JPS5897830A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子ビーム・リソグラフィ、より具体的にはラ
スク走査又はベクトル走査方式の電子ビーム・リングラ
フィ・システムに関スル。

電子ビーム技術は大規模集積回路（ＬＳＩ）の製造時の
パターン形感又は光もしくはＸ線のりソグラフィにおい
て用いられるマスクの形成に用いる事ができる。基−板
又は既に形成された構造上に付着されたフォトレジスト
物質の層が所望のパターｙ全形成するように電子ビーム
によって露光され、その後現像、エッチ・ング及び付着
又は除去によって特定の性質を有する微細な金属、半導
体又は絶縁体パターンの構造が得られる。

電子ビームはマスク全通してフォトレジスト全露光する
か、又は所望のパターンを発生するようにラスク走査法
もしくはベクトル走査法でフォトレジスト上に誘導する
事ができる。このような電子ビーム・リソグラフィ・シ
ステムは例えば米国特許第３６４４７００号、第３１８
６６０１！１号、第、５８７５４１５号、第３８７６８
８３号及び第４０５６７３０号明細書に説明されている
。

電子ビーム・リソグラフィにおける有害な効果は後方散
乱され几電子による望まざる露光である。

こめ効果は、生成されるパターンの形状及び相互関係に
依存して、露光されたレジスト領域の不均一な現像を生
じさせる。例えば微細な線は現像不足になり、露光領域
の間の間隙は所望よりも小さくなりがちである。一方広
い線の中心又は隅においてはプルーミング（ｂｌｏｏｍ
ｉｎｇ）とも呼ばれろ過＄１現像が起きる。

後方散乱電子による望まざる露光及びその結果生じる不
均一な現像は一般に「近接効果」と呼ばれている。これ
はその効果が（後方散乱電子を生じさせる）電子ビーム
によって露光さπた領域の近傍で起きるからである。後
方散乱の強度はフオトレジス）ｌｉ４の厚さ及び組成並
びに基板物質に依存し、その分布は形状又は構造の詳細
に依存する。

近接効果はζ形状内部例えば単一の線内でももしその線
が充分に広いか又は屈折部を有するならば生じる可能性
がある。また近接効果は形状間においても生じ得る。例
えば１つの線に関する電子ビーム露光は、近接して存在
するが前後の（他の走査の）電子ビームによって行なわ
れる線の露光着に影４１金与える。

電子ビーム・リソグラフィにおける近接効果を低減もし
くは消域させる多くの方法が提案されている。そのよう
な方法は下記の刊行物に開示されている。

−Ｍ、Ｐａｒｉｋｈ：”Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｅｆｆｅ
ｃｔｓｉｎ　　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　Ｌｉｔｈｏｇｒａ
ｐｈｙ：Ｍａｇｎｉｔｕｄｅａｎｄ　　Ｃｏｒｒｅｃｔ
ｉｏｎ　　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ”　、ＩＢＭ　　　Ｊ
ｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　Ｒｅｓ、　　ａｎｄＤｅｖｅ
ｌｏｍｐｍｅｎｔ、Ｖｏ４２４．４４、Ｊｕｌｙ１９８
０、ｐｐ、４３８−４５１゜ −Ｗ、　　Ｄ、　　Ｇｒｏｂｍａｎ　　ｅｔ　　ａｌ、
：＠ＰｒｏｘｉｍｉｔｙＣｏｒｒｅｃｔｉｏｎ　　Ｅｎ
ｈａｎｃｅｍｅｎｔｓ　　ｆｏｒｌ　−ｐｍ　　Ｄｅｎ
ｓｅ　　Ｃ１ｒｃｕｌｔｓ”、　ＩＢＭＪｏｕｒｎａｌ
　　ｏｆ　　Ｒ＠ｓ、ａｎｄ　　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎ
ｔ。

