TW200820416A - Packaging structure using semiconductor post thin film process technology for improving high-frequency transmission - Google Patents

Description

200820416 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關重分佈積體電路之規劃的結構，尤其s 引用半導體薄膜後製程技術以改善高頻傳輸的構裝結構。 【先前技術】 請參閱圖1所示。申請人之一已獲准的台灣專利第 1242873號，揭示一種重分佈積體電路之規劃的封裴方式及其 結構，係用於將一晶粒11電氣接合至一導線架12，該晶粒U 具有複數個第一銲墊111，該導線架12具有複數個導線銲墊 121，該複數個第一銲墊η]與該複數個導線銲墊121間的接 合具有一對應的第一規劃，包含： 一重分配層，具有複數個第二銲墊112及複數條導線13 ; 其中，該複條導線13供選擇性地連接該複數個第一銲墊j i j 及該複數個第二銲墊112，使得該複數個第二銲墊112與該複 數個導線銲墊121間的接合具有一對應的第二規劃，且該第二 銲塾112並電氣接合至該導線架12之該複數個導線銲墊121。 一般導線在傳輸高頻訊號時，會產生一感抗Xl，而[的 值由下列公式表示：

Xl= 6)L · · *(ι)， 其中ω是導線傳輸訊號的角頻率，而L是電感；L的大小與 導線的長度成正比。 200820416 圖1所示的導線13的長度愈長及傳輸訊號的角頻率ω愈 大時，將產生愈大的感抗Xl。目前導線13的長度不影響訊號 的傳輸，但當傳輸訊號的角頻率愈來愈大時，將使導線傳 輸南頻訊號產生的感抗愈來愈大，而影響傳輸效率，甚至會因 感抗太大而無法傳輸更高頻的訊號。 【發明内容】 為了使重分佈積體電路之規劃的封裝結構，具有高頻傳 輸功能，而提出本發明。 本發明的主要目的，在提供一種引用半導體薄膜後製程技 術以改善高頻傳輸的構裝結構，使重分佈之積體電路規劃所使 用之導線傳輸訊號時，不受導線長度及傳輸頻率的影響，能傳 輸高頻的訊號。 本發明的另一目的，在提供一種引用半導體薄膜後製程技 術以改善高頻傳輸的構裝結構，可縮短晶片連接導線架的導線 長度，使連接導線架的導線較能傳輸高頻的訊號。 本發明轉體薄麟餘技細改善高頻傳輪的構 裝結構’係取提高連接晶片的第—銲墊及第二銲墊的導線的 傳輸§fl號的頻率者，包括： 一晶片’具有電子贿理功能，並具有複數第一銲墊及複數第 二銲墊； 複數條導線，每—條該導線_端分職接-該第-銲塾及— 200820416 該第二銲墊； 一絕緣層，與該晶片相結合；該複數條導線被三明治式的夾於 該絕緣層無⑼之間；該絕緣層具有與每—該第二銲塾相對 應的第一穿透孔； 一導電層，與該絕緣層相結合；該絕緣層被三明治式的夾於該 導電層與該晶片之間；該導電層具有與該晶片的每-第二銲墊 相對應的第二穿透孔，俾使每一該第二銲墊透過相對應的該第 • 一穿透孔、該第二穿透孔與外部的導線電氣連接； 其中鱗電層用以電氣連接提供該晶片卫作的電力輸入端的 咼電位端或接地端其中之一者，使該複數條導線與該導電層之 間^/成類似微帶傳輸線的‘號傳輸結構；使導線的特性阻抗與 導線的長度及傳輸訊號的角頻率無關，用以傳輸高頻訊號。 本發明的其他目的、功效，請參閱圖式及實施例，詳細說 明如下。 【實施方式】 請參閱圖2、3所示。本發明引用半導體薄膜後製程技術 以改善南頻傳輸的構裝結構，係用以提高連接晶片的第一銲墊 及第二銲墊的導線的傳輸訊號的頻率者，本發明的結構實施 例，包括： 一晶片20,具有電子訊處理功能，並具有複數第一銲墊 21及複數第二銲墊22 ;複數第一銲墊21置於晶片20的中間 7 200820416 區域，呈接近平行的兩列；複數第二銲墊22置於晶片2的外 圍區域，亦呈接近平行的兩列；複數第一銲墊21與複數第二 銲墊22所形成的列接近平行；複數第一銲墊21及複數第二銲 墊22中分別具有至少一相對應的接地銲墊211、221 ; 複數條導線30，每一條導線30的兩端分別連接一第一銲 墊21及一第二銲墊22; 一絕緣層40，係由聚乙酿胺、合成橡膠(Elast〇mer)或矽 化合成橡勝(Silicon Elastomer)等絕緣材料形成者，利用塗 佈/固化(Coating/Curing)等方式與晶片2〇相結合，使複數條 導線30被三明治式的夾於絕緣層4〇與晶片2〇之間；絕緣層 40具有與每一第二銲墊22相對應的第一穿透孔41 ; -導電層50，係由銅、金、鈦、銀、鎳、鈀、鈀鎳合金、 氮化鈦，或其她合等金騎料料電材卿成者，利用電錢 等方式使導電層50與絕緣層4G減合，使絕緣層4()被三明 治式的夾於導電層50與晶片2G之間；導電層5〇具有至:一 接地銲塾5卜接地銲墊51與晶片2〇的接地銲墊221電^ 接；導電層50具有與接地銲墊221以外的每一第二銲墊^相 對應的第二穿透孔52，使接地銲墊221以外的每—第二鲜目 22可透過相對應的第-穿透孔41、第二穿透孔於與外部 線電氣連接。 ° 本發明利財__後絲技術，使連接㈣2〇的第 8 200820416 一、二銲墊2卜22❸導線30上邊結合一絕緣廣4〇，再於絕 緣層40的上邊結合-導電層50，使複數導線3〇與導電層5〇 之間形成類似微帶傳輸線的訊號傳輪結構。導電層5〇的接地 銲墊51可電氣連接提供晶片20工作的電力輸入端的高電位端 或接地端。 … 職賴輸線衫，其特餘抗一值由下列公式表示： lK^eff Λ W 4AJ * * .(2) 其中In為自然對數，底為e ; h為導線的寬度；w為導線 與參考層之間的距離；Z/是在空間的波阻抗；心#是與立值

