TW200835750A - Squarylium compound, optical recording medium using the same, recording/reproduction method and optical recording apparatus - Google Patents

Description

200835750 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一種可使用於光學記錄領域之形成金屬錯 合物的方酸鎗化合物、使用彼者之光學記錄媒體、記錄/ 再生方法及光學記錄設備。 【先前技術】 可 ΐ己錄之 DVD(DVD + RW、DVD + R、DVD-R、DVD-RW、DVD-RAM等）已變成除諸如DVD-ROM (尤其參見 專利文件1、2及3 )之光學記錄媒體以外的市售品。 在前述者中，DVD + R及DVD + RW在技術上類似CD-R (可記錄光碟）及CD-RW (可寫入光碟），因此其設計 係符合CD以及DVD對記錄密度（軌距及信號標記長度 )及基材厚度之要求，以使其與DVD-ROM相容。 例如，DVD + R具有位於基材上之記錄層，帶有反射 層之資料記錄基材係黏合於位在基材上之記錄層上，兩基 材具有相同型面。記錄層使用染料型材料。 CD-R之特性之一係具有高反射性（65% )，以符合 CD標準之要求。爲於前述配置下實現該種高反射性，記 錄層需對記錄/再生光之波長顯示特定之複雜折射率。爲 符合此要求，就吸光特性之觀點而言，有機染料材料較無 機材料更爲適當。此要求亦爲DVD所需。 就DVD-ROM而言，提出具兩記錄層之DVD以增加 光碟之記錄容量。例如，附圖之圖1係爲已知光學記錄媒 -6 - 200835750 體（具兩記錄層之DVD )的示意剖面圖。參照圖1，第一 基材1 〇 1及第二基材1 02係在中間夾置中間層1 〇5之情況 下彼此黏合，該中間層係由紫外線固化性樹脂製得。第一 S己錄層103係形成於第一基材ιοί之內表面上，而第二記 錄層104係形成於第二基材1〇2之內表面上。第一記錄層 1〇3係呈現爲半透明薄膜，一般爲介電薄膜。第二記錄層 1 〇4係呈現爲反射薄膜，一般爲金屬薄膜。記錄標記係以 波紋形式形成於第一記錄層1 03上，以藉再生雷射光束之 反射及干涉效應讀取所記錄之信號。圖1所說明之DVD 最多可提供約8.5 GB之儲存容量，因爲自兩記錄層讀取 信號。 第一基材101及第二基材102各具有約0.6毫米之厚 度，而中間層105具有約50微米之厚度。第一記錄層 1 03之半透明薄膜係用以顯示約3 〇 %之反射性，使得照射 以自第二記錄層104再生信號之雷射光束被第一記錄層 1 〇 3反射約3 〇 %，減少總光量。之後，雷射光束被第二記 錄層104之反射薄膜所反射，在自光學記錄媒體發射出來 之BU進一步被第一記錄層1 0 3減弱。再生光之雷射光束匯 聚以聚集於第一記錄層或第二記錄層上，可藉由偵測所反 射之光而再生記錄層上之信號。若爲DVD，則使用於信 號記錄/再生之雷射光束的波長係約65 0奈米。 相同地，討論在一表面上具有用於信號記錄/再生之 雙重薄層的光學記錄媒體的DVD + R及DVD-R。該種光碟 係描述於例如專利文件1中。 200835750 然而，近年來高速記錄系統發展之結果，需要一種適 於在高線性速度下記錄信號的光碟。詳言之，雖然在一表 面上具有作爲記錄層之單一薄層的DVD界定3.49米/秒 之記錄/再生標準線性速度且在一表面上具有作爲記錄層 之雙重薄層的DVD界定3.83米/秒，但該等光碟需要約 爲該標準線性速度之1 2倍至1 8倍的記錄速度。 習用記錄媒體難以符合該種高速要求。詳言之，在形 成記錄標記時會因爲熱干擾產生信號抖動降低之問題。 簡言之，與在一表面上具有單一記錄層的習用單面單 層記錄媒體比較下，包括前述專利文件1所揭示者之單面 雙層記錄媒體伴隨著無法達到充分記錄速度及令人滿意之 記錄功率的問題。 此種問題之原因在於單面雙層記錄媒體界定爲在一表 面上具有兩記錄層，因此，當信號寫入雷射光束自光學傳 感器發射且聚集於較深之記錄層上以記錄信號時，第一記 錄層使雷射光束減弱，使其難以適當地產生在第二記錄層 上記錄所需之水準的光吸收及反射。 尤其，第二記錄層伴隨有因爲記錄層具有異於現存 CD-R及DVD + R之記錄層的結構，而難以形成記錄標記 的問題。此因基材/染料層/反射層/保護層係依前述順 序自現存具有記錄層之記錄/再生媒體的光進入側面開始 形成，而黏合層/(資料保護層）/記錄層/反射層/基 材係依前述順序自具有兩記錄層之記錄/再生媒體的第二 記錄層受光面開始形成。此意指雙層記錄媒體之記錄層的 -8- 200835750 記錄標記形成環境（相鄰層）異於單層記錄媒體。當記錄 線性速度高時難以控制記錄標記之形成，結果產生難以達 成適用於DVD系統之調變及抖動記錄/再生特性的問題 〇 同時，花青染料、偶氮基染料及方酸鑰染料係實際應 用爲DVD之記錄層染料材料。然而，此等有機染料材料 耐光性差，故當藉花青染料或方酸鐵染料形成記錄層時， 使用染料與耐光劑（可爲鋁化合物、雙-硫醇金屬錯合物 、甲蹓金屬鉗合物化合物或偶氮基金屬鉗合物化合物）之 混合物，提供可實際使用之水準的耐光性。 例如，本專利申請案之申請人提出混合顯示優異之光 碟記錄特性且揭示於專利文件2及3中之方酸鑰金屬鉗合 物化合物與各種耐光劑中之任一種，以對記錄層提供令人 滿意之水準的耐光性之技術，該耐光劑係諸如甲臍金屬鉗 合物化合物（參見專利文件4、5及6)或偶氮基金屬鉗 合物化合物（參見專利文件7及8 )。 然而，當方酸鑰金屬鉗合物化合物與耐光劑混合時， 薄膜之光學特性及熱分解特性改變達到某一程度，使得若 耐光性可實際應用，則記錄層之記錄/再生性能降低。 已提出一種具有特定結構且適用於可藉照光記錄資料 之光學記錄媒體的方酸鑰化合物及具有含該化合物之記錄 層的光學記錄媒體（參見專利文件9)。專利文件主張抖 動較每一種該光學記錄媒體減低，且記錄媒體另外顯示改 良之耐光性及耐候性。前述專利文件之實施例1至1 5描 200835750 述製備具有藉由單獨使用方酸鎗化合物形成之記錄層的光 學記錄光碟及進行耐光性測試及儲存效果測試的結果。然 而，實施例未描述由方酸鍚化合物及金屬形成之任何鹽或 鉗合物化合物及用途。 已提出待使用於適於藉照光記錄資料之光學記錄媒體 的具有特定結構之方酸鍚化合物鹽的染料及具有含有該染 料之記錄層的光學記錄媒體（參見專利文件10)。該專 利文件主張該光學記錄媒體顯示耐光性、可信度及反射性 之改善且減輕抖動。前述專利文件之實施例1至3描述製 備具有單獨使用通式（I)所示之化合物形成的記錄層之 光學記錄光碟的結果，其中R3及R4各表示甲基，及進行 耐光性測試及儲存效果測試的結果。 雖然前述提案可能如實施例所述般地在3 . 5米/秒信 號再生線性速度下提供某些特性改善，但仍可能難以在較 高線性速度（例如3.8 3米/秒）下達到令人滿意之再生特 性。 如前文所述，亟需發展一種在單一側面具有兩記錄層 之新穎記錄/再生型光學記錄媒體’其於較標準記錄速度 快1 2倍至1 8倍之記錄速度下同時達到優異之信號特性及 優異之耐光性，具有第一記錄層及第二記錄層來作爲兩記 錄層，且位於第二基材側面之第二記錄層同時展現優異之 記錄信號特性及優異之耐光性。’ [專利文件1]曰本公開專利申請案（JP-A)編號 2006-44241 -10 - 200835750 [專利文件2]國際公開編號0 1/4423 3手冊 [專利文件3]國際公開編號0 1/443 75手冊 [專利文件4]日本公開專利申請案（JP-A )編號 2002-370451 [專利文件5]日本公開專利申請案（JP-A)編號 2002-370452 [專利文件6]日本公開專利申請案（JP-A)編號 2004-244342 [專利文件7]日本公開專利申請案（JP-A)編號 2002-370453 [專利文件8]日本公開專利申請案（JP-A)編號 2002-370454 [專利文件9]日本公開專利申請案（JP-A)編號 2006-150855 [專利文件10]日本公開專利申請案（JP-A)編號 2006-150856 【發明內容】 ， 就前述情況而言，本發明之挑戰因此是解決前述問題 且達成以下目的。 本發明之目的係提供一種形成金屬錯合物之方酸鑰化 合物’其藉照光於筒速記錄時顯不良好記錄特性且顯示優 異之耐光性（以下稱爲方酸鐵金屬鉗合物化合物）、於記 錄層中含有方酸鑰金屬鉗合物化合物之單面單層記錄媒體 -11 - 200835750 或單面雙層記錄媒體（具有第一記錄層及第二記錄層）、 使用該光學記錄媒體記錄/再生之方法及光學記錄設備。

本發明之發明者發現可得到適當地同時顯示可用於使 用64 5奈米至675奈米譜帶之DVD光學記錄系統的光學 特性及改良之耐光性的光學記錄媒體，其係使用具有特定 化合物作爲光學記錄層使用之染料之方酸鑰金屬鉗合物化 合物’而達成本發明。因此，前述問題係藉由以下< 1 > 至<16>所述之本發明來解決。 < 1 > 一種形成金屬錯合物之方酸鑰化合物，其中方 酸鑰化合物係由以下通式（ί )表示：

/r1

/乂 XV I尔1汉坎u Ί口門％ ΤΗ共κ 及 ::表示經取代或未經取代之院基、經取代或未經取代之 芳烷基、經取代或未經取代之芳基或經取代或未經取代之 ㈣基^係表示具有配位能力之金屬原子；q係表示2 或3 ’ R f系表示經取代或未經取代之芳烷基或經 經取代之芳基；R4 # 士一一 八〆义木 係表示經取代或未經取代之烷基、 取代或未經取代每仏 、— ^ — 方纟X基或經取代或未經取代之芳其· R5 係表示氫原；、敍订 、&取代或未經取代之烷基、經取代或未經 -12- 工 200835750 取代之芳院基或經取代或未經取代之芳基；R6係表示鹵 原子、經取代或未經取代之院基、經取代或未經取代之芳 烷基、經取代或未經取代之芳基'硝基、氰基或經取代或 未經取代之烷氧基；P係表示〇帛4範阖之任何整數；且 R係彼此相同或相異，且當p爲2、3或4時，任兩個相 •鄰位置之R6係視情況與兩個相鄰碳原子一起形成經取代 或未經取代之芳族環。 • 因爲通式（I )所示之R3及R4的位置排列未界定其 任何二維位置關係，故其位置可相互交換。 < 2 >如< 1 >項之方酸鑰化合物，其中Q係爲鋁。 < 3 >如< 1 >或< 2〉項之方酸鑰化合物，其中Rl係 爲苯基且R2係爲經鹵素取代或未經取代之烷基。 < 4 >如< 3 >項之方酸鑰化合物，其中R2係爲三氟 甲基。 < 5 >如< 3 >項之方酸鑰化合物，其中R2係爲具有 # 分支鏈之烷基。 < 6 >如< 5 >項之方酸鑰化合物，其中R2係爲粤丙 < 7 >如< 1 >至〈6 >中任一項之方酸鎗化合物，其 中R3及R4係相同或相異且r3及R4各爲經取代或未經耳又 代之苄基或經取代或未經取代之苯基。 各爲 <8>如<7>項之方酸鑰化合物，其中以及r4 节基。 爲苯基 < 9 >如< 7 >項之方酸鐵化合物，其中R3係 -13- 200835750 且R4係爲苄基。 <10>如<1>至<9>中任一項之方酸鑰化合物，其 中R5係爲苄基或乙基。 <11>一種光學記錄媒體，其包括： 基材；及 配置於該基材上之記錄層，其中該記錄層係包含至少 一種如< 1 >至< 1 0 >中任一項所定義之形成金屬錯合物 的方酸鑰化合物。 < 1 2 >如< 1 1 >項之光學記錄媒體，其中該記錄層係 包含形成金屬錯合物之方酸鍚化合物，其中該方酸鑰化合 物係由以下通式（II)表示：

