KR101677430B1 - 점진적인 굴절률의 투명전극을 가진 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

점진적인 굴절률의 투명전극을 가진 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101677430B1
KR101677430B1 KR1020150040273A KR20150040273A KR101677430B1 KR 101677430 B1 KR101677430 B1 KR 101677430B1 KR 1020150040273 A KR1020150040273 A KR 1020150040273A KR 20150040273 A KR20150040273 A KR 20150040273A KR 101677430 B1 KR101677430 B1 KR 101677430B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
refractive index
semiconductor layer
compound semiconductor
type compound
material layer
Prior art date
Application number
KR1020150040273A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160114244A (ko
Inventor
김경국
오세미
김택균
하갑
백지영
정종열
김소현
Original Assignee
한국산업기술대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국산업기술대학교산학협력단 filed Critical 한국산업기술대학교산학협력단
Priority to KR1020150040273A priority Critical patent/KR101677430B1/ko
Publication of KR20160114244A publication Critical patent/KR20160114244A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101677430B1 publication Critical patent/KR101677430B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0543—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L31/03044—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds comprising a nitride compounds, e.g. GaN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

태양전지에 있어서, 상기 태양전지의 P형 화합물 반도체층과 P전극 사이에 적층되는 적어도 하나 이상의 물질층으로써, 상기 P형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 P전극에 가장 인접한 물질층까지의 각 물질층이 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 굴절률 조정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지가 개시된다.

Description

점진적인 굴절률의 투명전극을 가진 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법 {A Solar Cell and Manufacture Method of GaN based with graded refractive index TCEs}
본 발명은 질화물 기반 반도체 태양전지 제작 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 질화갈륨 기반 태양전지에 점진적인 굴절률을 갖는 투명전극을 적용하여 빛이 반도체 층 내부로 흡수되는 양을 증가시킴으로써, 광변환효율을 향상시키는 태양전지에 관한 것이다.
최근, 에너지 절약 및 환경보전에 대한 관심이 증가됨에 따라, 풍력 발전이나 태양전지 등 화석연료에 의존하지 않는 신재생에너지 기술이 주목 받고 있다. 그 중 대표적인 신재생에너지 기술로써 태양전지를 들 수 있으며, 1세대 웨이퍼 기반의 단결정 태양전지가 활성화 되어 있다.
이러한 태양전지는 p-n 접합으로 이루어진 반도체 소자로서, 해당 반도체 소자의 금지대역 보다 큰 에너지를 갖는 태양광이 입사되는 과정을 통해 정공-전자쌍이 생성되고, 생성된 정공과 전자는 p-n 접합부에서 발생되는 전계에 따라 전자는 n형 반도체 층으로 이동하고, 정공은 p형 반도체 층으로 이동함으로써, p-n 반도체 층들 사이에서 기전력을 발생시키는 소자이다.
이렇게 발생된 기전력에 의해, 양 반도체 층 상에 형성된 전극에 부하를 연결하면 전류가 흐르게 된다.
세대별 태양전지의 특성
세대 1세대 2세대 3세대
종류 결정형 박막형
재료분류 단결정 Si 다결정 Si 박막 Si CdTe CIGS 염료 감응 유기
시장 점유율 42% 43% 12% 2.7% 0.2% <0.1% <0.1%
최대효율 15% 12% 8% 10% 12% 7% 5%
장점 신뢰성 확보
안정된 생산 공정		 저렴한 생산 단가 매우 저렴한 생산 단가
단점 공정 및 소재 고비용 저효율
내구성		 독성
소재		 고비용소재 내구성
미확보		 저효율
특징 현재까지 최대 규모
가격 인하 한계		 차세대 저가형 차세대 초저가형 가능성
표 1에서 보는 바와 같이 활성화 된 1세대 웨이퍼 기반 태양전지는 높은 기술 성숙도, 높은 효율과 신뢰성, 안전성에도 불구하고, 고가의 원재료 값(결정형 실리콘 웨이퍼) 때문에 발전단가가 높아(~3.5$/W) 기존의 화력/원자력 발전을 대체하기에는 역부족이며, 광흡수계수가 작고, 별도의 후막을 필요로 하는 단점이 있다.
2세대 박막 기반 태양전지는 상기 1세대 태양전지의 대안으로, 적은 박막 사용량에 따른 원재료비용 감소를 통해 1세대 태양전지보다 낮은 절대변환효율에도 불구하고 발전 단가가 상대적으로 저렴한 장점이 있다.
이러한 태양전지 관련 기술발전에도 불구하고, 태양전지의 발전 비중은 2010년 기준으로, 여전히 전체 발전량 대비 0.1% 미만으로써, 그 비중이 더욱 높아지기 위해서는 기존 1, 2세대의 태양전지보다 저가격에서 높은 효율이 구현될 필요가 있다.
