KR101181519B1

KR101181519B1 - 프로브 팁 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR101181519B1
Application number: KR1020100108636A
Authority: KR
Inventors: 박영근
Original assignee: (주)엠투엔
Priority date: 2010-11-03
Filing date: 2010-11-03
Publication date: 2012-09-10
Also published as: KR20120047014A

Abstract

본 발명은, 반도체 장치에 접촉하는 선단부, 및 상기 선단부로부터 연장 형성되는 몸체부를 포함하며, (a) 기판 상에 소정의 각도를 갖는 경사면을 형성하는 단계; (b) 상기 경사면을 갖는 기판 상에 상기 선단부 및 상기 몸체부의 형상에 대응하는 패터닝된 포토레지스트층을 형성하는 단계; (c) 상기 패터닝된 포토레지스트층에 근거하여 금속층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 기판을 제거하는 단계를 포함하되, 상기 선단부는 상기 기판의 상기 경사면이 아닌 면 상에 형성되고, 상기 몸체부는 상기 기판의 상기 경사면을 포함하는 면 상에 형성되는 프로브 팁의 제조방법을 제공한다.

Description

프로브 팁 및 그 제조방법{PROBE TIP AND THE PROCESS OF MANUFACTURE}

본 발명은 프로브 팁 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 프로브 팁이 웨이퍼 칩과의 빈번한 접촉에 의해 마모됨에 따라 프로브 팁의 선단부 단면의 면적이 증가하지 않으면서도 프로브 팁 선단부의 정밀도를 향상시킨 프로브 팁 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 프로브 카드는 반도체 메모리, 디스플레이 등의 반도체 소자 제조 공정 도중 또는 제조 공정을 완료한 이후에, 반도체 소자의 정상 및 불량 여부를 검사하기 위하여 사용되는 장치이다.

특히, 프로브 카드는 웨이퍼와 반도체 검사 장비를 전기적으로 연결시키고, 반도체 검사 장비로부터 인가된 전기적 신호를 웨이퍼 상의 반도체 소자에 전달하고 웨이퍼 상의 반도체 소자로부터의 응답 신호를 반도체 검사 장비에 전달하여 반도체 소자의 불량 여부를 검사한다.

프로브 카드는 다수개의 프로브 팁을 포함하는데, 현재 반도체 소자의 크기가 작아지게 되면서 웨이퍼 칩 패드의 크기 및 패드 간 간격(피치)도 작아지고 있기 때문에, 웨이퍼 칩에 컨택되는 프로브 팁 또한 미세화하기 위한 연구, 개발이 활발히 진행 중에 있다.

이러한 프로브 팁을 제조하는 방법으로는 소위 3차원 프로브 팁(3D 프로브 팁)의 제조 방법과 2차원 프로브 팁(2D 프로브 팁)의 제조 방법이 있다.

3D 프로브 팁이라 함은 웨이퍼 칩(DUT:Die Under Test)에 접촉하는 프로브 팁의 면이 프로브 팁을 제조하기 위한 기판, 즉, 희생 기판의 표면(상면 및 하면)과 평행한 방향으로 형성되는 것을 말하며, 2D 프로브 팁이라 함은 DUT에 접촉하는 프로브 팁의 면이 희생기판의 표면(상면 및 하면)과 수직 방향으로 형성되는 것을 말한다.

도 1a 내지 도 1g는 종래의 3D 프로브 팁을 제조하는 과정을 도시한 단면도이다.

도 1a에 도시된 바와 같이, 먼저, 희생 기판인 실리콘 웨이퍼(100)상에 실리콘 질화막(105)을 형성한다.

다음에, 도 1b에 도시된 바와 같이, 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정으로 실리콘 질화막(105)을 패터닝한다.

이 후, 도 1c에 도시된 바와 같이, 실리콘 질화막(105)이 형성된 실리콘 웨이퍼(100)를 에칭액에 담궈(dipping), 실리콘 웨이퍼(100)를 에칭하여 트렌치(120)를 형성한다.

이 후, 도 1d에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(100)상에 형성되어 있는 실리콘 질화막(105)을 인산 등을 이용하여 제거한다.

다음으로, 도 1e에 도시된 바와 같이, 트렌치(120) 부분을 제외한 실리콘 웨이퍼(100)상에 포토레지스트 층(130)을 형성한다.

