200822089 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用於追記型光記錄媒體的記錄法及適用 於記錄方法的追記型光記錄媒體，舉例而言，追記型光記 錄媒體爲例如藍光光碟及HD-DVD等能夠由藍雷射光記錄 及再生的追記型光記錄媒體。 【先前技術】 近來，由於記錄媒體的記錄容量及高容量的進步，已 發展及標準化具有超高密度及能夠以藍光雷射器的雷射波 長或更短的波長記錄及再生之追記型光記錄媒體。 用於控制光學記錄媒體的轉速之傳統方法一般分類成 二類系統：CLV (固定線性速度）；及CAV (固定角速度 )。此外，這些方法包含ZCLV (區域CLV )及PCAV ( 部份CAV ) : ZCLV是CLV的修改，於其中，光記錄媒體 視媒體從內軌至外軌的徑向位置而分成多個區，每一區接 受CLV記錄；及PC AV係始於媒體的內軌在某區中以 CAV執行記錄.，以及，在媒體的外軌後續的區中由CLV 執行記錄。 在C L V中，媒體的轉速會被控制，以致於旋轉次數 與軌道的徑向距離成反比，以在軌道方向上確保固定線性 速度，以及，以固定的時脈頻率，記錄資訊。因此’媒體 的轉速應變化，且需要更大的運轉力矩，以改變驅動媒體 旋轉之主軸馬達的速度。結果，需要高成本及耗電大的馬 達，但是，特別是在由電池驅動的例如筆記型電腦等裝置 -5- 200822089 中對光記錄媒體執行記錄時，增加的耗電是不佳的。此外 ，當尋找時主軸馬達的速度會改變，以及存取時間會增加 一時間量，此時間量相當於主軸馬達的速度改變完成之前 所耗的時間。 同時，在CAV中，藉由增加記錄時脈頻率，以與軌 道的徑向位置成比例的方式，從媒體的內軌至外軌執行記 錄。在此情形中，由於記錄線性速度在內軌較小，但在外 軌較大，所以，記錄線性密度保持不變。如此，與CLV 相反，主軸馬達的速度無需改變且可以使用較小的力矩、 較不昂貴的馬達。由於在尋找期間對於速度改變並無等待 時間，所以，存取時間可以較短。 但是，在典型的光記錄媒體上記錄時，記錄期間的雷 射功率及記錄脈衝波形會在指定的記錄線性速度下最佳化 。當改變記錄線性速度時，改變記錄記號的條件及有利地 影響顚動特性，具體而言，較高的顫動値。 關於上述問題的解決之道，專利文獻1提出一方法， 其中，以相同的記錄線性速度，在光記錄媒體的整個記錄 區中，對至少二位置取得最佳記錄功率，然後，以用於記 錄的內插常式，取得用於所有記錄線性速度的最佳記錄功 率。 但是，在由藍光雷射記錄及再生的光記錄媒體中，應 該精準地記錄較小的記號。如此，上述方法是不適當的。 此外，專利文獻2提出一方法，其中，根據記錄線性 速度，改變記錄訊號的脈衝高度及脈衝寬度，以最佳化用 於記錄的記錄記號形狀。 -6- 200822089 但是，專利文獻2未提供如何改變記錄脈衝序列的數 量考處。 專利文獻3提出一方法，其中，在所需記錄線性速度 與最小記錄線性速度之間的連續多脈衝部份中記錄功率的 比例、加熱脈衝寬度、及熱脈衝工作週期可以被量化地改 變，以執行記錄。 但是，在設計用於藍光雷射波長的光記錄媒體的情形 中，以雷射的上升時間及下降時間之觀點而言，多脈衝記 錄在記錄速度上遭遇到限制。 此外，當記錄脈衝改變時，由於決定用於每一記錄脈 衝的最佳記錄功率，所以，耗費額外的時間以執行記錄。 專利文獻1日本專利申請公開（JP-A )號5-225 5 70 專利文獻2日本專利申請公開（jp-A)號10-106008 專利文獻3日本專利申請公開（JP-Α)號200 1 -7634 1 【發明內容】 慮及上述情形，完成本發明，本發明的目的是解決先 前技術中的上述問題及取得下述目的。 慮及先前技術而完成本發明，本發明的目的是提供記 錄方法及適用於記錄方法的追記型光記錄媒體，此記錄方 法能夠在追記型光記錄媒體上以所有記錄線性速度高精度 地記錄記號，追記型光記錄媒體能夠以CAV、ZCLV、或 PCAV由藍光雷射記錄及再生，此方法藉由執行記錄而不 改變由雷射發射圖案及參考時鐘所標準化的雷射發射時間 ’能夠短時間記錄。 200822089 這些問題可以由下述< 1 >至< 1 〇>的本發明解決（此後 ，也稱爲本發明的第一至第十實施例）。 <1>記錄方法，包含：以CAV、ZCLV、或PCAV，在 能夠由藍光雷射記錄及再生的追記型光記錄媒體上記錄’ 其中，包含記錄脈衝的雷射發射圖案包括二或更多不同位 準的記錄功率，以及，不論記錄的線性速度爲何，由雷射 發射圖案及參考時鐘標準化的雷射發射時間被固定。 <2>根據<1>之記錄方法，其中，包含記錄脈衝的雷射 發射圖案包括第一記錄功率Pw及第二記錄功率Pm，以及 ’在相當於2x至4x的記錄線性速度下滿足下述條件：
Pw>Pm ， 0.66<Pm/Pw<0.79 < 3 >根據< 1 >之記錄方法，其中，包含記錄脈衝的雷射 發射圖案包括第一記錄功率Pw及第二記錄功率Pm，以及 ’在相當於2x至5x的記錄線性速度下滿足下述條件：