따라서, 현재 3세대 태양전지 물질 중 질화물 계열의 태양전지에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 이는 기존 LED 등 발광소자 및 기타 전력소자를 연구하였던 그룹에서 기존의 연구 시스템 및 물질의 변화 없이 연구가 가능하기 때문에 비용적·생산적 면에서 장점이 있다.
III족 질화물 반도체는, III족 원소로서 알루미늄, 갈륨 또는 인듐을 적당하게 혼합함으로써, 밴드간 천이 파장을 약 200 nm 로부터 약 1.9 um까지 변화시킬 수 있으며, 이로 인해 태양광의 가시광, 자외선, 적외선 영역에 걸친 다양한 파장에 대한 흡수가 가능할 수 있다는 특징이 있다. 또한, 질화물 반도체는 독성을 띄고 있는 비소와 같은 물질을 포함하지 않으며, 고온의 환경에 대해서 내구성도 우수한 장점이 있다.
하지만, 실제 InGaN 태양전지의 p-n 접합 부근에서 인듐 함량을 과도하게 증가시킬수록 인듐 편석과 표면 결합 증가와 같은 현상으로 인해 반도체 소자의 특성이 저하되므로, 현재 질화갈륨 태양전지는 4% 정도의 효율을 가지고 있는 실정이며, 따라서 이를 효과적으로 개선할 필요성이 있다.
이러한 태양전지 효율 개선 방법으로써, 광변환효율 향상을 위한 접합 부분의 구조적 특성 이외에 추가적 구조 적용 또는 새로운 형태의 구조 채택을 통한 광변환효율 향상 시도가 진행되고 있는 중이다.
이와 관련하여 기존에 보고된 대표적인 기술로는 태양광이 입사되는 영역에서의 선택적 식각을 통한 표면 거칠기 변화 등이 있으나, 이러한 구조 형성은 물리·화학적 식각 공정이 개입되어 까다로운 제조공정이 요구되는 것뿐만 아니라, 식각에 의한 박막 재질의 변형 등이 문제가 되고 있으므로, 광변환효율을 향상시킬 수 있는 질화갈륨 태양전지의 투명전극을 제작하기 위해 구조와 제조 공정을 효과적으로 개선할 필요성이 있다.
따라서 광변환효율을 향상시킬 수 있는 질화갈륨 태양전지의 투명전극을 제작하기 위해 구조와 제조 공정을 효과적으로 개선할 필요성이 있다. 특히, 최근 각광받는 수직형(Vertical Type) 태양전지는, 전극을 수평 배치한 구조인 기존의 수평형(Horizontal Type) 태양전지에 비해 고전류에서 우수한 장점을 보이고 광효율, 고출력, 작동전압하강, 열 특성 면에서 우수한 다양한 장점을 갖고 있으므로, 수평형 태양전지 및 수직형 태양전지에 대한 위와 같은 구조 및 제조 공정 개선이 이루어진다면 더 효과적인 태양전지를 개시할 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 점진적인 굴절률을 갖는 투명전극을 이용한 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법은 태양전지 상부층에 점진적인 굴절률을 갖는 투명전극(광학박막)을 적층하여 광흡수를 향상시킴으로써 광변환효율을 증대시키는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 점진적인 굴절률을 갖는 투명전극을 이용한 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법은 간단하고 연속적인 박막 성장 공정으로 불순물의 개입 없이 광변환효율이 증대된 투명전극(광학박막)을 적층하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 태양전지는,
기판위에 순차적으로 적층되어 형성된 N형 화합물 반도체층, 진성 반도체층, P형 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 P형 화합물 반도체층 상에 형성된 투명전극, P전극 및 상기 N형 화합물 반도체층 상에 형성된 N전극을 더 포함하는 수평형 태양전지에 있어서, 상기 투명전극은, 상기 P형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 P전극에 가장 인접한 물질층까지의 각 물질층이 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 굴절률 조정부를 포함할 수 있다.
상기 굴절률 조정부는 적어도 하나 이상의 물질층을 포함하되, 상기 P형 화합물 반도체층 위로 형성되는 제1 물질층부터 차례로 적층되는 제N 물질층을 포함하며(N은 3이상의 자연수), 제(N-1) 물질층의 굴절률은 제(N-2) 물질층의 굴절률 이하이고, 제N 물질층의 굴절률 이상일 수 있다.
상기 물질층은 ZnS, TiO2, ZrO2, Ta2O5, ITO, MgO, HfO2, ZnO, SnO2, In2O3, GIZO, ITZO, Al2O3, SiO2, MgF2, CaF2, LiF 및 BaF2 중 적어도 하나가 증착되어 형성될 수 있다.