Ｖｏｊ、２４、憲５、Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ　　１９８０
、ｐｐ、５３７−５４４゜ −Ｔ、　　Ｐ、Ｃｈａｎｇ　　ｓｔ　　ａｌ、：”Ｐａ
ｒｔｉｔｉｏｎｉｎｇＥ−Ｂｅａｍ　　Ｄａｔａ　　ｆ
ｏｒ　　ＰｒｏｘｉｍｉｔｙＣｏｒｒｅｃｔｉｏｎｓ’
、　ＩＢＭ　　ＴｅｃｈｎｉｃａｌＤｉｓｃｌｏｓｕｒ
ｅ　　Ｂｕｌｌ＠ｔｉｎ％Ｖｏｊ、２０．４９、Ｆｅｂ
ｒｕａｒｙ　　１９７８、ｐｐ、３８０９−３８１２゜
−Ｍ、　　Ｐａｒｌｋｈ：’″５ｅｌｆ−Ｃｏｎｓｉｓ
ｔｅｎｔＣｏｒｒｅｃｔｉｏｎ　　ｏｆ　　Ｐｒｏｘｉ
ｍｉｔｙ　　Ｅｆｆｅｃｔｓｉｎ　　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
−Ｂｅａｍ　　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ＃％Ｉ　ＢＭ　
　Ｔｅｃｈｎ、Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　　Ｂｕｌｌｒｔ
ｉｎ。

Ｖｏｔ、２２．４９、Ｆｅｂｒｕａｒｙ　１９８０、ｐ
ｐ−４３２７−４３２８゜ −Ｅ、　　Ｂｒｅｔｓｃｈｅｒ：”Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ
Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ　　ｉｎ　　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　
　ＢｅａｍＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”、　ＩＢＭ　　Ｔ
ｅｃｈｎ。

Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　　Ｂｕｌｌｅｔｉｎ、Ｖｏｔ、
２５．４６、Ｎｏｖｅｍｂｅｒ　　１９８０、’　ｐ、
２５４１゜これらの方法は本質的には次のようなもので
ある。即ち、生成されるべき図形が解析され、等しい後
方散乱電子分布の領域全得るように分割される。そして
リングラフィ工程に先行して、近接効果があるにもかか
わらず、所定の図形に関する均一な電子照射分布がいか
にして得られるかを、アルゴリズムを用いて計算機プロ
グラムにより決定する。そして電子ビームは、補正の存
在しない場合に制御される方式とは異なった方式でプロ
グラム出力データによって制御される。これには後方散
乱電子による過剰露光全減少させるための図形の縮小、
及びパターンの他の部分に関して充分に現像されないよ
うな図形の拡大が含まれ、又図形を異なった領域に分割
し、それらに異なつｆｃ？！１！子ビーム照対ビーム照
射時間用いる事も含まれる。

これらの既知の方法の欠点は、前処理が必要な事即ち電
子ビーム露光工程に先立って解析を行なわなければなら
ない事である。

さらにこれらの方法は近似的モデルに基づいており、実
際には少し違っている可能性のある仮定的な寸法パラメ
ータに依存している。

本発明の目的は、実時間的に動作し前処理の不要な、電
子ビーム・リングラフィにおける近接効果の軽減方式を
工夫する事である。

他の目的は、電子ビームに露光される表面鳴の下にある
以前に付着された層又は基板の変化にもかかわらず、電
子ビーム・リソグラフィによって生成されるパターンの
一様性を改善する方式全提案する事である。

他の目的は、補正モデル又はアルゴリズムに依存せず実
際の電子ビーム露光及び後方散乱の条件事である。

他の目的は、電子ビーム制御システムに関する付加的ハ
ードウェアを最小限に保ちながら露光の程変に対する基
部層の不均一性の効果全減少させる事である。

これらの目的は、基板又は基部層の上の被覆層に電子ビ
ーム・リソグラフィによって形成されるパターンの一様
性を改善する本発明の装置によって達成される。本発明
においては後方散乱電子の量に関する表示信号が露光中
に得られ、基板又は基部層の材料又は形状の変化にもか
かわらず単位長さ当りの４光量が殆んど一定に保たれる
ように電子ビームの歩進速度全調整するための制御信号
として使われる。