(II) 通式（II)中，Rl及R2係彼此相同或相異且Ri及R2 各係表示經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之 芳烷基、經取代或未經取代之芳基或經取代或未經取代之 雜環基’ Q係表示具有配位能力之金屬原子；q係表示2 或3 ; R7係表示經取代或未經取代之烷基，或肖r7視情 況彼此鍵結以形成脂環族«環或雜環性帛；R5㈣$ _ -14- 200835750 原子、、經取代或未經取代之院基、經取代或未經取代之芳 ;兀基或In取代或未經取代之芳基；r6係表示鹵原子、經 取代或未經取代之院基、經取代或未經取代之芳院基、經 取代或未㉒取代之芳基、硝基、氰基或經取代或未經取代 之k氧基；p係表示〇至4範圍之任何整數；且y係彼 目？或相異’且當P爲2、3或4時，任兩個相鄰位置 之R6係視情況與兩個相鄰碳原子一起形成經取代或未經 取代之芳族環。 一 < 13 >如< 11 >或< I2 >項之光學記錄媒體，其中該 記錄層係進-步包含自金屬金屬錯合物及以下通式（m )或（iv)所示之甲臍化合物所形成之甲臍金屬鉗合物：

〉Cv—NH N—B \ A ； N. N …（III)

V

A 通式（III )中，A環係表示經取代或未經取代之含氮 原子5貝或6員環；z係表示形成A環之原子群組，其中 該含氮雜環性環係視情況與某些其他環稠合；A係表示經 取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之芳基、經取 代或未經取代之烷基羰基、經取代或未經取代之芳基羰基 、經取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之雜環性 環殘基或經取代或未經取代之烷氧羰基；且B係表示經取 代2未經取代之院基、經取代或未經取代之烯基或經取代 或未經取代之芳基。 -15- 200835750 ^α-ΝΗ Β Ν 出疒(W)n-B2—Jjl Ν HN-C/ C I Ai //

N C I a2 \ C / / *---Z2 (IV)

通式（IV )中’ B環及c環係彼此相同或相異且B 環及C環各表示經取代或未經取代之含氮原子$員或6員 環，Z i及Z2個別表示形成β環及c環之原子群組，而含 氮之雜環性環各視情況與某些其他環稠合；Αι及A】各表 不經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之芳基、 經取代或未經取代之烷基羰基、經取代或未經取代之芳基 幾基、經取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之雜 壞性環殘基或經取代或未經取代之烷氧羰基；且B ^及B2 各表不經取代或未經取代之伸烷基、經取代或未經取代之 伸矯基或經取代或未經取代之伸芳基；W係表示-Ch2-_-S〇2>'，且11係表示〇或1之整數。 < 14>如< 11>至< 13>項中任一項之光學記錄媒體 ’其中該記錄層係進一步包含由以下結構式（4 )所示之 花青染料：

-16- 200835750 其中R各表示-CH3或苄基且至少兩個R係爲苄基。 <15>—種光學記錄媒體之記錄及再生方法，其包括 以具有5 80奈米至720奈米之記錄波長的光自光學記 錄媒體之基材側照射如< 11>至< 14>中任一^項所定義之 光學記錄媒體，以進行信號資料之記錄或再生。 <16> —種光學記錄設備，其包括： 如<11>至<14>中任一項所定義之光學記錄媒體； 及 記錄及再生單元，其經組構以發射來自光源之光，而 於該光學記錄媒體上進行記錄資料，或自該光學記錄媒體 再生資料。 本發明形成金屬錯合物之方酸鑰化合物（方酸鍚金屬 鉗合物化合物）具有前述通式（I)所示之特定結構，藉 由控制其光學特性而於記錄波長（一般爲5 80奈米至720 奈米）顯示良好記錄特性，且顯示改良之耐光性。因而提 供適於DVD光碟系統之光學記錄媒體，包括所謂於一表 面上具有記錄層之光學記錄媒體，及於一表面上具有兩記 錄層之光學記錄媒體。 本發明光學記錄媒體在其記錄層中含有方酸鑰金屬鉗 合物化合物，使用照光於高速記錄下顯示良好記錄信號特 性，且記錄層對於重複照射信號記錄/再生用之光及曝照 陽光之耐光性不會有任何降低地優異的操作。因此，本發 明光學記錄媒體可適當地使用於可記錄DVD系統。尤其 -17· 200835750 ’本發明光學記錄媒體可於包括DVD + R及DVD-R廣泛地 發現應用。詳言之，本發明光學記錄媒體滿足DVD對經 安定化反射性、高百分比調變、抖動及PI誤差（PiSUm8 )之標準的要求。 此外’方酸鑰金屬鉗合物化合物可與某些其他耐光劑 (諸如甲臍金屬鉗合物化合物）混合使用於記錄層，以確 保記錄層於極平衡方式下得到記錄/再生性能及實際可行 之耐光性。 本發明記錄/再生方法採用具有記錄層之記錄媒體， 該記錄層係由方酸鑰金屬鉗合物化合物製得，故不會有任 何諸如記錄標記變寬、與相鄰軌道串話及抖動增加之問題 。因此，記錄媒體可在一般5 8 0奈米至720奈米記錄波長 顯示良好記錄特性，且重複照光下可穩定地操作。 本發明光學記錄設備係配置具有記錄層之光學記錄媒 體，該記錄層係由方酸鑰金屬鉗合物化合物製得；及藉來 自光源之光照射光學記錄媒體以於該記錄媒體上記錄資料 及自該記錄媒體再生資料之裝置，使得可高速地將資料記 錄於大容量DVD系統上並自該系統再生資料。 【實施方式】 如前文所述，本發明形成金屬錯合物之方酸鑰化合物 (方酸鏺金屬鉗合物化合物）於藉照光高速記錄時顯示良 好之信號記錄特性及優異之耐光性，且係由以下通式（I )描述特性： -18- 200835750

通式（I)中，pi 2

及R係彼此相同或相異且r 1及r 2 各係表不經取代变决施而 忒未經取代之烷基、經取代或未經取代之 芳烷基、經取代或棄減前处+ _ 、- - 1取代之芳基或經取代或未經取代之 雜環基；Q係表示息&扣^ 1^ 丁具有配位目g力之金屬原子；q係表示2 或3 ; R3係表示總前/ 取代或未經取代之芳烷基或經取代或未 經取代之芳基；R4炫圭一 ^ α化一 一 — 係表不經取代或未經取代之烷基、經 取代或未經取代之芳烷基或經取代或未經取代之芳基·，ν 係表示氫原子、經取代或未經取代之院基、經取代；未經 取代之芳垸基或經取代或未經取代之芳基；…係表示齒 原子ι取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之芳 ί兀基、經取代或未經取代之芳其 ~甘 Τ工似乙方基、硝基、氰基或經取代或 未經取代之院氧基；Ρ係表示〇至4範圍之任何整數；且 R6係彼此相同或相里，且掛 e ^ 一 丘田P爲2、3或4時，任兩個相 鄰位置之R6係視情況與兩個相鄰碳原子一起形成經取代 或未經取代之芳族環。 簡S之，本發明方酸鑰金屬鉗合物化合物可適當地應 用於單面單層記錄媒體或單面雙層記錄媒體（具有第〜記 錄層及第一㊉錄層）作爲用於記錄層或層等之染料材料。 -19- 200835750 此外，本發明光學記錄媒體顯示良好之光學特性（包 括高反射性）及良好之記錄信號特性（抖動及PI誤差） ，故可藉由使用本發明光學記錄媒體提供極度可信之記錄 /再生方法及光學記錄設備。應注意PI誤差係爲每連續 8個ECC區塊之PI誤差的和。 下文更詳細地描述本發明單面單層記錄媒體及單面雙 層記錄媒體。 具有配位能力之金屬原子Μ的實例係包括鋁、鋅、 銅、鐵、鎳、鉻、錳、銥、釩及鈦。 較佳係形成鋁錯合物之方酸鑰化合物，因其顯示優幾 之光學特性。 通式（I )所示化合物之群組較佳係R1係爲苯基， 係爲經鹵素取代或不經鹵素取代之芳基，R2係爲三氟甲 基，R2係爲具有分支鏈之烷基或R2係爲異丙基，R3及R4 係相同或相異且各表示可具有取代基之苄基或可具有取代 基之苯基，R3及R4係爲苄基，或R3係爲苯基且R4係爲 苄基且R5係爲苄基。 前述者中，形成鋁錯合物且於吲哚啉鍚基之第三位置 具有苄基之方酸鑰化合物特佳，因爲該化合物可使串話減 至最少。 本發明光學記錄媒體中，由本發明方酸鑰金屬鉗合物 化合物製得之記錄層較佳係含有以下通式（II)所示之形 成金屬錯合物之方酸鑰化合物，因其產生較穩定之記錄特 性。 -20 * …（II) 200835750 …（II)

通式（II )中，R1及R2係彼此相fg 各係表示經取代或未經取代之烷基、經 方丨完基、經取代或未經取代之芳基或經 雜環基；Q係表示具有配位能力之金屬 或3 ; R7係表示經取代或未經取代之燒 況彼此鍵結以形成脂環族烴環或雜環屯 原子、經取代或未經取代之烷基、經取 院基或經取代或未經取代之芳基；R6 取代或未經取代之烷基、經取代或未經 取代或未經取代之芳基、硝基、氰基或 之烷氧基；p係表示〇至4範圍之任作 此相同或相異，且當p爲2、3或4時 之R6係視情況與兩個相鄰碳原子一起 取代之芳族環。 至於結構式（I )及（π )中取代 院氧基中之烷基部分可爲具有1個碳原 支鏈碳原子之烷基或具有3個碳原子至 基。可使用於本發明之烷基的實例係包 -21 - I或相異且R1及R2 取代或未經取代之 取代或未經取代之 原子；q係表示2 丨基，或兩R7視情 fe環；R5係表示氫 代或未經取代之芳 係表示鹵原子、經 取代之芳烷基、經 經取代或未經取代 J整數；且R6係彼 ，任兩個相鄰位置 形成經取代或未經 基之定義，烷基及 子至6個直鏈或分 8個碳原子之環烷 括甲基、乙基、丙 200835750 基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基 、異戊基、1一甲基丁基、2-甲基丁基、第三戊基、己基 、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基及環辛基。 芳烷基具有較佳7個碳原子至19個碳原子，更佳7 個碳原子至15個碳原子。可使用於本發明之芳烷基的實 例係包括苄基、苯乙基、苯基丙基及萘基甲基。 芳基具有較佳6個碳原子至1 8個碳原子，更佳6個 碳原子至14個碳原子。可使用於本發明之芳基的實例係 包括苯基、萘基、蒽基及甘菊環基。 可使用於本發明之鹵原子的實例係包括氯原子、溴原 子、氟原子及碘原子。 由相鄰位置之兩R6與兩相鄰位置之碳原子形成之芳 族環較佳係具有6個碳原子至14個碳原子。可使用於本 發明之芳族環的實例係包括苯環及萘環。 雜環基中之雜環性環實例係包括至少含有選自氮原子 、氧原子及硫原子之原子的5員或6員單環芳族或脂環族 雜環性環及藉由稠合3至8員環而形成且至少含有選氮原 子、氧原子及硫原子之原子的雙環或參環稠合芳族或脂環 族雜環性環。 雜環基中雜環性環之特定實例係包括吡啶環、吡嗪環 、嘧啶環、嗒嗪環、喹啉環、異喹啉環、酞嗪環、喹唑啉 環、喹噁琳環 '萘啶環、啐啉環、吡咯環、吡唑環、咪唑 環、三唑環、四唑環、噻吩環、呋喃環、噻唑環、噁唑環 、吲哚環、異吲哚環、吲唑環、苯并咪唑環、苯并三唑環 -22- 200835750 、苯并噻唑環、苯并噁唑環、嘌呤環、咔唑環 '哌啶環、哌嗪環、嗎啉環、硫代嗎啉環 '高 哌嗪環、四氫吡啶環、四氫喹啉環、四氫異喹 呋喃環、四氫哌喃環、二氫苯并呋喃環及四氫 由兩相鄰位置之R6與個別兩相鄰碳原子 方垸基、方基、院氧基、雜環基或芳族環的取 有1個取代基至5個取代基之基團，該取代基 φ 異且可選自包括羥基、羧基、鹵原子、烷基、 基及經取代或未經取代之胺基之群。鹵原子、 基之實例係如同前文所列者。 烷基之取代基可爲具有1個取代基至3個 團，該取代基可相同或相異且可選自包括羥基 原子及烷氧基之群。鹵原子及烷氧基之實例係 列者。 胺基之取代基係包括一或兩個可相同或相 # 烷基之實例係如同前文所列者。 通式（I )及（II )所示之方酸鑰金屬鉗 可藉由應用 WO 02/50 190公開案所述之方法 在’於下文詳細描述製備通式（I)所示之方 的合成方法。 以下通式（VII )所示之化合物可應用曰 申請案（JP-A) 2005-53875所述之方法製得。 、吡咯啶環 哌D定環、高 啉環、四氫 咔唑環。 一起形成之 代基可爲具 可相同或相 烷氧基、硝 烷基及烷氧 取代基之基 、羧基、鹵 如同前文所 異之烷基。 合物化合物 而製得。現 酸鑰化合物 本公開專利 -23- 200835750

