦同。 (第2實施形態)
圖4為示意Z測繪測定處理中的描繪裝置100的控制方法的流程圖。Z測繪測定，係為了測定試料W的應變，而測定試料W的表面的高度(Z方向的位置)並予以測繪之處理。Z測繪測定，是於均熱處理之後，藉由偏向控制電路130執行。
Z測繪測定中同樣地，為了避免多射束B照射至試料W，遮沒孔徑陣列基板204及遮沒偏向器212成為射束OFF狀態。是故，多射束B會被限制孔徑基板206遮蔽，而不會到達試料W。
首先，執行步驟S10及S20。亦即，設為射束OFF，並且限制孔徑控制部135及限制孔徑驅動部136使限制孔徑基板206移動至和多射束B的偏向方向反方向的遮蔽位置。
接著，開始Z測繪測定(S60)。Z測繪測定中，可對試料W的表面照射雷射光，檢測其反射光，來檢測試料W的表面的高度(Z方向的位置)。雷射光產生裝置及雷射光檢測裝置的圖示及詳細的說明在此省略。
雷射光的照射，是在試料W的表面內以略等間隔進行。是故，試料W的表面的Z方向的高度位置，是以矩陣狀二維地測定。藉此，得到Z測繪的資料。Z測繪測定，對試料W的表面全體執行(S70的NO)。
一旦對試料W的表面全體執行Z測繪測定而Z測繪完成，則Z測繪測定結束(S70的YES)。Z測繪，運用於描繪處理中試料W的高度的調整、或者縮小透鏡205及／或對物透鏡207的調整。
一旦Z測繪測定結束(S70的YES)，則如同圖3的步驟S50，限制孔徑控制部135及限制孔徑驅動部136將限制孔徑基板206返回使多射束B通過的照射位置(S50)。藉此，Z測繪測定處理結束。
其後，執行描繪前的其他處理，一旦從射束OFF變為射束ON，則開始描繪處理。
如本實施形態般，於Z測繪測定中同樣地，於射束OFF的期間中，限制孔徑控制部135使限制孔徑基板206相對於多射束B的偏向方向朝反方向移動。第2實施形態的構成及其他動作，可和第1實施形態的構成及動作相同。藉此，第2實施形態能夠得到和第1實施形態同樣的效果。 (第3實施形態)
圖5為示意描繪處理中的描繪裝置100的控制方法的流程圖。圖6為示意描繪處理中的多射束B的掃描的概念圖。
描繪處理中，為了使試料W上的感光材料感光成所需的圖樣，遮沒孔徑陣列基板204及遮沒偏向器212成為射束ON狀態。藉此，多射束B會掃描而描繪試料W的表面。
描繪處理，是於均熱處理及Z測繪測定等的前處理之後執行。如圖6所示，描繪處理，是將多射束B沿著試料W的表面上的複數個線L1、L2、L3…以之字狀掃描。另，亦將複數個線L1、L2、L3統稱為線L。當沿著各線L掃描多射束B時，遮沒孔徑陣列基板204及遮沒偏向器212成為射束ON狀態。
但，複數個線L當中，從某個線(例如L1)的照射結束至下個線(例如L2)的照射開始為止的期間，會在試料W的端部E1往箭頭A1方向移動。此時，描繪處理暫時停止，為了避免多射束B照射至試料W，遮沒孔徑陣列基板204及遮沒偏向器212成為射束OFF狀態。此外，從某個線(例如L2)的照射結束至下個線(例如L3)的照射開始為止的期間，會在試料W的端部E2往箭頭A2方向移動。此時，描繪處理暫時停止，為了避免多射束B照射至試料W，遮沒孔徑陣列基板204及遮沒偏向器212成為射束OFF狀態。
像這樣，描繪處理，於描繪處理的途中有時會在某個線與下個線之間暫時停止。此時，描繪裝置100成為射束OFF狀態，限制孔徑控制部135及限制孔徑驅動部136使限制孔徑基板206移動至和多射束B的偏向方向反方向的遮蔽位置。
例如，一旦進入描繪處理，則限制孔徑控制部135及限制孔徑驅動部136成為射束ON，執行描繪處理(S80)。此時，限制孔徑基板206配置於使多射束B通過開口50的位置(描繪位置)。藉此，多射束B可通過開口50，能夠在試料W描繪所需的圖樣。
