TW200827728A - Probe tip, probe card, method of manufacturing a probe tip and method of manufacturing a probe structure - Google Patents

Description

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File:TW4231F 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 —本發明是有關於一種探測針及其之製造方法的具 貫施方式，且特別是有關於一種設薏於探測裝置俨、、， ^半導體it件之-電極襯墊接觸之探測針及其之製

【先前技術】 製造半導體元件通常經由連續的一系列加工 如是晶圓製造程序、晶粒電性筛選（electricaU ，列 =)程敍封裝料。在晶κ製造程序巾，各種不 兒路及元件被製造在例如是矽晶圓之半導體基材上 粒電性筛選程序中，進行檢測上述電路及元件之電性在晶 ，在封裝製程中’自晶圓上逐—地分開各個元件且 ，樹脂密封每個元件，並將其封裝人—特定之半導^^ 通常晶粒電性篩選程序包括下述之步驟。〜檢測哭自 —採測卡之一探測針施加一電訊號至一半導體元件之一 電極襯墊，探測卡之探測針係與半導體元件之電極襯墊接 觸。之後，檢測器經由探測針自半導體元件之電極襯墊接 收一回饋訊號，並偵測半導體元件是否正常運作。 韓國專利編號NO· 463308揭露之一垂直形式的電子 探測針及其之製造方法（A Vertical_Type Electrical pr〇be

Tip and A method Of Manufacturing the Same )。此垂直形式 6 200827728

File:TW4231F 之=探測針包括多個圓錐狀之探測針位於—柱狀本體 此_針條與—概電極概塾 上狀_針因沒有雜部錄施加至探測卡 力:何伸探测針有可能破壞半導體元件的問 一 此‘顺僅能財狀之電減墊接觸而無法與 Ο 帝：多：、ΐ:墊接觸。再者，在一般探測針之製造過程中 =，：上ί二以使溝槽之底面係圍繞在石夕基材上。然 ⑹u牡以具有—相同深度之方式形成在技術上有 诸夕困難’導致形叙_針常具有不同長度。 【發明内容】 接觸之提（、具有相同之長度並可與各式之電極襯墊 接觸之夕個採測針的具體實施例。 例。本發明更提供具有上述探測針之探測卡的具艘實施 極襯度並可與各武之電 士& n衣造方法的具體實施例。

的具體實^=供具有上述_狀_卡之製造方法 根據本發明之—古；L -柱狀外型之太俨f出一種探測針。探測針包括 對稱地連;伸部及多個傾斜部。延伸部係 伸。傾斜部係位於各二之並;錢之底表面向下延 甲#之一末知，使得各傾斜部係自 7 200827728

File:TW4231F 本體的底表面之一中心處向上地傾斜至底表面之一侧 邊，以使傾斜部其中互相對稱之至少一對，以具有一 V狀 外型之方式被設置。 在一種實例中，延伸部係以彼此間隔之方式，設置於 本體之底表面的兩相對區域，以使延伸部以一之字外型排 列於本體之底表面。 在一種實例中，延伸部係設置於本體之底表面的兩相 c、

對區域，以使延伸部其中之一對彼此互相面對。 在一種實例中，各傾斜部係完全地與各延伸部之末端 接觸。 在一種貫例中，各傾斜部係部分地與各延伸部之末端 接觸。例如，各傾斜部之一半區域係與各延伸部之末端接 觸。 根據本發明之另一方面，提出一種具有探測針之探測 卡。採測卡包括一印刷電路板（printed circuit board， PCB)、一彈性連接件、一探頭以及一探測針。探測針包括 本-夕個延伸部及多個傾斜部。印刷電路板包括至少一 ^孔：-多層電路（細啊以d⑽如）係由通 接。弹性連接件穿過通孔， T連 -底端延伸屮卜5 * 仵更自卩刷電路板之 於探 W連接雜連接件。《健直地安事 自本體延伸部係對稱地連接本體之一底部，並 :::各傾斜部係自本體的底端之一中心處 : 而之—側邊，以使傾斜部其中互相對稱之至少1斜 8 200827728

File:TW4231F 以具有一 V狀外型之方式被設置。 根據本發明之又一方面，前述實例中探測針之延伸部 係足以吸收施加至探測卡之一外力，以使探測針不但易與 一般之電極襯墊接觸，且易與球狀之電極襯墊接觸。另 外，探測針係垂直地高密度安裝於探測卡上，以使探測卡 可用於具有微間距圖樣（fine pitch pattern )之半導體元件 的晶粒電性篩選程序中。 ^ 根據本發明之再一方面，提出一種探測針之製造方 法，包括下述步驟。在一犧牲基材上以一條紋狀外型形成 多個溝槽，各溝槽之一頂端係大於其之一底端。在各溝槽 之兩個側壁上形成多個傾斜部，使得傾斜部由條紋狀外型 之溝槽在一方向上以一實質上相同距離，係彼此間隔地排 列。形成多個開口穿過犧牲基材，以使各傾斜部之一底部 暴露出。在各開口内形成一延伸部，以使延伸部各自與對 應之傾斜部接觸。形成一本體，本體係與設置於溝槽其中 」 比鄰兩者之相接侧壁下之延伸部接觸。移除犧牲基材。 在一種實例中，溝槽内之傾斜部係以彼此間隔之方式 設置，以使延伸部以一之字外型排列。 在一種實例中，溝槽内之傾斜部係沿著溝槽的兩相對 邊緣，以實質上相同之位置設置，以使至少傾斜部其中之 一對在些溝槽内彼此互相面對。 在一種實例中，傾斜部之底部係分別經由開口而完全 地暴露出。 在一種實例中，傾斜部之底部係分別經由開口而部分 9 200827728

Fi!e:TW4231F 地暴露出。例如，傾斜部之底部係分別前後相接至溝槽之 底部。 在一種實例中，形成溝槽之方式包括下述步驟。在犧 牲基材上形成一條紋狀外型之一遮罩圖樣。根據遮罩圖樣 當作是一钱刻遮罩，以一濕式姓刻製程钮刻犧牲基材。自 犧牲基材移除遮罩圖樣。 在一種實例中，形成延伸部之方式包括下述步驟。在 ^ 具有溝槽之犧牲基材上形成一種晶層。形成一第一光阻圖

C 樣以使各溝槽之兩侧壁的種晶層局部地顯現出，使得種晶 層之一顯現區域沿著各溝槽以一實質上相同距離間隔地 排列。以一電鍍製程於種晶層之顯現區域上形成一第一預 設層。平坦化第一預設層，使得第一預設層之一上表面與 犧牲基材之一上表面形成一共同平面。自犧牲基材上移除 第一光阻圖樣，以使被第一光阻圖樣覆蓋之種晶層暴露 出。自犧牲基材移除暴露出之種晶層。 I, 在一種實例中，形成種晶層之方式包括下述步驟。在 犧牲基材上形成一第一金屬層，以增加犧牲基材及種晶層 之間的一黏結力。在第一金屬層上形成一第二金屬層，第 二金屬層係用以當作延伸部之一成形製程的一種晶。 在一種實例中，形成開口之方式包括下述步驟。根據 傾斜部之預設區域，在犧牲基材之底部上形成一第二光阻 圖樣，以使對應各傾斜部的犧牲基材之底部藉由第二光阻 圖案被局部地顯現出。以第二光阻圖樣當作是一蝕刻遮罩 局部地蝕刻犧牲基材，直至種晶層被暴露出。 200827728