反應式（l-b)

+ nhnh2 (VI) + r5-x o R3

-(VIII) 反應式（1-d)

反應式（1-f) Qq+ (I) q (xi) - 前述式中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、Q及q係如同 前述通式，且X係表示鹵原子、可具有取代基之烷基磺 -24- 200835750 醯基或可具有取代基之芳基磺醯基。該烷基及芳 前述通式。 反應式（l_a): 化合物（VI )係藉化合物（V )與爲化合物 0.7莫耳倍數至1.5莫耳倍數之苄基丙酮於50 °C: 下，於溶劑中，在酸存在下進行反應歷經5分鐘: 時而製得。酸係選自包括鹽酸、硫酸、乙酸、對 酸及苯磺酸之群。酸之使用量較佳係使得酸之莫] 合物（V)之0.7倍至1.5倍。溶劑係選自包括| 諸如乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇及異丁醇及芳族2 如苯、甲苯及二甲苯之群。 反應式（Ι-b)： 化合物（VIII)係藉著使化合物（VII)及苄 於50它至120 ΐ：下於溶劑中在酸存在下彼此反應5 1 5小時而製得。該酸係選自包括鹽酸、硫酸、乙 甲苯磺酸及苯磺酸之群。使用之酸量較佳係使得酸 數爲化合物（VII)之0.7倍至1.5倍。溶劑係選自 型溶劑諸如乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇及異丁醇S 溶劑諸如苯、甲苯及二甲苯之群。 反應式（1 -c ): 化合物（VIII)係藉著於0°c至80艺於溶劑中 係如同 V )之 120°C 15小 甲苯磺 數爲化 型溶劑 溶劑諸 基丙酮 分鐘至 酸、對_ :之莫耳 丨包括醇 :芳族型 在鹼存 -25- 200835750 在下，使化合物（VI)與以莫耳計爲化合物（VI)之0.7 倍至10倍的R5-X彼此反應5分鐘至15小時而製得。該 鹼係選自包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、甲醇鈉、第三丁醇鉀 及氫化鈉之群。鹼之使用量較佳係使得鹼之莫耳數係爲化 合物（VI )之0.7倍至1〇倍。溶劑係選自包括幽素型溶 劑諸如氯仿及二氯甲烷、芳族型溶劑諸如苯、甲苯及二甲 苯、醚型溶劑諸如四氫呋喃及甲基·第三丁基醚、二甲基 亞颯及二甲基甲醯胺之群。 反應式（Ι-d): 化合物（IX)係藉著於50°C至150°C於溶劑中，使化 合物（VIII)與以莫耳計爲化合物（VIII)之〇.7倍至10 倍的R4-X彼此反應5分鐘至30小時而製得。溶劑係選自 包括醇型溶劑諸如乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇及異丁醇、 芳族型溶劑諸如苯、甲苯及二甲苯、鹵素型溶劑諸如氯仿 及二氯甲烷、醚型溶劑諸如四氫呋喃及甲基-第三丁基醚 之群。 反應式（1 - e ): 化合物（X Ο係藉著於5 0 °C至1 2 0 °C下，於溶劑中， 使化合物（X)及以莫耳計爲化合物（X)之〇·5倍至2 倍之化合物（IX)-即與鹼存在下與以莫耳計爲化合物（X )之0.5倍至2倍-彼此反應5分鐘至15小時而製得。溶 劑係選自包括醇型溶劑諸如乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇及 -26- 200835750 辛醇、前述醇型溶劑之混合溶劑及芳族型溶劑諸如苯、甲 苯或二甲苯（較佳醇型溶劑50體積/體積％或更高）之群 。鹼係選自包括有機鹼諸如喹啉、三乙基胺及吡啶及無機 鹼諸如碳酸鉀、碳酸氫鉀及碳酸氫鈉之群。 反應式（1-0 : 化合物（I )係藉著於室溫至1 20 °C下，於溶劑中， 使化合物（XI)與以莫耳計爲化合物（XI)之0.5倍至2 倍的提供Qq +之材料，視需要於乙酸存在下，彼此反應5 分鐘至15小時而製得。提供Qq +之材料較佳用量係使得 化合物（XI)之莫耳數：提供Qq +之材料的莫耳數xq的 比例係爲1 : 0.5至2。 產生Qq+之材料的實例係包括參（乙醯基丙酮酸）鋁 、參（乙基丙酮酸）鋁、異丙醇鋁、第二丁醇鋁、乙醇鋁 、氯化鋁、氯化銅、乙酸銅及乙酸鎳。 可使用於此反應之溶劑的實例係包括鹵素型溶劑諸如 氯仿及二氯甲烷、芳族型溶劑諸如苯、甲苯及二甲苯、醚 型溶劑諸如四氫呋喃及甲基-第三丁基醚及酯型溶劑諸如 乙酸乙酯。 可藉前述反應製得之化合物（XI )的特定實例係列於 下表1至3中。應注意表中之化合物編號係作爲實施例中 配位體化合物編號，將描述於下文。化合物（I )字尾加 上金屬原子。例如，屬於化合物1之形成鋁化合物的方酸 鑰化合物係表示爲化合物1-A1 (編號1-A1 )。表中，Ph -27- 200835750 係表示苯基。 表1 化合物（XI)之特定實例

-28- 200835750 表2 化合物（XI)之特定實例

編號 方酸鑰化合物 8 ) σ fj PH 9 射 Γ CH, 10 ch, σ f3c 11 CH, σ f3c 1 2 CH, O' FaC X 3 Ph^ 3 14 <5 { Ρ σ HO CH, CT p3C -29 - 200835750 表3 化合物（XI)之特定實例

較佳係由通式（I )所示之方酸鑰金屬鉗合物化合物 製得的記錄層或藉著將通式（π)所示之方酸鑰金屬鉗合 物化合物添加於光學記錄媒體之通式（I )所示化合物而 形成之記錄層（將更詳細地描述於下文）進一步含有通式 (ΠΙ)或通式（IV )所示之甲臍化合物的形成甲臍化合 物金屬錯合物之甲金屬鉗合物化合物，以改善記錄媒體之 -30- ··· (III) 200835750 儲存安定性

N— C ,1、 I A vXCr-NH N-B \ A ； I || \ / N. fj % /

A ::(Π)中，A環係表示經取代或未 _員環；z係表示形成A環之原 該含氮雜環性環係視情況與某些其他環稠合 取代或未經取代之烷基、經取代或未經取： 代或未經取代之院基鑛基、經取代或未經取 、經取代或未經取代之烯基'經取代或未經 環殘基或經取代或未經取代之烷氧羰基；且 代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之 或未經取代之芳基。 { Β、°Γ〒Η ΗΝ - cf1

