TW200849455A - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents

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200849455 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種對絕緣性基板之表面部分進行加熱而 實施特定處理之基板處理裝置及基板處理方法，例如係關 於一種對形成於絕緣性基板表面之導電層進行加熱並於其 上形成膜之基板處理裝置及基板處理方法。 【先前技術】 作為於基板上形成金屬、半導體、絕緣物質等之薄膜之 方法，化學氣相沈積法、熱氧化法、電漿氧化法、直允 /、 孑1 ^ νΓ\ 鑛法、賤鍍法、分子束磊晶法、塗佈法等各種方法已得到 實用化。於該等方法中，在成膜時對基板進行加熱以控制 膜特性。例如，於可適用於太陽能電池等之光—電轉換元 件之製造中，於被處理基板表面形成導電層、例如Ζη〇薄 膜’進而於所形成之薄膜表面形成多晶矽（P〇ly-Si)膜等， 但形成該Poly-Si膜時須將基板加熱至特定溫度。 先前，此種處理中之基板之加熱，主要使用有藉由電阻 加熱器或燈之幅射熱來間接地對基板進行加熱之方法。 近年來’由於薄膜顯示器之大型化或廉價之太陽能電池 面板之需求增大等，於大型玻璃基板上部形成P〇ly-Si膜之 要求正在提高。玻璃基板之尺寸正逐年大型化，以致出現 一邊超過2 m之巨大玻璃基板。於使用電阻加熱器或燈 等’藉由輻射來間接地對此種大型玻璃基板進行加熱之方 法中’加熱器等之尺寸亦必須大型化，因而可能會導致製 造成本增加。 127980.doc 200849455 另一方面，於專利文獻1中，揭示有一種於基板背面配 置電極，對基板直接通電而進行加熱之技術。 然而，該技術係以基板為導電性基板為前提之技術，無 法適用於在如上所述之絕緣材料之玻璃基板上形成p〇ly_Si 膜等之用途。 [專利文獻1]曰本專利特開2001-279430號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 本發明係有鑒於上述狀況而完成者，目的在於提供一種 T間易且局效地加熱絕緣性基板之表面部分而進行特定處 理之基板處理裝置及基板處理方法。 [解決問題之技術手段] 為解決上述課題，於本發明之第丨觀點中，提供一種基 板處理裝置，其特徵在於包含··基板保持部，其將表面形 成有導電層之絕緣性基板以導電層朝上之狀態載置；供電 電極，其連接於上述導電層，以對上述導電層通電而進行 加熱，·及電力供給機構，其用以經由上述供電電極對上述 導電層供電，·且加熱上述絕緣性基板而實施特定處理。 於上述第1觀點中，可更包含氣體供給機構，其將用以 於上述導電層表面形成膜之反應氣體供給至上述導電層。 又’上述氣體供給機構可供給含Si氣體作為上述反應氣 體，於上述導電層表面形成多晶㈣。上述氣體供給機構 可供給包含SiH4氣體之氣體作為上述反應氣體。 又’較好的是’對由相材料形成之上述絕緣性基板及 127980.doc 200849455 上述導電層進行處理，於此情形時，較好的是使用Zn〇薄 膜層來作為上述導電層。 可更包含光源，該光源於在上述導電層上形成膜之情形 =，至少在形成上述膜時向膜形成部位照射光。於此情形 時，上述絕緣性基板及上述導電層τ由透明材料形成\ ‘ &光源可自上述絕緣性基板之f面側向上述膜形成部位照 -射光。又，作為上述絕緣性基板，較好的是矩形基板。 f 於矩形基板之情形時’上述供電電極可連接於上述導電 ( I之-端部及另—端部，於此情形時，上述供電電極可連 接於遍及上述矩形基板之導電層端部之整個寬度而形成之 電極。又，可於上述絕緣性基板之與上述導電層之端部位 置相對應的部分設置到達上述導電層之孔部，上述電極於 上述孔部内形成至上述導電層之背面側。 