Pw>Pm，0.63 幺 Pm/Pw <4>根據<1>至<3>之任一記錄方法，其中，執行記錄 時’同時隨著增加的記錄線性速度增加記錄功率。 <5>根據<4>之記錄方法，其中，執行記錄時，同時隨 著增加的記錄線性速度，將記錄功率乘以常數。 <6>根據<4>及<5>之一的記錄方法，其中，執行記錄 時’同時根據OPC取得的記錄功率的第一資訊以及依據 記錄線速度的增加而要增加的記錄功率量的第二資訊，決 定用於每一記錄線性速度的記錄功率，第二資訊係預先儲 存於讀取區或BCA區（燒錄區）。 <7>根據<1>至<6>之任一記錄方法，其中，在具有包 200822089 含無機材料的記錄層之追記型光記錄媒體上執行記錄。 <8>根據<7>之記錄方法，其中，記錄層主要包括氧化 鉍。 <9>追記型光記錄媒體，包含：標示能夠以caV、 ZCLV、或pCAV來記錄之資訊，以及，由雷射發射圖案 及參考時鐘標準化的雷射發射時間的資訊，無論記錄線性 速度爲何’雷射發射時間是固定的，雷射發射圖案包含具 有二或更多的不同位準的記錄功率之記錄脈衝，其中，每 一資訊預先儲存在讀取區或B C A區中，以及，追記型光 記錄媒體適用於根據<1>至<8>中任一項之記錄方法。 <10>追記型光記錄媒體，包含：標示能夠以CAV、 ZCLV、或PCAV來記錄之資訊，以及，根據記錄線性速 度的增加而要增加的記錄功率的數量之資訊，其中，每一 資訊預先儲存在讀取區或B C A區，以及，追記型光記錄 媒體適用於根據< 4 >至< 8 >中任一項之記錄方法。 【實施方式】 於下，將詳細說明本發明。 將參考附圖，說明與本發明的記錄方法有關的記錄系 統。 圖ΙΑ、1B、及1C是CLV的說明圖，圖2A、2B、及 2C是CAV的說明圖。在每一圖A、B及C中，分別顯示 從媒體的內軌至外軌之轉數、記錄線性速度、及時鐘頻率 從的改變。 在CLV中，媒體的轉速被控制成轉數與軌道的徑向 200822089 距離成反比以在軌道方向上確保固定線性速度，以及記錄 固定時鐘頻率時的資訊。因此，應改變媒體的轉速，以及 ，需要較大的運轉力矩以改變驅動媒體旋轉的主軸馬達的 速度。結果，需要高成本及高耗電的馬達。 當光記錄媒體由建立在例如筆記型電腦中的輕薄光記 錄裝置記錄時，應使用小主軸馬達，以及其轉數會被限制 。如此，在c LV中，由於搜尋期間主軸馬達的速度改變 ，所以，在媒體的外軌中，記錄線性速度無法充份地增加 ，且存取時間較長。 同時，在CAV中，以與軌道的徑向位置成比例之方 式，從媒體的內軌至外軌，藉由增加記錄時鐘頻率，執行 記錄。在此情形中，由於記錄線性速度在內軌中較小而在 外軌道中較大，所以，記錄線性密度保持固定。如此，與 CLV相反，主軸馬達的速度無需改變且可以使用較小轉矩 、較不貴的馬達。由於在搜尋期間沒有用於速度改變的等 待時間，所以，存取時間可以較短。 圖3A、3B及3C是ZCLV的說明圖，圖4A、4B及 4C是PCAV的說明圖。在每一圖A、B及C中，分別顯示 從媒體的內軌至外軌之轉數、記錄線性速度、及時鐘頻率 從的改變。 ZCLV是一系統，其中，碟片視徑向位置而分成多個 區，且每一區接受CLV記錄’以及，每一'區中碟片的轉 數、記錄線性速度、及時鐘頻率顯示於圖3 A、3 B及3 C 中。PCAV是一系統，其中，以CAV，從碟片的內軌至某 徑向位置，執行記錄，以CLV，在碟片的其它部份至外軌 -10- 200822089 ，執行記錄，圖4A、4B及4C顯示每一區中其轉數、記 錄線性速度、及時鐘頻率。 圖5至7是說明圖，顯示記錄時的雷射發射圖案（寫 入策略）。 圖5顯示所謂的多脈衝雷射發射圖案的實施例。雷射 輸出被重覆地增加及減少，以致於記錄記號的尾端部不會 變厚（形成所謂的淚滴狀記號）。但是，在用於一般記錄 及再生設備中的雷射中，上升時間及下降時間需要耗費約 1奈秒至2奈秒。 另一方面，當在多脈衝記錄時記錄線性速度增加時， 如同圖5的右側所示般，加熱脈衝的間隔變得較窄。在此 條件下，除非在多脈衝部份的相鄰加熱脈衝之間有某尺寸 的間隔，否則記錄靈敏度變差。如此，當加熱脈衝之間的 間隔隨著記錄線性速度的增加而逐漸地降低至比雷射的上 升及下降時間更短的程度時，多脈衝記錄將會失敗。 圖6顯示所謂的城堡型雷射發射圖案的實施例，其中 ，在記錄脈衝的前方及後方中使用較大的記錄功率（Pw ) ，而記錄脈衝的中間使用較小的功率（Pm )，而不會使其 功率位準波動，以致於記號仍無法變寬，且即使在高速度 下仍可取得高靈敏度記錄。 圖7顯示所謂的L狀型式雷射發射圖案的實施例，其 中，在記錄脈衝的前方中使用較大的記錄功率（Pw )，而 較小的功率（P m )用於之後。 圖8顯示倒L狀型式雷射發射圖案的實施例，其中’ 在記錄脈衝的尾端中使用較大的記錄功率（Pw )，而較小 -11 - 200822089 的功率（Pm )用於之前。 如同城堡型記錄脈衝般，這些型式的記錄脈衝可以以 高速度取得記錄，而不必使記錄脈衝中間的脈衝波動，而 能夠在高速度下高靈敏地記錄。 圖9顯示所謂的塊狀型（長方形波）雷射發射圖案的 實施例，以及，藉由使用具有較大的記錄功率（Pw )的記 錄脈衝，可以實現高靈敏度的記錄。在塊狀型記錄脈衝的 情形中，例如8 T記號等長記號可以加寬其尾端，但是， 在符合記錄品質上更加重要的例如2T及3 T記號等較短的 記號，通常在高線性速度記錄下，由長方形波記錄。 可以取決於記錄記號的尺寸，將例如城堡、L狀、及 倒L狀以及塊狀型（長方形波）等記錄脈衝相結合以執行 記錄。
