TW200846626A - Position measurement module, position measurement apparatus, stage apparatus, exposure apparatus, and method for manufacturing decive - Google Patents

Position measurement module, position measurement apparatus, stage apparatus, exposure apparatus, and method for manufacturing decive Download PDF

Info

Publication number
TW200846626A
TW200846626A TW097107836A TW97107836A TW200846626A TW 200846626 A TW200846626 A TW 200846626A TW 097107836 A TW097107836 A TW 097107836A TW 97107836 A TW97107836 A TW 97107836A TW 200846626 A TW200846626 A TW 200846626A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
mirror
detection
detecting
measurement
Prior art date
Application number
TW097107836A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Moroe
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of TW200846626A publication Critical patent/TW200846626A/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70275Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/03Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness by measuring coordinates of points
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02Interferometers
    • G01B9/02001Interferometers characterised by controlling or generating intrinsic radiation properties
    • G01B9/02002Interferometers characterised by controlling or generating intrinsic radiation properties using two or more frequencies
    • G01B9/02003Interferometers characterised by controlling or generating intrinsic radiation properties using two or more frequencies using beat frequencies
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02Interferometers
    • G01B9/02015Interferometers characterised by the beam path configuration
    • G01B9/02027Two or more interferometric channels or interferometers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02Interferometers
    • G01B9/02015Interferometers characterised by the beam path configuration
    • G01B9/02027Two or more interferometric channels or interferometers
    • G01B9/02028Two or more reference or object arms in one interferometer
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2290/00Aspects of interferometers not specifically covered by any group under G01B9/02
    • G01B2290/45Multiple detectors for detecting interferometer signals
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2290/00Aspects of interferometers not specifically covered by any group under G01B9/02
    • G01B2290/70Using polarization in the interferometer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

200846626时 九、發明説明: 【發明所屬之技術領域】 本發明疋關於一種適合用於具備移動體的裝置中的測 量該移動體位置的位置測量模組、具備該位置測量模組的 位置測量裝置、具備該位置測量裝置的曝光裝置以及使用 該曝光裝置的元件製造方法。 【先前技術】
當製造液晶顯示元件等顯示器元件(FPD,flat panel display)的情形時,使用的是投影曝光裝置,該投影曝光 裝置是經由投影光學系統,來將遮罩(mask)(標線片 (reticle),光罩(ph〇t〇mask)等)的圖案投影至塗佈著光 阻等的平板(玻璃板、半導體晶圓等)上進行曝光。
Ik著液晶顯示元件的大型化,平板也趨於大型化, 1,邊長大於等於lm的平板(玻璃基板)亦得到應用, 隨之,載置平板進行移動的平台的尺寸亦趨於大型化。平 台的位置測量’-般Μ,是使时射干料來實施,將 ,測光照射至設在平台上的移動鏡(窄長鏡)上,並使該 檢測光的反㈣與規定·準光產生干涉,料位置的傲 量成Γ,隨著平台尺寸大型化,移動鏡的“ 重新=方較到限制,故正在對干涉計系統進行 产方μ+Γ 動鏡窄長化便能對於與該移動鏡長 度方向尺寸概行程(树 t動鏡長 技術,眾所周知Μ㈣進位置測量的 的疋於平台的移動方向上相互分隔地配設 200846626f 乡個干涉計(檢測器)者(例如,參照日 開第祕25纖號公報)。技術 ^ 限制,能夠使至少-個干涉計的位置測=== 鏡:因此,能夠於比移動鏡長度方向的尺寸更長的= 測量與該移動方向正交的測量方向上的位置。仃私中 測量^設別對應於多個位置 問題。尤其是,當加長平:$ = = 以及成本高的 ♦位置測量轴,亦即,必’必須設置大量 —步出現的大型化。4大里干料,故難以應對進 【發明内容】 =發明找於此_題研製而成者,其目的在於 ==本 =動體的移動行程擴大的需求。 轉冬么月,^供一種位置測量模組 第1轴方向具有檢測 •峻,::i==辣測量轴中的每-個而 測光二:;=== 肢不同的構养卜的/、上述移動 個光路結=====照射基準光;多 鏡反射的上述檢測光的各彳入…丄、、丨里 對由上述移動 光路進行光路光的基準光路與上述檢測 7 pif 200846626 測結果,測量上述 件,== 二t:具有多個光路結合元 檢測光路進行光路結合里==反射的檢測光的各 的基準光路與檢測光路進行光路2基準光單元的基準光 的數量少於測量軸的數量。二’因此’可使檢測部 i檢測部的絲技術相tb,軸均設 馨魏成本化。尤其是,當移動巧間化,故能夠實 須增加檢測部的數量;3 = 2擴大的情形時,無 的數量,便可解決移動體‘程,(檢測,父 地且移!體_行程擴大 夠於第! ^方向量裝置’其是對能 脈弟1袖方向以及與該第!轴方向 二維方向上進行移動的移動體的位 ::2軸:向: 裝置,其包括多個測量轴,對上述第 2《位測里 行測量,並且分隔配置於上述第i轴方。上的位置進 體於上述第1軸方向上進行移動的:上’對上述移動 多個檢測部,面對上述多個測而^進行測量;以及 =Γ—測 置的低成本化。尤其是,當平台等移動體的行=f; 8 200846626lf 形時,雖需要大量的測量軸,但由於檢測部的數量小 此,<簡單地且以低成本來應對移動體的移動。二 口 需求。 仃秸擴大的 【實施方式】 以下,參照圖式,就本發明的實施形態加以 [第1實施形態] ϋ兄明。 圖1是表示本發明第i實施形態的曝光裝置
構的圖,圖2是表示圖i曝光裝置所具備的照明/… 的概略結構的圖。1¾曝光裝置為如下掃描柄光^糸= 為製造液晶顯示元件,而使遮罩M、感光劑塗佈二’二、 的平板(感光基板)P相對於投影光學系統PL I:面上 =且將形成於料Μ上的随的圖像逐次轉印^ 冉者 於从卜况明中,設定XYZ正交座杈 一 面參照該X υζ正交鋪纟.,—面朗各構件^ i ^一 圖1所示的XYZiL交座標系中,設為以由 』糸。
於紙面平行,X軸為相對於紙面垂直的方向。X = 平面為平行於水平面的面,= 向上的方向。又,於本實施形態中,掃描方向設為 圖1以及圖2中’i為作為光源的超高壓水銀燈,自 ^圖不的電祕收電力供給而發光。自超高壓水銀燈U 出的光由橢圓鏡2進行彙聚,並自各橢圓鏡2的第2隹點 的位置附近配置的“射部3a人射至光導3内。該光導^ 9 200846626>lf 光入射部3a入射的光暫時彙聚後進行均等 二成束出部3b射出的功能,例如是藉由使多個 4,於長度方向言:中射出的光透過聚先透鏡 進行照明。方向上的矩形照明區域内對遮罩Μ ㈣^ 藉由未圖不的馬達而於投影光學系統PL的
面内二維r動上微動,且保持在可於垂直於該光軸Ax的 一、,夕動以及細微旋轉的遮罩 來 ::構成為於曝光時可以值定速度於X方向上移動g 二固定著反射來自未圖示雷射干涉計的雷射 轉角一 u射m不)’遮罩平台5的二維位置以及旋 涉計以規定的解析度進行檢測。雷射干 ’面參照i射制部12’平台 T勺杨/貝J、、、σ果,一面根據來自主批告^ ==號,來驅動遮罩平台驅動部13,且對遮I;台5 的動作進行控制。 心m的圖細像,經由包含排般置於γ方向上 至ϋίΐ、學糸統PL1〜PL5的投影光學系統此而投影 光由配置於ΪΓ PL5。照賴平板p上的曝光 光圈進行敕投影光學系 '统PL1〜PL5中的視場光闌的 c,外形形狀為大致梯形。 於平板P上’藉由局部投影絲系統PL卜PL3、PL5 200846626, 形成有沿x方向排列的第1曝光區域,並藉由局部投影光 學系統PL2、PL4形成有沿Y方向排列於與第j曝光^域 =同的位置上的第2曝光區域。該些第i及第2曝光區域 為視場區域EA1〜EA5的等倍正像。 圖3是表示局部投影光學系統PL1〜pL5的視場區域 咖〜从5與遮罩M的平面位置關係。於遮罩%上,形