μ下図面金参照しながら本発明の良好な実施例を説明す
る。

第１Ａ図及び第１Ｂ図を参照すると、基板又は基部層の
材料の変化による近接効果を説明するために、異なった
材料から成る集積回路構造の一部分が示されている。第
１Ａ図でシリコン・ウェハ１１は鉛の層１２によって部
分的に覆われ、それら両者はフォトレジスト層１３によ
って覆われている。このフォトレジスト層は現像及びエ
ツチングの後にさらに材料を付着又は除去するためのチ
ャネルを形成する線条を得るために電子ビームによって
露光される。

シリコン及び鉛の電子後方散乱特性の違いにより、第１
Ｂ図の上面図に示でれる線１５は、一定の電子ビーム強
度及び速度にもかかわらず、シリコンの上では鉛の上よ
りも少ない電子露光量を得る。この結果、現像後線幅が
変化するが、これは複雑なＬ　Ｓ、　Ｉ回路の高密度構
造においては小さな許容誤差しか許されないので、望ま
しくない。

８２図は電子ビーム・ラスク走査リソグラフィシステム
のブロック図であって、本発明に付き重要なユニットの
みを示し友ものである。電子ビーム・リソグラフィ・シ
ステムのより完全な説明は前述の米国特許明細書に含ま
れている。

ウェハ１１は、電子ビーム１７によって露光されるフォ
トレジスト層１３で覆われている。電子ビーム１７はＸ
偏向コイル１９Ａ、１９Ｂ及びＹ偏向コイル２１Ａ、２
１Ｂの磁界によってラスク走査方式でフォトレジスト上
に誘導される。また電子ビームは、所望の形を形成する
ために、図示していない制御電極によってブランキング
又はアンブランキングされる。

形を記述するパターン・データは計算機記憶装置から入
力線２３を経てパターン発生器２５に供給される。パタ
ーン発生器は多数の要素的図形毎に原点座標Ｘ　及びＹ
ｉ与え、さらに引き続い０　　　　　　　　０ て及び交互に、選択され几原点から特定の径路に沿って
電子ビームを移動させるための歩進値ΔＸ及びΔＹｉ与
える。ディジタル的なＸ及びＹ信号はディジタル／アナ
ログ変換器２７に転送され、変換１２１ｊその出力にＸ
偏向信号及びＸ偏向信号をアナログ形式で与える。それ
らの信号は偏向増幅器２９で増幅され、電子ビーム偏向
コイル１９Ａ、１９Ｂ及び２１Ａ、２１Ｂに加えられる
。

電子ビームが偏向信号によって動かされでいる間にそれ
をブランキング及びアンブランキングするための制御信
号もパターン発生器２５によって出力線３１に与えられ
る。この信号は図示していないブランキング／アンブラ
ンキング電極に加えられる。

電子ビームが移νする速度あるいは歩進速度は電圧制御
発振器（ＶＣＯ）５３の出方周波数によって決定される
。この出力周波数即ち歩進速度周波数ＳＲＦはパターン
発生器２５０入力に加えられ、交互のΔＸ値及びΔＹ値
−６Ｚ　Ｄ　／　Ａ変換器２７に与えられる速度を決定
する。基本的歩進速度値ＳＲはディジタル形式で（例え
ば計算機記憶装置から）信号線３５を経てＤ　／　Ａ変
換器３７に与えられ、この基本的歩進速度値を表わすア
ナログ出力電圧が電圧制御発振器３３の入力３９に加え
られる。

