TW200847458A - Solar cell module and wavelength converting type condensing film for solar cell module - Google Patents

Solar cell module and wavelength converting type condensing film for solar cell module Download PDF

Info

Publication number
TW200847458A
TW200847458A TW097104592A TW97104592A TW200847458A TW 200847458 A TW200847458 A TW 200847458A TW 097104592 A TW097104592 A TW 097104592A TW 97104592 A TW97104592 A TW 97104592A TW 200847458 A TW200847458 A TW 200847458A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
light
solar cell
layer
refractive index
Prior art date
Application number
TW097104592A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI348225B (en
Inventor
Kaoru Okaniwa
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of TW200847458A publication Critical patent/TW200847458A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI348225B publication Critical patent/TWI348225B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/055—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

200847458 ' 27222pif 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於-種太陽電池模組以及太陽電 波長轉滅聚細，更詳細Μ，本發明是關於—種= 將入射光有效地導人至太陽電池單元中，經由波 將並不有助於發電的波長域的光轉換為有助於發電 域的光’藉絲提高發電效率的域電池池、= 電池模組用波長轉換式聚光膜。 味 【先前技術】 下述非專利文獻}中揭示了先前的石夕晶體系 极組。參照圖！的概略圖（剖面圖）來說明先前的太陽= 池拉組。先誠太陽電池模組由太陽f池單元1⑽ ^ =20卜密封材（填充材）2〇2、標記線（tab⑹）加' 及為膜（back film) 204所構成。 ( 於入射，挪的入射侧設置著保護玻璃（亦稱為蓋玻 离（⑺術glass)) 2CU。使用了注重耐衝擊性的強化 ^乍為保護玻璃2CU。為了使保護_ 2〇1缝欠 層=封材逝之間的密著性優良，藉_印一心 口來，單面烏成為凹凸形狀。又，該凹凸形狀形成於 電t P，形成於圖1中的保護玻璃下表面，太陽 包池核組的表面2〇la較為平滑。 八的ί封材搬通常是以乙騎酸乙獅旨絲物為主要成 ，該密封材202亦稱為填充材。密封材则太 I早7C 100進行密封。太陽電池單元1〇〇將經由保護 6 200847458 • 27222pif ，璃2=以及，封材2〇2而導入的入射光轉換 I太陽電池單元100例如使❹結㈣基板或者單結晶 石=。X ’於與密封材2〇2的上述入射側相反 = 成著背膜204。 ^ ’下述專利文獻丨中揭示了具有如下構成的太陽電 :，即，使用昆蟲的目艮（m〇th_eye，蛾眼）構造，來 二=j傾斜方向的所有角度的外部光的反射損失， =外部光有效地導人至太陽電池單以。如下
述=蟲的眼（酬h_eye)構造是藉由形成微細J 、=錐或二角錐、四角錐等的透明形狀物來減少反射 亚有效地導入外部光的技術。 、v =如專利文獻2〜14所述，已多次提出了於太陽電 稱為面财置—種層的方法，該層是使用螢光物質（亦 或Γΐΐ材料’來對太陽綠中無助於發電的紫外線區域 進行波長轉換，藉此’發出有助於發電 t ’對於下述專利文獻2〜14中的建議而言， ::長轉嶋光)層發出的光的前進方向進行控制， 去獲付預期的效果。亦即，經波長轉換的光朝所有 因此1層構造的_部分上發出㈣不僅導入 面而5:朝人射方向及與該入射方向垂直的層的 面方向w進，該些情形無助於發電。 =散^剌圭弘編「太陽光發電」_最新技術 ”糸統，2000年，CMC股份有限公司 7 200847458 27222pif 非專利文獻2:豐田宏；“無反射週期構造，，，光學， 32卷8號489頁（2003年） 非專利文獻 3 · N.Kamata，IXTerunuma，R.Ishii，H.Satoh, S.Aihara，Y.Yaoita，S.Tonsyo，j QrganometaiHc Qierti·，685, 235,2003. ’ ’ 專利文獻1 專利文獻2 專利文獻3 專利文獻4 曰本專利特開2005-101513號公報 曰本專利特開2000-328053號公報 曰本專利特開平09-230396號公報 曰本專利特開2003-243682號公報 專利支獻5:曰本專利特開2〇〇3-218379號公報 專利文獻6:曰本專利特開號公報 專利文獻7:日本專利特開2⑻卜〇24716號公報 專利文獻8·曰本專利特公平〇8_〇〇4147號公報 專利文獻11 專利文獻12 專利文獻13 專利文獻14 專利文獻15 專利文獻9:日本專利特開2001-094128號公報 專利文獻ίο ·日本專利特開2〇〇1_352〇91號公報 曰本專利特開平10-261811號公報 曰本專利第2660705號公報 曰本專利特開2006-269373號公報 曰本專利特開昭63-006881號公報 妙工、日本專利特開2002-225133號公報 太陽、w上述先刖的太陽電池模組存在如下問題··由於 A陽电池單元100鱼穷封从 於界面上產生二才的折射率差較大，故而會 m 先射無法有效地利用光（入射光205)。 列如’石夕晶體系太陽電池亦存在如下問題：無法 8 200847458 27222pif 有效地利用太陽光中的波長較400腿短的光、 較麗rnn長的光，'約S6%的太陽光能量因該光哉失長 (spectnmi mismatch)而無助於光電轉換。 