TW200844439A - Method for measuring immunochromato test piece - Google Patents

Description

200844439 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關免疫色譜試片之測定方法。 【先前技術】 免疫色譜試片上，與檢體中的抗原（或抗體）之間將 引起抗原體反應的抗體（或抗原）預先在反應區域塗抹呈 帶狀。使該試片的反應區域以色素標示的檢體中的抗原（ 或抗體）展開時，在呈帶狀塗抹的抗體（或抗原）之間收 集引起抗原抗體反應之檢體中的抗原（或抗體），在反應 區域形成藉著色素發色的線。上述的免疫色譜試片，藉著 測定裝置光學性測定形成在反應區域的線的呈色度（反應 度）’可以定量分析檢體中抗原（或抗體）的量。 專利文獻1〜3中，揭示有光照射在免疫色譜試片，藉 著其反射光強度的檢測來測定試片呈色度的裝置。專利文 獻1所記載的裝置是相對於位置固定後測定系統（發光手 段及受光手段）移動試片，藉著連續檢測反射光來測定呈 色度。又，專利文獻2所記載的裝置具備沿著檢體流動（ 展開）的方向排列設置的複數個發光元件及受光元件，根 據對於各受光元件的反射光強度測定呈色度。並且，專利 文獻3所記載的裝置是在試片上的任意一點檢測反射光強 度的變化之後’從其變化到一定時間後自動地開始測定。 專利文獻1 :日本特開平1 1 -8 3 745號公報 專利文獻2:日本特開平10 — 274624號公報 200844439 專利文獻3 :日本特開2003 -4743號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 但是，即使檢體中的抗原（或抗體）的量相同，對於 反應區域的反應度仍存在有產生不均一的問題。檢體中的 抗原（或抗體）的量爲了精度良好進行分析，期待以盡量 抑制上述反應度不均一造成的影響爲佳。 本發明是有鑒於上述問題點所硏創而成，提供抑制反 應度不均一造成的影響，可精度良好地分析檢體中抗原（ 或抗體）的量的免疫色譜試片之測定方法爲目的。 〔解決課題的手段〕 爲了解決上述的課題，根據本發明的第1免疫色譜試 片之測定方法是藉著測定光的照射檢測從免疫色譜試片所 獲得的光來測定抗原抗體反應的反應度的免疫色譜試片之 測定方法，在檢體滴下到免疫色譜試片後，對於免疫色譜 試片上的第1位置持續地照射測定光檢測來自免疫色譜試 片的光以檢測第1位置的光學特性的變化，從免疫色譜試 片上的第1位置朝著下游側的第2位置持續地照射測定光 檢測來自免疫色譜試片的光以檢測第2位置的光學特性的 變化’根據第1位置的光學特性變化後到第2位置的光學 特性變化爲止的經過時間校正反應度。 本案發明人發現免疫色譜試片反應度的不均一與檢體 -5- 200844439 流速（展開速度）不均一之間的關係。亦即，產生反應度 不均一之其中的要因呈現在檢體流速（展開速度）的不均 一上。因此，測定檢體的流速，根據其測定結果校正反應 度時，即可抑制反應度不均一造成的影響，可精度良好地 分析檢體中的抗原（或抗體）的量。 在免疫色譜試片展開的檢體由於吸收光或與螢光物質 同時展開，因此免疫色譜試片上檢體到達的位置會使得相 對測定光的光學特性變化。上述第1測定方法是測定光持 續地照射在免疫色譜試片上的第1位置檢測來自免疫色譜 試片的光以檢測第1位置的光學特性的變化，並且測定光 持續地照射在第2位置檢測來自免疫色譜試片的光以檢測 第2位置的光學特性的變化，藉此可容易得知檢體到達第 1及第2位置的各別時機。並且，根據從第1位置的光學 特性變化後到第2位置的光學特性變化爲止的經過時間（ 即檢體的流速）校正反應度，可藉此抑制反應度不均一造 成的影響，精度良好地分析檢體中抗原（或抗體）的量。 又，根據本發明的第2免疫色譜試片之測定方法是將 測定光照射在免疫色譜試片上，藉著反射光的檢測來測定 呈色線呈色度的免疫色譜試片之測定方法，在檢體滴下到 免疫色譜試片後，對於免疫色譜試片上的第1位置持續地 照射測定光檢測反射光以檢測第1位置的吸光度的變化， 從免疫色譜試片上的第1位置朝著下游側的第2位置持續 地照射測定光檢測反射光以檢測第2位置的吸光度的變化 ，根據第1位置的吸光度變化後到第2位置的吸光度變化 -6- 200844439 爲止的經過時間校正呈色度。 由於在免疫色譜試片展開的檢體吸收光，因此免疫色 譜試片上會使得檢體到達位置的吸光度降低。上述的第2 測定方法是將測定光持續地照射在免疫色譜試片上的第1 位置檢測反射光並檢測出第1位置的吸光度的變化，並且 測定光持續地照射在第2位置檢測反射光後檢測出第2位 置的吸光度的變化，藉此可容易得知檢體到達第1及第2 位置的各別時機。並且，根據從第1位置的吸光度變化後 到第2位置的吸光度變化爲止的經過時間（即檢體的流速 )校正呈色度（反應度），可藉此抑制呈色度不均一造成 的影響，精度良好地分析檢體中抗原（或抗體）的量。 又，第2免疫色譜試片之測定方法也可以是免疫色譜 試片具有產生檢體與抗原抗體反應的至少一條帶狀區域， 第1位置的吸光度變化後經過較經過時間長的預定時間之 後，朝著檢體流動方向掃描測定光使得測定光的照射位置 通過帶狀區域。如上述，以測定光掃描形成呈色線的帶狀 區域及其周邊，檢測其反射光，即使在呈色線的位置上產 生誤差的場合仍可以確實測定呈色度。 又，第2免疫色譜試片之測定方法也可以在第2位置 的吸光度變化之後熄滅測定光，隨後再度點亮進行預定時 間經過後的掃描。藉此，可以縮短測定光的照射時間，因 此可抑制電力消耗，延長照射測定光之發光元件等的壽命 並且，第2免疫色譜試片之測定方法也可以免疫色譜 200844439 試片具有產生第1抗原抗體反應的第1帶狀區域，及設置 在較第1帶狀區域下游測產生第2抗原抗體反應的第2帶 狀區域，以第1位置作爲第1帶狀區域內，以第2位置作 爲第2帶狀區域內爲佳。藉此，可以在第1位置及第2位 置更爲明確地檢測吸光度的變化。 另外，第2免疫色譜試片之測定方法是以第1位置的 吸光度變化後經過較上述經過時間長的預定時間之後開始 進行呈色度的測定爲佳，該預定時間的期間進行抗原抗體 反應可明確發現呈色線，因此根據此一測定方法，可更爲 精度良好地進行呈色度的測定。 又，根據本發明的第3免疫色譜試片之測定方法，具 備：檢體滴下到含螢光物質的免疫色譜試片之後，將測定 光照射在免疫色譜試片上，藉著該測定光所激發之反應線 的螢光強度的檢測，測定反應線的抗原抗體反應的反應度 的步驟，在檢體滴下後，對於免疫色譜試片上的第1位置 持續地照射測定光檢測反射光或螢光以檢測第1位置的吸 光度的變化或螢光強度的變化，從免疫色譜試片上的第1 位置朝著下游側的第2位置持續地照射測定光檢測反射光 或螢光以檢測第2位置的吸光度的變化或螢光強度的變化 ，根據第1位置的吸光度或螢光強度變化後到第2位置的 吸光度或螢光強度變化爲止的經過時間校正反應度。 該第3測定方法中，滴下到含螢光物質的免疫色譜試 片的檢體與螢光物質同時被展開。因此，免疫色譜試片上 檢體到達的位置一旦爲測定光所激發及產生螢光。並在免 -8- 200844439 疫色譜試片展開的檢體吸收測定光，因此在檢體到達的位 置吸光度會降低。上述的測定方法是在免疫色譜試片上的 第1位置持續地照射測定光檢測反射光或螢光以檢測出第 1位置的吸光度的變化或螢光強度的變化，並對於第2位 置持續地照射測定光檢測反射光或螢光以檢測出第2位置 的吸光度的變化或螢光強度的變化，可藉此容易得知檢體 到達第1及第2位置的各個時機。並且，根據從第1位置 的吸光度或螢光強度變化到第2位置的吸光度或螢光強度 變化爲止的經過時間（即檢體的流速）校正反應線的反應 度，可藉此抑制反應度不均一造成的影響，精度良好地分 析檢體中的抗原（或抗體）。 