KR100736776B1 - 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법 및 이로부터 제조된프로브 카드용 접촉 소자 - Google Patents

프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법 및 이로부터 제조된프로브 카드용 접촉 소자 Download PDF

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    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor

Abstract

본 발명의 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법은 상기 프로브 카드용 접촉 소자가 형성되는 배선부 부위를 제외하도록 제1 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 배선부 상에 금속 범프를 형성하는 단계; 상기 제1 포토레지스트층을 제거하는 단계; 상기 제1 포토레지스트층 대신에 희생 금속 층을 상기 금속 범프의 높이로 형성하는 단계; 상기 금속 범프의 상부로부터 일방향으로 연장되는 막대 모양의 공간을 제외하도록 제2 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및 상기 막대 모양의 공간에 금속 빔을 형성하는 단계;를 포함한다. 여기서 상기 금속 빔은 상기 금속 범프에 직접 접촉하도록 형성된다.
본 발명의 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에 의하면 금속 범프 상에 금속 빔을 정확히 형성할 수 있으며, 금속 빔이 금속 범프로부터 탈착되는 것을 방지할 수 있다.
프로브 카드, 접촉 소자

Description

프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법 및 이로부터 제조된 프로브 카드용 접촉 소자{Method for producing contact element of probe card and contact element of probe card produced from the same}
도 1 내지 도 4는 종래 기술에 의한 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법을 개략적으로 보여준다.
도 5 내지 도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법을 개략적으로 보여준다.
본 발명은 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법 및 이로부터 제조된 프로브 카드용 접촉 소자, 특히 웨이퍼 프로빙 장치(wafer probing machine)의 프로브 카드에 사용되는 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법 및 이로부터 제조된 프로브 카드용 접촉 소자에 관한 것이다.
웨이퍼 프로빙 장치는 웨이퍼 상에 형성되어 있는 각 개별 반도체 칩들을 프로브 카드를 이용하여 전기적으로 테스트하는 장치이며, 프로브 카드용 접촉 소자는 각 개별 반도체 칩들의 금속 패드에 접촉하여 테스트가 수행될 수 있도록 한다.
이렇게 웨이퍼 상의 각 개별 반도체 칩의 전기 테스트를 수행하기 위한 프로브 카드의 접촉 소자는 일반적으로 침 형태로 사용되며('프로브 침' 이라고도 한다), 이러한 접촉 소자는 프로브 카드에 각각 실장되어 사용된다. 그러나 침 형태의 접촉 소자를 프로브 카드에 일일이 실장하는 것은 그 제조 시간, 및 경비 측면에서 바람직하지 않다.
따라서 프로브 카드 용 접촉 소자를 반도체 식각 기술을 통하여 한번에 제조하는 방법이 연구되고 있다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 반도체 식각 기술을 이용한 종래의 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법을 구체적으로 살펴본다.
먼저, 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 기판(10)에 제1 시드 층(20)을 적층한다.
그 후, 제1 시드 층(20) 상에 프로브 카드용 접촉 소자의 범프(bump)에 대응하는 공간을 제외하도록 패터닝하여 포토레지스트층(30)을 형성한다.
구체적으로, 제1 시드 층(20)상에 포토레지스트 층(30)을 형성한 후, 범프(40) 형성 부위에 대응하도록 패턴 모양이 형성된 마스크(도시 하지 않음)를 이용하여 포토 리소그라피를 수행하여 범프(40) 형성 부위에 대응하는 포토레지스트 층(30)을 선택적으로 경화시키고, 경화된 포토레지스트 층(30)을 식각 용액으로 선택적으로 식각하여 제거함으로써 범프 형성 부위가 제외되도록 패터닝된 포토레지스트층(30)을 수득한다.