s大配 【發明内容】 本發明是為了解決該些問題而開發者，目的在於 Ο -種可以藉由提高光效率來提高發電效率的太陽h 模組以及太陽電池模組用波長轉換式聚光膜。 包池 此外，本發明的目的在於提供一種可以降低 配引起的太陽光損失，並可以提高光利用以、 =率的太陽電池模組以及太陽電池模組用波長轉 為了解決上述問題，本發g月的太陽 含多個透光性層的構件而成，且根據入射光包 太陽電池模組中，當自上述人射光=二， 透光性層設為第1層、第2層、…第m層’並將各=個 折射率設為第1折射率ηι、第2折射_ 味曰的各 -時:_…純，而 ^疋使上述人射光的人射側為凹凸形狀的波^轉換二 光膜，該波長轉換式㈣_折射率為16〜24 長轉換式聚光膜包含螢光物質。 .且该波 對於該太陽電池模組而言，較好的是，合上 的波長為400〜1200麵，使由以下的式田^ _射光 9 200847458 27222pif L數ij ⑴ L· 其中/為透射率，L為膜平均厚度（_)。 5 :乂好，:、上述波長轉換式聚光膜，以於上述入 ^白名入H則然間~、地鋪滿多數個微細的凸形狀或凹形狀 的夕角錐或圓錐的方式而形成。 Ο 又，較好的是，上述波長轉換式聚光膜中所包 光物質吸收300〜400聰的光，發出400〜·職的光忠 且可以進行波長轉換。 ^ 即上述波長轉換式聚光膜使用上述螢光物質來吸收 f0·〜彻麵的光，並發出铜〜蘭腿的光。Ϊ m粒長職式聚光财妨波長職 nm的光導^太陽電池單元中而使太陽電^ 早7L進订光電轉換。因此，可克服光譜失配。 踩^有微㈣凹凸形狀的波長轉換式聚光膜含有 床士物貝，因此，較除了上述專利文獻丨以外所採 獨藉由聚光膜來控制折射率的槿 、早 膜可構成，上錢長轉換式聚光 m 轉來進—步提高效果。此外，可以藉由 =凸制光的方向性，從而可以將入射二 1出的先一併有效地導入至太陽電池單元中。 =明的太陽電池模組可以降低由光譜失配 ^先知失’而且可以控制光的前進 = 光利用效率，從而提高發電效率。 α此了以心 為了解決上述問題’本發明的太陽電池模組用波長轉 10 200847458 27222pif 層有包含多個透紐 據入射光來發電的太陽雷冰握知#仵而成且根 兮太陽雷上: 用的波長轉換式聚光膜， f 組用的波長轉換式聚光膜 的入射側，作為上述多個透光性層中的至= :=的f聚光膜，使上述入射光的入射惻 性卜為第!展射光的入射側，將上述多個透光
ί 率；1 L1:: …第m層’並將各層的各折射 日·^為〈弟、第2折射率^...第瓜折射率、 ，·^成立，上述波長轉換式聚光膜的折射 卞…·〜/ ’且該波長轉換式聚紐包含螢光物質。 士又’幸乂奸的疋，當上述入射光的波長為*⑻〜· _ 二的ί⑵所表示的上述波長轉換式聚光膜的 才不準化及光度a的值為〇· ί以下。 [數2] (2)
L 其中’ T為透射率，L為膜平均厚度（_)。 又’較好的是，上述波長轉換式聚光膜，以於上述入 射光的入射侧無間隙地鋪滿多數個微細的凸形狀或凹形狀 的多角錐或圓錐的方式而形成。 又，較好的是，上収長轉換式聚光膜中所包含的榮 光物質吸收300〜400 _的光，發出4⑻〜腫麵的光， 且可以進行波長轉換。 即，上述波長轉換式聚光膜使用上述螢光物質來吸收 例如300〜400 rnn的光，並發出彻〜12〇〇腿的光。藉 200847458 27222pif it，；上述波長轉換式聚光膜中進行波長轉換，將 ，一〜讓，nm的光導入至太陽電池單元中而使太陽電= 車兀進仃光電轉換。因此，可以克服光譜失配。 本發明的太陽電池模組中形成著如下的波長轉換 ，膜，其中多個透光性層的第i折射率n】、第2折射率η、二 弟m折射率〜滿足的關係 ^ c) 紐層可以自人射光軌射側標記為第U、第=個透 弟m層’而且該些透光性層中的至少！層於二 侧為凹凸形狀，上述波長轉換式聚光膜的折射率^ ^射 ==光物質，因此，可以提高太陽電池:： 螢光物質來吸=======膜利用 nm的光，因此，可 卫毛出400〜;12〇〇 服光譜失配。即，由；^日f的波f轉換。因此，可以克 式聚光膜含有榮光物質，』^^電池模組用波長轉換 控制折射率的構成，本發明的: 聚光膜來 聚光膜可以藉由波長轉換來進用波長轉換式 藉由微細的凹凸形狀來控制光的方^果。此外’可以 的光一併有效地導入至太陽電池單^中’將入射光與發出 【實施方式】 中。 以下 方面表昭圖4 一 的最佳形態。圖2矣：二—方面說明用以實施本發明 表不使用了以石夕基板為材料的太陽電池 12 200847458 27222pif 單元的太陽電池模組的剖面。 該太陽電池模組是蔣 中而發電的太陽電池模組，于光導入至太陽電池單元⑽ 射侧透過保護玻璃20j、j述入射光自入射光205的入 300等多個透光性層:;^ 202、波長轉換式聚光膜 性層，且是具體的—例光性層是表示構成的透光 射侧的保護玻璃201靠前:晉他的=亦可以於較光入 、…、先刖的太除電池模組中幾乎盔μ 膜，於本發明中亦並非 I成十…、玻璃上的抗反射 j卫非义而有玻墦上的抗反射膜。 個面膜是使處於人射光的人射側的― 膜的折二長轉H聚光膜’該波長轉換式聚光 式聚光膜了〇: · 2·4’包含螢光物質且透明。波長轉換 的凹邱以: 面’以無間隙地鋪滿多數個微細 方式而形成’該微細的凹部或凸部各自的 办狀為大致相同形狀的圓錐狀或多角錐狀。 例如’作為本發明中所使用的波長轉換式聚光膜的形 〃、方法，使用真空®合機（laminator)，來將半硬化狀態、 光硬化性或熱魏性__至單元上。使賴包含^如 使用有四烧氧基鈦（titanium tetra-alkoxide)的有機_無機 混合材料以及螢光物質，藉此來實現高折射率化以及波長 轉換功能。進而，由於上述膜具有光硬化性或熱硬化性， 故而利用鑄造（cast)法等來將上述膜於聚對苯二甲酸乙 二酯 CPolyethyleneterephthalate，PET)等的基材膜上製成 膜狀’並利用聚丙烯（Polypropylene，PP)等的隔離膜來 13 200847458 27222pif 覆蓋上述膜。 於太陽電池單元100的朵 ^ 光膜300。太陽電池單元1〇 、則貼附著波長轉換式聚 抗反射膜1G4、表面電極、背面基板、η型層、 太陽電池單元上貼附著上^二極、及Ρ +層所構成。於 轉換式聚絲與域轉換絲域·。波長 觸。 太除電池早兀1㈧的抗反射膜104接 η 太陽電池單元UK)是使用了多結晶石夕基板或者單社曰 土板⑽晶體㈣太陽電池單元，例如使用著厚度為= um的ρ型石夕基板。於刮石， 、、、 著11型層。 Ρ —夕基板的表®上均勻地形成 ―文地取^^膜1G4用於防止由波長轉換式聚光膜300所有
=集峨，不必要的反射，該抗反射膜戰I 圍的^ 11 N以及氯H所構成的折射率為h8〜2.7的範 。職切膜的财制為％〜