執行描繪處理(S100)。此時，如圖6所示，在試料W的表面上的線L1、L2、L3…依每個線掃描多射束B(S110的NO)。
在某個線與下個線之間的端部E1或E2，當於描繪處理的途中暫時停止的情形下(S110的暫時停止)，遮沒孔徑陣列基板204及遮沒偏向器212成為射束OFF狀態(S10)。此時，設為射束OFF，並且限制孔徑控制部135及限制孔徑驅動部136使限制孔徑基板206移動至和多射束B的偏向方向反方向的遮蔽位置(S20)。
持續射束OFF狀態直到描繪處理重啟(S130的NO)。
一旦描繪處理重啟(S130的YES)，則返回步驟S80，從射束ON再度執行。
一旦沿著全部的線L結束多射束B的掃描(S110的結束)，則描繪處理結束。
像這樣，描繪處理中，在從某個線的照射結束至下個線的照射開始為止的線條端點的期間，限制孔徑控制部135及限制孔徑驅動部136成為射束OFF狀態。在此射束OFF的期間中，限制孔徑控制部135使限制孔徑基板206在相對於多射束B的照射軸方向垂直的面內，例如相對於多射束B的偏向方向朝反方向移動。
第3實施形態的構成及其他動作，可和第1實施形態的構成及動作相同。藉此，第3實施形態能夠得到和第1實施形態同樣的效果。第3實施形態亦可與第2實施形態組合。又，亦可應用於處於未正在描繪多射束B的狀態，例如當因錯誤發生而停止描繪的情形、Z位置測定、或標記檢測時等。
雖已說明了本發明的幾個實施形態，但該些實施形態僅是提出作為例子，並非意圖限定發明範圍。該些實施形態可以其他各式各樣的形態實施，在不脫離發明要旨之範圍內，能夠進行種種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形，均包含於發明範圍或要旨當中，同樣地包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。
100:描繪裝置 150:描繪部 160:控制部 102:電子鏡筒 103:描繪室 4:照射控制部 5:平台控制部 7:平台位置測定器 131:邏輯電路 134:DAC放大器 135:限制孔徑控制部 201:電子槍 202:照明透鏡 203:成形孔徑陣列基板 204:遮沒孔徑陣列基板 205:縮小透鏡 206:限制孔徑基板 207:對物透鏡 208:主偏向器 209:副偏向器 212:遮沒偏向器 136:限制孔徑驅動部 W:試料
[圖1]示意按照第1實施形態之描繪裝置的構成例的圖。 [圖2A]示意射束ON下的描繪裝置的狀態的概念圖。 [圖2B]示意射束OFF下的描繪裝置的狀態的概念圖。 [圖3]示意均熱處理中的描繪裝置的控制方法的流程圖。 [圖4]示意Z測繪測定處理中的描繪裝置的控制方法的流程圖。 [圖5]示意描繪處理中的描繪裝置的控制方法的流程圖。 [圖6]示意描繪處理中的多射束的掃描的概念圖。
4:照射控制部
5:平台控制部
7:平台位置測定器
30,40,50:開口
100:描繪裝置
102:電子鏡筒
103:描繪室
105:平台
130:偏向控制電路
131:邏輯電路
134:DAC放大器
135:限制孔徑控制部
136:限制孔徑驅動部
150:描繪部
160:控制部
201:電子槍
202:照明透鏡
203:成形孔徑陣列基板
204:遮沒孔徑陣列基板
205:縮小透鏡
206:限制孔徑基板
207:對物透鏡
208:主偏向器
209:副偏向器
210:鏡
212:遮沒偏向器
B:多射束
B0:帶電粒子束
W:試料

Claims (20)