File:TW4231F 在一種實例中，形成延伸部之方式包括下述步驟。自 暴露於開口之種晶層移除第一金屬層。以一電鍍製程在暴 露於開口之第二金屬層上形成一第二預設層。自犧牲基材 移除第二光阻圖樣。 在一種實例中，形成第一光阻圖樣之方式包括下述步 驟。在種晶層上形成一下光阻層。在下光阻層上形成一上 光阻層。將上光阻層及下光阻層同時地曝光。將已曝光之 r 上光阻層顯影。將已曝光之下光阻層顯影。例如，形成下 I ? 光阻層包括喷射光阻材料在種晶層上，以及形成上光阻層 包括在下光阻層上黏附包括光阻材料之一材料層。 在一種實例中，形成本體之方式包括下述步驟。在犧 牲基材之底部及延伸部上形成一種晶層。在犧牲基材之底 部的種晶層上形成一光阻圖樣，以使溝槽其中比鄰兩者之 相接侧壁的延伸部對應於種晶層之區域藉由光阻圖樣而 被顯現出。自犧牲基材上移除光阻圖樣，以使被光阻圖樣 覆蓋之種晶層暴露出。自犧牲基材上移除暴露出之種晶 層。 根據本發明之又一方面，提出一種探測針結構之製造 方法，包括下述步驟。在一犧牲基材上形成一條紋狀外型 之多個溝槽，使得各溝槽之一頂端係大於其之一底端。在 各溝槽之兩侧壁上形成多個傾斜部，傾斜部以一實質上相 同距離彼此間隔排列。在犧牲基材之一底部上形成多個開 口穿過犧牲基材，以使各傾斜部之一底端經由開口而被暴 露出。在各開口中形成多個延伸部，以使延伸部係分別與 11 200827728

File:TW4231F 傾斜部互相接觸。形成一本體，本體係與設置於溝槽其中 比鄰兩者之相接侧璧卞之延伸部接觸。在一探頭上形成多 個接觸凸塊。移除犧杜基材。 Γ i 在一種實例中，#成接觸凸塊之方式包括下述步驟。 在探頭之〜底部上形成一種晶層。形成一光阻圖樣使得對 應於本體之種晶層被難現出。藉由一電鍍製程在被顯現之 種晶層上形成一金屬詹。平坦化金屬層，使得金屬層之一 上表面與探頭之底部#成一共同平面。自探頭上移除光阻 圖樣，以使被光阻圖掾覆盏之種晶層暴露出。自探頭上移 除暴露出之種晶層。 在一種實例中，形成接觸凸塊之方式包括下述步驟。 預備接觸凸塊。將操觸凸塊與探頭之底部結合。 根據本發明上述實例所述之探測針之延伸部係足以 ϋ及收施加至探測卡外力，以使探測針不但易與一般之 電極襯塾接觸，且易與球狀之電極襯塾接觸。另外，探測 斜係垂直地高密度安裝於探測卡上，以使探測卡可用於具 有微間距圖樣之半導踱元件的晶粒電性篩選程序中。再 者，在探測針之一製造程序中，傾斜部係用以當作是一 Ϊ:止：ietch-stopiayer)。因此，不論犧牲基材之表面 外，所有探測針係在二形成。除此之 為讓本發明之“直地結口在楝測卡上。 實施例，並配合所附二内谷此更明顯易懂，下文特舉較佳 所附圖式，作詳細說明如下： 12 200827728

File:TW4231F 【實施方式】 本發明所要描述的實施例參照附加圖示下會更為完 整，本發明之實施例係繪示圖示中。然而，本發明可能以 許多不同型態實施且不應受限於所提出之實施例。更^確 地說，這些提出來的實施例使本發明更為周密且完整，並 更徹底傳達本發明的範轉給所屬技術領知戈之通常知識 者。圖示中所繪之元件尺寸及各元件 c、 i 現元t的特徵純對應之輕以清楚朗本㈣。了表 舄瞭％的是’當—开杜及、A 、 層，，上”，m m >件係被私為在另一元件或另— 上，或疋可能中間有_ 層 為，，連接至，，另—树 ^別的層。當—兀件係被指 接至另—元件或另 :’可以代表所指元件直接連 層。相對的，當一元件被中，財別的元件或別的 層，，上，，時，中間就沒有別的元為/i“立於另—元件或另- 連接至，，另一元件或另— 有相同的標號皆用以表明之中一^沒有考別的元件。所 或，，包括所列出的項目㈠件/此處所使用的’，及/ 種組合以及全部組合r中之-個或多個組合令的任何- :需瞭解的是，雖然項次第一、第二 來4田述各種元件、处椹 隹此可以用 元件、結構、區域二，、範圍、層及/或部位，_ 次。項次僅用來區別二、二=^^ 位彼此之間是不同個體。例：第耗：構層及/或部 13 200827728

File:TW4231F 範圍、層及/或部位可以編號為第二元件、結構、區域、範 圍、層及/或部位，而並不違背揭露内容之精神。 與空間相關如「底下」、「下方」、「下面的」、「上方」、 「上面的」及相似之詞彙係用以描述圖示中一元件或特徵 與另一元件或特徵（另外多個元件或特徵）的關係。另外， 與空間相關之詞彙除了表示圖示所繪製之方位，亦包括裝 置使用中或運作中之不同方位。舉例來說，若翻轉圖示之 f 裝置，則原來元件「下方」或「底下」之另一元件或另一 Γ 特徵係改變方位為元件「上方」之另一元件或另一特徵。 因此，詞彙「下方」係可包括下方及上方之朝向 (orientation)。裝置可以其他方式朝向（旋轉90°或面對其 他方位），並與本文中空間相關之描述語對應說明。 在此所用的術語目的僅是為了描述特定的實施例，而 並不意圖限定本發明。此處所用的單數型態”一”及”該’’也 意圖包括複數型態，除非文中清楚指明不是。需要進一步 暸解的是，用語”包括”使用在說明書中，係用以具體說明 存在的所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或成 分，但並不排除一個或多個其他特徵區域、整體、步驟、 操作、元件、成分及/或其組合的存在或添加。 本發明後述之實施例，其中以截面圖做為參考資料之 部分，其係將本發明之實施例（及其中間與過渡的結構） 以概要及理想化的方式加以繪製及說明。因此，圖示用以 說明之各種外型所產生的變化，舉例來說製造技術及/或公 差範圍，皆是可以被預期的。 14 200827728 * n

File:TW4231F 除非另外定義，所有在此使用之用語（包括技術及科 學用語）係與熟習本發明所屬之技術領域者所瞭解之通常 意義相同。需要進一步暸解的是，一般字典所定義的用 語，應被解讀為與相關領域之文章及本揭露内容一致之意 義，並不會解讀為過度理想或過度正式的形式，除非在此 有明確的定義。 本發明在此所述之實施例之剖面圖係為本發明理想 ^ 實施例的描繪示意。因此，例如因為製造技術及/或誤差所 < 導致形狀上的改變，是可以預期的。因此，本發明之實施 例不應被認為限定於在此描繪區域的特定形狀，而是包括 例如，生產導致的形狀。例如，一描繪或描述為平坦之區 域，具有粗糙及/或非線性的特徵。此外，描繪之銳角可能 會鈍化。因此，圖示中描繪之區域係為特性之示意，而且 並不意圖描繪出一區域的精確形狀，形狀也不意圖用以限 定本發明範疇。 ^ 請參照第1圖至第4圖，其分別繪示根據本發明第一 實施例的探測針之圖示。第1圖繪示根據本發明第一實施 例的探測針之示意圖。第2圖繪示第1圖的探測針之平面 圖。第3圖繪示第1圖的探測針之侧視圖。第4圖繪示第 1圖的探測針之前視圖。 如第1圖至第4圖所示，根據本發明第一實施例之一 探測針100包括多個傾斜部110，多個延伸部120及一本 體 130。 在第一實例中，本體130包括一四角之柱狀外型，且 15 200827728