mpA,並以包圍該圖案?八區域的方式而形成有遮 ^ LSA。照明光㈣統n〜15,分购勻地對圖中由 線包圍的照明區域IA1〜ΙΑ5進行照明。於照明區域 =5_内,制著設在局部投影光學系統pLi〜肛 未圖示視場光_上述梯形視場區域⑽〜ea F 二EA卜EA3、EA5的上邊(_對平行邊中 :: = ^A2、EA4的上邊以對向的方式而配置。此時,^ =X方向、亦即沿掃描方向的視場區域ea】〜 總和於Y方向的任何位置中均始終保持固定不變的=度 :己置J梯形視場區域EA1〜EA5。其原因在於,當1使 曝先反區==^ 離的分散狀的第1曝氺s, 工间上刀 間,由充_曝光=====時 以此方式而在時間以及空間“,曝光’ 如圖1以及圖4所示,平板p保持於作為基板平台的 pif 200846626 二反!台6上。平板平台6於又方向(掃描方向)上具有 :行轾平板平。6於平台控制部12的控制下,由平板平 j動部14驅動,且在與投影光學系統孔的光轴Αχ垂 、穿声?進订二維定位,並且,於曝光時以規定 速度在X方向上移動。 平板:台6包括χ平台6χ,以可於 方式而設置在基座f金般、κ ^ 於V十A L (盤〕上;以及Y平台6Y,以可 =方向;L移動的方式而設置在X平台6Χ上。於γ平台 6Y上,雖省略圖示但設置著 〜 °
統&的練AX平行的=位於與投影光學系 ^ 十仃的方向(2軸)上、並且對平板P ^對於XY平面的傾斜進行調節的2平台,以及使平^ S細轉的平台(未圖示)f,平板p吸附保持二該 ,別包含線性馬達等的X方向二驅= :驅動部14Y’X平台直6x#t
X方向上移動,γ平台6YM w M14X而於 方向上移動。 猎由Y方向驅動部咐而於Y 如圖1所示,平板平台6的上表面上安 於移動鏡7的鏡面對向的位置上配 私動鏡7, 平台位置啦裝置丨6。如圖4 ^^射干涉計的 X軸垂直敝射鏡(=^7動/7包含具備與 轴垂直的反射面的平面鏡(移動鏡)7γ === 方向蚊在Υ平台6Υ上的〇^方⑽魅動鏡7Χ沿Υ 沿X方向固定在γ平台6γ 方^緣上’移動鏡7Υ 的-Υ方向侧的蠕緣上。 12 f 200846626 ^如圖4所示,平台位置測量裝置16包含具備雷射干涉 計=x干涉計單元16X以及γ干涉計單元16Y。X干涉 ^早=l6Xf X轴且對著移動鏡γχ而將雷射光束(檢測 光)照射至單一的位置測量軸17χ上,γ干涉計單元 =Υ軸且對著移動鏡7Υ而將雷射絲(檢測光)照射至 多個(此處為4條)位置測量轴17Υ1〜17Υ4上。Υ干涉 计單兀16Υ的多個位置測量軸17¥1〜17¥4在又轴方向上 的排列間隔’設成比移動鏡7γ的反射面的尺寸(X軸方 向上的尺寸)窄。又,Υ干涉計單元16Υ的各位置測量軸 1 一7Y1〜17Υ4中,奇數列的位置測量轴17Υ1與17Υ3之間 隔、以及偶數列的位置測量軸17¥2與πγ4之間隔,弩 各個檢測光無法同時照射至移動鏡7γ。藉由χ干涉=覃 το 16Χ來測量平板平台6(γ平台6γ)的χ座標,藉 ,計單元16Υ來測量平板平台6 (γ平台6γ)的^座 ^,該測量錢給至平#制部12。再者,關於丫干料 早το 16Y,隨後加以詳細描述。 v汁 平$平台6的二維座標’一直藉由平 16且以規定轉析絲進行檢測,表示藉 ;置16測量出的測量值(X座標、Y座標)的位二 =破輸出至平台控制部12,平台控制部12灸刀2 位置測量裝置16的測量結果,—面基於 面f、千台 的控制,來叙巫τ 、自主控制器10 役B動千板平台驅動部14, 的移動進行控制。 了十板+台6 又’如圖1所示,在早士 在千板千台6的上表面的一端安| 13
Pif 200846626 著=成有多種指標的指標板8,於指標板8的下方設著用 於空間圖像測量的空間圖像感應器9。空間圖像感:哭〇 CCD (Charge Coupled Device ^ ,經由作為一個指標而形成於指標板8中的光圈部,拍攝 空間圖像,且將該圖像信號輸出至本體控制部n。 , 本體控制部U對空間圖像感應器9所輪出的空間圖像 :::比度調節、邊緣萃取(Edge e細i〇n)、以及圖案 的I蓄圖像處理,算出形成於群财的位置測量用遮罩 置,並且算出用來校正投影光學系統PL中產 差的校準(calibration)值。本體γ制邻η麻械▽像 二Τι用來校正遮罩M的旋轉偏移的控制信號以 平板平台“㈣對定位等的控制 元^欠’參照圖5就平台位置測量裝置16 (γ干涉計單 的平台位二ΓΓΓ ° ^ 5是表示本發明第1實施形態 是於X方向县f構的平面圖。γ干涉計單元16Υ 域上測量ΥΜ 的平板平台6的χ方向的整個區 具備單的位置(座標值)的位置測量裝置,且 以及一對檢測部21a、21b仏丨,苗射,敢德雷射)20 傷檢光器的受^ b。檢測部21a、21b分別包括具 用單元更?有包含多個光學元件的基準光 双’、f光用單元D1、第2檢測光用單元D2、 14 200846626Lf 第^測光用單S D3、第4檢測光用單切及反射光 用早7LD5。此處,使用與奇數列的位置測量軸仍卜!爪 對應設置的第i檢測光用單元D1以及第3檢測光用單元 D3、基準光用單元R1、檢測部21a,來構成第工位置測量 模組,且使用與偶數列的位置測量轴17Υ2、17γ4對應設 置的第2檢測光用單元D2以及第4檢測光用單元= 準光用單元R1、檢測部21b,來構成第2位置測量模組= 基準光用單元R1具備偏光分光鏡Rla,角隅稜鏡 • (Corner Cube) Rib、1/4 波長板 Ric、Rld、Rle 以及固 疋鏡(反射鏡)RM。第1檢測光用單元D1具備偏光分光 鏡Dla、角隅稜鏡Dlb以及1/4波長板Die、Did,第2 檢測光用單元D2具備偏光分光鏡D2a、角隅稜鏡D2b、 1/4波長板D2c、D2d以及1/2波長板D2e。第3檢測光用 單元D3具備偏光分光鏡D3a、角隅稜鏡D3b以及1/4波 長板D3c、1/2波長板D3d,第4檢測光用單元D4具備偏 光分光鏡D4a、角隅稜鏡D4b、1/4波長板D4c以及1/2波 φ 長板D4e。反射光用單元D5具備偏光分光鏡D5a以及反 射鏡 D5b、D5c、D5d、D5e、D5f、D5g。反射鏡 D5b、D5c、 D5d、D5f、D5g為全反射鏡,反射鏡D5e為用於光路結合 的半反射鏡(half mirror )。 自雷射光源20沿+X方向射出的雷射光,入射至基準 光用單元R1的偏光分光鏡Rla,並根據其偏光成分而使得 偏光分離,且沿+X方向以及+Y方向射出。透射偏光分光 鏡Rla的P偏光成分由1/4波長板Rid轉換為圓偏光之 15 200846626>lf
後,被供給至配置於後段的第1檢測光用單元中 藉由偏光分光鏡Rla而沿+γ方向反射的s偏光 藉由1/4波長板Rlc而轉換為圓偏光,並作為基準光 考光)而照射到固定鏡RM中。藉由固定鏡R^而沿 向反射的反射光,再次由1/4波長板Rlc轉換為直^偏。 自1/4波長板Rlc巧沿-Y方向射出的光的偏光面相對 +Υ方向入射S 1/4 ;皮長板Rlc的光的偏光面旋轉9〇产: 再者,固定鏡RM,安裝於例如支撐投影光學系統η = 柱等不移動的固定設置的構件中。其中,固定鏡膽 定設於Y干涉計單元16Y的内部。 U 來自1/4波賊Rlc白仏線偏光入射至偏光分光鏡 Rla,且透過偏光分光鏡Rla ’藉由角隅棱鏡灿而Α+γ 方向反射’且再次透過偏光分光鏡Rla,藉幻/ ^
Rlc轉換為圓偏光’照射到固定鏡腹中。藉鏡^ =偏Y先方向反射的反射光’藉由1/4波長板Ric而二為 來自1/4波魏Rle的直線偏光,料 方向反射,並藉由1/4波長板r = ^ 光,藉由反射鏡⑽而沿心向反射,併入射=:: 鏡收,且根财偏絲分來進行料絲 D5a二的Si光以射至檢測部仏。由偏光分光鏡 作為美準^光成分,沿·Y方向反射至反射鏡收,並 …土旱先而入射至檢測部21b中。 16 200846626f 自基準光用單it R1的1/4波長板Rld射出的圓偏光, 入射至第1檢測光用單元D1的偏光分光鏡Dla,並根據 其偏光成分來進行偏光分離,且沿+χ方向以及+γ方向射 出。透過偏光分光鏡Dla的Ρ偏光成分由1/4波長板
Did 轉換為圓偏光後,供給至配置於後段的第2檢測光用單元 D2。 藉由偏光分光鏡Dla而沿+γ方向反射的8偏光成 分,藉由1/4波長板Die而轉換為圓偏光,並照射到移動 鏡7Y。藉由移動鏡7Y而沿_γ方向反射的反射光,再次藉 由1/4波長板Die而轉換為直線偏光。自ι/4波長板〇1£ 沿-Y方向射出的光的偏光面相對於沿+Y方向入射至U4 波長板Die的光的偏光面旋轉9〇度。 來自1/4波長板Die的直線偏光,入射至偏光分光鏡 Dla,透過偏光分光鏡Dla,並藉由角隅稜鏡Dlb而沿+γ 方向反射’透過偏光分光鏡Dla,由1/4波長板Die轉換 為圓偏光’照射到移動鏡7Y。藉由移動鏡7Y而沿·Υ方向 反射=反射光’藉由1/4波長板Die而轉換為直線偏光。 %來自1/4波長板Dlc的直線偏光,藉由偏光分光鏡Dla 而方向反射,並藉由反射光用單元D5的反射鏡D5d 而方向反射’進而,藉由反射鏡D5e而沿·Χ方向反 射,藉由偏光分光鏡D5a而沿著-γ方向反射,並作為第1 檢測光入射至檢測部2la。 自第1檢測光用單元D1的1/4波長板Did射出的圓 光’入射至第2檢測光用單元的偏光分光鏡D2a, 17 200846626pif 根據其偏光成分而使偏光分離,且沿著+X方向以及+γ方 向射出。透過偏光分光鏡D2a的Ρ偏光成分,藉由1/4波 長板D2d而轉換為圓偏光後,供給至配置於後段的第3檢 測光用單元D3。 藉由偏光分光鏡D2a而沿+Y方向反射的S偏光成 分,藉由1/4波長板D2c而轉換為圓偏光,且照射到移動 鏡7Y。藉由移動鏡7Y而沿-Y方向反射的反射光再次藉由 1/4波長板D2c而轉換為直線偏光。自1/4波長板D2c沿 ® 著-X方向射出的光的偏光面,相對於沿+Y方向入射至1/4 波長板D2c的光的偏光面旋轉90度。 來自1/4波長板D2c的直線偏光將入射至偏光分光鏡 D2a中,透過偏光分光鏡D2a,藉由角隅稜鏡D2b而沿+γ 方向反射’透過偏光分光鏡D2a,藉由1/4波長板D2c轉 換為圓偏光,照射到移動鏡7Y上。藉由移動鏡7γ而沿_γ 方向反射的反射光,藉由1/4波長板D2c而轉換為直線偏 光。 % 來自1/4波長板D2c的直線偏光,藉由偏光分光鏡D2a 而沿-X方向反射,並藉由1/2波長板D2e使其偏光面旋轉 90度。該光透過第1檢測光用單元D1的偏光分光鏡Dia, 藉由反射鏡D5d而沿-Y方向反射,進而,藉由反射鏡D5e 而沿-X方向反射,透過偏光分光鏡D5a,藉由反射鏡D5c 而沿-Y方向反射,並作為第2檢測光入射至檢測部21b。 自第2檢測光用單元的1/4波長板D2d射出的圓 偏光,入射至第3檢測光用單元D3的偏光分光鏡D3a, 18 200846626 且根據其偏光成分而進行偏光分離,沿著+χ方向以及+γ 方向射出。透過偏光分光鏡D3a的ρ偏光成分,藉由1/2 波長板D3d而使其偏光面旋轉9〇度之後’供給至配置於 後段的第4檢測光用單元D4。 