これから述べる本発明による補正を行なわなければ、電
子ビームは信号ＳＲによって与えられる基本的歩進速度
でフォトレジスト層ヲ移動し、その結果生じる線条ある
いはパターンは基板１１及び基部層の非一様性により第
１Ａ図及び第１Ｂ図に示したように非一様的になるであ
ろう。不均一な露光の県内である基板及び基部層の不規
則な後方散乱特性を補償するために、後方散乱電子検出
器４１によって与えられる後方散乱信号即ちＢＳ信号が
得られ、実時間的に電子ビーム歩進速度の変化を制御す
るｔめに用いられる。後方散乱検出器は眸通電子ビーム
・リングラフィ・システムにおいてレジストレーション
・マーク検出のために利用可能であるが露光工程中は使
われないので、余分の後方散乱検出器を設ける必要はな
い。

ＢＳ信号は信号調節器４３に与えられ、実際の後方散乱
電子の他に検出器４１によってビックアンプ妊れた雑音
が消去される。信号調節器４３の出力信号はアナログＢ
Ｓインジケータ信号であって、電子ビームがウェハ１１
上を動く時にもしウニ・・が異なった材料で部分的に覆
われているか又は他の不規則性全有するならばこの信号
が変化する。この信号はＶＣＯ３３の他方の入力４５に
補正信号として与えられ、ＢＳ、検出器４１によってピ
ックアップされた後方散乱の大きさと共−にｖＣ０３３
の制御電圧が変化するように信号線３９の基本的アナロ
グＳＲ信号に加算される。

ＶＣＯ３３によって与えられる歩進速度周波数ＳＲＦは
この後方散乱信号にも応答して変化するので、走査電子
ビームの速度あるいは歩進速度は現実の後方散乱の大き
さに対して実時間的に直接的に調整され−る。フォトレ
ジスト唱１３が露光される電子の量を殆んど一定に保つ
ために、後方散乱電子の数が増加する時は歩進速度も増
加し、また逆も同様である。

この実施例の場合、入力４５のＢＳインジケータ信号と
ＶＣＯ５５の発生する歩進速度周波数の変化との間には
線型関係が用いられている。他の関係例えば２次関数又
は指数関数伯な関係が所与のシステム又は特定の材料に
関してより良い補正結果を生じるならば、そのような関
係全導入する為ために入力４５に付加的な回路を設ける
事もできる。

歩進速度の変化、従ってＶＣＯ３３の出力周波数の変化
上、所定の限界内の許容可能な範囲に制限する事が必要
である。

このために、ＢＳインジケータ信号の最低及び７％高の
後方散乱強度が所定の限界内に入るように後方散乱検出
器４１の利得及びゼロ点（オフセット）會セットするた
めのレンジ・セツティングが、電子ビーム・リングラフ
ィ工程に先行して行なわれる。

原理的にはレンジ・セツティングは手動的に行なう事が
できる。サンプル・ウェハを電子ビームの下に置き走査
して、ＢＳインジケータ信号又は歩進速度周波数が必要
な範囲内に留まる懐でオフセット及び利得が手動的に調
整される。これら２つの信号の１つに付き余分の出力及
び視覚的インジケータが当然必要であろう。

この実施例では自動的レンジ・セツティングが用いられ
ている。

この自動的処理手続のためにレンジ・セツティング回路
４７が設けられている。その入力はＶＣ０３′５に与え
られる実際のＢＳインジケータ信号を受は取るために信
号調節器４３に接続され、レンジ・セツティング回路４
７の制御出力４９はＢＳインジケータ信号の変化に応答
する自動的レンジ・セツティング手続中に発生するオフ
セット及び利得制御信号を加えるために後方散乱検出器
４１に接続される。制御人力５１は走査器制御ユニット
又は処理装置から開始パルスを加えるために設けられる
。レンジ・セツティング回路４７の詳細は第５図に示さ
れている。