〔發明效果〕 根據本發明的免疫色譜試片之測定方法，可抑制反應 度不均一造成的影響，精度良好地分析檢體中的抗原（或 抗體）。 【實施方式】 以下，一邊參閱添附圖示詳細說明根據本發明免疫色 譜試片之測定方法的實施形態。並且，圖示的說明中同一 元件賦予相同符號，省略其重複的說明。 (第1實施形態） 對於根據本實施形態的免疫色譜試片之測定方法說明 -9 - 200844439 之前，首先針對本測定方法的實施上具備較佳構成的測定 裝置說明如下。第1圖是表示適當使用在本實施形態之測 定方法的測定裝置1 a的構成的透視圖。測定裝置1 a對於 形成在免疫色譜試片4 1的呈色線（反應線）的測試線TL 及控制線CL照射測定光，檢測其反射光的強度，藉以測 定呈色線TL及CL的呈色度（反應度）的裝置。該測定 裝置la是如第1圖表示，具備：支撐具有免疫色譜試片 4 1的免疫色譜測試用具42用的載放板（試片支撐部）1 1 ;一體組裝有測定光照射在免疫色譜試片4 1的光照射部 的發光元件2 1及檢測來自免疫色譜試片4 1的反射光之光 檢測部的光檢測元件22的光學頭2 ; —體組裝有測定光照 射在免疫色譜試片4 1的光照射部的發光元件3 1及檢測來 自免疫色譜試片41的反射光之光檢測部的光檢測元件3 2 的光學頭3 ;相對於光學頭2及3使載放板1 1朝著檢體流 動方向（圖中的箭頭A )相對移動的驅動機構21 ;及控制 光學頭2、3與驅動機構1 2的控制部1 3。 在此’第2圖爲免疫色譜測示用具42的上視圖。如 第2圖表示，免疫色譜測試用具42，具有；平面方向長方 型的殼體43，及保持在該殼體43內的免疫色譜試片41。 殼體43設有沿著其長邊方向，滴下檢體用的檢體點 著窗44 ’及露出免疫色譜試片4 1的呈色部份的觀測用窗 45。成形著檢體點著窗44的緣部44a〜44d及成形著觀測 用窗45的緣部45 a〜4 5d被朝向免疫色譜試片41傾斜設置 ，形成斜錐形。 -10- 200844439 免疫色譜試片4 1爲硝化纖維素膜或濾紙等的材質所 構成，呈長方形。免疫色譜試片4 1具有設置在對應檢體 點著窗44的位置的檢體點著部4 1 a與設置在對應觀測用 窗45的位置的檢測部4 1 b。檢測部4 1 b具有朝著與免疫色 譜試片41長方向的檢體流動方向（圖中的箭頭A)交叉 方向延伸的第1帶狀區域4 1 c，相對於帶狀區域4 1 c平行 ，且設置在檢體流動方向A下游側的第2帶狀區域4 1 d。 帶狀區域4 1 c塗抹有呈線狀（帶狀）的抗體中的抗原（或 抗體）與產生第1抗原抗體反應的抗體（或抗原），帶狀 區域4 1 d以色素標記相對於和檢體中的抗原（或抗體）結 合的抗體（或抗原）（以下作爲標準色素），將產生第2 抗原抗體反應的抗體（或抗原）塗抹呈線狀，分別予以固 定化。再者，帶狀區域4 1 d不限於上述的標準色素，也可 以色素標記相對於不與檢體中的抗原（或抗體）結合的抗 體（或抗原），將產生第2抗原抗體反應的抗體（或抗原 )分別塗抹呈線狀（帶狀）予以固定化。 檢體是從檢體點著窗44滴下到免疫色譜試片4 1的檢 體點著部4 1 a。檢體中的抗原（或抗體）是與標記顏色結 合，檢體中的抗原（或抗體）與標記色素結合的結合體或 未反應的標記色素是在免疫色譜試片41的長邊方向移動 。現在，假如檢體中包含有抗原，抗原在帶狀區域4 1 c中 執行抗原抗體反應。隨著檢體的移動，檢體中的抗原與固 定在帶狀區域4 1 c的抗體特殊地反應，在反應後的帶狀區 域4 1 c藉著標記色素形成呈色線（測試線TL )。另一方 -11 - 200844439 面，未反應的標記色素是與固定在帶狀區域41d的抗體特 殊性地反應，在反應後的帶狀區域4 1 d藉著標記色素形成 呈色線（控制線CL )。再者，呈色線TL及CL的寬度通 常爲1 .0mm左右。又，呈色線TL及CL的長邊方向的長 度通常爲5mm左右。 第3圖是沿著檢體移動方向的光學頭2的側視剖面圖 。又，第4圖是表示光學頭2及免疫色譜測試用具4 2的 透視圖。再者，爲了容易理解，第4圖中省略光學頭2具 有的樹脂構件25及PC基板26的圖示。 光學頭2是如第3圖及第4圖表示，具有：發光元件 21 ;光檢測元件22 ;光束整形構件23及24 ;樹脂構件25 (第3圖）；及PC基板26 (第3圖）。本實施形態作爲 發光元件21是使用稱發光二極管（LED )的半導體發光 元件，作爲光檢測元件22則是使用稱爲矽光電二極管的 半導體光檢測元件。發光元件2 1其光軸是相對於免疫色 譜試片41的表面呈垂直安裝在基板26的內面26a，將照 射光照射在免疫色譜試片4 1上。光檢測元件22是經結合 在發光元件22的2支金屬棒27安裝在PC基板26，光檢 測面22a接受來自免疫色譜試片4 1的反射光，轉換成對 應反射光強度的電氣訊號。本實施形態的光檢測元件22 是相對於發光元件2 1的光軸配置在檢體流動方向A的下 游測。 光束整形構件23及24是將來自發光元件21的光整 形爲具有朝著與免疫色譜試片4 1的帶狀區域4 1 c及4 1 d ( -12 - 200844439 參閱第2圖）大致平行方向延伸之光束剖面的光用的構件 ，排列配置在發光元件2 1的光軸方向（相對於免疫色譜 試片41表面的垂直方向）。光束整形構件23爲形成有大 致圓形的開孔23 a的板狀構件所構成。光束整形構件24 是形成有相對於帶狀區域4 1 c及4 1 d大致平行延伸的開縫 24a的板狀構件所構成。光檢測元件22及光束整形構件 23、24是如第3圖表示，一體保持在接合於PC基板26 的內面26a的塊狀樹脂構件25，限定彼此的位置關係。 第5圖是表示光學頭3及免疫色譜測試用具42的透 視圖。又，第6圖是沿著第5圖表示光學頭3的VI - VI剖面 的剖面圖。 光學頭3，具有：發光元件3 1 ;光檢測元件3 2 ;光束 整形構件3 3 ;及透鏡3 4，該等是藉著構件3 5及3 6保持 成一體，限定彼此的關係。本實施形態是使用發光二極管 (LED )的半導體發光元件作爲發光元件3 1，使用矽光電 二極管的半導體檢測元件作爲作爲光檢測元件3 2。發光元 件3 1其光軸是相對於免疫色譜試片4 1的表面呈垂直保持 在構件3 6上，將照射光照射在免疫色譜試片4 1。光檢測 元件3 2是從免疫色譜試片4 1上的測定光照射位置配置在 與帶狀區域4 1 c及4 1 d (參閱第2圖）大致平行方向的斜 上方，使來自免疫色譜試片4 1的反射光轉換成對應其強 度的電氣訊號。 光束整形成構件3 3是將來自發光元件3 1的光整形爲 具有朝著與免疫色譜試片4 1的帶狀區域4 1 c及4 1 d (參閱 -13- 200844439 第2圖）大致平行方向延伸的光束剖面的光用的構件。光 束整形構件3 3爲形成有相對於帶狀區域4 1 c及4 1 d朝著 大致平行方向延伸的開縫3 3 a的板狀構件所構成。光束整 形構件33是如第6圖表示，被夾持固定在構件35與嵌入 構件3 5的凹部並保持著發光元件31的構件3 6之間。又 ，透鏡3 4是將來自發光元件3 3的光（語帶狀區域4 1 c及 4 1 d大致平行的開縫光）成像於免疫色譜試片4 1上之用。 透鏡3 4被配置在從發光元件3 1所射出測定光的光軸上， 保持在構件3 5上。 構件3 5爲保持光檢測元件3 2及透鏡3 4的構件。構 件3 5上形成有覆蓋從發光元件3 1所射出測定光的光路的 孔3 5 a，及覆蓋從免疫色譜試片反射而射入光檢測元件3 2 的光的光路的孔3 5 b。孔3 5 a的一端經開縫3 3 a配置有保 持在構件3 6的發光元件3 1，孔3 5 a的另一端是與免疫色 譜試片41的光照射位置相對。