\ I κι I*. II I I 乂^ NVN N\，'、 ? ? ' A1 A2 通式（IV)中，B環及C環係彼此相同 環及C環各表示經取代或未經取代之含氮原子 環；Z!及Z2個別表示形成B環及C環之原子 氮之雜環性環各視情況與某些其他環稠合；Ai 示經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取 取代之含氮 群組，其中 A係表示經 芳基、經取 之芳基羰基 代之雜環性 係表示經取 基或經取代 …（IV) 或相異且：B 5員或6負 群組，而含 及A2各表 代之芳基、 -31 - 200835750 經取代或未經取代之院基羰基、經取代或未經取代之芳基 羰基、經取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之雜 環性環殘基或經取代或未經取代之烷氧羰基；且Βι及b2 各表不經取代或未經取代之伸烷基、經取代或未經取代之 伸烯基或經取代或未經取代之伸芳基；w係表示或-S〇2-;且η係表示〇或1之整數。 前式中Α環、Β環及c環各表示含有氮原子之經取 φ代或未經取代5員或6員環，| ζ、Ζι及Z2個別表示形 成A環、B環及C環之原子群組。任—原子群組除碳原 子外皆可含有一或多個雜原子。就本發明而言，雜原子係 包括氮原子（-N-)、硫原子（-S-)、氧原子（_〇_)及 硒原子（· S e -)。 某些其他D環可鍵結A環、B環及c環中之任一者 。該D環可爲碳環或雜環性環。若〇環爲碳環，則構成 環之碳原子數較佳係6至20個，更佳係6至10個。該環 φ 之特定實例係包括苯環、萘環及環己烷環。若爲雜環性環 ，則構成環之原子數較佳係爲5至2 0個，更佳係5至1 4 個。該環之特定實例係包括卩比略Π定、嚷u坐、味哩、U惡Π坐、 吡唑、吡啶、嗒嗪、嘧啶、吡嗪、喹啉、吲哚啉及咔唑。 ^ A環、B環及C環之特定實例係包括噻唑、咪唑、噻 二唑、噁唑、三唑、吡唑、噁二唑、吡啶、嗒嗪、嘧啶、 啦嗪及二嗪。 可鍵結於A環、B環及C環之取代基的實例個別包 括鹵原子、硝基、氰基、羥基、羧基、胺基、胺基甲醯基 -32- 200835750 、可具有取代基之烷基、可具有取代基之芳基、可具有取 代基之雜環基、可具有取代基之烷氧基、可具有取代基之 芳氧基、可具有取代基之烷硫基、可具有取代基之芳硫基 、可具有取代基之烷基胺基、可具有取代基之芳基胺基、 可具有取代基之烷氧羰基、可具有取代基之芳氧羰基、可 具有取代基之烷基甲醯胺基、可具有取代基之芳基甲醯胺 基、可具有取代基之烷基胺基甲醯基、可具有取代基之芳 Φ 基胺基甲醯基、可具有取代基之烯基及可具有取代基之烷 基胺基磺醯基。 前述通式（III)及（IV)中之A、Αι及a2各表示可 具有取代基之烷基、可具有取代基之芳基、可具有取代基 之烷基羰基、可具有取代基之芳基羰基、可具有取代基之 烯基、可具有取代基之雜環基或可具有取代基之院氧羰基 。若其係爲烷基或烯基，則可具有鏈及/或環。若其係太完 基，則碳原子數較佳係1至15個’更佳係1至&個。若 • 其係烯基，則碳原子數較佳係2至8個，更佳係2至6個 〇 前述通式（III)中，B係表示可具有取代基之院基、 可具有取代基之烯基或可具有取代基之芳基。若其係爲院 • 基或烯基，則可具有鏈及/或環。若其係烷基，則碳原子 數較佳係1至15個，更佳係1至8個。若其係烯基，則 碳原子數較佳係2至8個，更佳係2至6個。若其係芳基 ，則碳原子數較佳係6至1 8個，更佳6至1 4個。 前述通式（IV)中h及I各表示可具有取代基之伸 -33- 200835750 烷基、可具有取代基之伸烯基或可具有取代基之伸芳基。 該伸烷基或伸烯基可具有鏈及/或環。若其係伸焼基，則 碳原子數較佳係1至1 5個，更佳係1至8個。若其係伸 烯基，則碳原子數較佳係2至8個，更佳係2至6個。若 其係伸芳基，則碳原子數較佳係6至1 8個，更佳6至i 4 個。 若前述通式（III )及（IV )含有烷基，則烷基之碳 原子數較佳係1至15個。具有該碳原子數之烷基的特定 實例係包括直鏈烷基，諸如甲基、乙基、正丙基、正丁基 、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基及正癸基， 分支鏈烷基，諸如異丁基、異戊基、2—甲基丁基、2-甲 基戊基、3 —甲基戊基、4 一甲基戊基、2—乙基丁基、2 — 甲基己基、3—甲基己基、4 一甲基己基、5—甲基己基、2 一乙基戊基、3 —乙基戊基、2-甲基庚基、3—甲基庚基 、4_甲基庚基、5 —甲基庚基、2—乙基己基、3 —乙基己 基、異丙基、第二丁基、1 一乙基丙基、1 一甲基丁基、 1，2 -二甲基丙基、1—甲基庚基、1 一乙基丁基、1，3-二 甲基丁基、1，2—二甲基丁基、1 一乙基一2 —甲基丙基、1 一甲基己基、1—乙基庚基、1 一丙基丁基、1 一異丙基一 2 一甲基丙基、1 一乙基一 2 —甲基丁基、1—丙基一 2—甲基 丙基、1—甲基庚基、1 一乙基己基、1 一丙基戊基、1 一異 丙基戊基、1—異丙基一 2—甲基丁基、1 一異丙基一 3—甲 基丁基、1—甲基辛基、1一乙基庚基、1 一丙基己基、i — 異丁基一 3 -甲基丁基、新戊基、第三丁基、第三己基、 -34- 200835750 第三戊基及第三-分支鏈烷基，諸如辛基’及環烷基，諸 如環己基、4一甲基環己基、4 一乙基環己基、4 一第二丁 基環己基、4— (2 —乙基己基）環己基、萡基、異描基及 金剛烷基。具有1至8個碳原子之基團較有利於使用於本 發明。 就本發明而言，可使用於通式（III )及（IV )之烷 基可經羥基、鹵原子、硝基、羧基、氰基或諸如此類者所 取代。或可由可具有特定取代基（因此可經例如鹵原子或 硝基所取代）之芳基或雜環基所取代。另外’可藉由諸如 氧、硫或氮之雜原子由某些其他烴基諸如烷基（可爲任何 前述者）所取代。 藉由氧而由某些其他烴基取代之烷基的實例係包括經 院氧基或芳氧基取代之院基’諸如甲氧基甲基、甲氧基乙 基、乙氧基甲基、乙氧基乙基、丁氧基乙基、乙氧基乙氧 基乙基、苯氧基乙基、甲氧基丙基及乙氧基丙基。該等烷 氧基及芳氧基可具有取代基。 藉由硫而由某些其他烴基取代之烷基的實例係包括烷 硫基或芳硫基，諸如甲硫乙基、乙硫乙基及苯硫乙基。該 等烷硫基及芳硫基可具有取代基。 藉由氮而由某些其他烴基取代之烷基的實例係包括由 任一烷基胺基或芳基胺基取代之烷基’諸如二甲基胺基乙 基、二乙基胺基乙基、二乙基胺基丙基及苯基胺基甲基。 該等烷基胺基及芳基胺基可具有取代基。 若前述通式（III )及（IV )含有烯基，則烯基之碳 -35- 200835750 原子數較佳係2至6個。具有該碳原子數之烯基 例係包括乙烯基、烯丙基、1 -丙烯基、甲基丙 豆基、1— 丁烯基、3-丁烯基、2 —戊烯基、4一 2-己細基、5—己丨布基、2-庚嫌基及2-半燒 之取代基實例係包括前文針對烷基所列。 烯基之特定實例係包括苯基、萘基、蒽基（ group )、莽基、胞基（phenalenyl group ) phenanthrany 1 group )、三亞苯基及芘基。 伸烷基及伸烯基之實例係包括藉由個別自前 烯基移除氫原子所得之基團。 伸芳基之實例係包括藉由自前述芳基移除氫 之基團。 就本發明而言，可使用於通式（III )及（ 基及伸芳基可經烷基、烯基、羥基、鹵原子、硝 、氰基、三氟甲基、可具有特定取代基（因此可 原子或硝基所取代）之芳基或可具有特定取代基 經例如鹵原子或硝基所取代）之雜環基取代。烷 及芳基之實例係包括前述者。鹵原子之實例係如 描述者。 雜環基之特定實例係包括呋喃基、吡咯基、 基、異苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚啉基、異 、咔唑基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基 、異噁唑基、噻唑基、異噻唑基、咪唑基、吡哩 咪唑基、版嗪基（pyrazyl ) 、密D定基、塔曝基 的特定實 烯基、巴 戊烯基、 基。嫌基 a n t h r a n i 1 、菲基（ 述院基及 原子所得 IV )之芳 基、竣基 經例如鹵 (因此可 基、嫌基 同下文所 苯并呋喃 吲哚啉基 、螺嗤基 基、苯并 及喹噁啉 -36- 200835750 基。 前述雜環基可經羥基、烷基、鹵原子、硝基、羧基、 氰基、可具有特定取代基（因此可經例如鹵原子或硝基所 取代）之芳基或可具有特定取代基（因此可經例如鹵原子 或硝基所取代）之雜環基取代。或可經由諸如氧、硫或氮 之雜原子被某些其他煙基諸如院基（可爲前述任一者）所 取代。院基、烯基及方基之實例係包括前述者。鹵原子之 Φ 實例係如同下文所描述者。 作爲可鍵結於A環、B環及/或C環之取代基，鹵 原子之特定實例包括氟、氯、溴及碘。 可具有取代基之烷氧基可鍵結有在氧原子上直接具有 取代基之院基。院基及取代基之特定實例係包括前文所列 者。 可具有取代基之芳氧基可鍵結有在氧原子上直接具有 取代基之芳基。芳基及取代基之特定實例係包括前文所列 φ 者。 可具有取代基之烷硫基可鍵結有在硫原子上直接具有 ， 取代基之烷基。烷基及取代基之特定實例係包括前文所列 者。 可具有取代基之芳硫基可鍵結有在硫原子上直接具有 取代基之芳基。芳基及取.代基之特定實例係包括前文所列 者。 可具有取代基之烷胺基可鍵結有在氮原子上直接具有 取代基之烷基。烷基及取代基之特定實例係包括前文所列 \ -37- 200835750 者。或烷基可彼此鍵結且含有氧原子及氮原子而形成環， 諸如N —哌啶基、N —嗎啉基、吡咯啶基、哌嗪基、吲哚 啉基、異吲哚啉基或諸如此類者。 可具有取代基之芳胺基可鍵結有在氮原子上直接具有 取代基之芳基。芳基及取代基之特定實例係包括前文所列 者。 可具有取代基之烷羰基可鍵結有在其羰基之碳原子上 Φ 直接具有取代基之烷基。烷基及取代基之特定實例係包括 前文所列者。 可具有取代基之芳羰基可鍵結有在其羰基之碳原子上 直接具有取代基之芳基。芳基及取代基之特定實例係包括 前文所列者。 可具有取代基之烷氧羰基可鍵結有在其氧原子上直接 具有取代基之烷基。烷基及取代基之特定實例係包括前文 所列者。 • 可具有取代基之芳氧羰基可鍵結有在其氧原子上直接 具有取代基之芳基。芳基及取代基之特定實例係包括前文 所列者。 可具有取代基之烷基甲醯胺基可鍵結有在其甲醯胺之 碳原子上直接具有取代基之烷基。烷基及取代基之特定實 例係包括前文所列者。 可具有取代基之芳基甲醯胺基可鍵結有在其甲醯胺之 碳原子上直接具有取代基之芳基。芳基及取代基之特定實 例係包括前文所列者。 -38- 200835750 可具有取代基之烷基胺基甲醯基可鍵結有在其胺基甲 醯基之氮原子上直接具有取代基之烷基。烷基及取代基之 特定實例係包括前文所列者。或烷基可彼此鍵結且含有氧 原子及氮原子而形成環，諸如N-哌啶基、N-嗎啉基、吡 咯啶基、哌嗪基、吲哚啉基、異吲哚啉基或諸如此類者。 可具有取代基之芳基胺基甲醯基可鍵結有在其胺基甲 醯基之氮原子上直接具有取代基之芳基。芳基及取代基之 特定實例係包括前文所列者。 可具有取代基之烷基胺基磺醯基可鍵結有在其胺基磺 醯基之氮原子上直接具有取代基之烷基。烷基及取代基之 特定實例係包括前文所列者。 自通式（III )或（VI)所示之化合物衍生的甲踏金 屬鉗合物的金屬組份可爲金屬或金屬化合物，其可於甲臍 形成鉗合物。金屬組份之實例係包括鈦、釩、鉻、錳、鐵 、鈷、鎳、銅、鋅、鉻、鈮、鉬、锝、釕、铑、鈀、前述 金屬之氧化物及前述金屬之鹵化物。用於本發明之較佳金 屬係包括釩、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅及鈀。使用本發明 甲臍金屬鉗合物化合物形成之光學記錄媒體顯示優異之光 學特性。前述金屬之鹵化物中，金屬氯化物較有利於本發 明。 現在，於下文描述本發明光學記錄媒體。 本發明光學記錄媒體含有記錄層，此層含有以前述通 式（I)所示之方酸鐵金屬鉗合物化合物（有機染料）’ 且提供於高速記錄下之良好記錄信號特性及優異之耐光性 -39- 200835750 。本發明光學記錄媒體可適當地應用於單面單層記錄媒體 及單面雙層記錄媒體諸如DVD中。 單面單層記錄媒體具有形成於基材上且含有機染料之 δ己錄層。右需要’則其另一面形成反射層及保護層。 單面雙層記錄媒體具有第一資料層及第二資料層，其 間夾置有中間層。若需要，則具有一或多層附加層。 本發明單面雙層光學記錄媒體之第一資料層的第一具 體實施態樣係包括第一基材及唯讀型第一記錄層，此層具 有資料點且係由形成於第一基材上之反射膜所製得。若需 要，則此具體實施態t樣具有一或多層附加層。本發明單面 雙層光學記錄媒體之第一資料層係包括第一基材及至少依 所述順序形成於第一基材上之含有機染料之第一記錄層及 第一反射層（半透明）。若需要，則此具體實施態樣具有 一或多層附加層，諸如保護層、底塗層及/或硬塗層。詳 言之，除反射層係半透明外，第一資料層係與單面單層光 學記錄媒體之資料層相同。 本發明單面雙層光學記錄媒體之第二資料層係包括第 二基材及至少依所述順序形成於第二基材上之反射層、含 有機染料之第二記錄層及保護層。若需要，則此具體實施 態樣係具有一或多層附加層，諸如保護層、底塗層及/或 硬塗層。 使用本發明光學記錄媒體，具有5 8 0奈米至720奈米 記錄波長之光可自第一基材表面之側面照射，以至少將信 號資料記錄於第一記錄層及第二記錄層上或自該第一記錄 -40 - 200835750 層及第二記錄層再生信號資料。 當藉著被第一記錄層及反射層（或第二記錄層）減弱 之記錄/再生光於具有第一記錄層及第二記錄層之雙層型 光學記錄媒體的第二記錄層上形成記錄標記時，因爲第一 記錄層之吸光所致之光減弱較雙層ROM (諸如DVD-ROM )明顯。結果，難以在第二記錄層提供令人滿意之記錄功 率水準。此外，因爲光學像差增寬記錄標記而易於第二記 φ 錄層產生焦點偏移，因而導致與鄰軌之串話增加。再者， 前述第二基材之凹軌或凹軌等的型面可爲增加串話之因素 。詳言之，當第二記錄層波紋之極性針對受光面彼此配合 時，此配置無法提供任何防止記錄標記因凹軌或凹軌等而 變寬之效果，因爲記錄標記係於凹軌間之區段或區段等（ 於凸軌或凸軌等）上形成。 當於凹軌間之區段贫區段上形成記錄標記時，因爲第 二記錄層之主要反射表面係形成於記錄層與反射表面（或 φ 第二反射層）之介面上，故需使第二記錄層之凹軌或凹軌 等較第一記錄層之凹軌或凹軌等淺，以得到類似第一記錄 層之反射性，因而易使串話狀況增加。是故，抖動會因爲 增寬之記錄標記而增加，尤其是於高速（1 5米/秒或更高 ’ ）下記錄信號時，而該高速記錄需要較高功率。 然而，前述問題可藉著形成含有通式（I)所示之本 發明形成金屬錯合物之方酸鐵化合物（方酸鑰金屬鉗合物 化合物）的記錄層而得到解決。 例如，欲得到所需之記錄靈敏度及抑制第二記錄層上 -41 - 200835750 記錄標記變寬，以得到本發明良好信號特性，較佳係第二 記錄層至少含有選自具有特定本發明結構之方酸鑰金屬鉗 合物化合物的方酸鑰金屬鉗合物化合物，且形成與第二記 錄層接觸之保護層（用以防止熱變形之防變形層）。此外 ，較佳係第二基材之引導凹軌顯示適當之深度，以得到第 現在，於下文參照相關圖示描述本發明單面雙層光學 記錄媒體的結構。 圖2係爲本發明光學記錄媒體之第一具體實施態樣的 示意剖面圖，顯示其層排列。 在圖2所說明之層排列情況下，第一記錄層2 0 3係爲 用於再生之層且第二記錄層207係爲用於記錄及再生之層 。圖2中，201係表示第一基材且202係表示第二基材， 而203係表示由反射膜製得之第一唯讀記錄層，205及 2 06係個別表示中間層及保護層。圖2中，207係表示含 有機染料之第二記錄層，208係表示反射層。光係自第一 基材之側面照射以進行記錄/再生。 圖3係爲本發明光學記錄媒體之第二具體實施態樣的 示意剖面圖，顯示其層排列。 與圖2不同地，在圖3所說明之層排列情況下，第一 記錄層203及第二記錄層207兩者皆使用於記錄及再生。 圖3中，201及209係個別表示第一基材及含有機染 料之第一記錄層，210及202係個別表示第一反射層及第 二基材，而205及206係個別表示中間層及保護層，207 -42- 200835750 及2 0 8係個別表示含有機染料之第二記錄層及第二反射層 。光係自第一基材之側面照射以進行記錄/再生。 根據本發明，亦可與圖2及3所說明之記錄媒體不同 地形成不具第一記錄層之單層記錄層媒體。 如同DVD + R及CD-R，本發明光學記錄媒體因爲含 有機染料之記錄層（染料記錄層）之兩介面的多重干涉效 應而提供高反射性。較佳係記錄層顯示包括高折射率η及 φ 相對低消光係數k之光學特性。尤其，較佳係η > 2且 0.03 < k< 0.2。可藉由利用含染料記錄層吸光譜帶之長波 長端末端部分的特性得到該等光學特性。 現在將於下文更詳細地描述本發明光學記錄媒體的層 排列。 [記錄層] 在記錄層中，第一資料層之第一記錄層可包括反射膜 ，其係用以再生或含有機染料。反射膜係由類似以下所述 反射層之材料的金屬或合金製得且其中形成資料點。 第二資料層之第二記錄層係含結構式（I )所示之有 機染料。 就本發明而言，記錄層或層等中有機染料（通式（1 )所示之方酸鐵金屬鉗合物化合物）的熱分解溫度較佳係 介於200°C至3 50°C範圍之間。當熱分解溫度超過3 50 °C 時，記錄功率會降低，而當熱分解溫度低於200°C時，熱 安定性易降低且記錄標記變成易增寬。有機染料之熱分解 -43- 200835750 溫度可藉通用型熱天平簡易地觀察。 雖然第一記錄層之有機染料較佳係含有如同第二記錄 層（通式（I)所示之方酸鑰金屬鉗合物化合物）之有機 染料，但可根據應用適當地選擇某些其他材料。 該等材料之實例係包括花青染料、四氮雜紫菜嗪染料 、酞花青染料、哌喃鑰染料、硫代哌喃鑰染料、甘菊環鐵 染料、方酸鑰染料、方酸鑰金屬鉗合物化合物、甲蹓鉗合 φ 物染料、金屬諸如Ni及Cr之金屬錯合物染料、萘醌/蒽 醌染料、靛酚染料、茚苯胺染料、三苯基甲烷染料、三芳 基甲烷染料、鋁/二亞銨染料、亞硝基化合物。此等化合 物中之任一化合物皆可單獨使用或其中二或多種組合使用 。若需要，則前述任一材料皆可添加於第二記錄層。 前述材料中，針對本發明目的較佳係至少使用選自四 氮雜紫菜嗪染料、花青染料、偶氮基染料、方酸鑰染料、 方酸鐵金屬鉗合物化合物及甲腭鉗合物染料之染料，因爲 Φ 使用該種材料，可於5 8 0奈米至63 0奈米範圍內發現含有 機染料之記錄層吸光光譜之最大吸收波長或吸收波峰波長 ，而藉由應用溶劑及調整光學特性輕易自該膜得到所需之 雷射光束波長（約6 5 0奈米）光學特性。