藉由偏光分光鏡D3a而沿+Y方向反射的s偏光成 分,藉由1/4波長板D3c而轉換為圓偏光,照射到移動鏡 7Y。且藉由移動鏡7Y而沿_xs向反射的反射光,再次藉 由1/4波長板D3c而轉換為直線偏光。自1/4波長板D3c 沿著-Y方向射出的光的偏光面,相對於沿著+γ方向入射 至1/4波長板D3c的光的偏光面旋轉9〇度。 來自1/4波長板D3c的直線偏光入射至偏光分光鏡 D3a,並透過偏光分光鏡D3a,藉由角隅稜鏡D3b而沿+γ 方向反射,透過偏光分光鏡D3a,藉由1/4波長板D3c而 轉換為圓偏光,照射到移動鏡7Y。藉由移動鏡7γ而沿_γ 方向反射的反射光,藉由1/4波長板D3e而轉換為直線偏 光。 來自1/4波長板D3c的直線偏光,藉由偏光分光鏡D3a 而沿-X方向反射,並藉由反射鏡D5f而沿_γ方向反射, 進而,藉由反射鏡D5g而沿-X方向反射,並透過反射鏡 D5e,藉由偏光分光鏡D5a而沿-Y方向反射,作為第3檢 測光入射至檢測部21a。 自第3檢測光用單元D3的1/2波長板D3d射出的直 線偏光(S偏光)入射至第4檢測光用單元D4的偏光分光 鏡D4a,藉由偏光分光鏡D4a而沿γ方向反射。再者,此 19 200846626>lf 處,由於第4檢測光用單元D4之後段並未設置其它檢測 光用單元,因此,雖然已藉由第3檢測光用單元D3的1/2 波長板D3d轉換為直線偏光(s偏光),但於後段進而設置 著其匕檢测光用單元的情形時,亦可代替1/2波長板D3d 而設置1/4波長板.,將透過偏光分光鏡D3a的p偏光成分 藉由1/4波長板而轉換為圚偏光之後,供給至該第$檢測 光用單元D4。 藉由偏光分光鏡D4a而沿+Y方向反射的光(S偏光成 分)’藉由1/4波長板D4c而轉換為圓偏光,照射到移動鏡 7Y。由移動鏡7Y沿-Y方向反射的反射光,再次藉由1/4 波長板D4c而轉換為直線偏光。自1/4波長板D4c沿-Y方 向射出的光的偏光面,相對於沿著+γ方向入射至1/4波長 板D4c的光的偏光面旋轉90度。 來自1/4波長板D4c的直線偏光入射至偏光分光鏡 D4a ’透過偏光分光鏡D4a,藉由角隅稜鏡D4b而沿+Y方 向反射,透過偏光分光鏡D4a,藉由1/4波長板D4c轉換 為圓偏光,照射到移動鏡7Y。藉由移動鏡7Y而沿-Y方向 反射的反射光耩由1/4波長板D4c而轉換為直線偏光。 來自1/4波長板D4c的直線偏光,藉由偏光分光鏡D4a 而沿-X方向反射,且藉由1/2波長板D4e使其偏光面旋轉 90度。該光透過第3檢測光用單元D3的偏光分光鏡D3a, 籍由反射鏡D5f而沿-Y方向反射,進而藉由反射鏡D5g 而沿-X方向反射,透過反射鏡D5a,進而透過偏光分光鏡 D5a,藉由反射鏡D5c而沿-Y方向反射,作為第4檢測光 20 200846626f 設置著=j = 2lb。再者,於第4檢測光用單元D4之後段 鏡D5e同光用單元的情形時,使反射鏡D5§與反射 用於光路結合的半反射鏡。 D4,分別的第1〜第4檢測光用單元D1〜 而配置,=^、圖4所示的4條位置測量轴17Y1〜17Y4 台6位於^位置測量軸17Y1〜17Y4配置為,當平板平 第1〜第4 向上的所有行程中的任何之處時,均能夠自 昭射檢心檢測光用單元D1〜W的至少一個對移動鏡7Υ 動鏡7丫的反^處’各位置測量車由17¥1〜17¥4,以比移 並且,以面的長度方向尺寸更窄的間隔進行排列, 且以比f 3條撿測光無法同時照射到移動鏡7Υ的方式, 隔進行2鏡度方向(χ方向)的尺寸略窄的間 χ方向上、糟此,Υ干涉計單元16Υ可於平板平台6的 向上i位Γ有行程(整個移動範圍)中,測量其於以 17Y1^各檢測光用單元D1〜D4而射出至各位置測量軸 ^】a、17Y4上的各檢測光之中的奇數列的檢測光、亦即 L則用單元D1以及第3檢測光用單元D3中射出的 二力二動鏡7Y反射的反射光,入射至檢測部21心檢 、a藉由對因該反射光及同時入射的基準光的干涉所 、的干涉條紋進行檢測,而測量出移動鏡7Y的Y方向 上的位置、亦即平板平台β的γ方向上的位置。又,藉由 用單元m〜D4而射出至各位置測量轴17γι〜 7Υ4上的各檢測光之中的偶數列的檢測光、亦即第2檢測 21 200846626pif 光用單元D2以及第4檢測光用單元D4中 移動鏡7Y反射岐射光,人紅檢測部檢測光自 藉由對因該反射光及同時入射的基準光的干=部叫 涉條紋進行檢測,而測量移動鏡7γ的γ方 生的干 亦即平板平台6的γ方向上的位置。 的位置、
對於入射至檢測部21a的檢測光是第丨檢 D1射出的檢測光、還是第3檢測光用單元切射出的= 光,或者,入射至檢測部21b的檢測光是第2 丄欢測 :射出,檢,還是第4檢測光用^ 測先’可猎由平台控制部12對由干涉計單元破檢^ ^平^平台6於Χ方向上的座標值、與各檢測光用單元 m〜D4的位置測量軸17Υ1〜17Υ4於χ方向上的位 行比較來進行識別。 又,平台控制部12,例如於圖4所示的狀態中, 台6Υ沿著+χ方向移動的情形時,將以位置測量輛17幻 射出的檢測光為依據而由檢測部21&測量出的測量值,更 換為如下減值,該初始值為檢測部21b以隨著移動鏡 移動而與位置測量軸簡上的檢測光科照射移動鏡7γ 的位置測量軸17Υ2上的檢測光為依據的制量值的初始 值(進行初始设定)。以後的位置測量軸l 7Y2盥丨乃^ 位置測量轴ΠΥ3與17Υ4亦相同。將前段的位置測量輛上 的测里值、亦即更換歧行㈣的檢測部的測量值,更 ,後段的位置測量軸上的測量值的初始值、亦即轉換後繼 續進行測量的檢卿的測量_初始值的卵如下所述。 22 200846626 Z / 3 1 〇pif 即,此種測量裝置是測量 的相對移動量的測量裝置,二=位1另-位置移動 移Γ光而無法獲知此時的平台位置。隨著 使得即便』=可藉由重複進行相同的更換順序,而 各位置測量軸17Y1,中= it處二,3由r台控制部心進行,平台控二 值’對平板平台“咖進行控制。;&== 21a、21b中的哪一的測量值 p Α測4
的位置資誠進行控制。 土於X干涉計單元16X ,者’上述第1實施形態中,對於又干 2出單轴檢測光’就γ干涉計單元附 I Γ 樣而使用射出多軸檢測光者。 ,於上“ 1貫麵態巾,基準_單 1示,配置於雷射光源20與第1檢測光用單元Dl =
-己,但不僅限於此,例如,亦可配置於平面W 2檢測光用單元D2與第3檢測光用單元m之間^ = 將基準光料元幻如此配置於第2檢測絲單元從= 23 200846626)if 3檢測光用單SD3之間’而相互縮小各第i〜第 用單兀D1〜D4射出的檢測光的光路長與基準光^ 射出的基準摘姐長之各光路長差值的差異,從而可抑 Ζ:,1起的測量精度的單元間差值(位置測量軸 队.丄4示i貝%形恶的平台位置測量裝置,
=有比移域長度方向尺寸更錢行程的平台,亦可於= ::區域内進行位置測量。因此,即便為了移動大型平板 “二 I:平形 =度的小型移動鏡,因而,可實現平台的輕量化= i π死形態,將 ί雷射光,分配給第1〜第_絲單s m Di源= 為檢測光射出至多個位置測量軸17γι〜ΐ7γ ·、,亚作 ,測光通·動鏡7Y反射較射光巾 ’ 置模組的奇數列第丨及第3檢測 位置測 光由檢測部21a檢測,構成第2位 、3的反射 =檢測光用單元D2,的反射:由 。。因此’可错由兩個檢測部檢: 軸17YWHY4),故而, (位置測量 一步實現了低成本化。 "°早疋16Υ結構簡略,進
又’即便於進一步擴 數列的情形中追加與第J 大平台行程的情形時,亦可於奇 檢測光用單it m相同的單元^ 24 200846626, 量模組的構成單元,而於偶數列的情形中追 力/、弟2 &測光用單元d2相同的單 槿扭的播+抑- 〕早兀作為罘2位置測置 t'、r it70,以此來應對’而錢增加檢測部的數量。 ,可間單地且以低成本來靈活地應 大。如此,對於載置大型基板、尤 ^十/仃㈣擴 ^ 4C ΛΑ τ , 土败兀具疋基板外徑超過500 mm 有二裝置或者進行圖案曝光的曝光裝置而言較為 [第2實施形態] _其次,參照圖6說明本發明的第2實施形態。圖5所 =「構中’自雷射光源】射出的雷射光,藉由偏光分光 =a Dla〜D3a而分別以5〇%的比率進行偏光分離,並 /刀配給基準光用單元R1以及第1〜第4檢測錢單元D1 /4。因此’隨著進入後段的檢測光用單元,檢測光的能 里(功率、光量)將會下降。本發明的第2實施形態,將 對此問,進行改善,使由鮮光料元R1射出的基準光、 以及由第1〜第4檢測光用單元D1〜D4射出的各檢測光 的功率相互均等。再者,對於與圖5實質相同的結構部分, 賦予相同符號,並省略其說明。 於圖6中,自雷射光源2〇射出的雷射光,入射至反射 80%入射光而使20%入射光透過的部分透射鏡22a,該透 射光將入射至基準光用單元R1的偏光分光鏡Rla。部分透 射鏡22a的反射光,藉由全反射鏡23a而反射,而入射至 反射25%入射光而使75%入射光透過的部分透射反射鏡 22b。部分透射鏡22b的反射光藉由全反射鏡23b而反射, 200846626pif 且供給至第1檢測光用單元D1的偏光分光鏡Dla。透過 部分透射鏡22b的透射光入射至反射33%入射光而使67% 入射光透過的部分透射鏡22c。
部分透射鏡22c的反射光藉由全反射鏡23c而反射, 且供給至第2檢測光用單元D2的偏光分光鏡D2a。透過 部分透射鏡22c的透射光入射至反射入射光而使 入射光透過的部分透射鏡22d。部分透射鏡22d的反射光 藉由全反射鏡23d而反射,且供給至第3檢測光用單元D3 的偏光分光鏡D3a。透過部分透射鏡22d的透射光,藉由 全反射鏡22e、23e而分別反射,且供給至第4檢測光用單 元D4的偏光分光鏡D4a。 可猎由採用如此結構,而將來自雷射光源2〇的射出光 為單位來用作鲜絲及各檢縣。再者,當追加 =光用單元的情形時,對於部分透射鏡22a〜⑽以及追 i 的透料可減其數㈣適纽定,藉 問,可葬二2及各檢測光的功率均等。再者,毫無疑 的透2 =3單元的構成數量’來改變部分透射鏡 2lb 1 = _量。又’若在可由各檢測部2ia、 檢測光的光量範圍内’則無須使卿 [第3實施形態] ίϊ第參及圖8說明本發明的第3實施形態。 沿X轴如圖4所示,就χ干涉計單元欣 對早一位置測量軸爪上照射雷射光束(檢測光) 26 200846626
—* I 進行了說明,而該第3實施形態中,如圖7所示,利用X 干涉計單元16X,不僅對相當於圖4的位置測量軸17X的 位置測量軸17X1,而且亦對與其相鄰的位置測量軸17X2 上知、射雷射光束(檢測光)。
該追加的位置測量軸ΠΧ2是為了檢測出Y平台6Y 圍繞Z轴的細微旋轉角而設置。檢測出的γ平台6Y的細 微旋轉角被供給至平台控制部12,用來使Y平台6Y保持 適當的姿態,並且用於下述的位置测量軸間的初始值轉換 時的該初始值的設定中。 再者,上述第1施形態、第2實施形態以及下述第4 貫施形態中,亦可採用圖7所示的又干涉計單元16又,來 檢測Y平台6Y圍繞z軸的細微旋轉角,以此實施姿態控 制或交付處理。 琢弟3實施形態中 人 一 Y十涉皁兀16Y構成為如吗 斤不。上述第1或者第2實施形態中,於第1〜第4檢測 光用單元D1〜D4中設置一個基準光用單元R1,將由固定 鏡RM反射的基準光分配給檢測部21a以及檢測部训。 相f後此’該第3實施形態的不同之處在於,於代替第! 〜第4檢測光用單元D1〜D4而使 用單元D11〜D14中,八則乐弟4铋測先 以下刀別—體地設置著基準光用單元。 以下’就该結構加以詳细古穿日jg 相同的⑽部分,者,對於朗5或圖6 則的、、口稱口Ρ刀,賦予相同符號 Υ干涉計單it ι6γ*上,略其既明。 是於平板平台6的向上=1或第2實施形態相同, 方向上的整個行程區域 27 200846626pif 的位置(座標值)進行測量的位置測量裝置,且 (射出)直線偏光的雷射光源(例如,He_Ne *射 以及-對檢測部21a、2.Y干涉計單元16γ進田而呈備分 別包含多個光學元件的第i〜第4檢測光用單元㈣〜胞
