TW200841288A - Image correction apparatus and image correction method - Google Patents

Description

200841288 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於圖案修正裝置及圖案修正方法，尤其 係有關於修正形成於基板上之微細圖案的缺陷部之圖案修 正裝置及圖案修正方法。更特定而言，本發明係有關於修 正在平面面板顯示器之製程所產生的電極之斷路缺陷的圖 案修正裝置及圖案修正方法。

【先前技術】 近年來’隨著電漿顯示器、液晶顯示器、el顯示器等 之平面面板顯示器的大型化、高精細化，而在形成於玻璃 基板上之電極或液晶彩色濾光器等存在缺陷的機率變高， 為了提高良率’而提議修正缺陷的方法。 例如’在液晶顯示器之玻璃基板的表面形成電極。在 該電極發生斷線的情況，將附著於塗布針前端之導電性的 c正用（修正液）塗布於斷線部，一面朝電極之長度方向挪 移塗布裝置，一面塗布複數次，而修正電極(例如參照專利 文獻1)。 又，有一種方法（例如參照專利文獻2、3)將薄膜設置 成覆蓋缺1¾彳並使用雷射光大致同時地除去缺陷部和薄 膜，再將薄膜作為光罩，將修正墨水（修正液）塗布於所除 去之部分，然後，將薄膜剝離並除去。 [專利文獻1 ]特開平8一 292442號公報 [專利文獻2]特開平u— 125895號公報 2075-944β-PF/Ahddub 5 200841288 [專利文獻3]特開2005 — 95971號公報 【發明内容】 【發明要解決之課題】 “可是，在修正電極之方法，因為使導電性之修正膏附 者於塗布針前端’並將修正膏轉印於斷線部，所以苴塗布 直徑係由將前端部加卫成平坦的面決[難實現約10” 之塗布直控，使用該塗布針亦難形成細線。 另一方面’在將薄膜用作光罩之方法，雖然能以約10 "«Π的細線修正斷線部等，但是在將修正墨水塗布於孔之 時刻’亦可能以毛細管現象將修正墨水或其溶媒吸入薄膜 和基板之間隙，而污染基板。 因而，本發明之主要的目的在於提供一種圖案修正裝 置及圖案修正方法，其能㈣10㈣的細線修正電極(配線) 斷線部等，而且對缺陷部周邊的污染少。 【解決課題之手段】 本發明之圖案修正裝置，其修正形成於基板上之微細 圖案的缺陷部’其特徵在於包括：薄膜供給手段，係將帶 狀之薄膜折回而上下地配置’並將薄膜供給基板的上方； 及移動手段，係使薄膜之中的上方薄膜之—部分移動，以 使形成於下方薄膜的光罩圖案露出。各光罩圖案具有形成 因應於缺陷部的形狀之至少一個的貫穿孔。此圖案修正裝 括定位手段，係使光罩圖案和缺陷部間隔既定之 間隙並對崎；及塗布手段，係在包括孔之既定範圍將下方 2075-9446-PF;Ahddub 200841288 薄膜向基板推屢，而且經由光罩圖案將修正液塗布於缺陷 部。 在對缺陷部塗布修正液後，以薄膜之復原力使薄膜從 基板剝離較佳。 ~ 又，包括雷射照射手段，其對薄膜之中的上方薄膜之 表面照射雷射光，並形成光罩圖案，薄膜供給手段係將薄 膜捲繞’以使光罩圖案位於下方薄膜較佳。 · > & ’包括：2支滾輪’係在上方薄膜和下方薄膜之間 设置成可上下動；及第丨驅動手段’係在利用雷射照射手 段將光罩圖案形成於上方薄膜的情況，將2支滾輪壓住上 方薄膜，並將上方薄膜配置成和基板大致平行，而在利用 定位手段使光罩圖案和缺陷部對峙的情況，將2支滾輪壓 住下方薄膜，並將下方薄膜配置成和基板大致平行較佳' 又，移動手段包括：平板構件，係在上方薄膜之下設 置成可朝上方薄膜的寬度方向㈣；複數個爪構件，係2 鲁2於平板構件之—方的側端部，用以抓住上方薄膜的一部 刀’以及第2驅動手段，係使平板構件朝上方薄膜的寬度 方向移動較佳。 ”又，平板構件係兼具遮蔽板，其用以接受在利用雷射 …、射手奴將光罩圖案形成於薄膜時所產生的異物較佳。 又’光罩圖案係形狀是因應於缺陷部的貫穿孔較佳。 光罩圖案包括：形狀是因應於缺陷部的貫穿孔； 及槽，係沿著貫穿孔的開口部形成於薄膜之基板側的表面 2〇75~9446-PF;Ahddub 200841288 成於薄膜之基板侧 及形成於槽之底的 的表 貫穿 又，光罩圖案包括：槽，係形 面，並具有因應於缺陷部的形狀； 孔較佳。 又，本發明之圖案修正方法，其修正形成於基板上之 微細圖案的缺陷部’其特徵在於包括：第！步驟，係將帶 狀之薄膜折回而上下地配置，並將薄膜供給基板的上方； 及第2步驟，係使薄膜之中的上方薄膜之—部分移動，以 使形成於下方薄膜的光罩圖案露出。光罩圖案具有形成因 應於缺陷部的形狀之至少一個的貫穿孔。本圖案修正方法 又匕括f 3步驟，係使光罩圖案和缺陷部間隔既定之間 隙並對峙；及第4步驟，係在包括光罩圖案之㈣範圍將 下方薄膜向基板推壓，而且經由光罩圖案將修正液塗布於 缺陷部。 、 在第4步驟，對缺陷部塗布修正液後，以薄膜之復原 力使薄膜從基板剝離較佳。 又，在第1步驟，在將雷射光照射於上方薄膜的表面， 並形成光罩圖案後，捲繞薄膜，以使光罩圖案 膜較佳。 & 又，在基板上存在複數個缺陷部；在第ι步驟，係對 上方薄膜各自照射雷射光，並各自形成用以修正複數個缺 陷部的複數個光罩圖案後，捲繞薄膜，以使複數個光罩圖 案位於下方薄膜;纟第2步驟，係使上方薄膜之一部分移 動，以使形成於下方薄膜的複數個光罩圖案露出；在第3 及第4步驟’係依序逐個選擇複數個缺陷部，並使對應於 2075-94 4 6-PF;Ahddub 8 200841288 各缺陷部的光罩圖案隔著 掛碑，… 仏者既疋之間隔和所選擇的各缺陷部 . 先罩圖案將修正液塗布於該缺陷部較佳。 又，複數個光罩圖案之中的至少—個光 是因應於缺陷部的貫穿孔較佳。 ’、’、& # /田複數個光罩圖案之中的至少—個光罩圖案包括： 形狀疋因應於缺陷部的貫穿· 穿孔，及槽，係沿著貫穿孔的開 口 °卩形成於薄膜之基板側的表面較佳。 又，複數個光罩圖案之中的至少—個光罩圖案包括： 槽:係形成於薄膜之基板侧的表面，並具有因應於缺陷部 的形狀，及形成於槽之底的貫穿孔較佳。 又，锼數個光罩圖案係形成為靠近薄膜之中的預 範圍内較佳。 又，根據複數個缺陷部之各個的位置資訊，觀察複數 個缺陷部之各自的形狀，並根據其觀察結果形成複數個光 罩圖案較佳。

