200908111 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種嗔水雷射十刀割用黏著月 言’係關於一種在藉由喷水 導體晶圓及/或半導體相關 片0 更詳細而 雷射而進行切割時用以固定半 材料之噴水雷射切割用黏著
【先前技術】 先前，半導體晶圓以及丰導_栌士 千導體相關材料等係使用旋轉刀 片進行切斷，而分離為晶片以及卿咖㈣㈣士⑽，積 體電路）零件。該切割步驟中，豸常為了固定而將半導體 晶圓等黏著於黏著片上，在蔣a 隹將日日圓4切斷為晶片狀後，藉 由拾取（pick up)而自黏著片上剝離。 然而’於該方法中，會由於切割刀片所產生之物理應 力’而引起晶片飛散（die fly)，或者產生裂紋（⑽eking)、 碎片（ChiPping)等缺陷’因此會產生該等晶片等之品質下 降、並使該切斷方法之生產性下降之問題。尤其是由於近 年來之電子設備之小型化、薄膜化的需要，而成為更為深 刻之問題。 因此’作為使用切割刀片之半導體晶圓等之切斷技術的 替代技術’提出有使用雷射束之切割方法，尤其是使用藉 由噴射液體而加以引導之雷射束，並利用切斷、穿孔、熔 接、印鑄以及剝離等對材料進行加工之方法（例如，專利 文獻1)。該方法由於僅使晶圓等暴露於自上方流下之水流 中’故可P方止由旋轉刀片所產生之物理應力所引起的晶片 130704.doc 200908111 飛散等。 又，於使用該雷射技術之切斷方法中，存在由 流而導致晶片等容易自固定彼等之黏著片上剝離的問題 針對於此，提出有可較好地用於嘴水雷射㈣之 (例如，專利文獻2)。 [專利文獻l]W〇 95/32834號 [專利文獻2]日本專利特開2〇〇丨_3丨6648號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 本發明之目的在於提供—種黏著片，其於喷水雷射㈣ 時，藉由使起因於液體流之液體之透過性更加良好，而於 噴水雷射切割時，防止產生晶片或ic零件等之剝離、或者 ^之飛散、缺損等加工精度之下降，能夠對極薄之半 導體晶圓或材料進行加工。 [解決問題之技術手段] ί； /發明之喷水雷射切割用黏著片係於基材薄膜上積層黏 者劑層而成之嘴水雷射切割用黏著片其特徵在於，⑴上 述基材薄膜具有穿孔，且黏著劑層之厚度為(M〜20 _， ，⑺黏著劑層具有1Μ_下之拉伸強度，及/或⑺水相 對於其表面之接觸角為90度以下。 ;該喷水田射切割之勒著劑較好的是能量線硬化型黏 者劑。 又，基材薄膜較好的是網格薄膜。 [發明之效果] 130704.doc 200908111 根據本發明之噴水雷射切割用黏著[使用具有穿孔之 土材4膜’且具備特定厚度之黏著劑層，或者黏著劑層具 有 X下之拉伸強度’或者水相對於黏著劑層之接觸 X 乂下目此在噴水雷射切割時，&因於液體流之 液體使黏著劑層易於斷裂’並且能夠可靠地使液體自基材 薄膜之穿孔順利地透過。藉此，彳防止切割中之被加工物 由於液體而自黏著片上剝落。其結果，可防止晶片等之飛
散、缺損等加工精度之下降，可對極薄之半導體晶圓等進 行加工。 【實施方式】 本發明之噴水雷射切割用黏著片主要由基材薄膜及配置 於-上之黏著劑層所構成。此處，所謂噴水雷射切割用黏 著片係指如下黏著4 ，該黏著片係用於使用藉由液體流 (通常為水流)而加以引導之雷射束所進行的切割，且將切 割時之該液體流、例如特定壓力以上之液體流自黏著劑層 側直接或間接地供給至黏著片之情形時，此時之液體可自 黏著片之一個表面側滲透至另一表面側。此時之特定壓力 通常可設為數MPa左右以上。 