=反射光用單it。此處,使用與奇數列位置測量轴 ΠΥ卜17Y3對應設置的第}及第3檢測光用單元皿、 D13與檢測部21a,來構成第η立置測量模組,且使用盥 偶數列位置測量軸ΠΥ2、17Υ4對應設置的第2及第4檢 測光用單元D12、D14與檢測部21b,來構成第2位 量模組。 第1檢測光用單元D11具備偏光分光鏡Dla、角隅棱 鏡Dlb、1/4波長板Die、半反射鏡Dlf、快門如以及固 定鏡RM〗,第2檢測光用單元D12具備偏光分光鏡胁、 角隅稜鏡D2b、1/4波長板D2c、半反射鏡D2f、快門sh2 以及固定鏡RM2。第3檢測光用單元Dl3且備 咖、_鏡腸、1/4波長板取、枝 門Sh3以及固定鏡RM3,第4檢測光用單元dm具備偏 光分光鏡D4a、角隅稜鏡D4b、1/4波長板D4c、半反射鏡 D4f、快門Sh4以及固定鏡RM4。反射光用單元具備反射 鏡 D6a〜D6h。反射鏡 D6a、D6b、D6C、D6d、D6g、D6h 為全反射鏡,反射鏡D6e、D6f為作為光路結合元件的半 反射鏡。快門Shi〜Sh4為如下選擇的照射機構,其藉由 根據其作動來選擇性地打開/阻斷基準光的光路’從擇 性地使光對固定鏡RM1〜RM4進行照射/不照射。再者, 28 200846626, 第1〜第4檢測光用單元Di 1〜dm亦可分別如下所述作 為基準光用單元而發揮作用。 於各偏光分光鏡Dla〜D4a的前段(雷射光源侧),分 別配置著作為光量調節機構的1/2波長板25a〜25d。在1/2 波長板25a的更前段、以及1/2波長板25c的更前段中, 分別配置著頻率調變器(例如,A〇M : Ac〇ust卜〇ptic
Modulator,聲光調變器)24a、24b。該些頻率調變器24a、
24b是使透過的光的頻率產生規定量變化(偏移)者。再 者’此處,雖設置著兩個頻率調變器24a、24b,但亦可省 略頻率調變器24a,而僅設置頻率調變器24b。設置如此的 頻率调變器24a、24b的目的在於,使檢測光輿基準光產生 頻率i,以便檢測部21a、21b進行外差(heter〇办此)檢 測0 自田射光源Lsl沿+X方向射出的直線偏光即雷射 光,由頻率調變器24a使其頻率產生規定量的偏移,並藉 2 1/2波練25a使其偏光峻轉翻角度後,人射至第工 j光用單SDU的偏光分光鏡η·—-·。!/〕 板25a所引起的偏光面的旋轉角度以如下方式設定, 偏光分光鏡Dla而根據該偏光面的角度進行 圍繞長板2進行旋轉,而使雷射光源Lsl 板25a行方疋車,於"亥h形時,亦可省略配置 1/2'波長 藉由偏光分光鏡Dla 而沿+Y方向反射的S偏光成 29 200846626pif ί Dff由:’、1ί長板Dlc轉換為圓偏光,併入射至半反射 鏡Dlf。遗解反射鏡Dlf攸作為撿 ” +反射 鏡7Y,並藉由移動鏡7γ而沿_γ方向反射,透ς半=動 MD1C ° i I/:皮長板ί)Γ考·Y方向射出的光的偏光面,相對於藉由 白】Λ Γ沿+γ方向射出的光的偏光面旋轉90度。
光於m ΐί Dle沿著·Υ方向射出㈣,透過偏光分 先鏡Dla,错由角隅稜鏡mb而沿+γ方向反射 ::光分,鏡Dla ’並藉由1/4波長板mc而轉換“偏 先後,入射至半反射鏡Dlf。透過半反射鏡Dif的光作 檢測光再次照射到移動鏡7Υ,藉由移動鏡7γ而沿_γ方向 反射,透過半反射鏡Dlf,再讀由1/4波餘mc而二 換為直線偏光。 # 來自該1/4波長板Dlc的光,藉由偏光分光鏡Du而 沿-X方向反射,藉由反射鏡D6a而沿-Y方向反射,進而 藉由反射鏡D6e而沿-X方向反射後,作為第i檢測光入射 至檢測部21a。 另一方面,藉由半反射鏡Dlf而沿+X方向反射的光, 於快門Shi開啟的情形時,作為基準光而照射至固定鏡 R】VQ,藉由固定鏡RM1而沿-X方向反射,並藉由半反射 鏡Dlf而沿-Y方向反射後,再次藉由1/4波長板Dle而轉 換為直線偏光。 t 來自該1/4波長板Die的光,透過偏光分光鏡Dla, 藉由角隅稜鏡Dlb而沿+γ方向反射,再次透過偏光分光 30 200846626f 鏡Dla,並藉由1/4波長板Dlc而轉換為圓偏光後,入射 至半反射鏡Dlf。藉由半反射鏡Dlf反射的光於快門Shl ,啟的情形時,作為基準光而再次照射到固定鏡化%^,並 藉由固定鏡RM1而沿_χ方向反射,藉由半反射鏡而進 行反j後,再次藉由1/4波長板Dlc而轉換為直線偏光。 來自邊1/4波長板Dlc的光,藉由偏光分光鏡Dla而 /口-X方向反射,藉由反射鏡D6a而沿_γ方向反射,進而 藉由反射鏡D6e而沿·Χ方向反射後,作為第i基準光入射 至檢測部21a。 其次,透過偏光分光鏡Dla的偏光成分,藉由1/2波 長板2:>b而使其偏光面旋轉預期角度,入射至第2檢測光 用單元D12的偏光分光鏡D2a。1/2波長板25b所引起的 偏光面的旋轉歧是以如下方式設定,於f射光藉由偏光 分光鏡D2a而根據該偏光面的角度進行偏光分離時,該雷 射光的33%被反射而使67%透過。 田 藉由偏光分光鏡D2a而沿+Y方向反射的8偏光成分 的-部分,與藉由偏光分光鏡Dla而反射的s偏光成分同 樣,經由1/4波長板D2C、半反射鏡D2f、偏光分光鏡 以及角隅稜鏡D2b,作為檢測光而照射到移動鏡7γ。繼 而’藉由,動鏡7Υ而經過第二次反射的光,透過半反射 鏡D2f,藉由1/4波長板D2c而轉換為直線偏光,並藉由 偏光分光鏡D2anx方向反射,並藉由反射鏡膽曰而 沿-Y方向反射,進而藉由反射鏡D6f而沿_χ方向反射後, 作為第2檢測光入射至檢測部21b。 31 20084662631f 藉由偏光分光鏡D2a反射的S偏光成分中的藉由半反 射鏡D2f而沿+χ方向反射的光,於快門Sh2開啟的情形 時,作為基準光照射到固定鏡RM2。其後,與藉由半反射 鏡Dlf反射的光同樣,經由半反射鏡D2f、1/4波長板D2c、 偏光分光鏡D2a以及角隅稜鏡D2b,而作為基準光再次照 射到固定鏡RM2。繼而,藉由固定鏡RM2經過第二次反 射的光,藉由半反射鏡D2f進行反射,並藉由1/4波長板 D2c而轉換為直線偏光,藉由偏光分光鏡D2a而沿_X方向 反射,並藉由反射鏡D6b而沿-Y方向反射,進而藉由反射 鏡D6f而沿-X方向反射後,作為第2基準光入射至檢測部 21b 〇 其次,透過偏光分光鏡D2a的P偏光成分,藉由頻率 調變器24b而使其頻率偏移規定量,藉由1/2波長板25c 使該偏光面旋轉預期角度後,入射至第3檢測光用單元 D13的偏光分光鏡D3a。1/2波長板25e引起的偏光面的旋 轉角度設定為,於雷射光藉由偏光分光鏡D3a並根據該偏 光面的角度進行偏光分離時,該雷射光的5〇%被反射而使 50%透過。再者,將頻率調變器2牝引起的頻率偏移量設 定為與頻率調變器24a引起的頻率偏移量不同之量。 藉由偏光分光鏡D3a而沿+γ方向反射的s偏光成分 的一部分,與藉由偏光分光鏡Dla反射的s偏光成分同 樣,經由1/4波長板D3c、半反射鏡D3f、偏光分光鏡D3a 以及角隅稜鏡D3b,而作為檢測光兩次照射至移動鏡7γ。 %而,藉由移動鏡7Υ經過第二次反射的光,透過半反射 32 200846626 鏡D3f,且藉由1/4波長板D3c而轉換為直線偏光,並藉 由偏光分光鏡D3a而沿-X方向反射,藉由反射鏡D6c而 沿-Y方向反射,進而藉由反射鏡D6g而沿-X方向反射, 並透過反射鏡D6e後,作為第3檢測光入射至檢測部21 a。 藉由偏光分光鏡D3a反射的S偏光成分中的藉由半反 射鏡D3f而沿+X方向反射的光,於快門sh3開啟的情形 時,作為基準光照射至固定鏡RM3。其後,與藉由半反射 鏡Dlf反射的光同樣,經由半反射鏡D3f、l/4波長板D3c、 偏光分光鏡D3a以及角隅稜鏡D3b,而作為基準光再次照 射至固定鏡RM3。繼而,藉由固定鏡RM3經過第二次反 射的光,藉由半反射鏡D3f進行反射,藉由1/4波長板]〇沘 而轉換為直線偏光,並藉由偏光分光鏡D3a而沿_χ方向反 射,藉由反射鏡D6c進行反射,進而藉由反射鏡D6g而沿 •X方向反射,進而透過反射鏡D6e後,作為第3基準光入 射至檢測部21a。 Λ 其次,透過偏光分光鏡D3a的P偏光成分,藉由1/2 響技板!5d而使其偏光面旋轉翻歧後,人射至第4檢 測光用單7L D14的偏光分光鏡D4a。將1/2波長板25d引 ,的偏光_旋轉角度設定為,使人射至偏光分光鏡⑽ 中的光100%反射。 藉由偏光分光鏡D4a而沿+Y方向反射的s偏光成分 择:P刀’與藉由偏光分光鏡Dla反射的s偏光成分同 由Μ波長板⑽、半反射鏡D4f、偏光分光鏡D4a _鏡mb’而作為撿測光二次照射至移動鏡7γ。 33 200846626pif 繼而,藉由移動鏡7Y經過第二次反射的光,透過半 鏡D4f,藉由1/4波長板D4e而轉換為直線偏光,並萨射 偏光分光鏡D4a而沿方向反射,藉由反射鏡D6d而=^ 方向反射,進而藉由反射鏡D6h而沿_X方向反射,並=、馬 反射鏡D6f後,作為第4檢測光入射至檢測部2比。過 藉由偏光分光鏡D4a反射的S偏光成分中的藉由半反 射鏡D4f而沿+X方向反射的光,於快門Sh4開^的情形 B守,作為基準光照射至固定鏡RM4。其後,與藉由半反射 春 鏡Dlf反射的光同樣,經由半反射鏡D4f、l/4波長板D4c'、 偏光分光鏡D 4 a以及角隅稜鏡D 4 b,而作為基準光再次照 射至固定鏡RM4。繼而,藉由固定鏡RM4經過第二次反 射的光,藉由半反射鏡D4f進行反射,藉由1/4波長板D4c 而轉換為直線偏光,並藉由偏光分光鏡D4a而沿_χ方向反 射,藉由反射鏡D6d而沿-γ方向反射,進而藉由反射鏡 D6h而沿-X方向反射,並透過反射鏡D6f後,作為第4基 準光入射至檢測部21b。 # 再者’當第4檢測光用單元D14之後段(雷射光源的 相反側)設置著其它檢測光用單元的情形時,反射鏡D6g 以及反射鏡D6h,與反射鏡D6e或反射鏡D6f同為作為光 路結合元件的半反射鏡。又,對於藉由1/2波長板25a〜25d 设定的對應於第1〜第4檢測光用單元D11〜D14的分支 光量比,根據追加的檢測光用單元的單元數而適當變更。 各檢測光用單元Ό11〜;[>14的快門§hl〜Sh4的作動 (開啟或關閉),根據平板平台6 (γ平台6γ)的χ軸方 34 200846626, 拳 向上的位置而由平台控制部ί2來控制。具體而言,平台控 制部12基於X干涉計單元16χ的測量值,來適當地 對移動鏡7Υ照射檢測光的檢測光用單元、與未對移動鏡 7Υ照射檢測光的檢測光用單元。繼而,關閉對移動鏡π 照射檢測光的檢測光用單元的快門,使基準光的光路阻 斷,並開啟未對移動鏡7Υ照射檢測光的檢測光用單元的 快門,使基準光的光路接通,以此方式進行控制。