本發明的第一實施例包含以CAV、ZCLV、或PCAV 以在追記型光記錄媒體上記錄的步驟，追記型光記錄媒體 能夠由藍光雷射記錄及再生，其中，包含記錄脈衝的雷射 發射圖案包括二或更多不同位準的記錄功率，以及’不論 記錄線性速度爲何，由雷射發射圖案及參考時鐘標準化的 雷射發射時間會固定。包括二或更多不同位準的記錄功率 之記錄脈衝的實施例包含城堡型記錄脈衝及L狀型式記錄 脈衝。 不論記錄線性速度爲何，由雷射發射圖案及參考時鐘 標準化的雷射發射時間會固定，此意指，即使線性速度改 變，記錄策略的參數仍不會改變。 一般而言，在每一記錄線性速度，設定記錄策略的參 -12- 200822089 數，以及，當記錄策略改變時，記錄條件應最佳化。如此 ，耗費增加的時間以執行最佳化的記錄。 另一方面，由於執行記錄而未改變參數，所以，本發 明可以執行短時間記錄。 在本發明的第二實施例中，記錄脈衝含有第一記錄功 率Pw及第二記錄功率Pm，其中，Pw>Pm，以及，其實施 例包含上述城堡型及L狀型式的記錄脈衝。但是，當記錄 例如2T及3 T等短記號時，經常使用長方形脈衝波形。 然後，藉由使用這些記錄脈衝，即使在高記錄線性速 度下及高記錄頻道頻率下，仍能產生記錄脈衝。此外，當 記錄長記號時，使記錄記號的中間的記錄功率小於記錄記 號的前方中的記錄功率，以致於記錄記號的尾端未加寬（ 以所謂的淚滴狀記號形成）以及可以形成具有低顫動的優 良記錄記號。 當使用滿足0.66SPm/Pw<0.79的條件之具有第一記錄 功率P w及第二記錄功率P m的記錄脈衝時，即使在包括 相當於2x至4x的記錄線性速度下，具體而言，亦即標準 記錄線性速度的2倍至4倍，使用相同的記錄脈衝，仍能 取得高品質及低顫動的優良記錄特性。 圖1 0顯示當在追記型光記錄媒體上執行記錄時的Pm 、Pw、Pm/pw、及顫動値，此記錄係藉由使用圖13 A及 1 3 B中所示的雷射發射圖案，在相當於2 X至4 X的記錄線 性速度下，但未改變記錄脈衝之情形下執行，而追記型光 記錄媒體具有與上述實施例1中所述的相同層配置。當 Pm/Pw在某範圍中時，以相當於2x至4x的記錄線性速度 -13- 200822089 但未改變記錄脈衝，可以取得具有低顫動的優良記錄品質 。當Pm/Pw小於0.65時，功率不足以記錄記錄記號的中 間’因而難以形成記錄記號，且顫動値變高。當Pin/pw爲 〇·8或更高時’熱累積在記錄記號的中間，且記錄記號在 徑向上變寬，然後，在相鄰的軌道之間發生串擾，以及， 顫動値增加。 本發明的第二實施例界定以相當於2x至4x的記錄線 性速度’使用相同的記錄脈衝，取得具有低顚動的高品質 記錄之條件。本發明的第三實施例界定以相當於2x至5x 的記錄線性速度，使用相同的記錄脈衝，取得具有低顫動 的局品質記錄之條件。 具體而言，本發明的第三實施例滿足下述條件： P w > P m 及 0 · 6 3 S P m / P w。 圖1 1顯示在具有與下述實施例6相同的層配置之追 記型光記錄媒體執行記錄，但在使用圖1 4A及1 4B中所示 的雷射發射圖案而以相當於2x至5x的記錄線性速度下未 改變記錄脈衝時的Pm/Pw及顫動値。當Pm/Pw是在某範 圍中時，可以取得具有低顫動之優良的記錄品質，但在對 應於2x至 5x的記錄線性速度下未改變記錄脈衝。當 P m / P w小於〇 . 6 3時，功率不足以記錄記錄記號的中間， 難以形成記錄記號，且顫動値變高。 本發明的第二實施例與第三實施例之Pm/Pw的條件不 同的理由爲記錄線性速度的範圍不同並因而應改變雷射發 射圖案，以及記錄功率（Pm )在城堡策略的谷部份中稍微 改變。第三實施例雖然隨著脈衝波變得較接近長方形波而 -14- 200822089 累積熱且記錄記號容易變寬，或者，由於藉由記錄策略的 精細控制，亦即，控制位於前方及後方中的城冠的高度的 控制，以及，控制記錄後的冷卻時間，而使Pm/Pw接近1 ，但是，第三實施例仍未界定Pm/Pw的最大値。舉例而言 ，即使Pm/Pw爲0.98，在表2中的實施例6至7中，可 以以2 X執行記錄。 在本發明的第四實施例中，執行記錄並根據記錄線性 速度的增加而增加記錄功率。舉例而言，在本發明的第五 實施例中，執行記錄並根據記錄線性速度的增加而將記錄 功率乘以常數。如此，可以取得足夠高的記錄品質，以及 ，以數個記錄線性速度取得最佳記錄功率並近似，然後， 在每一記錄線性速度，取得最佳的記錄功率。結果，在記 錄期間，以每一記錄線性速度的最佳記錄功率但未以執行 OPC取得最佳記錄功率，執行記錄，然後，可以可觀地縮 短用於記錄的所需時間，以及，以高準確度形成記錄記號 〇 在本發明的第六實施例中，根據預錄於讀取區或BC A 區（燒錄區）中的OPC (最佳功率控制）取得的記錄功率 的資訊以及依據記錄線性速度的增加而要增加的記錄功率 量的資訊，決定用於記錄之每一記錄線性速度的記錄功率 。如此，雖然媒體的外軌的線性速度與內軌的線性速度不 同，但是，根據以內軌的某線性速度執行0PC的結果， 仍可以外軌的線性線性度取得最佳記錄功率，而不用在外 軌中執行OPC或操作OPC。結果，舉例而言，在使用無 法以內軌OPC執行高線性速度記錄之輕薄的記錄驅動器 -15- 200822089 ’以CAV系統記錄時，使用內軌〇pc的結果，在後續的 及外軌中，可以以最佳記錄功率，執行記錄，因此，可以 可觀地縮短記錄所需時間。 