TW200905907A - Package structure of compound semiconductor device and fabrication method thereof - Google Patents

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Edison Chang
Shen-Bo Lin
Lung-Hsin Chen
Wen-Liang Tseng
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200905907 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種化合物半導體元件之封裝結構及其製 造方法，尤係關於一種光電半導體元件之薄型封裝結構及 其製造方法。
【先前技揭J 由於光電元件中發光二極體（light emitting di〇de; LED) 〇 有體積小、發光效率高及壽命長等優點，因此被認為是次世代 綠色節能照明的最佳光源。另外液晶顯示器的快速發展及全彩 螢幕的流行趨勢，使白光系發光二極體除了應用於指示燈及大 型顯示幕等用途外，更切入廣大之消費性電子產品，例如：手 機及個人數位助理（PDA)。 圖1係習知表面黏著（SMD)元件之發光二極體元件之剖 面示思圖。發光二極體晶粒12係藉由固晶膠η固定於絕緣層 13c上N型導電銅、治i3b之表面，並藉由金屬導線Μ與p型 G 導電銅箔133和N型導電銅箔13b電性相連，其中P型導電 銅fl 13a、N型導電銅箱13b及絕緣層nc構成具有電路之基 板13。另外，透明封膠材料14覆蓋於基板13、金屬導線μ 及晶粒12上，可以保護整個發光二極體元件10不受環境及 外力之破壞。 發光二極體元件10係使用一般印刷電路板作為基板13，因 此其整體厚度因受限於基板13巾絕緣層…厚度而無法更 薄然4費性電子產品趨向於輕、薄、短、小之外型，因此其 内部之各元件或外部殼體都需要小型化。另一方面，絕緣層… 200905907 多係散熱性較“黯材料Μ，因此㈣於高功率發光化合 物半導體元件作為傳導熱量之散熱途徑。 綜上所述，市場上亟需要一種薄型光電化合物半導體元 件，除了元件之厚度要更薄而能節省所佔空間，並且還要 改善散熱不佳之問題，將更有利應用於高功率元件之製作。 【發明内容】
▲本發明係提供-種化合物半導體元件之封I結構及其製 k方法’該半導體元件係將外部電極或接點直接露出於封 膠材料，而不需要一印刷電路板介於晶粒及外部電極間傳 遞電氣訊號，因此可改善散熱不佳之問題。 本發明係提供-種超薄型半㈣元件之封1纟#構及盆製 造方法，由於使㈣型基板，元件之厚度可以更薄而能 省所佔空間。 為達上述目的’本發明揭示一種化合物半導體元件之封 裝結構包含一具有圖案之導電膜層、—晶粒及一透明 封膠材料。該晶粒係固定於該導電膜層之第一表面上。該 透明封膠材料係覆蓋於該導電膜層之第一表面及該晶粒 上’該導電膜層之第二表面係露出於該透明封膠材料，曰其 中該第二表面係相對於該第一表面。 、 該晶粒係藉由至少-個金屬導線與該導電膜層電性連 接，或者藉由複數個凸塊與該導電膜層電性連接。 、，該導電膜層之第二表面係露出於該透明封膠材料，其材 料係銀、㈣、錫、紹或前述金屬之合金，或銦錯氧化 物、銦鋅氧化物、銦鎵氧化物或銦鎢氧化物。 200905907 該導電膜層包含一\型電極及-p型電極。 該透明封膠材料中另混合螢光體。 該晶粒係藉由-固晶膠或共晶接合而W於該導電膜層 之第一表面。 本發明另揭示-種化合物半導體元件封裝結構之製造方 法’包含下列步驟：提供-暫用基板；於該暫絲板表面 形成一具圖案之導電膜層中該導電膜層包含-第一表
