KR20120003244A - 프로브 카드 제조방법 - Google Patents

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Abstract

프로브 카드 제조방법이 개시된다. 본 발명의 프로브 카드 제조방법은, 희생기판 상에 복수 개의 프로브를 동시에 증착시킨 다음, 후 공정으로 회로기판에 프로브를 접착시켜 완성한다. 이를 위해, 프로브는 복수 개의 프로브 부속층으로 구분되어, 마그네트론 스퍼터링에 의한 후막 증착공정에 의해 단계적으로 증착된다. 이에 의하면, 종래의 전기도금 공정보다 공정이 간단해 질 뿐만 아니라, 도금에 의해 형성된 프로브보다 전기적 특성이 훨씬 우수한 프로브를 얻을 수 있다.

Description

프로브 카드 제조방법{Probe Card Manufacturing Method}
본 발명은 멤스(MEMS: Micro Electro Mechanical System) 공정에 의해 복수 개의 프로브를 기판 상에 동시에 형성하여 프로브 카드를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 해당 프로브의 각 구성부분을 마그네트론 스퍼터링 방법에 의한 후막 증착공정을 통해 3차원 패턴으로 형성하는 프로브 카드 제조방법에 관한 것이다.
반도체 제조공정 중에는 웨이퍼(Wafer) 상에 구성되는 칩들의 불량 여부를 판별하기 위한 공정이 반드시 포함되며, 이를 위해 프로브 검사장치가 사용된다. 프로브 검사장치는 전체 검사를 진행하는 테스터(Tester)와, 웨이퍼에 접촉하는 프로브 카드를 수용하는 웨이퍼 프로버(Prober)를 포함한다.
프로브 카드는 검사대상이 되는 반도체 다이(Die)에 직접 접촉하는 복수 개의 프로브(Probe)와, 기판 조립체를 포함한다. 기판 조립체는 프로브가 접착된 회로기판 등을 포함하여 프로브와 테스터 사이를 전기적으로 연결한다.
기존에 2차원 패턴으로 성형하여 제작한 프로브를 개별적으로 회로기판 상에 접착성형하는 프로브 카드 제조방법을 대신하여, 최근의 프로브 카드 제조방법은 3차원 패터닝을 위한 멤스(MEMS: Micro Electro Mechanical System) 공정에 의해 성형된 복수 개의 프로브를 한번의 공정으로 회로기판 상에 접착하는 방법이 개발되어 사용되고 있다. 멤스 공정에 의할 경우, 복수 개의 프로브가 동시에 형성되기 때문에 전체 프로브의 위치와 높이를 원하는 규격에 정확히 일치시킬 수 있는 장점이 있다.
이러한 최근의 프로브 카드 제조방법에는, 이미 알려진 멤스의 다양한 3차원 패터닝 방법이 사용될 수 있다. 예컨대, 국내 공개특허 제10-2008-0114095호에 개시된 프로브 카드 제조방법은 다중노광 단일현상 방법에 의한 멤스의 3차원 패터닝방법을 이용한 것에 해당할 수 있다. 개시된 특허를 포함하여, 종래의 프로브 카드 제조방법에서 프로브 팁이나 프로브 몸통부는 전기 도금 공정에 의해 형성된다.
그러나 금속 팁이나 몸체가 도금 공정에 의해 형성될 경우, 원하는 프로브의 3차원 형상을 만드는 것 이외에도 전기 도금을 위한 금속 전극을 만드는 공정이 반드시 필요하게 되어 공정을 복잡하게 할 뿐만 아니라, 도금이 가지는 전기적 특성의 한계에 의해 점점 미세해지는 반도체 다이에서는 원하는 전기적 특성을 가지지 못할 수 있다.