File:TW4231F ::=探測前端(切示於圖中)係安裝在本體 多角之柱狀=t=r。任何其他結構’例如是一 f 130的四备、口形柱狀外型，亦可被用以取代本 ^連接: 主狀外型或是與本體130的四角之枉狀外 在弟

ϋ P ” —成對延伸部12()連_本體130 袖邱，且第二表面係與第一表面對應設置。各延 ^㈣括—Μ柱體，且各延料⑽之-第-末 ^ 此一來，第一末端截面的法線向量 係j應弟—末端截面之法線向量偏斜此傾角。在第一實 例中，各延料12G之第二末端係連接本體m之第二表 面所以各延伸冑120之第二末端之法線向量係與本體⑽ 之-中〜軸平彳了。進_步來說，各延伸部m係設置於四 角之柱狀外型的本體13G㈣二表面之—邊角區。並且延 伸口p 120係在本體13〇之第二表面的矩形或正方开》的對角 線方向以兩兩相對的方式設置。各傾斜部11〇係位於各延 伸部120之第一末端。根據上述之方式，成對之傾斜部11〇 係在本體130之矩形或正方形的對角線方向相對地設置。 雖然第一實施例揭露之延伸部12Q包括四角柱體，本 發明具有通常知識者可知任何其他結構，例如是一多角柱 體或一圓柱體，亦可被用以取代延伸部12〇之四角柱體或 16 200827728

File:TW4231F 是與延伸部120之四角柱體連接。 在本發明之第一實施例中，各傾斜部11〇包括一四邊 形圖樣，其係與各延伸部120之第一末端實質上具有相同 之外型。所以各傾斜部11 〇係貫質上與各延伸部120之第 一末端截面具有相同大小之表面積。各傾斜部11 〇係與各 延伸部120之第一末端的整個截面連接。如此一來，各傾 斜部110係完全地與各延伸部120之第一末端接觸。亦 即，各傾斜部110係完全地藉由各延伸部12〇之第一末端 支撐。在第一實施例中如第2圖所示，成對之一的延伸部 120之第一末端截面的第一法線向量ηι係相對於第二末端 截面的法線向量，在順時針方向具有一第一傾角0 1，第 一末端截面的法線向量係識為一參考法線向量nref，另一 延伸部120之第一末端截面的第一法線向量n2係相對於 參考法線向量nref，在逆時針方向具有一第二傾角0 2。使 得傾斜部110係自本體130的第二表面之一中心處向上地 V 傾斜至第二表面之側邊，以使成對之延伸部120及在延伸 部120各第—末端的傾斜部110係交接而可延伸形成一 點’兩者係以具有一 V狀外型之方式被設置。根據上述方 式，傾斜部11〇係易與一半導體元件之一電極襯墊接觸。 本發明具有通常知識者可知，各傾斜部之圖樣係 根據各延伸部120第一末端之諸多外型而可有各種不同態 樣。舉例來說，當各延伸部120之外型係為一三角柱體或 一梯形柱體時，各傾斜部110之圖樣對應地係為一三角形 圖樣或一梯形圖樣。 17 200827728

File:TW4231F 傾斜部110、延伸部120及本體130包括金屬元素， 例如是錄（nickel，Ni)、銘（cobalt，Co)、鎢（tungsten，w) 及鎳鈷（nickel-cobalt，Ni-Co)合金等等。上述個金屬元 素得以單獨或是結合在一起之形式被使用。 第一實施例更可包括，三個或更多個延伸部12〇係連 接至本體130之第二表面，所有延伸部12〇係在本體13〇 第二表面的邊線上間隔地均佈。因此，設置於延伸部12〇 f

第一末端之所有傾斜部11〇亦在對應於本體13〇第二表面 的邊線上間隔地均佈。 當探測針1GG與半導體元件之電極襯墊接觸並藉由 探測針1〇〇施加-外力至電極襯墊時，各傾斜部ιι〇受力 之中心係與各延伸部12G受力之中q同，因此延伸部12〇 係會因外力扭曲或料。扭曲或彎折之延伸部⑽造成傾 斜部no刮除電極襯墊—表面上n生㈣物層— oxide layer), # :二二外傾斜，110係在電極襯墊之表面上產 試過 之擦痕。 卡之二外力第I 延伸部120吸收施加至探測 匕=觸:ί貫施例之探測針_不但易與-般之 與球狀之電極襯塾接觸係。進-步來 來，此探測卡可用Μ能2#於_卡上。如此一 之丰導俨开“圖樣（fine Pitch Ρ-) 之+V體το件的晶粒電性篩選程序中。 請參照第5圖至第8圖，其分別綠示根據本發明第二 18 200827728

File:TW4231F 實施例的探測針之圖示。 例的探測針之示意圖。第6同：繪示根據本發明第二實施 圖。第7圖緣示第5圖的探^示第5圖的探測針之平面 5圖的探測針之前視圖。4針之侧視圖。第8圖繪示第 探、、二8圖所示，根输 =勘包括多個傾斜部21。，多個延伸部22。及丨一本 c i 『二實施例之探測針·，除了配置 ί =的延伸部220之外’探測針200之結構係實質：： 第4圖所緣及描述的探測針Π)。相同:因匕:; 下對於相同元件之描述將料省略。 ϋ 弟一表面。亚且延伸部22〇係在本體23〇 邊緣的中心線上以兩兩相對 一、面對稱 210係在本體230第-1 式设置。成對之傾斜部 係在本體230弟—表面的兩相對區域 f矩形或正方形的對角線方向，彼此互相面對f體230 1圖至第4圖所緣及描述的延伸部120，成對相似於第 22〇之第一末端截面的第— 士之一延伸部 :::法線向量，在-二端 面的法線向量係識為參考法線、角'弟二 邙220之第一末端截面的第一法 ef，另一延伸 法線向量nref，在逆日士 、、、σ里n2係相對於參考 成對之延伸部22G 、=向具有一第—倾角Θ2。因此， 21〇係交接而可延^延伸部220各第1端的傾斜部 成—點，兩者係形成-V狀外型。 19 200827728

File:TW4231F 根據上述方式，傾斜部21()係易與一半導體元件之一電極 襯墊接觸。 一—明參照第9圖至第12圖，其分別繪示根據本發明第 一貝轭例的採測針之圖示。第9圖繪示根據本發明第三實 施例的板測針之不意圖。第1〇圖繪示第9圖的探測針之 平面圖°第11圖繪示苐9圖的探測針之侧視圖。第12圖 繪示第9圖的探測針之前視圖。