상기 물질층은 동일 물질을 포함하되, 상기 동일 물질은 Working Pressure에 의해 서로 상이한 굴절률을 가질 수 있다.
상기 N형 화합물 반도체층 및 상기 P형 화합물 반도체층은 GaN인 것을 포함하며, 상기 물질층은 상기 GaN의 굴절률과 공기의 굴절률 사이의 범위에서 차례로 적층될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 수직형 태양전지는,
N형 화합물 반도체층, 진성 반도체층, P형 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 N형 화합물 반도체층 상부에 형성된 N전극 및 상기 N형 화합물 반도체와 상기 N전극 사이에 투명전극을 더 포함하는 수직형 태양전지에 있어서, 상기 투명전극은, 상기 N형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 N전극에 가장 인접한 물질층까지의 각 물질층이 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 굴절률 조정부를 포함할 수 있다.
상기 굴절률 조정부는 적어도 하나 이상의 물질층을 포함하되, 상기 N형 화합물 반도체층 위로 형성되는 제1 물질층부터 차례로 적층되는 제N 물질층을 포함하며(N은 3이상의 자연수), 제(N-1) 물질층의 굴절률은 제(N-2) 물질층의 굴절률 이하이고, 제N 물질층의 굴절률 이상일 수 있다.
상기 물질층은 ZnS, TiO2, ZrO2, Ta2O5, ITO, MgO, HfO2, ZnO, SnO2, In2O3, GIZO, ITZO, Al2O3, SiO2, MgF2, CaF2, LiF 및 BaF2 중 적어도 하나가 증착되어 형성될 수 있다.
상기 물질층은 동일 물질을 포함하되, 상기 동일 물질은 Working Pressure에 의해 서로 상이한 굴절률을 가질 수 있다.
상기 N형 화합물 반도체층 및 상기 P형 화합물 반도체층은 GaN인 것을 포함하며, 상기 물질층은 상기 GaN의 굴절률과 공기의 굴절률 사이의 범위에서 차례로 적층될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 태양전지의 증착 방법은,
기판위에 순차적으로 적층되어 형성된 N형 화합물 반도체층, 진성 반도체층, P형 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 P형 화합물 반도체층 상에 형성된 투명전극, P전극 및 상기 N형 화합물 반도체층 상에 형성된 N전극을 포함하는 수평형 태양전지의 증착 방법에 있어서, 상기 태양전지의 P형 화합물 반도체층과 P전극 사이에 특정 굴절률을 띄는 물질층을 적층하는 단계; 및 상기 물질층을 적층하는 단계를 N번 반복하는 단계(N은 1이상의 자연수)를 포함하되, 상기 물질층을 적층하는 단계는 직류 마그네트론 스퍼터링 공정 또는 라디오 주파수 마그네트론 스퍼터링 공정을 통해 이루어지는 것을 포함하고, 상기 반복된 적층으로 형성된 각 물질층은, 상기 P형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 P전극에 가장 인접한 물질층까지가 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질층으로 이루어질 수 있다.
상기 물질층을 적층하는 단계는 상기 물질층의 두께 조건에 따른 빛의 흡수량을 고려하여 증착되는 단계를 포함할 수 있다.
상기 물질층을 적층하는 단계는 동일 물질이 Working Pressure에 의해 서로 상이한 굴절률을 가지며 증착되는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 수직형 태양전지의 증착 방법은,
N형 화합물 반도체층, 진성 반도체층, P형 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 N형 화합물 반도체층 상부에 형성된 N전극 및 상기 N형 화합물 반도체와 상기 N전극 사이에 투명전극을 더 포함하는 수직형 태양전지의 증착 방법에 있어서, 상기 태양전지의 N형 화합물 반도체층과 N전극 사이에 특정 굴절률을 띄는 물질층을 적층하는 단계; 및 상기 물질층을 적층하는 단계를 L번 반복하는 단계(L은 1이상의 자연수)를 포함하되, 상기 물질층을 적층하는 단계는 직류 마그네트론 스퍼터링 공정 또는 라디오 주파수 마그네트론 스퍼터링 공정을 통해 이루어지는 것을 포함하고, 상기 반복된 적층으로 형성된 각 물질층은, 상기 N형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 N전극에 가장 인접한 물질층까지가 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질층으로 이루어질 수 있다.
상기 물질층을 적층하는 단계는 상기 물질층의 두께 조건에 따른 빛의 흡수량을 고려하여 증착되는 단계를 포함할 수 있다.
상기 물질층을 적층하는 단계는 동일 물질이 Working Pressure에 의해 서로 상이한 굴절률을 가지며 증착되는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 점진적인 굴절률을 갖는 투명전극을 이용한 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법은 태양전지 상부층에 점진적인 굴절률을 갖는 투명전극(광학박막)을 적층하여 광흡수를 향상시킴으로써 광변환효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 점진적인 굴절률을 갖는 투명전극을 이용한 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법은 간단하고 연속적인 박막 성장 공정으로 불순물의 개입 없이 광변환효율이 증대된 투명전극(광학박막)을 적층할 수 있다.