面及—相對於該第-表面之第：表面；固定—晶粒於該導 電膜層之第一表面上；覆蓋一 ^ 透月封膠材料於該導電膜層 及該晶粒上；卩及移除該暫用基板。 曰本發明另包含制焊線技術並藉由複數個金屬導線使該 晶粒與該導電膜層電性連接之步驟。 另包含利用覆晶技術並藉由複數個凸塊使該晶粒與該導 電膜層電性連接之步驟。 該導電膜層係以印刷、網印、電鑄、化鍍或韻而形成 於該暫用基板。 該暫用基板係藉由彎折、分離、_、雷射切割或研磨 之方式而移除。 八本發明另揭示__種化合物半導體元件之封裝結構，其包 含-薄型基板、-晶粒及一透明封膠材料。該薄型基板包 含—上導電膜層、-具有複數個開口之絕緣膜層及一下導 電膜層’纟中該絕緣膜層係失設於該上導電膜層及該下導 電膜層之間。該晶粒固定於該上導電膜層，又該透明封膠 材料覆蓋於該上導電膜層及該晶粒。 200905907 該上導電膜層及該下導電膜層分別包括_ N型電極及
P型電極，該上導電膜層之N型電極及該下導電膜層之N
型電極係藉由該複數個開口而接觸，又該上導電膜層之P 型電極及該下導電膜層之P型電極係藉由該複數個開口而 接觸。
該絕緣膜層之厚度較佳地為〇.〇lmm〜〇.lmm，其材料係 聚亞醯胺、聚乙烯（PV)、聚碳酸s旨（pc)、聚氣乙稀（pvc)、 聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)、壓克力。 本發明另揭示-種化合物|導體元件封裝結構之製造方 、、〇含下列步驟.先提供一具有複數個開口之絕緣膜層； 分別形成-上導電膜層和-下導電膜層於該絕緣膜層之兩 個表面’纟中該上導電膜層和該下導電膜層藉由該複數個 開口而相互接觸；固定一晶粒於該上導電媒層；以覆蓋一 透明封膠材料於該上導電膜層及該晶粒上。 本發明另包含形成該絕緣膜層於一板材上以及於該絕緣 膜層上形成該複數個開口之兩步驟。 該絕緣膜層係藉由塗佈、浸潤或溶膠凝膠之方式於該板 材上成型之一個薄膜。 、該複數個開口係利用機械鑽孔、雷射鑽孔或電漿韻刻形 成於該絕緣膜層。 該上導電膜層和該下導雷 等罨膜層係藉由電鍍、印刷或銅箔 麼合之方式而形絲該絕緣膜層之表面。 本發明另揭示一種化合物丰 _ .崎 σ物牛導體疋件之封裝結構，其包 3一薄型基板，具有一笛— 第電極與一第二電極；一化合物 200905907 半導體晶/粒，位在該薄型基板上；-將該半導體晶粒固接 於該薄型基板之手段；以及-透明膠材包覆該半導體晶粒。 該薄型基板可為具有圖案之導電薄膜或是複合基板，又 該複合基板包含一具有圖案之第一導電層、一具有複數個 透孔之絕緣薄膜以及一具有圖案之第二導電層。 該半導體晶粒可為發光二極體晶粒、雷射二極體或光感 測晶粒。 該將該半導體晶粒固接於該薄膜型基板之手段包含以打 線接合或是覆晶接合方式將該半導體晶粒電性連接至該薄 膜型基板。該半導體晶粒在打線接合時可㈣固晶膠或是 以共晶接合方式固定於該薄膜型基板。 另包含光轉換材料混合在該透明膠材内，其中該光轉換 材料可為螢光粉，又該透明膠材可為環氧樹脂（epQxy)或是 梦氧烧（silicone)。 