例如, 當判,出γ平台6γ位於第】檢測光用單元如射出的檢 測光照,至移動鏡7Υ的位置上的情形時,平台控制部U 關閉該第1檢測光用單元D11的快門Shl,開啟未對移動 鏡7Y照射檢測光的第3檢測光用單元 同樣,當觸出飞平台6Y位於第2檢 出,光照射至移動鏡7Υ的位置上的情形:平3 制部12關_第2檢測光用單元叱的快門$ : =動鏡7Y照射檢測光的第4檢糊單元m4 _ = 因此,當γ平台6Υ位於第 的檢測光照射至移動鏡7Υ的 ^^011射出 光用,元_射出的第,檢測光與第的 白因^ 5辆時入射至檢測部21a,檢測部化ί由對 行檢測,而測/出二起的干涉條紋進 板平台6的Y方向上的位置。=上:位置、亦即平 於第3檢測光用單元D13的檢測光照射至二= 35 200846626pif 置^的情科,第3檢戦料元m3的第3 光用單的第1基準光同時人射至檢測部仏 =221a#由對因該第3檢測光與第1基準絲干涉所 引t的干涉條紋進行檢測,而測量 向 上的位置、亦即平板平台6的Y方向上的位置。向 ,當Y平台6Y位於第2檢測光用單元m2射出 1::==動鏡7Υ的位置上的情形時,第2檢測 f 的”,同時入射至檢測部2= ==第4基準光的干涉所引起的_^^ “人出移動鏡7γκγ方向上的位置、亦即平 5 ”的γ方向上的位置。與此 二 =二=用料D14射出的檢測光 的位置上的情形時,第4檢 _ 秒助鏡7Υ 測光與第2檢測光用單元Dl2的用第===的第4檢 :之b,檢測部21b藉由對因該第4檢測光 於υ方向上的位置、亦即平的而 =_鏡打 =該第3實郷態中,在$1㈣第置。 間、第3檢測先與第j基準 :” i準光之 準光之間、或者第4檢=;間、弟2檢測光與第4基 頻率調變^ = 間,分別藉由 部训對頻率與該頻率差相等^干%檢^叫或者檢測 測量出移動鏡7Y的γ方向上d:仃外差檢測, J仅置。错此,可高精度地 36 200846626 檢測Y平台6Y,"方向上的位置。 又’於例如圖7所示的狀態中 方向移動的情形時,將檢測部2 沿著 檢測光為依據所測量出的測 置^轴πΥ1的 初始值為檢測部2 又谀马如下初始值,該 軸而上以隨著移動鏡7Υ移動而盘位置測量 軸17Υ1上的檢測光同 :置測里 =的檢測光為依據的測量值的;置測= 疋)。以麵位置測量轴lm盘 進订初始汉 與17Υ4亦相同。又, 二 位息測量軸17Υ3 相同。 口 ~ 方向移動的情形亦 此處,υ平台6γ有時會隨著該移動而7 & 細微旋轉,當交#、、目㈣而ϋ繞Z軸產生 將奸的^ 時產生該細微旋轉的情形時,若 測部的測量值, j里值亦即又付珂經測量的檢 沾、认杜值直接父付為後段的位置測量軸上的測詈佶 的=值、亦即交付後繼續進行測量的檢測部的測量= 能導致測量精度下降 差有可 藉由乂牛於該弟3只㈣態中,如上所述, 微旋#角Γ並216Χ來檢測出γ平台6Υ圍繞ζ轴的細 量軸:的列旦二檢測的細微旋轉角與前段的位置測 …!: 對後段位置測量軸設定交付初始值,_ 此來準確地進行位置測量。 曰 、口核測邛21a、21b的測量值被供給至平台控制部η, 且段檢測光的檢測值更換為後段檢測光的勒始值等〆’ 里是藉由平台控制部12實施的,平台控制部〗2基於X干 200846626pif 涉計單元l6X以及γ干涉計單元 平板平台6的移動
#根據上述第3實施形態的平台位置測量裝置,可起到 與第1實施形態的平台位置測量裝置相同的效果。又,由 於用於光1調節的1/2波長板25a〜25d設於第1〜各個第 =測光用單元D11〜D14的前段(雷射光源侧),因此, 可=分別利甩與偏光分光鏡Dla〜ma的關係,來適當 地汉=1/2波長板25a〜25d的旋轉角度,從而,使單元之 間=等地分配自第!〜第4檢測光用單元Dii〜DM照射 至移動鏡7Y的檢測光的光量、以及照射至目定鏡議〜 腿)的基準光的光量。再者,即便追加檢測光用單元,亦 可猎由根據該單it數而適當地設定1/2波長板25a〜况的 =轉角度’來使單元之關基準光及各檢測光的功率(光 里)均等。其中,若為可藉由各檢測部21a、21b進行穩定 檢測的技顧,聽紐基準光以及各制光全部均等。 #再者,上述第3實施形態亦可以如下方式構成,於第 1〜第4檢測光用單元D11〜〇14中,藉由半反射鏡而 〜D4f使光產生分支,並介隔快門SM〜SM而設置固定鏡 RM1〜RM4,但亦可如圖9所示,於1/4波長板⑽⑽卜 D3c、D4C)的移動鏡7Y側,設置對可光路自如插拔的活 動^射鏡DM1 (DM2〜MD4)。!!此,第丨〜第4檢測光 用單元中,無須利用半反射鏡Dlf〜D4f進行分支,便可 延擇性地切換入射至各自對應的檢測部21a、21b的檢測光 以及基準光,故可降低目分支所造錢檢·以及基準光 38 200846626 Z/^16pif 的光量損失。再者,如此帶有驅動功能的活 可適用於下述第4實施形態中。又,如此的舌反射鏡,亦 亦可代替快門Shi〜Sh4而進行配置。 、’動反射: [第4實施形態] 其次,參照圖10,就本發明的第4實施 再者,對於與圖5、® 6或者圖8相同的結^ =說明。 相同符號並適當省略其說明。 ^刀’賦予 圖1〇是表示本發明第4實施形態的平台位 的結構的平面圖。γ干涉計單幻6丫具備雷射置 塞曼效應雷射(Zeeman laser)) Ls2,輸出f真++ 歹1 口’ 叫、牙r出)頻率相 兴,且包a偏光面相互正交的兩個直線偏光(p偏光、§ 偏光)的雷射光;以及一對檢測部21a、21b。Y干沣叶單 元16Y進而具備分別包含多個光學元件的第〗〜第= 光用單元助〜㈣、反射光用單元、光分配單元。此I、, 使用與奇數列位置測量軸17Y]L、17γ3對應設置的第p及 第3檢測光用單元D21、D23與檢測部2U,來構成第工 位置測量模組,而使用與偶數列位置測量軸17Y2、17γ4 對應設置的第2及第4檢測光用單元D22、d24與檢測部 21b ’來構成第2位置測量模組。 第1檢測光用單元D21具備偏光分光鏡Dla、角隅稜 鏡〇1卜1/4波長板Die及Dig、快門Shi以及固定鏡RM1, 第2檢測光用單元D22具備偏光分光鏡D2a、角隅稜鏡 D2b、1/4波長板D2c及D2g、快門Sh2以及固定鏡RM2。 第3心測光用單元D23具備偏光分光鏡D3a、角隅稜鏡 39 200846626,f D3b、1/4波長板D3c及D3g、快門Sh3以及固定鏡RM3, 第4檢測光用單元D24具備偏光分光鏡D4a、角隅稜鏡 D4b、1/4波長板D4c及D4g、快門Sh4以及固定鏡腸4。 反射光用單元構成反射鏡D7a〜D7d。反射鏡D7c、D7d 為全反射鏡,反射鏡D7a、D7b是作為光路結合元件的半 反射鏡。再者,第1〜第4檢測光用單元D21〜D24,如下 所述分別亦可用作下述基準光用單元。 光分配單元是將自雷射光源Ls2射出的雷射光(p偏 光以及s偏光)均等地分配至各檢測光用單元D21〜D24 的單元,並具有部分透射鏡26a〜26c以及全反射鏡26d。 自雷射光源Ls2射出的雷射光入射至使入射光的25%反射 且使入射光的75%透過的部分透射鏡26a,其反射光入射 至第1檢測光用單元D21,其透射光入射至部分透射鏡 26b。部分透射鏡26b是使入射光的33%反射且使入射光 的67%透過者,其反射光入射至第2檢測光用單元D22, 其透射光入射至部分透射鏡26c。部分透射鏡26c是使入 射光的50%反射且使入射光的5〇%透射者,其反射光入射 至第3檢測光用單元D23,其透射光入射至全反射鏡26d。 全反射鏡26d使所有入射光反射,且入射至第4檢測光用 單元D24中。 由部分透射鏡26a反射而入射至偏光分光鏡Dla的雷 射光中的P偏光,透過偏光分光鏡Dla,藉由1/4波長板 Die而轉換為圓偏光,作為檢測光照射至移動鏡7γ。藉由 移動鏡7Υ而沿-Υ方向反射的反射光,藉由1/4波長板Dle 40 200846626f 而再次轉換為直線偏光。自1/4波長板Die沿著_γ方向射 出的光的偏光面,相對於沿+Υ方向入射至 的光的偏光面旋轉90度。
八自1/4波長板Die沿著-Υ方向射出的光,入射至偏光 分光鏡Dla,並藉由偏光分光鏡Dla而沿_χ方向反射,藉 由角隅稜鏡Dlb而沿+χ方向反射,藉由偏光分光鏡⑽ 而化+γ方向反射,藉由波長板Dlc而轉換 ,,作為檢測光再次照射至移動鏡7γ。藉由移動鏡7γ而 沿-Υ方向反射的反射光,藉由1/4波長板Dlc而再次轉換 為直線偏光。來自該1/4波長板Die的光,透過偏光分光 鏡Dla,進而透過反射鏡D7a,作為第丨檢測光入射至檢 測部21a。 另一方面,藉由部分透射鏡26a反射而入射至偏光分 光鏡Dla的雷射光中的s偏光,藉由偏光分光鏡Dla而沿 方向反射,並藉由1/4波長板Dig而轉換為圓偏光, 於快門Shi開啟的情形時,作為基準光照射至固定鏡 ,且由固定鏡RM1進行反射,藉由1/4波長板Dig 而再次轉換為直線偏光。自1/4波長板Dig沿-X方向射出 的光的偏光面,相對於沿+X方向入射至1/4波長板Dig 中的光的偏光面旋轉90度。
自1/4波長板Dig沿-X方向射出的光,透過偏光分光 鏡Dla,藉由角隅稜鏡Dlb而沿+X方向反射,透過偏光 分光鏡Dla,藉由1/4波長板Dig轉換為圓偏光後,作為 基準光再次照射到固定鏡RM1,藉由固定鏡RM1而沿-Y 41 200846626pif 方向反射的反射光,藉由1/4波長板Dig而再次轉換為直 線偏光。來自該1/4波長板Dig的光,藉由偏光分光鏡Dla 而沿-Y方向反射,透過反射鏡D7a後,作為第1基準光入 射至檢測部21a。 其次,藉由部分透射鏡26b反射而入射至偏光分光鏡 D2a的雷射光中的p偏光,與入射至偏光分光鏡Dia的雷 射光中的P偏光相同,經由偏光分光鏡〇2&、1/4波長板 D2c以及角隅稜鏡D2b,而作為檢測光二次照射至移動鏡 籲 7Y。繼而,藉由移動鏡7Y反射二次的光,藉由1/4波長 板D2c而轉換為直線偏光,透過偏光分光鏡D2a,進而透 過反射鏡D7b後,作為第2檢測光入射至檢測部21b。 另一方面,藉由部分透射鏡26b反射而入射至偏光分 光鏡D2a的雷射光中的s偏光,於快門Sh2開啟的情形時, 與入射至偏光分光鏡Dla的雷射光中的S偏光相同,經由 偏光分光鏡D2a、1/4波長板D2g以及角隅稜鏡D2b,而 作為基準光二次照射到固定鏡RM2。繼而,由固定鏡RM2 • 第二次反射的光,藉由1/4波長板D2g而轉換為直線偏光, 並藉由偏光分光鏡D2a而沿-Y方向反射,透過反射鏡D7b 後’作為第2基準光入射至檢測部2比。 其次,藉由部分透射鏡26c反射而入射至偏光分光鏡 的雷射光中的P偏光,與入射至偏光分光鏡的雷 射光中的P偏光相同,經由偏光分光鏡D3a、1/4波長板 D3e以及角隅稜鏡D3b,而作為檢測光二次照射到移動鏡 7Y。繼而,藉由移動鏡7Y第二次反射的反射光,藉由1/4 42 200846626f —— —一 l 波長板D3c而轉換為直線偏光,透過偏光分光鏡D3a,進 而透過反射鏡D7b後,作為第3檢測光入射至檢測部21a。 另—方面,藉由部分透射鏡26c反射而入射至偏光分 光鏡D3a的雷射光中的δ偏光,於快門Sh3開啟的情形時, 與入射至偏光分光鏡Dla的雷射光中的S偏光相同,經由 偏光分光鏡D3a、1/4波長板D3g以及角隅稜鏡D3b,而 作為基準光二次照射至固定鏡RM3。繼而,藉由固定鏡 RM3第二次反射的光,藉由1/4波長板D3g而轉換為直線 偏光’並藉由偏光分光鏡D3a而沿-Y方向反射,由反射鏡 D7c進行反射,且藉由反射鏡D7a而沿-Y方向反射後,作 為第3基準光入射至檢測部21a。 其次’藉由全反射鏡26d反射而入射至偏光分光鏡 D4a的雷射光中的P偏光,與入射至偏光分光鏡Dla的雷 射光中的P偏光相同,經由偏光分光鏡D4a、1/4波長板 D4c以及角隅稜鏡D4b,而作為檢測光二次照射至移動鏡 7Y。繼而,藉由移動鏡7Y第二次反射的光,藉由1/4波 長板D4c而轉換為直線偏光,透過偏光分光鏡D4a,進而 透過反射鏡D7d,藉由反射鏡D7b而沿-Y方向反射後,作 為第4檢測光入射至檢測部21b。 另一方面’藉由全反射鏡26d反射而入射至偏光分光 鏡D4a的雷射光中的S偏光,於快門Sh4開啟的情形時, 與入射至偏光分光鏡Dla的雷射光中的S偏光相同,經由 偏光分光鏡D4a、1/4波長板D4g以及角隅稜鏡D4b,而 作為基準光二次照射至固定鏡RM4。繼而,藉由固定鏡 2008466203if RM4第二+次反射的光,藉由i/4波長板D4g而轉換為直線 偏光’並藉由偏光分光鏡D4a而沿_γ方向反射,藉由反射 鏡D7d進行反射,藉由反射鏡D7b而沿_Υ方向反射後, 作為第4基準光人射至檢測部21b。 、“再^於第4檢測光用單元D24之後段設置著其它檢 測光用單it的情形時,反射鏡阶以及反射鏡咖,與反 射鏡D7a或者反射鏡D7b相同,是作為光路結合元件的半 反射鏡。
