JP2008177289A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁性基板の表面部分を簡易にかつ効率良く加熱して所定の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法。
【解決手段】基板１０表面に導電薄膜２０を形成し、該導電薄膜２０に電極３０を設け、該電極３０と電源６０に接続される電極４０とを電気的に導通状態とし、スイッチ５０を閉接して導電薄膜２０に通電し、その際の電熱効果により導電薄膜２０を直接発熱させて所望温度に上昇させ、反応ガスとしてＳｉＨ_４ガスおよびＢ_２Ｈ_６ガスを薄膜２０表面に供給してＰｏｌｙ−Ｓｉを堆積させる。
【選択図】 図４

Description

本発明は、絶縁性基板の表面部分を加熱して所定の処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関し、例えば絶縁性基板の表面に形成された導電層を加熱してその上に膜形成する基板処理装置および基板処理方法に関する。

基板上に金属、半導体、絶縁物質などの薄膜を形成する方法として、化学気相成長法、熱酸化法、プラズマ酸化法、真空蒸着法、スパッタリング法、分子線エピタキシー法、コーティング法など各種の方法が実用化されている。これらの方法においては膜特性を制御するため成膜時に基板を加熱する。例えば、太陽電池等に適用可能な光―電気変換デバイスの製造においては、被処理基板表面に導電層、例えばＺｎＯ薄膜を形成し、さらに形成した薄膜表面にポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜等を形成するが、このＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成する際に基板を所定の温度に加熱する。

従来、この種の処理における基板の加熱は、抵抗ヒーターやランプの輻射熱により間接的に基板を加熱する方法が主に用いられている。

近年、薄膜ディスプレーの大型化や安価な太陽電池パネルの需要増大などから、大型のガラス基板上部にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成する要求が高まっている。ガラス基板のサイズは年々大型化しており、一辺が２ｍを超える巨大なものが出現するに至っている。このような大型のガラス基板を抵抗ヒーターやランプ等を用いて輻射により間接的に加熱する方法では、ヒーター等のサイズも大型化する必要が生じるため、製造コストの増加が懸念される。

一方、特許文献１には、基板の裏面に電極を配し、基板に直接通電して加熱する技術が開示されている。

しかしながら、この技術は基板が導電性のものであることを前提とした技術であり、上述したような絶縁材料であるガラス基板にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜等を成膜する用途には適用することができない。
特開２００１−２７９４３０号公報

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、絶縁性基板の表面部分を簡易にかつ効率良く加熱して所定の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、表面に導電層が形成された絶縁性基板が導電層を上にした状態で載置される基板保持部と、前記導電層に通電して加熱するために前記導電層に接続する給電電極と、前記給電電極を介して前記導電層に給電するための電力供給手段とを具備し、前記絶縁性基板を加熱して所定の処理を施すことを特徴とする基板処理装置を提供する。

上記第１の観点において、前記導電層の表面に膜を形成するための反応ガスを前記導電層に供給するガス供給手段をさらに具備する構成とすることができる。また、前記ガス供給手段は、前記反応ガスとしてＳｉ含有ガスを供給し、前記導電層表面にポリシリコン膜を形成するものとすることができる。前記ガス供給手段は、前記反応ガスとしてＳｉＨ_４ガスを含むガスを供給する構成とすることができる。

また、透明材料で形成された前記絶縁性基板および前記導電層を処理するようにすることが好ましく、この場合に、前記導電層としてはＺｎＯ薄膜層を用いることが好ましい。

前記導電層上に膜を形成する場合において、少なくとも前記膜を形成する際に、膜形成部位に光を照射する光源をさらに有する構成とすることができる。この場合に、前記絶縁性基板および前記導電層は透明材料で形成されており、前記光源は、前記絶縁性基板の裏面側から前記膜形成部位に光を照射する構成とすることができる。また、前記絶縁性基板として矩形基板が好適である。

矩形基板の場合に、前記給電電極としては、前記導電層の一端部と他端部とに接続される構成とすることができ、その場合に、前記給電電極は、前記矩形基板の導電層端部全幅にわたって形成された電極に接続される構成とすることができる。また、前記絶縁性基板の前記導電層の端部位置に対応する部分に前記導電層に到達する孔部を設け、前記電極が前記孔部内において前記導電層の裏面に形成された構成とすることもできる。