' 第一記錄層之膜厚較佳係10奈米至500奈米（100A 至5,000人），更佳係介於40奈米至80奈米（400A及 800A)之間。當第一記錄層之膜厚小於1〇奈米時’記錄 靈敏度會降低，而當膜厚超過500奈米時，反射性會降低 -44- 200835750 本發明單面雙層記錄媒體之第二記錄層的膜厚較佳係 介於40奈米至100奈米（ 400A至1，00〇Α)之間，更佳 係介於5 0奈米至8 0奈米之間。當第二記錄層的膜厚小於 40奈米時，無法得到良好抖動特性，而當膜厚超過1 〇0 奈米時，串話及抖動兩者皆會增加。引導凹軌區段中第二 記錄層的膜厚相對於引導凹軌間區段中第二記錄層的膜厚 之比例（記錄引導凹軌區段/記錄引導凹軌間區段）較佳 係介於80%至100%範圍內。 第一記錄層及第二記錄層可藉任何一般方式形成，諸 如蒸發、濺鍍、CVD (化學氣相沈積）或施加溶液。其可 藉下文描述之本發明製造光學記錄媒體的方法製得。 記錄層之吸光可藉由記錄層膜厚、記錄層中所含有機 染料之吸光特性等來調整。就本發明光學記錄媒體而言， 有機染料（通式（I )所示之方酸鑰金屬鉗合物化合物） 的最大吸收波長或吸收峰波長較佳係介於580奈米至630 奈米之間，如圖6所示。就記錄靈敏度及反射性之觀點而 言，記錄層有機染料之最大吸收波長或吸收峰波長較佳係 介於前述範圍內。 若需要，則第一記錄層及第二記錄層可另外含有一或 多種其他選自聚合物材料、安定劑、分散劑、阻燃劑、潤 滑劑、抗靜電劑、界面活性劑、塑化劑等之成份。 可使用於本發明之聚合物材料實例係包括離子鍵共聚 物樹脂、聚醯胺樹脂、乙烯基樹脂、天然聚合物、聚矽酮 、液體橡膠等。可混合並分散矽烷偶聯劑。可使用於本發 -45- 200835750 明之安定劑實例係包括過渡金屬錯合物。 第一及第一記錄層可藉任何一般方式形成，諸 、耀鍍、c V D (化學氣相沈積）或施加溶液。其可 描述之本發明製造光學記錄媒體的方法製得。 [基材] 基材僅在自基材側面記錄及/或再生資料時需 用之雷射光束呈透明。當自記錄層側面記錄及/或 料時，不需爲透明。根據本發明，具有580奈米至 米之記錄波長的光係自第一基材表面側面照射。因 有一基材（第一基材）需爲透明，而另一基材（第 )可透明或不透明。 對基材之材料無特別限制，適當之材料可視應 擇。可使用於基材之材料實例係包括塑料，諸如聚 、丙烯酸系樹脂、聚醯胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚 脂、酚樹脂、環氧樹脂及聚醯亞胺樹脂、玻璃、陶 屬。 基材一般爲碟狀，較佳軌距一般爲0.7微米至 米。在DVD容量應用中，軌距爲0.74微米。 第二基材之引導凹軌深度較佳係20奈米至60 200A至600A)。可抑制因爲第二基材中形成之引 所致之反射光減弱，簡易地達成來自第二記錄層之 性。 如蒸發 藉下文 對所使 再生資 720奈 此，僅 二基材 用來選 酯樹脂 烯烴樹 瓷及金 1.0微 奈米（ 導凹軌 高反射 -46- 200835750 [反射層] 反射層較佳係使用對雷射光束顯示高反射性之材料。 該等材料之實例係包括金屬及半金屬，諸如Mg、Se、γ 、丁i ' Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Μη、Re、Fe 、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd 、A1、Ca、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Si、SiC 等。 其中，Au、A1及Ag特佳，因其提供高反射性。任一此等 φ 材料皆可單獨使用或可二或多種組合使用。 反射層膜厚較佳一般係5奈米至300奈米（50A至 3,000A)。當其作爲第一記錄層之半透明層時，更佳係5 奈米至30奈米（50A至300A)，最佳係10奈米至15奈 米（100A 至 150A)。 當第一記錄層係爲用以再生之反射膜時或當第一記錄 層係爲含有機染料且進一步於其上形成反射層之記錄層時 ’較佳係調整膜厚，使得透光度等於40%或更高。 # 當反射層之膜厚小時，透光度幾乎不降低。因此，反 射層以使用薄膜較佳。尤其，當反射層係由含有Ag爲主 成份之材料形成時，較佳係添加少量Nd、Cu、Pd、In或 某些其他類似金屬來形成合金，以於前述範圍之膜厚下確 保所需之耐用性水準。該金屬通常較佳係添加約〇. 2質量 %至2質量％。 反射層（第二反射層）之膜厚無特別限制，可根據應 用選擇適當之膜厚，唯100奈米至300奈米（1，〇〇〇Α至 3,000A )之膜厚較佳。 -47- 200835750 [保護層] 形成於第二記錄層上之保護層亦提供障壁層之效果， 以保護記錄層隔離中間層。兩基材係使用黏著劑簡易地彼 此黏合，該黏著劑溶解中間層所使用之有機染料。 可有利地使用於保護層之材料實例包括顯示高透光度 之無機物質，諸如 SiO、Si〇2、Si-N、MgF2、Sn02、SnS 、ZnS及ZnS-Si02。其中，使用含ZnS爲主成份之材料 特佳，因爲該種材料結晶性低且顯示高折射率。 含有ZnS爲主成份之材料實例係包括ZnS-Si02及 ZnS-SiC、ZnS-Si、ZnS-Ge、ZnS-ZnO-GaN 及 ZnS-ZnO-In203-Ga203。就結晶性之觀點而言，含ZnS爲主成份之 任一前述材料中ZnS含量比較佳係介於60莫耳％至90莫 耳％之間。 對保護層膜厚無特別限制，可根據應用選擇適當之膜 厚，唯當使用顯示高折射率（n>2)材料時，較佳係選擇 接近反射波峰之膜厚，因爲反射性之波動峰係視膜厚而出 現。詳言之，膜厚5奈米至30奈米或80奈米至180奈米 有利於含ZnS之材料，因爲其他情況無法得到令人滿意之 反射性及充分之記錄信號調變（對比）程度。 圖4及5顯示本發明單面雙層光學記錄媒體之資料層 排列。圖4係爲本發明單面雙層記錄媒體之第一資料層示 意剖面圖，顯示其結構。參照圖4’第一資料層（第一染 料記錄層2 )中所形成之記錄標記形成區段4係排列於第 -48- 200835750 一基材1之基材凹軌6中之位置。若爲單面單層選擇性記 錄媒體，則記錄層如同前述單面雙層光學記錄媒體之第一 資料層，第一資料層藉黏著劑黏合於模型基材上。應注意 圖4中參考編號3、5及7個別表示第一反射層、中間層 及基材凹軌間區段。 圖5係爲本發明單面雙層記錄媒體之第二資料層示意 剖面圖’顯示其結構。在第二資料層12中形成之記錄標 φ 記形成區段14係排列於第二基材1 1之基材凹軌間區段 17中的位置。應注意圖5中參考編號13、15、16及18 個別表示第二反射層、透明中間層、基材凹軌及無機保護 層。 如圖4及5所示，第一基材1中形成之凹軌的型面與 第二基材11中形成之凹軌不同。例如，若爲4.7 gb及 〇·74微米軌距之DVD + R或DVD-R，則第一基材1中形成 之凹軌深度（底部寬度）較佳個別係150奈米至200奈米 φ ( l5 00^至2,000Α)及0·1微米至〇·35微米。此因當藉 旋塗法形成薄膜時，凹軌易充塡染料，使得第一記錄層2 及反射層3之介面的型面係由該凹軌充塡所施加之液體的 程度及第一基材1之凹軌型面來決定，前述範圍適合利用 介面反射時，如圖4所示。另一方面，第二記錄層12及 反射層13之介面型面係由第二基材11之凹軌型面決定， 因此前述範圍適合採用介面反射時，如圖5所示。 使用DVD之記錄/再生波長（約650奈米），第二 基材中形成之凹軌寬度（底部寬度）較佳係〇·1微米及 -49- 200835750 〇 ·35微米。當凹軌寬度小於0.1微米時，反射性易降低， 而當凹軌寬度超過0.35微米時，記錄標記之型面難以均 一且抖動易增加。 [基材表面硬塗層] 基材表面硬塗層係針對以下目的而形成：包括（1 ) 保護記錄層（反射/吸收層）防止刮痕、粉塵及髒污，（2 φ )改善記錄層（反射/吸收層）之儲存安定性及（3)改善 反射性。爲達到此等目的，底塗層所列之任一種無機材料 及有機材料皆亦可使用於硬塗層。 無機材料之適當實例係包括SiO及Si〇2。有機材料 之適當實例係包括聚丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、環 氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯基樹脂、纖維素 、脂族烴樹脂、芳族烴樹脂、天然橡膠、苯乙烯-丁二燦 樹脂、氯丁二燒橡膠、鱲、醇酸樹脂、乾燥油、熱軟化性 • 樹脂諸如松香、熱熔性樹脂及紫外線固化性樹脂。此等材 料中，紫外線固化性樹脂可於高產能下製得，最有利於使 用於基材表面硬塗層。 對基材表面硬塗層膜厚無特別限制，可根據應用選擇 適當之厚度，唯厚度較佳爲0 · 0 1至3 0微米，更佳係0 . 〇 5 至1 0微米。 [中間層] 對中間層材料無特別限制，只要其係可黏合第一薈料 -50、 200835750 層及第二資料層之透明材料，可根據應用選擇適當之材 。然而，可使用於中間層之較佳材料係包括丙烯酸酯型 環氧型及胺基甲酸酯型紫外線固化性或熱固型黏著劑及 熔型黏著劑。 對中間層膜厚無特別限制，可根據記錄/再生系統 光學條件選擇適當之膜厚，唯40微米至70微米之膜厚 利於DVD系統。 [底塗層] 本發明光學記錄媒體可包括底塗層作爲組份層。 底塗層係使用於以下目的：包括（1 )改善黏著性 (2 )提供對抗水及/或氣體之障壁，（3 )改善記錄層 儲存安定性，（4 )改善反射性，（5 )保護基材及記錄 對抗溶劑及（6 )形成引導凹軌、引導點及預置格式。 就前述目的（1 )而言，可使用各種聚合物材料諸 • 離子鍵共聚物樹脂、聚醯胺樹脂、乙烯基樹脂、天然樹 、天然聚合物、聚矽酮、液體橡膠等及矽烷偶聯劑中之 一種。就前述目的（2)及（3)而言，可使用各種無機 合物諸如 Si02、MgF2、SiO、Ti02、ZnO、TiN、SiN 及 屬與半金屬諸如 Zn、Cu、Ni、Cr、Ge、Se、Au、Ag A1中任一種。就前述目的（4)而言，可使用金屬諸如 及Ag及顯示金屬光澤之有機薄膜（諸如次甲基染料及 噸染料）中任一種。就前述目的（5)及（6)而言，可 用紫外線固化性樹脂、熱固性樹脂及熱塑性樹脂中任一 料 熱 之 有 之 層 如 脂 任 化 金 及 A1 咕 使 種 -51 - 200835750 對底塗層膜厚無特別限制，可根據應用選擇適當之膜 厚，唯膜厚較佳係0·01微米至30微米，更佳係0.05微 米至10微米。 就本發明之目的而言’底塗層、保護層、中間層及基 材表面硬塗層可如同記錄層般地另含有一或多種選自安定 劑、分散劑、阻燃劑、潤滑劑、抗靜電劑、界面活性劑、 φ 塑化劑等之其他成份。 現在於下文描述製造光學記錄媒體之典型方法。 [光學記錄媒體製造方法-實施例] 本發明製造單面雙層光學記錄媒體之方法至少包括形 成第一資料層之步驟、形成第二資料層之步驟及黏合步驟 。若需要，則可包括某些其他步驟或步驟等。 • <第一資料層形成步驟> 第一資料層形成步驟至少包括第一反射層形成步驟及 第一記錄層形成步驟。若需要，則可包括某些其他步驟或 步驟等。帶有第一記錄層之基材可藉類似製備習用 DVD + R及DVD-ROM之步驟製備。 -第一記錄層形成步驟- 第一記錄層形成步驟中，將含有機染料之第一記錄層 施加液體施加於第一基材上，該基材表面上形成至少一或 -52- 200835750 多個凹軌或一或多個坑點，乾燥以產生第一記錄層 染料較佳係含有通式（I)所示之方酸鑰金屬鉗合 物。 可用以施加第一記錄層施加液體之技術係包括 加、噴灑、輥塗、浸漬及旋塗法。此等技術中，期 旋塗法’因其可藉由調整第一記錄層液體之濃度及 溶劑乾燥溫度而用以控制第一記錄層之厚度。 • 應用可使用之有機溶劑無特別限制，可根據應 適當之溶劑。有機溶劑實例包括醇類，諸如甲醇、 異丙醇及2,2,3,3 —四氟丙醇，酮類，諸如丙酮、 基酮及環己酮，醯胺類，諸如N，N -二甲基甲醯胺 一二甲基乙醯胺，亞颯類，諸如二甲基亞颯，醚類 四氫呋喃、二噁烷、二乙醚及乙二醇單甲基醚，酯 如乙酸甲酯、乙酸乙酯，脂族經鹵化烴類，諸如氯 氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳及三氯乙烷，芳族化 ® 諸如苯、二甲苯、單氯苯及二氯苯，溶纖素，諸如 乙醇及乙氧基乙醇，烴類，諸如己烷、戊烷、環己 , 基環己烷。 較佳係對第一記錄層施以退火製程，以完全驅 於記錄層中之溶劑。退火溫度係爲6〇t至lOOt：。 -第一反射層形成步驟- 於第一反射層形成步驟中，藉薄膜形成方式於 錄層上形成反射層。可用以形成第一反射層之薄膜 。有機 物化合 旋轉施 望使用 黏度及 用選擇 乙醇、 甲基乙 及N，N ，諸如 類，諸 仿、二 合物， 甲氧基 烷及甲 除殘留 第一記 形成方 -53- 200835750 式係包括真空沈積、濺鍍、電漿CVD、光學CVD 電鍍及電子束蒸發，其中就大量生產及薄膜品質之 言，以濺鍍較佳。 <第二資料層形成步驟> 第二資料層形成步驟係至少包括第二反射層形 、第二記錄層形成步驟及保護層形成步驟。若需要 包括某些其他步驟或步驟等。帶有第二記錄層之基 類似製備習用DVD + R及DVD-ROM之步驟製備。 -第二反射層形成步驟- 第二反射層形成步驟中，藉薄膜形成方式於第 上形成反射層，該基材表面上形成至少一或多個凹 或多個坑點。 可用以形成第二反射層之薄膜形成方式係包括 積、濺鍍、電漿CVD、光學CVD、離子電鍍及電 發，其中就大量生產及薄膜品質之觀點而言，以潑 -第二記錄層形成步驟- 第二記錄層形成步驟中，將含有機染料[通式 示]之第二記錄層施加液體施加於反射層上，乾燥 第二記錄層。 可用以施加第二記錄層施加液體之技術如同胃 、離子 觀點而 成步驟 ，則可 材可藉 二基材 軌或一 真空沈 子束蒸 鍍較佳 (I)所 以產生 一記錄 -54- 200835750 層所列。 -保護層形成步驟- 於保護層形成步驟中，在第二記錄層上 可用以形成保護層之薄膜形成方式係包括真 、電漿CVD、光學CVD、離子電鍍及電子 就大量生產及薄膜品質之觀點而言，以濺鍍 <黏合步驟> 黏合步驟中，第一資料層及第二資料層 其間夾置中間層，使得第一記錄層及第二記 成保護層。 沈積、濺鍍 蒸發，其中 佳。 將黏著劑滴於第二資料層形成保護層之 資料層覆蓋第二資料層。同時，均勻展布黏 紫外線而固化。較佳係使用紫外線固化性黏 光顯示高透光度。 前述其他步驟包括底塗層形成步驟及硬 彼此黏合， 層位於內側 面上，第一 劑且藉照射 劑，因其對 層形成步驟 <光學記錄媒體之記錄及再生方法> 本發明光學記錄媒體之記錄及再生方法 錄媒體自第一基材表面側面照射具有5 80奈 波長之光，以至少於第一記錄層及第二記錄 料或自其再生信號資料。 括使光學記 至720奈米 記錄信號資 -55- 200835750 詳言之，在光學記錄媒體被驅動於預定線性速度或預 定角速度下旋轉之同時，記錄光’諸如半導體雷射（例如 具有650奈米之振動波長）經由物鏡自第一基材表面照至 光學記錄媒體。照光結果，第一記錄層及第二記錄層吸光 使溫度局部升高以產生坑點，因而改變光學特性，結果在 該處記錄資料。以前述方式記錄之資料可藉著在預定線性 速度下驅動記錄媒體之同時將雷射光照射於該光學記錄媒 φ 體上，並偵測所反射之光而再生。 <光學記錄設備> 本發明光學記錄設備適於裝置本發明光學記錄媒體， 具有經結構化以於該光學記錄媒體上記錄資料並自其再生 資料的單元。 雖然對本發明光學記錄設備無特別限制且可具有任何 適當之結構，但一般係具有用以發射雷射光束之雷射光束 # 來源（其可爲半導體雷射）、用以將來自雷射光束來源之 雷射光束會聚於裝置在該設備之心軸上的光學記錄媒體上 的聚光鏡、用以偵測自雷射光束來源發射之一部分雷射光 束的雷射光束偵測器及用以將來自雷射光束來源之雷射光 ' 束引導至聚光鏡及雷射光束偵測器上之光學元件。若需要 ，則可具有一或多個附加裝置。 光學記錄設備藉由光學元件將來自雷射光束來源之雷 射光束引導至聚光鏡且將資料記錄於該光學記錄媒體上。 同時，該光學記錄設備將來自雷射光束來源之一部分雷射 -56- 200835750 光束引導至雷射光束偵測器，根據該雷射光束偵測器所測 得之雷射光束量來控制自雷射光束來源發射之光量。 雷射光束偵測器將測得之雷射光束量轉換成電壓或電 流，並將其輸出作爲代表偵測量之信號。 前述其他裝置包括控制裝置。對控制裝置無特別限制 ，只要其可控制光學記錄設備之各種裝置的操作，可根據 應用選擇適當之控制裝置。可使用於本發明之控制裝置實 • 例係包括序列器及電腦。 因爲本發明光學記錄設備適於裝置提供良好之記錄信 號特性且抑制記錄標記之串話量的本發明光學記錄媒體， 故可在高反射性及高百分比調變下穩定地記錄信號。 [實施例] 現在藉實施例進一步描述本發明，唯本發明不受限於 實施例。 ® 以下實施例1至實施例6各用以合成本發明形成金屬 錯合物之方酸鑰化合物，而實施例7至實施例19、對照 . 例1及對照例2各用以評估光學記錄媒體。 (實施例1 ) 15.5克苄基丙酮及12.2克1 一甲基一 1 一苯基肼溶解 於3 0毫升丁醇中。於60 °C經1小時後，於溶液中添加 4.9克硫酸。於100 °C經4小時後，添加30毫升水且濾出 不溶物。所得固體於25毫升異丙醇及14.9克苄基溴中之 -57- 200835750 溶液於80 °C處理5小時。過濾所產生之固體後，將7毫 升甲苯及1 〇毫升1 0 %氫氧化鈉水溶液添加於所得固體中 ，將14毫升含有6.49克3-羥基—4— (5 —羥基—1 一苯 基一 3 —三氟甲基吡唑一 4一基）環丁烯一1，2—二酮之丁 醇溶液添加於有機層，於1 1 0 °C處理2 0小時。之後，過 濾沈積物得到9.90克化合物[1]。將12毫升甲苯、12毫 升乙醇、0.10克乙酸及0.66克參（乙基乙醯基乙酸）鋁 φ 添加於3.0克化合物[1 ]中且於8 0 °C反應3小時。因此， 藉由濾出不溶物得到1.10克化合物卜A1»NMR分析結果 顯示於下文。 NMR 5 ( CDCls ) ppm ： 3.00 ( 9H，s) ，3.06 - 3.26(6H，m) ，4.72-4.95 (6H，m) ，6.16(3H，m) 9 6.19 — 6.22( 6Η» m) ，6.27— 6.36 ( 6H，m) » 6.46 — 6.53 ( 3H，m) ，6 · 6 2 — 6 · 7 6 ( 9 H，m ) > 6.86 - 7.22 ( 27H，m) ，7·52 — 7.64 (6H，m) 〇 (實施例2) 依循實施例1之方法，不同處係以1一苄基一1-苯 基肼取代 1 一甲基—1 _苯基肼，以得到1 〇 · 6 6克化合物 ~ [4]。之後，亦依循實施例1方法，不同處係以化合物[4] 取代化合物[1]，以得到1.20克化合物4-A1。以下列出某 些NMR分析結果。 NMR δ ( CDCls) ppm ： 2.83 - 4.95 ( 2 1 H ^ m)， 5.63 — 7.97 ( 72H，m ) 〇 -58- 200835750 (實施例3 ) 將35毫升丁醇添加於1〇·4克苄基丙酮及11.1克對-甲苯肼鹽酸鹽中。於1 〇 〇 °C攪拌溶液4小時後’添加3 0 毫升水且濾出不溶物。將100克二甲基亞颯及9·90克第 三丁醇鉀添加於所得固體，於30°c處理30分鐘，之後添 加1 1 . 8甲基碘。攪拌1 .5小時後，添加3 N鹽酸水溶液， φ 濾出不溶物。之後，將80毫升異丙醇及8.27克苄基溴添 加於所得固體，於80°C處理8小時。反應後，添加80毫 升甲苯，濾出沈積物。之後，將9毫升甲苯及9毫升10 %氫氧化鈉水溶液添加於所得固體，將1 8毫升含有8 · 1 0 克3 -羥基一 4 一（5—羥基一 1 一苯基一 3 —三氟甲基吡唑 一 4 一基）環丁烯一 1，2 -二酮之丁醇溶液添加於有機層， 於1 10°C處理4小時。之後，過濾沈積物得到2.49克化合 物[6]。之後，依循實施例1之方法，不同處係以化合物 ® [6]取代化合物[1]，得到1.59克化合物6-Ai。以下列出某 些NMR分析結果。 !H NMR δ ( CDC13 ) ppm ： 2·29 - 2·45 ( 9H，m ) ’ 2.97—4.72 (21H，m)，5.75—6.59 (3H，m)，6.62 — 8.21 ( 54H，m ) 〇 (實施例4 ) 依循實施例1之方法，不同處係以1 一乙基一 1 -對 —甲苯基肼取代丨一甲基一 1一苯基肼，以得到9.85克化 -59- 200835750 合物[7 ]。之後，亦依循實施例1方法，不同處係以化合 物[7]取代化合物[1]，以得到2· 0 8克化合物7-A1。以下列 出某些NMR分析結果。 lU NMR 5 ( CDC13 ) ppm ： 0 · 3 7 — 0 · 6 7 ( 9 Η，m )， 2.32- 2.49 (9H，m) ，2·90— 2.68 ( 18H，m) ，5·45 — 8·43 ( 5 7H，m )。 (實施例5 ) 依循實施例4之方法，不同處係以3 —羥基一 4 一（ 3 _異丙基一 5 —羥基一 1—苯基吡唑一 4 一基）環丁烯一 1，2 一二酮取代3 -羥基一 4— (5 -羥基一 1 一苯基—3 —三氟 甲基吡唑一 4 -基）環丁烯—1，2 —二酮，以得到1 〇 . 8 9克 化合物[9]。之後，依循實施例4方法，不同處係以化合 物[9]取代化合物[1]，以得到2.08克化合物9-A1。以下列 出某些NMR分析結果。 !H NMR δ ( CDC13 ) ppm : 0.37 — 0·67 ( 9Η，m )， 2.32- 2.49 (9H，m) ，2,90— 4.68 ( 18H，m) ，5.45 — 7.6 9(51H，m) ，7.91-8.43 (6H，m)。 (實施例6) 依循實施例3之方法，不同處係以對-氯苯基肼取代 對-甲苯基肼鹽酸鹽，以得到4.19克化合物[10]。之後， 依循實施例1方法，不同處係以化合物[10]取代化合物[1] ，以得到3.39克化合物10-A1。以下列出某些NMR分析 -60- 200835750 結果。 ln NMR δ ( C D C13 ) ppm ： 2 · 9 0 ( 3 H，d ’ J = 1 3.6 H z ) ，3.01 ( 9H，s) ，3:14 ( 3H，d，J=13.6Hz ) ，4.72 ( 3H ，d，J = 13.6Hz ) ，4.77 ( 3H，d，J=13.6Hz ) ，6.00 - 6.02 ( 6H，m) ，6·27 ( 3H，s) ，6 · 2 7 - 6.2 9 ( 6 H，m ) ,6.39— 6.42 (3H’m) ，6·75— 6.79 (6H，m) ，6.96 - 7·16(27Η，m) ，7·55 - 7·57 (6H，m) 0 (實施例7) 製備直徑120毫米且厚度〇·57毫米之第二基材’其 係由聚碳酸酯樹脂製得，具有深度3 3奈米、凹軌寬度（ 底部寬度）〇·25微米且軌距0.74微米之引導凹軌波紋圖 案。藉濺鍍於第二基材上形成厚度約14〇奈米之Agin ( Ag/1n = 9 9.5/0.5 )第二反射層，使用Ar氣體作爲濺鍍氣體 〇 φ 藉旋塗法於Agin反射層表面上施以施加液體’形成 厚度約8 0奈米之第二記錄層，該施加液體係藉著將表2 中化合物編號12-A1所示之方酸鐵金屬鈕合物化合物溶解 於2,2,3,3 —四氟丙醇中而製得。 '之後，藉濺鍍於第二記錄層上形成厚度1 5奈米之 ZnS-SiC (莫耳比：ZnS/SiC = 8/2 )保護層，使用 Ar氣體 作爲濺鍍氣體。結果，製備第二資料層。 同時’於具有120毫米直徑及0.57毫米厚度且由聚 碳酸酯樹脂製得之第一基材的表面上形成DVD-ROM資料 -61 - 200835750 坑點。之後，於第一基材上形成厚度10奈米之Agin (約 99.5/0.5 )反射層。結果，製備第一資料層。 第一資料層及第二資料層藉紫外線固化型黏著劑（ KAYARAD DVD5 76 :商品名，Nippon Kayaku Co·，Ltd·戶斤 售）彼此黏合，以製得具有圖2所示之層排列的雙層型光 學記錄媒體。 DVD ( 8-16)信號係於波長·· 659奈米，NA : 0.65且 線性速度：45.96米/秒（12倍快）之條件下記錄於所得 光學記錄媒體之第二記錄層上，信號再生係於波長：650 奈米，NA : 0.60及線性速度：3.83米/秒之DVD-ROM重 播條件下評估，得到包括記錄後反射性（II4H) : 24%， 百分比調變（I14/I14H ) : 63 %，抖動：8.4% 及 PIsum8 (PI誤差）：50或更低之結果，符合DVD + R標準之要求 。所使用之記錄評估設備係爲 ODU 1 000 (商品名， Palstec所售）。光學記錄媒體藉50,000勒克斯氙燈自記 錄/再生側面照光100小時，之後觀察PlsiimS，發現 PIsum8係爲50或更低，證明光學記錄媒體具有優異之耐 光性。下表4列出所得結果。 (實施例8) 依如同實施例7之方式，於直徑120毫米且厚度0.57 毫米，由聚碳酸酯樹脂製得，具有深度33奈米、凹軌寬 度（底部寬度）0.25微米且軌距0.74微米之引導凹軌波 紋圖案之第二基材上形成第二資料層。 -62- 200835750 同時，製備直徑120毫米且厚度0.58毫米，由聚碳 酸酯樹脂製得，具有深度160奈米、凹軌寬度（底部寬度 )0.25微米且軌距0.74微米之引導凹軌波紋圖案之第一 基材。混合表2中化合物編號12-A1所示之方酸鐵金屬鉗 合物化合物及以下結構式（3 )所示甲踏金屬鉗合物化合 物至質量比（方酸鍚金屬鉗合物化合物/甲踏金屬鉗合物 化合物）=7/3且溶解於2,2,3,3 -四氟丙醇，以製備施加 • 液體。之後，藉旋塗法將施加液體施加於第一基材，以形 成厚度50奈米之第一記錄層。甲蹓金屬鉗合物化合物係 用於混合物作爲耐光輔劑。

之後，藉濺鍍於第一記錄層上形成10奈米厚Agin ( 9 9.5/0.5 )反射層，使用Ar作爲濺鍍氣體。結果，製備第 一資料層。 之後’第一資料層及第二資料層藉紫外線固化型黏著 劑（KAYARAD DVD576:商品名，Nippon Kayaku Co·， Ltd·所售）彼此黏合，以製得具有圖3所示之層排列的雙 -63- 200835750 層型光學記錄媒體。 _所得光學記錄媒體之第一記錄層及第二記錄層係如實 施例7般評估。第一記錄層及第二記錄層兩者皆產生符合 DVD + R標準要求之結果。 <第一記錄層> 記錄後反射性（Π4Η ) : 18 % ，百分比調變（ I14/I14H) : 65%，抖動：7.8% 及 PIsum8: 50 或更低。 <第二記錄層> 記錄後反射性（114H ) : 17 % ，百分比調變（ I14/I14H) :62%，抖動：8·5% 及 PIsum8 : 50 或更低。 光學記錄媒體藉50,000勒克斯氙燈自記錄/再生側 面照光1〇〇小時，之後觀察PIsum8，發現第一記錄層之 PIsum8係爲1〇〇或更低，第二記錄層之Pisum8係爲50 或更低。下表4列出所得結果。 (實施例9) 依循實施例8方法，不同處係以表2中化合物編號 1 3-A1取代第二記錄層中方酸鑰金屬鉗合物化合物，製備 光學記錄媒體。 所得光學記錄媒體係如實施例8中般評估。結果，確 定光學記錄媒體具有符合DVD + R標準要求之信號特性及 優異之耐光性。下表4槪略列示所得結果。 -64- 200835750 (實施例1 〇) 依循實施例8方法，不同處係以表1中化合物編號 7-A1及表2中化合物編號13-A1於質量比（Νο.7-Α1/Νο· 13- Α1) =7/3之混合物取代第二記錄層中方酸鎗金屬鉗合 物化合物，製備光學記錄媒體。 所得光學記錄媒體係如實施例8中般評估。結果，確 Φ 定光學記錄媒體具有符合DVD + R標準要求之信號特性及 優異之耐光性。下表4槪略列示所得結果。 (實施例1 1 ) 依循實施例1 〇方法，不同處係以表2中化合物編號 14- Α1及化合物編號12-Α1於質量比（ν〇.14-Α1/Νο. 12-Α1 )=6/4之混合物取代第二記錄層中方酸鑰金屬鉗合物化 合物，製備光學記錄媒體。 ® 所得光學記錄媒體係如實施例1 0中般評估。結果， 確定光學記錄媒體具有符合DVD + R標準要求之信號特性 及優異之耐光性。下表4槪略列示所得結果。 (實施例1 2 ) 依循實施例1 〇方法，不同處係以表1中化合物編號 3 - Α1所示之方酸鑰金屬鉗合物化合物及以下結構式（4) 所示之花青染料於重量比（方酸鑰金屬鉗合物化合物/花 青染料）=6/4之混合物取代第二記錄層中方酸鑰金屬鉗 -65- 200835750 合物化合物。花青染料係於混合物中作爲吸光調節劑。

(前式中，R個別表示CH3或苄基且至少兩R係爲苄基） 〇 所得光學記錄媒體係如實施例1 〇中般評估。結果， 確定光學記錄媒體具有符合DVD + R標準要求之信號特性 及優異之耐光性。下表4槪略列示所得結果。 (實施例1 3至1 7 ) 此等實施例中，依循實施例12之方法，不同處爲第 二記錄層中之方酸鑰金屬鉗合物化合物個別爲表1中化合 物編號1-A1、化合物編號2-A1、化合物編號4-A1、化合 物編號5-A1、及表3中化合物編號19-A1所取代，以製備 光學記錄媒體。 所得光學記錄媒體係如實施例1 2中般評估。結果， 確定光學記錄媒體具有符合DVD + R標準要求之信號特性 及優異之耐光性。下表4槪略列示所得結果。 (對照例1 ) 依循實施例14之方法，不同處係第二記錄層中方酸 -66- 200835750 鑰金屬鉗合物化合物係由以下結構式（5 )所示之方酸鑰 化合物（非金屬鉗合物化合物）所取代，以製備光學記錄 媒體。 /Ph Ph CH2 CH2

所得光學gB錄媒體係如實施例1 4中般評估。結果， 確疋光學記錄媒體具有未符合DVD + R標準要求之抖動特 性。下表4槪略列示所得結果。 (對照例2 ) 依循實施例14之方法，不同處係第二記錄層中方酸 鎗金屬鉗合物化合物係由以下結構式（6 )所示之A1鉗合 • 物化合物所取代，以製備光學記錄媒體。

所得光學記錄媒體係如實施例1 4中般評估。結果， 確疋光學gS錄媒體具有未符合DVD + R標準要求之抖動特 性。下表4槪略列示所得結果。 -67- 200835750 表4

實施例 對照例 方酸鐵金屬 鉗雜化合物 I14H I14/I14H 抖動 PIsum8 (%) (%) (%) 起始 曝光後 實施例7 N0.12-A1 第二記錄層 23 63 8.4 50或更低 50或更低 實施例8 N0.12-A1 第一記錄層 18 65 7.8 50或更低 1〇〇或更低 實施例8 N0.12-A1 第二記錄層 17 62 8.5 實施例9 N0.13-A1 第二記錄層 18 63 7.9 50或更低 50或更低 實施例10 No.7-Al/ N0.13-A1 第二記錄層 20 64 8.0 50或更低 50或更低 實施例11 No. 14-Ay N0.12-A1 第二記錄層 19 62 8.7 50或更低 50或更低 實施例12 N0.3-A1 第二記錄層 22 62 8.4 50或更低 50或更低 實施例13 No.l-Al 第二記錄層 21 60 8.5 50或更低 50或更低 實施例14 No.2-Al 第二記錄層 23 62 8.8 50或更低 50或更低 實施例15 No.4-Al 第二記錄層 21 62 7.9 50或更低 50或更低 實施例16 No.5-Al 第二記錄層 17 61 8.5 50或更低 50或更低 實施例Π N0.19-A1 第二記錄層 22 64 8.4 50或更低 50或更低 對照例1 V 第二記錄層 20 60 11.5 300或更高 _ 對照例2 VI-A1 第二記錄層 16 65 11.1 300或更高 DVD+R標準値 16或更高 60或更高 9或更低 280或更低 280或更低

-68- 200835750 (實施例1 8 ) DVD (8-16)信號係於波長：659奈米，ΝΑ: 0.65且 線性速度：6 1.2 8米/秒（1 6倍快）之條件下記錄於實施 例13所得光學記錄媒體上，信號再生係於波長：650奈 米，ΝΑ: 0.60及線性速度：3.83米/秒之DVD-ROM重播 條件下評估，以評估抖動之記錄功率依賴性。結果，確定 光學記錄媒體具有符合DVD + R標準要求之抖動特性。圖 φ 7簡略顯示所得結果。 (實施例1 9 ) 製備直徑120毫米且厚度0.60毫米之第一基材，其 係由聚碳酸酯樹脂製得，具有深度160奈米、凹軌寬度（ 底部寬度）0.25微米且軌距0.74微米之引導凹軌波紋圖 案。表1中化合物編號卜A1所示之方酸鑰金屬鉗合物化 合物、以下結構式（3)所示之甲贈金屬鉗合物化合物及 • 以下結構式（〇所示之花青染料係於第一基材上混合成 質量比（方酸鐵金屬鉗合物化合物/甲腰金屬鉗合物化合 物/花青染料）=5/2/3且藉旋塗法施加溶解2,2,3,3-四氟 丙醇之施加液體，形成厚度約45奈米之第一記錄層。 - 69- 200835750

(前式（4 )中，R個別表示CH3或苄基且至少兩 苄基）。 之後，藉濺鍍於第一基材上形成厚度約1〇〇 AgIn(Ag/In = 9 9.5/0.5)反射層，使用Ar氣體作爲 體。 之後，前述第一資料層藉紫外線固化型黏 KAYARAD DVD576 :商品名，Nippon Kayaku Co·， 售）黏合於具有相同型面之聚碳酸酯模型基材上’ 單面單層型光學記錄媒體。 DVD (8-16)信號係於波長：659奈米’ NA: 線性速度：6 2 · 8 2米/秒（1 8倍快）之條件下記錄 光學記錄媒體上，信號再生係於波長：650奈米 R係爲 奈米之 濺鍍氣 著劑（ Ltd.所 以製得 0.65 且 於所得 ，NA : -70- 200835750 0.60及線性速度：3.49米/秒之DVD-ROM重播條件下評 估，以評估抖動之記錄功率依賴性。結果，確定光學記錄 媒體具有符合DVD + R標準要求之信號特性。圖8簡略顯 示所得結果。 因此，由前述評估結果可發現本發明光學記錄媒體提 供優異之記錄信號特性且可適當地使用於可記錄DVD系 統。尤其，可在DVD + R及DVD-R發現廣泛應用。 【圖式簡單說明】 圖1係爲習用光學記錄媒體之示意剖面圖，顯示其層 排列。 圖2係爲本發明光學記錄媒體之第一具體實施態樣的 示意剖面圖，顯示其層排列。 圖3係爲本發明光學記錄媒體之第二具體實施態樣的 示意剖面圖，顯示其層排列。 φ 圖4係爲本發明單面雙層記錄媒體之第一資料層的示 意剖面圖，顯示其結構。 圖5係爲本發明單面雙層記錄媒體之第二資料層的示 意剖面圖，顯示其結構。 •圖6係爲說明待使用於記錄層之染料所需之吸收光譜 與記錄及再生波長之間的關係之圖。 圖7係爲說明實施例1 7之信號評估結果（在1 6x記 錄下抖動之記錄功率依賴性）的圖。 圖8係爲說明實施例1 8之信號評估結果（在1 8x記 -71 - 200835750 錄下抖動

【主要元 201 ： 202 ： 20 5 ： 206 : 207 ： 208 ： 209 ： 210 ： :記錄功率依賴性）的圖。 =符號說明】 第一基材 第二基材 中間層 保護層 第二記錄層 第二反射層 第一記錄層 第一反射層

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Claims (1)

1. 200835750 十、申請專利範圍 1 種形成金屬錯合物之方酸鑰化合物，其中方酸 鐵化合物係由以下通式（I )表示：

   其中R1及R2係彼此相同或相異且…及R2各係表示 經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之芳烷基、 經取代或未經取代之芳基或經取代或未經取代之雜環基； Q係表示具有配位能力之金屬原子；q係表示2或3 ; R3 係表示經取代或未經取代之芳烷基或經取代或未經取代之 芳基；R4係表示經取代或未經取代之烷基、經取代或未經 參取代之芳焼基或經取代或未經取代之芳基；r5係表示氨原 子、經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之芳烷 .基或經取代或未經取代之芳基；R6係表示鹵原子、經取代 或未經取代之烷基、經取代或未經取代之芳烷基、經取代 或未經取代之芳基、硝基、氰基或經取代或未經取代之烷 氧基；P係表示0至4範圍之任何整數；且R6係彼此相同 2相異，且g P爲2、3或4時，任兩個相鄰位置之R6係 視情況與兩個相鄰碳原子一起形成經取代或未經取代之芳 -73- 200835750 2 ·如申請專利範圍第1項之方酸鍚化合物，其中q 係爲鋁。 3 ·如申請專利範圍第1項之方酸鍚化合物，其中Rl 係爲苯基且R2係爲經鹵素取代或未經取代之烷基。 4·如申請專利範圍第3項之方酸鑰化合物，其中R2 係爲三氟甲基。 5 ·如申請專利範圍第3項之方酸鑰化合物，其中R2 φ 係爲具有分支鏈之烷基。 6·如申請專利範圍第5項之方酸鐵化合物，其中R2 係爲異丙基。 7·如申請專利範圍第丨項之方酸鑰化合物，其中R3 及R4係相同或相異且R3及R4各爲經取代或未經取代之 苄基或經取代或未經取代之苯基。 8 ·如申請專利範圍第7項之方酸鐵化合物，其中R3 及R4各爲苄基。 • 9·如申請專利範圍第7項之方酸鍚化合物，其中R3 係爲本基且R4係爲节基。 1 〇·如申請專利範圍第1項之方酸鑰化合物，其中R5 係爲苄基或乙基。 11· 一種光學記錄媒體，其包含： 基材；及 配置於該基材上之記錄層，其中該記錄層係包含至少 一種如申請專利範圍第1項所定義之形成金屬錯合物的方 酸鑰化合物。 -74- 200835750 ^ 12 ·如申請專利範圍第11項之光學記錄媒體，其中 Μ紀錄層;^包含形成金屬錯合物之方酸鑰化合物，其中該 方酸鑰化合物係由以下通式（η)表示：

   其中R1及R2係彼此相同或相異且Rl及R2各係表示 經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之芳烷基、 經取代或未經取代之芳基或經取代或未經取代之雜環基； Q係表示具有配位能力之金屬原子；q係表示2或3; r7 係表示經取代或未經取代之烷基，或兩以視情況彼此鍵 結以形成脂環族烴環或雜環性環；R5係表示氫原子、經取 代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之芳烷基或經取 代或未經取代之方基；R6係表示鹵原子、經取代或未經取 代之烷基、經取代或未經取代之芳烷基、經取代或未經取 代之芳基、硝基、氰基或經取代或未經取代之烷氧基；p 係表示0至4範圍之任何整數；且R6係彼此相同或相異 ，且當P爲2、3或4時，任兩個相鄰位置之R6係視情況 與兩個枏鄰碳原子一起形成經取代或未經取代之芳族環。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之光學記錄媒體，其中 該記錄層另包含自金屬金屬錯合物及以下通式（ΙΠ)或（ IV )所示之甲臍化合物所形成之甲臍金屬鉗合物： -75- (III) 200835750 !v A 、:Z、" Τ·Η ΓΒ ^ N\\} ? A :中:環係表示經取代或未經取代之含氮原子 ;環，Z係表示形成A環之原子群組，其中該含氮雜； 性環係視情況與某些其他. "孩 取代之院基、㈣代ιΓ f系表7^經取代或未經 取代或未經取代之芳基、經取代或未物％ 代之烷基羰基、_取e t 一 t取 I取代或未經取代之芳基羰基、 未經取代之烯基、怦取仔1γ 代或 代或未經取代之雜環性環殘基或經 取代或未經取代，户g ^ 取代之院-幾基…係表示經取代或未經取 _兀土、經取代或未經取代之烯基或經取代或未經取代 之芳基， C β\γ Ιβ^ίny V，v‘」 Ai C I 八2 N-N \ j ✓ (IV) 一其中B環及c環係彼此相同或相異且B環及c環各 表不經取代或未經取代之含氮原子5員或6員環；Ζι及 Z2個別表不形成B環及c環之原子群組，而含氮之雜環 性環各視情況與某些其他環稠合；Αι及Μ各表示經取代 或未I取代之烷基、經取代或未經取代之芳基、經取代或 未經取代之烷基羰基、經取代或未經取代之芳基羰基、經 取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之雜環性環殘 基或經取代或未經取代之烷氧羰基；且&及h各表示經 -76 - 200835750 取代或未經取代之伸烷基、經取代或未經取代之伸烯基或 糸工取代或未經取代之伸芳基；W係表示-CH2-或-so2-;且 11係表7κ 0或1之整數。 1 4 ·如申請專利範圍第1 1項之光學記錄媒體，其中 錄層另包含由以下結構式（4)所示之花青染料：

   其中R各表示-CH3或苄基且至少兩個R係爲苄基。 15· —種光學記錄媒體之記錄及再生方法，其包含： 以具有5 80奈米至720奈米之記錄波長的光自光學記 錄媒體之基材側照射如申請專利範圍第1 1項所定義之光 學記錄媒體，以進行信號資料之記錄或再生。 16. —種光學記錄設備，其包含： 如申請專利範圍第1 1項所定義之光學記錄媒體；及 記錄及再生單元，其經組構以發射來自光源之光，而 於該光學記錄媒體上進行記錄資料’或自該光學記錄媒體 再生資料。 -77-