도 1은 일반적인 질화물 기반의 수평형 태양전지 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 기반의 수평형 태양전지 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 일반적인 질화물 기반의 수직형 태양전지의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 기반의 수직형 태양전지의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 투명전극 박막 형성물질들의 굴절률 분포를 도시한 도면이다.
도 6은 투명전극 박막 형성 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 점진적인 굴절률을 갖는 투명전극을 이용한 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법은 가시광뿐만 아니라 적외선, 자외선 등 다양한 영역대의 파장을 흡수할 수 있는 투명전극을 태양전지 상부층에 형성시킴으로써, 넓은 범위의 파장을 흡수 가능하게 한다. 또한, 이와 더불어 상기 투명전극에 대한 굴절률 제어를 통해 공기(≒굴절률 1)와 III족 질화물 기반 태양전지(≒굴절률 2.5)사이에서 손실되는 광량을 최소한으로 하여, 흡수되는 광량을 증가시키는 구조를 갖는 태양전지를 제공할 수 있다.
상기 투명전극은 ZnS, TiO2, ZrO2, Ta2O5, ITO, MgO, HfO2, ZnO, SnO2, In2O3, GIZO, ITZO, Al2O3, SiO2, MgF2, CaF2, LiF 및 BaF2 등 GaN(≒굴절률 2.5)의 굴절률 보다 낮고 공기(≒굴절률 1)의 굴절률 보다 높은 상기 물질 중 선택된 적어도 하나 이상의 물질로 이루어진 광학 박막을 포함할 수 있다. 상기 물질을 투명전극 증착재료로 사용함으로써, 질화물 기반 태양전지의 상층부 구조를 선택적 식각하거나 별도로 소정의 구조물을 형성하여 입사광 비율을 늘리지 않아도 고투과, 고효율의 질화물 기반 태양전지 특성을 유지할 수 있다.
이에 더하여, 상기 물질의 적층은, 적층하려는 층의 광학 박막 굴절률 보다 낮고 공기의 굴절률보다 높은 물질 중에서 하나를 선택하여 그 위에 적층하는 것이 바람직하며, 이와 관련하여 도 2, 도4를 참고하여 아래에서 자세히 설명한다.
또한, 동일 물질이라도 working pressure의 변화에 따라 증착 속도(Deposition rate) 및 굴절률(Refractive Index)이 변화하므로, 이를 이용하여, 점진적인 굴절률을 갖는 투명전극(광학박막)층을 형성할 수도 있다. 일례로, MgF2 층 형성시 working pressure의 값에 따라 증착 속도 및 굴절률이 변화하므로, 이를 이용하여, 각 물질층이 MgF2 등 서로 동일한 물질로 이루어지더라도, 위와 같은 sputtering working pressure에 따른 굴절률 변화를 이용하여 점진적인 굴절률의 투명전극 물질층을(광학 박막)(110, 120, 130, 140) 형성할 수 있다. 상기 점진적인 굴절률의 투명전극 물질층(광학 박막)(110, 120, 130, 140)을 형성할 경우, 가시광 영역에서의 광학적 투과도가 85% 이상인 것이 바람직하며, 둘 이상의 Oxide 층을 포함할 수 있다.
상기 투명전극 박막은 박막 성장 장비로 증착되었을 때, 가시광 영역에서의 광학적 투과도가 85% 이상인 것이 바람직하며, 둘 이상의 Oxide 층을 포함할 수 있다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 자세히 상술한다.
도 1은 일반적인 질화물 기반의 수평형 태양전지 단면을 개략적으로 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이, 일반적인 질화물 기반의 수평형 태양전지는 기판위에 순차적으로 적층되어 형성된 un-doped GaN층, n형 GaN층, 진성 반도체층(광흡수층), p형 GaN층을 포함하며, 그리고 p형 GaN층 상에 형성된 P전극 및 Mesa etching을 통하여 일정 영역 노출된 n형 GaN층 상에 형성된 N전극을 포함할 수 있다. 이와 같은 구조의 태양전지는 p형 GaN층 상부에서 태양광을 흡수하고, 흡수한 에너지로 인해 진성 반도체층(광흡수층) 부근에서 전자와 정공으로 분리되어 전계에 따라 움직이며, 기전력 또한 발생하게 된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 기반 수평형 태양전지의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 기반의 수평형 태양전지는 기판상에 순차적으로 적층되어 형성된 un-doped GaN층, n형 GaN층, 진성 반도체층(광흡수층), p형 GaN층 및 Mesa etching을 통하여 일정 영역 노출된 n형 GaN층 상에 형성된 N전극을 포함하며, P전극(20)을 대상으로 광투과·반사 경로를 제공하는 점진적 굴절률을 갖는 굴절률 조정부(100)를 포함할 수 있다.