本発明の第２の観点では、表面に透明材料からなる導電層が形成された透明材料からなる絶縁性基板が導電層を上にした状態で載置される基板保持部と、前記導電層に通電して加熱するために前記導電層に接続される給電電極と、前記給電電極を介して前記導電層に給電するための電力供給手段と、前記導電層の表面部分にポリシリコン膜を形成するための反応ガスであるＳｉ含有ガスを前記導電層の表面に供給するガス供給手段とを具備することを特徴とする基板処理装置を提供する。

上記第２の観点において、前記絶縁性基板として矩形状のガラス基板を用い、前記導電層としてＺｎＯ薄膜層を用いることができる。また、少なくとも前記ポリシリコン膜形成時に、前記絶縁性基板の裏面側から前記ポリシリコン膜の形成部位に光を照射する光源をさらに具備する構成とすることができる。

本発明の第３の観点では、絶縁性基板の表面部分を加熱して所定の処理を施す基板処理方法であって、表面に導電層が形成された絶縁性基板を導電層を上にした状態で基板保持部に載置し、前記導電層に接続する給電電極を介して前記導電層に通電して加熱することを特徴とする基板処理方法を提供する。

上記第３の観点において、前記導電層に反応ガスを供給して、加熱されている前記導電層の表面に膜を形成するようにすることができる。また、前記反応ガスとしてＳｉ含有ガスを供給し、前記導電層の表面にポリシリコン膜を形成するものとすることができ、この場合に、前記反応ガスとしてＳｉＨ_４ガスを含むガスを供給するようにすることができる。

また、前記絶縁性基板および前記導電層は透明材料で形成されていることが好ましく、この場合に、前記導電層としてはＺｎＯ薄膜層を用いることが好ましい。

前記導電層上に膜を形成する場合において、少なくとも前記膜を形成する際に、膜形成部位に光を照射し、成膜しつつある膜の電気抵抗を低下させるようにすることができる。この場合に、前記絶縁性基板および前記導電層を透明材料で形成し、前記絶縁性基板の裏面側から前記膜形成部位に光を照射するようにすることができる。また、前記絶縁性基板として矩形基板が好適である。

本発明の第４の観点では、表面に透明材料からなる導電層が形成された透明材料からなる絶縁性基板が導電層を上にした状態で基板保持部に載置し、前記導電層に接続する給電電極を介して前記導電層に通電して加熱し、前記導電層に反応ガスとしてＳｉ含有ガスを供給して、加熱されている前記導電層の表面にポリシリコン膜を形成することを特徴とする基板処理方法を提供する。

上記第４の観点において、前記絶縁性基板として矩形状のガラス基板を用い、前記導電層としてＺｎＯ薄膜層を用いることができる。また、少なくとも前記ポリシリコン膜形成時に、前記絶縁性基板の裏面側から前記ポリシリコン膜の形成部位に光を照射し、成膜しつつある膜の電気抵抗を低下させるようにすることができる。

本発明によれば、絶縁性基板の表面に接続する導電層に給電電極を介して直接通電加熱を行うので、簡易な構成により効率良く加熱することができ、その上にポリシリコン膜を形成する等の処理を高効率かつ低コストで行うことができる。

以下、添附図面を参照して本発明に係る実施形態について詳細に説明する。以下の説明は、太陽電池パネル材料となる光―電気変換基板を製造可能な基板処理装置について説明する。

〔第１の実施の形態〕
本実施の形態においては、絶縁性基板の表面に形成された導電層に電流を流して加熱する機能を備えた基板処理装置を基本とする。

まず図１ないし図５を参照して本発明に係る一実施形態の基板処置装置について説明する。図１は、本発明に係る一実施形態の基板処置装置の基本原理を説明するための概略断面図、図２は、図１の基板処理装置のステージを示す平面図、図３は基板部分に電流を流した状態を示す概略断面図、図４は基板部分に電流を流した状態を示す概略平面図、図５は加熱中の導電膜２０の表面に膜を形成するための反応ガスを導入した状態を説明するための図である。