그 후, 포토레지스트 층(30)이 선택적으로 식각 제거되어 형성된 범프(40) 형성 부위에 전기 도금 방법을 이용하여 금속을 범프(40) 형상으로 형성한다. 그 후 범프(40) 표면의 평탄화를 위해 화학 기계적 연마(CMP)를 수행한다.
이러한 포토레지스트 층(30) 형성, 포토리소그라피 공정, 금속 범프(40) 형성, 및 화학 기계적 연마 공정은 범프(40)가 목적하는 높이에 도달할 때 까지 반복하여 수행한다.
이와 같이 범프(40)가 목적하는 높이에 도달하면, 도 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 포토레지스트 층(30)과 금속 범프(40) 위에 제2 시드 층(50)을 형성한다.
그 후, 프로브 카드용 접촉 소자의 빔(beam)에 대응하는 공간을 제외하도록 패터닝하여 포토레지스트층(60)을 형성한다. 이와 같은 패터닝된 포토레지스트층(60)의 형성 방법은 앞서 패터닝된 포토레지스트층(30)의 형성방법과 유사하게 수행된다.
그 후, 생성된 프로브 카드용 접촉 소자의 빔에 대응하는 공간에 전기 도금 방법을 이용하여 금속을 빔(70) 형상으로 형성한다.
그 후, 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 프로브 카드용 접촉 소자의 팁에 대응하는 공간을 제외하도록 패터닝하여 포토레지스트 층(80) 형성하고, 프로브 카드용 접촉 소자의 팁에 대응하는 공간에 전기 도금 방법을 이용하여 금속을 팁(90) 형상을 형성한다.
그 후, 적절한 식각 용액을 이용하여 포토레지스트 층(30, 60, 80), 제1, 제2 시드층(seed layer)(20, 50)을 에칭하여 제거하여 도 4에 도시된 목적하는 프로브 카드용 접촉 소자를 수득한다.
그런데, 이와 같은 종래 기술에 따른 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에 의하면, 목적하는 높이의 범프(40)를 형성하기 위해 포토레지스트 층(30) 형성, 포토리소그라피 공정, 금속 범프(40) 형성, 및 화학 기계적 연마 공정을 수회 반복해야 한다.
그런데, 포토레지스트 층(30)을 수회 반복하여 형성하는 도중에, 패턴 의존성과 히트 사이클에 따른 점성 차이에 의해 포토레지스트 층(30) 사이에 버블이 발생할 수 있으며, 이렇게 발생한 버블은 차후 화학 기계적 연마 공정 중에 크랙을 유발할 수 있다. 이렇게 발생한 버블 및 크랙은 포토 리소그라피 공정에 의한 패터닝 공정시 정확한 패턴 형성을 방해할 수 있다.
또한, 종래 기술에 따른 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법은 금속 빔(70)의 형성을 위해 금속 성분의 제2 시드층(50)을 형성해야 하는데, 위와 같이 생성된 버블 및 크랙은 제2 시드층(50)과 범프(40)와의 접촉력을 크게 저하시킬 수 있다.
또한, 위와 같은 원인으로 생성된 크랙 또는 버블 등에 포토레지스트층(30, 60)의 제거시 이용되는 식각 용액들이 스며들어 스웰링을 발생시켜 금속 빔(70)을 범프(40)로부터 탈착 시킬 수 있다.
이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 반복하여 형성된 포토레지스트층으로부터 발생하는 버블 및 크랙을 제거함으로써 목적하는 모양의 금속 빔을 정확히 금속 범프에 부착하여 형성할 수 있는 프로브 카드용 접촉 소자 의 제조 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에 따라 제조되어, 금속 빔과 금속 범프가 직접적으로 접촉되어 형성된 프로브 카드용 접촉 소자를 제공하고자 한다.