。如第9圖至第12圖所示，根據本發明第三實施例之 才衣測針300包括多個傾斜部31〇，多個延伸部32〇及一 本體330。 第二實施例之探測針3〇〇，除了延伸部32〇及傾斜部 =〇接合處之外’探測針3〇〇之結構係實質上與第1圖至 第4圖所緣及描述的探測針剛㈣。因此，以下對 同元件之描述將予以省略。 如第9圖至第12圖所示，各傾斜部310係實質上鱼 =r 320之第-末端截面具有-相同寬度：。然而 各傾斜部31〇具有之—且^：11 ^ 截面之—長度12更* !係較各延伸部320第—末端 伸部320第一末端之此—來，各傾斜部310係與各延 樓傾斜部3H)。各傾斜^相接合，延伸部似係部分支 第一末端接觸。詳細地^、，係部分地與各延伸部320之 各延伸部320之第一末=接傾斜部31〇之一半區域係與 係兩兩相互偏斜，延而觸。進—步來說，傾斜部31〇 於第1圖至第4圖所1:二2〇+、兩兩相隔空間之-距離係大 日及彳田述的探測針100。 20 200827728

File:TW4231F 請參照第13圖5 Μ 施例的探测針之"—弟16圖，其繪示根據本發明第四實 例的探測針之示1不。第13圖繪示根據本發明第四實施 面圖。第1 S m 1囷第14圖繪示第13圖的探測針之平 繪示第13 ’、弟13圖的探測針之侧視圖。第16圖 3圖的探挪針之前視圖。 如弟13圖至第 一探測針4〇〇包括夕6圖所示，根據本發明第四實施例之 本體430。 夕個傾斜部410 ’多個延伸部420及— 第四實施例之控、目^ 41〇接合處之外，^測針400，除了延伸部420及傾斜部 第8圖所繪及則針400之結構係實質上與第5圖至 同元件之插述=的权测針綱相同。因此，以下對於相 平卞以省略。 如第13圖至楚 本體430之第二 圖所示，一成對延伸部420連接到 Ο 表面對稱邊緣的^面。亚且延伸部420係在本體430第二 第1圖至第4心線上以兩兩相對的方式設置。相似於 部420之第會及描述的延伸部—，成對之一延伸 末端截面的C面的第一法線向量nl係相對於第二 卜第二末端截it量’在1時針方向具有—第-傾角Θ 另-延伸部420法㈣讀識為—參考法線向量nref， 對於參考法C末：截？的第一法線向量心係相 2。因此，成對里在逆日守針方向具有―第二傾角Θ 的傾斜部41〇'之>延伸部420及在延伸部420各第一末端 狀外型。根辕上 可=形成-點，兩者係形成—ν 康上述方式，傾斜部仙係易與―半導體元件 21 200827728

File:TW4231F 之一電極襯塾接觸。 月：第17圖’其繪示依照本發明第五實施例的探 測卡之截面圖。 、第Π圖所示’本發明第五實施例之探測卡5〇〇包 括一連接部51G、—印刷電路板（printed dmiit board, PCB) 520、一採頭532及一探測針53心其中，連接部Η。 係為一彈性連接件。 ( 在本發明第五實施例中，印刷電路板520包括多個通 孔’多個多層内部電路係經由通孔電性連接。探頭M2包 括多個探測針534，探測針別係以其之—底端與一檢測 件直接接觸。印刷電路板520及探S員532係經由連接部51〇 互相電=連接，探頭532係接觸連接部51〇，連接部51〇 係為一彈性連接件。連接部51〇係穿過通孔，並自印刷電 路板520之底端延伸出。在第五實施例中，連接部51〇包 括一電子材料，以控制介於印刷電路板52〇及探頭532之 U :間距。藉由一第一輔助板522、一第二辅助板526、一 第二辅助板528、一板片彈簧530及多個拴件524、536及 38 Ρ刷電路板520及探頭532係將印刷電路板520及 探頭532牢固地設置。 本叙明弟五貫施例之探測針係實質上與第1圖至 第4圖所、、、9及心述的採測針1⑽相同，因此對於探測針 之詳細敘述將予以省略。探測針534係以垂直的方式安裝 在铋頭532之一下表面上，如此一來探測針534係得以高 密度地安裝在探頭532上。根據上述方式，探測卡5⑻可 22 200827728

File:TW4231F =於具有铽間距圖樣之半導體元件的晶粒電性筛選程序 5〇〇_之探測卡 300或400當作是=至弟16圖所繪及描述之探測針200、 田并疋板測針534 〇 請參照第18 fsi s >

C 第4圖探測針的梦=弟31圖，其分別緣示形成第1圖至 中，與第1圖至第=驟之截面圖。在第18圖至第31圖 並且省略其之詳細敘目同之元件係以相同之標號表示， 如第18圖及證，n 基材1(Π _L。犧^目所示，一遮罩層係形成於一犧牲 材，遮罩層例如包=1G1例如t絲㈣—玻璃基 膜形成於遮#上减物、氮化物及氮氧化物。一光阻 程包括對級_彳’-2對級職行黃域程。黃光製 一光阻圖樣1G3，二 顯影。以在遮罩層上形成一第 範圍。舉例來％ 〃一光阻圖樣Μ3係定義出溝槽104之 成。遮罩層係根據且圖樣係以一條紋狀外型所形 圖樣而被#刻，以Λ 圖樣1G3當作是—㈣遮罩的 溝槽⑽係形纽犧m材igi上形成—遮罩圖樣1〇2。 區域。 取於犧牲基材101未被遮罩圖樣102遮蔽之 犧牲基材101係藉由遮罩圖樣102當作是一蝕刻遮罩 被局部_。藉此在犧牲基材1G1上形成具有條紋狀外 二溝軋104。舉例來說，形成溝槽1〇4之蝕刻製程包括 …、式蝕刻製程及一雷射蝕刻製程。在本實施例中係藉由 23 200827728 1

File:TW4231F 濕式蝕刻製程蝕刻一矽基材，以在犧牲基材1〇i上形成溝 槽104。濕式银刻製程之银刻劑包括一氫氧化卸（‘ hydroxide，KOH)溶液及一氫氧化四甲銨 (tetramethylamm〇niumhydr〇xide，TMAH)溶液。這些蝕 刻劑可單獨使用或是將其混合使用。由於濕式敍刻製程的 特性，各錢104之-底端係小於其之―頂端，故相鄰之 各溝槽104之侧壁係自左至右相互地向上靠近。之後，第 光阻圖樣1们及遮罩圖樣102係接續地藉由一灰化製程 (ashing process )或一剝離製程（stripping pr〇cess )自犧 牲基材101上移除。 在本實施例中，首先藉由灰化製程或剝離製程將第一 光阻圖樣103自犧牲基材101上移除。接著，犧牲基材1〇1 藉由遮罩圖樣102當作是银刻遮罩而被局部餘刻，以形成 溝槽104。之後’遮罩圖樣1〇2係藉由灰化製程或剝離製 程自犧牲基材101上移除。 Ο 如第20圖及第21圖所示，一第一種晶層（未繪示於 圖中）係形成於已具有溝槽104之犧牲基材1〇1上，例如 第一種晶層係藉由濺鍍製程形成。進一步來說，具有高附 著性之一第一金屬層係形成在犧牲基材1〇1上，一第二金 屬層係形成於第一金屬層上以做為第一種晶層。第二金屬 層用以當作式之後延伸部之成形製程的一種晶。藉由第一 金屬層，第一種晶層係具有足夠之附著力形成於犧牲基材 101上。第一金屬層包括元素鈦（titanium，丁〇及元素鉻 (chromium，Cr)。第二金屬層包括元素銅（copper，Cu) 24 200827728