自動的レンジ・セツティング手続の原理は下記の通りで
ある。最高の後方散乱率を有する材料（例えば鉛又は金
の厚い層）の線条金偏えた、壷低の後方散乱率を有する
材料（例えばシリコン）の小さなサンプル・ウェハがウ
ェハ・ホルダ上に永久的に取り付けられている。ウェハ
・ホルダの上には普通、電子ビーム装置中に作業片部ち
ウェハを搬入する几めにウェハが置かれる。例えばレン
ジ・セツティング・サンプルはウニノミ・ホルダの縁の
既知の場所にあって、露光されるべきウェハと同じ高さ
レベルにある。

露光されるべきチップがホルダ上に取り付けられた時、
ウェハ・ホルダ全有する座標テーブル及び電子ビームは
最初（即ち実際のウェハ露光の始まる前に）２つの極端
な材料から成るサンプル・チップ上全電子ビームが走査
するように動かされる。ビーム制御装置は、ビーム走査
が開始される時に開始パルスを出す。初期走査はサンプ
ル・ウェハの数回の反復的走査を含む。

走査運動はレンジ・セツティング回路が次の調整を電子
的に達成できるように充分に緩やかである。最低の可能
な後方散乱値の間、後方散乱検出器４１のオフセットは
、ＢＳインジケータ信号が許容範囲の下限に来るような
値に調整される。最低から最高の後方散乱値へ変化する
時、後方散乱検出′５４１の利得は、ＢＳインジケータ
信号が許容範囲の上限を越えないように調整される。

この初期レンジ・セツティング手続の後、実際の作業片
（チップ）の普通の走査及び露光が行なわ九る。この時
に基板又は基部材料がどのように違っていても又それら
がどこに位置していてもそｊ、らにかかわりなく近接効
果補正が最適に行なわれる。

第３図を参照して、レンジ・セツティング回路４７の詳
細及びその動作全説明する。

図面の上部は後方散乱検出器４１のブロック図である。

これは後方散乱された電子６０全集めそれら全光子６２
に変換するシンチレータ６１全有する。光子６２は光電
増倍管（ＰＭＴ　）６３に与えられ、後方散乱された電
子の量を表わす電気信号が出力される。これはさらに増
幅器６５の人力に加えられる。増幅器６５の出力信号Ｂ
Ｓは、雑音成分を除去しＢＳインジケータ信号’（ＨＶ
ＣＯ３５の入力４５に与える信号調節器４３に加えられ
る。

増幅器６５はオフセットをセットするための制御入力端
子４９Ａ’ｉ有し、光電増倍管６３は利得全セットする
几めの制御入力４９Ｂ’ｉ有する。

レンジ・セツティング回路４７の詳細は第３図の下側に
示されている。信号調節器４３からのＢＳインジケータ
信号はＤＣ／ＡＣ分離回路６７に加えられる。この回路
は入力信号のＤＣ成分及びＡＣ成分の各々全出力に与え
る。

２つの比較器６９及び７１が設けられている。

比較器６９は分離回路６７からＤＣ成分全受け取り、一
方ユニット７０からゼロ基準信号を受は取る。ユニット
７０はポテンショメータでも又電圧源に接続されたセレ
クタ・スイッチで本良い。比較器７１は分離回路６７か
らＡＣ成分を受は取り、一方（ユニット７０と同様の）
ユニット７２がら最大基準信号全骨は取る。比較器６９
の出刃信号はＴ）Ｃ信号−成分とゼロ基準信号との間の
差を表わすΔＤＣ値（即ちエラー信号）である。この差
はゼロになるべきである。同様に比較器７１の出力信号
は、ゼロになるべきΔＡＣ信号である。両Δ信号（即ち
エラー信号）は各々比例積分制御ユニット（ＰＩＤ）７
３及び７゛５によってオフセット信号Ｏ８及び利得制御
信号ＧＳに変換される。ＰＩＤ制御ユニットは標準的設
計のものなので、詳細には説明しない。