상기 굴절률 조정부(100)는 상기 태양전지의 P형 화합물 반도체층과 P전극 사이에 적층되는 적어도 하나 이상의 물질층으로써, 상기 P형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 P전극에 가장 인접한 물질층까지의 각 물질층이 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 것을 포함할 수 있으며, 상기 물질층이 GaN소자의 굴절률 2.5와 공기의 굴절률 1 사이의 범위에서 차례로 적층되는 것을 포함할 수 있다.
자세하게는, 상기 굴절률 조정부(100)는 상기 P형 화합물 반도체층에 가장 인접한 제1 물질층부터 차례로 적층되어, 상기 P전극에 가장 인접한 제N 물질층을 포함할 수 있다.(N은 3 이상의 자연수) 상기 물질층이 3개 이상인 경우, 제(N-1) 물질층의 굴절률은 제(N-2) 물질층의 굴절률 이하이고, 상기 제N 물질층의 굴절률 이상일 수 있으며, 이와 같은 구조 형성을 통해, 반사와 굴절의 법칙에 따라 입사되는 빛의 양을 증가시킬 수 있다.
또한, 상기 물질층이 1개 이상 3개 이하인 경우에도 P형 화합물 반도체층으로부터 적층될수록, 상기 P형 화합물 반도체층의 굴절률과 공기의 굴절률 사이에서 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 각 물질층을 포함할 수 있다.
상기 굴절률 조정부(100)는 직류 마그네트론 스퍼터링 공정 또는 라디오 주파수 마그네트론 스퍼터링 공정을 통해 형성될 수 있으며, 상기 굴절률 조정부(100) 내 물질층의 두께 조건에 따른 빛의 흡수량을 고려하여 증착될 수 있다.
도 3은 일반적인 질화물 기반의 수직형 태양전지 단면을 개략적으로 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이, 일반적인 질화물 기반의 수직형 태양전지는 일반적인 질화물 기반의 수평형 태양전지와 달리, 뒤집힌 질화물 반도체 층(12, 14, 15) 중 N형 GaN층(12) 상부에 형성된 N전극(22)을 포함하며, P형 GaN층 하부에 형성된 P-반사 전극(23)에 본딩 물질(24)을 도포한 뒤 캐리어 웨이퍼(33)를 장착한 것을 포함할 수 있다. 이와 같은 구조의 태양전지는 N형 GaN층 상부에서 태양광을 흡수하고, 흡수한 에너지로 인해 진성 반도체층(광흡수층) 부근에서 전자와 정공으로 분리되어 전계에 따라 움직이며, 기전력 또한 발생하게 된다.
위와 같은 구조의 수직형 태양전지는, 전극을 수평 배치한 구조인 기존의 수평형 태양전지에 비해 고전류에서 우수한 장점을 보이며, 광효율, 고출력, 작동전압하강, 열 특성 면에서 우수한 다양한 장점을 갖고 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 기반 수직형 태양전지의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 기반의 수직형 태양전지는 기판상에 형성된, N형 화합물 반도체층과 N전극 사이에, 광투과·반사 경로를 제공하는 점진적 굴절률을 갖는 굴절률 조정부(100)를 포함할 수 있다.
상기 굴절률 조정부(100)는 상기 태양전지의 N형 화합물 반도체층과 N전극 사이에 적층되는 적어도 하나 이상의 물질층으로써, 상기 N형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 N전극에 가장 인접한 물질층까지의 각 물질층이 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 것을 포함할 수 있으며, 상기 물질층이 GaN소자의 굴절률 2.5와 공기의 굴절률 1 사이의 범위에서 차례로 적층되는 것을 포함할 수 있다.
자세하게는, 상기 굴절률 조정부(100)는 상기 N형 화합물 반도체층에 가장 인접한 제1 물질층부터 차례로 적층되어, 상기 P전극에 가장 인접한 제L 물질층을 포함할 수 있다.(L은 1 이상의 자연수) 일례로 상기 물질층이 3개 이상인 경우, 제(L-1) 물질층의 굴절률은 제(L-2) 물질층의 굴절률 이하이고, 상기 제L 물질층의 굴절률 이상일 수 있으며, 이와 같은 구조 형성을 통해, 반사와 굴절의 법칙에 따라 흡수되는 빛의 양을 증가시킬 수 있다.
또한, 상기 물질층이 1개 이상 3개 이하인 경우에도 N형 화합물 반도체층으로부터 적층될수록, 상기 N형 화합물 반도체층의 굴절률과 공기의 굴절률 사이에서 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 각 물질층을 포함할 수 있다.