Fi!e:TW4231F 及元素金（gold，Au)。 一光阻膜係形成在已包括第一種晶層 ， 上，之後對光阻膜進行黃光製程。如此〜犧牲+基材101 圖樣107係形成於第一種晶層上，並定義三一第二光阻 做為傾斜部之區域。進一步來說，一下光&第一種晶層將 佈製程（spray coating process)形成於已具膜係以喷射塗 之犧牲基材1G1上，之後—上光阻膜係心有第二種晶層 程（photoresist film coating process )形成认“膜 i 佈‘ 亦即是，下光阻層係將光阻材料喷射在第」且：上： 光阻層則是在下絲層上黏附包括光阻材料之H料層^ 光阻膜難以藉由旋轉塗佈製程（spin c〇ating ) 在各溝；^ 104之侧壁上具有一致的厚度。此外以喷射塗佈 製程形成総膜，光阻膜可在料槽之底部表面上具有一 足夠的厚纟然、而光阻膜卻無法在各溝槽1G4之側壁上具 有:足夠的厚度。@此，光賴無法直接以旋轉塗佈製程 或=射塗佈製程在各溝槽1()4之侧壁上形成―足夠且一致 ^厚度3外當僅以光阻膜塗佈製程形成光阻膜時，一較 膜對各溝槽1G4之底部的附著力係不足，導致在 / :之底部及光阻膜之間形成空隙。因此在本實施 1开^ I射㈣製程及光阻職佈製程兩者皆同時地執行 ㈣且ί阻膜，以使光阻膜在各溝槽104之侧壁上具有-足夠且均勻的厚度。 即上Ζ 土光阻膜之-曝光程序係同時地執行，亦 、 光阻膜係同時地被曝光。上光阻膜及下光 25 200827728

File:TW4231F 5膜之-，程序係接續地執行，以形成—下光阻圖樣 光阻圖樣106。也就是說，先將已曝 阻膜顯影’之後接著將已曝光之下絲膜㈣。第二= 圖樣107包括下光阻圖樣1〇5及上光阻圖樣⑽。根據上 ==Γ。4各側壁上之第一種晶層係因第二光阻 圖，107而局部顯現出。在本實施例中，於各溝槽刚之

ϋ - ^-側虹之第-種晶層係對應第二光阻圖樣⑽而顯 現出’藉此第-種晶層被顯現之區域係因溝槽1G4在—縱 方々向上之-間距*彼此相互隔開。另外，於各溝槽104之 二一1則壁ΐ之第一種晶層係對應第二光阻圖樣i〇7而顯 現出’猎此第-種晶層被顯現之區域係因溝槽ι〇4在縱方 向實質上相同之間距而彼此相互隔開。各溝槽m之第一 側壁及第H刚貞現之區域係在各溝槽1()4之側壁上交秩 地排列。也就是說，在各溝槽⑽之側壁上的第一種晶^ 係對應第二光阻圖樣W以一之字外型顯現出。各溝槽^ 之兩側壁的第-種晶層係因第二光阻圖樣1()7而局部地顯 現出’使得第-種晶層之—顯示區域沿著各溝槽以實質上 相同距離間隔地排列。 、、 舉例來說如第20圖所示，已顯現之第一種晶層係自 f溝槽104底部之一側邊延伸至各溝槽1〇4之—上侧壁， 藉此以形成-近似矩形之外型。在另—種實例巾，已ς現 層係自纟㈣1G4底部之—側邊漸縮地延伸至 各溝槽104之-上側壁，藉此以形成—近似三角之外型或 不規則四角之外型。 26 200827728

File:TW4231F 如第22圖及第23圖所示，傾斜部110係藉由一電鍍 製程，在對應第二光阻圖樣107顯現出之第一種晶層上形 成一預設厚度。傾斜部110係在第一種晶層之顯現區域上 形成一第一預設層。傾斜部110係包括金屬元素例如是鎳 (nickel，Ni)元素、銘（cobalt，Co)元素、鶴元素或一錄 钻（nickel-cobalt，Ni-Co)合金。根據已顯現之第一種晶 層的外型，各延伸部120係自各溝槽104底部之侧邊延伸 至各溝槽104之上侧壁形成一矩形外型。並且各傾斜部110 係根據一預設距離以一之字外型彼此相互隔開。 接著，係對具有傾斜部110之犧牲基材101進行一平 坦化製程直至在犧牲基材101上形成一上表面。平坦化製 程例如是一化學機械研磨（chemical mechanical polishing， CMP )製程、一回勉（etch-back )製程及一磨光（grinding ) 製程。透過平坦化製程，各傾斜部110之一上表面係與犧 牲基材101之上表面形成一共同平面。相鄰溝槽104臨接 之上端係兩兩一起形成一 V狀外型。之後，第二光阻圖樣 107係由灰化製程或剝離製程自第一種晶層上移除，以使 先前被第二光阻圖樣107覆蓋之第一種晶層暴露出。之後 並自犧牲基材101移除暴露出之第一種晶層，亦即是未被 傾斜部110覆蓋之第一種晶層。移除第一種晶層之方式可 藉由一乾式蝕刻製程或一溼式蝕刻製程自犧牲基材101上 移除暴露出之第一種晶層。根據上述之方式，溝槽104内 之傾斜部110係以彼此間隔之方式設置，以使傾斜部110 以一之字外型排列。 27 200827728

File:TW4231F 材i及第25圖所示’—級關形成於犧牲基 ’並且對光阻臈上進行-黃光製程，以 在犧牲基材101下表面對應傾斜部11〇之區域形 光阻圖樣111。第三光阻圖樣111係根據傾斜部110之I =域’形成在犧牲基材1G1之—底部。以使對應各傾斜 =1〇的犧牲基材101之底部藉由第三光阻圖#⑴被局 ^也顯現出。犧牲基材101之底部係以以第三光阻圖樣⑴ 、胃作是―_遮罩^由―乾式齡m程被局㈣刻，直至 部m覆蓋之第—種晶層係暴露出，藉此由犧牲基 材101之底部貫穿犧牲基材101以形成多個開口 112。在 t述之乾絲刻製程中，第—種晶層係用以當作是一钮刻 停止層（etch-stop layer),所以各開口 112係實質上具有 =同之，度。在本實施例中，整個第—種晶層係經由開口 it全地暴露出，且在第—種晶層下之第—金屬層係 错一乾式蝕刻製程或一溼式蝕刻製程選擇性地自犧牲 J 基材101上被移除。 ^、如第26圖及第27圖所示，一金屬層藉由一電鑛製程 形成在犧牲基材101之底部一足夠之厚度以填滿開口 ^2。金屬層例如是包括鎳、鈷、鎢或一鎳鈷合金。之後， ^屬層藉由-平坦化製程被局部地移除，直至第三光阻圖 ； 之上表面暴露出。藉由上述方式，金屬層僅剩下 j開=112之内，並且延伸部12〇係形成在開口 ιΐ2内第 曰層之第二金屬層上。在本實施例中，由於各開口 112 係貫質上具有相同之深度，各延伸部120係實質上具有相 28 200827728