상기와 같은 기술적 과제의 해결을 위한, 본 발명의 한 특징에 따른 본 발명의 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법은 상기 프로브 카드용 접촉 소자가 형성되는 배선부 부위를 제외하도록 제1 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 배선부 상에 금속 범프를 형성하는 단계; 상기 제1 포토레지스트층을 제거하는 단계; 상기 제1 포토레지스트층 대신에 희생 금속 층을 상기 금속 범프의 높이로 형성하는 단계; 상기 금속 범프의 상부로부터 일방향으로 연장되는 막대 모양의 공간을 제외하도록 제2 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및 상기 막대 모양의 공간에 금속 빔을 형성하는 단계;를 포함한다. 여기서 상기 금속 빔은 상기 금속 범프에 직접 접촉하도록 형성된다.
또한 본 발명의 또 다른 특징에 따른 프로브 카드용 접촉 소자는 회로 기판으로부터의 전기적 신호를 전달하는 배선부; 상기 배선부 상에 전기 도금 방식으로 형성된 금속 범프; 상기 금속 범프 상에 전기 도금 방식으로 형성되며, 상기 금속 범프로부터 소정의 거리만큼 일 방향으로 연장되어 있는 막대 모양으로 형성된 금속 빔; 상기 금속 빔의 상부에 돌출되어 형성된 금속 팁을 포함한다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
이하, 도 5 내지 10을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에 대하여 구체적으로 살펴본다.
먼저, 기판(100)상에 시드 층(200)을 형성한다. 여기서, 기판(100)으로는 프로브 카드용 접촉 소자에 전기적으로 연결되는 회로가 형성된 회로 기판이 이용되며, 바람직하게는 스페이스 트랜스포머를 사용한다. 이때 기판(100)은 그 상부에 배선부(110)가 구비되어 있는데, 상기 배선부(110)에 프로브 카드용 접촉 소자가 형성되게 된다. 따라서 기판(100)은 배선부(110)를 통해 프로브 카드용 접촉 소자에 전기적 신호를 전달하게 된다. 배선부(110)는 바람직하게는 후술될 금속 범프(400) 및 금속 빔(700)과 동일한 금속으로 형성된다.
시드 층(200)은 기판(100) 상에 스퍼터링 방법을 이용하여 증착될 수 있다. 시드 층(200)은 후술될 희생 금속 층(500)의 형성을 위해 금속 재질로 형성되며, 시드 층(200)에 사용되는 금속으로는 후술될 금속 범프(400) 및 금속 빔(700)에 대하여 소정의 식각 용액으로 선택적으로 식각될 수 있는 금속을 이용한다. 바람직하게는 시드 층(200)으로는 티타늄(Ti) 또는 구리(Cu)가 이용된다.
그 후, 시드 층(200) 상에 상기 배선부(110) 부위가 제외되도록 패터닝된 포토레지스트층(300)을 형성한다.
구체적으로, 시드 층(200)상에 포토레지스트 층(300)을 형성한 후, 상기 배선부(110) 부위에 대응하도록 패턴이 형성된 마스크(도시 하지 않음)를 이용하여 포토리소그라피를 수행하여 상기 배선부(110) 부위에 대응하는 포토레지스트 층(300)을 선택적으로 경화시키고, 경화된 포토레지스트 층(300)을 식각 용액으로 선택적으로 식각하여 제거함으로써 상기 배선부(110) 부위가 제외되도록 패터닝된 포토레지스트층(300)을 수득한다.
그 후, 상기 배선부(110) 부위에 형성된 시드 층(200)을 습식 에칭법으로 제거한다. 이때, 시드 층(200)이 구리로 형성된 경우, 식각 용액으로 증류수: 수산화 암모늄: 과산화 수소로 이루어진 용액을 이용하며, 시드 층(200)이 티타늄으로 형성된 경우 식각 용액으로 HF를 이용한다.
이렇게 시드 층(200)이 선택적으로 식각 제거되면, 상기 배선부(110)가 노출되게 된다. 이렇게 노출된 배선부(110)에는 그 상부에 프로브 카드 용 접촉 소자가 형성되게 된다.