ＰＩＤ制御ユニット７５は、その入力信号ΔＤＣが所定
の許容範囲内に入るまで、信号ｏｓ’２調璧し、そして
第２の出力上に信号パルスＲＯ（オフセット準備完了）
を出す。ＰＩＤ制御ユニット７５はその入力信号ΔＡＣ
が所定の範囲内に入るまで信号ＧＳを調整し、そして第
２の出方に信号パルスＲＧ（利得準備完了）′に出す。

上記のように、この調整手続は、極端な材料サンプルか
ら成るサンプル・ウェハ上を数回反復して電子ビーム全
走査する間に行なわれる。

レンジ・セツティング回路４７の中の双安定回路７７及
び７９は共に、制御線５１上の初期パルスによってセッ
トされ、各々信号パルスＲＯ及びＲＧによって個々にリ
セットされる。

各々ＰＩＤ制御ユニット７３及び７５によって与えられ
る制御信号ｏｓ及びＧＳは、各々Ａ／Ｄ変換器８１及び
８３によってディジタル形式に変換され、双安定回路７
７及び７９がらの出力信号によって制御される１対のＡ
ＮＤゲート８５及び８７を経てＯレジスタ８９及びＧレ
ジスタ９１に転送される。

オフセット及び利得に関する、蓄積された制御値は各々
Ｄ　／　Ａ変換器９３及び９５によってディジタルから
、アナログ形式に変換され、各々セレクタ・スイッチ９
７及び９９を経てオフセット制＠線４９Ａ及び利得制御
線４９Ｂに加えられる。

オフセット制御信号及び利得制御信号の値を任意に攬択
するために、２つの手動セツティング・ユニット１０１
及び１０５が、電′圧源に接続δれたセレクタ・スイッ
チ又はポテンショメータの形で設けられる。従ってセレ
クタ・スイッチ９７及び９９のセツティングに依存して
レンジ・セツティングは完全に自動的に行なう事もでき
又、手動的選択もできる。

レンジ・セツティング回路４７の動作は下記の通りであ
る。初期レンジ・セツティング手続において、電子ビー
ムは、基板（シリコン）及び最高の後方灸乱係数を持つ
物質例えば金又は鉛の厚い層の線条から成るサンプル・
ウエノ・上音数回走査する。電子ビーム走査、が始まる
時、初期制御パルスが信号線５１上に出される。このパ
ルスは、初期走査中に発生したディジタル制御信号Ｏ８
及びＧＳがレジスタ８９及び９１中に転送されるの全許
すためにＡＮＤゲート８５及び８７が開かれるように両
方の双安定回路７７及び７９をセットする。この時、信
号Ｏ８及びＧＳけ、レンジ・セツティング手続（サンプ
ル・ウェハの数回の走査）中にＢＳインジケータ信号の
ＤＣ成分及びＡＣ成分が所定の基準値（ゼロ及び最大基
準値）にほぼ等しくなるまで更新される。

０レジスタ８９及びＧレジスタ９１中のディジタル値は
゛、ＰＩＤ制御ユニット７３又はＰＩＤ制御ユニット７
５が各々ＲＯ（オフセット準備完了）又はＲＧ（利得準
備完了）信号を出すまで更新に従う。上記信号が生じる
と双安定回路７７又は７９はリセットされ、関連ＡＮＤ
ゲート８５又は８７は禁止される。従って０レジスタ８
９又はＧレジスタ９１中の値は「凍結」される（それ以
上の更新は行なわない）。

そしてそれらの凍結され友制御値は、レンジ・セツティ
ング（初期走、企）手続の後、ウェハの全電子ビーム露
光期間中保持される。

新しいウェハがシステム中に、ウェハ・ホルダ（サンプ
ル・ウェハ全有する）上に置かれたときにだけ、信号線
５１上の新しい初期制御パルスが双安定回路７７及び７
９をセットし、再び初期走査（レンジ・セツティング手
続）中にレジスタ８９及び９１中のオフセット及び利得
制御信号値の更新を可能にする。