File:TW4231F 同之長度。 之後，第三光阻圖樣111係藉由一灰化製程或剝離製 程自犧牲基材101上移除。其中，上述之平坦化製程例如 是一化學機械研磨製程、一回姓製程及一磨光製程。 如第28圖及第29圖所示，一第二種晶層係藉由一濺 鍍製程形成於犧牲基材101之底部及延伸部120上。在本 實施例中，第二種晶層係實質上與第一種晶層具有相同的 <、 結構及組成。 一光阻膜係形成在第二種晶層上，之後並對光阻膜進 行一黃光製程，以形成一第四光阻圖樣121，以使各開口 112内之延伸部120係顯現出。也就是說，溝槽104其中 比鄰兩者之相接侧壁的延伸部120對應於第二種晶層之區 域係經由第四光阻圖樣121而被顯現出。 另一金屬層係藉由一電鍍製程形成在犧牲基材101 之底部以具有一足夠厚度填滿第四光阻圖樣121之空缺。 I 也就是說，金屬層藉由濺鍍製程形成在經由第四光阻圖樣 121顯現之第二種晶層的區域。金屬層例如是鎳、鈷、鎢 及一鎳鈷合金。之後，金屬層係藉由平坦化製程局部地被 移除直至第四光阻圖樣121之一上表面係暴露出。藉此， 金屬層係僅僅剩下在第四光阻圖樣121之空缺内，也就是 將本體130係形成在第二種晶層上。 如第30圖及第31圖所示，第四光阻圖樣121係藉由 一灰化製程或一剝離製程自犧牲基材101移除，以使第二 種晶層暴露於本體130之間的空缺。也就是說首先，自犧 29 200827728

File:TW4231F 牲基材101上移除第四光阻圖樣121，以使被第四光阻圖 樣121覆蓋之第二種晶層被暴露出。之後，自犧牲基材1〇1 上移除暴露出之第二種晶層’暴露於本體13Q間空缺的第 二種晶層係藉由-乾式㈣製程或—澄式㈣製程而被 移除。藉此，延伸部120係以彼此間隔之方式，設置於本 體130之一底表面的兩相對區域，以使延伸部12〇以之字 外型排列於本體130之底表面，且各傾斜部11〇係完全地 與各延伸部120之第一末端接觸。 之後’犧牲基材101係藉由一舉離（丨ift_off)製程或 一餘刻製程自上述之結構而被移除，以形成第1圖至第4 圖所緣之探測針100。蝕刻製程之蝕刻劑或舉離製程之溶 劑例如是一氫氧化鉀溶液及一氫氧化四曱銨溶液。這些蝕 刻劑可單獨使用或是將其混合使用。 雖然本發明上是實施例所述之傾斜部110、延伸部 120及本體130係藉由電鍍製程形成。本發明具有通常知 (j 識者可知’任何其他製程或方法係可用以取代電鍍製程或 搭配電鍍製程形成傾斜部110、延伸部120及本體130。 根據上述之說明，由於各探測針100之延伸部120係 具有相同之長度，因此各探測針100係以實質上相同之距 _相互隔開地安裝在探測頭上。 請參照第32圖及第33圖，其分別繪示根據本發明之 貫施例製造一探測針結構的製程步驟之截面圖。 如第32圖所示，在上述製程移除犧牲基材101之前， 一第三種晶層（未繪示於圖中）係藉由濺鍍製程形成在具 30 200827728

File:TW4231F 有一平板外型之一探頭140上。第三種晶層係實質上與第 一種晶層具有相同之結構及組成成分，第三種晶層係形成 於探頭140之一底部。 一光阻膜係形成在具有第三種晶層之探頭140上，之 後係在光阻膜上進行一黃光製程，以形成一第五光阻圖 樣。第五光阻圖樣係實質上與第四光阻圖樣121具有相同 的結構。根據上述之方式，第五光阻圖樣係使得對應於本 體130之第三種晶層被顯現出。 一金屬層係藉由一電鍍製程形成在包括第三種晶層 之探頭140上，並具有一足夠厚度以填滿第五光阻圖樣之 空缺。亦即是以電鍍製程在被顯現之第三種晶層上形成金 屬層。金屬層例如是鎳、钻、鎢及一鎳銘合金。之後，金 屬層係藉由平坦化製程局部地被移除直至第五光阻圖樣 之一上表面係暴露出。使得金屬層之一上表面與探頭140 之底部形成一共同平面。藉此，金屬層係僅僅剩下在第五 光阻圖樣之空缺内，以在第五光阻圖樣空缺中之第三種晶 層形成多個凸塊150。凸塊150係用以當作是探頭140及 探測針100之間的接觸凸塊。 之後，第五光阻圖樣係藉由一灰化製程或一剝離製程 自探頭140移除，以使被第五光阻圖樣覆蓋之第三種晶層 被暴露出，亦即將第三種晶層暴露於凸塊150之間的空 缺。之後，被暴露於凸塊150間空缺的第三種晶層係藉由 一乾式蝕刻製程或一溼式蝕刻製程自探頭140被移除。 接著，探測針1〇〇之本體130係藉由一銲料160，在 31 200827728

File:TW4231F 犧牲基材101尚未移除 換句話說，多個几榣，，η)兀索。 本體m係藉由銲料16Ω 0係、先形成’探頭140及多個 如第33圖所〒滕f凸塊150彼此相互黏接。 -舉離製程而自探測針：〇= 二係藉由-赠程或 _。_製程之_1 ^上被移除’以形成—探測結構 化鉀溶液及一氫氧化“牛^製程之溶劑例如是一氮氧 或是將其混合使用。禮液。這些㈣劑可單獨使用

探測結構19〇作LV 140連接，所以夕/ 遮檔探測針1〇〇的方式與探頭 夕固极測針100係同時連接在探測頭140

.° x \之方式，各探測針1〇〇係實質上具有相同的 長度，以使探測結槿1Q 一#每/冓19〇具有一足夠平整度。另外根據另 接觸：：；广成凸塊150之方式亦可包括先預備多個 接觸凸塊當作是凸揷h 頭⑽之底部結合。之後預備之接觸凸塊直接與探 至第圖及第35圖’其分別緣示製造第5圖 至弟8圖之_針的製程步驟之截面圖。 如第34圖及笼一 實質上與第18圖至第針綱之製程步驟係 步驟相同，除了將傾述探測針100的製程 丰挪_ , 、斜邠21〇汉置在延伸部22〇上的製程 步驟，所以相同的製程步驟以下將予以省略。 樣2 〇 214 _上之第—種晶層係對應第二光阻圖 被暴路出，藉此相鄰之溝槽204㈣第一種晶層 32 200827728

File:TW4231F ==隔r°4之側壁上的第1晶層係"設 路:第二光阻圖樣207的第1晶層上。藉由上 相對邊緣，二2:二之傾斜部210 ’係沿著溝槽204兩 立中之—斜/ $相同之位置設置，以使至少傾斜部210 係分，相;面對’傾斜部21°底部 第第36圖及第37圖’其分別繪示製造第9圖至 弟12 ^之抵測針的製程步驟之截面圖。

Cj 實質上二51及第37圖所不’探測針300之製程步驟係 步驟相:圖至第31圖所1 會及描述探測針100的製程 32〇愈^处除了形成延伸部320之製程步驟，以使延伸部 憾二1〇接觸的區域較延㈣⑽與傾斜部則 4、區域更小，其餘相同的製程步驟以下將予以省略。 “、一光阻膜係形成在犧牲基材301之底表面上，並對光 # 進行頁光製程，以形成一第三光阻圖樣311，藉由 弟^光随圖樣3H，犧牲基材3G1之下表面對應傾斜部31〇 勺區域係被顯現出。在本實施例中，犧牲基材3〇ι顯現出 的區域係遠小於傾斜部310設計之區域。犧牲基材3〇1之 一 ^端係透過第三光阻圖樣311當作是-巍刻遮罩，並藉 =一乾式蝕刻製程而被局部蝕刻，直至覆蓋傾斜部31〇之 第一種晶層被暴露出，以自犧牲基材3〇1其之底表面形成 多個開口貫穿犧牲基材301。在本實施例中’第一種晶層 之一局部區域鄰接於各溝槽3〇4之底端係僅由開口 Μ)暴 33 200827728