상기 굴절률 조정부(100)는 직류 마그네트론 스퍼터링 공정 또는 라디오 주파수 마그네트론 스퍼터링 공정을 통해 형성될 수 있으며, 상기 굴절률 조정부(100) 내 물질층의 두께 조건에 따른 빛의 흡수량을 고려하여 증착될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 투명전극 박막 형성물질들의 굴절률 분포를 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이, 각 물질에 따라 파장별로 굴절률이 상이함으로, 이를 이용하여, 상기 굴절률 조정부(100)를 구성할 수 있다. 일례로, 상기 굴절률 조정부(100)는 상기 P형 화합물 반도체층(≒굴절률 2.5)으로부터 차례로 적층된 ZrO2(≒굴절률 2.3) 물질층, HfO2(≒굴절률 2.0) 물질층, Al2O3(≒굴절률 1.8) 물질층, MgO(≒굴절률 1.78) 등을 포함할 수 있다. 이와 같은 구성을 통하여 스넬의 법칙에 따른 임계각을 최대화함으로써, P전극 층으로부터 입사되어 진성 반도체층까지 도달하는 빛의 양을 증가시켜 광변환효율을 향상시킬 수 있다. 이러한 각 물질층은, 투명전극 박막의 형성을 위한 장치 등을 통해 증착·형성될 수 있다.
도 6은 투명전극 박막 형성 장치를 개략적으로 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이, 투명전극 박막 형성 장치는 sputtering gun과 sputtering target을 사용할 수 있는 sputtering system을 포함할 수 있다. 상기 장치를 이용하여 점진적인 굴절률의 투명전극(광학 박막) 물질층(110, 120, 130, 140)을 형성하기 위해, 각 층 별 최적 굴절률에 맞추어, ZnS, TiO2, ZrO2, Ta2O5, ITO, MgO, HfO2, ZnO, SnO2, In2O3, GIZO, ITZO, Al2O3, SiO2, MgF2, CaF2, LiF, 및 BaF2 중 적어도 하나를 sputtering target으로 사용하는 것을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극 박막 및 태양전지를 이용하여, 질화물 기반 태양전지 p형 반도체 윗부분에 가시광, 적외선 및 자외선 영역의 거의 모든 빛을 투과할 수 있게 함과 동시에, 굴절률이 n=2.5에 가까운 TCEs(Transparent Conductive Electrodes)를 형성한 후, 순차적으로 공기의 굴절률(=1)과 가까운 물질(박막)을 상부층에 형성함으로써 빛의 흡수를 최대화하여 광변환효율을 증대하는 고효율 태양전지를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 광 투과성과 광 흡수 범위가 넓은 투명전극 증착재료를 사용함으로써, 질화물 기반 태양전지의 상층부 구조를 선택적으로 식각하거나, 별도로 소정의 구조물을 형성하여 입사광 비율을 늘리지 않고도 고투과, 고효율의 질화물 기반 태양전지를 개시할 수 있다. 자세하게는, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극 박막 및 태양전지에 의해, 질화물 기반 반도체 태양전지에서 광 투과·흡수시 상압에서의 공기와 반도체 물질 표면에서 굴절률의 차이로 생기는 광 흡수 및 반사 손실을 줄이고, 빛이 반도체 층 내부로 흡수되는 양을 증가시키는 점진적인 굴절률을 갖는 투명전극과 이를 구비하는 질화갈륨 기반 태양전지가 개시된다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극은 GaN(≒굴절률 2.5)의 굴절률 이하, 공기(≒굴절률 1)의 굴절률 이상인 물질 그룹 중에서 선택된 특정 굴절률을 갖는 제1물질층, 상기 제1물질층 위에 형성되는 것으로, 상기 제1물질층 굴절률 이하의 굴절률을 갖는 제2물질층 및 상기 제1물질층과 제2물질층 상부에 순차적으로 증착되는 것으로 제n물질층 쪽으로 올라갈수록 굴절률이 점차 감소하는 것을 특징으로 하는 점진적인 굴절률을 갖는 투명전극을 포함할 수 있으며, 이와 같은 점진적인 굴절률을 갖는 투명전극으로 인해 빛의 흡수를 증가시켜 광변환효율을 극대화시킨 고효율 태양전지를 제작할 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10 : 기판 11 : un-doped GaN층
12 : N형 GaN층 14 : 진성 반도체층(광흡수층)
15 : P형 GaN층 20 : P전극
21 : 본딩 패드 22 : N전극
23 : P-반사 전극 24 : 본딩 물질
33 : 캐리어 웨이퍼 100 : 굴절률 조정부
110 : 제1 물질층 120 : 제2 물질층140 : 제N 물질층

Claims (16)

  1. 기판위에 순차적으로 적층되어 형성된 N형 화합물 반도체층, 진성 반도체층, P형 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 P형 화합물 반도체층 상에 형성된 투명전극, P전극 및 상기 N형 화합물 반도체층 상에 형성된 N전극을 더 포함하는 수평형 태양전지에 있어서,
    상기 투명전극은,
    상기 P형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 P전극에 가장 인접한 물질층까지의 각 물질층이 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 굴절률 조정부를 포함하는 것을 특징으로 하며,