まず、絶縁性基板１０は、例えばガラス基板であり、典型的には矩形状をなしている。そしてこの絶縁性基板１０の表面には、均一の厚さとなるように導電材料からなる導電薄膜（導電層）２０が形成されている。ここでは、太陽電池パネルあるいはＴＦＴパネルを形成する場合の例を示しており、透明なガラス基板の表面に導電薄膜を、例えば蒸着により形成している。導電薄膜２０は透明電極となるもので、透明導電性材料として従来用いられている種々のものを用いることができ、従来から用いられているＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）膜等を用いることができるが、特に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜が好ましい。ＺｎＯ膜は膜厚２μｍにおいて可視光に対する透過率が９０％に近く、かつ１０^−４Ωcm台の低い抵抗率を有している。また、ＺｎＯは融点が１９７５℃と高温であるため、加熱処理中の安定性が高い。

導電薄膜２０の基板両端近傍には、金属電極３０が形成されている。この金属電極３０は、蒸着等により形成することができる。金属電極３０の素材としては、融点の高いクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）などが適している（融点：Ｃｒ＝１９０７℃、Ｔｉ＝１９４１℃、Ｍｏ＝２６２３℃、Ｔａ＝３０１７℃、W＝３４４２℃）。しかし、金属電極材料はこれらに限定されるものではなく他の金属を用いてもよい。

本実施形態の装置は、基板を載置する基板載置台であるステージ８０を備え、このステージ８０上に導電薄膜２０および金属電極３０が形成されたガラス基板１０が位置決め載置される。

ステージ８０は、図２に示すように、格子状に構成されており、軽量化を図りながら十分な強度を確保できる形状となっている。ステージ８０を構成する材料としては金属、半導体、絶縁体のいずれでもよいが、石英等の耐熱性の高いものを用いることが好ましい。

一方、ガラス基板１０をステージ８０に載置し、位置決めした状態で、金属電極３０に対向する位置に位置決め可能に装置側電極４０が設けられており、装置側電極４０を金属電極３０に接触させることにより、導電薄膜２０に給電可能となる。

図１に示すように、装置側電極４０には、電源（例えば直流電源）６０が給電線４５により接続されており、給電線４５にはスイッチ５０が設けられている。装置側電極４０を構成する金属材料は特に限定されるものではないが、金属電極３０と同様、高融点金属を用いることが好ましい。

そして、スイッチ５０を閉接することにより金属電極３０間の導電薄膜２０に所定の電流を流せるように構成されている。電極３０を導電薄膜２０の端部の横幅全幅にわたって形成することにより、導電薄膜面内にほぼ均一に電流を流すことができる。

導電薄膜２０の膜厚を例えば１マイクロメートル程度とした場合には、シート抵抗は１個当たり２オーム／□を下回るように構成することができる。したがって、この場合には、図３に示すようにスイッチ５０を閉接すると、導電薄膜２０に電流が流れ、電熱効果により導電薄膜２０が加熱される。この場合に、電流の流れる範囲は、装置側電極４０の電極形状に加え、基板１０上に形成された金属電極３０や導電薄膜２０の形状によっても制御可能であり、ガラス基板サイズが変化した場合においても装置構造を大きく変えることなく基板を加熱することが可能となる。

このとき、ガラス基板１０として矩形のものを用いることにより、図４に示すように、導電薄膜２０の全面にほぼ均一に電流を流すことができる。

このように、導電薄膜２０に電流を流すだけで、複雑な制御を行うことなく電熱効果により導電薄膜２０の全体がほぼ均一に加熱され昇温されていくことになる。

ステージ８０の上方には、ステージ８０に対向するように、ガス供給機構７０が設けられている。ガス供給機構７０は、例えば通常この種の装置のガス供給機構として用いられるシャワーヘッドとして構成することができるが、これに限るものではない。このガス供給機構７０から反応ガスを供給することにより、加熱されている導電薄膜２０上に所定の膜が形成される。

なお、このように構成される基板処理装置は、清浄度を高める観点等から、図示しないカバーでステージ８０上のガラス基板１０を覆うようにすることが好ましい。このようなカバーを構成する材料としては石英が好適である。

この基板処理装置において導電薄膜２０を加熱しつつ、その上に膜形成処理を行う際には、まず、ガラス基板１０に導電薄膜２０および金属電極３０を形成し、その後、ステージ８０にこのガラス基板１０を載置し、位置決めする。