可以使用氧化鈦縣作為抗反_1G4。 T 2長轉賊聚光膜是町述方^形成：如上所 intt —個面上’即於單面側_上規則地鋪滿多數 =田的凸形狀或凹形狀的多角錐或圓錐。上述多角錐為 ^相同的形狀。又，上述圓錐亦為大致相同的形狀。上 二早面側300a形成於光入射側（上述入射光2〇5入射的一 =)’光入射侧的相反側3_與太陽電池單元1〇〇的抗反 2 m接觸。又，亦可如上所述，使另一個面無間隙地 與太％電池單元1〇〇的表面的凹凸相吻合。 14 200847458 27222pif 、、又，使波長轉換式聚光膜300的折射率叱如以下所 述。為了減少自所有角度射入的外部光（入射光2〇5)的 反射損失，並有效地將該外部光導入至太陽電池單元 内，波長轉換式聚光膜300的折射率必須高於密封材2〇2 的折射率，且必須低於太陽電池單元1〇〇上的抗反射膜104 的折射率，將上述波長轉換式聚光膜3〇〇的折射率設為1 6 〜2·2，較好的是設為L6〜2.〇。 ϋ…· η 北於Ρ型矽基板的與上述入射側（表面侧）相反的 二面:J形成背面用鋁漿（―麵响)，接著於該背面 用鋁水上形成背面電極1〇8。又，於背面侧，鋁漿中的鋁 f背面侧㈣產生反應而形成P+層，從而形成改善發電 月匕力的後表面電場（Back Surface Field，BSF)層109。 即一為了有效地將來自所有角度的入射光導入至太陽電池 :兀内、’，波長轉換式聚光膜3〇〇的頂角狹窄則較為有利。 ^而’當於波長轉換式聚光膜3〇〇與太陽電池單元刚的 二面^存在反射損失時，若頂角過於狹窄，則會導致反射 至外部。為了使反射光被波長轉換式聚光膜 再次反射，並順利地返回至太陽電池單元ι〇〇中，較 頂角為90度。若頂角為9〇度，則考慮到性能及 精度的方面，可以說90度是最佳角度。 根=專利文獻2’底邊的尺寸是將所使用的最短波 =以底&的材料的折射率而得出的值，作為示例 折射率設為2.〇時， 、 才y、太險包池杈組中，上述值為175nm 左右。然而，為了獲得此種微細構造，加工方法亦會受到 15 Ο c 200847458 27222pif 然而，本發明無需此種超料 皮 波長轉換式聚光膜3。。的構造_ 二 的波長轉換式聚光膜_而言，如圖^1= 台座部分302必須與太陽電凹凸部分观。 電池單元1〇0的表面上使用了紋理 冓坆，該、、文理構造的深度為〇〜20 _。另 要求’波長轉換式聚光膜3⑽的本 本的微細凹凸形狀，因此，、a先胺原 組成物。作為波長 基:二射含喊氧 波長轉換式聚先膜3。。二且有為勞了=長轉換⑽ 亦即，波長轉換式聚光膜3⑻是半 溶劑乾斤it _被塗佈至太陽電池單元，並經 全i==:單=換式聚光_可以完 16 200847458 27222pif 若波長轉換式聚光膜300本來為膜狀 離，並進-步對具有波長轉換式聚光膜原_=2剝 狀的模型膜（動i趙m)進行真空疊合，以撕形 藉由模型縣形毅長賴絲域_ 的凸形狀或凹形狀的多角錐或圓錐。首先 細 〇 =，將以規則且無間隙地鋪滿多數個微細凹部或凸：： 方式而形成的模型膜载置於聚光膜300上，4 °勺 空疊合來進行形狀轉印。此後，剝離模型膜二用= WLTltmviolet ’ UV)照射來使聚光膜3⑻硬化。^二 可以不去除模型膜而使該模型膜積層於聚光膜上’、 二下詳細地朗—麵麵用於在聚光膜 凸邱R Π ^地鋪滿多數個的方式而形成微細凹部或 凸口P。圖4疋表不將模型膜3〇1載置於 ^ 300山上的狀態的圖。模型膜301 *於波長轉i ί聚;光 的微細凹部或凸部側3〇〇a處，無間隙地形成著數、 述微細凹部或凸部互補（I間 ^入喊人 數们〃、上 ，部或凹部的膜’且該模型膜成 聚光膜300的凹部或凸部的鑄模。 成波長^換式 膜二：:==3°1載置於波長轉換式聚光 、、以使波長㈣式聚光膜3GG硬化。 的構成。二除了模型膜3G1並積層著密封材202 地埋入著波長轉換式聚光膜的凹凸。屬、而热間 27 200847458 27222pif 波長轉換式聚光膜並轉膜’該 划積層於波長轉換式聚光膜·上則*疋使該模型膜 •附於3()1 Μ長轉換式聚光膜300貼 ^®tltm solI^T's%a ::面3,上。上述波長轉換式; 301是:ί上崎，此處繼的模型膜 處，益間隙地^光搞300的微細凹部或凸部側3〇〇a 間隙地完個與上述微細凹部或凸部互補（無 _3〇1祕:玄者的微細凸部或凹部的膜，且該模 .太陽電池μθ漆材作為波長轉換式聚光膜300時，向 縣進行::_f 青漆材’使溶劑乾燥後，利用模型 化，亦;2印：此時，既可以將模型膜剝離後進行硬 二1:附著模型膜的狀態下進行硬化。 成物職予物的硬化方法’既可以預先對該樹脂組 化性。 ，，亦可以預先對該樹脂組成物賦予熱硬 ，用了太陽電池單元100的如圖2所示的太陽電池 18 200847458 27222pif 模組中，例如，當將密封材202設為第】層（保護玻璃 與％封材202 #折射率大致相肖，因此認為保護破璃洲 與密^材202白勺光學性相同），將波長轉換式聚光膜· 。又為第2層，將彳几反射膜1〇4設為第3層，將〇型層川3 ，為第4層，又:將各層的各折射率設為第1折射率\、 第2折射率η2、$ 3折射率巧、帛4折射率^時，使得 Ο 成立。對於作為該些透光性層中的1層的 第2層的波長龍絲光膜3⑻，如上所述，使人射光曰2〇5 :射:3〇()a為凹凸形狀。詳細而言，波長轉換式聚光膜 以、亩滿多數個微細的凸形狀或凹形狀的多角錐或圓錐 形成又’如上所述’將波長轉換式聚光膜300 的折射率η3設為1.6〜2 4。 又，當上述入射光的波長為40〇〜1200 nm時，使波 = 光膜綱的由式⑶所示的標準化吸光度a 的值為0·1以下。 [數3] 。[一 / ⑽]，」°“ )⑻