又，透鏡3 4被保持在孔 3 5a內。孔35b的一端配置有光檢測元件32，孔35b的另 一端是與免疫色譜試片4 1的光照射位置相對。藉此一構 成，孔35a及35b，具有作爲：防止從發光元件31所射出 的測定光洩漏到光學頭3的外部及反射光以外的干擾光（ 散射光）之緩衝部的功能。 再度參閱第1圖。驅動機構1 2是相對於光學頭2及3 使載放板1 1沿著檢體流動方向A移動用的機構。驅動機 構1 2，具有：沿著檢體流動方向A咬合在形成於載放板 1 1側面的齒條1 6的小齒輪1 7，及固定有咬合在該小齒輪 -14- 200844439 1 7的渦輪1 8的驅動馬達1 9等。該驅動機構1 2藉著驅動 馬達一旦將渦輪1 8朝著正轉方向轉動時，使得小齒輪j 7 減速轉動驅動，該小齒輪1 7上咬合著齒條1 6的載放板1 1 在與檢體流動方向A的相反方向移動。其結果，光學頭2 及3相對於載放板1 1在檢體流動方向A相對地移動。 控制部1 3是作爲驅動馬達1 9的轉動控制、發光元件 2 1及3 1的點燈控制及光檢測元件2 2及3 2的輸出訊號處 理之用而設置。 接著，針對根據本實施形態的免疫色譜試片之測定方 法，一邊參閱第7圖〜第1 2圖說明如下。第7圖及第8圖 是表示根據本實施形態的測定方法的流程圖。又，第9圖 〜第1 2圖爲說明測定裝置1 a的動作狀態用的透視圖。並 且，第9圖〜第12圖中，省略第1圖表示的驅動機構12 及控制部1 3的圖示。 首先，測定人員將免疫色譜測試用具42設定在載放 板1 1上（步驟S1 )。並且，控制部13使得載放板1 1與 光學頭2相對移動以檢測來自預先決定之免疫色譜試片4 1 上的第1位置的反射光。具體而言，控制部1 3是藉著驅 動機構1 2的動作移動載放板丨丨，使免疫色譜試片4 1上的 第1位置位於光學頭2的發光元件2 1的光射出方向（具 體而言，通過開孔2 3 a及開縫24 a的光的前進方向）而控 制光學頭2與免疫色譜試片4 1的相對位置關係（步驟S 2 )。本實施形態中，免疫色譜試片41上的第1位置是被 設定在第1帶狀區域41c內。因此，如第9圖表示，帶狀 -15- 200844439 區域41c形成位在發光元件21的光射出方向。 接著，測定人員在檢體滴下到檢體點著部4 1 a之後， 發光元件21對於免疫色譜試片41的第1位置（亦即帶狀 區域4 1 c )照射測定光。並且，光檢測元件22接受其反射 光，轉換對應光強度的電訊號。將電訊號送至控制部1 3， 控制部1 3可根據該電訊號檢測第1位置（帶狀區域4 1 c ) 的反射光強度（步驟 S3)。並且，此時，熄滅發光元件 3 1° 在此，第1 3 ( a )圖是槪念性表示第1位置（帶狀區 域4 1 c )的光學特性（吸光度）的變化曲線的圖表。第1 3 (a )圖中，縱軸是表示第1位置（帶狀區域41 c )的反射 光強度，橫軸是表示時間。通常，乾的狀態的免疫色譜試 片4 1的吸光度小，光檢測元件22中檢測出比較大的強度 P 1的反射光。並且，檢體一旦到達第1位置（帶狀區域 41 c )時，檢體吸收測定光的一部份，使得第1位置（帶 狀區域4 1 c )的吸光度增大，因此朝著光檢測元件22的反 射光強度變化爲小於強度P1的強度P2。控制部1 3是根 據來自光檢測元件22的電訊號來觀測吸光度的變化（步 驟S4 )，在吸光度變化的時刻a開始計時（步驟S5 )。 控制部1 3在檢測第1位置（帶狀區域4 1 c )的吸光度變化 之後，將發光元件21熄滅。 接著，控制部1 3使得載放板11與光學頭3相對移動 來檢測來自較第1位置下游側的免疫色譜試片4 1上的第2 位置的反射光。具體而言，控制部1 3再度使驅動機構1 2 -16- 200844439 動作藉此移動載放板1 1，使免疫色譜試片41上的第2位 置位在光學頭3的發光元件3 1的光射出方向（通過開縫 3 3a及透鏡34的光前進的方向）而控制光學頭3與免疫色 譜試片41的相對位置關係（步驟S 6 )。本實施形態中 ，將免疫色譜試片4 1上的第2位置設定在第2帶狀區域 41d內。因此，如第1〇圖表示，形成帶狀區域41d位在發 光元件3 1的光射出方向。之後，控制部1 3點亮發光元件 3 1，發光元件31對於免疫色譜試片41的第2位置（亦即 帶狀區域4 1 d )照射測定光。並且，光檢測元件3 2接受其 反射光，轉換成因應光強度的電訊號。將電訊號送到控制 部1 3，控制部1 3根據該電訊號來檢測第2位置（帶狀區 域4 1 d )的反射光強度（步驟S 7 )。 第1 3 ( b )圖是槪念性表示第2位置（帶狀區域41 d )的光學特性（吸光度）的變化曲線的圖表。第13(b) 圖中，縱軸是表示第2位置（帶狀區域41 d )的反射光強 度，橫軸是表示時間。如上述，檢體到達第2位置（帶狀 區域4 1 d )爲止，在光檢測元件3 2檢測出比較大強度P 1 的反射光。並且，檢體一旦到達第2位置（帶狀區域4 1 d )時，第2位置（帶狀區域41 d )形成大的吸光度，對於 光檢測元件32的反射光強度變化爲強度P2 ( < P 1 )。控 制部1 3是根據來自光檢測元件3 2的電訊號觀測吸光度的 變化（步驟S8 )，吸光度變化的時刻tb與ta的差（tb-ta )，即取得第1位置（帶狀區域4 1 c )的吸光度變化後到 第2位置（帶狀區域4 1 d )的吸光度的變化爲止的經過時 -17- 200844439 間（步驟s 9 )。控制部13在第2位置（帶狀區域41 d ) 的吸光度變化後，一旦熄滅發光元件3 1。 接著，控制部1 3以時刻ta爲基準進行預定時間的計 算（步驟S 1 0 )。在該預定時間的期間，進行上述第1及 第2抗原抗體反應，使帶狀區域4 1 c及4 1 d呈色以發現呈 色線TL及CL。該預定時間較上述經過時間（tb-ta)長， 例如設定爲1 5分鐘左右，根據檢體的種類加以適當調整 〇 預定時間經過後，控制部1 3再度點亮發光元件3 1， 使測定光的照射位置通過帶狀區域4 1 c、4 1 d，將發光元件 3 1的測定光一邊朝著檢體流動方向掃描，藉著光檢測元件 3 2連續地（或斷續地）檢測反射光，獲得檢測部4 1 b的測 定光的吸光分佈（步驟S 1 1 )。具體而言，控制部1 3使 驅動機構1 2再度動作藉此移動載放板1 1，如第1 1圖表示 ，將檢測部4 1 b的上游測一端定位在發光元件3 1的光射 出方向。並且，控制部1 3在檢測部4 lb的下游測一端定 位在發光元件3 1的光射出方向爲止（參閱第1 2圖），使 測定光的照射位置朝著'下游測一邊移動（亦即，使免疫色 譜試片4 1相對於光學頭3相對地朝著上游側一邊移動） ，持續將測定光照射在發光元件3 1上，藉著光檢測元件 32取得對應反射光強度的電訊號。 第1 4圖是表示藉上述動作所取得測定光的吸光分佈 的一例圖。第14圖中，縱軸是表示反射光強度，橫軸是 表示檢體流動方向的檢測部4 1 b上的位置。控制部1 3作 -18- 200844439 成例如第1 4圖表示的吸光分佈，從該吸光分佈分別藉著 ABS! = log ( ai/a〇) 、ABS2 = log ( a2/a〇 )的運算式算出免疫 色譜試片4 1上的測試線TL的吸光度AB S !、控制線CL的 吸光度ABS2。該吸光度ABS1及 ABS2即表示各呈色線TL 、CL的呈色度。並且，控制部1 3是根據預先設定的關係 式藉著時間（tb-ta )來校正吸光度ABS!、ABS2。控制部 13是根據控制線CL校正後的吸光度ABS2來判定測定的 成否，同時參閱預先作成的檢量特性線圖，藉此對應測試 線TL校正後的吸光度AB S !