另包含在透明封膠材料外包覆一反射層。 本發明另揭示—種化合物半導體元件封裝結構之製造方 法’包含下列步驟：提供一薄膜型基板，其具有一第一電 極以及m將—半導體晶粒固接於該薄膜型基板 上，使得該半導體晶粒的正極電性連接至該第—電極，而 該半導體晶粒的負極電性連接至該第二電極；以及將一透 明膠材包覆該半導體晶粒。 該具有圖案之導電薄膜係於-暫用基板上形成具有圖案 之導電薄膜，並且在該透明膠材包覆該半導體晶粒之後移 除該暫用基板。 200905907 該導電膜層係以印刷、網印、電鑄、化锻或濺鍍而形成 於該暫用基板，而該暫用基板係藉由彎折、分離、银刻、 雷射切割或研磨之方式而移除。 該複合基板包含一第一具有圖案之導電層、一具有複數 個透孔之絕緣薄膜以及一第二具有圖案之導電層。 上述之複合基板形成方法包含：提供該具有複數個透孔 之絕緣薄膜，將該具有圖案之第一導電層與該具有圖案之 第二導電層施加於該具有複數個透孔之絕緣薄膜之相對兩 面’使得該具有圖案之第一導電層與該具有圖案之第二導 電層之間透過該複數個透孔電性連接。 【實施方式】 圖2(a)〜2(e)係本發明化合物半導體元件封裝結構之製 造方法之步驟示意圖。如圖2(a)所示，一暫用基板21具有 一第一表面211與一第二表面212，在圖中第一表面211 疋上表面，而第二表面212是下表面。暫用基板21可以由 〇 金屬材料、陶瓷材料或高分子材料所製成，其第一表面211 上有以印刷（printing)、網印（screening)、電鑄 (electroform)、化錁（無電解電鍍）或濺鍍（spuUer)B成一具 圖案之導電膜層22。導電膜層22可以是銀、鎳、銅、錫、 鋁或前述金屬材料之合金，或者是銦錫氧化物（IT〇)、銦辞 氧化物（ΙΖΟ)、銦鎵氧化物（IG0)及銦鎢氧化物（IW〇)等透明 導電材料，並包括一 N型電極221及卩型電極222，或更 多獨立區域之接點圖案。 如圖2(b)〜2(c)所示，藉由固晶膠24將一化合物半導體 200905907 晶粒23固定於Ν型電極221上，再利用銲線或是稱為打線 接合（wire-bonding)技術並以金屬導線25完成晶粒23、Ν 型電極221及P型電極222間之電性連接。也可藉由共晶 接合（eutectic bonding)將晶粒23固定於N型電極221上， 從而取代固晶膠24之使用。接著 Ο
於晶粒23、Ν型電極22卜ρ型電極222及金屬導線25上 例如.環氧樹脂（epOXy)或梦膠（smc〇ne ;又稱石夕氧烧），該 透明封膠材料26可混入螢光體27,藉此可以被激發而產生 二次光線，並和晶粒23產生之一次光線混合而形成白光或 疋其他種多波長之電磁輻射。混入的螢光體27的材質可為 釔鋁石榴石（YAG)，铽鋁石榴石（TAG)，矽酸鹽族係 (silicate) ’氮化物為主（nitddebased)等不同的螢光體。透 明封勝材料26可以藉由轉移成型（transfer_m〇lding)或是注 入成型（inject_molding)等方式覆蓋於晶粒23上。 當該透明封膠材料26硬化後，可以藉由彎折、分離、钱 刻、雷射切割或研磨將基板21移除，以致導電膜層^之 第二表面224露出於透明封膠材料％ ’至此化合物半導體 几件2〇之封裝結構便已完成，如圖職示。又導電膜層 22之第二表面224係相對於第—表面如，該第—表面⑵ 仍被透明封膠材料26所覆蓋。 :使半導體晶粒23可集中自透明封膠材料^之上表面 ㈣封膠㈣26之四周披覆反光層^，如圖 ()所不。化合物半導體元件20,中b初π政, 23發出之光線會被 射而導向該晶粒23電路表面之上方，然後穿 •11- 200905907 ::明封谬材料26而射出至外部。反光層28的材質可 月的膠材包含高反射係數的材料，例如二氧化鈦。 由於Ν型電極221及卩型電極如之第二表面⑵ 透明封膠材料％ & πη 路'出 ，此可以作為表面黏著之外部接點。 ^粒23產生之熱量直接透過很薄且導埶佳之導 :膜層：因此可增加封裳結構之散熱效率。相較於習知 Ο 二本發明化合物半導體元件2〇不需要整個印刷 =封裝結構之-部份，所以厚度可以降纟Q2mm〜 在本實施例中，晶粒23 _ 』馮發光一極體，雷射二 體，或疋光伏打電池（ph〇t〇cei丨）。 圖3⑷係本發明另一實施例之化合物半導體元件封裝社 構之剖視圖。化合物半導體元件3〇包 ； 膜層32、一9初·^；^ ★ a 口系t导電 曰.曰曰拉33及一透明封膠材料36。該晶粒33係覆 Η膜層32之第—表面323上，並藉由複數個& ^別和N型電極321及？型電極322電性相連。透明 封朦材料36係覆蓋於導電膜層32之第一表面323及晶粒 =上’且導電膜層32之第二表面m係露出於透明封膠材 料3 6 〇 為使晶粒33可集中自透明封膠材料36之上表面射出， 可於透明封膠材料36之四周披覆反光層％，如圖3⑻所 不。化合物半導體元件30'中„曰私, a , T日日粒33發出之光線會被反光 :8反射而導向該晶粒33電路表面之上方然後穿透出 透明封膠材料36而射出至外部。在本實施例中，晶粒33 可為發光H㈣二_’或是光伏打電池（_⑽⑴。 -12- 200905907 圖4係本發明超薄型基板之各層分解圖，及圖5係本發 明超薄型基板之剖視圖《超薄型基板40包含上導電膜層 41、絕緣膜層42及下導電膜層43,上導電膜層41之N型 電極412會透過絕緣膜層42上複數個開口 422和下導電膜 層43之N型電極432接觸，如圖5所示。相同地，上導電 膜層41之p型電極411也會透過絕緣膜層42上複數個開 口 422和下導電膜層43之P型電極43 1接觸。由於絕緣膜 層42之厚度約〇·〇ι〜οι mm，因此上導電膜層和下導 電膜層43很容易透過開口 422而相互接觸。絕緣膜層42 可以是一聚亞醯胺、聚乙烯（pV)、聚碳酸酯（pc)、聚氣乙 烯（pvc)、聚曱基丙烯酸甲酯（PMMA)、壓克力製成之薄膜 421，該聚亞醯胺材料先藉由塗佈、浸潤（dipping)或溶膠凝 膠之方式於一板材上成型為薄膜421，再利用機械鑽孔、雷 射鑽孔或電漿钱刻將直徑約1 mm的開口 42形成於薄膜 421上。上導電膜層41和下導電膜層43係藉由電鍍、印刷 或銅箔壓合而形成。另外，上導電膜層41和下導電膜層U 透過多個開口 422可以很容易將熱相互傳遞。 圖6(a)〜6(b)係本發明另兩實施例之化合物半導體元件 封裝結構之剖視圖。化合物半導體元件6()包含—基板4〇、 -晶粒63、-金屬導線65及一透明封膠材料6“該晶粒 63藉由導電性佳之固晶膠64或是利用共晶製程固定於基 板40表面’其背面就是N型基材而能經由固晶㈣Μ =412電性終另外’如圖6⑻所示，化合物半導 兀件60,中晶粒63，之基材為非導體之材料，例如··藍寶 -13- 200905907 石基材，因此需要兩個金屬導線65,分別連接晶粒63，及N 型電極412與P型電極411。