File:TW4231F 一、、之後°又置在第一種晶層下被暴露之第一金屬層係藉 刻製程及一乾式蝕刻製程選擇性地局部自犧 斗基材301而被移除。 312聂二 ^伸邛320係藉由一電鍍製程形成於透過開口 式，I種晶層的第二金屬層上。根據上述之方 出。藉此ii、10之底部係分別經由開口312而部分地暴露 f、第-i端接觸::部分地與各延伸部灿之 可與各，二;斜部310之-半區域係 至第Γ6=第38圖至第41圖’其分_示製造第13圖 圖之板測針的製程步驟之截面圖。 Θ 如第38圖至第41圖所示，探測. 貫質上與第18圖至第31圖崎及描述 ^程步驟係 步驟相同’除了形成延伸部42〇之製料的製程 420與傾斜部41()接觸的區域較 Q以使延伸部 〇接觸的區域更小，以及除了將傾斜部傾斜部110 ^的製程步驟以外，其餘相_製程步一 各溝槽404 —侧壁上之第一種晶層係對應 樣407而被顯現出，藉此相鄰之溝槽404內〜#一且圖 係兩兩相對，溝槽4G4之側壁上的第—種日:第了種晶層 距離—-相隔排列。之後，傾斜部410係預設 ^成在顯現於第二光阻圖樣4〇7的第一藉Q 、牙 、本、 ^里日日層上。葬士 μ 之 述之方式，傾斜部410底部係分別前後相接至溝槽:叫 34 200827728

File:TW4231F 底部。

“二光，_成在犧牲基材4Qi之底表面上，並對光 阻膜，仃頁光製程’以形成-第三光阻圖樣411，藉由 第三光阻圖# 411，犧牲基材之下表面對應傾斜部曰410 的區域係被暴露出。在本實施例中，犧牲基材衝暴露出 的區域係遠小於傾斜部41Q設計之區域。犧牲基材4〇1之 一^端係透過第三光阻圖樣411當作是-_遮罩，並藉 由一乾式蝕刻製程而被局部蝕刻，直至覆蓋傾斜部410之 第一種晶層被暴露出’以自犧牲基材401其之底表面形成 多個開口貫穿犧牲基材401。在本實施例中，第一種晶層 鄰接於各溝槽404之底端係僅由開口 412暴露出，之後設 置在第一種晶層下被暴露之第一金屬層係藉由一濕式蝕 刻製程及一乾式蝕刻製程選擇性地自犧牲基材4〇1而被移 除0 之後’延伸部420係藉由一電鐘製程形成於透過開口 I 412暴露之第一種晶層的第二金屬層上。藉由上述之方 式，延伸部420係設置於本體430之表面的兩相對區域， 以使延伸部420其中之一對彼此互相面對。另外，各傾斜 部410之一半區域係與各延伸部420之第一末端接觸。 根據本發明上述實施例所述，探測針之延伸部係具有 足夠之能力吸收施加至探測卡之一外力，以使探測針與— 般之電極襯墊接觸，係與球狀之電極襯墊接觸一樣地容 易。另外，探測針係以垂直高密度的方式安裝於探測卡 35 200827728

File:TW4231F 上，以使探測卡可用於具有微間距圖樣之半導體元件的晶 粒電性篩選程序中。 再者，在探測針之一製造程序中，傾斜部係用以當作 是一蝕刻終止層。因此，不論犧牲基材之表面多大，延伸 部係以實質上具有相同之長度形成。除此之外，所有探測 針係在同一時間垂直地結合在探測卡上。 綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然 p 其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常 知識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種之 更動與潤飾。因此本發明之保護範圍，當視後附之申請專 利範圍所界定者為準。 36 200827728

File:TW4231F 【圖式簡單說明】 第1圖至第4圖分別给示根據本發明第一實施例的探 測針之圖示。 第1圖繪示根據本發明第一實施例的探測針之示意 圖。 第2圖繪示第1圖的探測針之平面圖。 弟3圖緣示第1圖的探測針之侧視圖。 (、 弟4圖繪示弟1圖的探測針之前視圖。 第5圖至第8圖分別繪示根據本發明第二實施例的探 測針之圖示。 第5圖繪示根據本發明第二實施例的探測針之示意 圖。 弟6圖績示第5圖的探測針之平面圖。 第7圖緣示第5圖的探測針之侧視圖。 第8圖繪示第5圖的探測針之前視圖。 I 第9圖至第12圖分別繪示根據本發明第三實施例的 探測針之圖示。 ' 第9圖繪示根據本發明第三實施例的探測針之示意 圖。 弟10圖緣示第9圖的探測針之平面圖。 弟11圖緣示第9圖的探測針之侧視圖。 第12圖繪示第9圖的探測針之前視圖。 第13圖至第16圖分別繪示根據本發明第四實施例的 探測針之圖示。 37 200827728

File:TW4231F 圖 圖 第13圖繪不根據本發明第四實施例的探測針之示意 第14圖繪示第13圖的探測針之平面圖。 第15圖繪示第13圖的探測針之侧視圖。 ，16圖繪示第13圖的探測針之前視圖。 第Π圖繪示依照本發明第五實施例的探測卡之截面 Γ: 第18圖至第31圖分別繪示形成第丨圖至第4圖探測 針的加工步驟之截面圖。 _第32圖及第33圖分別繪示根據本發明之實施例製造 —探測針結構的製程步驟之截面圖。 第34圖及第35圖分麟示製造第5圖至第8圖之探 測針的製程步驟之截面圖。 第36圖及第37圖分別繪示製造第9圖至第12圖之 缺測針的製程步驟之截面圖。 第38圖至第41圖分別繪示製造第13圖至第16圖之 抵測針的製程步驟之截面圖。 【主要元件符號說明】 100、200、300、400、534 :探測針 1〇1、201、301、401 :犧牲基材 102 :遮罩圖樣 :第一光阻圖樣 104、204、304、404 :溝槽 38 200827728

File:TW4231F 105、 205、405 :下光阻圖樣 106、 206、406 :上光阻圖樣 107、 207、407 :第二光阻圖樣 110、 210、310、410 :傾斜部 111、 311 :第三光阻圖樣 112、 312、412 ··開口 120、220、320、420 :延伸部 121 ··第四光阻圖樣 130、230、330、430 :本體 140 :探頭 150 :凸塊 160 :銲料 190 :探測結構 500 :探測卡 510 :連接部510 520 :印刷電路板 522 :第一輔助板 524、536、538 :拴件 526 :第二輔助板 528 :第三輔助板 532 :探頭 11、12、··長度 nref :參考法線向量 w :相同寬度 39 200827728

File:TW4231F

Claims (1)