求得包含在檢體中的抗原（或 抗體）的總量（濃度），將此藉著顯示裝置或印刷裝置等 的輸出裝置加以輸出（步驟S12)。 如上述，本實施形態之測定方法是測定形成在免疫色 譜試片4 1的檢測部4 1 b的測試線T L及控制線C L的呈色 度。 針對藉本實施形態的測定方法所獲得的效果說明。本 發明人是著眼於呈色線（反應線）的呈色度（反應度）的 不均一與檢體流速（展開速度）的不均一之間所存在的相 關性。並且，如第1 5圖表示，實際上準備1 3個免疫色譜 試片Μ 1〜Μ 1 3 ’使得環境條件等變化，藉以使各試片 M1〜Μ13具有不均一的流速，此外將含同一濃度的抗原（ 或抗體）的檢體滴下’取得檢體通過免疫色譜試片上的第 1位置的時刻ta、檢體通過第2位置的時刻tb、差値（tb-ta )及1 5分鐘後的測試線TL的吸光度AB S !。再者，以 下的實施例中，免疫色譜試片是使用表面活性劑處理硝化 -19- 200844439 纖維素膜之物，檢體則是使用在磷酸緩衝液中混入濃度 100[ng/mol]的蛋白質之物。 第16圖是將吸光度ABS!與時間（tb-ta)圖示在座標 軸上的圖。參閱第16圖時，吸光度ABS!與時間（tb-ta) 之間，可得知時間（tb-ta)越長吸光度ABSi越大的相關 性。因此，如第1 6圖表示，例如以一維近似直線G1表示 上述的相關性，根據該直線G 1校正吸光度AB S i時，藉著 呈色度不均一影響的抑制可獲得正確的吸光度ABSl。 該實施例中，一維近似直線G 1是以下述的數式（1 ) 表示。 ABSi = 0.0036x(tb-ta) + 0.0338...(l) 並且，使用接著的數式（2 )將校正後的吸光度ABS! 表示在第1 5圖的最右列。 (校正 ABSJM 實測 ABS1)-0.003 6 x(tb-ta)...(2) 爲了評估該校正後的吸光度AB S !，算出校正後吸光 度ABS!分別的變動係數（不均一度）CV。其結果，校正 前的變動係數CV形成爲6.5，校正後的變動係數CV是形 成4.4，顯示各試片Ml〜M13的吸光度CV的不均一可藉 著校正得以降低。如上述，測定時間（tb-ta )即檢體的流 速’根據其結果校正吸光度（呈色度）時，抑制根據呈色 度不均一的影響，可精度更良好地分析檢體中抗原（或抗 體）的量。 根據本實施形態的測定方法，對於第1位置（帶狀區 域4 1 c )持續地照射測定光檢測反射光來檢測吸光度的變 -20- 200844439 化，隨後將測定光持續地照射在第2位置（帶狀區域4 1 d ) 檢測反射光來檢測吸光度的變化，可藉此容易得知檢 體到達各位置的時機。並且，根據第1位置（帶狀區域 4 1 c )的吸光度變化後到第2位置（帶狀區域4 1 d )的吸光 度變化爲止的經過時間（tb-ta)校正呈色線TL及CL的 吸光度（呈色度），藉以抑制呈色度不均一造成的影響’ 可精度良好地分析檢體中的抗原（或抗體）的量。 又，如本實施形態是以免疫色譜試片4 1具有產生檢 體與抗原抗體反映的帶狀區域（本實施形態爲2條帶狀區 域4 1 c、4 1 d )，第1位置（帶狀區域4 1 c )的吸光度變化 後經過較時間（tb-ta )長的預定時間之後，取得帶狀區域 4 1 c、4 1 d的吸光度爲佳。如上述，從第1位置（帶狀區域 41c )的吸光度變化後經過較時間（tb-ta )長的預定時間 之後，取得帶狀區域4 1 c、4 1 d的吸光度，藉此在該預定 時間的期間內進行抗原抗體反應可明確發現呈色線TL、 CL，因此可更精度優良地進行呈色度的測定。並且爲了以 第1位置（帶狀區域4 1 c )吸光度的變化作爲預定時間的 測量開始，與操作者在按壓測量開始按鍵等的測量開始輸 入有所不同，不會產生輸入時機與實際測量應開始的時機 的不均一或或忘記輸入等的問題。 又，如本實施形態，在上述預定時間經過後，爲了使 測定光的照射位置通過帶狀區域4 1 c、4 1 d ’以一邊使發光 元件3 1的測定光掃描檢體流動方向，藉著光檢測元件3 2 連續或斷續地檢測反射光爲佳。藉此，取得形成呈色線 -21 - 200844439 TL、CL的帶狀區域41c、41b及其周邊的反射光數據，可 以作成如第1 4圖表示的吸光曲線，因此即使在呈色線Tl 、C L的位置產生誤差的場合，仍然可以確實地測定吸光 度（呈色度）。 又，如本實施形態，以檢測第2位置（帶狀區域4 1 d )的吸光度變化之後一旦熄滅發光元件3 1，隨後再度點亮 ，進行第8圖表示步驟S 1 1的動作（使發光元件3 1的測 定光朝著檢體流動方向掃描，獲得檢測部4 1 b的測定光的 吸光曲線）爲佳。藉此，可以縮短發光元件3 1的點亮時 間，因此可以抑制電力消耗，延長發光元件3 1的壽命。 從第1位置（帶狀區域41 c )的吸光度變化後進行步驟 S 1 1爲止的預定時間爲1 5分鐘左右的場合，例如可以在 1 4分左右經過的時刻再度點亮發光元件3 1。 又，如本實施形態，以藉著光學頭2檢測第1位置（ 帶狀區域4 1 c )的吸光度變化之後，熄滅光學頭2的發光 元件2 1，之後點亮光學頭3的發光元件3 1檢測第2位置 (帶狀區域4 1 c )的吸光度變化爲佳。藉此，在檢測第1 位置（帶狀區域4 1 c )的吸光度變化時，來自發光元件3 i 的光不會射入光檢測元件22內，並且在檢測第2位置（ 帶狀區域4 1 d )的吸光度變化時，來自發光元件2 1的光不 會射入到光檢測元件3 2內，因此可以提高第1及第2位 置的各反射光的檢測精度。 又，如本實施形態，以使用對應各光檢測元件22、3 2 的發光元件2 1、3 1，使光檢測元件2 2可檢測根據發光元 -22- 200844439 件21所照射的反射光，光檢測元件3 2可檢測根據發光元 件3 1所照射的反射光爲佳。藉此，可分別對於第1位置 (帶狀區域4 1 c )及第2位置（帶狀區域4 1 d )穩定地照 射光，可以提高吸光度變化的檢測精度以至於檢體流速的 測定精度。 又，如本實施形態，將發光元件21及光檢測元件22 一體組裝在光學頭2，將發光元件3 1及光檢測元件3 2 — 體組裝在光學頭3，可藉此將發光元件2 1及光檢測元件 22與發光元件3 1及光檢測元件32彼此精度良好地定位， 提升反射光的檢測精度。又，光學頭2、3中的至少一方 (本實施形態爲光學頭3 )具有包覆測定光及反射光的光 路的構件3 5 (參閱第6圖），可藉此防止該光學頭對於反 射光檢測元件的擾光的射入，可更爲提升反射光的檢測精 度。 又，本實施形態的光學頭2與光學頭3的間隔是以可 變的爲佳。藉此，可以使光學頭2與光學頭3的間隔容易 對應免疫色譜試片4 1的大小等。 再者，本實施形態中，驅動機構1 2雖然使得發光元 件2 1及31的雙方與載放板i i在檢體流動方向相對移動 ，但是也可以使發光元件2 1及3 1的其中一方與載放板1 1 在檢體流動方向相對移動。此時，以使得進行第8圖表示 步驟S 1 1的發光元件（本實施形態爲發光元件3丨）與載 放板Π相對移動爲佳。 -23- 200844439 (第2實施形態） 接著，針對根據第2實施形態的免疫色譜試片之測定 方法說明。第1 7圖是表示適當使用在本實施形態之測定 方法的測定裝置1 b的構成的透視圖。本實施形態的測定 裝置1 b與上述第1實施形態的不同點在於第1光學頭的 有無。亦即，本實施形態的測定裝置1 b不具備第1圖所 示的光學頭2，本實施形態的控制部1 4是使用光學頭3進 行第1位置（帶狀區域4 1 c )的吸光度變化的檢測、第2 位置（帶狀區域4 1 d )的吸光度變化的檢測及測定光的吸 光曲線的作成。另外，本實施形態的光學頭3、驅動機構 1 2及免疫色譜測試用具42的構成是與第1實施形態相同 〇 針對根據本實施形態的免疫色譜試片之測定方法，〜 邊參閱第18圖〜第23圖說明如下。