JL 其中，T為透射率，L為膜平均厚度（^功）。 現就如圖2所示的太陽電池模組的製造進行制。對 理想的是’期望折射率連 卜第2 θ：处所明淺’是指自入射侧起所標記的第 乐2.1 m的編號中較小的編號）—側起逐 。然 而’於用以形成太陽電池單元1〇〇白勺單元步驟中，护成作 為上述第3層的抗反賴1Q4以及料上述第4層的η型 19 200847458 27222pif W娱組步驟中 /¾ y 瓜珉敉上述第3層及上Μ望4爲、吃^ ===)封材搬以及波長轉換 .遍及各層構件的連、i的折因射此率=先前技術，則難以獲得 形成的波長轉換式聚光膜：、與於模組步驟中 〇 ^:;;r 射率n3以下。若於模組步驟 =:的折 ，二====== :的形狀’本發明的尺寸可以為二= 10 //m以上。其原因启认.^ v 丄所兄斤的 率分佈，不如利用幾何光學中；:兒性的等價折射 Cmultipath reflection)〇中所5兄明的先路以及多重反射 如此，本發明的目的在於 組層構造上的光學性界面上依麵於步驟的模 密封材與單元的界面上的反射貝失、及先前技術中的 :^。。_ 導入量 在於^供一種結構，該結構可《使波長轉 20 200847458 27222pif 明在於··藉 =::=ν來使由波麵= Ο ί ,/ 光膜明的特徵在於··可以根據波長轉換式聚 ，敕、土〗~電池單凡100的抗反射膜104此兩者，來 5虫化玻璃201、該強化玻璃2〇1下層的密封材2〇2、 2魏單元内部的η層、ρ層等的折射率。然而，可以 202 Λ，強化玻》璃2〇1、該強化玻璃2〇1下層的密封材 電池單凡内部的η層、Ρ層的中間層即波長轉換 =、’膜3GG與抗反射膜刚來調整折射率，從而容易地 只現上述ni$n2$n3gn4。 ，最簡單地進行考慮，則如以所述。此處，保護玻璃 舁在封材202的折射率亦大致相同，因此認為該保護 火璃201與該密封材2〇2的光學性相同（折射率〜）。又， =吏波長轉換式聚光膜3〇〇的折射率為n2，使抗反射膜1〇4 、十射率為113 ’使η型層的折射率為以時，較理想的是上 返ni、n2、n3、n4滿足下式。 Άλ 田代入大致的具體數值時，則根據η〗与1.5、η4与3.4 來計算出η2〜1·97、η3^2.59。 又，為了進行波長轉換，必須使波長轉換式聚光膜300 21 200847458. 更3 :f光=貝：文將對螢光物質進行敍述。 陽電二元二換，光膜、3。。貼附於太 光膜貼附於太陽電池單元Θ 6疋表不將波長轉換式聚 態的含有榮光物質的高順序的圖°使用半硬化狀 換式聚光膜300。折射顿脂組成物305作為波長轉 Ο t. 物3 〇Ϊ於/:::了悲且含—有螢光物質的高折射率樹脂組成 基鈦的有機無機混合材料來實 化==光IS該: 含有罄朵铷所沾古圖6⑷所不，處於半硬化狀態且 貝、同斤射率樹脂組成物305，夾持於pET膜 :::膜(隔離臈)306。具體的製造處理啊 來覆蓋該高折射率樹脂組成^5利用pp等的隔離膜3〇6 射率;tf6(b)所7F ’當將上述含有縣物質的高折 疊合至太陽電池單元觸上疊合時， 等的隔離膜306之後，將上述高折射率樹脂 機置於太陽電池單元i。。上，並利用真空疊合 再久利用真空疊合機來進行形狀轉印。 22
200847458f A I 接著，剝離模型膜301，利用UV照射來使上述含有 螢光物質的高折射率樹脂組成物3〇5硬化。如此，當形狀 轉印結束時，利用光或熱來使半硬化狀態的高折射率樹脂 組成物305硬化。亦可使模型膜3〇1殘留於波長轉換式聚 光膜300上，使上述太陽電池單元1〇〇與上述波長轉換式 聚光膜300夾持於保護玻璃2〇1、密封材2〇2、背膜2〇4 而模組化。 圖6(e)表示自圖6(d)的狀態剝離模型膜301後的狀 悲。亦可於將模型膜301剝離之後，使上述太陽電池單元 100與上述波長轉換式聚光膜300夾持於保護玻璃201、密 封材202、背膜204而模組化。 此時，若使單元的紋理構造的深度為10 Am，使模 型膜凹凸的深度為10 ，則疊合前的聚光膜（半硬化 狀態的高折射率膜）的厚度必須為至少20 //m。若按照 先前說法，則波長轉換式聚光膜300的台座部分302必須 為10 //m，凹凸部303必須為10 //m。本發明中，無需 積極地形成紋理構造，但是於對矽晶錠（Silicon Ingot)進 行的切片（slice)加工中，很多表面伴有凹凸，因此，台 座部分302必須對應於上述凹凸的程度。 其次，就如用作波長轉換式聚光膜300的半硬化狀態 的高折射率樹脂組成物305般的有機-無機混合材料進行 說明。 本發明中，為了獲得高折射率，使用溶膠凝膠法 (Sol-Gel method)來形成有機-無機混合材料。溶膠凝膠 23 200847458 27222pif 法中的必要成分是由 (R])nM-(〇R2)m 所表示的燒氧基金屬，本發明可以將其中的由 Ti — (〇R)4 所表示的四烷氧基鈦用作至少一部分。相應地，Μ 可以是選自 Zn、Zr、a卜 Si、Sb、Be、Cd、Cr、Sn、 Ο
Ga、Mn、Fe、M〇、V、W以及Ce的金屬。對於R而言: 多個碳原子數為1〜10的尺]以及R2與M鍵結，但各^既 可完全相同，亦可不同。n為〇以上的整數，m為i以上 的整數，n + m等於]y[的原子價（Valence)。當利用溶膠 凝膠法來獲得有機·無機混合材料時，所使用的燒氧基金严 既可以為一種，亦可以為多種。 蜀 為了利用溶膠凝膠法來獲得有機_無機混合材料，於呈 溶液狀的樹脂組成物中添加烷氧基金屬、水、以及酸^ 驗）觸媒，並塗佈於基材上，使溶劑蒸發，並進行或 藉此便可以獲得上述有機錢混合材料。但是，根據_ 擇的烧氧基金屬的反應性，树無需水及/或酸（或驗）觸 媒。又，加熱溫度亦依賴於烧氧基金屬的反應性。對於如 Ti般的反應性高的金屬而言無需觸媒，且加熱溫度可以為 100°c左右的溫度。本發日种，不—定必f (.〇_)的三 、，、，·口構：、要可以只現向折射率化即可。尤其，氧化欽的 三維雜為半導體結構，可以用作光㈣。錢，該結構 於光劣化方面不佳，因J:卜，炎 ^ Αθ rt ^ 口此，為了宅不損壞上述三維結構， 有效的疋與其他烷氧基金屬併用的方法。 24 200847458 27222pif 2002-225133號公報中所 (作為形成聚光膜的凸部 再者，可藉由日本專利特開 揭示的方法等來製作模型膜 的鑄模的模型膜）。 又 錢土^ 种的^物f，可㈣舉稀土類元素 ^ 子或者稀土類元素的有機金屬錯合物 == 質為上述稀土類元素的離子時，可以將 :t ΐ 1匕劑而導入至無機的宿主晶體(host c㈣1)
物:：’、、上述螢光物f為上述稀土類元素的有機金屬錯合 直接使财機金屬錯合物分散至上述高折射樹 脂組成物中。 稀土類兀素有Ce(鈽）、Pr(镨）、Nd(鈥）、pm(鉅）、 (釤）、Eu (銪）、Gd (釓)、Tb ⑷、Dy (鏑）、Ho (欽）'Er(斜）、Tm (铥）、Yb (镱）等。 、一又，本發明中的螢光物質亦可以是以稱為批2形離子 的=素為發光中㈣使晶體基質（吻⑹腺恤）活化的 或者，本發明中的螢光物質亦可以是該些物質的金 氧化物、有機金屬錯合物。該些物質為Qi(銅）、Zn(鋅）、 Ga (鎵)、Ge (鍺)、As (砷)、Ag (銀)、Cd (鎘)、in (銦）、
Sn (錫）、Sb (銻）、Au (金）、Hg (采）、τΐ (蛇）、Pb (錯）、
Bi (鉍）等。 、又，本發明中的螢光物質亦可為是以稱為過渡金屬離 t的元素為發光中心而使晶體基質活化的物質。或者，本 ^明:的螢光物質亦可以是該些物質的金屬氧化物、有機 金屬錯合物。該些物質為Cr (鉻）、Fe (鐵）、Mn (錳） 25 200847458 27222pif 等。 又，亦可以使用有機螢光物質來作為本發明中的螢光 物質。作為該些螢光物質的例，可以列舉蒽 (fluoranthene )、花（perylene )、吖啶撥（―編 〇腿肛）、 若丹明（rhodamine) 6G、若丹明 b、brim她ulf〇flavine FF、 鹼性黃（basicydl〇w) HG、曙紅（e〇sin)等。 本發明中並不對該些螢光物質進行限定，可以根據目