다음으로 도 1f에 도시된 바와 같이, 트렌치(120)의 내부와 포토레지스트 층(130)에 의해 개구된 부분에 Ni 또는 NiCo, NiFe, NiW 등의 Ni 합금을 도금하여 프로브 팁의 선단부(140)를 형성한다. 여기서, 반도체 소자의 테스트 시 프로브 팁의 선단부(140)의 하면이 DUT와 접촉하는 면이 되는데, 이 면이 희생 기판(100)의 표면과 평행한 방향으로 형성되어, 소위 3D 프로브 팁이 된다.

다음에, 추가적인 포토리소그래피 공정을 통하여 프로브 팁의 몸체부(150)를 형성한 후, 희생 기판인 실리콘 웨이퍼(100)을 제거하거나, 또는 별도로 제작된 몸체부를 프로브 팁의 선단부와 본딩한 후, 희생 기판을 제거함으로써, 프로브 팁이 완성된다(도 1g 참조).

이러한 3D 프로브 팁은 다수회의 포토리소그래피 공정을 통해 제조되므로, 제조비용이 비쌀 뿐만 아니라, 프로브 팁을 DUT와 접촉하면 접촉할수록 프로브 팁의 선단부가 마모되어 그 단면이 점점 커짐으로써, 프로브 팁의 수명이 짧다는 단점이 있다.

한편, 2D 프로브는 전술한 바와 같이, DUT와 접촉하는 프로브 팁의 면이 희생 기판의 표면과 수직한 방향으로 형성되는 것을 말하는 데, 이는 포토리소그래피 공정에 있어서 마스크의 형상으로써 프로브 팁의 형상을 제어할 수 있으므로, 프로브 팁의 선단부 및 몸체부를 일거에 형성할 수 있다는 점에서 장점이 있다.

도 2a는 2D 프로브 팁의 사시도이며(몸체부는 생략함), 도 2b는 2D 프로브 팁의 측면도이다.

그러나, 이 역시 DUT와 다수회 접촉하면 프로브 팁의 선단부 높이 L1이 짧아지게 되고, L1이 짧아질수록, 프로브 팁의 단면이 커져, 결국 프로브 팁의 선단부가 예리하지 않게 됨으로 인해 프로브 팁의 수명이 단축된다.

한편, 프로브 팁의 선단부 단면의 면적을 소정의 크기로 줄이기 위한 방법으로서, 프로브 팁의 선단부 부분을 샌딩 또는 기타 기계작업에 의해 가공하는 방법도 있다.

도 2c는 기계적 수단을 통해 프로브 팁의 선단부를 가공하기 전과 가공한 후의 형상을 도시한 평면도이다. 도 2c에 도시된 바와 같이, 단면이 직사각형 형상인 프로브 팁의 선단부를 샌딩 등의 기계작업을 통해 단면이 정사각형 형상인 프로브 팁의 선단이 되도록 가공할 수 있다.

그러나, 이러한 경우, 프로브 팁의 선단부 단면의 면적을 더 작게 형성할 수 있다는 장점은 있지만, 샌딩 또는 기계작업에 따른 가공 정밀도가 현저하게 떨어진다는 문제점이 있다.

따라서, 샌딩 등의 기계 작업을 수행하지 않으면서 프로브 팁의 선단부를 예리하게 형성하는 프로브 팁의 기술 개발이 절실히 요망되는 상황이다.

본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 프로브 팁의 마모에 따라 프로브 팁의 선단부 단면의 면적이 증가하지 않도록 일정한 크기의 단면의 면적을 갖는 프로브 팁 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의하면, 반도체 장치에 접촉하는 선단부, 및 상기 선단부로부터 연장 형성되는 몸체부를 포함하며, (a) 기판 상에 소정의 각도를 갖는 경사면을 형성하는 단계; (b) 상기 경사면을 갖는 기판 상에 상기 선단부 및 상기 몸체부의 형상에 대응하는 패터닝된 포토레지스트층을 형성하는 단계; (c) 상기 패터닝된 포토레지스트층에 근거하여 금속층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 기판을 제거하는 단계를 포함하되, 상기 선단부는 상기 기판의 상기 경사면이 아닌 면 상에 형성되고, 상기 몸체부는 상기 기판의 상기 경사면을 포함하는 면 상에 형성되는 프로브 팁의 제조방법을 제공한다.