본 발명의 목적은, 멤스(MEMS) 공정에 의해 복수 개의 프로브를 기판 상에 동시에 형성하여 프로브 카드를 제조함에 있어서, 해당 프로브의 각 구성부분을 마그네트론 스퍼터링 방법에 의한 후막 증착공정을 통해 3차원 패턴으로 형성하는 프로브 카드 제조방을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 프로브 카드 제조 방법은, 희생기판상에, 제1금속을 증착시켜 지지층을 형성하고 상기 지지층에 의해 형성된 공간부에 제2금속을 증착하여 프로브 부속층을 형성하는 단계; 상기 지지층과 프로브 부속층을 형성하는 단계를 반복함으로써 적층되는 상기 프로브 부속층들이 상호 연결되어 프로브를 형성하는 단계; 및 상기 형성된 프로브를 전기적 배선이 형성된 회로기판 상에 접착시키고 상기 적층된 지지층을 제거함으로써 프로브 카드를 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 제1금속 및 제2금속의 증착은, 교류 또는 직류 펄스에 의한 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 인장잔류응력을 가지는 제1박막과, 직류에 의한 상기 스퍼터링 방법에 의해 압축잔류응력을 가지는 제2박막을 상호 교번적으로 반복 증착함으로써 형성되는 것이 바람직하다.
실시 예에 따라, 상기 지지층과 프로브 부속층을 형성하는 단계는, 음각법에 따라, 상기 희생기판 또는 직전에 형성된 층상에, 포토레지스터를 이용하여 상기 프로브 부속층의 형상을 가지는 마스터 층을 형성하는 단계; 상기 마스터 층이 형성된 상기 희생기판 또는 직전에 형성된 층상에, 상기 제1금속을 증착시키고 상기 마스터 층을 제거하여 상기 지지층을 형성하는 단계; 및 상기 지지층이 형성된 상기 희생기판 또는 직전에 형성된 층상에, 상기 제2금속을 증착시킨 다음, 상기 지지층이 드러나도록 상기 제2금속을 연삭하여 상기 프로브 부속층을 형성하는 단계에 의해 형성할 수 있다.
다른 실시 예에 의하면, 상기 프로브 부속층과 지지층을 형성하는 단계는, 양각법에 따라, 프로브 부속층을 지지층보다 먼저 생성할 수 있다. 양각법에 의하면, 상기 희생기판 또는 직전에 형성된 층상에, 포토레지스터를 이용하여 상기 프로브 부속층의 형상의 공간부를 가지는 주형층을 형성하는 단계; 상기 주형층이 형성된 상기 희생기판 또는 직전에 형성된 층상에, 상기 제2금속을 증착시키고 상기 주형층을 제거하여 상기 프로브 부속층을 형성하는 단계; 및 상기 프로브 부속층이 형성된 상기 희생기판 또는 직전에 형성된 층상에, 상기 제1금속을 증착시킨 다음, 상기 프로브 부속층이 드러나도록 상기 제1금속을 연삭하여 상기 지지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 희생기판 상에 상기 지지층과 프로브 부속층을 처음 형성하기 전에, 시드층을 형성하여, 상기 희생기판과 지지층 및 프로브 부속층 사이의 접착성을 높일 수 있다.
본 발명에 따른 프로브 카드 제조방법은 도금공정에 의하지 아니하고, 스퍼터링 방법에 의해 프로브 금속을 증착하기 때문에, 프로브 금속을 도금으로 형성하기 위한 별도의 전극을 만들 필요가 없게 되어, 공정이 간단해진다.
또한, 프로브 자체가 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 증착되기 때문에, 도금과 비교하여 프로브 자체의 전기적 저항 값 등과 같은 전기적 특성이 매우 우수해진다.
도 1은 본 발명에 따른 프로브 카드를 프로브를 중심으로 도시한 도면,
도 2는 본 발명의 프로브의 단면을 도시한 도면,
도 3a 내지 도 3i는 본 발명의 프로브 카드 제조방법의 설명에 제공되는 제조공정도,
도 4는 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 후막으로 증착된 지지층 및 프로브 부속층의 단면도, 그리고
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프로브 카드 제조방법의 설명에 제공되는 제조공정도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다.