各檢測光用單元而〜譲的快門SM〜的作動 ,啟或關閉),相應於平板平台6 (γ平台⑺的乂轴 亚2 士的位置’由平台控制部12來進行控制。具體而言, 控制部12基於Χ干涉計單幻6χ的測量值,來適去 =別對移動鏡7Υ照射檢測光的 ^ 照射檢測光的檢测光用單元。繼:,開啟= 動鏡7Υ照射檢測光的檢測光料 光路接通,並關閉未對移動鏡7γ照射檢^ = 單元的快門,阻斷基準光的光路,以此;式== 如,當判斷出Υ平台6Υ位於第!檢測Λ = ,峨照,鏡7Υ的位置上二== 4 U開啟該第1檢測光用單元助的朗 :、1 处3。同樣,當判斷出γ平台 ^用早7^助的快門 =㈣檢測光照射至移動二::^^ 平口控制部開啟該第2檢測光用單元助的^^’, 44 200846626 opn' 照射檢測光的第4檢測光用單元D24 測光照射至移動鏡7γ的::=剛光用單元D21的檢 單元的第〗檢測光與第置i檢:::第丄檢戦用 基準光同時入射至檢測部加,檢測部21a早:由1 檢測光與第1基準光的 對口該弟1
而測量出移動鏡tΓ條紋進行檢測, 的γ方,位置。 測光用早7G D23的檢測光照射至移動鏡7丫的位置:3 ^ 用早το D23的第3基準光同時入射至檢 ^貝先 21—a藉由對因該第3檢測光與光;:所=部 干涉條紋進行檢測,而測量_鏡7;^==的 置、亦即平板平台方向上的位置/Y方向上的位
關閉未對移動鏡7γ 的快門Sh4。 的 光用單元D2射出的第2檢測^^1㈣’第2檢測 的第,光同時入射至檢測部m,檢:=24 行檢測,而測量出移動鏡干涉條紋進 板平台6的γ方向上的位置。盘此相^木位置、亦即平 於第4檢測光用單元D24射出的’虽Y平台6Y位 的位置上的情科,第射至移動鏡7Υ 』尤用早7°D4射出的第4檢 45 5pif 200846626 檢測光用單元D24的第4基準光同時入射至檢 泰P 21b,檢測部21b藉由對因該第4檢測光盘第4 所弓丨起的平涉條紋進行檢測,而測量出移動鏡^γ 的Υ方向上的位置、亦即平板平台6的丫方向上的位置 實施形態中,在第i _光與第i基準光之 準光齡3基準光之間、第2檢測光與第2基 ΪΪ之間、或者第4檢航鱗4基準光之間,分別藉由 ί;::Γ而產生頻率差’檢測部21a或者檢測部叫 差祕的干涉信號騎外差檢測,測量出 的Y方向上的位置。藉此,可高精度地檢測Y 千台6Υ的γ方向上的位置。 鱼f段的位置測量轴的她㈣交付及其設定, /、上逑弟3實施形態相同。 盘繁?2述第4實施職的平台位·量裝置,可起到 ” 施形態的平台位置測量装置相同的效果。 φ田=而’來自雷射光源Ls2的射出光可以25%為單位, 士作基準光以及各制光。再者,追加檢㈣單元的情 可根據其數量,適當地設定部分透射鏡26a〜施 ^加的部分透職的透射率,龜可使基準光以及各 的功率均等。再者,#然可根據檢測絲單元的構 =、來改k部分透射鏡的透射率,從而調節光量。其 円务為利用各檢測部21a、21b而可進行穩定檢測的光量 乾圍,則基準光以及各檢測光不均等亦無妨。 再者,於以上說明的第丨〜第4實施形態中,各位置 46 200846626 測1軸17Y1〜17Y4以射出 中的3束檢挪光無法同時照;量檢測先 於Χ軸方向上,但當並非於相鄰的位置== 1及第2位置測量模組間轉 置^軸間、亦即第 此,亦可以4束檢測光無法同時照4:=^ 隔而進行排列。—般而言,第 冰動鏡7Υ上的間 各位置測量輛可以如下人叶為位置測量模組中的 到移動鏡7Υ的間隔而“排 法同時照射 •第!位置測量模組中所包含二置檢至 光射出至第2位置測量模組中 f2束核測 而古夕,Y缸十人 f匕3的位置測量軸上,換 /之X軸方向上排列的4個位置測量軸 1 八它端轴為止的軸間距離可 的車到
軸方向上的尺寸。 ㈣鏡7丫的反射面的X 如此配置各位置測量軸,使得來自第〗及 =二7置測量轴的檢測光,不咖 個檢測部’因此,可基於該檢測光,於χ 1 内,來測量移動鏡7Υ的Υ軸方向上的位置二固 田乂 f夕動鏡7Υ的X轴方向上的位置,於第 置測間進行測量值交付的情形時,由於來自 = 置測量轴的檢測光分別入射至檢測部21&、训中 可 準確地交付測量值。 了 又,上述第3以及第4實施形態中, 咖〜叫的每一個,於基準光的光路 47
200846626pif 於錢’丄亚選擇性地打開及阻斷基準光的光路,但旅养限 即的光路,可進硫置於檢測光的光路上。由此, 日:,3束或3束以上檢測光同時照射移動鏡π的情 二卞可错,當地阻斷檢測光的光路,來以所需的時 B#延以及第2位置測量模組間轉換測量值。於該情形 1及上解有關各位置測量_排列間隔的條件,來使第 及弟2位置測量模組的配置自由度得以擴大。
量模ί 第^第4實施形態中,2個位置測 限於2個、^弟1及弟2位置測量模組,但模組數量不必 個位置列為纽等於3個模組。於該情形時,1 它位置測二 置測量軸間,以配置其 測量模組即可+ w万式而配置各位置 ? 亦可與上述第1及第2位置 、】里換、、且相同’各位置測量模組中共用基 、爺 射光源、頻率調變器等。 早兀m [元件製造方法] « 上述各實施形態的曝光裝置中, 實施將形成於遮罩M上_ =^先學糸統, 光基板(平板)上的曝光步驟,、谁:1木曝光轉印於感 的圖案顯影的顯影步驟 J而’貫施將經曝光轉印 元件、攝像元件Y驟滅製歧晶顯科件、半導體 流程圖,說明如下方法的—個下’^圖π所示 一實施形態的曝光裝置,於 p ’糟由使用上述任 規定的電關案,_此料2祕板的平板等上形成 碏此獲侍作為微型元件的半導體元件。 48 200846626 J16pif = 的㈣_中,於平板p上蒸鐘金屬 :光驟S102中,於該平板p上的金屬膜上塗 (Λ st)°其後’於步驟測中,使用上述 傻的曝光裝置,使形成在遮罩M上的圖案的圖 ==光學系統PL,依次曝光轉印於該平板p上的各 Γ其後,於步驟_中,對該平板P上的光 阻J進仃頒影處理之後,於步驟S105中,於該
將光阻圖案(轉印圖案層)作為遮罩行二反亡’ 於平板P上形成與鮮Μ關轉應㈣路_。错此 體進:成ΐ層Μ的電路圖案等,藉此來 = ί = 轉上述半導體元件製造方法, I低=本地製造半導體元件。再者,步驟siqi〜步驟_ 繼而、隹,^上减金屬,且於該金輕上塗佈光阻劑, 七而進㈣光、顯影、勤】各步驟 前’於平板p上形成魏化膜後,於該 阻,繼而實施私、顯影、勤]等各步驟。、 璃各態的曝光裝置’可藉由於平板(玻 璃基板)Ρ上形成規定的圖案( 而獲得液晶顯示元件等液晶元件。以下二 =;尋: 流程圖,說明此時的方法的一例。首先同θ不勺 安帘忐+驟例百先,於圖12中,於圖 开=1:貫施所謂的光微影步驟,即,使用上 *光裝置,將遮罩Μ的圖案的圖像轉印 曝先於作斜板Ρ _光基板(塗 等)。藉由該光微影步驟,於感光基板上形成== 49 200846626Pif 等的規定圖案。其後,經曝光的基板,經由顯影步驟、餘 刻步驟、光阻剝離步驟等各步驟,於基板上形成規定的圖 案後’轉入之後的彩色濾光片(color filter)形成步驟S202。 其次’於彩色濾、光片形成步驟S202中,以矩陣狀形 成多個對應於R ( Red)、G ( Green)、B (Blue)的3個點 陣組,或者形成由多個r、G、B的3根條紋狀的濾光片 組排列於水平掃描線方向上而組成的彩色濾光片。繼而, 於彩色濾光片形成步驟S202後,實施胞組裝步驟S2〇3。 於胞組裝步驟S203中,例如,於具有圖案形成步驟S2〇1 中所付的規定圖案的基板、與彩色濾光片形成步驟S2〇2 中所得的彩色濾光片之間注入液晶,製造液晶面板(液晶 胞)。 其後,於模組組裝步驟S204中,安裝進行經組裝的 液晶面板(液晶胞)顯示動作的電子電路、背光源(back light)等各零件,完成液晶顯示元件的製作。根據上述液 晶顯示元件的製造方法,可以低成本且以高生產率來製造 液晶顯示元件。 一再者,以上說明的實施形態是為了易於理解本發明而 揭二者,並非對本發明加以限定。因此,上述實施形態中 揭不的各要素,包含本發明的技術範圍内的所有 或相似者。 ^ 例如,上述實施形態中,使用超高壓水銀燈作為光 但亦可使用KrF準分子雷射(exeimer iaser)光(^長248 nm)、ArF準分子雷射光(波長193 nm)、F2雷射光\(波 50 200846626f 一,一 —i 或者Ar2雷射光(波長126 nm) *。亦可代 曰準刀子雷射,而使用例如波長為248 nm、193麵、157
=任-者中具有振盪光譜(speetnlm)的YA 雷射的諧波。 田別子 又’亦可使用譜波,該譜波是將自胸(齡腕^ 分散式反饋)半導體雷射或者光纖雷射而振盈 卜線區域或者可見光區域的單—波長雷射光,藉由例 …夢雜鋅(或者铒與镱兩者)的光纖放大器(fiber ampiifier ) 大,亚使时線性光學結晶,來進行波長轉換而成 4外光。進而’亦可使用自雷射電聚光源或者從s〇r synchrotron orbital radiati〇n,同步輻射)產生的軟 χ 線 區域例如波長為13·4 _或1L5麵的EUV(Ext_e V1〇let’超紫外線)光。進而,亦可使用電子束或離子束等 帶電粒子束。 再者,於上述各實施形態中,例示了具有第丨〜第4 檢測光用單元D1〜D4、D11〜D14或者D21〜D24者,但 馨亦可構成為以第1及第2檢測光用單元D1、D2、而、 D21或者D21、D22為最小單位,並以2個為單位而進行 t叹。又,例不了對平板平台6使用第1〜第4檢測光用 單元的h況,但亦可對遮罩平台5使用第丨〜第4檢測光 用單元。又,對具鮮個局部投影光學系統的曝光裝置進 订了說明,但亦可應用於僅具備一個投影光學系統的曝光 裝置。又,亦可將即是光調變器的DMD ( Digital MiCr〇mirror Device,數位微型反射鏡元件)等用於遮罩% 51