^而廷擇霄光物質。例如，對於上述石夕晶體系太陽電池而 =，由於無法有效地利用太陽光中的波長較400 mn短的 光、及波長較120 nm長的光，因此，較好的是吸收波長 車乂 400 nm短的光，發出4⑻〜的光。可以利用非 專利文獻3中所列舉的Eu(TTA)3phen等作為上述螢光物 質的一例。 曰$、例如關於非晶石夕太陽電池、GaAs太陽電池、CIS太 陽電池、PbS光電轉換裝置、cds光電轉換裝置等，亦可 乂根據該#^置的感度光譜來選擇螢光物質。 、下 方面參照隨附圖式，一方面對實施例進行說
貫施例 3利用到此為止所敍述的方法來將波長轉換式聚光 貼附至太陽電池單元上。 單元f迷=2是將波長轉換式聚光膜300貼附至太陽電池 &、’裝入至模組中時的概略圖，且表示不使桓细瞪 301殘留於士此 、土眠 、陽龟池模組内的情形。其中，於圖2中省略 26 200847458 27222pif 了運接用標記線 又 ，圖5是將附有模型膜301的波長棘 圖°即’轉成圖表錢模型膜3G1 的構成 ，構I其中，於該圖5中亦省略接^電池模組 【圖式簡單說明】 接用I §己線。
Ο- 二”前的太陽電池模組的剖面圖。 二3 θ 最佳形態的太陽電池模t的叫 圖3疋用以說明波長轉換式：、、且U面圖。 圖4是表示將模型膜裁置Y=°:f造， 圖。 先肤上的狀態的剖面 圖5是表示將附有模型犋 元上的太陽電池模組的構成0來先馭貼附於太陽電池單 圖6(0、圖6(b)、圖、；:面圖。 是表示將聚光膜貼附於太陽恭圖6 (d)、圖6 (e) 【主要元件符號說明】 笔’也單元的處理順序的_。 100 :太陽電池單元 101 : p型矽基板 102 :紋理構造 103 : η型層 104 :反射防止層 108 :背面電極 109 : BSF 層 201 :保護玻璃 27 200847458 27222pif 201a :表面 201b :單面 202 :密封材 203 :標記線 * 204:背膜 • 205 ··入射光 300 :波長轉換式聚光膜 ζ\ 300a :單面侧 300b :相反侧 301 :模型膜 302 :波長轉換式聚光膜的台座部分 303 :波長轉換式聚光膜的凹凸部分 304 : PET 膜 305 :高折射率樹脂組成物層 306 : PP 膜 28

Claims (1)

  1. 200847458 27222pif 十、申請專利範圍： 有包含多個透光性層的 上述太陽電池模組的特 1·一種太陽電池模組，其積層 構件而成，且根據入射光來發電， 徵在於： 第i Γ ΐt射光ΐ入射側，將上述多個透光性層設為 弟1層* 2層、…弟爪層，並將各層的各折射去
    1折射率η】、第2折射率叱、...第m折射率&時卞，:仏 成立，而且上述透光性層中的至少 入射光的人射側為凹凸形狀的波長轉換式聚光膜，】 長轉換式聚辅的折射率為16〜24，且包含螢光物質。 "2.如中請專利範圍第工項所述之太陽電池模組，其中 當上述入射光的波長為4〇〇〜12〇〇 nm時，使由以下的式 ⑷所表示的上毅長轉換式聚光膜的標準化吸光度\ 的值為0·1以下， 夂 [數1] •X/ 其中，丁為透射率，L為膜平均厚度（//m)。 、、3·如申請專利範圍第I項所述之太陽電池模組，其中 上述波長轉換式聚光膜，以於上述人射光的人射侧無間隙 地鋪滿多數個微細的凸形狀或凹形狀的多角錐或圓錐的方 式而形成。 I、4·如申請專利範圍第！項、第2項或第3項所述之太 陽電池模組，其巾上述波長轉赋聚光财所包含的螢光 物貝可以進行波長轉換，並且吸收3〇〇〜4〇〇nm的光，發 29 200847458 27222pif 出400〜1200 nm的光。 5.-種太陽電池模組用波長轉換 =組積層有包含多個透光性層的 在於： 、•電池板組用波長轉換式聚光膜的特徵 Ο 中的:的入射側，作為上述多個透光性層 、夕層而使用的波長轉換式聚光膜， 的入^上述入射光的入射侧為凹凸形狀，且自上述入射来 ί入射側，將上述多個透紐層設為第1層、第=射先 =層，絲各層的騎射率㈣第 ，…第m折射率nm時， 述波長轉換式聚光膜的折 ^ 上 質。 J外耵卞馮I.6〜2·4，且包含螢光物 6斗如申請專利範圍第5項所述之 =聚細，其心御罐^ 4=用2 2由吸上梅趣式聚光膜的 [數2] (5) 其中，T為透射率，L為膜平均厚度 7·如申請專利範圍第5項所述之太恭 =式聚光膜，其中上述波長轉換式聚 ==側無間隙地鋪滿多數個微細的 的夕角錐或圓錐的方式而形成。 ^料狀 30 200847458 27222pif 8.如申請專利範圍第5項、第6項或第7項所述之太 陽電池模組用波長轉換式聚光膜，其中上述波長轉換式聚 光膜中所包含的螢光物質可以進行波長轉換，並且吸收 300〜400 nm的光，發出400〜1200 nm的光。
    31
TW097104592A 2007-02-06 2008-02-05 Solar cell module and wavelength converting type condensing film for solar cell module TWI348225B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007026676 2007-02-06
JP2007131730 2007-05-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200847458A true TW200847458A (en) 2008-12-01
TWI348225B TWI348225B (en) 2011-09-01

Family

ID=39681620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097104592A TWI348225B (en) 2007-02-06 2008-02-05 Solar cell module and wavelength converting type condensing film for solar cell module

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20100326522A1 (zh)
EP (1) EP2110862A4 (zh)