この状態で、スイッチ５０を閉接して電源６０から導電薄膜２０に電流を流す。これにより電熱効果により導電薄膜２０が加熱される。この状態で、図５に示すように、ガス供給機構７０から反応ガスを供給することにより、膜形成を行うことができる。具体的には、反応ガスとしてＳｉ含有ガスとドーピングガス、例えば、ＳｉＨ_４およびＢ_２Ｈ_６を加熱されている導電薄膜２０に供給することにより、導電薄膜２０の表面にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜が成膜される。この場合に、導電薄膜２０の通電量を制御してその温度を制御し、例えばＳｉＨ_４ガスが分解する５００℃以上とすることにより、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の成膜が進行する。なお、図５で説明した例においてはドーピングガスとしてＢ_２Ｈ_６を用いているが、ドーピングガスはこれに限定されるものではなく、目的とする膜の組成に応じてＰＨ_３等の他のドーピングガスを用いてもよい。

この場合において、導電薄膜２０として、例えばＺｎＯを用いた場合には、ＺｎＯの融点は１９７５℃と高温であるため、例えばＳｉＨ_４ガスを分解する温度領域（＞５００℃）においても安定である。また、本実施の形態例の方法によれば、成膜されたＰｏｌｙ―Ｓｉの厚みが増加するのに従って、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層と導電薄膜２０とからなる層のシート抵抗が下がるため、よりエネルギー効率が向上し、より低い消費電力で加熱することが可能であるという利点がある。

以上に説明した第１の実施の形態によれば、導電薄膜２０を直接発熱源とすることにより、基板がガラス基板のような絶縁性のものであっても、簡単な構成で効率の良い加熱を行うことができ、容易に所定厚さのＰｏｌｙ―Ｓｉ膜を形成することができる。そして、このように形成されたＰｏｌｙ―Ｓｉ膜の上に成膜、酸化、拡散、エッチング等の後工程のプロセスを施すことで、太陽電池パネルやＴＦＴパネル等のデバイスを作製することができる。なお、これら後工程のプロセスにおいて、本装置を用いることもできる。

〔第２の実施の形態〕
以上の説明では、導電薄膜２０に電流を流して薄膜温度を上昇させる基本構成を説明したが、本実施の形態では、これに加えて、ステージ８０の裏面側からガラス基板１０および透明のＺｎＯ膜からなる導電薄膜２０を介して導電薄膜２０上の膜形成部位に光を照射する構成を加えている。

この第２の実施の形態を図６を参照して説明する。図６は本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置を示す概略断面図である。

図６において、図１〜図５に示す第１の実施の形態例と同様構成には同一符号を付し、詳細説明を省略し、主に異なる構成について説明をする。図６に示すように第２の実施の形態では、ガラス基板１０の裏面側のステージ８０下部にランプなどの光源１００を配設している。

そして、少なくとも、導電薄膜２０を所定温度まで加熱してその上にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜２５を形成する際には、光源１００から光を射出する。ガラス基板１０および導電薄膜２０が透明な材料であれば、この光はステージ８０の格子の間の空間部、ガラス基板１０および導電薄膜２０を介してＰｏｌｙ−Ｓｉ膜の成膜部位に照射される。この場合に、ステージ８０自体も石英等の透明材料で構成されることにより、光の効率を向上させることができる。この光の照射により、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の電気抵抗が低下し、光照射のない場合と比較してより高いエネルギー効率で基板を加熱することが可能となる。なお、光源１００をステージの上方に設けて、ガラス基板１０の表面側から光を照射するようにしてもよい。このような構成は、基板や導電薄膜が透明体でない場合にも適用可能である。

この実施形態においても、このように形成されたＰｏｌｙ―Ｓｉ膜の上に成膜、酸化、拡散、エッチング等の後工程のプロセスを施すことで、太陽電池パネルやＴＦＴパネル等のデバイスを作製することができる。

〔第３の実施の形態〕
上記第１および第２の実施の形態では、導電薄膜２０の表面両端部近傍に金属電極を配設してこの導電薄膜２０上部より電力を供給する例について説明した。しかし、導電薄膜２０の上部に基板側の金属電極３０や装置電極４０等を配置すると、これら電極３０、４０にも同時にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜が成膜されてしまう。

そこで、本実施形態ではこのような不都合を回避可能な例について図７を参照して説明する。図７は本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置を示す概略断面図である。