又’預料複數個缺陷部之各自的形狀，並形成複數個 光罩圖案較佳。 【發明效果】 ^在本發明之圖案修正裝置及圖案修正方法，將帶狀之 薄膜折回而上下地配置，並將薄膜供給基板的上方，再使 薄膜之中的上方薄膜之一部分移動，以使形成於下方薄膜 的光罩圖案露出，又使光罩圖案和缺陷部間隔既定之間隙 並對峙，在包括孔之既定範圍將下方薄膜向基板推壓，而 且經由光罩圖案將修正液塗布於缺陷部。因此，因為將薄 2075-9446-PF;Ahddub 9 200841288 膜用作光罩’所以能以@ i 0 “ m的細線修正電極斷線部 等。又，因為僅當將修正液塗布於缺陷部時使薄膜接觸基 板，所以能防止修正液利用毛細管現象侵入薄膜和基板之 間隙，而可防止修正液污染缺陷部周邊的基板。又，因為 使上方薄膜之一部分移冑，以使形成於下方薄膜的光罩圖 案露出’所以可易於進行光罩圖案和缺陷部的位置對準或 修正液之塗布。 【實施方式】 在說明實施形態之前，說明成為本發明之基礎的圖案 修正方法。第1圖係表示修正對象之基板1的圖。在第i 圖，係微細圖案之電極（配線形成^基板i上’而在電 極2發生斷路缺陷部（斷線缺陷部）2a。 在此圖案修正方法，如第2圖所示，將已鑽形狀係因 應於缺陷部2 & $ q γ p 孔3a(光罩圖案）的薄膜3用作光罩。 f孔對準缺陷部2a之狀態，薄膜3隔著間隙G和基板 溥膜3例如係薄膜的聚醯亞胺薄膜，並 Γ:ΓΤ作光罩的寬度即▼，例如係開縫成約 Γ15職之卷狀薄膜。薄膜3的厚度Ft係可看透其下面 的耘度者較佳，例如係約10〜25/zm。 S1的如二圖所示，孔33例如係短軸長為Sw、長軸長為 形狀。短軸“和電極2之寬度 。 長轴長S1設定成比缺 夢 位於缺陷部2…= 長’以使修正膏亦塗布於 &之兩端的正常之電極面託。因而，可減少 2075-9446-PF；Ahddub 10 200841288 修正部之電阻值，而且提高修正部的密接性。 孔3a係藉由將雷射光照射於薄膜3的表面而形成。作 為田射光，使用YAG第3高諧波雷射或yag第4高諧波雷 射、或者文激準分子雷射等之脈衝雷射。例如，如第3圖 所示，雷射部4設置於觀察光學系5的上部，而物鏡6設 置於觀察光學系、5的下端。薄膜3利用2支固定滾輪7舖 設於物鏡6和基板i之間。雷射光係從雷射部“呈由觀察 光學系5及物鏡6照射於薄膜卜孔3a的形狀及大小’例 如根據雷射部4所内建之可變開縫（未圖示）決定，並將孔 3a加工成以物鏡6所聚光之雷射光的截面形狀。此時，為 了避免因雷射磨钕而產生之異物（垃圾）掉在基板^，將 遮蔽板8配置於薄膜3和基板丨之間較佳。 如此，因為在薄膜3附著於或密接於缺陷部2a之狀態 不進仃藉雷射光之孔3a的加工，所以不會因雷射光功率而 損害電極2或缺陷部2a的附近。又，因為在使薄膜3浮動 之狀態進行孔3a的鑽孔，所以可抑制異物附著於薄媒3之 背面。 ’在孔3a周圍之薄膜3上 時所產生之異物（垃圾）飛 面 在孔3a之形成結束的時刻 在除去（雷射磨蝕）孔3a部 政為了除去異物，亦月色以弱的功率將雷射光照射於以孔 3a為中。之周圍的見圍。此時，將雷射切換成MG第2 高諧波雷射’若以弱的功率將雷射光照射於以孔3a為中心 之寬的範圍，亦可僅除去異物，並可防土產生新的異物。 此外右叹置使薄膜3反轉之機構，亦可一樣地處理薄膜 11 2075-9446-PF；Ahddub .200841288 3之月面。作為雷射部4，亦可使用可選擇性地射出用以鐵 孔3a之田射光和用以除去異物的雷射光之2種雷射光之中 的任一種雷射光者。 薄膜3係由去同— 兮 田禾圖不之薄膜供給捲軸供給，並經 滾輪7以未圖示夕、键时⑽Α 薄膜捲捲軸回收。薄膜3利用未圖示 之ΧΥΖ軸工作台，可朝ΧΥΖ方向移動。m軸工作台用於 缺陷部2a和孔3a的位置調整。 °用於