作為基材薄膜，可列舉：合成樹脂、例如聚乙烯以及聚 丙烯等聚烯烴（具體而言，低密度聚乙烯、直鏈低密度聚 乙烯、尚进度聚乙烯、延伸聚丙烯、非延伸聚丙烯、乙 烯·•丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯_(甲基）丙 稀3文共聚物、乙烯_(甲基）丙烯酸酯共聚物等）、聚酯、聚 對苯二甲酸乙二酯、聚胺酯、EVA (ethylene_vinyl acetate I30704.doc 200908111 copolymer，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物）、聚四氟乙烯、聚氣 乙烯、聚偏二氣乙烯、聚醯胺、縮醛樹脂、聚苯乙烯、聚 砜、聚碳酸酯、尼龍、氟樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物等 含橡膠成分之聚合物等之薄膜；PP (polypropylene，聚丙 烯）、PVC (polyvinyl chloride ，聚氣乙烯）、PE (polyethylene，聚乙稀）、PU (polyurethane，聚胺醋）、Ps (polystyrene，聚苯乙烯）、p〇 (p〇ly〇lefin，聚烯烴）或 PET (polyethylene terephthalate，聚對苯二曱酸乙二醇酯）等聚
合物纖維、嫘縈或乙酸纖維素等合成纖維、綿、絹或羊毛 等天然纖維以及玻璃纖維或碳纖維等無機纖維所構成之不 織布以及織布（即網格薄膜）等。其中，較好的是包含由聚 烯烴形成、或者含有聚烯烴之層。藉此’可確保針對雷射 切割之適度之強度與膨脹性（expand)雙方之特性。又，就 其他觀點而言，較好的是網格薄膜。藉此，可更加容易且 可靠地使起因於液體流之液體透過。 基材薄膜可為單層或2層以上之多層結構。又，於基材 薄膜係由纖維形成之情形時，其纖維可為單絲或複絲之任 一者，為了使後述之基材薄膜之穿孔的大小均句，較好的 是單絲。 * 基材薄膜具有穿孔。該穿孔較好的是貫穿厚度方向之 孔，亦可為藉由複數個孔相連，結果於厚度方向上連接而 ^ ^ t其好的是基材薄膜之孔為基材薄膜係由網格結 之情形時之開口。基材薄膜之空隙率較好的是 右。尤其是在基材薄膜為網格結構之情形時，其 130704.doc 200908111 平均開口直徑為5〜80〇nm左右，更好的是5〜ΐ5〇μηι左右， 進而較好的是5〜100 μΐη左右’進而更好的是5〜5〇 μιη左 S。其原因在於，可確保與黏著劑之接觸面積，確保基材 薄膜與黏著劑之充分密著性’並且可確保黏著劑層表面之 平滑性。X ’其原因在於’喷水雷射切割時所使用之水容 易透過基材薄臈，@防止被加工物之飛散等。此處，所謂 平均開口直徑，於孔大致為圓形時係指其直徑，於孔為多 邊形等時係指其一邊之長度。又’就其他觀點而言，孔之 大小例如為10 μηι2〜3.0 mm2左右，較好的是25 gw左右以 上' 1〇〇 pm2左右以上、1000 μηι2左右以上、〇^ mm2左右 以上，進而較好的是3·〇 mm2左右以下、2〇左右以 下、1.1 mm2左右以下、900 μηι2左右以下。 為了將基材薄膜製成網格結構，例如，纖維直徑較好的 是1〇 μΠ1〜150 μΐΏ左右，就液體之透過性之觀點而言，更好 的是25 μιη〜80 μηι左右。 就防止黏著片之破損或半導體晶圓等之加工中之切斷， 並抑制製造成本之觀點而言，基材薄膜之厚度較好的是⑺ μηι〜400 μηι ’更好的是3〇〜25〇 _。 