於本發明之第2觀點中，提供一種基板處理裝置，其特 徵在於包含·基板保持部，其將表面形成有含透明材料之 導電層的含透明材料之絕緣性基板以導電層朝上之狀態載 置，供電電極，其連接於上述導電層，以對上述導電層通 電而進行加熱；電力供給機構，其用以經由上述供電電極 對上述導電層供電；及氣體供給機構，其將含Si氣體供給 至上述導電層之表面，該含Si氣體係用以於上述導電層之 表面部分形成多晶矽膜之反應氣體。 於上述第2觀點中，可使用矩形狀之玻璃基板來作為上 述絕緣性基板，且可使用Zn〇膜層來作為上述導電層。 又’可更包含光源，其至少在上述多晶矽膜形成時，自上 127980.doc 200849455 述絕緣性基板之背面側向上述多晶石夕膜之形成部位照射 光。 於本&明之第3觀點中’提供—種基板處理方法其特 徵在於：其係加熱絕緣性基板之表面部分而實施特定處理 者，且將表面形成有導電層之絕緣性基板以使導電層朝上 之狀態載置於基板保持部，經由連接於上述導電層之供電 電極對上述導電層通電而進行加熱。 於上述第3觀點中，可對上述導電層供給反應氣體，從 而於正在加熱之上述導電層之表面形成膜。又，可供給含

Si氣體作為上述反應氣體，從而於上述導電層之表面形成 多晶石夕膜’於此情形時，可供給包含叫氣體之氣體作為 上述反應氣體。 又，較好的是，上述絕緣性基板及上述導電層係由透明 材料形成，於此情形時，較好的是使用Zn〇薄膜層來作為 上述導電層。 於在上述導電層上形成膜之情形時，至少在形成上述膜 時，向膜形成部位照射光，使正在成膜之膜之電阻降低。 於此情形時，上述絕緣性基板及上述導電層可由透明材料 形成’可自上述絕緣性基板之背面側向上述膜形成部位照 射光。又，作為上述絕緣性基板，較好的是矩形美板。 於本發明之第4觀點中，提供一種基板處理方法，其特 徵在於：將表面形成有含透明材料之導電層的含透明材料 之絕緣性基板以使導電層朝上之狀態載置於基板保持部， 經由連接於上述導電層之供電電極對上述導電層通電而進 127980.doc 200849455 行加熱，對上述導電層供給含81氣體作為反應氣體，從而 於正在加熱之上述導電層之表面形成多晶矽膜。 於上述第4觀點中，可使用矩形狀之玻璃基板來作為上 述絕緣性基板’且可使用Zn〇薄膜層來作為上述導電層。 又，至少在上述多晶石夕膜形成時，自上述絕緣性基板之背 面側向上述多晶石夕膜之形成部位照射光，使正在成膜之膜 之電阻降低。 ' [發明之效果] 根據本發明，係經由供f電極而對連接於絕緣性基板表 面之導電層進行直接通電加熱，因此可藉由簡易之構成來 高效地加熱，從@可高效率且低成本地進行；^電層上形 成多晶石夕膜等之處理。 【實施方式】 以下’參照附圖對本發明之實施形態進行^細說明。以 下的說明，係對可製造成為太陽能電池面板材料之光—電 轉換基板的基板處理裝置進行之說明。 [第1實施形態] 於本實％形恶中，係以具備下述功能之基板處理裝置為 基本，即··使電流流經形成於絕緣性基板表面之導電層而 進行加熱之功能。 首先，參妝圖1至圖5，對本發明之一實施形態之基板處 理裝置進行說明。圖！係用以說明本發明之一實施形態之 基板處理裝置之基本原理的概略剖面圖，圖2係表示圖工之 基板處理裝置之平臺的平面圖，圖3係表示使電流流經基 127980.doc 200849455 板部分之狀態的概略剖面圖，圖4係表示使電流流經基板 部分之狀悲的概略平面圖，圖5係用以說明導入了用以在 加熱過程中之導電膜2〇之表面形成膜的反應氣體之狀態的