料，如根據影像處理結果或各個的位置座標資 胺’、對基板1相對地移動，如第2圖所示，將 Γ設為之定位於缺陷部2a的上方，而將薄膜3和基板 薄膜3二者間陽:G對峙之狀態。此步驟亦能以手動進行。 缚膜3處理以, 膜3之支的狀態。間隙G根據支持薄 之厚度而显，'如第3圖所示之固定滾輪7)的間隔或薄膜3 有凹：的：，例如設定成約10〜100Mm。在基板1的表面 有凹凸的情況’亦可作成和基板 板1不接觸之❹_ i 保持與基 接觸之Μ的間隙G，亦可包括孔3a之微 持和缺陷部2a不接觸的間隙G。 呆 作為修正貧之塗布手段 Q你、 彳1之用弟4圖所示的塗布 ^ W塗布針9之前端部係尖 地加工。塗布針9〜 w L疋將其前端平坦 孟冲对9刖、之平坦面q / ”，配合孔3a之大小而：擇悬；例如係約3°〜100 —入 而t擇最佳的直徑來使用。選擇孔 3a元王位於平㈣9&的塗布針9 、▲ 種塗布益+ Q，，、/ 1 ι 叩平乂 1 土 右使用廷 整體。 之塗布動作可將修正㈣充填於孔3a 12 2〇75-9446-PF；Ahddub 200841288 在修正膏1 〇附荖协

r ^ ;塗布針9前端之平坦面9a的周R 之狀您，從上方壓住參右 叼周圍 饪坌布針g，以使平坦面9a 的開口部，而薄膜3發生變形 孔3a 薄膜3附著於缺陷部2a 、&之周圍的微小範圍之 陷部2a。塗布針9係作成可° ，麵修正膏10充填於缺 ^ ^ . 成在未圖示之導件（直動軸承）可 朝上下進退的，僅以包括 l祜坌布針9之可動 3。塗布針9下降而接觸壤心η ㈣直推薄膜 ^ ; ㈣膜使相3接觸基板1後即 使想再下降，亦因Α泠太处π 1傻即 塗布針9沿著導件退避至上方，所以 塗布針θ之平坦面9&不會 —、 个m艾成過载。塗布針9之驅動手赉 (未圖示）係利用控制手殺Γ去 #又 制予奴（未圖不）進行時間管理並控制。 包括孔3a之微小範圍的薄膜 札固叼，寻膘3接觸缺陷部2a之 的％間，係僅塗布針9推壤腔；q # ^ 料9推薄膜3的期間，在修正膏1〇以毛 細管現象流至薄膜3Α 4 、 土板1 (缺陷部2a附近）的間隙之 前，使塗布針9退避至上方。竑本士 、 ★ 避主上方。右塗布針9離開薄膜3，而 薄膜3利用彈性回到屌來貼能 j原笊之狀悲，包括孔3a之微小範圍的 薄膜3離開缺陷部2a之Hifi。ιϊτ: 治丨“之周圍。因而，薄膜3接觸基板2之 時間係極短。 第5圖表示使塗布針9退避至上方的狀態，薄膜^回 到離開基板1之狀悲，而在缺陷冑，殘留形狀和孔^ 的形狀大致相同之修正層1〇A。又，所多塗之修正膏⑺殘 留於薄膜3的表面。如此，因為將薄膜3作為光罩來進行 t正所以可得到比塗布針9之塗布形狀更微細的修正層 10A(圖案）。 對所塗布之修正膏〗〇，配合修正膏i 〇的規格而施加 2075-9446-PF;Ahddub 13 200841288 紫外線硬化、加熱硬化處理、或者乾燥處理。亦可在第5 圖之狀態進行硬化處理。又，若需要藉雷射照射之熱分解 反應而析出金屬膜，亦可在從缺陷部2a之上方除去薄膜3 後以連續激振之雷射光進行硬化處理（金屬膜析出處理）。 右以每種方法進行缺陷部2a的修正，亦無所塗布之修 正月1 〇因毛細官現象而被吸入基板丨和薄膜3的間隙，亦 不必擔心在比孔3a更寬之範圍污染基板！。又，在塗布結

束的時刻’因為薄膜3完全離開缺陷部或基板卜所以 在後面之步驟除去薄膜3時，不必擔心薄膜3接觸修正層 10A而弄壞修正層1〇a。 因毛細管現象而被吸入 雖然若修正膏10之黏度變大 著於缺陷部2a。而，在上述的方法 基板1和薄膜3之間隙的可能性變低，但是反之流動性變 差’因為無法進入孔3a整體’所以亦設想修正膏10未附 因為僅塗布時將孔3a 附近之薄膜3向基板i推壓，所以可使毛細管現象之影響 止於最低限。因此，修正膏10之黏度亦可小。