그 후, 포토레지스트 층(300)과 시드 층(200)이 선택적으로 식각 제거되어 노출된 상기 배선부(110) 부위에 전기 도금 방법을 이용하여 금속을 채워 넣어 금속 범프(400)를 형성한다. 이때 금속 범프(400)의 형성을 위해 사용되는 금속으로는 바람직하게는 니켈 또는 니켈 합금을 이용한다. 그 후, 형성된 금속 범프(400)의 표면을 화학 기계적 연마하여 평탄 화한다.
일반적으로 한번의 전기 도금으로 금속 범프(400)를 원하는 높이로 수득할 수 없으므로, 금속 범프(400)가 원하는 높이에 이를 때 까지 위와 같은 포토레지스 트 층(300) 형성, 포토리소그라피 공정, 금속 범프(400) 형성, 및 화학 기계적 연마를 반복하여 수행한다.
도 5는 포토레지스트 층(300) 사이에 금속 범프(400)가 형성된 모습을 보여준다. 도 5에는 포토레지스트 층(300)이 단일 층인 것으로 도시되어 있으나, 포토레지스트 층(300)은 앞서 설명한 바와 같이 반복되어 형성된 복수개의 포토레지스트 층이 모여져 이루어진다.
그 후, 포토레지스트 층(300)을 제거한다.
포토레지스트 층(300)의 제거는 포토레지스트 층을 선택적으로 식각시키는 식각 용액을 통해 이루어질 수 있으나, 포토레지스트 층(300)의 종류에 따라 스트립(strip) 방법으로 제거될 수 있다. 이와 같이 스트립 방법으로 제거하기 위해서는 포토레지스트 층(300)으로 제거(예를 들어, lift off)가 용이한 드라이 필름 등을 사용한다. 이러한 드라이 필름은 특별히 한정되지 않으며 통상의 드라이 필름을 사용할 수 있다.
도 6은 포토레지스트 층(300)이 제거된 모습을 보여준다.
그 후, 전기 도금 방법을 이용하여 시드 층(200) 전면에 희생 금속 층(500)을 금속 범프(400)의 높이로 형성한다. 이때, 금속 범프(400) 위에도 희생 금속 층(500)이 생성되므로, 금속 범프(400) 위에 형성된 희생 금속 층(500)을 화학 기계 연마하여 금속 범프(400)의 표면을 노출 시킨다.
여기서, 희생 금속 층(500)으로는 금속 범프(400) 및 후술된 금속 빔(700)에 대하여 소정의 식각 용액으로 선택적으로 식각될 수 있는 금속이 바람직하게 사용 된다. 따라서 생성되는 희생 금속 층(500)으로는 시드 층(200)에서와 같이 구리(Cu)가 바람직하게 사용된다.
도 7은 희생 금속층(500)이 형성된 모습을 보여준다.
이와 같이 본 발명의 실시예에서는 원하는 높이의 금속 범프(400)를 형성하기 위해 수회 반복되어 형성된 포토레지스트 층(300)을 제거하므로, 포토레지스트 층(300) 사이에 발생되었을 버블 또는 크랙 또한 동시에 제거된다.
따라서 종래 기술과 같이 포토레지스트 층(300) 사이에 발생한 버블 또는 크랙에 의한 악 영향이 발생하지 않게 된다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에서는 희생 금속 층(500)을 사용하므로, 전기 도금 방법으로 금속 빔(700)을 형성하기 위한 별도의 시드 층을 필요로 하지 않게 된다.
그 후, 금속 범프(400)의 상부로부터 일 방향으로 연장되는 막대 모양의 공간을 제외하도록 패터닝하여 포토레지스트층(600)을 형성한다. 여기서 막대 모양의 공간은 프로브 카드용 접촉 소자의 빔에 대응한다. 이와 같은 패터닝된 포토레지스트층(600)의 형성 방법은 앞서 설명한 포토레지스트층(300)의 형성방법과 유사하게 수행될 수 있으므로 여기서는 생략한다.
그 후, 생성된 프로브 카드용 접촉 소자의 빔에 대응하는 공간에 전기 도금 방법을 이용하여 금속을 빔(700) 형상으로 형성한다.
이때 금속 빔(700)의 형성을 위해 사용되는 금속으로는 바람직하게는 니켈 또는 니켈 합금을 이용한다. 이때, 금속 범프(500)의 형성에 사용된 것과 동일한 금속이 특히 바람직하게 사용된다.
이와 같이 본 발명의 실시예에 따르면 금속 빔(700)은 금속 범프(400)로부터 직접 전기 도금 방법으로 성장하여 형성된다.
따라서 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드 용 접촉 소자의 제조 방법으로 제조된 프로브 카드용 접촉 소자의 금속 범프(400)와 금속 빔(700)은 그 부착력이 종래의 기술에 따라 제조된 접촉 소자에 비해 월등하며 금속 빔(700)이 금속 범프(400)로부터 탈착될 우려가 없게 된다.
또한, 금속 빔(700)이 금속 범프(400)로부터 직접 전기 도금 방법으로 성장하여 형성되는 바, 금속 빔(700)과 금속 범프(400) 사이에 틈이 없어 후속 공정에 사용되는 식각 용액 등이 스며들 수 없어 스웰링 등이 처음부터 방지된다.
도 8은 금속 빔(700)이 금속 범프(500)에 직접 접촉하여 형성된 모습을 보여준다.
그 후, 금속 빔(700) 상단에 프로브 카드용 접촉 소자의 팁을 형성하기 위해, 프로브 카드용 접촉 소자의 팁에 대응하는 공간을 제외하도록 패터닝하여 포토레지스트 층(800)을 형성하고, 프로브 카드용 접촉 소자의 팁에 대응하는 공간에 전기 도금 방법을 이용하여 금속을 팁(900) 형상을 형성한다. 이때, 금속 팁(900)의 형성을 위해 사용되는 금속으로는 바람직하게는 니켈 또는 니켈 합금을 이용한다. 이때, 금속 빔(900)의 형성에 사용된 것과 동일한 금속이 특히 바람직하게 사용된다.
그 후, 포토레지스트층(600, 800)을 식각 용액 또는 스트립(strip) 방법으로 제거한다.
그 후, 희생 금속 층(500) 및 시드 층(200)을 금속 범프(400) 및 금속 빔(700)에 대하여 선택적으로 제거하는 식각 용액을 이용하여 제거한다. 만일 희생 금속 층(500) 및 시드 층(200)이 티타늄으로 이루어져 있으면 이를 선택적으로 식각하는 HF 용액을 이용한다. 만일 희생 금속 층(500) 및 시드 층(200)이 구리로 이루어져 있으면 이를 선택적으로 식각하는 증류수: 수산화암모늄: 과산화수소로 이루어진 식각 용액을 이용한다.
한편, 이와 같은 습식 식각 방법 이외에 건식 식각 방법을 이용할 수 있다.
도 10은 이와 같이 포토 레지스트 층(600, 800), 희생 금속층(500) 및 시드 층(200)이 제거되어 수득된 프로브 카드용 접촉 소자의 모습을 보여준다.
도 10에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 프로브카드용 접촉 소자의 제조 방법으로 제조된 프로브 카드용 접촉 소자는 회로 기판으로부터의 전기적 신호를 전달하는 배선부(110), 상기 배선부(110) 상에 전기 도금 방식으로 형성된 금속 범프(400), 상기 금속 범프 상에 전기 도금 방식으로 형성되며, 상기 금속 범프로부터 소정의 거리만큼 일 방향으로 연장되어 있는 막대 모양으로 형성된 금속 빔(700), 상기 금속 빔(700)의 상부에 돌출되어 형성된 금속 팁(900)을 포함한다.