首先，絶緣性基板1 0例如為玻璃基板，典型的是呈矩形 狀。並且，於該絕緣性基板10之表面，以均勻之厚度而形 成有由導電材料構成之導電薄膜（導電層）20。此處，例示 了形成太陽能電池面板或者TFT面板之情形，於透明的玻 璃基板之表面，例如藉由蒸鍍而形成有導電薄膜。導電薄 膜20係成為透明電極者，作為透明導電性材料，可使用先 前所用之各種材料，可使用先前以來所用之ITO(indiUm tin oxide，錮錫氧化物）膜等，尤其好的是氧化辞⑺ 膜。ZnO膜於膜厚為2 μιη時對可見光之透過率接近， 且具有ΙΟ4 Ωοηι左右之較低電阻率。又，Ζη〇之溶點較 高，為1975°C，故而加熱處理過程中之穩定性較高。 於導電薄膜20之基板兩端附近，形成有金屬電極3〇。該 金屬電極30可藉由蒸鍍等而形成。作為金屬電極⑽之^ 材，可適用熔點較高之鉻（Cr)、鈦（Ti)、鉬、鈕（丁勾、 鎢（w)等（熔點：Cr=19〇rc、THl94it、、 4饥）。然而，金屬電極材料並不限定 於該等，亦可使用其他金屬。 置 膜 本實施形態之裝置’具備作為用以載置基板之基板載 台的平臺80’㈣平臺80上’定位並载置形成有導電薄 2〇及金屬電極3〇之玻璃基板1〇。 127980.doc 10 200849455 旦圖戶斤tf平$ 8〇構成為格子狀，成為不僅可實現輕 里化而且可確保充分之強度之形狀。作為構成平臺⑼之 料’^、半導體、絕緣體之㈣者均可，但較好的是使 用石英等耐熱性較高者。 另方面，叹置有裝置側電極4〇，該裝置側電極仂在 玻璃基板U)載置、定位於平臺8〇上之狀態下，可定位於與 金屬電極30相對向之位置處’藉由使裝置侧電極利接觸於 金屬電極30，而可對導電薄膜2〇供電。 如圖1所示，於裝置側電極40上，藉由供電線45而連接 有電源(例如直流電源)6〇，且於供電線45上設置有開關 50 °構成裝置側電極4〇之金屬材料並無特別限定，但較好 的是與金屬電極30同樣使用高熔點金屬。 乂 並且，藉由將開關50閉接，可使特定電流流至金屬電極 洲之導電薄膜20。藉由使電極3〇遍布導電薄臈2〇之端部 之整個檢方向寬度而形成，可使電流大致均句地於 臈面内流動。 、守罨溥 田將導電薄膜20之膜厚例如設為丨微米左右時，薄片電 阻可為，每i個低於2 Ω/口。θ此，於此情形時，當如圖3 所示將開關50閉接時’電流流至導電薄膜2〇, #由 果而對導電薄膜20加熱。於此情形時，電流之流動範圍^ 除了可由裝置側電極40之電極形狀加以控制以外，亦可由 形成於基板10上之金屬電極3〇或導電薄膜2〇之形狀而加以 控制:即便於玻璃基板尺寸發生變化之情形時，亦可對基 板進行加熱而無需較大地改變裝置構造。 土 127980.doc 200849455 此時，精由使用矩形狀之玻璃基板1〇，^圖4所示，可 使電流大致均勻地流經導電薄膜2〇之整個面。 即可藉由電熱效果而 升溫，而無需進行複 如此，僅使電流流經導電薄膜2〇 使整個導電薄膜2〇大致均勻地加熱 雜的控制。 於平臺之上方，以與平臺8G相對向之方式而設有氣體 供給機構70。氣體供給機構7〇’例如可構成為通常用作此

種裝置之氣體供給機構的簇射頭，但並不限定於此。藉由 自該氣體供給機構70供給反應氣體，而於正在加熱之導電 薄膜2〇上形成特定之膜。 再者，對⑨以如此之方式構成之基板處理裝i，就提高 潔>尹度之觀點等而言，較好的是利用未圖示之防護罩來覆 蓋平臺80上之玻璃基板1〇。作為構成如此之防護罩之材 料，較好的是石英。 於4基板處理裝置中，當一面對導電薄膜2〇進行加熱， 一面於其上進行膜形成處理時，首先，於玻璃基板1〇上形 成導電薄膜20及金屬電極30，其後，將該玻璃基板1〇載 置、定位於平臺80上。 在該狀態下，將開關50閉接，使電流自電源6〇流至導電 薄膜20。藉此，藉由電熱效果而對導電薄膜20進行加熱。 在该狀怨下，如圖5所示，藉由自氣體供給機構7〇供給反 應氣體，可進行膜形成。具體而言，將作為反應氣體之含 Si氣體與摻雜氣體、例如SiH4及b2H6供給至正在加熱之導 電薄膜20，藉此，於導電薄膜2〇之表面形成Poly-Si膜。於 127980.doc -12- 200849455 此情形時，控制導電薄膜2G之通電量而 --n. Hx C-ττ W丹姐度，例如 -為叫氣體會分解之贿以上之溫度藉此進行叫 〜膜之成膜。再者，於圖5中所說明之示例中，係使用 b2h6:作為摻雜氣體，但摻雜氣體並不限定於此，亦可根 據目標膜之組成而使用PH;等其他摻雜氣體。 f