再者，亦可對基材薄膜實施電晕放電處理、火焰處理、 電衆處理、賤錢姓刻處理或底塗處理（例如，底塗劑）、氟 處理等表面處理’利用藥液之脫脂處理等。此係為了提高 與黏著劑之密著性。其中，較好的是實施底塗處理。 本發明之基材薄臈較好的是斷裂伸長率超過100%，更 的是150/。其原因在於，藉由延伸基材薄臈，能夠於 130704.doc -10- 200908111 切割步驟後容易地自黏著片上拾取晶片等。 進而’基材；4膜之拉伸強度較好的是超過 mm，更好的疋咼於〇3 N720 mm。此係為了避免黏著片自 身之破損及/或切斷。 斷裂伸長率以及拉伸強度例如可使用長度5 〇 cm、寬度 20 mm之試料並藉由拉伸試驗機進行測定。進行試驗時之 拉伸速度於室溫下為3〇〇 mm/分鐘（依據ASTM D1〇〇〇)。斷 裂伸長率可如下算出。 斷裂伸長率=(斷裂時之長度—原先之長度）/(原先之長 度）x 100%拉伸強度為斷裂時之測定值。 黏著劑層係由塗佈於基材薄膜之一面之黏著劑層所構 成。該黏著劑可為感壓型、感熱型、感光型之任一類型， 較好的疋藉由照射能量線而硬化之類型的黏著劑。藉此， 容易自被加工物上剝離。作為能量線，例如可利用紫外 線、可見光線、紅外線等各種波長之光線，但切割時所使 用之雷射束為400 nm以下之振盪波長’例如振盪波長248 nm之KrF準分子雷射、308 nm之XeCl準分子雷射、YAG雷 射之二次婚波（355 nm)、四次稭波（266 nm)，或者400 nm 以上之振盪波長，例如經由多光子吸收過程之可吸收紫外 線&域之光、且能夠精由多光子吸收剝蚀而進行20 μηι以 下之見度的切斷加工等之波長750 nm〜800 nm附近的鈦藍 寳石雷射等脈衝寬度為1 e_9秒（〇.〇〇〇〇〇〇〇〇丨秒）以下之雷射 等，因此較好的是使用不會因照射所使用之切割裝置之雷 射束而硬化之黏著劑。 130704.doc 200908111 作為黏著劑層之形成材料，可使用含有橡膠系聚合物、 (曱基）丙烯酸系聚合物等之眾所周知之黏著劑，尤其好的 是（曱基）丙烯酸系聚合物。藉此，於製成感光型黏著劑之 情形時，即使不添加用於能量線硬化之特別之單體/募聚 物成分等亦可硬化。 作為橡膠系聚合物，例如可為天然橡膠（例如，聚異戊 二烯等）、合成橡膠（例如，苯乙烯-丁二烯橡膠、聚丁二烯 系、丁二烯-丙烯腈系、氯丁二烯系橡膠等）之任一者。 作為構成（甲基）丙烯酸系聚合物之單體成分，例如可列 舉具有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁 基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙 基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、 十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八 烷基、以及十二烷基等碳數為3〇以下、較好的是碳數為 4〜18之直鏈或支鏈烷基之丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基 酯。該等（甲基）丙烯酸烷基酯既可單獨使用，亦可併用2種 以上。 