^又，在修正1個缺陷部仏時，以一次之塗布完成修正 較佳°其理由係、’因為若塗布次數變多，附著於孔3a之修 正H 1 G的里變多’而亦具有修正膏1 G被吸人基板1和薄 膜3的間隙，或者修正層m之形狀變形的可能性。另一 方面’因為亦可藉對相同的位置塗布複數次而使修正層10A 之膜厚變厚’所以配合所使用之修正f㈣規格決定塗布 次數較佳。 又作為修正貧i 〇，在修正電極2之缺陷部2a的情 2075-9446-PF;Ahdclub 14 200841288 況，可使用金、銀等之金屬毫微米粒子的金屬毫微米膏或 金屬錯體溶液（例如鈀錯體溶液）、金屬膠體。 孔3a之大小設為以塗布針9之平坦面仏一次可推壓 孔3a的開口部整體之程度較佳，例如’若塗布針9之平坦 面9a的直徑係50//m，孔3a的長軸長S1變成以下。 此外，若使孔3a之開口部的短軸長Sw和薄膜3之厚度η 滿足Ft>Sw的關係，使進入孔3a内之修正膏1〇留在孔％ 鲁内的力（附著力）F1，變成比作用於薄膜3和基板i之間的 間I1家之毛細管現象所引起的吸力F2 ，而可防止修正膏 10被吸入薄膜3和基板1的間隙。但，因為該力F1、F2 和修正膏10之表面張力或黏度、基板i或薄膜3的濕潤性 相依地變化，所以為了增加安定性，而作成滿足 的關係更佳。 又’藉由照射雷射光而形成孔3&後，使雷射照射面侧 的薄膜面和基板1對峙並修正的，緣圖形狀變成更安定。 籲#薄膜3之貫穿孔3&的截面形狀成為隨著從薄膜表面(雷 射照射面）接近薄膜背面（雷射貫穿面）而變細的錐形。這亦 係雷射加工的特徵。 若：貫穿孔3a之開口部的面積寬之薄膜表面和基板】 對峙：貫穿孔3a之開口部的面積小之薄膜背面變成朝上， 並攸薄膜背面側供給修正膏10。此時，因為貫穿孔3a之 :面變成愈往上愈細的八字形，所以對貫穿孔&内之修正 霄1〇，以毛細管現象朝變成更細之側，即貫穿孔3a的上 方侧及之力作用。因此，抑制修正膏流入薄膜3和基板 2075-9446^pF;Ahddub 15 200841288 1之間隙，結果，可使繪圖形狀變成安定。 為了使薄膜3的表面和基板1對峙，需要在利用雷射 照射形成貫穿孔3a後將薄膜3的表背反轉。第6(&)(13)圖 係表示將薄膜3之表背反轉的方法之圖。在第6(a)圖，薄 膜3利用配置於左右之固定滾輪lla、llb*配置於其間之 上方的固定滾輪12朝左右折回而設成上下平行地舖設之 狀態。在第6(a)圖，將雷射光照射於固定滾輪lla、12之 籲間的薄膜3之表面，而形成貫穿孔3a。此時，亦可將遮蔽 板8配置於上下平行地舖設的薄膜3之間，以免因雷射磨 蝕而產生之垃圾掉在基板1上。 薄膜3係由未圖示之薄膜供給捲轴供給，並經由固定 滾輪12、11a、llb以未圖示之薄膜捲繞捲軸回收。這些成 為未圖示之薄膜供給單元的主要零件，利用未圖示之χγΖ 轴工作台，可朝χγζ方向移動。χγζ轴工作台用於缺陷部 2a和孔3a的位置調整。又’亦可使薄臈供給單元具有轉 • 動手段。 此外’在第6(a)圖，將薄膜3朝上下折回，在對位於 上方之轉軸3鑽孔3a時’因為隔著一點距離，在其下方亦 有薄膜3,所以在可將位於下方的薄膜3用以替代遮蔽板8 的情況，可省略遮蔽板8。 接著，如第6(b)圖所示，朝圖中R方向(順時針轉動 方向)捲燒薄膜3,並將薄膜3反轉，以使薄膜3之雷射照 射面朝下。然後，根據影像處理結果使薄膜3對基板i相 十私動而將貝牙孔3a和缺陷部2a的位置對準，並設為 2075-9446〜PF;Ahddub 16 200841288 基板1和薄膜3對峙之狀態。此步驟亦可以 膜3處於以固定張力 丁溥 3之支點（制如η ^ 〜、間隙G係根據支持薄膜 ^支=例如w滾輪lla、llb)的間隔或薄膜3之厚度 h :為約.圆"。在基板1的表面有凹凸的 觸作成和基板1對峙之薄膜3保持與基板1不接 :广度的間隙G，亦可包括孔3&之微小範圍保持和缺陷 …接觸的間隙G。然後，將塗布手段插入上下之薄膜 所夹持的空間’如第4圖所示，並從貫穿孔％之 修正膏10。 此外，在第6(a)⑻圖所示之方法’因為薄膜3位於 上下’所以在塗布時，需要將塗布手段插入上下的薄膜之 間，而無法使上下之薄膜的間隔變窄。因❿，難使用高倍 率之物鏡6,將缺陷部2a和孔3a的位置對準。 又，第7圖係表示第6(a)(b)圖所示之方法的變更例 之圖，係彳文上方看薄膜3的圖。在第7圖，位於上方之上 方薄膜3A和向其下方折回並舖設的下方薄貞犯扭轉配置 成上下不重疊。在此情況，固定滾輪Ua和固定滾輪ub 不是平行，而是例如設定成使固定滾輪lla具有某角度， 而且固定滾輪11a無法轉動。藉由如此做，因為在下方薄 膜3B之上方產生上方薄膜3A不存在的部分，所以易避免 和塗布手段的干涉。貫穿孔3a雖然在上方薄膜3A之位置 被加工後，藉由薄膜3的捲繞而移至下方薄膜3B的位置， 但疋因為在薄膜3的折回部被扭轉，所以產生貫穿孔3&之 轉動。貝牙孔3a之轉動’需要在貫穿孔3a之形成時修工 2075-9446-PF;Ahddub 17 200841288 加工方向，或將供給薄膜^ w 导騰3之早元整體轉動並修正。 此外，在對下方薄膜3b β的表面照射雷射光而形成孔 3a的情況，雖然不需要修正 1一疋無法將孔3a的表背反 轉。又’在笫7圖所示之方沐 法’因為薄膜供給捲轴13之轉 軸13a和薄膜捲繞捲轴14的 ,, 阏褥軸14a不是平行，所以設想 形狀變得複雜。至目前為止係 々止係成為本發明之基礎的圖案修 正方法之說明。 [第1實施形態] 第8(a)〜（c)圖係表示本發 "月之第1實施形態的圖案修 正裝置之主要部分及其動作 々… 面圖。又，第9(a)(b)圖 各自係從上方看第8(a)、Am （b)圖的圖。在此圖案修正裝置， 使位於缺陷部2a之上方66 μ十& ▲ /專膜機械式地移動，而 攻為僅將下方薄膜3Β配置於缺眇如0 ，一丄 罝於缺陷部h之上方的狀態後， -由下方薄膜3B之孔3a將修正膏1〇塗布於缺陷部心 -捲二二第8⑷圖，將可拆裝之薄媒供給捲轴及薄媒捲 %捲軸（未圖示）安裝於薄膜供 ^ ^ 早70 1 5。從薄膜供給捲軸 所供給之薄膜3，經由固定滾輪4 苴4 疋获輪16〜18被引導至物鏡δ和 基板1之間，在固定滾輪19折 ^ 再經由固定滾輪20捲 繞於薄膜捲繞捲軸。 固定滾輪17、18固定於可動構件 切偁件21，可在固定範圍 朝上下方向移動。在第8(a)圖，可動構件21位於固定於 :方亡位置的狀態。在此狀態，將利用固定滾輪Η、18支 持’固定滾輪17、18所夾住之區間u 门—★ 间的上方薄膜3A，和 固疋滾輪19、20所夾住之區間12的 幻卜万溥膜3B位於保持 18 2075-9446-PF；Ahddub 200841288 1如、、々1 Omm的固定間隔並大致平行地舖設之狀態，又對基 板\亦大致平行地料。薄膜供給單元15之區間U的部 刀（薄膜配置冑15a)插入物鏡6之下方’並用於將薄膜3 作為光罩的修正。