該透明封膠材料66可混入榮 光體67,藉此可以被激發而產生二次光線，並和晶粒63, 產生之一次光線混合而形成白光或是其他種多波長之電磁 輻射。混入的螢光體67的材質可為釔鋁石榴石（YAG)，試 銘石權石（TAG) ’石夕酸鹽族係（siHcate)，氮化物為主 (nitride-based)等不同的螢光體。在本實施例中，晶粒〇 r) 可為發光二極體’雷射二極體’或是光伏打電池 (photocell)。透明封膠材料66可以藉由轉移成型 (transfer-molding)或是注入成型（inject_m〇lding)等方式覆 蓋於晶粒63上。 圖7係本發明又一實施例之化合物半導體元件封裝結構 之剖視圖。化合物半導體元件70包含一基板40、一晶粒 73及一透明封膠材料66。該晶粒33係覆晶固定於基板4〇 上，並藉由複數個凸塊75分別和N型電極412與P型電極 Cj 411電性相連。在本實施例中，晶粒73可為發光二極體， 雷射二極體，或是光伏打電池（photocell)。在第6圖與第7 圖的兩個實施例中，都可以使用反射層增加出光的亮度。 本發明之技術内容及技術特點已揭示如上，然而熟悉本 項技術之人士仍可能基於本發明之教示及揭示而作種種不 背離本發明精神之替換及修飾。因此，本發明之保護範圍 應不限於實施例所揭示者，而應包括各種不背離本發明之 替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。 【圖式簡單說明】 200905907 圖1係習知表面黏著（SMD)型式之發光二極體元件之剖面 示意圖； 圖2 (a )〜2 (f)係本發明化合物半導體元件封裝結構之製 造方法之步驟示意圖； 圖3(a)及3(b)係本發明另兩實施例之化合物半導體元件 封裝結構之剖視圖及上視圖； 圖4係本發明超薄型基板之各層分解圖； 〇 圖5係本發明超薄型基板之剖視圖； 圖6(a)〜6(b)係本發明另兩實施例之化合物半導體元件 封裝結構之剖視圖；以及 圖7係本發明另一實施例之化合物半導體元件封裝結構 之上視圖。 【主要元件符號說明】 10 發光二極體元件 11 介電材料層 12 晶粒 13 基板 13a P型導電銅箔 13b N型導電銅箔 13c 絕緣層 14 透明封膠材料 15 金屬導線 20 化合物半導體元件 21 基板 22 導電膜層 23 晶粒 24 固晶膠 25 金屬導線 26 透明封耀·材料 27 螢光體 28 反光層 30 化合物半導體元件 32 導電膜層 33 晶粒 35 > 75凸塊 •15· 200905907 36 透明封膠材料 38 反光層 40 基板 41 上導電膜層 42 絕緣膜層 43 下導電膜層 20,、 30'、60、60'、70 化合物半導體元件 63、 63’、73 晶粒 64 固晶膠 65、 65' 金屬導線 66 透明封膠材料 67 螢光體 211 第一表面 212 第二表面 221 N型電極 222 P型電極 223 第一表面 224 第二表面 321 N型電極 322 P型電極 323 第一表面 324 第二表面 411 P型電極 412 N型電極 421 薄膜 422 開口 431 P型電極 432 N型電極 16-

Claims (1)

  1. 200905907 十、申請專利範園··
    2.