作為上述成分以外之單體成分，例如可列舉丙稀酸、甲 基丙稀酸、（甲基）丙烯酸羧基乙酯、（甲基）丙烯酸羧基戊 酿、甲叉丁二酸 '順丁烯二酸、反丁烯二酸、以及丁烯酸 等含有緩基之單體，順丁烯二酸酐或甲叉丁二酸酐等酸酐 單體’（曱基）丙烯酸2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙 醋、（甲基）丙烯酸4-羥基丁酯、（甲基）丙烯酸6·羥基己酯' (曱基）丙烯酸8-羥基辛酯、（甲基）丙烯酸1 〇_羥基癸酯、（甲 130704.doc -12- 200908111 基）丙烯酸12-羥基月桂酯以及（甲基）丙烯酸（4-羥基曱基環 己基）甲酯等含有羥基之單體，苯乙烯磺酸、烯丙基磺 酸、2-(曱基）丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、（甲基）丙烯醯胺丙 石黃酸 '(曱基）丙烯酸績丙基酯以及（甲基）丙烯醯氧基萘石黃 酸等含有磺酸基之單體，磷酸2-羥基乙基丙烯醯酯等含有 鱗酸基之單體’（曱基）丙烯醯胺、（甲基）丙烯酸N-羥基甲 基醯胺、（甲基）丙烯酸烷基胺基烧基酯（例如，曱基丙稀酸 二甲基胺基乙酯、甲基丙烯酸第三丁基胺基乙酯等）、N_ 乙烯基吡咯烷酮、丙烯醯基嗎啉、乙酸乙烯酯、苯乙稀、 丙烯腈等。該等單體成分既可單獨使用，亦可併用2種以 上。 又’以（甲基）丙烯酸系聚合物之交聯為目的，亦可任意 使用多官能單體。作為多官能單體，例如可列舉己二醇二 (甲基）丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（曱基）丙烯酸酯、（聚）丙二 醇二（曱基）丙烯酸酯、新戊二醇二（曱基）丙烯酸酯、季戊 四醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（曱基）丙烯酸 Θ曰、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇四（甲基）丙烯 酸酯、二季戊四醇單羥基五（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇 六（甲基）丙烯酸酯、環氧（曱基）丙烯酸酯、聚酯（甲基）丙烯 酸酯、以及（甲基）丙烯酸胺基甲酸酯等。該等多官能單體 :可單獨使用’亦可併用2種以上。就黏著特性等觀點而 言，多官能單體之使用量較好的是總單體成分之3〇重量％ 以下’更好的是20重量％以下。 、而車又好的疋使用具有碳_碳雙鍵等能量線硬化性官能 130704.doc 200908111 基之單體及/或寡聚物。 作為單體/寡聚物，例如可列舉（曱基）丙烯酸胺基曱酸 θ曰—致甲基丙院二（甲基）丙烯酸醋、四經甲基甲烧四（甲 基）丙烯酸酯、季戊四醇三（曱基）丙烯酸酯、季戊四醇四 (甲基）丙烯_旨、二季戊四醇單經基五（甲基）丙烯酸醋、 一季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、以及M-丁二醇二（甲基）丙 稀酸酯等。該等既可單獨使用，亦可併用2種以上。該等 之調配里並無特別限制，考慮到黏著性，相對於構成黏著 劑之（甲基）丙烯酸系聚合物等基礎聚合物1〇〇重量份，較好 的是5〜500重量份左右，更好的是70〜150重量份左 右。 又，於構成感光型黏著劑之情形時，較好的是使用光聚 合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉心(2_經基環氧 基)#苯基（2-羥基-2-丙基）酮、α_經基_α，α_甲基苯乙酮、甲氧 基苯乙酮、2,2-二甲氳基_2_笑其贫7 Λ Τ乳丞2本基本乙_、2,2_二乙氧基苯 乙酮、1-經基環己基苯基_、2.