여기서, 금속 범프(400) 및 금속 빔(700)은 니켈 또는 니켈 합금으로 형성되며, 서로 동일한 금속으로 형성되는 것이 특히 바람직하다.
이와 같은 본 발명의 한 실시예에 따른 프로브카드용 접촉 소자는 금속 범 프(400)와 금속 빔(700)이 서로 직접 접촉되어 있어 금속 범프(400)와 금속 빔(700)의 부착력이 우수하며 그에 따라 금속 빔(700)이 금속 범프(400)로부터 탈착될 우려가 없다.
앞서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에 의하면, 원하는 금속 범프의 높이를 맞추기 위해 수차례 반복되어 형성된 포토레지스트 층을 금속 빔 형성 이전에 제거하는데, 이때 수차례 반복되어 형성되는 포토레지스트 층 사이에 발생될 수 있는 버블 또는 크랙이 같이 제거 된다. 따라서 종래 기술에서 나타나는 포토레지스트 층 사이의 버블 또는 크랙을 원인으로 하는 문제점이 원천적으로 방지된다.
또한 본 발명의 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에 의하면, 금속 빔이 금속 범프 상에서 직접 전기 도금 방법으로 형성되므로 금속 빔과 금속 범프의 부착력이 우수하며, 금속 빔과 금속 범프 사이에 틈이 발생하지 않아 후속 공정에서 사용될 수 있는 식각 용액 등에 의한 스웰링 또한 발생하지 않는다.
따라서 본 발명의 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에 의하면 금속 범프상에 금속 빔을 정확히 형성할 수 있으며, 금속 빔이 금속 범프로부터 탈착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에 의하면, 희생 금속 층을 사용하므로 전기적 도금 방법으로 금속 빔을 형성하기 위해 금속 재질의 별도 시드 층을 형성할 필요가 없다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

Claims (12)

  1. 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에 있어서,
    상기 프로브 카드용 접촉 소자가 형성되는 배선부 부위를 제외하도록 제1 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 배선부 상에 금속 범프를 형성하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트층을 제거하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트층 대신에 희생 금속 층을 상기 금속 범프의 높이로 형성하는 단계;
    상기 금속 범프의 상부로부터 일방향으로 연장되는 막대 모양의 공간을 제외하도록 제2 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및
    상기 막대 모양의 공간에 금속 빔을 형성하는 단계;
    를 포함하며,
    상기 금속 빔이 상기 금속 범프에 직접 접촉하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속 범프 및 상기 금속 빔이 전기 도금 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 금속 범프 및 상기 금속 빔이 니켈 또는 니켈 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 금속 범프 및 상기 금속 빔이 동일 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 배선부가 구비되어 있는 기판에 시드 층을 형성하는 단계;
    상기 배선부 부위가 제외되도록 형성된 제1 포토레지스트층을 이용하여 상기 배선부 부위에 형성된 시드 층만을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 희생 금속 층 및 상기 시드 층이 상기 금속 범프 및 상기 금속 빔에 대하여 식각 용액으로 선택적으로 식각될 수 있는 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 희생 금속 층 및 상기 시드 층이 구리 또는 티타늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 희생 금속 층 및 상기 시드 층이 동일 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 금속 빔이 상기 금속 범프로부터 직접 전기 도금 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.
  10. 프로브 카드용 접촉 소자에 있어서,
    회로 기판으로부터의 전기적 신호를 전달하는 배선부;
    상기 배선부 상에 전기 도금 방식으로 형성된 금속 범프;
    상기 금속 범프 상에 전기 도금 방식으로 형성되며, 상기 금속 범프로부터 일 방향으로 연장되어 있는 막대 모양으로 형성된 금속 빔; 및
    상기 금속 빔의 상부에 돌출되어 형성된 금속 팁을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 접촉 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 금속 범프 및 상기 금속 빔이 니켈 또는 니켈 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 금속 범프 및 상기 금속 빔이 동일 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자.
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