    상기 굴절률 조정부는
    적어도 하나 이상의 물질층을 포함하되,
    상기 P형 화합물 반도체층 위로 형성되는 제1 물질층부터 차례로 적층되는 제N 물질층을 포함하며(N은 3이상의 자연수),
    제(N-1) 물질층의 굴절률은 제(N-2) 물질층의 굴절률 이하이고, 제N 물질층의 굴절률 이상인 것을 특징으로 하고,
    상기 물질층은 동일 물질을 포함하되,
    상기 동일 물질은 Working Pressure에 의해 서로 상이한 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 수평형 태양전지.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 물질층은 ZnS, TiO2, ZrO2, Ta2O5, ITO, MgO, HfO2, ZnO, SnO2, In2O3, GIZO, ITZO, Al2O3, SiO2, MgF2, CaF2, LiF 및 BaF2 중 적어도 하나가 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 수평형 태양전지.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 N형 화합물 반도체층 및 상기 P형 화합물 반도체층은 GaN인 것을 포함하며,
    상기 물질층은 상기 GaN의 굴절률과 공기의 굴절률 사이의 범위에서 차례로 적층되는 것을 특징으로 하는 수평형 태양전지.
  6. N형 화합물 반도체층, 진성 반도체층, P형 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 N형 화합물 반도체층 상부에 형성된 N전극 및 상기 N형 화합물 반도체와 상기 N전극 사이에 투명전극을 더 포함하는 수직형 태양전지에 있어서,
    상기 투명전극은,
    상기 N형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 N전극에 가장 인접한 물질층까지의 각 물질층이 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 굴절률 조정부를 포함하는 것을 특징으로 하며,
    상기 굴절률 조정부는
    적어도 하나 이상의 물질층을 포함하되,
    상기 N형 화합물 반도체층 위로 형성되는 제1 물질층부터 차례로 적층되는 제N 물질층을 포함하며(N은 3이상의 자연수),
    제(N-1) 물질층의 굴절률은 제(N-2) 물질층의 굴절률 이하이고, 제N 물질층의 굴절률 이상인 것을 특징으로 하고,
    상기 물질층은 동일 물질을 포함하되,
    상기 동일 물질은 Working Pressure에 의해 서로 상이한 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 수직형 태양전지.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서,
    상기 물질층은 ZnS, TiO2, ZrO2, Ta2O5, ITO, MgO, HfO2, ZnO, SnO2, In2O3, GIZO, ITZO, Al2O3, SiO2, MgF2, CaF2, LiF 및 BaF2 중 적어도 하나가 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 태양전지.
  9. 삭제
  10. 제6항에 있어서,
    상기 N형 화합물 반도체층 및 상기 P형 화합물 반도체층은 GaN인 것을 포함하며,
    상기 물질층은 상기 GaN의 굴절률과 공기의 굴절률 사이의 범위에서 차례로 적층되는 것을 특징으로 하는 수직형 태양전지.
  11. 기판위에 순차적으로 적층되어 형성된 N형 화합물 반도체층, 진성 반도체층, P형 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 P형 화합물 반도체층 상에 형성된 투명전극, P전극 및 상기 N형 화합물 반도체층 상에 형성된 N전극을 포함하는 수평형 태양전지의 증착 방법에 있어서,
    상기 태양전지의 P형 화합물 반도체층과 P전극 사이에 특정 굴절률을 띄는 물질층을 적층하는 단계; 및
    상기 물질층을 적층하는 단계를 N번 반복하는 단계(N은 1이상의 자연수)를 포함하되,
    상기 물질층을 적층하는 단계는
    직류 마그네트론 스퍼터링 공정 또는 라디오 주파수 마그네트론 스퍼터링 공정을 통해 이루어지는 것을 포함하고,
    상기 반복된 적층으로 형성된 각 물질층은, 상기 P형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 P전극에 가장 인접한 물질층까지가 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질층으로 이루어진 것을 특징으로 하며,
    상기 물질층을 적층하는 단계는
    동일 물질이 Working Pressure에 의해 서로 상이한 굴절률을 가지며 증착되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 태양전지의 증착 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 물질층을 적층하는 단계는
    상기 물질층의 두께 조건에 따른 빛의 흡수량을 고려하여 증착되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 태양전지의 증착 방법.