도 1에 도시된 프로브 카드(100)를 참조하면, 검사대상이 되는 반도체 다이(Die)에 직접 접촉하는 복수 개의 프로브(Probe)(101)가, 접착층(103)에 의해 회로 기판(105)에 접착되어 있다.
기본적으로, 프로브 카드(100)의 복수 개의 프로브(101)는 아래에서 설명될 희생기판 상에 한꺼번에 증착 형성된 다음, 접착층(103)을 이용하여 후공정으로 회로 기판(105) 상에 동시에 접착되어 형성된다. 따라서 각 프로브(101)의 증착공정은 후막 증착에 해당한다.
후막 증착은 필연적으로 그 후막의 휘어짐이나 비틀리는 문제를 일으키는 응력 제어가 필요하다. 이를 해결하기 위해, 본 발명의 프로브 카드 제조방법은 아래에서 설명될 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 인장잔류응력을 가지는 제1박막과 압축잔류응력을 가지는 제2박막을 상호 교번적으로 반복 증착함으로써, 용인 가능한 범위 내의 응력을 가지는 후막으로 증착하는 방법을 사용한다.
이에 따라 복수 개의 프로브(101)는 후막으로 증착됨에도 불구하고 휘어지지 아니하고 따라서 희생기판으로부터 박리되는 등의 문제가 발생하지 아니한다. 도 1을 참조하면, 프로브(101)는 복수 개의 금속 박막이 반복 증착되어 적층된 구조를 가진다.
또한, 각 프로브(101)는 그 형태적, 또는 기능적 특징에 따라 복수 개의 프로브 부속층으로 구분되며, 나아가 동일한 형태적 또는 기능적 특징을 가지더라도 그 안정적인 후막 증착을 위해 복수 개의 프로브 부속층으로 구분될 수 있다. 도 2는, 제1 내지 제6 프로브 부속층(309, 313, 317, 321, 325, 329)의 6개의 프로브 부속층으로 구분된 예이다. 제1 프로브 부속층(309)은 프로브의 팁(Tip)에 해당하고, 제2 및 제3 프로브 부속층(313, 317)은 팁을 지지하는 팁 지지부에 해당하고, 제4 프로브 부속층(321)은 프로브에 탄성을 제공하는 탄성구조부에 해당하고, 제5 및 제6 프로브 부속층(325, 329)은 프로브의 하부 지지부에 해당한다. 팁 지지부와 하부 지지부는 그 두께를 고려하여 2단의 프로브 부속층으로 구분되었음을 알 수 있다. 따라서 프로브 카드 제조방법은, 개별 프로브 부속층을 연속적으로 적층하여 상호 연결하는 방법으로 이루어진다.
복수 개의 프로브 부속층의 적층을 위해, 프로브 부속층의 형성에 제공된 지지층을 그대로 유지하거나, 프로브 부속층의 형성 후에 동일한 높이의 지지층을 형성하여 유지함으로써 다음 프로브 부속층을 적층하게 된다. 지지층은 후공정에 의해 한꺼번에 제거된다.
이하에서는, 도 3을 참조하여 프로브 카드 제조방법을 더욱 상세히 설명한다. 이상의 설명에 불구하고, 도 3은 하나의 프로브가 형성되는 과정을 도시한 것이며, 아래의 설명도 그에 따른다. 다만, 본 발명의 방법에 의한 프로브 카드는 복수 개의 프로브를 한꺼번에 동시에 형성하는 것이므로, 도 3에 도시된 프로브 부속층 내지 프로브가 병렬적으로 희생기판 상에 배치되는 형태로 동시에 형성됨을 알 수 있다.
<1. 희생기판의 준비: 도 3a>
복수 개의 프로브(101)는 먼저 희생기판(301)상에 한꺼번에 후막 증착되어 형성된 다음, 접착층(103)에 의해 후공정으로 회로 기판(105) 상에 동시에 접착되어 형성된다.
희생기판(301)은 글래스(Glass)와 같은 세라믹 기판이나, 실리콘 기판 등이 사용될 수 있다. 희생기판(301)은 그 재료에 따라 제1지지층(307) 또는 제1 프로브 부속층(309)과의 결합력을 높이거나 낮추기 위해 희생기판(301)상에 시드층(303)을 형성할 수 있다. 시드층(303)은 희생기판(301)과 제1지지층(307) 또는 제1프로브 부속층(309)의 소재에 따라 정해질 수 있다.
시드층(303)도 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용할 수 있다.
<2. 프로브 부속층의 적층>
복수 개의 프로브(101)는 각각의 프로브 부속층을 단계적으로 적층함으로써 희생기판(301)상에 동시에 형성된다.
하나의 프로브 부속층이 형성된 다음, 연속하는 다음 레벨의 프로브 부속층을 형성하기 위해, 프로브 부속층이 형성된 층의 나머지 부분을 메워 다음에 형성될 층을 지지하는 '지지층'이 요구된다. 그리고 지지층은 후공정에 의해 한꺼번에 제거된다.
지지층을 형성하기 위해, 프로브 부속층을 먼저 형성하고 지지층을 형성하는 방법(소위, 양각법)을 사용하거나, 먼저 지지층을 형성하고 프로브 부속층을 형성하는 방법(소위, 음각법)을 사용할 수 있다.
<2-a-1. 음각법에 의한 제1 프로브 부속층의 형성: 도 3b ~ 도 3e>
음각법에 의한 제1지지층(307)은 동일한 계층의 제1 프로브 부속층(309)을 형성하기 위한 금형(Mold) 역할을 한다. 제1지지층(307)을 형성하기 위해, 먼저 희생기판(301) 상에 포토 레지스터의 마스터층(305)을 형성한다.
도 3b를 참조하면, 마스터층(305)은 반도체 제조를 위한 일반적인 사진 공정 또는 멤스 공정에 따른 2차원 또는 3차원 패턴 형성방법에 따라, 포토 레지스터를 이용하여 제1 프로브 부속층(309)의 형상으로 희생기판(301)상에 형성된다.
도 3c를 참조하면, 마스터층(305)이 형성된 다음, 마스터층(305)이 형성된 희생기판(301)상에 제1금속을 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 후막 증착시킴으로써 제1지지층(307)을 형성한다. 제1지지층(307)의 재료가 되는 제1금속은 제1 프로브 부속층(309)의 소재가 되는 제2 금속에 영향을 주지 않으면서 화학적으로 제거될 수 있는 소재이면 가능하다. 예컨대, 제2 금속이 로듐(Rhodium) 또는 니켈-코발트(Nickel-Cobalt) 합금인 경우, 제1지지층(307)의 제1 금속은 구리(Cu)를 사용할 수 있다.
도 3d 및 도 3e를 참조하면, 제1지지층(307)이 형성된 다음, 제1지지층(307)에 의해 형성된 공간부(308)에 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 제2금속을 후막 증착하고, 제1지지층(307) 드러나도록 후막 증착된 제2금속을 연삭하여 제거함으로써 제1 프로브 부속층(309)을 형성한다. 이에 의하여, 제1지지층(307) 및 제1 프로브 부속층(309)이 형성되었다.
<2-a-2. 음각법에 의한 프로브 부속층의 적층: 도 3f>
제2 내지 제6지지층(311, 315, 319, 323, 327) 및 제2 내지 제6 프로브 부속층(313, 317, 321, 325, 329)은 제1지지층(307)과 제1 프로브 부속층(309)을 형성하는 방법과 동일한 방법으로 생성된다.
제2 내지 제6지지층(311, 315, 319, 323, 327)은 제1지지층(307)과 동일한 소재의 금속을 사용할 수 있다. 반면, 제2 내지 제6 프로브 부속층(313, 317, 321, 325, 329)은 팁(Tip)의 역할을 하는 제1 프로브 부속층(309)과 다른 소재를 사용할 수 있으며, 예컨대 니켈-코발트(Nickel-Cobalt) 합금이 바람직하다.
이상의 반복적인 공정에 의해, 제1 내지 제6 프로브 부속층(309, 313, 317, 321, 325, 329)이 상호 연결 적층되어 프로브(101)를 형성한다.
여기서, 제1 내지 제6지지층(307, 311, 315, 319, 323, 327)과, 제1 내지 제6 프로브 부속층(309, 313, 317, 321, 325, 329)의 스퍼터링에 사용되는 후막증착방법은 다음과 같이 이루어진다.
기본적으로, 마그네트론 스퍼터링 방법은, 불활성 가스인 아르곤(Ar) 등을 플라즈마화시켜 아르곤 양이온을 생성하고, 아르곤 양이온이 음으로 대전된 제1금속 또는 제2금속 등의 타겟에 충돌하도록 제어함으로써, 타겟 원자 또는 원자 클러스터들이 타겟으로부터 스퍼터링 되도록 한다. 스퍼터링된 원자들이 기판 또는 직전에 스퍼터링 되어 증착된 면에 증착함으로써 지지층 또는 프로브 부속층을 형성하게 된다.
도 4를 참조하면, 스퍼터링에 의한 지지층 또는 프로브 부속층은 대략 5㎛ ~ 300㎛의 두께의 후막으로 형성되는 것이 바람직하며, 이러한 두께의 후막 형성은 1 나노미터 내지 10 마이크로 미터 두께의 제1박막(401, 405, 409, 413, 417) 및 제2박막(403, 407, 411, 415, 419)을 잔류응력에 따라 교번적으로 반복 증착하여 전체 응력을 용인 가능한 범위 내로 제한함으로써 이루어질 수 있다.
제1박막(401, 405, 409, 413, 417)은 인장 잔류 응력의 특성을 갖는 막으로서, 마그네트론 스퍼터 증착원에는 직류 펄스 또는 교류가 공급되어 발생하는 직류 펄스 또는 교류 플라즈마에 의하여 스퍼터링이 이루어짐으로써 형성된다. 제2박막(403, 407, 411, 415, 419)은 압축 잔류응력의 특성을 갖는 막으로서, 직류 전원이 스퍼터 증착원에 공급되어 발생하는 직류 플라즈마에 의하여 스퍼터링이 이루어짐으로써 형성된다.
스퍼터링에 의해 증착되는 금속은 고밀도로 형성되어 뛰어난 전기적 특성 및 열전달 특성을 가지게 된다. 특히, 스퍼터링에 의한 프로브 부속층은 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 이루어짐으로써, 그 전기적 특성이 매우 뛰어나게 되는 장점이 있다.
앞서 설명된 시드층(303)도 이상의 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착될 수 있다.
<3. 회로기판에의 접착하여 프로브 카드 완성: 도 3g ~ 도 3i>
앞서 설명된 방법으로 희생기판(301)상에 형성된 복수 개의 프로브(101)는 전기적 배선이 형성된 회로 기판(105) 상에 접착된다. 회로기판(105)에 프로브(101)를 접착하기 위하여, 마지막 프로브 부속층(도 2의 329)의 증착 후에, 제6 프로브 부속층(329)과 회로기판(105)을 접착하기 위하여 상기 제6 프로브 부속층(329) 상에 접착층(103)을 형성한 다음, 열접착 방법 등에 의해 프로브(101)의 접착층(103)을 회로기판(105)에 접착한다.
다른 방법으로, 접착층(103)은 회로기판(105)에 마련된 패드(미도시)에 형성될 수 있다. 이후에 접착층(103)은 열접착 방법 등에 의해 프로브(101)와 회로기판(301)을 상호 접착시킬 수도 있다.
희생기판(301)은 복수 개의 프로브(101)를 증착하기 위해 사용된 것이므로, 프로브(101)의 증착이 완료되면 제거된다. 희생기판(301)의 제거는 회로 기판(105)과의 접착 이전에 이루어질 수도 있고, 접착층(103)을 회로 기판(105)에 접착한 후에 이루어질 수도 있다. 도 3g와 도 3h는 프로브(101)에 형성된 접착층(103)을 회로 기판(105)에 접착한 후에 희생기판(301)을 제거하는 예를 보인다.
도 3i를 참조하면, 회로 기판(105)에 접착된 후, 제1 내지 제6지지층(307, 311, 315, 319, 323, 327)을 한꺼번에 제거함으로써 프로브 카드를 형성한다. 지지층 소재인 제1금속(예컨대, 구리)은 프로브 부속층의 소재가 되는 제2 금속(예컨대, 로듐 또는 니켈-코발트 등)에 영향을 주지 않으면서 화학적으로 제거될 수 있는 소재이므로 프로브 부속층 또는 프로브에 영향을 주지 않으면서, 지지층만을 제거할 수 있다.
이상의 프로브 카드의 제조는 음각법에 의한 프로브 부속층 및 지지층의형성과정을 설명한 것이다.
양각법에 의할 경우, 도 3b 내지 도 3f의 프로브 부속층 및 지지층을 형성하는 과정을 제외한 나머지 공정은 음각법과 동일하다. 프로브 부속층 및 지지층을 형성하는 과정은, 프로브 부속층을 형성하기 위한 금형으로 지지층을 대신하여 포토 레지스터가 이용되면서 전체 공정이 음각법과 반대가 된다. 따라서 앞서 음각법을 도시한 도 3b 내지 도 3f의 과정이 다음에서 설명되는 과정으로 치환된다.
<2-b-1. 양각법에 의한 제1 프로브 부속층의 형성>
도 5a를 참조하면, 먼저 희생기판(301) 상에, 반도체 제조를 위한 사진 공정 또는 멤스 공정에 따른 2차원 또는 3차원 패턴 형성방법에 따라, 포토 레지스터를 이용하여 제1 프로브 부속층(505) 형상의 공간부(501)를 가지는 주형(Mold)층(503)을 형성헌다.
도 5b를 참조하면, 주형층(503)이 형성된 다음, 주형층(503)이 형성된 희생기판(301)상에 제2금속을 증착시킴으로써 제1 프로브 부속층(505)을 형성하고, 기 형성된 주형층(503)을 제거함으로써 제1 프로브 부속층(505)만 남긴다.
도 5c를 참조하면, 제1 프로브 부속층(505)만 남은 희생기판(301) 상에 제1금속을 증착시킨 다음, 제1 프로브 부속층(505)이 드러나도록 증착된 제1 금속을 연삭하여 제거함으로써 제1 프로브 부속층(505)과 동일한 높이를 가지는 제1 지지층(507)을 형성한다.
<2-b-2. 양각법에 의한 프로브 부속층의 적층>
제2 내지 제6 프로브 부속층(509, 513, 517, 521, 525) 및 제2 내지 제6 지지층(511, 515, 519, 523, 527)은 제1 프로브 부속층(505)과 제1 지지층(507)을 형성하는 방법과 동일한 방법으로 반복 형성된다.
이에 따라, 제1 내지 제6 프로브 부속층(505, 509, 513, 517, 521, 525)이 상호 연결 적층되어 프로브(101)를 형성한다.
이상의 방법에 의해 프로브 부속층과 지지층이 형성된 다음, 앞서 설명한 <2-a2. 음각법에 의한 프로브 부속층의 적층: 도 3f>에 따라 프로브(101)를 회로기판(105)에 접착하고, 희생기판(301) 및 제1 내지 제6 지지층(507, 511, 515, 519, 523, 527)을 제거하는 과정에 의하여 프로브 카드를 완성하게 된다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.
101: 프로브 103: 접착층
105: 회로기판 301: 희생기판
303: 시드층 305: 마스터층
308: 공간부
307, 507: 제1지지층 309, 507: 제1 프로브 부속층
311, 511: 제2지지층 313, 509: 제2 프로브 부속층
315, 515: 제3지지층 317, 513: 제3 프로브 부속층
319, 519: 제4지지층 321, 517: 제4 프로브 부속층
323, 523: 제5지지층 325, 521: 제5 프로브 부속층
327, 527: 제6지지층 329, 525: 제6 프로브 부속층
401, 405, 409, 413, 417: 제1박막
403, 407, 411, 415, 419: 제2박막
503: 주형층

Claims (6)

  1. 희생기판 상에, 제1금속을 증착시켜 지지층을 형성하고 상기 지지층에 의해 형성된 공간부에 제2금속을 증착하여 프로브 부속층을 형성하는 단계;
    상기 지지층과 프로브 부속층을 형성하는 단계를 반복함으로써 적층되는 상기 프로브 부속층들이 상호 연결되어 프로브를 형성하는 단계; 및
    상기 형성된 프로브를 전기적 배선이 형성된 회로기판 상에 접착시키고 상기 적층된 지지층을 제거함으로써 프로브 카드를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1금속 및 제2금속의 증착은,
    교류 또는 직류 펄스에 의한 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 인장잔류응력을 가지는 제1박막과, 직류에 의한 상기 스퍼터링 방법에 의해 압축잔류응력을 가지는 제2박막을 상호 교번적으로 반복 증착함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지층과 프로브 부속층을 형성하는 단계는,
    상기 희생기판 또는 직전에 형성된 층상에, 포토레지스터를 이용하여 상기 프로브 부속층의 형상을 가지는 마스터 층을 형성하는 단계;
    상기 마스터 층이 형성된 상기 희생기판 또는 직전에 형성된 층상에, 상기 제1금속을 증착시키고 상기 마스터 층을 제거하여 상기 지지층을 형성하는 단계; 및
    상기 지지층이 형성된 상기 희생기판 또는 직전에 형성된 층상에, 상기 제2금속을 증착시킨 다음, 상기 지지층이 드러나도록 상기 제2금속을 연삭하여 상기 프로브 부속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
  3. 희생기판 상에, 제2금속을 증착하여 프로브 부속층을 형성하고, 상기 프로브 부속층의 나머지 영역에 제1금속을 증착시켜 지지층을 형성하는 단계;
    상기 프로브 부속층과 지지층을 형성하는 단계를 반복함으로써 적층되는 상기 프로브 부속층들이 상호 연결되어 프로브를 형성하는 단계; 및
    상기 형성된 프로브를 전기적 배선이 형성된 회로기판 상에 접착시키고 상기 적층된 지지층을 제거함으로써 프로브 카드를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1금속 및 제2금속의 증착은,
    교류 또는 직류 펄스에 의한 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 인장잔류응력을 가지는 제1박막과, 직류에 의한 상기 스퍼터링 방법에 의해 압축잔류응력을 가지는 제2박막을 상호 교번적으로 반복 증착함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 프로브 부속층과 지지층을 형성하는 단계는,
    상기 희생기판 또는 직전에 형성된 층상에, 포토레지스터를 이용하여 상기 프로브 부속층의 형상의 공간부를 가지는 주형층을 형성하는 단계;
    상기 주형층이 형성된 상기 희생기판 또는 직전에 형성된 층상에, 상기 제2금속을 증착시키고 상기 주형층을 제거하여 상기 프로브 부속층을 형성하는 단계; 및
    상기 프로브 부속층이 형성된 상기 희생기판 또는 직전에 형성된 층상에, 상기 제1금속을 증착시킨 다음, 상기 프로브 부속층이 드러나도록 상기 제1금속을 연삭하여 상기 지지층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 희생기판 상에 상기 지지층과 프로브 부속층을 처음 형성하기 전에, 상기 희생기판과 지지층 및 프로브 부속층 사이의 접착성을 높이기 위한 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
  6. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 프로브 카드를 형성하는 단계는,
    상기 프로브를 형성하는 단계에 의해 마지막에 증착된 프로브 금속층 상에 접착층을 형성한 다음, 열 접착으로 상기 회로기판에 접착하는 단계;
    상기 프로브로부터 상기 희생기판을 제거하는 단계; 및
    상기 프로브가 상기 회로기판에 접착된 상태에서, 상기 지지층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.



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