又在區間L1之上方薄膜3A的下方，配置用以使上 :、3A移動的掛鉤22。掛鉤22包括寬度比薄膜3稍寬 的：板構件’和以既定之間隔立設於平板構件之一方側(圖 中前側）的端部之2支爪22a，設置成對基板i大致平行並 可朝和上方薄膜3A正交之方向(寬度方向)移動。在第8(a) 圖掛鉤22和上方薄膜3A未接觸，而在其間確保固定的 間隙。 “如第9(a)圖所示，固定滚輪16、19、20固定於支持 D 23，而直動引導構件24位於可動構件21和支持台23 之間。在固接於可動構件21之銷25的另—端部，固口定臂 26’而臂26固定於氣壓缸27的輸出軸。藉由使氣壓缸 之輸出軸朝上下移動，而可使可動構# 21朝上下移動。 又’掛鉤22固^於氣壓血28的輸出軸，藉由使氣壓红28 之輸出軸朝上下移動，而可使掛鉤22朝和薄膜3之進 向大致垂直的方向移動。 、，Ό方 在此狀態’對區間L1之大致中央的上方薄膜3α，照 射雷射光’而形成形狀係因應於缺陷部2a的形狀之貫穿孔 七寸掛鈞22之平板構件作為遮蔽板發揮功能，因為 接受因雷射磨蝕而產生的異物（垃圾），所以可防止基板夏 破/可染。亦可將接受垃圾的凹部形成於掛鉤22之平板構件 2〇75-9446^PF;Ahddub 19 .200841288 的上面。在孔3a之形成結束的時刻，在雷射磨蝕時所產生 之垃圾飛散至薄膜3的雷射照射面。為了除去垃圾，亦可 插入以弱的功率將雷射光照射於以孔3a為中心之周圍的 寬範圍之步驟。此時，切換成YAG第2高諧波雷射，若以 弱的功率將雷射光照射於以孔3a為中心之寬的範圍，亦可 僅除去異物，並可防止產生新的異物。

接著，如第8(b)圖所示，一面利用薄膜捲繞捲軸捲繞 薄膜3, 一面使孔3a移至區間L2之下方薄膜犯的大致; 央為止。然後，使掛鉤22移至後方時，因為未圖示之薄膜 捲繞捲軸侧使薄膜3錢倒退，所以—面從未圖示之薄膜 供給捲軸供給薄膜3, 一面如第9⑻圖所示，上方 A

被掛鉤22之爪22a拉而移至後方，從上方看，包括孔仏 之下方薄膜3B露出。此外，為了避免氣壓缸28之輸出J 的干涉，在可動構件21設置u字缺口部21心 在弟9(b)圖’雖然記載以掛鉤以使 板1以原來的形狀平行移動，但 播對基 上無問題^ 謂基板1垂直地站立，但是在功能 從此狀態，如第8(c)圖所 而使固定於可動槿杜91 π 使了動構件2!下降， 勤構件21之固定滾輪17 輪1Θ、20更下方m 18位於比固定 υ文下方的位置。依此方式， 滾輪17、18之間對 方溥膜3Β在固定 ]對基板1大致平行地對峙。 處於固定之張力作用的狀態，又，以此外’薄膜3 18將固定滾輪…0之間的下方薄定滚輪1?、 2〇75-9446^PF;Ahddub 如 .200841288 ==曲，又’上方薄膜機械式的橫向移動所 厂、3之扭轉，對固定滾輪17、18之間的 3B無影響。 万屬膜 而使包括 並對崎。 1 〇，而修 著進行缺陷部2a和孔3a的位置對準， 孔^之下方薄膜3β和基板i保持固定的間隙g 然後’如第4圖所示’ #以塗布針9塗布修正膏 σ束並不會污染缺陷部2a的附近。

雖然亦可在第9⑻圖所示之狀態，即以掛釣22 ^媒3A橫向移動之狀態，將孔3a形成於下方薄膜 3B’但是在此情況，在形成孔％時無法使雷射照射面和基 、2第8(a)〜（C)圖及第9(a)(b)圖所示的方法，因為在 、疋滾輪1 9將薄膜3折回，並將上方薄膜3a和下方 膜3B以固定之問隐 …π配置於上下的狀態，使上方薄膜以機 械式地横向移動並以一片 立 乃卜万潯膜3Β進订修正，所以缺陷 部2a和孔3a的位置對準變得容易。 又因為在下方薄膜3β之孔3a的上方無東西，所以 可切換成動作距離WD短之高倍率的物鏡(例如別倍），並 、丁位置對準。又，因為可避免塗布手段和上方薄膜从的 干’/所以可使上方薄膜3A和下方薄膜3β之間隔變窄， 而對尚倍率之物鏡的切換變得容易。此外，在高倍率之物 鏡正下方’因為焦點深度窄，所以無法同時觀察缺陷部^ 孔3a目而，在將焦點對準缺陷部^之狀態掌握缺陷 後再將焦點對準孔3a，而將位置調整成孔位置對準 21 2075-9446-PF;Ahddub 200841288 缺陷位置。 又，因為可將薄膜供給捲軸和薄膜捲繞捲轴配置於同 一側，並將4膜供給捲軸和薄膜捲繞捲軸的轉轴配置成平 行，所以裝置之構造變得簡單。