상기 (a) 단계는, 상기 기판을 이방성 에칭액으로 습식 에칭하는 단계를 포함하며, 상기 선단부는 습식 에칭되지 않은 영역에 형성되고, 상기 몸체부는 습식 에칭된 영역에 형성될 수 있다.

상기 이방성 에칭액은 KOH 용액 또는 TMAH 용액일 수 있다.

상기 기판은 {100} 실리콘 웨이퍼이며, 상기 각도는 54.7°일 수 있다.

상기 (a) 단계를 수행하기 전에 상기 기판 상에 패터닝된 마스크층을 형성할 수 있다.

상기 마스크층은 질화막층일 수 있다.

(f) 상기 (b) 단계를 수행하기 전에 상기 기판 상에 시드층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 시드층은 금 또는 구리 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.

상기 (c) 단계에서 상기 금속층은 Ni 또는 Ni 합금 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.

(g) 상기 (d) 단계를 수행하기 전 상기 포토레지스트층의 높이에 대응하도록 상기 금속층을 연마하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 (f) 단계에서 상기 금속층은 화학적 기계적 연마(CMP: Chemical Mechanical Polishing) 공정에 의해 연마될 수 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의하면, 반도체 장치와 접촉하는 선단부; 및 상기 선단부로부터 연장되며, 경사면을 갖는 몸체부를 포함하되, 상기 선단부의 적어도 하나의 일면은 상기 몸체부의 적어도 하나의 일면과 동일 선상에 형성될 수 있다.

상기 선단부는 길이 방향에 교차하는 단면적이 전 구간에 걸쳐 실질적으로 동일하게 형성될 수 있다.

본 발명은 프로브 팁의 마모에 따라 프로브 팁의 선단부 단면의 면적이 증가하지 않는 일정한 크기의 단면의 면적을 갖는 프로브 팁 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.

도 1a 내지 도 1g는 종래의 프로브 팁을 제조하는 과정을 도시한 단면도이다.
도 2a는 종래의 프로브 팁을 도시한 사시도이다.
도 2b는 도 2a의 DUT와 접촉하는 측에서 바라 본 측면도이다.
도 2c는 기계적 수단을 통해 프로브 팁의 선단부를 가공하기 전과 가공한 후의 형상을 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 프로브 팁 제조방법의 블록도이다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명에 따른 프로브 팀의 제조과정이 도시된 단면도이다.
도 5는 도 3에 따라 제조된 프로브 팁의 사시도이다.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

본 발명에서 예컨대 “A 상에 B를 형성한다”라고 함은 A 위에 직접적으로 B를 형성하는 것뿐만 아니라, A 위에 C가 있고 C 위에 B를 형성하는 것도 포함하는 것이다.

도 3은 본 발명에 따른 프로브 팁 제조방법의 블록도이며, 도 4a 내지 도 4i는 본 발명에 따른 프로브 팀의 제조과정이 도시된 단면도이고, 도 5는 도 3에 따라 제조된 프로브 팁의 사시도이다.

도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 팁 제조과정에 대해 살펴보기로 한다.

우선, 도 4a에 도시된 바와 같이 기판(310) 상에 마스크층(320)을 형성하는 단계가 이루어지는데, (S210 단계) 여기서 기판(310)은 {100} 실리콘 웨이퍼 기판(310)이며, 마스크층(320)은 질화막층(320)이다.

실리콘 기판(310) 상에 형성되는 마스크층(320) 즉, 질화막층(320)은 저압식 화학증착방법(LPCVD)에 의해서 형성된다. 한편, 마스크층(320)이 질화막층(320)으로 형성되는 이유는 습식 에칭 과정에서 마스크층(320)이 쉽게 식각되는 것을 방지하기 위해서이다.

실리콘 기판(310) 상에 질화막층(320)이 형성된 후에는 도 4b에 도시된 바와 같이 질화막층(320)의 상측에 제1 포토레지스트층(330)을 형성하고 형성된 제1 포토레지스트층(330)을 패터닝하는 단계가 이루어진다. (S215 단계)

여기서 제1 포토레지스트층(330)을 형성하는 방법은 스핀 코팅(Spin Coating) 방식을 이용할 수 있는데 이는 실리콘 기판(310)을 회전시키면서 실리콘 기판(310) 상에 포토레지스트를 분사 코팅하는 방식이다.