第18圖及第19圖是 表示根據本實施形態之測定方法的流程圖。又，第20圖〜 第2 3圖是說明測定裝置1 b的動作狀態用的透視圖。並且 ，第20圖〜第23圖中，省略第17圖表示的驅動機構12 及控制部1 4的圖示。 首先，測定人員將免疫色譜試片3 2設定在載放板1 1 上（步驟S21 )。並且，控制部14使載放板1 1與光學頭 3相對移動檢測來自免疫色譜試片4 1上的第1位置（帶狀 區域4 1 c )的反射光。具體而言，控制部1 4藉著驅動機橇 1 2的動作來移動載放板n，控制光學頭3與免疫色譜試 片41的相對位置關係將免疫色譜試片41上的第1位置（ -24 - 200844439 帶狀區域4 1 c )定位在光學頭3的發光元件3 1的光射出位 置（參閱第20圖）（步驟S22)。 接著’測定人員將檢體滴下到檢體點著部4 1 a之後， 發光元件3 1對於免疫色譜試片41的第1位置（帶狀區域 4 1 c )照射測定光。並且，光檢測元件3 2接受其反射光， 轉換成因應光強度的電訊號。將電訊號送到控制部1 4，控 制部1 4根據該電訊號檢測第1位置（帶狀區域4丨c )的反 射光強度（步驟S23 )。控制部14根據該電訊號觀測光 學特性（吸光度）（步驟S24 )，在吸光度變化的時刻ta 開始計時（步驟S25 )。 接著，控制部14使載放台1 1與光學頭3相對移動以 檢測來自免疫色譜試片4 1上的第2位置（帶狀區域4 1 d ) 的反射光。亦即，控制部1 4使驅動機構1 2再度動作，藉 此移動載放板1 1，控制光瘸頭3與免疫色譜試片4 1的相 對位置關係將免疫色譜試片4 1上的第2位置（帶狀區域 41d)定位在發光頭3的發光兀件31的光射出方向（參閱 第21圖）（步驟S26)。之後發光元件3 1對於第2位置 (帶狀區域4 1 d )照射測定光，使光檢測元件3 2輸出因應 其反射光強度的電訊號。控制部1 4根據該電訊號檢測第2 位置（帶狀區域41d )的反射光強度（步驟S27 )。控制 部14根據該電訊號觀測光學特性（吸光度）的變化（步 驟S28 )，取得吸光度變化的時刻tb與ta的差（tb-ta ) (步驟S 2 9 )。控制部1 4在第2位置（帶狀區域4 1 d )的 吸光度變化後，將發光元件3 1 —旦熄滅。 -25- 200844439 接者’控制部14從時刻t a進行預定時間的計算（步 驟S30) ’此一期間內使帶狀區域41c及41d呈色發現呈 色線T L及C L。經過預定時間後，控制部1 4將發光元件 3 1再度點亮’將發光元件31的測定光朝著檢體流動方向 持續地掃描，使測定光的照射位置通過帶狀區域4〗c、4 i d ’藉著光檢測元件3 2連續（或斷續）地檢測反射光，獲 得檢測部4 1 b的測定光的吸光曲線（步驟s 3丨）。亦即， 控制部1 4藉著驅動機構1 2再次的動作使載放台1 1移動 ，如第22圖表示，使檢測部4 1 b上游測的一端位於發光 元件3 1的光射出方向。並且，控制部丨4在檢測部4 1 b的 下游測一端位於發光元件3 1的光射出方向爲止（參閱第 2 3圖）使測定光的照射位置一邊朝著下游測移動（亦即， 一邊使得免疫色譜試片4 1相對於光學頭3相對地朝著上 游測移動），持續地將測定光照射在發光元件3 1上，藉 著光檢測元件3 2取得對應反射光強度的電訊號。 接著，控制部14作成吸光曲線（參閱第1 3圖），從 該吸光曲線算出免疫色譜試片4 1上的測試線TL的吸光度 ABSi、控制線CL的吸光度ABS2。並且，控制部14根據 預先所設定的關係式藉著時間（tb-ta)校正吸光度ABSi 、ABS2。控制部14是根據控制線CL校正後的吸光度 ABS2來判定測定成否的同時，參照預先所製成的檢量特 性線圖，對應測試線TL校正後的吸光度AB S !求得檢體中 所含的抗原（或抗體）的總量（濃度），藉著顯示裝置或 印刷裝置等的輸出裝置將此輸出（步驟S32 )。 -26- 200844439 如上述，本實施形態的測定方法是測定形成在免疫色 譜試片4 1的檢測部4 1 b的測試線TL及控制線CL的呈色 如本實施形態的測定方法，測定光照射在第1位置（ 帶狀區域4 1 c )及第2位置（帶狀區域41 d )的照射部（ 發光元件3 1 )也可以彼此共通。即使如上述的構成，可以 檢測第1位置（帶狀區域41 c )的吸光度的變化及第2位 置（帶狀區域4 1 d )的吸光度的變化，可容易得知檢體到 達各位置的時機ta、tb。並且，根據經過時間（tb-ta)校 正呈色線TL及CL的吸光度（呈色度），可藉此抑制呈 色度不均一造成的影響，精度良好地分析檢體中的抗原（ 或抗體）的量。 (變形例） 第24圖是表示上述第1實施形態的測定方法之實施 較佳測定裝置1 c的構成的透視圖。該測定裝置1 c具備光 學頭5及6。光學頭5 —體組裝有發光元件5 1及光檢測元 件52。光學頭6 —體組裝有發光元件61及光檢測元件62 〇 又，光學頭5更具有將半導體發光元件5 1所射出的 測定光整形爲與帶狀區域4 1 c大致平行的開縫光用的未圖 示的光束整形構件及透鏡，半導體發光元件51、半導體光 檢測元件5 1、光束整形構件及透鏡是藉著塊狀構件5 3 — 體保持著，限定著彼此的位置關係。發光元件5 1其光射 -27- 200844439 出方向被相對於免疫色譜試片41的表面形成垂直地保持 在構件5 3上，將測定光照射在免疫色譜試片4 1的第1位 置（帶狀區域4 1 c )。光檢測元件52被從第1位置（帶狀 區域4 1 c )配置在與帶狀區域4 1 c大致平行方向的斜向上 方，將來自免疫色譜試片4 1的第1位置（帶狀區域4 1 c ) 的反射光轉換爲對應其強度的電訊號。 光學頭6更具有將半導體發光元件6 1所射出的測定 光整形爲與帶狀區域4 1 d大致平行的開縫光用的未圖示的 光束整形構件及透鏡，半導體發光元件6 1、半導體光檢測 元件6 1、光束整形構件及透鏡是藉著塊狀構件63 —體保 持著，限定著彼此的位置關係。發光元件6 1其光射出方 向被相對於免疫色譜試片4 1的表面形成垂直地保持在構 件63上，將測定光照射在免疫色譜試片41的第2位置（ 帶狀區域4 1 d )。亦即，發光元件6 1的射出光軸與發光元 件5 1的射出光軸的間隔被設定與第1位置（帶狀區域4 1 c )與第2位置（帶狀區域4 1 d )的間隔大致相等。光檢測 元件62被從第2位置（帶狀區域4 1 d )配置在與帶狀區域 4 1 d大致平行方向的斜向上方，將來自免疫色譜試片4 1的 第2位置（帶狀區域4 1 d )的反射光轉換爲對應其強度的 電訊號。 再者，構件53及63分別具有與第6圖表示的孔35a 、3 5b相同的未圖示的2個孔，構成緩衝構造。一方的孔 覆蓋著從發光元件5 1 (或6 1 )所射出測定光的光路，另 一方的孔則是覆蓋著從免疫色譜試片4 1反射而射入光檢 -28- 200844439 測元件52 (或62 )的光的光路。 該變形例與第1實施形態不同，第1光學頭5同樣具 有覆蓋來自發光元件5 1的測定光的光路及來自第1位置 (帶狀區域4 1 c )的反射光的光路的構件5 3，形成緩衝構 造。亦即2個光學頭其中的至少一方覆蓋著測定光及反射 光的光路，藉此防止對於該光學頭的光檢測部之擾光的射 入，可更爲提升反射光的檢測精度。 又，例如本變形例，發光元件5 1的射出光軸與發光 元件6 1的射出光軸的間隔也可以配合免疫色譜試片的第1 位置與第2位置的間隔設定。 第2 5圖是表示上述第1實施形態之測定方法的實施 較佳測定裝置1 d的構成的透視圖。該測定裝置1 d具備相 對於免疫色譜試片4 1固定相對位置的光學頭7。