1. 200827728 File:TW4231F 十、申請專利範圍·· 1· 一種探測斜，包括： 一柱狀外型之本體· 並自連::本體之-…， 得各：:::自===，-末端’使 地傾斜至兮矻本^ d底表面之一中心處向上 稱之至少二二 =側邊’以使該些傾斜部其中互相對 延伸部係項職之探崎，其中該些 ==:以使該些延伸部以-之字外型排列於該本體 延伸^31=範圍第1項所述之探測針，其中該些 些延伸部其中之—對彼此互相面對。扣域以使该 w L如t料抑_1顧敎_針，i中各兮 些麟部係完全地與各該些延伸部之該末端接觸 士申明專利|巳圍第i項所述之探 些傾斜部係部分地私餘延料线末•觸、。中各该 L如中料· _ 5項所述之探測針，其 t \奴—+區域係與各該纽伸部之該末端/ 7·—探測卡，包括： 印刷電路板（printed circuit board，PCB、6 ， ）包括至少 41 200827728 File:TW4231F 一通孔 性連接 多層電路（multilayer circuits)係由該通孔電 刷電姻峨件更自該印 :二其=接該彈性連接件-及 複’其係垂直地安裝於該探頭之-底部； 部，並自延伸部’其係對稱地連接該本體之一底 兀自忒本體之該底部向 端，使得減纽㈣之一^ 上地傾斜至該底端：：的該底端之-中心= 稱之至小一料、 u使該些傾斜部其中互相對 狀外型之方式被設置。 植私别針的製造方法，包括· 各 該些ί槽上以—條紋狀外型形成複數個溝槽’ 曰 負柒係大於其之一底端； 該些繼侧斜部’使# 實質上相同距離，係彼槽在-方向上以’ 之開口穿過該犧牲基材，以使各該些傾斜部 與對應=::::::1伸部’以使該些延伸部各自 '本體Θ本體係與設置於該些溝槽其中比鄰雨 42 200827728 File:TW4231F 者之相接侧壁下之該些延伸部接觸；以及 移除該犧牲基材。 ▲ 9.如申請專利範圍第8項所述之製造方法，其中在 該些溝槽内之該些傾斜部係以彼此間隔之方式設置，以使 該些傾斜部以一之字外型排列。 10.如申請專利範圍第8項所述之製造方法，其中該 些=内之該些傾斜部’係沿著該些溝槽的兩相對邊緣： 以具貝上相同之位置設置，以使至少該些傾斜部其中之一 對在該些溝槽内彼此互相面對。 如申請專利範圍f 8項所述之製造方法， 些傾斜部之該底部係分職由魅開Μ完全地暴露出Γ 12.如巾請翻第8項料之製造方法， 些傾斜部之該底部係分別經由該些開口而部分地暴霖出二 >13.如申請專利範圍第12項所述之製造方法 §玄些傾斜部之底部係分別前後相接至該些溝槽之底部、。 14·如Μ專㈣圍第8韻述之製造方法， 成该些溝槽之方式包括： 、乂 在該犧牲基材上形成-條紋狀外型之一遮罩 f射根^朗罩圖###是—铜遮罩，以—濕式钱刻# 私蝕刻该犧牲基材；以及 ^衣 自該犧牲基材移除該遮罩圖樣。 15.如申請專利範圍第8 成該些傾斜部之方式包括： 其中形 在具有該些溝槽之該犧牲基材上形成一種晶層； 43 200827728 File:TW4231F 形成-第-光阻圖樣，以使各該些溝槽之兩側壁的該 部=出’使得該種晶層之-顯現區域沿著各 μ二溝払以一貫質上相同距離間隔地排列； 以-電鑛製程於該種晶層之該顯現區域 一預設層； 乐 ▲平坦化該第-預設層，使得該第一預設層之一上表面 與该犧牲基材之一上表面形成一共同平面； ) 自該犧牲基材上移除該第-光阻圖樣，以使被該第一 光阻圖樣覆蓋之該種晶層暴露出；以及 自該犧牲基材移除暴露出之該種晶層。 &如中請專利範圍第15項所述之製造方法， 形成該種晶層之方式包括： 八甲 在忒犧牲基材上形成—第—金屬層 材及該種晶層之間的—附著力；以及 錢牲基 传用：:亥:；t屬層上形成一第二金屬層’該第二金屬層 係用以*作_延伸部之—成形製程的—種晶。 二Γ請專利範圍第16項所述之製造方法，其中 形成该些開口之方式包括： 护成5康該Γ頃斜部之預設區域，在該犧牲基材之底部上 材樣’以使對應各該些傾斜部的該犧牲基 一 "5亥第一光阻圖案被局部地顧現出；以及 犧牲光阻圖樣當作是―_遮罩局部地侧該 土 直至該種晶層被暴露出。 18.如申請專利範圍第17項所述之製造方法，其中 44 200827728 File:TW4231F 形成該些延伸部之方式包括： 以二於錢開口之該種Β日日層移除該第—金屬層； ^ ^ %鍍衣％在暴露於該些開°之該第二金屬層上 形成一弟二預設層；以及 自該犧牲基材移除該第二総圖樣。 19·如申請專利範圍第15項 形成該第—光阻圖樣之方式包括：11之錢方法”中

   ί 在該種晶層上形成一下光阻膜； 在/下光阻膜上形成一上光阻膜； 將》亥上光阻膜及該下光阻膜同時地曝光； 將已曝光之該上光阻膜顯影；以及 將已曝光之該下光阻膜顯影。 =0.如申請專利範圍第19項之製造方法，其 包括噴射光阻材料在該種晶層上，以及形成該 2 括在該下光阻層上黏附包括雜材料之一材 料層。 21·如申請專利範圍第8 成該本體之方式包括： 項所述之製造方法，其中形 ^該犧牲基材之底部及該些延伸部上形成-種晶層； 、賴牲基材之底部的該種晶層上形成—光阻圖 :乂使及二溝槽其中比鄰兩者之相接侧壁的該些延伸部 對應於顧日日層之區域藉由該光阻圖樣而被顯現出； 以一電鑛製程由該光阻圖樣而被顯現出之該種晶層 上形成一預設層； 45 200827728 File:TW4231F 自該犧牲基材上移除該光阻圖樣，以使被該光阻圖樣 覆蓋之該種晶層暴露出；以及 自該犧牲基材上移除暴露出之該種晶層。 22. —種探測針結構之製造方法，包括： 在一犧牲基材上形成一條紋狀外型之複數個溝槽，使 得各該些溝槽之一頂端係大於其之一底端； 在各該些溝槽之兩側壁上形成複數個傾斜部，該些傾 斜部以一實質上相同距離彼此間隔排列； 在該犧牲基材之一底部上形成複數個開口穿過該犧 牲基材，以使各該些傾斜部之一底端經由該些開口而被暴 露出； 在各該些開口中形成複數個延伸部，以使該些延伸部 係分別與該些傾斜部互相接觸； 形成一本體，該本體係與設置於該些溝槽其中比鄰兩 者之相接侧壁下之該些延伸部接觸； 在一探頭上形成複數個接觸凸塊；以及 移除該犧牲基材。 23. 如申請專利範圍22項所述之製造方法，其中形 成該些接觸凸塊之方式包括： 在該探頭之一底部上形成一種晶層； 形成一光阻圖樣使得對應於該些本體之該種晶層被 顯現出； 藉由一電鍍製程在被顯現之該種晶層上形成一金屬 層； 46 200827728 File:TW4231F 上表面與該探頭 平坦化該金屬層，使得該金屬層之 之5玄底部形成一共同平面· 自从碩上移除該光阻圖樣，以使被該光阻圖樣 之該種晶層被暴露出；以及 1 自该探頭上移除被暴露之該種晶層。 / 24·如申請專利範圍第22項所述之製造方法，其中 形成該些接觸凸塊之方式包括： 八 預備該些接觸凸塊；以及 將該些接觸凸塊與該探頭之該底部結合。 47