於此情形時，當使用例如Zn〇來作為導電薄膜料，由 於Zn〇之溶點較高，為1975r，因此即便在例如邮氣體 之分解溫度區域（>5()(rc)内亦穩定。又，根據本實施形態 例之方法，隨著所成膜iP〇ly_Si之厚度增加，由ρ〇ι广^層 及導電薄膜20構成之層之薄片電阻下降，因此具有可進二 步提高能量效率，可利用更低之電力消耗來進行加熱之優 根據以上所說明之第！實施形態，藉由將導電薄膜2〇直 接作為發熱源，即便基板係玻璃基板之類的絕緣性基板， 亦可利用簡單之構成來進行高效之加熱，可容易地形成特 定厚度之Poly-Si膜。並且，藉由於以如此之方式形成之 Poly-Si膜上實施成膜、氧化、擴散、蝕刻等之後步驟之製 程’可製作太陽能電池面板或TFT面板等元件。再者，於 該等後步驟之製程中，亦可使用本裝置。 [弟2實施形態] 於以上的說明中，對使電流流經導電薄膜20而使薄膜溫 度上升之基本構成進行了說明，但於本實施形態中，除此 以外，追加以下構成：自平臺80之背面側，經由玻璃基板 10及由透明之ZnO膜構成之導電薄膜20而向導電薄膜20上 127980.doc -13 - 200849455 之膜形成部位照射光。 參照圖6說明該第2眘#你# ^ 1弟2“也形怨。_表示本發明第2實施 形態之基板處理裝置的概略剖面圖。 於圖6中’料圖1〜圖5所*之第!實施形態例相同之構 成標註了相同符號’並省略詳細說明，而主要對不同之構 成進行說明。如圖6所示，於第2每# 士 孓弟2具轭形恶中，於玻璃基板 1〇之背面側之平臺80下部配設有燈等光源1〇〇。 並且，至少在將導電薄膜2〇加熱至特定溫度而於其上形 成Poly-Si膜25時，自光源100射出光。若玻璃基板1〇及導 電薄膜20為透明之材料，則該光經由平臺8〇之格子之間的 空隙部、玻璃基板10及導電薄膜20而照射至卜丨厂以膜之成 膜部位。於此情形時，藉由使平臺80自身亦由石英等透明 材料構成，可提高光之效率。藉由該光之照射，可降低 P〇iy-Si膜之電阻，與無光之照射之情形相比較，能以更高 之能量效率來對基板進行加熱。再者，亦可將光源1〇〇設 置於平臺之上方，從而自玻璃基板10之表面側照射光。如 此之構成亦適用於基板或導電薄膜並非透明體之情形時。 於該實施形態中，藉由於以如此之方式形成之p〇ly-Si膜 上實施成膜、氧化、擴散、蝕刻等之後步驟之製程，可製 作太陽能電池面板或TFT面板等元件。 [第3實施形態] 於上述第1及第2實施形態中，對在導電薄膜2〇之表面兩 端部附近配設金屬電極而自該導電薄膜20上部供給電力之 示例進行了說明。然而，當於導電薄膜20之上部配置基板 127980.doc -14- 200849455 侧之金屬電極30及裝置電極4〇等時，亦會於該等電極3〇、 40上同時形成P〇ly-Si膜。 因此，本實施形態中，參照圖7對可避免如此之問題之 不例進行說明。圖7係表示本發明第3實施形態之基板處理 裝置的概略剖面圖。 於圖7中，對與圖1〜圖5所示之第i實施形態相同者標註 了相同符號，並省略詳細說明，而主要對不同之構成進行 說明。 如圖7所示，於本實施形態中，在玻璃基板1〇之與導電 薄膜20之兩端部相對應的位置上，形成到達至導電薄膜 之孔部1 5 ’於孔部1 5内，以成為與基板丨〇表面相同之面之 方式而於導電薄膜20之背面側形成電極丨丨〇。並且，自基 板10之背面側之電極110朝向下方布設供電線45，於該供 電線45上設置電源60、開關5〇，與先前之實施形態同樣 地，藉由將開關50閉接，而自電源60經由電極丨1〇對導電 薄膜20通電，從而對導電薄膜2〇進行加熱。 