JP (2) JP2008311604A (zh)
KR (1) KR20090101944A (zh)
TW (1) TWI348225B (zh)
WO (1) WO2008096711A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101651164B (zh) * 2008-08-12 2011-09-14 昆山中辰硅晶有限公司 太阳能电池
TWI395806B (zh) * 2010-04-14 2013-05-11 Ind Tech Res Inst 封裝材料
TWI420679B (zh) * 2008-12-31 2013-12-21 Mosel Vitelic Inc 太陽能電池
TWI504939B (zh) * 2011-09-30 2015-10-21 Daikin Ind Ltd Set light film, solar cell module, transfer model and photoresist original disk

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010034502A (ja) * 2008-06-30 2010-02-12 Hitachi Chem Co Ltd 波長変換フィルム、これを用いた太陽電池モジュール及びこれらの製造方法
DE102009054630B4 (de) 2008-12-15 2013-02-14 Qimonda Ag Verfahren zum Herstellen eines photovoltaisches Bauelements
JP2010202708A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 波長変換組成物及び波長変換組成物からなる層を備えた光起電装置
JP5014369B2 (ja) * 2009-03-25 2012-08-29 三菱電機株式会社 太陽電池モジュール
KR101180234B1 (ko) * 2009-04-03 2012-09-05 (주)엘지하우시스 디자인층을 구비한 건물 일체형 태양전지 모듈
US10873186B2 (en) 2009-06-15 2020-12-22 Yehoshua Fishler Electrical grid solar energy harvesting system
DK2443663T3 (en) * 2009-06-15 2018-11-26 Yehoshua Fishler Electric grid solar harvesting system
KR101154727B1 (ko) * 2009-06-30 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
US8933526B2 (en) 2009-07-15 2015-01-13 First Solar, Inc. Nanostructured functional coatings and devices
JP5619160B2 (ja) * 2009-07-31 2014-11-05 ペールプリュス ベスローテン フェノーツハップＰｅｅｒ＋ Ｂ．Ｖ． 発光光学素子および当該発光光学素子を備える太陽電池システム
SG10201405424YA (en) * 2009-09-29 2014-10-30 Hitachi Chemical Co Ltd Fluorescent material for converting wavelengths, resin composition for converting wavelengths containing the fluorescent material, solar cell module produced using the fluorescent material or the resin composition, process for producing resin composition for converting wavelengths, and process for producing solar cell module
WO2011044029A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Nordson Corporation Two-component liquid dispenser gun and system
EP2372786A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-05 ACPA Energy Conversion Devices Co., Ltd. Wavelength spectrum conversion solar cell module
JP5752362B2 (ja) * 2010-04-09 2015-07-22 日立化成株式会社 太陽電池用波長変換性樹脂組成物および太陽電池モジュール
US9991407B1 (en) * 2010-06-22 2018-06-05 Banpil Photonics Inc. Process for creating high efficiency photovoltaic cells
JP5676986B2 (ja) * 2010-09-10 2015-02-25 日立化成株式会社 波長変換型太陽電池モジュール
TWM403102U (en) * 2010-10-22 2011-05-01 Neo Solar Power Corp Semiconductor substrate
JP5225415B2 (ja) * 2011-03-14 2013-07-03 三菱電機株式会社 太陽電池モジュール
JP2012216620A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Denso Corp 太陽電池モジュール
KR101920495B1 (ko) * 2011-03-31 2018-11-21 코오롱글로텍주식회사 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
JP2012230968A (ja) * 2011-04-25 2012-11-22 Hitachi Chem Co Ltd 封止材シート及び太陽電池モジュール