W 有關的有效介電常數。 由上述公式（2)可知對微帶傳輸線而言，其特性阻抗2〇與 φ 傳輪訊號的角頻率及微帶傳輸線的長度無關，因此可作為低阻 抗高頻訊號傳輸之用。 本發明使複數導線30與導電層50之間構成類似微帶傳輸 線之結構，複數導線3〇傳輸訊號時的特性阻抗如上述公式（2) 中所不者，與複數導線3〇的長度及傳輸訊號的角頻率無關， 因此可用以傳輸高頻訊號，有利於開發高頻晶片之設計。 本發明引用半導體薄膜後製程技術，使連接晶片的第一銲 墊及第二銲墊的導線與導電層之間，形成類似微帶傳輸線的訊 200820416 號傳輸結構；使導線傳輸訊號時的特性卩且 、 輸訊號的角頻率無關，可用以傳輪高頻、^線的長度及傳 〇只机琥；且j：掣祚交且

除了可作為改㈣的輸入屬之規劃，進而製造不同規林 Γ片外；並可使銲墊在㈣區域的晶片，彻本發日^: =晶片外圍的第二銲墊與導線架的導線二 度，在傳輸南頻訊號時，較不會產生高阻抗，而影 的傳輸。否則連接導線架的導線，必須具有較長的長度，找 中_的銲^較_線在傳輸高頻訊號 、曰生n阻抗’而影響高頻訊號的傳輸或無法傳輸高頻訊 號0 来以上所,己載’僅為利用本發明技術内容之實施例，任何熟 悉本項技藝者本翻所為之修飾 、變化，皆屬本發明主張 之專利範圍，而不限於實施例所揭示者。 張 200820416 【圖式簡單說明】 圖1為已知重分佈積體電路之規劃的封裝結構的示意圖。 圖2為本發明實施例晶片、絕緣層及導層呈分開狀態的示意 圖。 圖3為本發明實施例的外觀示意圖。 【主要元件符號說明】 11晶粒 111第一銲墊 _ 112第二銲墊 12導線架 121導線銲墊 13導線 20晶片 21第一銲墊 211、221、51接地銲墊 22第二銲墊 30導線 40絕緣層 41第一穿透孔 52第二穿透孔 50導電層

Claims (1)

1. 200820416 十、申請專利範圍： 1· 一種引用半導體薄膜後製程技術以改善高頻傳輸的構裝結 構，係用以提高連接晶片的第一銲墊及第二銲墊的導線的傳 輸訊號的頻率者，包括： 一晶片，具有電子訊處理功能，並具有複數第一銲墊及複數 第二銲墊； 複數條導線，每一條該導線的兩端分別連接一該第一銲墊及 一^第二焊塾； 一絕緣層，與該晶片相結合；該複數條導線被三明治式的夾 於该絕緣層與該晶片之間；該絕緣層具有與每一該第二銲墊 相對應的第一穿透孔； -導電層，無絕緣層減合；魏緣層被三日㈣式的爽於 該導電層與該晶片之間；該導電層具有與該晶片的每一第二 鲜塾相對應的第二穿透孔，俾絲一該第二銲墊透過相對應 的該第-穿透孔、該第二穿透孔與外部的導線電氣連接； ^中該導電以電氣連接提供該晶片工作的電力輸入端的 南電位端或接地端其中之—者，使該複數條導線與該導電層 之間形成類似微帶傳輸線的訊號傳輸結構。 2.如申請專利細第1項所述之半導㈣職製程技術以 改頻傳輸的構裝結構’其中該複數第—銲塾及該複數第 -銲塾中分別具有至少—相對應的接地銲塾；該導電層具有 12 200820416 至少一接地銲墊，該導電層的該接地銲墊與該晶片的該接地 鲜塾電氣連接。 3·如申請專利範圍第1或2項所述之引用半導體薄膜後製程技 術以改善高頻傳輸的構裝結構，其中該複數第一銲墊設置於 §亥晶片的中間區域；該複數第二銲墊設置於該晶片的外圍區 域。 4·如申請專利範圍第3項所述之引用半導體薄膜後製程技術以 改善高頻傳輪的構裝結構，其中該複數第一銲墊呈接近平行 的兩列；該複數第二銲墊置亦呈接近平行的兩列。 5·如申請專利範圍第4項所述之引用半導體薄膜後製程技術以 改善高頻傳輸的構裝結構，其中該複數第一銲墊與該複數第 二銲塾所形成的列接近平行。 6·如申請專利範圍第5項所述之引用半導體薄膜後製程技術以 改善高頻傳輸的構裝結構，其中該絕緣層係選自聚乙醯胺、 合成橡膠及矽化合成橡膠其中之一的絕緣材料形成者。 7·如申請專利範圍第6項所述之引用半導體薄膜後製程技術以 改善高頻傳輸的構裝結構，其中該導電層係選自鋼、金、欽、 銀、鎳、鈀、鈀鎳合金及氮化鈦其中之一的導電材料形成者。 13