図７において、図１〜図５に示す第１の実施の形態と同じものには同一符号を付し、詳細説明を省略し、主に異なる構成について説明をする。

図７に示すように、本実施形態では、ガラス基板１０の導電薄膜２０の両端部に対応する位置に、導電薄膜２０まで達する孔部１５を形成し、孔部１５内に基板１０表面と同じ面となるように導電薄膜２０の裏面側に電極１１０を形成する。そして、基板１０の裏面側の電極１１０から下方へ給電線４５を配線し、この給電線４５に電源６０、スイッチ５０を設け、従前の実施形態と同様に、スイッチ５０を閉接することにより、電源６０から電極１１０を介して導電薄膜２０に通電し、導電薄膜２０を加熱する。

このような構成では、ガラス基板１０の表面には電極が存在しないため、電極に成膜されてしまうという不都合を回避することができる。また、ガラス基板の上面側に給電のための機構が不要となるため、上述したように清浄度を高める目的でカバーを設ける場合に、カバーを小型化することができる。図７には、このようなカバー１２０を図示している。このカバー１２０内の上部にガス供給機構７０を設け、ガス供給配管７５からＳｉＨ_４およびＢ_２Ｈ_６等の反応ガスを導入するようにする。また、カバー１２０の側面には、排気孔１２５を設けるようにする。

第３の実施の形態において基板処理を行う場合にも、スイッチ５０を閉接してガラス基板１０の貫通孔１５、電極１１０を介して導電薄膜２０に直接電流を流すことにより、導電薄膜２０の温度を所定温度、例えば５００℃を超える温度に加熱し、その際にＳｉＨ_４ガスとＢ_２Ｈ_６を導入することで、導電薄膜２０表面にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜２５を成膜することができる。

以上の第１〜第３の実施の形態例によれば、絶縁性基板であるガラス基板１０の表面に形成された導電薄膜２０に膜形成する際に、ガラス基板毎熱輻射により加熱するのではなく、導電薄膜２０に通電することによる電熱効果で加熱するので、特別なヒーターが不要で構造が簡単かつ装置コストを軽減できると共に、高いエネルギー効率と均一な温度分布での加熱を実現することができる基板処理装置が提供される。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、本発明の思想の範囲内で種々変形可能である。例えば、上記実施形態では導電薄膜表面にＳｉＨ_４ガスとＢ_２Ｈ_６を導入することにより、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を成膜する場合について示したが、これに限定されるものではなく、他の膜を成膜する場合にも適用することができるし、成膜に限らず、導電薄膜表面の酸化処理、窒化処理、アニール処理、拡散処理等、被処理対象を加熱する必要がある処理であれば適用可能である。さらに、上記実施形態では、絶縁性基板であればガラス基板に限らず、セラミックス基板等の他の基板であってもよいし、透明でなくてもよい。また、導電薄膜としては、ＺｎＯ膜等の透明なものに限るものではない。

本発明は、絶縁性基板の表面部分に設けられた導電薄膜を加熱して所定の処理を施す用途全般、例えば太陽電池パネルの製造における導電性薄膜上へのＰｏｌｙ−Ｓｉ膜形成に有効である。

本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置を示す概略断面図。 図１の基板処理装置のステージの構成例を示す平面図。 図１の基板処理装置の基板部分に電流を流した状態を示す概略断面図。 図１の基板処理装置の基板部分に電流を流した状態を示す概略平面図。 図１の基板処理装置において、加熱中の導電薄膜上にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成するために反応ガスとしてＳｉＨ_４ガスおよびＢ_２Ｈ_６ガスを供給した状態を示す図。 本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置を示す概略断面図。 本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置を示す概略断面図。

符号の説明

１０；基板
１５；孔部
２０；導電薄膜
３０，４０，１１０；電極
５０；スイッチ
６０；電源
７０；ガス供給機構
８０；ステージ
１００；光源
１２０；カバー部材
１２５；排気口

Claims (27)