CN102769062B (zh) * 2011-05-05 2015-11-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 太阳能电池组件、太阳能电池片的上转换件及其制备方法
WO2013008186A2 (en) * 2011-07-12 2013-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent solar energy concentrator
JP2013161980A (ja) * 2012-02-06 2013-08-19 Nitto Denko Corp 太陽電池モジュール、裏面電極型太陽電池素子ユニットおよび粘着シート
ES2824125T3 (es) * 2012-03-27 2021-05-11 3M Innovative Properties Co Módulos fotovoltaicos que comprenden medios de direccionamiento de luz y métodos para fabricar los mismos
JP5989536B2 (ja) * 2012-12-21 2016-09-07 京セラ株式会社 太陽電池および太陽電池モジュール
JP6081815B2 (ja) * 2013-02-21 2017-02-15 京セラ株式会社 太陽電池および太陽電池モジュール
JP6328891B2 (ja) * 2013-07-30 2018-05-23 京セラ株式会社 太陽電池および太陽電池モジュール
JP6583828B2 (ja) * 2014-02-26 2019-10-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
US9842951B2 (en) * 2014-06-27 2017-12-12 Sunpower Corporation Encapsulants for photovoltaic modules
JP6660215B2 (ja) * 2015-03-16 2020-03-11 積水化学工業株式会社 太陽電池
KR101677430B1 (ko) * 2015-03-23 2016-11-22 한국산업기술대학교산학협력단 점진적인 굴절률의 투명전극을 가진 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법
CN105489678B (zh) * 2015-12-11 2017-03-22 奥特斯维能源（太仓）有限公司 一种优化光伏组件封装损失的方法
US10937915B2 (en) 2016-10-28 2021-03-02 Tesla, Inc. Obscuring, color matching, and camouflaging solar panels
US20180130921A1 (en) * 2016-11-09 2018-05-10 Tesla, Inc. System and methods for achieving a micro louver effect in a photovoltaic cell
KR101999568B1 (ko) * 2017-09-18 2019-07-12 전자부품연구원 광 발전이 가능한 형광 프로젝션 디스플레이 및 그를 이용한 디스플레이 시스템
KR102068416B1 (ko) * 2018-08-20 2020-01-20 한화토탈 주식회사 알루미늄 기반 태양광변환 소재를 포함한 태양전지

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3426212A (en) * 1968-03-14 1969-02-04 Ruth Elizabeth Barry Klaas Radiation converter comprising transparent parallel layers containing fluorescent substances
JPS56100484A (en) * 1979-12-28 1981-08-12 Ibm Solar battery array
US4329534A (en) * 1979-12-28 1982-05-11 International Business Machines Corporation Uniform incident light high voltage solar cell array
JPS57152171A (en) * 1981-03-16 1982-09-20 Teijin Ltd Photoenergy converter
GB8602304D0 (en) * 1986-01-30 1986-03-05 Dakubu S Dihydropyridine condensation products
JPH065783B2 (ja) 1986-06-26 1994-01-19 孝 堀米 蛍光型集光板を用いた高効率太陽光発電方法及びデバイス
JPH084147B2 (ja) * 1987-02-17 1996-01-17 株式会社日立製作所 太陽電池
JPH07142752A (ja) * 1993-06-16 1995-06-02 Nikon Corp 波長変換機能を有する太陽電池
JPH084147A (ja) 1994-06-17 1996-01-09 Mitsui Constr Co Ltd 電波吸収用コンクリートパネル及び電波吸収壁構造
JPH09230396A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Kinya Adachi 希土類錯体複合発光材料を用いる光変調増感型太陽電池の製造
JPH10261811A (ja) 1997-03-17 1998-09-29 Makoto Igarashi 波長変換シート
JPH11345993A (ja) 1998-06-02 1999-12-14 Ricoh Co Ltd 太陽電池装置および太陽電池装置用光変換膜
JP2000328053A (ja) 1999-05-21 2000-11-28 Daicel Chem Ind Ltd 希土類錯体を含む複合薄膜およびその製造方法および複合薄膜を用いた光学材料
JP2001094128A (ja) 1999-09-22 2001-04-06 Sharp Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP2001352091A (ja) 2000-04-06 2001-12-21 Sumitomo Chem Co Ltd 太陽電池カバー用シート