於如此之構成中，由於玻璃基板1〇之表面不存在電極， 因此可避免在電極上成膜之問題。又，由於玻璃基板之上 面側無需用以供電之機構，因此於如上所述般為提高潔淨 度而設置防護罩之情形時，可使防護罩小型化。於圖7 中，圖示有如此之防護罩120。於該防護罩12〇内之上部設 置氣體供給機構7〇，自氣體供給配管75導入siH4及b2H6等 反應氣體。又，於防護罩120之側面，設置排氣孔125。 於第3實施形態中，在進行基板處理時，將開關咒閉接 127980.doc -15- 200849455 而使電流經由玻璃基板10之貫通孔15、電極11()而直接流 至導電薄膜20，藉此將導電薄膜20之溫度加熱至特定溫 度、例如超過500。(：之溫度，此時導入SiH4氣體及b2h6， 藉此亦可於導電薄膜2〇表面形成P〇iy-Si膜25。 根據以上之第1〜第3實施形態例，當在形成於作為絕緣 性基板之玻璃基板1〇表面的導電薄膜2〇上形成膜時，並非 藉由熱幸田射來對母個玻璃基板進行加熱，而是利用對導電 薄膜20通電所引起之電熱效果來進行加熱，因此可提供如 下所述之基板處理裝置，即：無需特別之加熱器、構造簡 早且可減輕裝置成本，並且可實現較高之能量效率與均勻 之溫度分布下的加熱。 再者，本發明並不限定於上述實施形態，在本發明之思 〜、範圍内可進行各種變形。例如，於上述實施形態中，表 不了藉由向導電薄膜表面導入以札氣體及B2H6而形成Poly_ Si膜之k形，但並不限定於此，亦可適用於形成其他膜之 I*月幵v並不限疋於成膜，只要是必須對被處理對象進行加 熱之處理則均可適S，#導電薄膜表面之氧化處理、氮化 迖火處理、擴散處理等。進而，於上述實施形態 中二/、要疋絕緣性基板，則並不限定於玻璃基板，亦可為 :板等之其他基板，不透明亦可。又，作為導電 膜，並不限定於Zno膜等透明者。 彳 [產業上之可利用性] ^ 對於對設置於絕緣性基板之表面部分上的導雷 薄膜進行加埶而每#姑—士 等東 …而只鈿特定處理之用途普遍有效，例 127980.doc 16 200849455 陽月b電池面板之製造中於導電性薄膜上形成p命^膜 有效。 【圖式簡單說明】 圖係表不本發明第丨實施形態之基板處理裝置的概略剖 面圖。 圖2係表示圖丨之基板處理裝置之平臺之構成例的平面 圖。 圖3係表示使電流流經圖丨之基板處理裝置之基板部分之 狀態的概略剖面圖。 圖4係表示使電流流經圖丨之基板處理裝置之基板部分之 狀態的概略平面圖。 圖5係表示於圖丨之基板處理裝置中，供給作為反應氣體 之Sih氣體及氣體，以在加熱過程中之導電薄膜上形 成p〇iy-Si膜之狀態的圖。 圖6係表示本發明第2實施形態之基板處理裝置之概略剖 面圖。 圖7係表示本發明第3實施形態之基板處理裝置之概略剖 面圖。 【主要元件符號說明】 10 基板 15 孔部 20 導電薄膜 3〇、40、11〇 電極 5〇 開關 127980.doc -17- 200849455 60 電源 70 氣體供給機構 80 平臺 100 光源 120 防護罩構件 125 排氣口 127980.doc -18-

Claims (1)

1. 200849455 十、申請專利範圍： 1. 一種基板處理裝4，其肖徵在於包含： 土板保持部，其將表面形成有導電層之絕緣性基板以 導電層朝上之狀態載置； 仏電電極，其連接於上述導電層，以對上述導電層通 電而進行加熱；及 電力供給機構，其用以經由上述供電電極對上述導電 層供電；且 ‘加熱上述絕緣性基板而實施特定處理。 2·如請求項1之基板處理裝置，其中 進而包含氣體供給機構，其將用以於上述導電層表面 形成臈之反應氣體供給至上述導電層。 3·如請求項1或2之基板處理裝置，其中 上述氣體供給機構供給含Si氣體作為上述反應氣體， 於上述導電層表面形成多晶矽膜。 4·如請求項3之基板處理裝置，其中 上述氣體供給機構供給包含SiH4氣體之氣體作為上述 反應氣體。 