    一種化合物半導體元件之封裝結構，包含： 薄型基板，具有一第一電極與一第二電極； 化》物半導體晶粒，位在該薄型基板上. -將該半導體晶粒固接於該薄型基板之手段；以及 一透明膠材包覆該半導體晶粒。 根據請求項1之化合物半導體元件之封裝結構，其中該薄 型基板可為具㈣案之導電薄膜或是複合基板，又該複合含—具有圖案之第—導電層、-具有複數個透孔之 ，，邑緣4膜以及—具有圖案之第二導電層。
    求項】或2之化合物半導體元件之封裝結構，其中該 丰V體晶粒可為發光二極體晶粒、雷射二極體或光感測晶 粒0
    根據請求項3之化合物光電元件的封I結構，^咳將今 晶粒固接於該薄膜型基板之手段包含以打線接合=覆晶接合方式將該半導體晶粒電性連接至該薄膜型 基板。 電元件的封裝結 以用固晶膠或是 根據請求項4之化合物光 體晶粒在打線接合時可 固定於該薄膜型基板。 6 .根據請求項1或2之化合物光 轉換材料混合在該透明膠材 光粉。 構，其中該半導 以共晶接合方式 電凡件的封裝結構，另包含光 内’其中該光轉換材料可為螢 根據請求項6之化合物光電 元件的封裝結構，其中該透明 200905907 膠材可為環氧樹脂（epoxy)或是矽氧烷（silic〇ne)。 8·根據請求項1之化合物光電元件的封裝結構，另包含在透 明封膠材料外包覆一反射層。 9· 一種化合物光電元件封裝結構的製造方法，其步驟包含： 提供一薄膜型基板，其具有—第一電極以及一第二電 極； 將一半導體晶粒固接於該薄膜型基板上，使得該半導 〇 11晶粒的正極電性連接至該第-電極，而該半導體晶粒的 負極電性連接至該第二電極；以及 將一透明膠材包覆該半導體晶粒。 根據請求項9之化合物光電元件封裝結構的製造方法，其 中該薄型基板可為具有圖案之導電薄膜或是複合基板，其 中該複合基板包含一具有圖案之第一導電層，一具有複數 個透孔之絕緣薄臈，以及一具有圖案之第二導電層。 11.根據請求項H)之化合物光電元件封裝結構的製造方法，其 I 中該具有圖案之導電薄膜係於-暫用基板上形成具有圖 案之導電薄膜’並且在該透明膠材包覆該半導體晶粒之後 移除該暫用基板。 根據明求項1 1之化合物光電元件封裝結構的製造方法，其 中該導電膜層係以印刷、網印、電鑄、化鑛或滅鍵而形成 於該暫用基板，而該暫用基板係藉由彎折、分離、触刻、 雷射切割或研磨之方式而移除。 1 3 ·根據4求項1G之化合物光電元件封裝結構的製造方法，其 中該複合基板包含一第一具有圖案之導電層、一具有複數 200905907 個透孔之絕緣薄膜以及一第二具有圖案之導電層。 14. 根據請求項13之化合物光電元件封裝結構的製造方法，其 中上述之複合基板形成方法包含： 提供該具有複數個透孔之絕緣薄膜；
    將該具有圖案之第一導電層與該具有圖案之第二導電 層施加於該具有複數個透孔之絕緣薄膜之相對兩面，使得 該具有圖案之第一導電層與該具有圊案之第二導電層之 間透過該複數個透孔電性連接。 15. 根據請求項9 ' 1G、u、12、13或14之化合物光電元件封 裝結構的製造方法，其中該半導體晶粒可為發光二極體晶 粒、雷射二極體或是光感測晶粒。 16. 根據請求項9之光電元件封裝結構的製造方法，其中該將 該半導體晶粒固接於該薄膜型基板之步驟包含以打線接 &或疋覆日日接合方式將該半導體晶粒電性連接至該薄膜 型基板。 17 ·根據請求項丨6之光電元件封裝結構的製造方法，其中該半 導體晶粒在打線接合時可以用固晶膠或是以共晶接合方 式固定於該薄膜型基板。 18. 根據請求項^"、^、……切之光電元件 封裝結構的製造方法，另包含光轉換材料混合在該透明膠 材内’其中該光轉換材料可為螢光粉。 19. 根據請求項9、1 〇、11、〗2、11 1 13、14、16或17之光電元件 封裝結構的製造方法，其中兮读 八T »亥透明膠材可為環氧樹脂或是 矽氧烷。 200905907 ' 12' 13、14、16或17之光電元件 更包含在該透明封膠材料外包覆— 21· 一種化合物半導體元件之封裝結構，包含： 一具有圖案之導電膜層，具 ♦ 、’ 弟 表面及一第二矣 面’其中孩第二表面係相對於該第—表面； -晶粒’固定於該導電膜層之第一表面；以及