作為塗布手段之一例，有第10(a)(b)圖所示的塗布單 元29塗布單元29包括容器3〇,係在其底加工第i孔3〇&， 並注入修正貧10 ;蓋3卜係加工第2孔31&，並將容器⑽ 密封；以及塗布針9,係具有和第1孔及第2孔3〇a、3U 大致相同的直徑。塗布針9之前端的平坦面9&貫穿第2孔 31a，並浸泡於修正膏10内。因為第】孔及第2孔3〇&、 3la的直徑比貫穿這些孔之塗布# 9的直徑更稍大，但是 微小，由於修正膏10的表面張力或容器3〇之潑水性、潑 油性，來自第1孔3Ga之修正f 1()的泡漏幾乎沒有。 形成於容器30,並用以注入修正膏1〇之孔，具有隨 著接近孔30a而截面積變小的錐形。因此，即使係少的修 正膏10亦可浸泡包括塗布針9之平坦面9&的前端部，而 合乎經濟。修正膏1G之量例如係2M1(微升修正膏1〇 亦有不耐久藏者，這亦係雷射加工的特徵。容器3〇要定期 更換。或者，亦可將用完之容器3Q清潔後再利用。為了使 容器30的拆裝變得簡單’而採用手易抓住之構造，而且若 作成使用藉磁鐵之吸力的拆裝方法，使用便利性提高。 —塗布針9之基端部固接於塗布針固定板^，塗布針固 定板32利用未圖示的導件（直動構件）支持成可上下動。從 該狀態’如第mb)圖所示，使塗布針9的平坦面9a從設 2075-9446-PF;Ahddub 22 200841288 置於容器30之底面的第j孔3〇a突 ▲ 於塗布針9的平坦面9a。再使 > 正貧1〇附者 3上，以㈣平坦面9a將孔9下降，並推壓薄膜 發生變带，而孔3 ” 的開口部封閉時，薄膜3 a之周圍的微小範圍之薄膜3附著於缺陷 的周目，並將修正膏W充填於缺陷部2a。 塗布針固定板32利用未圖示之導件（直動軸承）支持 成可朝上下方向進退，並僅以包括塗布針9之可動部的自 籲冑㈣膜3 °在塗布針9下降而薄膜3接觸基板"灸，即 使要再下降，亦因為塗布針9沿著導件退避至上方，所以 塗布針9之平坦面9a不會變成過載。塗布針9之驅動手段 (未圖示）係利用控制手段（未圖示）進行時間管理並控制。 在此塗布方法’因為省略使塗布針9在缺陷部2a和容 器（墨水槽或修正膏槽）之間往復移動的步驟，所以缺陷修 正所需之時間縮短。 又’修正膏ίο被裝入除了孔30a、31a以外之密閉的 • 容器3—0内，因為塗布針9處於總是以微小的間隙插入容器 30之盍31的孔3la之狀態，所以修正膏1〇直接接觸大氣 的面積少。因此，可防止修正f 1〇之稀釋液（溶媒）的蒸 發，可使修正膏10之可使用的曰數（更換週期）變長，而減 輕圖案修正裝置的保養。 ' 又，因為在塗布動作之等待狀態將包括塗布針9的平 坦面9a浸泡於修正膏1〇之中，所以可防止附著於塗布針 9之平坦面9a的修正膏1〇之乾燥，亦可省略塗布針9之 平坦面9a的清潔步驟。 2075-9446-PF；Ahddub 23 200841288 如此，因為可使塗布單 進m品〇 早凡29鉍侍小型’所以亦可預先 準備平坦面9a的直徑相里之遂 /、之複數個塗布單元29,並因應 於缺fe部2a的大小選擇塗布針9來使用。 又，弟11(a)〜（c)圖係表示對舊腔 丁對潯膜3鑽孔3a之狀態， 係從第8(a)圖之上方蘿膣cu α 方4膜3Α的上方觀察。雖然在第11(a) 圖只是對薄膜3鑽孔3a，伸县介n μ 灵 仁疋亦可如第11(b)圖所示，以 包圍孔3a之方式形成環形的 一 — 耵價db，亦可如第11(c)圖所

示’以隔著孔3a之方式形虑？总接Qu 戚2條槽3b。即使充填於孔3a 之修正膏1 〇以毛細營現象甘 -I ^ ^ 見象饺入基板1和薄膜3之間隙，亦 以槽3 b阻止修正膏10的侵入。 又，第12(a)圖係表示本第i實施形態之變更例的圖， 第12(b)圖係第12⑷圖之χί ίΒ_χι ΐβ線剖面圖。 在第12(a)⑹圖，在本變更例，將已形成貫穿孔^及槽 3b(光罩圖案）之薄膜3用作光罩。槽扑形成於薄膜3之基 板1側的表面，具有形狀和因應於缺陷部2a的形狀所決定 之修正膏10A的形狀大致相等之開口部。槽扑之開口部隔 著既定之間隙和缺陷部2a對峙。貫穿孔仏形成於槽扑之 底的大致中央。貫穿孔3a之寬度係槽3b的寬度以下，貫 穿孔3a之長度係比槽3b的長度更短。對薄膜3賊與固定 的張力，並將薄膜3配置成對基板丨大致平行。基板j和 薄膜3之間隙設為例如約ι〇〇 # ^。 接著，如第13圖所示，在修正膏1 〇附著於塗布針9 前端之平坦面9a的周圍之狀態，從上方壓住塗布針9，以 利用平坦面9a覆蓋貫穿孔3a及槽3b時，薄膜3發生變形， 24 2075-9446-PF；Ahddub .200841288 槽扑之周圍的微小範圍之薄膜3附著於缺陷部2&的周 圍，並將修正膏10充填於缺陷部2a。此時，流入槽3b之 修正膏1〇 #液量，因為利用微小的貫穿孔3a縮小而減少， 所乂可抑制修正嘗i 〇被吸入缺陷部和薄膜3的間隙。 [第2實施形態] 如上述所示，在為了修正一個缺陷部&，而配合缺陷 ^正$狀來形成孔3a，並將其作為光罩進行修正的方法， 需要在一個缺陷修正結束的時刻，捲繞用完之薄膜3，並 執行相同的步驟，進行下一缺陷修正，在修正位置多的情 況:严想修正步驟變得繁雜，而修正時間變長，或薄膜3 的消耗里I夕。在第2實施形態，可解決此問題。 第14(a)〜（d)圖係表示本發明之第2實施形態的圖案 修正方法之剖面圖，第14(b)圖係第14(a)圖之X i vb — X I VB線剖面圖，第14(d)圖係第i4(c)圖之X τ 一 X I VD線剖面圖，第14(a)(c)圖各自係和第8(a)(c)圖 對比的圖，在此圖案修正方法，使用和第丄實施形態相同 的圖案修正裝置。 在第14(a)圖，可動構件21處於固定於上方之位置的 狀態。在此狀態，固定滾輪17、18之間的區間u之上方 薄膜3A，和固定滾輪19、20之間的區間L2之下方薄膜3β， 處於保持例如約l〇mm的固定間隔並舖設成大致平行之狀 態，又對基板1亦配置成大致平行。又，掛在句22未接觸上 方薄膜3A ’而確保固定的間隙。 位於基板1上之複數個缺陷部2a的位置資訊，因為係 2075-9446-PF;Ahddub 25 .200841288 從前段之檢杳裝署私λ ^ -裝置輸入，所以根據該位置資訊觀察各缺陷 4 2a，並根據該觀察 果决疋為了修正各缺陷部2a而 而要之修正層m’即孔3a的形狀(寬 態，對區間Π夕I從山 又^ Φ此狀 … 之大致中央的上方薄膜3A照射雷射光，而 將各自之形狀係因應於複數個缺陷部2a的形狀之複數個 孔3 a接近地形成於既定之範圍内。 第^圖係相當料第14(a)之薄膜3的上方所看到的 圖’在薄膜3 ’將複數個（在圖上為3個）孔3a ❹持成在之長度方向的中心線形成—列。各孔3a之間隔 係保持成在以塗布針9塗布於修正㈣時修正膏不會重疊 ’ Μ 16圖所示，亦可將複數個孔3a形成複 如帛14(c)圖所示，一面將薄膜3捲繞於薄膜