在本發明的第七實施例中，在具有含無機材料的記錄 層之追記型光記錄媒體上，執行記錄。記錄層的無機材料 提供高記錄線性速度下優良的記錄特性，如此，隨著記錄 線性速度的增加而取得寬廣的記錄寬容度。 在本發明的第八實施例中，在具有於無機材料中主要 含有氧化鉍的材料製成的記錄層之追記型光記錄媒體上， 執行記錄。此處，「主要含有」意指5 0質量百分比或更 多的成份構成整個記錄層材料。記錄層主要含有氧化鉍提 供高記錄線性速度下的良好記錄特性，以致於可以取得例 如吸光能力及記錄能力等優良光學特性，以及，可以取得 相對於記錄線性速度之寬廣的記錄寬容度。 此外’本發明的記錄方法可以用於含有相位改變記錄 材料或染料作爲記錄層的材料之追記型光記錄媒體上。 在本發明的第九實施例中，追記型光記錄媒體在讀取 區或BCA區中儲存能以CAV、ZCLV、或PCAV記錄的資 訊、以及無論記錄線性速度爲何由雷射發射圖案及參考時 鐘所標準化的固定雷射發射時間的資訊，其中，包含記錄 脈衝的雷射發射圖案含有二或更多不同位準的記錄功率。 因此，藉由在記錄之前讀取這些資訊，可以決定能夠 採用那一系統用於記錄。藉由例如坑形成等傳統方法以在 讀取區或BCA區中執行記錄。 在本發明的第十實施例中，追記型光記錄媒體在讀取 -16- 200822089 區或BCA區中預先儲存能以CAV、ZCLV、或PCAV記錄 的資訊、以及根據本發明的第四及第五實施例之記錄線性 速度中的增加而要增加的記錄功率之數量的資訊。因此， 可以根據這些資訊，設定要增加的記錄功率的數量，如此 ’當記錄線性速度改變時，無需藉由嘗試寫入以取得最佳 的記錄功率。 適用於本發明的記錄方法之追記型光記錄媒體較佳地 具有下述配置，但是，不限於此。 (a )基底、主要含有氧化鉍的記錄層、上塗著層、 及反射層 (b )基底、下塗著層、主要含有氧化鉍的記錄層、 上塗著層、及反射層 (c)遮蓋層、主要含有氧化鉍的記錄層、上塗著層 、反射層、及基底 (d )遮蓋層、下塗著層、主要含有氧化鉍的記錄層 、上塗著層、反射層、及基底 此外，根據上述配置，這些層的配置可以以多層配置 形成。舉例而言，當根據（a )的配置以多層形成時，其 可具有如下的配置：基底、主要含有氧化鉍的記錄層、上 塗著層、反射層或半透明層、結合層、主要含有氧化鉍的 記錄層、上塗著層、反射層、及基底。 此外，追記型光記錄媒體可以配置成基底及保護基底 配置於光記錄媒體的二側上。 圖1 2顯示適當地施加至本發明的追記型光記錄媒體 之層配置的剖面視圖的實施例，以及，反射層5、上塗著 -17- 200822089 層4、記錄層3、下塗著層2、及遮蓋層1依序地配置於基 底6上。記錄層3主要含有氧化鉍。 接著，將詳細說明每一層的細節。 〔基底〕 用於基底的材料未特別限定，只要具有優良的熱及機 械特性即可，且當從基底的側或經由基底執行記錄及再生 時，它們也具有優良的透光特性。 具體而言，其實施例包含聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲 酯、非晶型聚烯烴、乙酸纖維素酯、聚對酞乙二酯，其中 ，聚碳酸酯及非晶型聚烯烴是較佳的。基底的厚度會視應 用而變且未特別限定。用於追蹤的導槽及導坑以及例如位 址訊號等預格式可以形成於基底的表面上。 〔保護基底〕 當從保護基底側施加雷射光時，保護基底應對雷射光 爲透明的。另一方面，當僅作爲保護板時，其可以是或不 是透明的。可用於保護基底的材料正好與用於基底的材料 相同。 〔記錄層〕 本發明的追記型光記錄媒體的記錄層較佳地含有無機 記錄材料，特別是，如上所述般主要含有氧化鉍。 主要含有氧化鉍的記錄層的實施例包含但不限於藉由 濺射〇x靶材而形成的BiO爲基礎的薄層、藉由濺射 -18- 200822089
Bi3Fe5〇xlG材而形成的BiFeO、藉由濺射Bi2BOx祀材而形 成的BiBO、藉由濺射Bi3A10x靶材而形成的BiAlO爲基 礎的薄膜、藉由濺射BhFeMUOx靶材而形成的BiFeAlO 、及藉由濺射Bi2BGeOx靶材而形成的BiBGeO。 具體而言，主要含有氧化鉍之記錄層的實施例包含 RO膜（其中，R代表Bi元素），此由本申請人提出並於 日本專利申請公開號2005-108396及2005-161831中揭示 如下： (1 )含有氧化鉍的RO膜 (2 )含有鉍及氧化鉍的RO膜 (3 ) RO膜，其中，R代表Bi及含有選取4B族的一 或更多元素，以及，當成份爲Bia4BbOd時，含有氧化鉍 的RO膜滿足下述條件：l〇SaS40、3SbS20、50<dS70，其 中，4B代表來自4B族的元素，a、b、d代表相對比例。 (4)含有選自 Al、Cr、Mn、In、Co、Fe、Cu、Ni、 Zn及Ti的一或更多元素M的RO膜，以及，當成份爲 Bia4BbMeOd時，含有氧化鉍的 R〇膜滿足下述條件·· 10<a<40、 3<b<20、 3<c<20 ^ 50<d<70，其中，4B 代表來 自4 B族的元素，a、b、d代表相對比例。 在（3)及（4)中來自4B族的實施例包含C、Si、 Ge、Sn及Pb。在這些元素中，Si及Ge特別較佳。 上述氧化鉍非常有效地作爲藍光可用於其上的記錄層 的材料，並且具有低導熱性及優良的耐久性，因此，容易 地提供高反射性及透光性（來自複合折射率的結果）。特 別地，Bia4BbOd或BijBbMeOd用於記錄層，以致於可以 -19- 200822089 改進記錄及再生特性以及儲存能力。記錄層較佳地具有5 nm至30 nm的厚度。 〔下塗著層及上塗著層〕 對於下塗著層及上塗著層，可取得下述氧化物及非氧 化物：氧化物的實施例包含：例如Nb205、Sm203、Ce203 、Al2〇3、MgO、BeO、Zr02、U02、及 Th02 等簡單的氧 化物；例如 Si02、2Mg0-Si02、Mg0-Si02、CaO-Si〇2、 Zr〇2-Si02、3 Al2〇3-2Si02、2 M g O _ 2 A12 O 3 - 5 S i O 2、U〇2-Al203-4Si02 等矽化物；例如 Al2Ti05、MgAl204、