甲基_W4_(甲硫基）苯基卜 2-嗎琳基丙炫]等苯乙酮系化合物，安息香乙趟、安自香 異丙越、@香偶姻甲㈣安息香㈣化合物，2_，基_2_經 基丙基苯酮等α·酮醇系化合物，苄 土 卞基一甲基％酮等縮酮系 化合物，I萘伽氯等芳香族伽氯系化合物，丨_苯嗣基. 1，1-丙二酮_2-(鄰乙氧基幾基）㈣光活性聘系化合物，二 苯甲綱、苯甲醯基安息香酸、3,3，_ -4-甲巩基二苯甲 酮專二本甲嗣系化合物，㈣綱、2•氣㈣酮、2_甲基嗟 嘲嗣、2,4-二Τ基σ塞嘲嗣、g -ci -ο· ‘ 異丙基。塞嘲酮、2,4-二氯嘆噸 130704.doc 14 200908111 酮2,4_一乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系 化σ物，樟腦醌 '虐化酮、醯基氧化膦以及醯基磷酸酯 等。該等既可單獨使用，亦可併用2種以上。光聚合起始 劑之調配量，相對於構成黏著劑之基礎聚合物ι〇〇重量 份，較好的是(Μ〜10重量份左右，更好的是〇5〜5重量份左 右。 立進而’為了提高基礎聚合物之重量平均分子量，亦可任 意添加交聯劑。作為交聯劑’可列舉聚異氰酸醋化合物、 環氧化合物、氮丙咬化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、 無水化合物、聚胺、含有羧基之聚合物等。該等既可單獨 使用’亦可併用2種以上。於使用交聯劑之情形時，考慮 到剝離而黏著力並不過度下降方面，一般而言，相對於基 礎聚合物1〇〇重量份，其使用量較好的是〇〇1〜5重量份2 右。 工 又，除上述成分以外’亦可任意地含有先前眾所周知之 增黏劑、抗老化劑、填充劑、抗老化 劑。 ％〗者色劑等添加 丙稀酸系聚合物之製備，例如可對於i種或2種以上之單 體或彼等之混合物應用溶液聚合 人、 孔化聚合法、堍妝¥ α法、懸浮聚合法等眾所周知之方法而進 Α 订。其中，康ή1 Jtf. 的疋溶液聚合法。此處所使用之溶劑例好 酯、曱苯等極性溶劑。溶液濃度 +夂乙 右。 、⑥為2〇〜80重量％左 製備聚合物時，亦可使用聚合起 作為聚合起始 130704.doc 15 200908111 劑，可列舉過氧化氳、過氧化 過氧化物系。雖希望單獨使 广乳化第三丁基等 = 起始劑而使用。作為還原劑，例如可列: =酸鹽、亞硫酸氯鹽、鐵、銅、錄鹽等離: 乙：胺等胺類、，糖、酮糖等還原糖等。又，亦；使： _、偶氮雙:2_甲基丙脉酸鹽、偶氮雙_2，心二甲 月、2,2’-偶氮雙 _n，n,_: 土 雙異丁腈、22、偶… 脉酸鹽、2,2、偶氮 ^人 氮雙·2-甲基養(2_經基乙基）丙醯胺等偶 ^化合物。該等既可單獨使用，亦可併用2種以上。 右反應溫度通常為50〜85t左右，反應時間為卜8小時左 二其是就防止污染被加工物等之觀點而言，丙稀酸系聚 :1的疋低分子量物質之含量較少者，丙烯酸系聚合 之數篁平均分子量較好的是30萬以上，更好的是80萬 〜300萬左右。 本黏著劑層之厚度可於不會自被加工物上剝離之範圍内適 當調整’但就以下各種觀點而言，較好的是0.1 μηι〜20 μΐΏ 左右：轉保用以於切割時可靠地固定被加工物之充分之黏 著強度防止在將半導體晶圓等自黏著片上取下後，於該 晶圓等之背面殘存不希望殘存之黏著劑殘潰，藉由黏著劑 曰之斷裂而合易使水通過，切割時將由雷射束之照射或液 體流引起之振動所導致的黏著劑層之共振保持在最小限 度’抑制振幅寬度，防止晶片之裂紋、碎片等。此處，黏 著劑層之厚度通常表示黏著片之總厚度—基材薄膜之厚度 130704.doc 16 200908111 所求得之值，如圖i所示，於構成黏著片1〇之基材薄膜η 為網格薄膜之情形時，將基材薄膜12之最表面設為厚度基 準線A，將該厚度基準線a至黏著劑層"之最表面的長度 規定為黏著劑層之厚度D。 . 、又’於本發明中’黏著劑層較好的是拉伸強度紉MPa I:下。藉由設定為如此之拉伸強度，容易利用液體流使黏 者劑層，能夠可靠地進行起因於液體流之液體、即水之透 ㊣。拉伸強度例如可藉由增減多感應單體及/或交聯劑之 &例等、所❹之黏著劑之成分而適當調整。拉伸強度例 如可利用上述方法進行測定。 進而，黏著劑層較好的是水相對於其表面之接觸角為9〇 下。藉由設為如此之接觸角，會使對水之濡濕性良 ’能夠使起因於㈣流之液體以且可靠地透過至黏 片之相反側。 為了使水之接觸角達㈣度以下，黏著劑層較好的是自 u i述材料等中選擇合適者而加以組合使用。例如，作 I用之單體/募聚物成分，較好的是使用具有極性基者。 • Μ減基，可㈣胺基、醯胺基、絲基、經基、醋 =、鼠基、硝基、錄等。對於極性基之種類、導入比例 =，除了考慮黏著劑之其他成分之種類、量等，亦考慮保 存/穩定性等而加以適當調整。 ’、’、 2明之黏著片可藉由該技術領域中眾所周知之黏著片 對料造方法而形成。例如’首先準備基材薄臈。其次，將 士考劑積層於基材薄膜上。於此情形時，既可直接塗佈於 i30704.doc 200908111 基材薄膜上；或者亦可利用 !著劑塗佈於塗体有刺_之處理：:法=積層:將 考劑積層於基材薄瞑上；、—上乾耜後將該黏 劑。該等塗佈例如可利用材相上壓延積層黏著 喷霧塗佈'模具塗佈、擠出:及塗：、凹板印刷塗伟、簾式 等各種方法。再者，所==工業上應用之塗佈法 狀態下具有穿孔，…基材溥獏既可於基村薄膜之 成。 村於將黏著劑塗佈於基材薄膜上後形 本發明之黏著片，較好的是 著強度，更好的是具有3N/20 0 _以上之黏 而20 上之黏著強度。進 乂的:未滿10 N/20 mm，更好的是未滿8 N/20 職。即’隨著切割技術向使用喷水雷射之技術轉變，對 於刀d用黏著片之黏著力之臨界意義亦發生變化，其結 果’即，藉由更弱之黏著力’亦可於切割時確保晶圓等之 良好黏者’並且可防止晶片或零件自黏著片上剝離。除此 以外，藉由初始黏著力之下降’可減少拾取時晶片或扣零 件等之缺損等缺陷。尤其是於感光型黏著劑之情形時，可 有效、迅速且簡便地降低能量線照射後之黏著劑之黏著 力。再者，能量線照射後之黏著強度以較好的是未滿 N/20mm’更好的是未滿0.18N/20mm。 此處’黏著強度係於測定溫度為23士3 t、剝離角度為 180°、剝離速度為3〇〇 mm/分鐘（依據ASTM D1〇〇〇)之條件 下，於Si鏡面圓上測定時之值。 以下詳細說明本發明之噴水雷射切割用黏著片之實施 130704.doc -18- 200908111 例。 (基材薄膜之準備） 利用纖維直徑5 5 μπι之聚對苯二甲酸乙二酯纖維，形成 密度200根x200根/英吋、空隙面積32%、厚度90 μιη之網格 薄膜。將對該網格薄膜實施電暈處理者作為基材薄膜。 實施例1 於乙酸乙酯中藉由常規方法使丙烯酸甲酯40重量份、丙 稀酸2-乙基己酯35重量份、丙烯醯基嗎啉20重量份、丙稀 酸5重量份進行共聚合。藉此，獲得含有重量平均分子量 60萬之丙烯酸系共聚物之溶液。 其次，於含有丙烯酸系共聚物之溶液中添加使季戊四醇 二丙稀酸酯與二異氰酸酯反應而獲得之紫外線硬化性募聚 物（25°C下之黏度為1〇 Pa’sec)i〇0重量份、光聚合起始劑 (商品名「Irgacure 651」、Ciba Specialty Chemicals 公司 製造）3重量份以及聚異氰酸酯化合物（商品名「以⑺仙化 L」、日本聚胺酯公司製造）2重量份，獲得丙烯酸系之紫 外線硬化型黏著劑溶液。 