接轴’一面使複數個孔3a移至區間L2之下方薄膜3B 2的二:中央為止：在使掛鉤22移至後方後，使可動構件 而使固疋於可動構件21之較滾輪17、18位於 二St Η、2°更下方。此時，未圖示之薄膜捲繞捲轴 捲軸3無法倒退’所以一面從未圖示之薄膜供給 捲軸供給薄膜3，一面如第痛一 t 讯从0 弟U(d)圖所不，上方薄膜3A被 之;方/爪^拉並移至後方’而從上方看到包括孔3a 之下方薄膜3B露出。 接著，選擇適合缺陷部2a之孔3a，並進行孔的位置 門:，而使包括孔3a之下方薄膜3B和基板！保持固定的 “G並對峙。然後，和在第，。⑷⑴圖所說明之步驟— 2〇75-9446-PF；Ahddub 2β 200841288 樣，以塗布針9塗布修正膏10，完成修正，並不會污染缺 陷部2a的附近。1個缺陷部2&之修正結束後，將薄膜3 保持原來之狀態，並使用剩下的孔3a，亦一樣地修正其他 的缺陷部2a。 在本第2實施形態，因為一次將複數個孔3a形成於薄 膜3,所以將焦點對準薄膜3上之步驟等只需！次，作業 變得高效率，並縮短整體的修正時間。又，因為將複數個 孔3a接近地配置，所以可使薄膜3之消耗量變少。 此外，在修正層10A的形狀係大致決定或可預測的情 況，省略觀察缺陷部2a之步驟，亦可形成個數和j片基板 1所含之缺陷部2a相同或稍多的孔3a。或者，亦可準備數 種已改變形狀的孔3a。在此情況，因為觀察之時間縮短， 所以較佳。 又，雖然選擇複數個缺陷部2a之中的任一個缺陷部 2a，並將所選擇之缺陷部2a和適合該缺陷部2a的孔仏進 行位置對準，但是亦可選擇複數個孔3a之中的任一個孔 3a，並將所選擇之孔3a和適合該孔3&的缺陷部“進行位 置對準。 又’在本第2實施形態，雖然形成形狀係因應於缺陷 部2a之形狀的孔3a，但是亦可如第u(b)(c)圖所示，沿 著孔3a形成槽3b’亦可亦可如第12(a)(b)圖所示，形成 形狀係因應於缺陷部2a之形狀的槽3b，並將孔％形成於 其底。 至現在所說明之方法，因為可容易且安定地形成微細 27 2075-9446-PF;Ahddub 200841288 圖案’例如如液晶面板之TFT(薄膜電晶體)面板的電極修 正般，亦可應用於需要10/^以下之圖案形成的情況。又， 在電極以外，液晶彩色滤光器之黑陣列隨著高精細化，而 線寬小於20 " m ’亦可應用於此修正。 又，在使用本修正裝置修正之圖案形狀未限定為直 線’只要將在薄膜3所鑽之孔3a的形狀作成W形或〕字 形’就能以一次之修正操作進行各種形狀之圖案的修正。 • 這次所揭示之實施形態，應認為在所有的事項上都是 舉例表示，而不是用以限制的。本發明之範圍不是上述的 說月立而以申清專利範圍表示，以包括和申請專利範圍同 等的意義及範圍内之所有的變更。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示修正對象之基板的圖。 第2圖係表示成為本發明之基礎的圖案修正方法之 私圖。 第3圖係表示對第2圖所示之薄膜鐵孔的方法 圖。 第4圖係表示對第2圖所示之缺陷部塗布修正膏的方 法之剖面圖。 a第5圖係表示使第4圖所示之塗布針退避至上方的狀 態之剖面圖。 第6(a)(b)圖係表示對第2圖所示的薄膜鑽孔之其他 的方法之剖面圖。 、 28 2075-9446~PF；Ahddub 200841288 第7圖係表示第6(a) (b)圖所示之圖案修正方法的變 更例之剖面圖。 第8(a)〜（c)圖係表示本發明之第1實施形態的圖案修 正裝置之主要部分及其動作的剖面圖。 第9(a)(b)圖係從上方看第8(a)〜（c)圖所示之薄膜供 給早7Q的圖。 第l〇(a)(b)圖係表示第8(a)〜（c)圖所示之圖案修正 裝置的塗布單元之構造及動作的剖面圖。 第U(a)〜（c)圖係表示第1實施形態之變更例的圖。 第12(a)(b)圖係表示第1實施形態之其他的變更例的 圖0 一第13圖係表不對第12(a)(b)圖所示之缺陷部塗布修 正貧的方法之剖面圖。 第14(a)〜（d)圖係表示本發明之第2實施形態的圖 修正方法之剖面圖。 /、 的 弟15圖係表示從上方看第14(a)〜⑷圖所示之薄膜 孔的圖。 眠 第1 6圖係表示S 2實施形態之變更例的圖。 【主要元件符號說明】 1〜基板； 3〜薄膜； 3B〜下方薄膜； 16、17、18〜固定滾輪； 2〜電極； 3A〜上方薄膜； 3a〜孔； 19、20〜固定滾輪； 2〇75^9446-PF;Ahddub 200841288 21〜可動構件； 22a〜爪； 2 4〜直動引導構件； 26〜臂； 28〜氣壓缸。 22〜掛鉤； 23〜支持台； 25〜銷； 27〜氣壓缸；

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Claims (1)