光學頭7 一體組裝有發光元件71、72及光檢測元件73、74，限定 著彼此的位置關係。 發光元件7 1及72其光射出方向是相對於免疫色譜試 片4 1的表面形成垂直地被保持在構件75上。發光元件7 1 將照射光照射在免疫色譜試片4 1的第1位置（帶狀區域 4 1 Ο，發光元件72是將照射光照射在第2位置（帶狀區 域41 d )。光檢測元件73是從第1位置（帶狀區域4 1 c ) 被配置在與帶狀區域4 1 c大致平行方向的斜向上方，將來 自第1位置（帶狀區域4 1 c )的反射光轉換成對應其強度 的電訊號。光檢測元件74是從免疫色譜試片4 1的第2位 置（帶狀區域4 1 d )被配置在與帶狀區域4 1 d大致平行方 -29- 200844439 向的斜向上方，將來自第2位置（帶狀區域41 d )的反射 光轉換成對應其強度的電訊號。 再者，構件75具有與第6圖表示的構件相同的緩衝 構造，具有：覆蓋從發光元件7 1所射出測定光的光路的 孔；覆蓋從發光元件7 2所射出測定光的光路的孔；覆蓋 從第1位置（帶狀區域41 c )反射而射入到光檢測元件73 的光之光路的孔及覆蓋從第2位置（帶狀區域4 1 d )反射 而射入到光檢測元件7 4的光之光路的孔。 該變形例是與第1實施形態不同，由於發光元件7 1 及72與光檢測元件73及74被一體組裝在一個光學頭7 上，因此發光元件71及72與光檢測元件73及74彼此被 精度良好地定位，可以提升反射光的檢測精度。又，光學 頭7具有覆蓋測定光及反射光的光路的構件75，因此防止 對於光檢測元件73、74的擾光射入，可以提升反射光的 檢測精度。 (第3實施形態） 接著’針對根據第3實施形態的免疫色譜試片之測定 方法說明如下。第2 6圖是表示使用於本實施形態之測定 方法的較佳測定裝置1 e的構成的透視圖。本實施形態的 測定裝置1 e是對於含螢光物質的免疫色譜試片4 1滴下檢 體所形成的反應線（測試線T L及控制線c L )照射測定光 (激發光）’藉著檢測在反應線T L及C L產生的螢光強 度來測定反應線T L及C L的反應度的裝置。再者，本實 -30- 200844439 施形態的螢光物質是與第1實施形態的色素相同 抹在免疫色譜試片41上的與檢體中的抗原（或 合的抗體（或抗原），測試線TL及控制線C L 與第1實施形態相同。 本實施形態的測定裝置1 e與上述第1實施 要不同點在於光學頭的構成。亦即，本實施形態白 學頭的光學頭8具有與第1實施形態的光學頭3 成。又，本實施形態的第2光學頭的光學頭9具 成在免疫色譜試片4 1的反應線TL及C L照射作 的激發光，檢測反應線T L及C L產生的螢光強 成。再者，本實施形態的驅動機構1 2及免疫色 具42的構成是與第1實施形態相同。 該測定裝置1 e是如第26圖表示，具備：支 疫色譜試片4 1的免疫色譜測試用具42用的載放 支撐部）1 1 ; 一體組裝有測定光照射在免疫色譜 的發光元件（第1光照射部）8 1及檢測來自免疫 41的反射光的光檢測元件（第1光檢測部）82白 學頭8 ; —體組裝有測定光（激發光）照射在免 片41的發光元件（第2光照射部）9 1及檢測來 譜試片4 1的螢光的光檢測元件（第2光檢測部） 2光學頭9 ;相對於光學頭8及9使得載放板1 1 動方向相對移動的驅動機構1 2 ;及控制光學頭8 動機構1 2的控制部1 5。再者’對於載放台11、 1 2及免疫色譜試片41的構成由於和第1實施形 ，標記塗 抗體）結 的反應是 形態的主 勺第1光 相同的構 有對於形 爲測定光 度用的構 譜測試用 撐具有免 板（試片 t試片 4 1 色譜試片 1勺第1光 疫色譜試 自免疫色 92的第 在檢體流 、9及驅 驅動機構 態相同， -31 - 200844439 因此省略詳細說明。 光學頭8具有與第1實施形態的光學頭3相同的構成 。亦即，光學頭8，具有：發光元件8 1 ;光檢測元件82 ; 光束整形構件83及透鏡84，該等是藉著構件85 —體保持 著，限定彼此的位置關係。發光元件8 1是使用稱爲發光 二極管（LED )的半導體發光元件，光檢測元件82是使 用稱爲矽（S i )光電二極管的半導體光檢測元件。發光元 件8 1其光軸是相對於免疫色譜試片4 1的表面呈垂直地保 持在構件85上，將測定光照射在免疫色譜試片4 1。光檢 測元件4 1是從免疫色譜試片4 1上的測定光的照射位置被 配置在與帶狀區域41c及41d (參閱第2圖）大致平行方 向的斜向上方，將來自免疫色譜試片4 1的反射光轉換成 對應其強度的電訊號。 光學頭9具有與光學頭8大致相同的構成。亦即，光 學頭9，具有：發光元件91 ;光檢測元件92 ;光束整形構 件93及透鏡94，該等是藉著構件95 —體保持著，限定彼 此的位置關係。但是，光束整形構件93與透鏡94之間設 有波長濾波器96。波長濾波器96是將發光元件91所射出 的光取出螢光物質激發所必須波長成分用的構件。又，光 檢測元件92與免疫色譜試片4 1之間設有波長濾波器97。 波長濾波器爲僅將螢光射入到光檢測元件92，截斷其他波 段的光（從發光元件91所射出的光等）用的構件。發光 元件9 1將激發螢光物質用的測定光（激發光）照射在免 疫色譜試片4 1，光檢測元件9 2將來自免疫色譜試片4 1的 -32- 200844439 螢光轉換成對應其強度的電訊號。 接著，針對根據本實施形態的免疫色譜試片之測定方 法，一邊參照第27圖〜第32圖說明如下。第27圖及第28 圖是表示根據本實施形態之測定方法的流程圖。又，第2 9 圖〜第3 2圖爲說明測定裝置1 e的動作狀態用的透視圖。 再者，第29圖〜第32圖中，省略第26圖表示的驅動機構 1 2及控制部1 5的圖示。 首先，測定人員將免疫色譜測試用具42設定在載放 板1 1上（步驟S41 )。並且，控制部1 5使得載放板1 1 與光學頭8相對移動以檢測來自預先決定之免疫色譜試片 4 1上的第1位置的反射光。具體而言，控制部1 5藉著驅 動機構1 2的動作使得載放板1 1移動，並控制光學頭8與 免疫色譜試片4 1的相對位置關係，使免疫色譜試片4 1上 的第1位置定位在光學頭8的發光元件81的光射出方向 (步驟S42 )。本實施形態是將免疫色譜試片41上的第1 位置設定在第1帶狀區域41c內。因此，如第29圖表示 ，帶狀區域4 1 c形成定位在發光元件8 1的光射出方向。 接著，測定人員將檢體滴下到檢體點著部4 1 a之後， 發光元件8 1將測定光照射在免疫色譜試片4 1的第1位置 (即帶狀區域4 1 c )。並且，光檢測元件82接受其反射光 ，轉換成對應光強度的電訊號。電訊號被送到控制部1 5， 控制部1 5可根據該電訊號檢測第1位置（帶狀區域4 1 c ) 的反射光強度（步驟S43 )。並且，此時熄滅發光元件91 -33- 200844439 在此，第3 3 ( a )圖是槪念顯示第1位置（帶狀區域 4 1 c )的光學特性（吸光度）的變化狀態。如先前實施形 態的說明，免疫色譜試片41乾燥時，光檢測元件82檢測 出比較大的強度P 1的反射光。並且，檢體到達第1位置 (帶狀區域4 1 c )時，由於吸光度大因此對於光檢測元件 82的反射光強度變化爲強度P2 (< P 1 )。控制部1 5根據 來自光檢測元件82的電訊號觀測吸光度的變化（步驟 S44 )，在吸光度變化的時刻ta開始計時（步驟S45 ) ° 控制部1 5在檢測第1位置（帶狀區域4 1 c )的吸光度變化 之後，將發光元件8 1熄滅。 接著，控制部1 5使得載放板1 1與光學頭9相對移動 從第1位置檢測來自下游測的免疫色譜試片4 1上的第2 位置的螢光。