    =透明封膠材料，覆蓋於該導電膜層之第—表面及該 晶粒® 根據請求項21之化合物半㈣元件之封裝結構，其另包含 至少一個金屬導線’該金屬導線電性連接該晶粒與該導電 膜層。 23.根據請求項21之化合物半導體元件之封裝結構，其另包含 複數個凸塊’該複數個凸塊電性連接該晶粒與該導電膜 層。
    20.根據請求項9、i〇、ij 封裝結構的製造方法， 反射層。 22. 24·根據請求項21之化合物半導體元件之封裝結構，其中該導 電膜層之第二表面係露出於該透明封膠材料。 25·根據請求項21之化合物半導體元件之封裝結構，其中該導 電膜層之材料係銀、鎳、銅、錫、鋁或前述金屬之合金。 26.根據請求項21之化合物半導體元件之封裝結構，其中該導 電膜層之材料係銦錫氧化物（IT0)、銦鋅氧化物（IZ〇)、銦 鎵氧化物（IGO)或銦鎢氧化物（IWO)。 27·根據清求項21之化合物半導體元件之封裝結構，其中該導 電膜層包含一 N型電極及一 P型電極。 200905907 28.根據請求項21之化合物丰導髀；从、 牛導體兀件之封裝結構，其另包含 混合於該透明封膠材科中之螢光體。 表面 29·根據請求項21之化合物半導體元件之封裝結構，其中該晶 粒係精由-固晶膠或共晶接合而固定於該導電膜層之第 3〇.根據請求項21之化合物光電元件的封裝結構，另包含在透 明封膠材料外包覆一反射層。
    3!•-種化合物半導體元件封裝結叙製造方法，包含下列步 驟： 提供一暫用基板； 於該暫用基板表面形成—且園安、 y ^ 具圖案心導電膜層，其中該 導電膜層包含一第—类&Ώ , 、 弟表面及一相對於該第一表面之第二 表面； 固定一晶粒於該導電膜層之第一表面上； 覆蓋—透明封膠材料於該導電膜層之第一表面及該晶 粒上；以及 移除該暫用基板。 3 2.根據請求項3丨$ ^卜人μ && 、 、 化w物+導體元件封裝結構之製造方 法其另包含利用.焊線技術並藉由複數個金屬導線使該晶 粒與該導電膜層電性連接之步驟。 33·根據請求項31之化合物半導體元件封裝結構之製造方 其另匕利用覆晶技術並藉由複數個凸塊使該晶粒與該 導電膜層電性連接之步驟。 根據清求項31之化合物半導體元件封裝結構之製造方 200905907 電鑄、化鍍或濺鍍 法’其中該導電膜層係以印刷、網印 而形成於該暫用基板。 元件封裝結構之製造方 、分離、錢刻、雷射切刻 35.根據請求項31之化合物半導體 法，其中該暫用基板係藉由彎折 或研磨之方式而移除。 3 6 ·根據請求項3 1之化合物半 —机枯傅心裂造方 法，其中該導電膜層之第二表面係露 々
    f路出於孩透明封膠材 元件封装結構之製造方 、鎳、鋼、錫、鋁或前述 37.根據請求項3丨之化合物半導體 法’其中該導電膜層之材料係銀 金屬之合金。 38·根據請求項31之化合物半導體元件封裝結構之製造方 法，其中該導電膜層之材料係銦錫氧化物（ιτ〇)、鋼辞氧 化物（ΙΖΟ)、銦鎵氧化物（IG〇)或銦轉氧化物（圓卜 39.根據請求項31之化合物光電元件的封裝結構，另包含在透 明封膠材料外包覆一反射層。 40, 一種化合物半導體元件之封裝結構，包含·· 一薄型基板，包含-上導電膜層、—具有複數個開口 之絕緣膜層及-下導電膜層，其中該絕緣膜層係央設於該 上導電膜層及該下導電膜層之間； 一晶粒，固定於該上導電膜層；以及 -透明封膠材料’覆蓋於該上導電膜層及該晶粒。 