실리콘 기판(310) 상에 분사된 포토레지스트는 자외선 노광 장치 등에 의해 노광하고, 노광된 포토레지스트층에 현상 공정을 수행함으로써 패터닝 된 제1 포토레지스트층(330)을 형성하게 된다.

그리고 도 4d에 도시된 바와 같이 패터닝된 제1 포토레지스트층(330) 을 기준으로 질화막층(320)을 에칭하는 단계가 이루어지고, (S220 단계) 그 후 질화막층(320)의 상측에 패터닝 된 제1 포토레지스트층(330)을 제거하는 단계가 이루어진다(S225 단계)

제1 포토레지스트층(330)의 제거는 애싱(ashing) 또는 습식 제거 공정을 이용하거나 O₂ 플라즈마 방법이나 황산과 과산화수소 혼합 용액을 이용할 수도 있다.

제1 포토레지스트층(330)이 제거되고 난 후에는 도 4e에 도시된 바와 같이 질화막층(320)을 기준으로 실리콘 기판(310)을 습식 에칭하는 단계가 이루어진다. (S230 단계)

실리콘 기판(310)을 습식 에칭할 때에는 서로 다른 방향으로 에칭이 이루어지는 이방성 에칭액을 이용하는데 본 실시예에서는 KOH 용액을 이용하여 실리콘 기판(310)을 에칭하고 실리콘 기판(310)은 KOH 용액에 의해서 도면에 도시된 바와 같은 경사면(311)이 형성된다. 이와 달리, TMAH 용액을 이용하여 실리콘 기판(310)을 에칭할 수도 있다.

예컨대, 경사면(311)은 실리콘 기판(310)이 본실시예와 같은 {100} 실리콘 웨이퍼인 경우, 54.7°의 경사면을 이루게 된다.

KOH 용액을 이용하여 실리콘 기판(310)을 에칭(식각)함에 따라 프로브 팁(300)의 몸체부(30)의 높이가 결정되는데 본 실시예에서는 38~39um 정도의 깊이로 실리콘 기판(310)을 에칭(식각)한다.

실리콘 기판(310)을 에칭하는 단계가 이루어진 후에는 도 4f에 도시된 바와 같이 실리콘 기판(310)의 상측에 형성되어 있던 질화막층(320)을 제거한 후 시드층(340)을 형성하는 단계가 이루어진다. (S235 단계)

여기서 실리콘 기판(310)의 상측에 형성된 질화막층(320)을 제거할 때에는 불산 또는 인산 용액을 이용하여 질화막층(320)을 제거할 수 있다.

실리콘 기판(310)에 시드층(340)을 형성하는 것은 후술된 금속층(360)을 형성하는 공정을 수행함에 있어서 금속막이 보다 효과적으로 증착되도록 도와주기 위함이다.

즉 시드층(340) 없이 실리콘 기판(310) 상에 금속층(360)의 도금 공정을 진행하게 되면 금속막이 실리콘 기판(310) 상에 증착되기 어렵고, 또 증착되더라도 실리콘 기판(310)과 쉽게 분리될 우려가 있다는 문제가 발생한다.

따라서 실리콘 기판(310) 상에 직접적으로 금속층(360)을 형성하는 공정을 진행하는 것이 아니라, 먼저 실리콘 기판(310) 상에 시드층(340)을 증착하고 이 시드층(340)의 상부에 금속막을 증착시키는 것이 더욱 효과적이다.

실리콘 기판(310) 상에 형성되는 시드층(340)은 금 또는 구리 등이 사용될 수 있으며, 시드층(340)은 이베퍼레이션(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 등의 일반적인 반도체 제조 과정에 사용되는 물리적 진공증착법을 이용하여 형성될 수 있다.

시드층(340)까지 형성된 실리콘 기판(310)에는 도 4g에 도시된 바와 같이 제2 포토레지스트층(350)을 형성한 후 제2 포토레지스트층(350)을 패터닝 하는 단계가 이루어진다. (S240 단계)

제2 포토레지스트층(350)은 제1 포토레지스트층(330)이 형성되고 패터닝되는 단계와 마찬가지로 제2 포토레지스트층(350)을 전체적으로 증착하고, 소정의 패턴을 가지는 마스크를 이용하여, 노광 및 현상 공정을 통해 패터닝 된 제2 포토레지스트층(350)을 형성한다.