具體而言，控制部1 5藉著驅動機構1 2的再 度動作來移動載放板1 1，控制光學頭9與免疫色譜試片 4 1的相對位置關係使免疫色譜試片41上的第2位置定位 在光學頭9的發光元件91的光射出方向（步驟S46)。 本實施形態是將免疫色譜試片4 1上的第2位置設定在第2 帶狀區域41 c內。隨後，控制部1 5點亮發光元件91，使 得發光元件9 1將測定光（激發光）照射在免疫色譜試片 41的第2位置（即帶狀區域41 d )。並且，光檢測元件92 接受該測定光激發所產生的螢光，轉換成對應螢光強度的 電訊號。將電訊號送到控制部1 5，控制部1 5可根據該電 訊號來檢測第2位置（帶狀區域41 d )的螢光強度（步驟 S47 ) ° -34- 200844439 第33(b)圖是槪念表示第2位置（帶狀區域41d) 的光學特性（螢光強度）的變化狀態的圖表。第15(b) 圖中，縱軸是表示第2位置（帶狀區域41d)的螢光強度 ，橫軸是表示時間。檢體到達第2位置（帶狀區域4 1 d ) 爲止由於在該位置上並未實質存在有螢光物質，因此光檢 測元件92僅能檢測出極小強度P3的光。並且，檢體一旦 到達第2位置（帶狀區域41 d )時，藉著測定光激發標示 著與檢體中的抗原（或抗體）結合後之抗體（或抗原）的 螢光物質，因此對於光檢測元件92的螢光強度變化爲強 度P4 ( > P3 )。控制部1 5可根據來自光檢測元件9 1的 電訊號觀測螢光強度的變化（步驟S48 )，取得螢光強度 變化後的時刻tb與時刻ta的差（tb-ta)，即第1位置（ 帶狀區域4 1 c )的反射光強度變化後到第2位置（帶狀區 域41d )的螢光強度變化爲止的經過時間（步驟S49 )。 控制部1 5在第2位置（帶狀區域4 1 d )的螢光強度變化之 後，一旦將發光元件9 1熄滅。 接著，控制部1 5以時刻ta爲基準進行預定時間的計 算（步驟S50)。在該預定時間的期間，進行上述第1及 第2抗原抗體反應，在帶狀區域41 c及4 1 d發現反應線 TL及CL。設定該預定時間較上述經過時間（tb-ta)長， 例如1 5分鐘左右，可根據檢體的種類加以適當調整。 控制部1 5再度點亮發光元件9 1，從時刻ta經過預定 時間之後，一邊讓發光元件9 1的測定光朝著檢體流動方 向掃描，使測定光的照射位置通過帶狀區域4 1 c、4 Id，一 -35- 200844439 邊藉著光檢測元件92連續地（或斷續地）檢測螢光，獲 得檢測部41b的螢光曲線（步驟S51 )。具體而言，控制 部1 5再度使驅動機構1 2動作，藉此移動載放台1 1，如第 3 1圖表示，將檢測部4 1 b上游測的一端定位在發光元件 9 1的光射出方向。並且，控制部1 5將檢測部4 1 b下游測 的一端定位在發光元件9 1的光射出方向爲止（參閱第3 2 圖）一邊使測定光的照射位置朝著下游測移動（亦即，一 邊使得免疫色譜試片4 1相對於光學頭相對地朝著上游測 移動），持續地將測定光照射在發光元件上，藉著光檢測 元件92取得對應螢光強度的電訊號。 第3 4圖是表示藉上述動作所獲得螢光曲線的一例圖 。第34圖中，縱軸是表示螢光強度，橫軸是表示檢體流 動方向的檢測部4 1 b上的位置。控制部1 5製成例如第3 4 圖所表示的螢光曲線’從該螢光曲線分別以p L i = 1 〇 g ( a4/a3) 、PL2 = log(a5/a3)的運算式算出免疫色譜試片41 上的測試線TL的螢光度ΡΙ^、控制線CL的螢光度PL2。 該螢光度卩1^及PL2即表示反應線TL、CL的反應度。並 且，控制部1 5是根據預先所設定的關係式以時間（tb-ta )校正螢光度PL !、PL2。控制部15根據控制線CL校正 後的螢光度P L2判定測定成否的同時，參照預先所製成的 檢量特性線圖，藉以求得對應測試線TL校正後的螢光度 P L!包含在檢體中的抗原（或抗體）的總量（濃度），將 此以顯示裝置或印刷裝置等的輸出裝置加以輸出（步驟 S52 ) ° -36- 200844439 如上述，本實施形態的測定裝置1 e是測定形成在免 疫色譜試片4 1的檢測部4 1 b上的測試線TL及控制線CL 的反應度。 根據以上說明後的本實施形態之測定方法，測定光持 續地照射在免疫色譜試片4 1上的第1位置（帶狀區域4 1 c )檢測反射光以檢測第1位置（帶狀區域41 c )的吸光度 的變化，並且將測定光持續地照射在第2位置（帶狀區域 4 1 d )檢測螢光以檢測第2位置（帶狀區域4 1 d )的螢光強 度的變化，藉此可容易得知檢體到達各位置的時機ta、tb 。並且，根據第1位置（帶狀區域41 c )的吸光度變化後 到第2位置（帶狀區域4 1 d )的螢光強度變化爲止的經過 時間（tb-ta，即檢體的流速）來校正反應線TL及CL的 螢光度（反應度），藉此抑制反應度不均一造成的影響， 可精度良好地分析檢體中的抗原（或抗體）的量。 再者，本實施形態涉及的測定裝置1 e也可以進行以 下的變形。亦即，光學頭8設置與光學頭9的波長濾波器 96、97相同的波長濾波器，在光檢測元件82中檢測營光 而非反射光。根據以上的構成，同樣可得知檢體到達第1 位置（帶狀區域4 1 c )的較佳時機ta。亦即，免疫色譜試 片4 1中螢光物質與檢體同時展開，藉著測定光激發檢體 到達的位置時即產生螢光，同時，由於檢體吸收測定光使 得吸光度降低。因此，光學頭8及9中檢測出反射光及螢 光的其中一方時，及可以得知上述的時機ta、tb。 又，本實施形態涉及的測定裝置1 e還可以進行如以 -37- 200844439 下的變形。亦即，如第2實施形態的測定裝置1，也可以 使用1個光學頭取得時機ta、tb，並且進行反應度的測定 。此時，測定裝置是形成排除本實施形態的光學頭8的構 成。亦即，該測定裝置，具備：對於檢體滴下後的免疫色 譜試片41照射測定光的發光元件（光照射部）91 ;檢測 來自根據測定光所照射免疫色譜試片4 1的螢光的光檢測 元件（光檢測部）92 ;支撐免疫色譜試片41的載放板（ 試片支撐部）1 1 ;使得載放板1 1與光檢測元件92在免疫 色譜試片41的檢體流動方向相對移動的驅動機構1 2 ;及 控制驅動機構1 2的控制部1 5。 並且，控制部15使載放板1 1與光檢測元件92相對 移動而檢測來自免疫色譜試片4 1上的第1位置（帶狀區 域4 1 c )的螢光之後，使載放板1 1與光檢測元件92相對 移動而檢測來自第2位置（帶狀區域4 1 d )的螢光，根據 從光檢測元件92的輸出訊號，取得第1位置（帶狀區域 4 1 c )的螢光強度變化後到第2位置（帶狀區域4 1 d )的螢 光強度變化爲止的經過時間。根據以上的構成，可適當檢 測各位置的螢光強度的變化，因此可得知檢體到達各位置 後的時機ta、tb。 本發明不僅限於上述各實施形態及變形例。例如，光 照射部也可以使用雷射二極管等其他的半導體發光元件來 取代發光二極管。或者，光檢測部也可以使用熱電晶體等 其他的半導體受光元件及CCD，或光電管及光電子倍增管 等的真空管型光感測器來取代矽光電二極管。 -38- 200844439 又，上述各實施形態中，分別將免疫色譜試片4 1的 第1位置設定在形成測試線TL的帶狀區域4 1 c，將免疫 色譜試片4 1的第2位置設定在形成控制線CL的帶狀區域 4 1 d。本發明的第1位置及第2位置不僅限於此，也可以 設定在免疫色譜試片上的任蒽位置。 又，上述實施形態中，針對呈色度與檢體流速的相關 性，雖如第16圖表示例示著時間（tb-ta )的長度越長吸 光度AB S i形成越大的相關性。但是兩者的相關性不僅限 於此，例如即使如時間（tb-ta)越長而吸光度ABS!形成 越小的相關性時，根據本發明的測定方法，以時間（tb-ta )校正線TL及CL的反應度時，即可抑制反應度不均一 所造成的影響，精度良好地分析檢體中的抗原（或抗體） 的量。 