Pif 200846626 的一部分’藉此縣發明編於如下的無遮轉光裝置, 該裝置並不使用預先形成有圖案的遮罩。 又’毋庸置疑,本發明的位置測量裝置適合用於上述 曝光裝置巾’但並不限於如此㈣歧置,亦可應用於且 備使物體(移浦)移動的平台裝㈣其它各聲置中二、 本說明書,與包含於2007年3月8曰提 專利申請第厕·〇57939號中的主題相關,本 均作為參照事項而清晰地編入本文中。 、々有說明 【圖式簡單說明】 圖1是表不本發明第1實施形態的曝 構的圖。 *尤衣置的概略結 圖2是表示本發明第,實施形態的曝光 照明光學系統的概略結構的圖。 具備的 圖3是表示本發明第丨實施縣的局部 的視場區域與遮罩的平面位置__。〜先十糸統 圖4是表示本發明第!實施形態 位置測量裝置的概略結構的平面圖。 十^及平台 圖5是表示本發明第1實施形態的干涉計置- 結構的平面圖。 早疋的具體 圖6是表示本發明第2實施形態的干涉 結構的平面圖。 早7L的具體 圖7是表示本發明第3實施形態的平板 位置測量裝置的概略結構的平關。 。及平台 圖8是表示本發明第3實施形態的干涉計 平7^的具體 52 200846626, 結構的平面圖。 圖9是表示本發明的第3實施形態的變形例的圖。 圖10是表示本發明第4實施形態的干涉計單元的具體 結構的平面圖。 圖11是表示本發明實施形態的半導體元件的製造方 法的流程圖。 圖12是表示本發明實施形態的液晶顯示元件的製造 方法的流程圖 【主要元件符號說明】 1 :超高壓水銀燈 2 :橢圓鏡 3 :光導 3a :光入射部 3b :光射出部 4:聚光透鏡 5 :遮罩平台 6 :平板平台 6X : X平台 6Y : Y平台 7、7Χ、7Υ :移動鏡 8 :指標板 9:空間圖像感應器 10 :主控制器 Π:本體控制部 53 200846626pif 12 :平台控制部 13 :遮罩平台驅動部 14 :平板平台驅動部 14X : X方向驅動部 14Y : Y方向驅動部 15 :基座 16 :平台位置測量裝置 16X ·· X干涉計單元 φ 16Y : Y干涉計單元 17X、17X1、17X2、17Y1 〜17Y4 ··位置測量軸 20、Lsl、Ls2 :雷身f光源 21a、21b :檢测部 22a〜22d、26a〜26c :部分透射鏡 AX :光軸 EA1〜EA5 :視場區域 Dl、Dll、D21 :第1檢測光用單元 φ D2、D12、D22 :第2檢測光用單元 D3、D13、D23 :第3檢測光用單元 D4、D14、D24 :第4檢測光用單元 Dla〜D5a、Rla :偏光分光鏡 Dlb〜D4b、Rib :角隅稜鏡
Die、Did、D2c、D2d、D3c、D4c、Rlc、Rid、Rle : 1/4波長板 D2e、D3d、D4e、D4e、25a〜25d : 1/2 波長板 54 20084662各 D5 :反射光用單元
Dlf〜D4f、D5b、D5c、D5d、D5f、D5g、D6a、D6b、 D6c、D6d、D6g、D6h、D7c、D7d :全反射鏡 D5e、D6e、D6f、D7a、D7b :半反射鏡 II〜15 :照明光學系統 IA1〜IA5 :照明區域 LSA :遮光部 Μ :遮罩 Ρ ·平板 ΡΑ :圖案 PL :投影光學系統 PL1〜PL5 :局部投影光學系統 R1 :基準光用單元 RM、RM1〜RM4 :固定鏡(反射鏡)
Shi〜Sh4 :快門 XYZ :正交座標系 55

Claims (1)

  1. 200846626)if 十、申請專利範園·· 種位置餐顧,其特徵在於包括. ^動鏡,設於移動體,且沿著第 向 檢測光單元,針對卜汁筮】万白具有反射面; 量軸中的每一個而配置,沿著鱼上述列著的多個測 2軸方向對上述移動鏡照射檢觀轴方向交又的第 述移結合^件’針對每-個上述測量軸,對由上 或者的各檢測光路進行光路結合, 述述基準光的基準光路與上 =部’對經由上述光路結合元件而人射的上述檢則 ^上逑基準光的干涉所引起的干涉條紋進行檢測, 的檢測結果,測量上述移動體於上述第2軸 多個1 如t申ρ5ί利範圍第1項所述的位置測量模組,其中 時以2束或2束以上的上述檢測光無法同 守Α射至上述移動鏡之間隔進行排列。 《3·如申請專利範圍第〗項或第2項所述的㈣測量模 ί叙i中多個上述測量軸排列於上述第1軸方向上的上述 和動體的移動範圍内。 ^ 4·如申明專利範圍第丨項或第2項所述的位置測量模 、、且,其中上述基準光單元包含選擇照射機構,該選擇照射 56 200846626if 機構針對每一個上述測量轴而設置,對上 地照射以及不照射上述基準光。 擇!·生 5.如申請專利範圍第4項所述的位置測量模 選擇照射㈣部,闕顧射控制部使上述 匕 ”弟上述檢剩光單元相鄰的第2上述檢測光單元,第 1上述檢測光單元對上述移動鏡照射上述檢測光。^ 、隊6·如申明專利範圍第4項所述的位置測量模组,勺 選擇照射控制部,該選擇照射控制部使上述準光 構擇一性地作動,該選擇 = 對上述移動鏡照射上述檢測光的上述檢測光單元 7. 如中請專利範圍第4項所述的位置測量_, ^選擇照射機構包含快門機構以及插拔機構卜 機t選擇性地開啟及關閉上述基準光對上箱 ==鏡該插拔機構對上述檢測光的光路選擇性地插 8. 如巾料纖㈣丨項㈣2 =其中上述檢測部’相應於上述移動 = 上述檢測光單元的上心^ 、:由^基料早_上述基準光所引起的第丨干涉條 或者經由弟2上4檢測光單元的上述檢 先所弓丨起的第2干涉條紋進行檢測。 尤及4基旱 組,9包 2項所她置測量模 括頻千5周父益,該頻率調變器使上述檢測光以及上 57 200846626pif 述基準光中的至少一者的頻 與上述基準光之間生成解差;k化’且於上述檢測光 對上述干涉條紋進行外差檢測。 上述頻去調Γ ί利範严9項所述的位置測量模組,其中 針對每—個上述測量軸而設置,使每-個 該測里軸的上述頻率的變化量不同。 1 口 11.如申請專利範圍第1項或第2适所外、沾Α里、a r θ 組,包括將頻率以及項所述的位置測量模 外差檢Γ 上述檢測部對上述干涉條紋進行 組,1包2ΐ巾請專利朗第1項或第2項所述的位置測量模 光,农置,對多個上述檢測光單元供給雷射光;以及 檢、、則機構,對每一個上述測量轴,調節作為上述 才測先而刀支的上述雷射光的分支光量比。 13·如申請專利範圍第12項所述的位置測量模組,其 節裝置供給直線偏光的上述雷射光,上述光量調 為構s有使上述雷射光透射的1/2波長板。 =·一種位置測量裝置,其特徵在於,包括多個如申請 利範圍第1項至第13項中任一項所述的位置測量模組, 〜多個上述位置測量模組中的第丨位置測量模組的第工 及弟2上述測量軸之間,配置著第2位置測量模組的上述 測量軸。 ^ 15·如申凊專利範圍第14項所述的位置測量裝置,其 58 200846626lf _上述第1位置測量模組的上述軸與上述第2位 里模組的上述測量轴,是以比上述第2轴方向上的上 動鏡的反射面尺寸窄的間隔而配置。 一署16 =請、專利範圍第14項或第15項所述的位置測量 八中亡述弟1位置測量模組中的第1及第2上述測 置軸與j述第2位置測量模組的上述測量轴,是以射出至 咖述檢測光無法同時照射至上述移動鏡的 請、專利範圍第14項或第15項所述的位置測量 衣/、中上述第1位置測量模組中的 =與,位置測量模組中的第1及第二= 上述檢測光無法同時照 穿置圍第14項或第15項所述的位置測量 ti檢=述第上及第2位置測量模組中的至少-者二 的偏光在檢測部的上述檢測先 元件。 及弟2位置測賴組間不同的偏光調節 裝置圍第14項或第15項所述的位置測量 上述第1 一部,制量㈣部根據上述移動體於 ==的位置及上述第I位置測: 述第2位置測龍_測量初始值。 中上= 旦= 專利範圍第19項所述的位置測量裝置,复 〜’、里工制部根據上述第J位置測量模組的一個上述 59 if 200846626 測量轴上的上述測量結果,來設定與該測 第2位置測量模組的上述測量轴上的上述測量^的上述 21·如申請專利範圍第19項所述的位置。,。 括對上述移動體於上述第!轴方向上的位 ϋ,包 置感應器,且 進仃剛1的位 上述測置控制部根據上述位置感應器的 設定上述測量初始值。 j里、、、〇果,來 22·如申料利範㈣21項所述的位置测 w位置感應器對上述移動體於上述第2軸方^ /、 處,測量上述第…方向上的位置Λ弟2轴方向上的多 中上利範圍第21項所述的位置測量裳置,a 中上述位置感應器包含雷射干涉計。 里衣置其 弟1軸方向正交的第2轴 乂及”該 的位置進行測量的位置· ^一^向上移動的移動體 多個測量軸,測徵在於包括: 配置於上述第i轴方二向的位置’並且分隔 方向移動後的位置進行測量;以及動°者上述弟1軸 多個檢測部,面對上述多個 上述移動體的位置; 、里軸而自又置,用來檢測 量。且,上述多個檢測部的數量少於上述多個測量軸的數 25.-種平台|置,其特徵在於 如申請專利範圍第14項至第23項中任一項所述的位 60 df 200846626 置測量裝置;以及 平台部,設有上述移動鏡,保持物 述第1轴方向以及上述第2軸方向移動.使·體向上 為上;移量裝置’測量上述平台部的位置來作 曝:置一種==圖案的像轉印顧 置測ΐΓί專利範圍第14項至第23項中任一項所述的位 基板平台,設有上述移動鏡, 該感光基板向上述第2 並使 且’上述位置測量裝置,測量上 ;置 作為上述移動體的位置。 土孜十口的位置來 利範圍第26項所述的曝光裝置,包括: 遮罩千σ,保持形成著上述圖 向上述第1軸方向移動,·以及 罩域该遮罩 曝光控制部,使上述基板 述第1軸方向同步軸, I ^遮罩平台向上 感光基板上。 將上相案的®像轉印至上述 ^丄-種元㈣造方法,其特徵在於 t步驟,使用如中請專利範圍第2 所=裝置’將上述_像轉印至上述項 、知上边感光基板上形成對應於該圖案的像的形狀 61 200846626pif 的轉印圖案層;以及 加工步驟,隔著上述轉印圖案層來對上述感光基板進 行力口工。
    62
TW097107836A 2007-03-08 2008-03-06 Position measurement module, position measurement apparatus, stage apparatus, exposure apparatus, and method for manufacturing decive TW200846626A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007057939 2007-03-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200846626A true TW200846626A (en) 2008-12-01

Family

ID=39738295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097107836A TW200846626A (en) 2007-03-08 2008-03-06 Position measurement module, position measurement apparatus, stage apparatus, exposure apparatus, and method for manufacturing decive

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20100068655A1 (zh)
EP (1) EP2120097A1 (zh)