1. 表面に導電層が形成された絶縁性基板が導電層を上にした状態で載置される基板保持部と、
   前記導電層に通電して加熱するために前記導電層に接続する給電電極と、
   前記給電電極を介して前記導電層に給電するための電力供給手段と
   を具備し、前記絶縁性基板を加熱して所定の処理を施すことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記導電層の表面に膜を形成するための反応ガスを前記導電層に供給するガス供給手段をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記ガス供給手段は、前記反応ガスとしてＳｉ含有ガスを供給し、前記導電層表面にポリシリコン膜を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記ガス供給手段は、前記反応ガスとしてＳｉＨ_４ガスを含むガスを供給することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
5. 透明材料で形成された前記絶縁性基板および前記導電層を処理することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記導電層はＺｎＯ薄膜層であることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
7. 少なくとも前記膜を形成する際に、膜形成部位に光を照射する光源をさらに有することを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 前記絶縁性基板および前記導電層は透明材料で形成されており、前記光源は、前記絶縁性基板の裏面側から前記膜形成部位に光を照射することを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記絶縁性基板は矩形基板であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
10. 前記給電電極は、前記導電層の一端部と他端部とに接続されることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記給電電極は、前記矩形基板の導電層端部全幅にわたって形成された電極に接続されることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記絶縁性基板には、前記導電層の端部位置に対応する部分に前記導電層に到達する孔部を有し、前記給電電極は前記孔部内において前記導電層の裏面側に接続されることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
13. 表面に透明材料からなる導電層が形成された透明材料からなる絶縁性基板が導電層を上にした状態で載置される基板保持部と、
    前記導電層に通電して加熱するために前記導電層に接続される給電電極と、
    前記給電電極を介して前記導電層に給電するための電力供給手段と、
    前記導電層の表面部分にポリシリコン膜を形成するための反応ガスであるＳｉ含有ガスを前記導電層の表面に供給するガス供給手段と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
14. 前記絶縁性基板は矩形状のガラス基板であり、前記導電層はＺｎＯ薄膜層であることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
15. 少なくとも前記ポリシリコン膜形成時に、前記絶縁性基板の裏面側から前記ポリシリコン膜の形成部位に光を照射する光源をさらに具備することを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の基板処理装置。
16. 絶縁性基板の表面部分を加熱して所定の処理を施す基板処理方法であって、
    表面に導電層が形成された絶縁性基板を導電層を上にした状態で基板保持部に載置し、前記導電層に接続する給電電極を介して前記導電層に通電して加熱することを特徴とする基板処理方法。
17. 前記導電層に反応ガスを供給して、加熱されている前記導電層の表面に膜を形成することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
18. 前記反応ガスとしてＳｉ含有ガスを供給し、前記導電層の表面にポリシリコン膜を形成することを特徴とする請求項１７に記載の基板処理方法。
19. 前記反応ガスとしてＳｉＨ_４ガスを含むガスを供給することを特徴とする請求項１８に記載の基板処理方法。
20. 前記絶縁性基板および前記導電層は透明材料で形成されていることを特徴とする請求項１６から請求項１９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
21. 前記導電層はＺｎＯ薄膜層であることを特徴とする請求項２０に記載の基板処理方法。
22. 少なくとも前記膜を形成する際に、膜形成部位に光を照射し、成膜しつつある膜の電気抵抗を低下させることを特徴とする請求項１７から請求項１９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
23. 前記絶縁性基板および前記導電層は透明材料で形成されており、前記絶縁性基板の裏面側から前記膜形成部位に光を照射することを特徴とする請求項２２に記載の基板処理方法。
24. 前記絶縁性基板は矩形基板であることを特徴とする請求項１６から請求項２３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
25. 表面に透明材料からなる導電層が形成された透明材料からなる絶縁性基板が導電層を上にした状態で基板保持部に載置し、
    前記導電層に接続する給電電極を介して前記導電層に通電して加熱し、
    前記導電層に反応ガスとしてＳｉ含有ガスを供給して、加熱されている前記導電層の表面にポリシリコン膜を形成することを特徴とする基板処理方法。
26. 前記絶縁性基板は矩形状のガラス基板であり、前記導電層はＺｎＯ薄膜層であることを特徴とする請求項２５に記載の基板処理方法。
27. 少なくとも前記ポリシリコン膜形成時に、前記絶縁性基板の裏面側から前記ポリシリコン膜の形成部位に光を照射し、成膜しつつある膜の電気抵抗を低下させることを特徴とする請求項２５または請求項２６に記載の基板処理方法。

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