  1. 一種描繪裝置，係將多帶電粒子束照射至照射對象的規定位置而在前述照射對象上描繪規定圖樣之描繪裝置，具備： 射束生成機構，生成多帶電粒子束； 遮沒孔徑機構，具備將生成的前述多帶電粒子束遮蔽之限制孔徑基板、以及將前述多帶電粒子束朝規定方向偏向之偏向器，而將前述多帶電粒子束遮沒； 平台，載置前述照射對象且可移動； 驅動部，使前述限制孔徑基板移動；及 控制部，控制前述描繪裝置； 前述控制部，於前述遮沒的期間中，使前述限制孔徑基板在相對於前述多帶電粒子束的軸方向垂直的面內從前述描繪時的配置位置移動，而於前述描繪時使其返回前述配置位置。
  2. 如請求項1記載之描繪裝置，其中，前述控制部，使前述限制孔徑基板相對於前述規定方向朝反方向移動。
  3. 如請求項1記載之描繪裝置，其中，前述限制孔徑基板的移動距離，為設於前述限制孔徑基板的孔徑的開口徑以上。
  4. 如請求項1記載之描繪裝置，其中，前述控制部，於前述遮沒的期間，進行用來使前述照射對象的溫度成為一定之均熱(soaking)。
  5. 如請求項1記載之描繪裝置，其中，前述控制部，於前述遮沒的期間中，使前述限制孔徑基板相對於前述多帶電粒子束的偏向方向朝反方向移動。
  6. 如請求項1記載之描繪裝置，其中，前述限制孔徑基板在略水平面內移動。
  7. 如請求項1記載之描繪裝置，其中，前述遮沒的期間，為前述描繪的準備期間。
  8. 如請求項1記載之描繪裝置，其中，前述遮沒的期間，為將前述照射對象搭載於平台，而該照射對象成為規定溫度為止的期間。
  9. 如請求項1記載之描繪裝置，其中，前述遮沒的期間，為正在測定前述照射對象的表面的高度位置的期間。
  10. 如請求項1記載之描繪裝置，其中，當將前述多帶電粒子束往前述照射對象照射時，將該多帶電粒子束沿著前述照射對象上的複數個線照射，前述遮沒的期間，為從前述複數個線當中第1線的照射結束至下個第2線的照射開始為止的期間。
  11. 一種描繪方法，係將多帶電粒子束照射至照射對象的規定位置而在前述照射對象上描繪規定圖樣之描繪方法，其係： 生成多帶電粒子束， 將生成的前述多帶電粒子束朝規定方向偏向而藉由限制孔徑基板將前述多帶電粒子束遮沒， 於前述遮沒的期間，使前述限制孔徑基板在相對於前述多帶電粒子束的軸方向垂直的面內從前述描繪時的配置位置移動，而於前述描繪時使其返回前述配置位置。
  12. 如請求項11記載之描繪方法，其中，前述控制部，使前述限制孔徑基板相對於前述規定方向朝反方向移動。
  13. 如請求項11記載之描繪方法，其中，前述限制孔徑基板的移動距離，為設於前述限制孔徑基板的孔徑的開口徑以上。
  14. 如請求項11記載之描繪方法，其中，前述控制部，於前述遮沒的期間，進行用來使前述照射對象的溫度成為一定之均熱。
  15. 如請求項11記載之描繪方法，其中，於前述遮沒的期間中，使前述限制孔徑基板相對於前述多帶電粒子束的偏向方向朝反方向移動。
  16. 如請求項11記載之描繪方法，其中，前述限制孔徑基板在略水平面內移動。
  17. 如請求項11記載之描繪方法，其中，前述遮沒的期間，為前述描繪的準備期間。
  18. 如請求項11記載之描繪方法，其中，前述遮沒的期間，為將前述照射對象搭載於平台，而該照射對象成為規定溫度為止的期間。
  19. 如請求項11記載之描繪方法，其中，前述遮沒的期間，為正在測定前述照射對象的表面的高度位置的期間。
  20. 如請求項11記載之描繪方法，其中，當將前述多帶電粒子束往前述照射對象照射時，將該多帶電粒子束沿著前述照射對象上的複數個線照射，前述遮沒的期間，為從前述複數個線當中第1線的照射結束至下個第2線的照射開始為止的期間。
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