以黏著劑層之厚度達到5 μΓη之方式，於上述基材薄膜上 塗佈所獲得之紫外線硬化型黏著劑溶液，獲得黏著片。 實施例2 •以=著劑層之厚度達到15 μιη之方式，塗佈紫外線硬化 型黏著训，合液，除此以外利用與實施例丨相同之方式獲得 黏者片。 實施例3 130704.doc -19- 200908111 於乙酸乙酯中藉由常規方法使丙烯酸曱酯60重量份、丙 烯酸2-甲氧基乙酯35重量份、丙烯酸5重量份共聚合。藉 此’獲得含有重量平均分子量70萬之丙烯酸系共聚物之溶 液。 其次，於含有丙烯酸系共聚物之溶液中添加使季戊四醇 三丙烯酸酯與二異氰酸酯反應而獲得之紫外線硬化性募聚 物（25°C下之黏度為10 Pa.sec)100重量份、光聚合起始劑 (商品名「Irgacure 651」、Ciba Specialty Chemicals 公司 製造）3重置份以及聚異鼠酸目日化合物（商品名「Coronate L」、日本聚胺酯公司製造）2重量份，獲得丙烯酸系之黏 著劑溶液。 以黏著劑層之厚度達到1 5 μιη之方式，於上述基材薄臈 上塗佈所獲得之黏著劑溶液，除此以外利用與實施例1相 同之方式獲得黏著片。 實施例4 於曱苯中藉由常規方法使丙烯酸乙酯48重量份、丙烯酸 2-乙基己酯48重量份、丙浠酸2-經基乙酯4重量份共聚合。 藉此’獲得含有重量平均分子量50萬之丙烯酸系共聚物之 溶液。 其次’於含有丙烯酸系共聚物之溶液中添加聚異氰酸酯 化合物（商品名「Coronate HL」、日本聚胺酯公司製造）5 重量份’獲得丙烯酸系之紫外線硬化型黏著劑溶液。 以黏著劑層之厚度達到5 μιη之方式，於上述基材薄膜上 塗佈所獲得之紫外線硬化型黏著劑溶液，除此以外利用與 130704.doc •20- 200908111 實施例1相同之方式獲得黏著片。 實施例5 將黏著劑溶液中Coronate L之調配份數設為5重量份，以 黏著劑層之厚度達到丨5 μηι之方式，於上述基材薄膜上塗 佈所獲得之紫外線硬化型黏著劑溶液，除此以外利用與實 施例1相同之方式獲得黏著片。 實施例6 以黏著劑層之厚度達到3〇 μηι之方式，於上述基材薄膜 上塗佈所獲得之紫外線硬化型黏著劑溶液，除此以外利用 與實施例1相同之方式獲得黏著片。 實施例7 乂黏著劑層之厚度達到3 0 μιη之方式，塗佈所獲得之紫 外線硬化型黏著劑溶液，除此以外利用與實施例4相同之 方式獲得黏著片。 實施例8 於甲苯中藉由常規方法使丙烯酸乙酯Μ重量份、丙稀酸 2-乙基己酯48重量份、丙烯酸2-羥基乙酯4重量份共聚合。 藉此，獲得含有重量平均分子量5〇萬之丙烯酸系共聚物之 溶液。 其次，於含有丙烯酸系共聚物之溶液中，添加聚異氰酸 酯化合物（商品名r Coronate HL」、日本聚胺酯公司製 is· ) 1 〇重夏份，獲得丙浠酸系之黏著劑溶液。 以黏著劑層之厚度達到5 μιη之方式，於上述基材薄膜上 塗佈所獲得之黏著劑溶液’除此以外利用與實施例1相同 130704.doc 21 200908111 之方式獲得黏著片。 實施例9 除了將黏著劑層之厚度設為30 μιη以外，利用與實施例1 相同之方式獲得黏著片。 比較例1 除了將黏著劑層之厚度設為30 μιη以外，利用與實施例5 相同之方式獲得黏著片。