이에 따라 도 4g에 도시된 바와 같이 패터닝 된 제2 포토레지스트층(350)의 사이에 선단부(10)와 몸체부(30)가 형성될 공간이 형성된다.

그리도 도 4h에 도시된 바와 같이 패터닝 된 제2 포토레지스트층(350)을 기준으로 금속층(360)을 형성하는 단계가 이루어진다. (S245 단계)

금속층(360)은 Ni 또는 Ni 합금을 이용하며 도금 공정을 통해 형성하였으나, 도금 공정 이외에 화학적 기상 증착법(CVD) 또는 물리적 기상 증착법(PVD) 등의 다양한 방법을 이용할 수 있음은 물론이다.

이때 실리콘 기판(310) 상의 에칭되지 않은 영역에 프로브 팁의 선단부(10)가 형성되고, 실리콘 기판(310) 상의 에칭된 영역(경사면 포함)에 프로브 팁의 몸체부(30)가 형성된다. 즉, 프로브 팁의 선단부(10)는 실리콘 기판(310)의 경사면이 아닌 면 상에 형성되고, 몸체부(30)는 실리콘 기판(310)의 경사면을 포함하는 면 상에 형성된다.

금속층(360)이 형성되는 단계가 이루어진 후에는 금속층(360)의 평탄도를 제2 포토레지스트층(350)과 맞추기 위해 금속층(360)을 연마하는 단계가 이루어진다. (S250 단계)

금속층(360)은 화학적 기계적 연마(CMP: Chemical Mechanical Polishing) 공정으로 금속층(360)의 표면을 평탄화한다. 일반적으로 CMP 공정은 기판(310) 상에 형성된 산화막 등을 평탄화시키기 위한 방법으로서, 보통 폴리싱 패드와 기판이 다른 회전 속도로 회전하여 상대 회전 운동하면서 마찰되고, 폴리싱 패드와 기판 사이에 연마를 촉진하기 위하여 슬러리(slurry)가 공급된다.

금속층(360)을 연마하는 단계까지 이루어진 후에는 마지막으로 제2 포토레지스트층(350)과 시드층(340) 및 실리콘 기판(310)을 제거하는 단계가 이루어지고. (S260 단계) 제2 포토레지스트층(350)과 시드층(340) 및 실리콘 기판(310)을 제거하게 되면 도 4i에 도시된 바와 같이 프로브 팁(300)이 완성된다.

제2 포토레지스트층(350)은 제1 포토지스트층(330)과 동일하게 애싱(ashing) 또는 습식 제거 공정을 이용하거나 O₂ 플라즈마 방법이나 황산과 과산화수소 혼합 용액을 이용하여 제거할 수 있다.

그리고 습식 에칭 공정을 통하여 시드층(340)과 남아있는 실리콘 기판(310)을 완전히 제거할 수 있다.

도 5는 전술한 바와 같은 제조 공정을 통해 완성된 프로브 팁(300)의 사시도이다.

도 5에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따라 제조된 프로브 팁(300)은 선단부(10)와 선단부(10)로부터 연장 형성된 몸체부(30)를 포함하고 있으며, 도면을 통해 보는 바와 같이, 선단부(10)의 적어도 일면과 몸체부(30)의 적어도 일면은 동일 선상에 형성되어 있어 종래의 프로브 팁과는 달리 선단부(10)와 몸체부(30)의 적어도 일면은 단차없이 형성된다.

또한, 도면을 통해 보는 바와 같이 본 실시예에 따른 프로브 팁(100)의 선단부(10)는 그 단면이 실질적으로 정사각형의 형태를 갖고 있으며, 선단부(10)의 단면의 면적이 선단부의 길이 방향을 따라 전 구간에 걸쳐 실질적으로 동일하게 형성되어 있다.

즉, 프로브 팁(300)의 선단부(10)의 가로 방향 길이는 제2 포토레지스트(350)층의 형상을 패터닝 함으로써 제어 가능하고, 또한 선단부(10)의 세로 방향 길이는 제2 포토레지스트(350)층의 두께 또는 금속층(360)의 도금 공정을 제어 함으로써 조절 가능하므로, 실질적으로 정사각형의 단면을 갖는 프로브 팁(300)의 선단부(10)의 제작이 가능해진다.