本発明の改良された電子ビーム・リングラフィ法の実際
の結果が第４Ａ図〜第４Ｃ図に示されている。各写真は
、約３５００λの鉛の層（土側又１５の明るい部分）で
部分的に覆われた酸化シリコン蒸飯（。下側１／３の暗
い部分）から成る小さなウェハを示す。その上にフォト
レジストが付着され、２本の線条が（上から下へ）約２
０回の電子ビーム走査トレースによって露光され、現像
及びエツチングされ、その結果被覆フォトレジスト層の
３本の線条が残り、その間には裸のシリコン又は２本の
チャネルが生じた。

第４Ａ図は電子ビーム露光中に補正を行なわないで、即
ち歩進速度′ｋ１ＭＨｚに一定に保って製造されたウェ
ハ會示す。鉛の上ではより高い後方散乱によりいくらか
の過剰露光が生じ、その結果エツチングされたチャネル
は所望よりも（約３０チ）広くなっている。

第４Ｂ図は露光中に本発明に従って補正が行なわれｔウ
ェハを示す。後方散乱制御信号に応答する基本歩進速度
の変化は約５０チであった。エツチング避れたチャネル
は所望通りの一様なものである。

第４Ｃ図はＷ光中に補正が行なわれるが、歩進速度の変
化かより大きく、基本歩進速度の約１２０％であるよう
なウェハを示す。大きな変化により、過剰補償が生じ、
電子ビームは鉛の上音あまりに速く歩進され、電子照射
量が低いため狭いチャネルが生じる。

これらの結果は、本発明を用いれば基板又は基部層依存
性の近接効果の良好な補正が可能である裏金実証してい
る。正しい変化範囲は実験的に見い出す事ができ、レン
ジ・セツティング回路にゼロ及び最大の限界値として蓄
積される。従って自動的較正即ちレンジ・セツティング
段階の後歩進速度の最適の変化範囲が適用される。

学−の後方散乱検出器の代りに、複数例えば１対又は４
重の検出器を用いる事もできる。多くの電子ビーム・リ
ソグラフィ・システムにおいて、１対又は４重の後方散
乱検出器が利用可能である。

本発明の原理及び動作は多重検出器の場合も同じである
が、後方散乱値のより正確な測定により補正結東は改善
されるであろう。複数の後方散乱検出器の異なつｔ出力
少号はｖＣＯに加える前又はｖＣＯ内で例えけ加算によ
って組み合せなければならない。レンジ・セツティング
回路は多重化回路を経て全ての後方散乱検出器によって
共有する事ができる。

本発明は既知の近接効果補正法即ちパターン・データの
前処理の方法と容易に組み合せる事ができる。組み合わ
嘔れた方法においては、形状依存性の近接効果が、アル
ゴリズムの助けｔかりて前処理によって補正され、基板
又は基部層材料の変化又は不規則性による近接効果が、
本発明により実時間的に補正式れる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図はフォトレジストで覆われた基板の断面図、 第１Ｂ図は露光及び現偉後の第１Ａ図の構造の上面図、 第２図は本発明を実行するための電子ビーム橿光システ
ムのブロック図、 第３図はレンジ・セツティング回路のブロック図、 第４Ａ図、第４Ｂ図及び第４Ｃ図は一様でない１１・・
・・善根、１３・・・・フォトレジスト、２５・・・・
パターン発生器、３３・・・・電圧制御発振器、４１・
・・・後方散乱検出器。 出願人　インターｆ”／＝けル；ビ４−マシーンズ・コ
づ泣ト→タン代理人　弁理士　　岡　　　１）　　次　
　　生（外１名）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）後方散乱電子の量ｔ−表わす一号全発生するため
   の手段と、上記信号に応答してビーム照射量全変化させ
   る電子ビーム制御回路とを有する電子ビーム露光装置。
2. （２）　　上記ビーム照射量の変化がビーム歩進速度の
   変化によって達成される特許請求の範囲第（１）項記載
   の電子ビーム露光装置。