Cai〇 ( PO4) 6 ( 〇H) 2、B a T i O 3、L i N b O 3、 PZT[Pb ( Zr，Ti ) 03]、PLZT[ ( Pb，La) ( Zr，Ti) 〇3]等雙 氧化物及鐵電化合物。非氧化物包含例如 Si3N4、AIN、 BN、及TiN等氮化物；例如SiC、B4C、TiC、及WC等碳 化物；例如LaB6、TiB2、及ZrB2等硼化物；例如ZnS、 CdS、及M〇S2等硫化物；例如MoSi2等金屬矽化物；及例 如非晶碳、石墨、及鑽石等碳。也可使用例如 ZnS及 Si02等氧化物及非氧化物的混合物。 例如染料及樹脂等有機材料也可以用於下塗著層及上 塗著層。 染料的實施例包含聚次甲基染料、萘青染料、酞青染 料、方酸鐵染料、克酮酸鑰染料、芘鐵染料、萘醌染料、 蒽醌（陰丹士林）染料、卩山喔染料、三苯甲烷染料、葜染 料、四氫膽鹼染料、菲染料、三苯噻畊染料、偶氮染料、 甲蹓染料、以及這些化合物的金屬複合物。 -20- 200822089 樹脂的實施例包含聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮、硝酸 纖維素、乙酸纖維素、酮樹脂、丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯 樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚乙烯丁縮醛、聚碳酸酯、聚少希 烴。這些樹脂中的每一樹脂可以單獨使用或是與二或更多 樹脂相結合。 可以藉由通常使用的汽相沈積、濺射、化學汽相沈» (CVD )、溶劑塗著等，以形成含有有機材料的層。 當使用塗著方法時，上述有機材料等溶解在有機溶劑 中，以及，使用例如噴灑、輥塗著、浸漬、及旋轉塗敷等 通常使用的塗著方法以塗著溶劑。要用於典型的有機溶劑 的實施例包含例如甲醇、乙醇、及異丙醇等酒精；丙酮、 甲乙酮、環己酮等酮類；N，N-二甲基乙醯胺、及N，N-二 甲基甲醯胺等醯胺：二甲亞礪等亞礪類；四氫呋喃、二噁 烷乙醚、乙醚及乙二醇單甲醚等醚類；乙酸甲酯、乙酸乙 酯等醚類；氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳、及Η 氯乙烷等脂族烴氯仿；苯、二甲苯、單氯苯、二氯苯等芳 族系列；甲氧基乙醇、乙氧基乙醇等賽路蘇；己烷、戊院 、環己烷、甲基環己烷等碳氫化合物。 下塗著層較佳地具有5 nm至150 nm的厚度，以及， 上塗著層較佳地具有5 nm至50 nm的厚度。 〔反射層〕 關於反射層，使用對雷射光具有高反射率的反光材米斗 〇 反光材料的實施例包含例如 Al、Al-Ti、Α1-Ιη、Ακ -21 - 200822089
Nb、Au、Ag、及Cu等金屬、半金屬、及其合金。可 獨使用這些材料中的每一材料、或二個或更多的組合 當反射層由金屬形成時，能夠藉由濺射，以合金 靶材，製備反射層。此外，藉由尖梢在靶材上的方法 能夠形成反射層，舉例而言，銅尖梢置於Ag靶材上 成反射層，以及，藉由共濺射以形成反射層，舉例而 使用A g靶材及C u靶材。 也能夠將使用金屬以外的材料之低折射率層及高 率層交錯地堆疊，以形成用於反射層的多層配置。 舉例而言，藉由濺射、離子電鍍、化學汽相沈積 真空沈積，可以形成反射層。 反射層較佳地具有5 nm至1 50 nm的厚度。 〔保護層、遮蓋層或覆蓋層〕 假使材料可以保護反射層、透光層免於外力傷害 用於保護層、要形成於反射層上的遮蓋層或覆蓋層、 層等的材料無特別限定。可以使用不同的有機材料及 材料。 有機材料的實施例包含熱塑樹脂、熱固樹脂、電 可固化樹脂、紫外光可固化樹脂。 無機材料的實施例包含Si02、Si3N4、MgF2、及 ο 在反射層及/或透光層等上，使用熱塑樹脂或熱 脂以形成保護層、遮蓋層或覆蓋層。首先，熱塑樹脂 固塑脂會溶解於適當的溶劑中以製備塗著溶液。然後 以單 〇 作爲 ，也 以形 言， 折射 、及 ，則 透光 無機 子束 S η Ο 2 固樹 或熱 ，塗 -22- 200822089 著溶液塗著於反射層及/或透光層上以及被乾燥，藉以形 成保護層、遮蓋層或覆蓋層。 藉由直接地塗著紫外光可固化樹脂於反射層及/或透 光層上、或將紫外光可固化樹脂溶解於適當的溶劑中以製 備塗著溶液及將塗著溶液塗著於反射層及/或透光層上， 然後，將紫外光照射至塗著溶液以將其硬化，可以形成使 用紫外光可固化的保護層、遮蓋層或覆蓋層。 