따라서 본 실시예에 따라 제조된 프로브 팁(300)의 선단부(10)와 웨이퍼 칩의 빈번한 접촉에 의해 프로브 팁(300)의 선단부(10)가 마모되어도 선단부(10) 단면의 면적이 변화되지 않아 프로브 팁(300)의 수명이 증가하는 효과를 얻을 수 있다.

또한 프로브 팁(300)의 선단부(10)를 형성하기 위해 KOH 용액 등의 이방성 에칭액의 특성을 이용하여 경사면(311)을 형성할 수 있어 정교한 프로브 팁(300)을 제조할 수 있으며, 프로브 팁(300)을 대량 생산하는 경우에도 일정한 프로브 팁(300) 형상을 얻을 수 있는 효과가 있다.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

10: 선단부 30: 몸체부
300: 프로브 팁 310: 기판
320: 마스크층 330: 제1 포토레지스트층
340: 시드층 350: 제2 포토레지스트층
360: 금속층

Claims

반도체 장치에 접촉하는 선단부, 및 상기 선단부로부터 연장 형성되는 몸체부를 포함하는 프로브 팁을 제조하는 방법에 있어서,
(a) 기판 상에 소정의 각도를 갖는 경사면을 형성하는 단계;
(b) 상기 경사면을 갖는 기판 상에 상기 선단부 및 상기 몸체부의 형상에 대응하는 패터닝된 포토레지스트층을 형성하는 단계;
(c) 상기 패터닝된 포토레지스트층에 근거하여 금속층을 형성하는 단계; 및
(d) 상기 기판을 제거하는 단계를 포함하되,
상기 선단부는 상기 기판의 상기 경사면이 아닌 면 상에 형성되고, 상기 몸체부는 상기 기판의 상기 경사면을 포함하는 면 상에 형성되는 프로브 팁의 제조방법.
제 1 항에 있어서,
상기 (a) 단계는,
상기 기판을 이방성 에칭액으로 습식 에칭하는 단계를 포함하며,
상기 선단부는 습식 에칭되지 않은 영역에 형성되고, 상기 몸체부는 습식 에칭된 영역에 형성되는 프로브 팁 제조방법.
제 2 항에 있어서,
상기 이방성 에칭액은 KOH 용액 또는 TMAH 용액인 프로브 팁 제조방법.
제 1 항에 있어서,
상기 기판은 {100} 실리콘 웨이퍼이며, 상기 각도는 54.7°인 프로브 팁 제조방법.
제 1 항에 있어서,
상기 (a) 단계를 수행하기 전에 상기 기판 상에 패터닝된 마스크층을 형성하는 단계를 더 포함하는 프로브 팁 제조방법.
제 5 항에 있어서,
상기 마스크층은 질화막층인 프로브 팁 제조방법.
제 1 항에 있어서,
(e) 상기 (b) 단계를 수행하기 전에 상기 기판 상에 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 프로브 팁 제조방법.
제 7 항에 있어서,
상기 시드층은 금 또는 구리 중 적어도 하나의 물질로 이루어지는 프로브 팁 제조방법.
제 1 항에 있어서,
상기 (c) 단계에서 상기 금속층은 Ni 또는 Ni 합금 중 적어도 하나의 물질로 이루어지는 프로브 팁 제조방법.
제 1 항에 있어서,
(f) 상기 (d) 단계를 수행하기 전 상기 포토레지스트층의 높이에 대응하도록 상기 금속층을 연마하는 단계를 더 포함하는 프로브 팁 제조방법.
제 10 항에 있어서,
상기 (f) 단계에서 상기 금속층은 화학적 기계적 연마(CMP: Chemical Mechanical Polishing) 공정에 의해 연마되는 프로브 팁 제조방법.
프로브 팁에 있어서,
반도체 장치와 접촉하는 선단부; 및
상기 선단부로부터 연장되며, 경사면을 갖는 몸체부를 포함하되,
상기 선단부의 적어도 하나의 일면은 상기 몸체부의 적어도 하나의 일면과 동일 선상에 형성되는 프로브 팁.
제 12 항에 있어서,
상기 선단부는 길이 방향에 교차하는 단면적이 전 구간에 걸쳐 동일하게 형성되는 프로브 팁.