JP4645873B2 (ja) 2001-01-31 2011-03-09 日立化成工業株式会社 凹凸フィルムの製造方法及びその製造装置
JP2003218379A (ja) 2002-01-24 2003-07-31 Sumitomo Bakelite Co Ltd 太陽電池
JP2003243682A (ja) 2002-02-19 2003-08-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 太陽電池
JP2004297025A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Science Univ Of Tokyo 高効率太陽電池
JP4811628B2 (ja) 2003-09-05 2011-11-09 日立化成工業株式会社 集光フィルム及び太陽電池ユニット
JP4923232B2 (ja) 2004-07-07 2012-04-25 国立大学法人東北大学 太陽電池パネル
JP4791743B2 (ja) 2005-03-25 2011-10-12 国立大学法人大阪大学 色素増感太陽電池
US20070295383A1 (en) * 2006-03-31 2007-12-27 Intematix Corporation Wavelength-converting phosphors for enhancing the efficiency of a photovoltaic device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101651164B (zh) * 2008-08-12 2011-09-14 昆山中辰硅晶有限公司 太阳能电池
TWI420679B (zh) * 2008-12-31 2013-12-21 Mosel Vitelic Inc 太陽能電池
TWI395806B (zh) * 2010-04-14 2013-05-11 Ind Tech Res Inst 封裝材料
US8465675B2 (en) 2010-04-14 2013-06-18 Industrial Technology Research Institute Encapsulation material
TWI504939B (zh) * 2011-09-30 2015-10-21 Daikin Ind Ltd Set light film, solar cell module, transfer model and photoresist original disk

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008096711A1 (ja) 2008-08-14
EP2110862A4 (en) 2011-05-11
KR20090101944A (ko) 2009-09-29
TWI348225B (en) 2011-09-01
EP2110862A1 (en) 2009-10-21
JPWO2008096711A1 (ja) 2010-05-20
US20100326522A1 (en) 2010-12-30
JP2008311604A (ja) 2008-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200847458A (en) Solar cell module and wavelength converting type condensing film for solar cell module
CN101911306B (zh) 用于光伏组件的光致发光背板
US20120024345A1 (en) Luminescent solar concentration
WO2010076791A2 (en) Luminescent solar concentrator
TW200845405A (en) Solar electric module with redirection of incident light
TW200919743A (en) Dye-sensitized solar cell
JP2011129925A (ja) 半導体ナノ結晶を用いた太陽電池モジュール
JP5014369B2 (ja) 太陽電池モジュール
CN111164765A (zh) 光伏模块
Huang et al. Large-area transparent “quantum dot glass” for building-integrated photovoltaics
TW201133899A (en) Thin film solar cell and manufacturing method thereof
TWI351770B (zh)
CN105226108B (zh) 太阳能电池组件的制造方法、透光基板的制造方法和太阳能电池组件
TW201037847A (en) Anti-reflective and light-trapping solar module package structure
JP2004297025A (ja) 高効率太陽電池
JP2012033667A (ja) 光起電装置
JP6583828B2 (ja) 太陽電池モジュール
JP2011165754A (ja) 太陽電池モジュール
JPWO2009005083A1 (ja) 型フィルム一体型集光フィルム、太陽電池セル及び太陽電池モジュール
CN101606244A (zh) 太阳能电池模块及太阳能电池模块用波长转换型聚光膜
JP2011091211A (ja) 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池モジュールの製造装置
JP2004311845A (ja) 発電機能を有する可視光透過構造体
KR101201543B1 (ko) 태양전지 모듈 및 그 제조방법
JP5225415B2 (ja) 太陽電池モジュール
Cho et al. Optical study of thin-film photovoltaic cells with apparent optical path length

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees