TW200832719A - Array substrae, display device, and method for manufacturing the array substrate - Google Patents

Description

200832719 導 九、發明說明： 擧 【發明所屬之技術領域】 本發明，係關於形成了複數層之薄膜圖樣之陣列基 板、顯示裝置及其製造方法。例如，可適當利用於液晶顯 不裝置者。 【先前技術】 近年來’液晶顯示裝置為薄型、輕量、低消費電力， 係作為代表性的顯示裝置來使用。作為削減液晶顯示裝置 之製造成本的方法’在形成了薄膜電晶體（以下稱為TFT) 之陣列基板的製程中，削減照相製版製程是有效的。因此， 在1次的照相製版製程中，有藉由不曝光之光阻膜厚的領 域、與完全曝光來將光阻除去的領域、以及不將光阻完全 曝光之中等的曝光量，來形成_等光阻膜厚領域之灰階（以 下稱為GT)曝光；或是稱為網點（以下稱為Ητ)曝光之方 法⑻曝光係藉由在光罩上配置在曝光裝置解析度界限以 下之細薄膜圖樣，來賦予中等的曝光量。ΗΤ曝光係在光罩 上形成f透過膜來賦予中等的曝光量。特別是，如專利文 獻1所記载’藉由對於it道㈣型TFT㈣道部分進行π 曝光或是ίίτ曝光’將照相製版製程削減的方法實用化。 又’如專利文獻2所記載，★右尤7 Α 1 ..,# 戰也有在1次的照相製版製 私中，猎由在第1曝光t追加中 + 延加中專曝先量的第2曝光之2 白“先，來得到中等光阻膜厚的領域。在專利文獻2卜 '及極電極為由上層含有A1之 θ胰所形成，為抑制IT0等 6 7〇42-9229-PF/Ahddub 200832719 喔 導電性氧化膜所形成之晝素電極與汲極電極之接觸電阻， 在對應接觸孔部之除去了汲極電極上層之A 1之領域上，開 示使用2階段曝光或是HT曝光。 【專利文獻1】特開2000-66240號公報（第25〜第3〇 圖） 【專利文獻2】特開2006-41 1 61號公報（第4圖） 【發明内容】 【發明所欲解決之課題】 在照相製版製程中，進行不將光阻完全曝光之中等的 曝光之情況，容易受到光罩的精度（透過率的差異）、曝光 裝置的照度分布、光阻塗布的光阻膜厚分布、顯影的差異 等影響，中等的光阻膜厚有容易有差異的問題。但是，如 專利文獻1，若只適用於TFT的通道部分，由於是由】種 類的薄膜圖樣具有相同的膜構成，因此中等的膜厚差显並 不構成什麼問題。然而，除了在專利文獻2所示沒極電極 T接觸部分，在與具有其他各種薄膜圖樣的配線、端子或 =電極等之接觸部分，若也以同—照相製版製程來進行中 專之曝光的情況，形成於基板之各種薄膜圖樣，會由於下 層的膜構成不同而造成從基板到其的 光阻膜厚不會均―，在昭相势版德μ + /、、，Ή果 變的更大… 中等光阻膜後的差異 =更大。其結果，有在中等光阻膜厚薄的領域，在之後 、蝕刻製程中連必要的薄膜圖樣 Μ俅石丨嘀失，相反的，在 先阻膜厚厚的領域，在之後的f 扪U中，不必要的薄膜圖樣 7 7〇42-9229-PF/Ahddub 200832719 作為殘膜留下的問題。 钃 β本發明’係$ 了解決如上述的問題點而作成，特別是， 以提供.在形成複數種類之薄膜圖樣的領域上，以同一昭 相製版製程進行中蓉的膜止 ’、、、 4 〇曝先的情況蚪，使照相製版後的中 、阻膜厚之差異小，形成中等光阻膜厚，擴大加工製程 之餘裕來提高良率之低成本的陣列基板、顯 造方法為目的。 夏汉/、襄 【用以解決課題之手段】 ’纟發明之陣列基板’係藉由不將光阻完全曝光之中等 =先量’：包括中等光阻膜厚形成加工之複數種類的薄 乎相同來構成。 -基板到其之高度為幾 本發明之陣列基板之製造方法，係 膜圖樣之製程，包含：形成絲之 、之4 全曝光之中等的曝光量來开由冑由不將光阻完 里；形成加工中等膜厚之製程、以及 • 在此複數種類的薄膜圖樣之 F r續成乎全領域上此 種類的薄膜圖樣高度成為幾乎 干相冋束形成薄膜圖樣的製 程0 【發明效果】 根據本發明，由於在Φ莖土 在中專先阻膜厚形成加工之複數種 類的領域中可使光阻膜厚幾半 ^ ,r 成子均一，而可謀求照片製版後 .1〜“化擴大之後的製程餘裕，提升良 率，而可得到低成本之陣列基板、 ”、員不裝置及其製造方法。 7042-9229-PF;Ahddub 8 200832719 【實施方式】 以下，以液晶顯示裝置之陣列基板為例，根據圖式來 說明本發明之實施形態。又，在為說明以下實施形態之全 圖式中，相同符號係表示相同或是相當部份，原則上省略 重複的說明。 實施形態1 第1圖係表示在實施形態1中之液晶顯示裝置之陣列 基板之平面圖。第2圖係表示第1圖之晝素平面圖。第3 圖係第2圖之A— A剖面線之剖面圖。第4圖係表示將第i 圖之源極端子擴大的部分之平面圖。第5圖係第4圖之 剖面線之剖面圖。第6圖係表示將第j圖之共通配線變換 部擴大的部分之平面圖。第7圖係第6圖之c— c剖面線之 剖面圖。 在第1圖，構成液晶顯示裝置之主要一部分之陣列基 板100，係由在玻璃等基板丨上以矩陣狀配列之複數的晝 素40所形成之顯示部5〇，在顯示部5〇之周邊部分，形成 著閘極端子60、源極端子62以及共通連接端子64。又， 構成旦素40之保持容量之共通配線3，係透過共通配線變 奐P44藉由共通連接配線46來拉出，而連接至共通連 接端子6 4。 人陣列基板100，雖然圖式上沒有顯示，係與對向基板 、：在此之中封入液晶，藉由對於液晶施加電壓來進行 表示。又，雖铁麗« 、、、固式 >又有顯示，但在陣列基板〗〇〇以及對 向基板上，貼附了# 光板’在陣列基板10 0之背面上配置 7 042 -92 2 9-PF/Ahddub 9 200832719 背光而成為液晶顯示裝置。 接著’在弟2圖、第3圖中’畫素40係由閘極配線2、 共通配線3、源極配線6、TFT、晝素電極Π等來構成。第 1導電膜之由Ab Mo、Cr、Ti、Ta、Mo、W等形成之閘極 配線2與共通配線3，係空著間隔而平行形成。在此上層 全面形成由SiN膜、Si〇2膜等形成之閘極絕緣膜4。源極 配線6形成在與閘極配線2垂直的方向，在其交又點附近 形成著構成TFT的半導體膜5。半導體膜5，録成為通道 之半導體膜5a上層積摻雜了不純物之半導體膜5b之多層 膜。在此’源極配線6之下層，半導體膜5也連續沿著源 極配線6的形狀而配置，作並非一 1一卫非疋要配置於源極配線e 源極電極7係由源極配線6在閘極配線2上往閘極配 線2的方向延伸，而與半導體膜5重疊。同樣的，没極電 極8係與半導體膜5部份重聂 $ $而在與閘極配線2垂直之方

向延伸。源極配線6、源極電極7、 cm Mo、w等構成之二：及及極電極8’係由 咕 構成之下層膜6a、7a、8a與由A1 專金屬膜所構成之上層膜6b 2導電膜。 ？b、8b之多層膜來構成之第 TFT通道之半 而僅為半導體 在源極電極7與沒極雷搞q 电極8之間，成為 導體膜5’係除去了有掺雜之半導體膜5卜 5a 〇 第2圖之點點所表示的 7員或Η1係除去了汲極電極 上層膜8b，而露出了下層膜s 9膜8a。層間絕緣膜9係如包覆晝 7042-9229-PF；Ahddub 200832719 素40之全體來形成，接觸孔ι〇係與汲極電極8 重疊形成。 領域H1 由ΙΤ0等透明的導電性氧化膜所形成之書 ^ 旦厅、电極1 1， 係透過接觸孔1 〇來與沒極電極8之下層膜8 、 接觸。_船 而言，由於導電性氧化膜之IT〇與容易氧化 又 接觸電 阻咼’所以為抑制接觸電阻而除去位於接觸孔10附斤 層膜8 b。在此，使接觸孔10與除去 上 層膜8b之領域H1 為位置有點移開的形狀。 又，共通配線3與晝素電極u重疊之保持容量領域 CS，係構成保持液晶施加電壓之保持容量。 在此，第2圖中以斜線所示領域，係在形成由第2導 電膜所形成之源極配線6、源極電極7、以錢極電極 之照相製版製程中，不曝光之光阻被形成加工之薄膜圖 樣。以點點所示之領域ίΠ，係藉由不將光阻完全曝光之： 等的曝光量，來形成加工中等光阻膜厚之薄膜圖樣。然後， 在此領域H1的下層幾乎全體上，形成著與間極配線2以及 共通配線3相同層之由第1莫雷 弟 V電膜所形成之薄膜圖樣1 2。 接著’對於第1圖之源極端子 卜 一 口 μ鲕于62坪細說明。如第4圖、 弟5圖所示、源極端早& 9，/备&、κ , 系/、源極配線6、源極電極γ 以及没極電極8等相同層之第？邋 U禮冬弟2導電層所形成之源極端子 膜1 3所構成。源極端+膜q 、 位每于膜13係由Cr、Ti、Ta、Mo、W等 所形成之下層膜13a盘A1算令屬 A1寺金屬膜所形成之上層膜13b之 多層膜來構成。 然後，為提升源極端子62之耐腐姓性，以同於晝素電 7042-9229-PF；Ahddub 11 200832719 極u之m等之導電絲化膜所形成之表 包覆端早本；» . 細于膜16來 匕覆知子表面。在此’透過設置在層間絕緣 14，在险本7、店^：山 、之接觸孔 在除去了源極端子膜〗3之上層 層膜13a連接。 之項域H2與下 源極端子膜13係以同於源極配線6、源極 ” 及沒極電極8等之製程來形成。在第4圖之斜線所一以 係在形絲極端子膜13之照相製版m由沒有m =广工之薄膜圖樣。以點點所示之領域H2，： 不將Μ完全曝光之中等曝光量’來形成加工中等光阻膜 厚之薄膜圖樣。在領域H2，除去了源極端子臈Μ之上声 膜13b。在領域H2之下層，使其與領域m之高产相同曰 形成著由與閑極配線2及共通配線3相同層之第： 所形成之薄膜圖樣15。 、 々接著’對於第i圖之共通配線變換部44來說明。如第 6、第7圖所示’構成晝素4〇之保存容量領域cs之共通配 線3,係在顯示部5G的外側，透過共通配線變換部 連接到與共通配線3垂直之共通連接配線Μ。然後，在共 通連接配線46之-方的端部上形成共通連接端子64。共 通連配線46係由卜下卜^肋^等形成之下層膜 46a與A1等金屬膜所形成之上層膜働之多層膜來構成之 第2導電膜來形成。共通連接端子64係與源極端子62具 有相同層構造。 ^ 在此，共通配線3與共連接配線4 6，係透過接觸孔18、 19,藉由與畫素電極U相同之ϊτ〇等導電性氧化膜來形成 7042-9229-PF；Ahddub 12 200832719 之連接膜17而連接。接觸孔18係除去了閘極絕緣膜4與 層間絕緣膜9而與共通配線3接觸的部分，接觸孔19係除 去了層間絕緣膜9而與共通連接配線46連接之部分。

在此，共通連接配線46 ’係與源極配線6、源極電極 7、汲極電極8以及源極端子膜13等在相同製程來形成。 在第6圖中斜線所示領域，係在形成共通連接配線46之照 相製版製程中，不曝光之光阻被形成加工之薄膜圖樣。以 點點所示之領域H3，係中等光阻膜厚形成加工之薄膜圖 樣。在領域H3,除去了共通連接配線46之上層膜46b，在 領域H3之下層，共通配線3係與共通連接配線46重疊形 成。在此共通連接配線46以及共通配線變換部料之下層 上，配置共通配線3的構成，係為了使共通連接配線㈣ 電阻化，而為以往也有實施的構成。 此結果’在中間光阻膜厚形成加工之領域m、H2以及 U3之下層之幾乎全領域上、形 ^ ❿風者由弟1導電膜所形成之 薄膜圖樣12、15以及共通配線3，因 口此由弟2導電膜所形 成^及極電極8、源極端子膜13、以及共通連接配線心之 從基板1到此之高度幾乎為相同。 又’關於第1圖之閘極端子6G，也可㈣極配線2變 ^為由第2導電膜所形成之閘極端子膜而與間極端子⑽連 在閘極端子6G之下層上形成由第！導電膜所形成 之薄膜圖樣’而可使其為與源極端子62相同層構成。 接著，說明對於使中等光阻膜 .^ ^ ^ ^ 胰与形成加工之複數種類 4膜圖樣之從基㈣其之高度幾乎㈣之效果。第8圖. 7042-9229-PF;Ahddub 13 200832719 係表示將複數種類的薄膜圖樣彡 口像形成中#光阻膜厚加工之製 程之剖面圖。 苐8圖（a)係知相製版製程之《 衣枉之曝先製程。在形成於基板 1上之薄膜22中，假設中等光 丨被形成加工之領域有Ha、

Hb、He、Hd。在領域Ha與領域夕 域Hb之下層上，為使薄膜22 從基板1到其之高度幾乎相同， 而為由相同膜厚之薄膜圖 樣20a、20b來形成。另一方 社項域He之下層，形成 著較薄膜圖樣20a、20b之膜屋、萝声从兮时 膘；遇厚的薄膜圖樣20c。然後， 在領域Hd之下層’沒有形成如此之薄膜圖樣。 在此上層全面形成著絕緣膜21與將中間光阻膜厚形 成加工之薄膜22。薄臈22係以下層膜22a與上層膜22b 之2層膜來構成。熬後，為將確 、 马將，專膜22加工圖樣，光阻3〇 係藉由旋轉塗布機等來塗布。在光阻3〇《塗布後，光阻 30之表面幾乎為平坦，因此在領域η&、肋、Hc、肋 阻膜厚 Sa、Sb、Sc、Sd 士 Μ為不冋。亦即，雖然領域Ha、仙 ^光阻麟雖相同’但在領域之光阻膜厚Sc係 X先阻膜厚Sa、Sb還薄，光阻膜厚^係較光阻膜厚

Sb還厚。 又，在此照相製版製程中所使用的GT光罩2〇 、應進行GT曝光之ρ υ Τί1_ μ 7員域Ha、Hb、Hc、Hd，形成微小的狹縫 透過此GT光罩2〇〇,曝光光阻⑽ 样弟：圖⑴係為了將曝光之光阻3。顯影而形成光阻圖 ’之製私。使用GT光罩2〇〇 *進行GT曝光之領域如、此、 He、Hd’其中等光阻3〇a、3〇b、3〇c、_之中等光阻臈厚 7〇42-9229-PF；Ahddub 14 200832719

Ta、Tb、Tc、Td不同。亦即，領域Ha、Hb之光阻膜厚Ta、 Tb雖相同，但在領域Hc之光阻膜厚Tc係較光阻膜厚^、 Tb還薄’光阻膜厚Td係較光阻膜厚以、礼還厚。 第8圖（c)係使用第8圖（|))所形成之光阻圖樣，將薄 膜22之下層膜22&與上層膜22b之兩方藉由濕式蝕刻或乾 式餘刻專除去之钱刻製程。

第8圖（d)係為了除去在第8圖^)之蝕刻製程殘留之 中等光阻30a、30b、30c、30d ’以氧電漿灰化處理之製程。 在此，若設定為最適合除去領域Ha、壯之中間光阻3〇a、 3〇b之灰化處理時間，則在領域Hc，不僅中等光阻且 在領域He周圍的光阻3。全部消失。又，在領域肋，會成 為中等先阻30d還殘留的狀態。 第8圖（e) ’係選擇钱刻領域心、此、&、別之上層 膜廳來除去之剥離光阻之製程。此結果，領域^、恥: 成著上層膜22b被除去之正常薄膜圖樣，但領域&成為本 來該留下之在領域He周圍之上層膜挪也被除去之不良薄 膜圖樣。領域Hd成為該被除去之上層膜⑽殘留之不良薄 膜圖樣。亦即，中等光阻膜# Tc、Td係與中等光阻族厚 Ta、Tb大不相同’即使調整中等光阻Mam, 之灰化處理時間，領域Hc或領域貼之其中仍會有一為不 良，所以製程變的沒有餘袼。 在如此之本實施形態1 電極8、源極端子6 2、共通 全曝光之中等的曝光量，而 ，在第t導電膜所形成之汲極 變換部44中，藉由不將光阻完 在中專光阻膜厚形成加工之領 7042-9229-PF；Ahddub 200832719 域H1、H2、H3下層之幾乎全 r ?、或上’形成由與閘極配線2、 共通配線3相同層之第1導 ¥電膜所形成之薄膜圖樣12、15 與共通配線3，由於使发您冀 ，、攸基板1到其之高度幾乎相同， 因此可謀求光阻30之中笔伞时r 甲4先阻膜厚之均一化。然後，在中 等光阻之灰化處理時間箄中，A i & 了门寺中’由於製程的餘裕變大，因此 不良薄膜圖樣變少’而可使良率提升。 實施形態2 在實施形態1中，蕤由 精由不將光阻完全曝光之中等的曝 光量’而在中等光阻膜里形士 、与形成加工之領域HI、H2、H3下戶 之幾乎全領域上，形成由裳 曰 第1 ¥電膜所形成之薄膜圖樣 12、15與共通配線3，相 相反的，在貫施形態2，相對於實 施形態1之第2圖到第7 R上# π 口 *弟7圖，如第g圖到第14圖所示，也 可在領域HI、H2、113下展夕坐 下層之成乎全領域上，藉由使其為不 形成第1導電膜所形成之壤瞪闽接 风之4膑圖樣之平坦的構成，而可使 從基板1到其之高度幾乎相同。 在此情況’如第9圖到第1 ^ 、 J罘丄Z圖所不，在貫施形態1之 没極電極8、源極端子^夕/^以^ z之項域HI、H2之下層幾乎全領 域上，不配置由第1導雷 y ¥電膜所形成之薄膜圖樣12、1 5。然 後’如第13圖、第14圖所示’在共通配線變換部44,在 共通連接配線46之領域H3的下層幾乎全領域上，在共通 配線3上設置除去部4 8，而士 & 45 而成為共通配線3之一部分被除 去的構成。如此，在領诚Pi u 、 牡貝战H1、H2、H3之下層幾乎全領域上， p使為/又有由第！導電膜所形成之薄膜圖樣工2、工$及共通 4 3之平坦的構成,也可求得中等光阻膜厚之均一化。 7〇42-9229-PF；Ahddub 16 200832719 然後’由於可使製程餘裕大，因此不良镇 良薄膜圖樣變少，而 可提升良率。 實施形態3 在實施形態1中，藉由不將光阻完全曝光之中等的曝 光量，而在中等光阻膜厚形成加卫之領域hi、h2、h3下層 之幾乎全領域上，形成由第1導電 联所形成之薄膜圖樣 12、15與共通配線3’但形成以與半導體膜5相同之層來 形成之薄膜圖樣來取代第i導電膜，也可得到幾乎相二的 高度。又’閘極配線2與半導體膜5之膜厚若是幾乎相同，

則即使配置使第i導電膜與半導體膜5混在之薄㈣L 也可使從基板1到其之高度幾半相 —… 戍十相冋，而可謀求中等光阻 膜厚之均一化。然後，由於可使勢 從表私餘铪大，因此不良薄 膜圖樣變少，而可提升良率。 實施形態4 在實施形態1到3,對於3個領域LH3作說明， 但也可適詩其他地方。第15圖係表示將實施形態4中靜 電保護回路擴大的部分之平面 丁叫間弟16圖係在第15圖之 D—D、E—E剖面線之剖面圖。第 口弟16圖之括弧的符號係e—e 切斷線的，兩者之剖面構造其太 y 一 土本上疋相同的。實施形態4 係表示設置於顯示部外之閘極 阑位配線2用之靜電保護回路。 閘極配線2用的靜電保護回路， 略係在閘極配線2施加如靜 電之正或負的數十V以μ A古 上的阿電璧時，使靜電的電荷分散 至由第2導電膜所形成之短 給配綠66之整流方向不同之2 個由二極體所形成的路。- ^ 一極體可在與畫素TFT相同之 7042-9229-PF;Ahddub 17 200832719 2形成。藉由將由第1導電膜所形成之閘極電極71、72, 由U導電膜所形成之源極電極7或是減電極8 之一方而可形成二極體。 第丄5圖之點點所示領域…恥係藉 ^之"的曝光量，中等絲膜厚形成加工之薄= 膜；領：H4係源極電極7被除去了上層膜7b而露出下層 =a。領域H5係沒極電極8被除去了上層膜处而露出; &:如第16圖所示，在領域H4、H5下層之幾 Γ，形成著由第1導電膜所形成之薄膜圖樣74、75 : 2 f:施形態1之領域H1、H2,同的高度。然後二 之:桎成之閘極電極71、72與由第2導電膜所形成 極電極8之下層“、8"藉由2 素電極11相同之由ΙΤ0等導電性 /、旦 8卜82來連接。 乳化膜所形成之連接膜 在此，對於閑極配線2用的靜電 但源極配線6用之靜電保護回路 路做-敘述’ 配線⑽，短路配線66係由第1導電膜形成，= 之短路 第15圖之閘極配線2之形狀即可。 匕括相當於 實施形態5 作為在上述以外的適用處， 為與源極端子62相同構造、相同二於使:’極端子60成 第1導電膜形成之閘極配線2變換為^第在^不°卩外，將由 閘極端子膜而連接於閘極端子6 弟2 V電膜所形成之 υυ之連接部。 次疋，可適用 7〇42-9229-PF；Ahddub 18 200832719 於使源極端子62成 在顯示部外，將由宽9、酋 相同構造、相同高度， 胂由弟2導電膜形成之 1導電膜所形成之…“ τ徑配線6變換為弟 邻,, "、°鳊子膜而連接於源極端子62之連接 口P。如此’在連接第1 莪 等電膜與弟2導電膜用之連接部， 二 、王曝光之中等的曝光量，中等光阻膜厚形 之_之剖面構造’使其為與成為相同連接構造之

共通配線變_ 44的領域H3或是靜電保護回路的領域 H4、H5相同高度為佳。 顯示裝置之陣列基板 示裝置、電致變色顯 在以上的實施形態，雖對於液晶 做了敘述，但對於電機發光體（EL)顯 示衣置使用彳政粒子或油滴之電子紙顯示裝置之陣列基板 也可適用本發明。 【圖式簡單說明] 第1圖係表示在實施形態1中之液晶顯示裝置之陣列 基板之平面圖。 第2圖係表示在實施形態1中第1圖之表示部的晝素 之平面圖。 第3圖係在實施形態1中第2圖之a— A剖面線之剖面 圖。 第4圖係表示將實施形態1中第1圖之源極端子擴大 的部分之平面圖。 第5圖係在實施形態1中第4圖之B— B剖面線之剖面 圖0 7042-9229-PF；Ahddub 19 200832719 第6圖係表示將實施形態！中第i圖之共通酕線變換 部擴大的部分之平面圖。 第7圖係在實施形態」中第6圖之剖面 圖。 4 W、' ，第8圖（a)至第8圖（6)係表示將複數種類的薄膜圖樣 形成中等光阻膜厚加工之製程之剖面圖。 第9圖係表示在實施形態2中之顧示部的晝素之平面

10圖係在實施形態2中第9 面圖。 圖之A剖面線之剖 +源極端子擴大的部分之 11圖之B〜B剖面線之剖 +共通配線變換部擴大的 3圖之c 一 C剖面線之剖_ 中靜電保護回路擴大的部 第11圖係表示將實施形態2 平®圖。 第1 2圖係在實施形態2中第 面圖。

第13圖係表示將實施形態2 部分之平面圖。 第14圖係在實施形態2中第 面圖。 第15圖係表示將實施形態4 分之平面圖。 15圖之D—D、E—E剖面 苐16圖係在實施形態4中第 線之剖面圖。 【主要元件符號說明】 7〇42-9229-PF；Ahddub 20 200832719

卜基板； 3〜共通配線； 5〜半導體膜； 7〜源極電極； 9〜層間絕緣膜； 11〜畫素電極； 13〜源極端子膜； 14〜接觸孔； 18〜接觸孔； 2〇〜薄膜； 4 〇〜晝素； 44〜兵通配線變換部； 48〜除去部； β〇〜閘極端子； 64〜共通連接端子； 71、72〜閘極電極； 81、82〜連接膜； 2㈧〜GT光罩； 21 〇〜狹縫； H1、Η2、Η3、Η4、Η5、 形成加工之領域。 2〜閘極配線； 4〜閘極絕緣膜； 6〜源極配線； 8〜汲極電極； 10〜接觸孔； 12〜薄膜圖樣； 15〜薄膜爾樣； 17〜連接膜； 1 9〜接觸孔； 30〜光阻； 30a、30b、30c、30d〜中等光阻· 46〜共通連接配線； 5 0〜顯示部； 6 2〜源極端子； 66〜短路配線； 74、75〜薄膜圖樣； 1 0 0〜陣列基板；

Sa ' Sb、Sc、Sd〜光阻膜厚； Ta'Tb、Tc、Td〜中等光阻膜厚； h、Hb、He、Hd〜十等光阻膜厚 7〇42~9229-PF;Ahddub 21

Claims (1)

1. 200832719 十、申請專利範圍： 1 · 一種陣列基板，包括其 匕枯基板與精由不使光阻完全曝光 之中等的曝光量來形成力由 中4光阻膜厚之複數種類之薄 膜圖樣，前述複數種類之镇替 、之，專膜圖樣係使從前述基板到其之 高度幾乎相同來構成。

   2.如申請專利範圍第1項之陣列基板，其中，在前述 複數種類之薄膜_樣下層之幾乎全領域上，包括使前述複 數種類之薄膜圖樣之高度幾乎為相同而形成之薄膜圖樣。 3·如申請專利範圍第1項之陣列基板，其中，為第； 導電膜、形成於前述第〗道索 k乐1導電膜之上層之絕緣膜、與形成 於刚述絕緣膜之上择夕错q 、 曰之第2V電膜，前述第2導電膜係包 括月』述s i： #類之薄膜圖樣，前述第i導電膜係包含形成 於前述複數種類之薄膜圖樣下層之幾乎全領域之薄膜圖 樣0 4·如申請專利範圍第1項之陣列基板，其中，為第i ⑩導電膜、形成於前述第1導電膜之上層之絕緣膜、與形成 於則述絕緣膜之上層之第2導電膜，前述第2導電膜係包 括前述複數種類之薄膜圖樣，前述第1導電膜係包含在前 述複數種類之薄膜圖樣下層之幾乎全領域被除去，藉由此 而形成於其外部領域之薄膜圖樣。 5·如申請專利範圍第1項之陣列基板，其中，為第i 導電膜、形成於前述第1導電膜之上層之絕緣膜、與形成 於前述絕緣膜之上層之半導體膜、與形成於前述半導體膜 之上層之第2導電膜，前述第2導電膜係包括前述複數種 7042-9229-PP；Ahddub 22 200832719 類之薄膜圖樣，前㈣丨導電膜以及前料導體膜之至少 含形成於前述複數種類之薄膜圖樣下層之幾乎全 領域之薄膜圖樣。 6·如申請專利範圍第3至5項中任一馆4击 义、+ 任項之陣列基板， 其中，則述第2導電膜係至少由2厣 兮、fn 9 乂上之夕層膜來形成， 刖述複數種類之薄膜圖樣係前 上層膜之領域。 ^電膜至少除去了最 7· 一種顯示裝置，使用：包括基板與藉由不使光阻完 全曝光之中等的曝光量來形成加工中等光 翻从墙时m Y寺光阻Μ厚之複數種 類的溥膜圖樣，前述複數種類 -Γ A 4c ^ 寻膜圖樣係使其幾乎同於 則述基板的鬲度來構成之申請 η __ m. 兮W乾圍弟1項陣列基板。 •種陣列基板之製造方， > 择夕制妒 A 2 元成硬數種類之薄膜圖 樣之1私，包括··形成光阻之 — 光之中等的曝光量來形成加工；冑T使光阻完全曝 前述複數種類之薄膜圖樣下層車阻膜厚之製程、與在 種類之薄膜圖樣的高度幾乎、、’全領域，使前述複數 程。 相同，來形成薄膜圖樣之製 7 042 -922 9-PF;Ahddub