(黏著劑層之厚度之測定） 以切片機切斷實施例以及比較例中獲得之黏著片，對其 剖面實施Pt_Pc^鍍處理’利用SEM (sc_ing eiectron miCr〇SC〇Pe，掃描電子顯微鏡）（日立製S-4800)觀察二次電 子像’測定黏著劑層之厚度D(圖1參照）。 (水相對於黏著劑層表面之接觸角之測定） 使用圖像處理式接觸角計（商品名：FACE、接觸角計、 CA-X型）’使實施例以及比較例十獲得之黏著片之黏著劑 層側朝上’❹注射器於該黏著劑層表面上滴加水。測定 滴加過後1分鐘之接觸角。 (黏著劑層之拉伸強度之測定） 使用萬能拉伸試驗機，於脫H形成實施㈣及比較 例中所使用之黏著劑，以夹盤間距離10麵、寬度10 顏、速度300 mm/分鐘之條件進行拉伸，斷裂時之強度除 以測定前之剖面積，作為拉伸強度。 (切割條件） 上貼附研磨 於實施例以及比較例中獲得之切割用黏著片 130704.doc -22- 200908111 為厚度100 μπι之矽晶圓，於以下條件下進行切割 雷射波長：532 nm 切割速度：50 mm/s、70 mm/s 雷射直徑：5 0 μιη 噴水壓：8 MPa 晶片尺寸=1 mmxl mm 晶圓尺寸：13.7 cm(5英叫) 表面 被切
將如下情形設為◎:透水性良好，幾乎不會於晶片 上滯留水，石夕晶圓全部被切#|J，切割線之黏著^ 斷； 將如下情料為〇 :透水性良好，幾乎不會於晶片表面 上滯留水’矽晶圓全部被切割，但切割線之黏著劑中有若 干量未切斷； 將如下情形設為△:透水性不良，水幾乎均滯留於晶片 表面上，矽晶圓之多處有未受到切割之部分； 將如下情形設為X :透水性不良，水幾乎均滯留於晶片 表面上，矽晶圓上有幾乎未受到切割之部分。 其中，評價將◎或〇設為良，將△或x設為不良。 [表1] 黏著劑層厚度D (㈣ 實施例1 實施例2 15 實施例3 15 實施例4 5 實施例5 15 實施例6 30 斷裂強度 (MPa) ^〇J ~〇j IT ΊΤ ◎ ◎ 〇 o___ 〇 130704.doc -23- 200908111 實施例7 30 實施例8 5 比較例1 30 105 0.8 1.2 Δ Δ 105 由表阿知’在黏著劍 以及水相對於黏著劑層表面 J層之拉伸強度 情形時，透水性非常好，水不會王#特定範圍内之 所有晶片皆可靠地得到切=留::晶圓之表面上， ^ Λ 、’不會產生晶片等之飛 散以及缺知等，加工精度亦良 «.. idr +τί ^ 進而’切割線之黏著劑 層均被切斷，於切割後進行拾 _ . 守今易進行晶片等之剝 離，亦不會產生剝離等所引起之缺陷。 又，在黏著劑層之厚度、黏著劑層之拉伸強度以及水相 對於黏著劑層表面之接觸角 ,+ 仕者於特定範圍以外的情 形牯，切斷黏著劑層時會產生若干殘留。 黏著劑層之拉伸強度以 均於本發明之特定範圍 而無法正常進行晶圓之 另方面’在黏著劑層之厚度、 及水相對於黏著劑層表面之接觸角 以外之情形時，無法充分地透水， 切割加工，或者會產生晶片等之飛散。 [產業上之可利用性] 本發明之喷水雷射切割用黏著片不僅可用於可藉由以液 體流加以引導之雷射束進行切割加卫之對象、即半導體相 關材料（例如，半導體晶圓、BGA (BaU Grid Array，球栅 陣列）封裝、印刷電路、陶究板、液晶裝置用玻璃零件、 片材、電路基板、玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導 體雷射之發光/受光元件基板、MEMS (MieroeleetrGmeehanicai
System，微機電系統）基板或半導體封裝等）等，亦可廣範 130704.doc •24· 200908111 圍地用於所有種類之材料。 【圖式簡單說明】 圖1為本發明之雷射加工用黏著片之概略平面圖。 【主要元件符號說明】 10 雷射加工用黏著片 11 黏著劑層 12 基材薄膜 130704.doc -25-