又，上述的各實施形態中，驅動機構移動試片支撐部 (載放板1 1 )而使得免疫色譜試片與光照射部相對移動， 但是也可以固定試片支撐部，驅動部移動光照射部可以使 免疫色譜試片與光照射部相對移動。或者，驅動機構也可 以移動試片支撐部及光照射部的雙方，使免疫色譜試片與 光照射部相對移動。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示適當使用在第1實施形態的免疫色譜試 片之測定方法的測定裝置之構成的透視圖。 第2圖爲免疫色譜測試用具的上視圖。 -39- 200844439 第3圖爲沿著檢體移動方向的光學頭的側面剖視^ u[。 第4圖是表示光學頭及免疫色譜測試用具的透_ 。 第5圖是表示光學頭及免疫色譜測試用具的透視。 第6圖是沿著第5圖表示光學頭的VI · VI剖面的荀j _ _ 〇 第7圖是表示根據第1實施形態的測定方法的流ffl ο 第8圖是表示根據第1實施形態的測定方法的流^ 〇 第9圖爲說明第1實施形態的測定裝置之動作狀態、 的透視圖。 第10圖爲說明第1實施形態的測定裝置之動作狀態、 用的透視圖。 第1 1圖爲說明第1實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第1 2圖爲說明第1實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第1 3圖爲槪念性表示第1位置的吸光度變化曲線的 圖表（a )，及槪念性表示第2位置的吸光度變化曲線的 圖表（b )。 第1 4圖是表示測定光的吸光分佈的一例圖。 第1 5圖是表示實施例結果的圖表。 第16圖是將實施例的吸光度與時間（tb-ta)圖示在 座標軸上的圖。 -40- 200844439 第1 7圖是表示適當使用在第2實施形態的免疫色譜 試片之測定方法的測定裝置之構成的透視圖。 第1 8圖是表示根據第2實施形態的測定方法的流程 圖。 第1 9圖是表示根據第2實施形態的測定方法的流程 圖。 第20圖爲說明第2實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第2 1圖爲說明第2實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第22圖爲說明第2實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第23圖爲說明第2實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第24圖是表示適當使用在根據第i實施形態的測定 方法之測定裝置的透視圖。 第2 5圖是表示適當使用在根據第1實施形態的測定 方法之測定裝置的透視圖。 第26圖是表示適當使用在第3實施形態的免疫色譜 試片之測定方法的測定裝置之構成的透視圖。 弟2 7圖是表示根據第3實施形態的測定方法的流程 圖。 弟2 8圖是表示根據第3實施形態的測定方法的流程 圖。 -41 - 200844439 第29圖爲說明第3實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第3 0圖爲說明第3實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第3 1圖爲說明第3實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第3 2圖爲說明第3實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第3 3圖爲槪念性表示第1位置的吸光度變化曲線的 圖表（a )，及槪念性表示第2位置的螢光強度變化曲線 的圖表（b )。 第34圖是表示螢光分佈的一例圖。 【主要元件符號說明】 h〜le :測定裝置 2，3，5〜9 :光學頭 1 1 :載放板 1 2 :驅動機構 1 3，1 4 :控制部 21 ， 31， 51， 61， 71， 72， 81， 91:發光元件 22， 32， 52， 62， 73， 74， 82， 92:光檢測元件 23a :開孔 24a ， 33a :開縫 2 5 :樹脂構件 -42- 200844439 2 6 : P C基板 3 4 :透鏡 4 1 :免疫色譜試片 4 1 c，4 1 d :帶狀區域 42 :免疫色譜測試用具 CL :控制線 TL :測試線 -43-

Claims (1)

1. 200844439 十、申請專利範圍 1 · 一種免疫色譜試片之測定方法，係藉測定光的照射 檢測從免疫色譜試片所獲得的光來測定抗原抗體反應的反 應度的免疫色譜試片之測定方法，其特徵爲： 在檢體滴下到上述免疫色譜試片後，對於上述免疫色 譜試片上的第1位置持續地照射測定光檢測來自上述免疫 色譜試片的光以檢測上述第1位置的光學特性的變化，從 上述免疫色譜試片上的上述第1位置朝著下游側的第2位 置持續地照射測定光檢測來自上述免疫色譜試片的光以檢 測上述第2位置的光學特性的變化，根據上述第1位置的 光學特性變化後到上述第2位置的光學特性變化爲止的經 過時間校正上述反應度。 2 · —種免疫色譜試片之測定方法，係將測定光照射在 免疫色譜試片上，藉著反射光的檢測來測定呈色線呈色度 的免疫色譜試片之測定方法，其特徵爲： 在檢體滴下到上述免疫色譜試片後，對於上述免疫色 譜試片上的第1位置持續地照射測定光檢測反射光以檢測 上述第1位置的吸光度的變化，從上述免疫色譜試片上的 上述第1位置朝著下游側的第2位置持續地照射測定光檢 測反射光以檢測上述第2位置的吸光度的變化，根據上述 第1位置的吸光度變化後到上述第2位置的吸光度變化爲 止的經過時間校正上述呈色度。 3 ·如申請專利範圍第2項記載的免疫色譜試片之測定 方法，其中，上述免疫色譜試片具有產生檢體與抗原抗體 -44 - 200844439 反應的至少一條帶狀區域， 上述第1位置的吸光度變化後經過較上述經過時間長 的預定時間之後，朝著檢體流動方向掃描上述測定光使得 上述述測定光的照射位置通過上述帶狀區域。 4 ·如申請專利範圍第3項記載的免疫色譜試片之測定 方法’其中，上述第2位置的吸光度變化之後熄滅上述測 定光，隨後再度點亮進行上述預定時間經過後的掃描。 5 ·如申請專利範圍第2項記載的免疫色譜試片之測定 方法’其中，上述免疫色譜試片具有產生第1抗原抗體反 應的第1帶狀區域，及設置在較上述第1帶狀區域下游測 產生第2抗原抗體反應的第2帶狀區域， 以上述第1位置作爲上述第1帶狀區域內，以上述第 2位置作爲上述第2帶狀區域內。 6 ·如申請專利範圍第2項記載的免疫色譜試片之測定 方法，其中，上述第1位置的吸光度變化後經過較上述經 過時間長的預定時間之後開始進行上述呈色度的測定。 7.—種免疫色譜試片之測定方法，其特徵爲，具備： 檢體滴下到含螢光物質的免疫色譜試片之後，將測定光照 射在上述免疫色譜試片上，藉著該測定光所激發之反應線 的螢光強度的檢測，測定上述反應線的抗原抗體反應的反 應度的步驟， 在上述檢體滴下後，對於上述免疫色譜試片上的第1 位置持續地照射測定光檢測反射光或螢光以檢測上述第1 位置的吸光度的變化或螢光強度的變化，從上述免疫色譜 -45- 200844439 試片上的上述第1位置朝著下游側的第2位置持續地照射 測定光檢測反射光或螢光以檢測上述第2位置的吸光度的 變化或螢光強度的變化，根據上述第1位置的吸光度或螢 光強度變化後到上述第2位置的吸光度或螢光強度變化爲 止的經過時間來校正上述反應度。 -46 -