根據請求項4G之化合物半導體元件之封裝結構，其中該上 導電膜層及該下導電膜層分別包括—N型電極及—p型電 200905907 極，該上導電膜層之N型電極及該下導電膜層之N型電極 係藉由該複數個開口而接觸，又該上導電膜層之p型電極 及該下導電膜層之P型電極係藉由該複數個開口而接觸。 42. 根據請求項40之化合物半導體元件之封裝結構，其中該絕 緣膜層之厚度為〇.〇1111111〜〇.1111111。 43. 根據請求項40之化合物半導體元件之封裝結構，其中該絕 緣膜層之材料係聚亞醯胺及聚乙烯（pv)、聚碳酸酯（pc)、 f) 聚氣乙烯（PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)或壓克力。 44. 根據請求項40之化合物半導體元件之封裝結構，其另包含 至少一個金屬導線，該金屬導線電性連接該晶粒與該上導 電膜層。 45. 根據請求項40之化合物半導體元件之封裝結構其另包含 複數個凸塊’該複數個凸塊電性連接該晶粒與該上導電膜 層。 46. 根據請求項4〇之化合物光電元件的封裝結構，另包含在透 (> 明封膠材料外包覆一反射層。 47. —種化合物半導體元件封裝結構之製造方法，包含下列步 驟： 提供一具有複數個開口之絕緣膜層； 分別形成一上導電膜層和—下導電膜層於該絕緣膜層 之兩個表面，其中孩上導電膜層和該下導電膜層藉由該複 數個開口而相互接觸； 固定一晶粒於該上導電膜層；以及 覆蓋一透明封膠材料於該上導電膜層及該晶粒上。 200905907 裝結構之製造方 4 8 ·根據請求項47之化合物半導體元件封 法，其另包含下列步驟： 形成該絕緣膜層於一板材上；以及 於該絕緣膜層上形成該複數個開口。 49.根據請求項48之化合物半導體元件封裝結構之製、生 法，其中該絕緣膜層係藉由塗佈雙潤戋 、方 』4 /合膠凝膠之方式 於該板材上成型之一個薄膜。
    50•根據請求項48之化合物半導體元件封装結構之製造方 法，其中該複數個開口係利用機械鑽孔、雷射績孔或= 蝕刻形成於該絕緣膜層。 7 51. 根據請求項4 8之化合物半導體元件封裝結構之製造方 法，其中該上導電膜層和該下導電膜層係藉由電鍵、印刷 或銅箔壓合之方式而形成於該絕緣膜層之表面。 52. 根據請求項47之化合物半導體元件封裝結構之製造方 法，其中該上導電膜層及該下導電膜層分別包括一N型電 極及-P型電極’該上導電膜層之N型電極及該下導電膜 層之N型電極係藉由該複數個開口而接觸，又該上導電膜 層之P型電極及該下導電膜層之？型電極係藉由該複數個 開口而接觸。 53.根據請求項47之化合物半導體元件封裝結構之製造方 法’其另包含利用坪線技術並藉由複數個金屬導線使該晶 粒與該上導電膜層電性連接之步驟。 54·根據請求項47之化合物半導體元件封裳結構之製造方 法，其另包利用覆晶技術並藉由複數個凸塊使該晶粒與該 200905907 上導電膜層電性連接之步驟。 55.根據請求項47之化合 Μ ^ , 電件的封裝結構，另包含在透 明封膠材料外包覆一反射層。 56· —種用於發光二極體 . 扯 < 丹型卷扳之製造方法，包含下列步 驟： 提供—暫用基板； 於該暫用基板表面形成—具圖案之導電膜層，其中該 〇 導電膜層包含-第-表面及-相對於該第-表面之第二 表面；以及 在完成發光二極體之封裝後移除該暫用基板。 57·種用於發光二極體之薄型基板之製造方法，包含下列步 驟： 提供一具有複數個透孔之絕緣薄膜；以及 將一具有圖案之第一導電層與一具有圖案之第二導電 層施加於該具有複數個透孔之絕緣薄膜之相對兩面，使得 〇 該具有圖案之第一導電層與該具有圖案之第二導電層之 間透過該複數個透孔電性連接。
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