對於紫外光可固化的樹脂，舉例而言，可以使用例如 胺基甲酸酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等丙 烯酸系樹脂。 可以單獨使用這些材料中的每一材料、或二個或更多 的組合，且這些材料中的每一材料不僅可以形成於單一層 中也可以形成多層配置。 關於用於形成保護層的方法，可以以同於記錄層的方 式，使用例如旋轉塗著及澆鑄、濺射、化學汽相沈積、等 塗著方法。在這些方法中，旋轉塗著是較佳的。 在本發明中，保護層的厚度典型上爲至100 //m，但是，較佳地爲3//m至30#m。 此外，基底可以配置在反射層或透光層的表面上。在 將反射層及透光層配置成彼此面對之後，可以疊合二片光 記錄媒體。此外，紫外光可固化樹脂層、無機樹脂層、等 等可以形成在基底的鏡面側上以保護表面及防止灰塵等附 著於此。 〔接合層〕 -23- 200822089 接合層用於接合構成光記錄媒體的層，例如覆蓋層與 仿基底的接合、及反射層與記錄層的接合，只要材料對光 記錄媒體所需的特性沒有傷害，可以使用任合材料的接合 。以生產力的觀點而言，含有紫外線可固合的接合物之材 料是較佳的。 本發明可以提供記錄方法及用於記錄方法之追記型光 記錄媒體，能夠在以CAV、ZCLV、或PCAV記錄及再:生 的追記型光記錄媒體上，在所記錄線性速度下，以高精度 形成記錄記號，以及，能夠未改變雷射發射圖案及參考時 鐘標準化的雷射發射時間。 此外，當以標準化記錄線性速度以外的記錄線性速度 執行記錄時，本發明可以解決例如記錄策略形式的校正及 與校正有關的嘗試寫入等問題。 實施例 於下’參考實施例及比較實施例，詳述本發明，但是 ，下述實施例及比較實施例不應被視爲限制本發明的範圍 實施例1至5及比較實施例1至2 具有如圖1 2所示的層配置之追記型光記錄媒體係如 下所述般製備。 在具有1.1 mm的厚度之聚碳酸酯製成的基底上，藉 由濺射，依下述次序形成具有35 nm的厚度及含有AlTi ( 1個質量百分比的Ti)之反射層5、具有l〇nm的厚度及 -24- 200822089 含有 ZnO 及 Si02(其中 ZnS:SiO2 = 80 : 20(莫爾 ％))之 上塗著層5、具有13 nm的厚度及含有Bi2B〇x的記錄層3 、及具有 10 nm的厚度及含有 ZnS及 Si02 (其中 ZnS:SiO2 = 80:20(莫爾％))之下塗著層2。 此外，藉由濺射塗敷，在下塗著層2上，塗著紫外光 可固化樹脂（由Nippon Kayaku有限公司製造的BRD807 )，以形成具有〇. 1 mm厚的遮蓋層1，藉以造成具有約 1 .2 mm的厚度之追記型光記錄媒體。 在Bi2B Ox中，X代表氧化程度，及可能在化合物中發 生的氧耗盡。在記錄層中，不僅表示化學計量的氧化物成 份，也表示要被氧化的元素之多餘成份。 使用Pulstec Industrial有限公司製造的光碟機評估裝 置 ODU-1000 (波長= 405 nm，數値孔徑 NA = 0.85)，針 對記錄及再生訊號，評估追記型光記錄媒體。 使用如圖1 3 A及1 3 B所示的雷射發射圖案，執行記錄 。圖1 3 A是波形圖，圖1 3 B顯示每一參數的記錄表。記錄 線性速度設定在相當於2x、3 X、及4x的程度。 使用符合藍光光碟可記錄標準的顫動作爲記錄及再生 訊號的評估之記錄品質評量。 顫動規格爲6· 5 %或更小，且6.5 %或更小被評爲A級 ，大於6.5 %的顫動被評爲B級。 評估結果顯示於表1中。 -25- 200822089 評估 < < < < < PQ PQ Jitter [%] cn 'sd 寸 vd cn 寸 vd ^T) Pm/Pw 0.69 0.66 0.79 0.66 0.79 0.65 0.80 a ξ IT) m m vd 寸 in <N 寸 vd Oh旦 00 00 00 (N 00 (N 00 00 oo Jitter [%] 〇 m vd ΓΛ vd 寸 MD Pm/Pw 0.76 0.66 0.79 0.66 0.79 0.65 0.81 Pm [mW] 5.15 寸 寸 un 寸 寸 寸· in 〇〇 VO 00 00 'O 卜 卜 00 00 X (Ν Jitter [%] m in ^ri ^s〇 〇\ C\ 〇〇 ^ri o Pm/P w 0.75 0.66 0.79 0.66 0.79 0.64 0.80 (N 寸· 卜 cn 寸 寸· 00 rn 寸· ^s〇 rn 寸 Pw [mW] VO in VO cri ^sO 00 in 〇〇 in in ^s〇 in 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較實施例1 比較實施例2 -26- 200822089 如表1所示，實施例1至5滿足條件 0.66<Pm/Pw<0.79 ^且在相當於2x至4x的所有記錄線性 速度下，顫動不大於6.5 %。 同時，在如同比較實施例1中Pm/Pw^O.65的情形中 ，在記錄寬容度小的記錄線性速度4 X時，顫動爲7.1 %， 以及，在由相同的雷射發射圖案及參考時鐘標準化的雷射 發射時間中，在所有記錄線性速度下，無法取得適當的記 錄品質。 此外，在如同比較實施例2之0.8 0 P m / P w的情形中 ，在3x時，顚動爲6.6 %在4x時，顫動爲7.5%，以及， 在以相同的雷射發射圖案及參考時鐘標準化的雷射發射時 間，在所有記錄線性速度下，無法取得適當的記錄品質。 由於缺少用以形成記錄記號的加熱功率、以及在相鄰 軌道之間導致大串擾影響的過多加熱功率，而無法形成令 人滿意的記錄記號，所以，在比較實施例中，不利於記錄 品質。 如同從上述評估結果所見般，記錄記號形成記錄脈衝 含有之記錄脈衝係含有第一記錄功率Pw及第二記錄功率 Pm (其中Pw>Pm )，以及，當Pw及Pm的關係滿足條件 0.66<Pm/Pw<0.79時，即使記錄線性速度改變，仍然可以 以相同的雷射發射圖案及參考時鐘所標準化的雷射發射時 間，執行記錄，因此，在相當於2 X至4 X的所有記錄線性 速度下可以取得高準確度的適當記錄品質。 因此，藉由施加記錄線性速度從內軌至外軌改變的 CAV、ZCLV、或PCAV，可以在追記型光記錄媒體上，在 -27- 200822089 所有記錄線性速度下高精確地形成記錄記號。 實施例6至7 如下所述般製備具有如圖1 2所示的層配置 光記錄媒體： 在具有1.1 mm的厚度之聚碳酸酯製成的基 耒昔由濺射’依下述次序形成具有5 0 n m的厚 AgBi (0.5個質量百分比的Bi)之反射層5、具 的厚度及含有ZnS及Si02(其中ZnS:SiO2 = 80 : %))之上塗著層4、具有16 nm的厚度及含有 的記錄層3、及具有75 nm的厚度及含有ZnS及 中ZnS:SiO2 = 80:20(莫爾％))之下塗著層2。 此外，藉由濺射塗敷，在下塗著層2上，塗 可固化樹脂（由Nippon Kayaku有限公司製造的 以形成具有0.1 mm厚的遮蓋層1，藉以造成具 mm的厚度之追記型光記錄媒體。 在Bi2BGeOx中，X代表氧化程度，及可會g 中發生的氧耗盡。在記錄層中，不僅表示化學計 物成份，也表示要被氧化的元素之多餘成份。 使用Pulstec Industrial有限公司製造的光碟 置ODU-1000 (波長= 405 nm，數値孔徑NA = 0 對記錄及再生訊號，評估追記型光記錄媒體。 使用如圖14A及14B所示的雷射發射圖案， 。圖14A是波形圖，圖14B顯示每一參數的記錄 記錄線性速度設定在相當於2x、3x、及4x 之追記型 底6上， 度及含有 有 15 nm 20 (莫爾 Bi2BGeOx Si02 (其 著紫外光 R1 5 )， ，有約1.2 在化合物 量的氧化 機評估裝 .85)，針 執行記錄 表。 的程度， -28- 200822089 以及，在實施例6中，如圖1 7所示，記錄功率Pw及Pm 、以及預熱功率P s設定爲隨著增加的記錄線性速度而線 性地增加，以及，在實施例7中，如圖1 8所示，僅有記 錄功率Pw及Pm配置成隨著記錄線性速度增加而線性地 增力口。 使用符合藍光光碟可記錄標準的顫動作爲記錄及再生 訊號的評估之記錄品質評量。 顚動規格爲7.0 %或更小，且7.0%或更小被評爲A級 ，大於7.0%的顫動被評爲B級。 g平估結果顯不於表2中。 實施例8至9及比較實施例3 使用由 Matsushita Electric Industrial 有限公司製造 的用於資料LM-BR25D的藍光可記錄光碟作爲追記型光記 錄媒體，其具有含有氧化鉍以外的無機材料的記錄層，並 以 Pulstec Industrial有限公司製造的光碟機評估裝置 ODU-1000 (波長二 405 nm，數値孔徑 NA = 0.85)，針對 記錄及再生訊號，評估追記型光記錄媒體° 使用圖1 5 Α及1 5 Β所示的雷射發射圖案’執行記錄。 圖1 5 A是波形圖，圖1 5 B顯示每一參數的記錄表。記錄線 性速度設定在相當於2x、3x、4x及5x的程度’以及，記 錄功率Pw及Pm、以及預熱功率Ps設定爲隨著增加的記 錄線性速度而線性地增加。 用於記錄及再生的訊號之評估標準與實施例6相同。 評估結果顯示於表2中。 -29- 200822089 實施例1 0至1 1及比較實施例4 使用由新力公司製造的用於資料BNR25A的藍光可記 錄光碟作爲追記型光記錄媒體，其具有含有氧化鉍以外的 無機材料的記錄層，並以Pulstec Industrial有限公司製造 的光碟機評估裝置ODU-IOOO (波長=405 nm，數値孔徑 NA = 0.85 )，針對記錄及再生訊號，評估追記型光記錄 媒體。 使用圖1 6 A及1 6 B所示的雷射發射圖案，執行記錄。 圖16A是波形圖，圖16B顯示每一參數的記錄表。 記錄線性速度設定在相當於2x、3x、4x及5x的程度 ，以及，記錄功率Pw及Pm、以及預熱功率Ps設定爲隨 著增加的記錄線性速度而線性地增加。 用於記錄及再生的訊號之評估標準與實施例6相同° 評估結果顯示於表2中。 -30- 200822089 評估 < < < < < < PQ PQ X Jitter [%] m (N cn ρ oo 'sd p 寸 tn Pm/Pw _ \ 0.86 0.86 0.74 0.64 0.63 0.67 0.62 0.62 Pm [mW] ON ON vd oo tn 5 00 OO — 〇\ Pw [mW] oo oo 00 oo 12.8 12.8 oo 12.8 Jitter [%] 〇> 2 卜 iri <N vd 00 vd ίη \6 o Pm/Pw 0.89 0.89 0.76 0.68 0.65 0.69 \ 0.68 0.63 Oh 旦 <N vd <N (N iri 'Ο — 00 vd (N ^s〇 寸· \6 ^ 旦 卜 卜 oo 'O ΟΟ 10.4 10.4 oo vd 10.4 A Jitter [%] <N o Ο νο Os r- oo in Pm/Pw 0.92 0.92 0.79 0.72 0.69 0.73 0.76 0.66 ε F ^ 且 to 'sD (Ν — oo un 寸· Ph 旦 VO vo OO tn ΟΟ ιη 00 oo oo iri oo X (N Jitter [%] in 卜 cri ΟΝ iri 寸 iri oo tri Pm/Pw 0.98 I 0.98 0.83 0.79 0.75 0.79 0.88 0.71 ε ^ Oh 旦 Os 寸· O) 寸· 寸 ΟΟ rn (N 寸· — (N 寸· 寸 ^ 旦 in 00 寸· ΟΟ 寸· VO «•ri oo — vo 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 比較實施例3 国 比較實施例4 -31 - 200822089 如同表2中所見，實施例6至1 1滿足〇 · 6 3 ^ P m / P w， 且在相當於2 x至5 x的所有記錄線性速度下，顚動不大於 7.0%。 同時，在比較實施例3及4中，在相當於5x的記錄 線性速度下，Pm/Pw爲0.62且顫動爲大於7.0% ( 7.4%及 7.5%)。具體而言，由於在相當於5x的記錄線性速度時 的記錄寬容度小，所以，無法以與相當於2x至4x的記錄 線性速度時由雷射發射圖案及參考時鐘標準化的相同雷射 發射時間，取得適當的記錄品質。 如同實施例6及7中可見般，無論預熱功率ps是否 根據記錄線性速度的增加而線性地增加，均可取得適當的 記錄品質。 在實施例8及9中，如圖1 5 A及1 5 B所示，使用L 狀型式寫入策略而非城堡型寫入策略作爲記錄4T至9T記 號的雷射發射圖案。即使記錄脈衝形狀改變時，對於增加 的記錄線性速度仍可取得適當的記錄品質。 在實施例6及7中，使用主要含有氧化鉍的記錄層材 料，以及’在實施例8至1 1中，使用含有非氧化鉍的無 機記錄層材料。在每一實施例中，對於增加的記錄線性速 度取得適當的記錄品質。 如同從上述評估結果所見般，當記錄記號形成記錄脈 衝含有之記錄脈衝係含有第一記錄功率Pw及第二記錄功 率Pm (其中Pw>Pm )時，以及，當Pw及Pm滿足條件 0.63SPm/Pw時，即使記錄線性速度改變，仍然可以以相 同的雷射發射圖案及參考時鐘所標準化的雷射發射時間， -32- 200822089 執行記錄，因此，在相當於2x至5x的所有記錄線性速度 下可以取得高準確度的適當記錄品質。因此，藉由施加記 錄線性速度從內軌至外軌改變的 CAV、ZCLV、或PCAV ，可以在追記型光記錄媒體上，在所有記錄線性速度下可 以高精確地形成記錄記號。 [圖式簡單說明】 圖1 A係CLV的說明圖實施例，顯示媒體的轉速。 圖1 B係CLV的說明圖實施例，顯示記錄線性速度。 圖1 C係CLV的說明圖實施例，顯示時鐘頻率。 圖2A係CAV的說明圖實施例，顯示媒體的轉速。 圖2B係CAV的說明圖實施例，顯示記錄線性速度。 圖2 C係C A V的說明圖實施例，顯示時鐘頻率。 圖3 A係ZCLV的說明圖實施例，顯示媒體的轉速。 圖3B係ZCLV的說明圖實施例，顯示記錄線性速度 〇 圖3C係ZCLV的說明圖實施例，顯示時鐘頻率。 圖4A係PCAV的說明圖實施例，顯示媒體的轉速。 圖4B係PCAV的說明圖實施例，顯示記錄線性速度 〇 圖4C係PCAV的說明圖實施例，顯示時鐘頻率。 圖5顯示多脈衝雷射發射圖案的實施例。 圖6顯示含有城堡型記錄圖案的雷射發射圖案的實施 例。 圖7顯示含有L狀型記錄圖案的雷射發射圖案的實施 -33- 200822089 例。 圖8顯示含有倒L狀型記錄圖案的雷射發射圖案的實 施例。 圖9顯示含有塊狀型記錄圖案的雷射發射圖案的實施 例。 圖1 〇顯示以相當於2x至4x的記錄線性速度而未改 變記錄脈衝以執行記錄時pm、pw、pm/pw、及顫動的實 施例。 圖1 1顯示以相當於2x至5x的記錄線性速度而未改 變§5錄脈衝以執行記錄時 pm、Pw、Pm/Pw、及顫動的實 施例。 Η 1 2顯示根據本發明的追記型光記錄媒體的剖面視 圖的實施例。 圖1 3 Α顯示用於實施例1至5中的雷射發射圖案的波 形圖。 圖1 3 B顯示用於實施例1至5中的雷射發射圖案的每 一參數。 圖1 4 A顯示用於實施例6至7中的雷射發射圖案的波 形圖。 圖1 4B顯示用於實施例6至7中的雷射發射圖案的每 一參數。 圖1 5 A顯示用於實施例8至9中的雷射發射圖案的波 形圖。 Η 1 5B顯示用於實施例8至9中的雷射發射圖案的每 一參數。 -34- 200822089 圖1 6 A顯示用於實施例1 0至1 1中的雷射發射圖案的 波形圖。 圖1 6Β顯示用於實施例1 0至1 1中的雷射發射圖案的 每一參數。 圖1 7係顯示用於實施例6中的每一記錄速度時下的 記錄功率及預熱功率之圖形。 圖1 8係顯示用於實施例7中的每一記錄速度時下的 記錄功率及預熱功率之圖形。 -35-