  13. 삭제
  14. N형 화합물 반도체층, 진성 반도체층, P형 화합물 반도체층을 포함하며, 상기 N형 화합물 반도체층 상부에 형성된 N전극 및 상기 N형 화합물 반도체와 상기 N전극 사이에 투명전극을 더 포함하는 수직형 태양전지의 증착 방법에 있어서,
    상기 태양전지의 N형 화합물 반도체층과 N전극 사이에 특정 굴절률을 띄는 물질층을 적층하는 단계; 및
    상기 물질층을 적층하는 단계를 L번 반복하는 단계(L은 1이상의 자연수)를 포함하되,
    상기 물질층을 적층하는 단계는
    직류 마그네트론 스퍼터링 공정 또는 라디오 주파수 마그네트론 스퍼터링 공정을 통해 이루어지는 것을 포함하고,
    상기 반복된 적층으로 형성된 각 물질층은, 상기 N형 화합물 반도체층에 가장 인접한 물질층으로부터 상기 N전극에 가장 인접한 물질층까지가 점진적으로 낮은 굴절률을 갖는 물질층으로 이루어진 것을 특징으로 하며,
    상기 물질층을 적층하는 단계는
    동일 물질이 Working Pressure에 의해 서로 상이한 굴절률을 가지며 증착되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 태양전지의 증착 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 물질층을 적층하는 단계는
    상기 물질층의 두께 조건에 따른 빛의 흡수량을 고려하여 증착되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 태양전지의 증착 방법.
  16. 삭제
KR1020150040273A 2015-03-23 2015-03-23 점진적인 굴절률의 투명전극을 가진 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법 KR101677430B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150040273A KR101677430B1 (ko) 2015-03-23 2015-03-23 점진적인 굴절률의 투명전극을 가진 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150040273A KR101677430B1 (ko) 2015-03-23 2015-03-23 점진적인 굴절률의 투명전극을 가진 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160114244A KR20160114244A (ko) 2016-10-05
KR101677430B1 true KR101677430B1 (ko) 2016-11-22

Family

ID=57153806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150040273A KR101677430B1 (ko) 2015-03-23 2015-03-23 점진적인 굴절률의 투명전극을 가진 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101677430B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112020003968T5 (de) 2020-06-25 2022-05-12 Mikasa Corporation Lager für Antriebswelle eines Schiffes
DE102021006620A1 (de) 2021-09-06 2023-03-30 Yaue-Sheng Chang Einbauverfahren für ein solarpaneel für schrägdächer

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008096711A1 (ja) * 2007-02-06 2008-08-14 Hitachi Chemical Co., Ltd. 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール用波長変換型集光フィルム

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140036404A (ko) * 2012-09-13 2014-03-26 포항공과대학교 산학협력단 발광다이오드 및 그 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008096711A1 (ja) * 2007-02-06 2008-08-14 Hitachi Chemical Co., Ltd. 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール用波長変換型集光フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160114244A (ko) 2016-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108292688B (zh) 含氧化物纳米颗粒缓冲层的太阳能电池和制造方法
US7811633B2 (en) Optical absorber layers for solar cell and method of manufacturing the same
EP2469609B1 (en) Thin film solar cell
US20130206219A1 (en) Cooperative photovoltaic networks and photovoltaic cell adaptations for use therein
KR101000057B1 (ko) 다층 투명전도층을 구비한 태양전지 이의 제조방법
EP2293341A2 (en) Solar cell
US8779281B2 (en) Solar cell
JP2015095653A (ja) 太陽電池
KR102095100B1 (ko) 마이크로 광학 구조를 이용한 4단자 다중 접합 태양전지
US20140202515A1 (en) Booster films for solar photovoltaic systems
US20100044675A1 (en) Photovoltaic Device With an Up-Converting Quantum Dot Layer
KR101677430B1 (ko) 점진적인 굴절률의 투명전극을 가진 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법
US20110132455A1 (en) Solar cell with luminescent member
KR101283218B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
US20130042914A1 (en) Novel design of upconverting luminescent layers for photovoltaic cells
KR20130042785A (ko) 태양전지
KR101474487B1 (ko) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
WO2012029250A1 (ja) 並列光電変換積層デバイスとその直列集積光電変換装置
JP2005277181A (ja) 半導体装置の製造方法
CN102856421A (zh) 一种新型三结薄膜太阳能电池及其生产方法
JP2010272651A (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法
KR101103746B1 (ko) 태양전지 기판 및 그를 포함하는 태양전지
KR100861548B1 (ko) 박막형 태양전지와 그의 제조방법
JP2015207707A (ja) 太陽電池および太陽電池モジュール
KR20190141447A (ko) 박막 태양전지 모듈 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191105

Year of fee payment: 4