5·如請求項1或2之基板處理裝置，其中 對由透明材料所形成之上述絕緣性基板及上述導電層 進行處理。 9 6·如請求項5之基板處理裝置，其中 上述導電層為ZnO薄膜層。 7·如請求項2之基板處理裝置，其中 127980.doc 200849455 進而包含至少在形成上述膜時向膜形成部位照射光之 光源。 8 ·如請求項7之基板處理裝置，其中 上述絶緣性基板及上述導電層係由透明材料所形成， 上述光源自上述絕緣性基板之背面側向上述膜形成部位 照射光。 9.如請求項1或2之基板處理裝置，其中 上述絕緣性基板為矩形基板。 10·如請求項9之基板處理裝置，其中 上述供電電極連接於上述導電層之一端部與另一端 部。 11 ·如請求項1 〇之基板處理裝置，其中 上述供電電極連接於遍及上述矩形基板之導電層端部 之整個寬度而形成之電極。 12 ·如睛求項1或2之基板處理裝置，其中 上述絕緣性基板上，在與上述導電層之端部位置相對 應的部分具有到達上述導電層之孔部，上述供電電極於 上述孔部内連接至上述導電層之背面側。 13 · —種基板處理裝置，其特徵在於包含·· 基板保持部，其將表面形成有含透明材料之導電層的 含透明材料之絕緣性基板以導電層朝上之狀態載置；曰 供電電極，其連接於上述導電層，以對上述導電 電而進行加熱； θ 電力供給機構，其用以經由上述供電電極對上述導電 127980.doc 200849455 層供電；及 氣體供給機構，其將含Si氣體供給至上述導電層之表 面，該含Si氣體係用以於上述導電層之表面部分形成多 晶矽膜之反應氣體。 14. 如請求項13之基板處理裝置，其中 上述絕緣性基板為矩形狀之玻璃基板，上述導電層為 ZnO薄膜層。 15. 如請求項13或14之基板處理裝置，其中 進而包含光源，其至少在上述多晶矽膜形成時，自上 述絕緣性基板之背面側向上述多晶㈣之形成部位照射 光0 ’種基板處理方法，其特徵在於：其係加熱絕緣性基板 之表面部分而實施特定處理者，且

   μ將表面形成有導電層之絕緣性基板以導電層朝上之狀 心載置於基板保持部’經由連接於上述導電層之供電電 極對上述導電層通電而進行加熱。 17·如請求項16之基板處理方法，:中 對上述導電層供給反應氣體，於正在加熱之上述導電 層之表面形成膜。 18. 如請求項17之基板處 供給含Si氣體作為 面形成多晶石夕臈。 理方法，其中 上述反應氣體，於上述導電層之表 a如請求項18之基板處理方法，其中 供給包含叫氣體之氣體作為上述反應氣體 127980.doc 200849455 20.如請求項16至19中任一項之基板處理方法，其中 ^述絕緣性基板及上述導電層係由透明材料㈣^ 21 ·如請求項20之基板處理方法，其中 上述導電層為ZnO薄膜層。 22.如請求項17至19中任一項之基板處理方法，其中 至少在形成上述膜時，向膜形成部位照射光使 成膜之膜之電阻降低。 β 23·如請求項22之基板處理方法，其中 上述絕緣性基板及上述導電層係由透明材料所形成， 自上述絕緣性基板之背面側向上述膜形成部位照射光。 24.如請求項16至19中任一項之基板處理方法，其中 上述絕緣性基板為矩形基板。 25· —種基板處理方法，其特徵在於·· 將表面形成有含透明材料之導電層的含透明材料之π 緣性基板以導電層朝上之狀態載置於基板保持部；、巴 經由連接於上述導電層之供電電極對上述導電層通電 而進行加熱； 對上述導電層供給含Si氣體作為反應氣體，於正在加 熱之上述導電層之表面形成多晶矽膜。 26.如請求項25之基板處理方法，其中 上述絕緣性基板為矩形狀之玻璃基板，上述導電声 ZnO薄膜層。 曰— 27·如請求項25或26之基板處理方法，其中 至/在上述多晶石夕膜形成時，自上述絕緣性基板之背 127980.doc 200849455 面側向上述多晶石夕膜之形成部位照射光，使正在成膜之 膜之電阻降低。 127980.doc