JP (1) JP5327043B2 (zh)
KR (1) KR20090128397A (zh)
CN (1) CN101627341A (zh)
TW (1) TW200846626A (zh)
WO (1) WO2008108423A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2006773A (en) * 2010-06-23 2011-12-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
US8179534B2 (en) * 2010-08-11 2012-05-15 Mitutoyo Corporation Fixed wavelength absolute distance interferometer
DE102012201393A1 (de) * 2012-02-01 2013-08-01 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Positionsmesseinrichtung und Anordnung mit mehreren Positionsmesseinrichtungen
KR20150087949A (ko) * 2014-01-23 2015-07-31 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치
WO2017057587A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
JP6553817B2 (ja) 2016-01-19 2019-07-31 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 位置センシング機構、そのような機構を含むリソグラフィ装置、位置センシング方法、及びデバイス製造方法
WO2017150388A1 (ja) * 2016-02-29 2017-09-08 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法
JP6279013B2 (ja) * 2016-05-26 2018-02-14 Ckd株式会社 三次元計測装置
JP6876980B2 (ja) * 2017-05-29 2021-05-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 干渉計測装置および干渉計測方法
CN107179653B (zh) * 2017-07-20 2018-10-19 武汉华星光电技术有限公司 一种曝光机及其发光装置
US20200361036A1 (en) * 2017-10-25 2020-11-19 Nikon Corporation Processing apparatus, and manufacturing method of movable body
CN111781800B (zh) * 2020-06-22 2022-06-03 江苏影速集成电路装备股份有限公司 激光直写设备中多路光路校准系统及方法
CN112129739B (zh) * 2020-09-27 2024-03-19 山东省科学院激光研究所 一种基于光纤表面增强拉曼探针的传感装置及工作方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3019050B2 (ja) * 1992-12-24 2000-03-13 株式会社ニコン 干渉計装置
US5585922A (en) * 1992-12-24 1996-12-17 Nikon Corporation Dual interferometer apparatus compensating for environmental turbulence or fluctuation and for quantization error
JP3412212B2 (ja) * 1993-10-01 2003-06-03 株式会社ニコン 干渉計装置
JPH07253304A (ja) 1994-03-15 1995-10-03 Nikon Corp 多軸位置決めユニットおよびこれにおける測長方法
JPH0875409A (ja) * 1994-08-31 1996-03-22 Advantest Corp レーザー測長装置
US6897963B1 (en) * 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
JP3849266B2 (ja) * 1997-12-18 2006-11-22 株式会社ニコン レーザ干渉測長方法および装置、およびそれを用いたステージ装置、およびそれを用いた露光装置
US6486955B1 (en) * 1998-10-14 2002-11-26 Nikon Corporation Shape measuring method and shape measuring device, position control method, stage device, exposure apparatus and method for producing exposure apparatus, and device and method for manufacturing device
JP3722346B2 (ja) * 1999-08-24 2005-11-30 キヤノン株式会社 位置決めステージ装置、半導体露光装置およびデバイス製造方法
DE69943311D1 (de) * 1998-12-24 2011-05-12 Canon Kk Trägerplattesteuerungsvorrichtung, Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
JP2006349488A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Nikon Corp 干渉計システム、ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008108423A1 (ja) 2008-09-12
JP5327043B2 (ja) 2013-10-30
CN101627341A (zh) 2010-01-13
JPWO2008108423A1 (ja) 2010-06-17
EP2120097A1 (en) 2009-11-18
KR20090128397A (ko) 2009-12-15
US20100068655A1 (en) 2010-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200846626A (en) Position measurement module, position measurement apparatus, stage apparatus, exposure apparatus, and method for manufacturing decive
US10338401B2 (en) Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method
TWI243408B (en) Marker structure for alignment or overlay to correct pattern induced displacement, mask pattern for defining such a marker structure and lithographic projection apparatus using such a mask pattern
JP6500107B2 (ja) 光学瞳対称化のための方法および装置
JP5360057B2 (ja) 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法
TW200813654A (en) Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
JP6744437B2 (ja) オーバーレイおよびクリティカルディメンションセンサにおける瞳照明のための方法およびデバイス
TW200931208A (en) Alignment method and apparatus, lithographic apparatus, metrology apparatus and device manufacturing method
KR20100084559A (ko) 광학 유닛, 조명 광학 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TW200424787A (en) Inspection method and device manufacturing method
TW200916982A (en) Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP6459082B2 (ja) 計測装置及び計測方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
CN103154819B (zh) 微光刻投射曝光设备和微光刻成像方法
TWI427433B (zh) 測量設備、曝光設備,以及裝置製造方法
TW200807175A (en) A method of characterising the transmission losses of an optical system
TW200846839A (en) Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
JP2023530864A (ja) 自己参照集積アライメントセンサ
TWI662375B (zh) 可撓式照明器
TWI742353B (zh) 檢測裝置、用於量測以微繞射為基礎之疊對之微影裝置、及用於量測以微繞射為基礎之疊對之方法
TWI235891B (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program
JP5477774B2 (ja) 光学ユニット、干渉装置、ステージ装置、パターン形成装置およびデバイス製造方法
TW201040669A (en) A method of determining a characteristic
TWI279643B (en) Lithographic apparatus, and device manufacturing method
TWI781624B (zh) 用於特徵化微影光罩的設備和方法
JP2010237202A (ja) 光学ユニット、干渉装置、ステージ装置、パターン形成装置およびデバイス製造方法