1. •200841288 十、申請專利範圍： 1. 一種圖案修正裝置，修正形成於基板上之微細圖案 的缺陷部， 其特徵在於包括： 薄膜供給手段，係將帶狀之薄膜折回而上下地配置， 並將該薄膜供給該基板的上方；及 矛夕動手段’係使該薄膜之中的上方薄膜之一部分移 動，以使形成於下方薄膜的光罩圖案露出，而各光罩圖案 具有形成因應於該缺陷部的形狀之至少一個的貫穿孔； 又包括： 疋位手段，係使該光罩圖案和該缺陷部間隔既定之間 隙並對峙；及 塗布手段，係在包括該孔之既定範圍將該下方薄膜向 該基板推壓，而且經由該光罩圖案將修正液塗布於該缺陷 部。 2 ·如申請專利範圍第1項之圖案修正裝置，其中在對 該缺陷部塗布修正液後，以該薄膜之復原力使該薄膜從該 基板剝離。 3·如申請專利範圍第1項之圖案修正裝置，其中 包括雷射照射手段，其對該薄膜之中的上方薄膜之表 面照射雷射光，並形成該光罩圖案； 該薄膜供給手段係將該薄膜捲繞，以使該光罩圖案位 於該下方薄膜。 4·如申請專利範圍第3項之圖案修正裝置，其中包括： 2075~9446-PF；Ahddub 31 .200841288 2支滾輪，係在該上方薄膜和該下方薄膜之間設置成 可上下動；及 第1驅動手段，係在利用該雷射照射手段將該光罩圖 案形成於該上方薄膜的情況，將該2支滾輪壓住該上方薄 膜’並將該上方薄航置成和該純A致平行，而在利用 該疋位手段使該光罩圖案和該缺陷部對峙的情況，將該2 支滚輪《住該下方薄膜，並將該下方薄膜配置成和該基板 大致平行。 5·如申請專利範圍帛3項之圖案修正裝置，其中該移 動手段包括： 平板構件，係在該上方薄膜之下設置成可朝該上方薄 膜的寬度方向移動； 複數個爪構件，係立設於該平板構件之一方的側端 部，用以抓住該上方薄膜的一部分；以及 第2驅動手段，係使該平板構件朝該上方薄膜的寬度 方向移動。 6·如申請專利範圍第5項之圖案修正裝置，其中該平 板構件係兼具遮蔽板，其帛吨受在利用該雷射照射手段 將該光罩圖案形成於該薄膜時所產生的異物。 八如申請專利範圍第i至6項中任一項之圖案修正裝 置，其中該光罩圖案係形狀是因應於該缺陷部的該貫穿孔。 8·如申請專利範圍第1至6項中任一項之圖案修正裝 、中該光罩圖案包括·形狀是因應於該缺陷部的該貫 牙孔，及槽，係沿著該貫穿孔的開口部形成於該薄膜之該 32 2〇75~9446-PF；Ahddub 200841288 基板侧的表面。 9·如申請專利範圍第1至6項中任一項之圖案修正裝 置，其中該光罩圖案包括：槽，係形成於該薄膜之該基板 側的表面，並具有因應於該缺陷部的形狀；及形成於該槽 之底的該貫穿孔。 1 〇 · —種圖案修正方法，修正形成於基板上之微細圖案 的缺陷部， 其特徵在於包括： 第1步驟，係將帶狀之薄膜折回而上下地配置，並將 該薄膜供給該基板的上方；及 苐2步驟，係使該薄膜之中的上方薄膜之一部分移 動，以使形成於下方薄膜的光罩圖案露出，而該光罩圖案 具有形成因應於該缺陷部的形狀之至少一個的貫穿孔； 又包括： 第3步驟，係使該光罩圖案和該缺陷部間隔既定之間 隙並對峙；及 第4步驟，係在包括該光罩圖案之既定範圍將該下方 薄膜向該基板推壓，而且經由該光罩圖案將修正液塗布於 該缺陷部。 該 力 該 11. 如申請專利範圍第10項之圖案修正方法，其中在 第4步驟’對該缺陷部塗布修正液後，以該薄膜之復原 使該薄膜從該基板剝離。 12. 如申請專利範圍第1〇項之圖案修正方法，立中在 第1步驟’在將雷射光照射於該上方薄媒的表面，並形 2075-9446-PF；Ahddub 33 .200841288 以使該光罩圖案位於該下 成該光罩圖案後，捲繞該薄膜 方薄膜。 其中在 13_如申請專利範圍第12項之圖案修正方法 該基板上存在複數個缺陷部； 、在該帛1步驟’係對該上方薄膜照射雷射光，並各自 形成用以修正該複數個缺陷部的複數個光罩圖案後，捲繞 該薄膜，以使該複數個光罩圖案位於該下方薄膜； 〜

   ,在該第2步驟’係使該上方薄膜之一部分移動，以使 形成於該下方薄膜的該複數個光罩圖案露出； 在該第3及第4步驟，係依序逐個選擇該複數個缺陷 部，並使對應於各缺陷部的光罩圖案隔著既定之間隔和所 選擇的各缺陷部對峙，經由該光罩圖案將修正液塗布於該 缺陷部。 ^ 14.如申請專利範圍第13項之圖案修正方法，其中該 複數個光罩圖案之中的至少一個光罩圖案係形狀是因應‘ 該缺陷部的該貫穿孔。 15·如申請專利範圍第13項之圖案修正方法，其中該 複數個光罩圖案之中的至少一個光罩圖案包括：形狀是因 應於該缺陷部的該貫穿孔；及槽，係沿著該貫穿孔的開口 部形成於該薄膜之該基板側的表面。 16·如申請專利範圍第13項之圖案修正方法，其中該 複數個光罩圖案之中的至少一個光罩圖案包括：槽，係形 成於該薄膜之該基板側的表面，並具有因應於該缺陷部的 形狀；及形成於該槽之底的該貫穿孔。 2075-9446-PF；Ahddub 34 200841288 17.如中請專利範圍第13至16項中任—項之圖案 方法，其中該複數個光罩圖案係形成為靠近該薄膜二 預定之範圍内。 Τ的 18.如申請專利範圍第13至16項中任一項之圖案修正 方法’其中根據該複數個缺陷部之各個的位置資訊觀察 該獲數個缺陷部之各自的形狀，並根據其觀察結果形成該 複數個光罩圖案。

   19.如申請專利範圍第13至16項中任一項之圖案修正 方法，其中預料該複數個缺陷部之各自的形狀，並形成該 複數個光罩圖案。

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