TWI312184B - - Google Patents

Description

1312184 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關重分佈積體電路之規劃的結構，尤其β有關 引用半導體薄膜後製程技術以改善高頻傳輸的構裂結構。 【先前技術】

請參閱圖1所示。申請人之一已獲准的台灣專利第 1242873號，揭示一種重分佈積體電路之規劃的封襄方式及其 結構’係用於將一晶粒11電氣接合至一導線架12，該晶粒u 具有複數個第一銲墊111，該導線架12具有複數個導線銲墊 121，該複數個第一銲墊Hi與該複數個導線銲墊121間的接 合具有一對應的第一規劃，包含： 一重分配層，具有複數個第二銲墊112及複數條導線13 ; 其中，該複條導線13供選擇性地連接該複數個第一銲墊nj 及該複數個第二銲墊112，使得該複數個第二銲墊112與該複 數個導線銲墊121間的接合具有一對應的第二規劃，且該第二 鲜塾112並電氣接合至該導線架12之該複數個導線銲墊121。 一般導線在傳輸高頻訊號時，會產生一感抗Xl，而Xl的 值由下列公式表示：

Xi-coh ···〇)， 其中ω是導線傳輸訊號的角頻率，而L·是電感；L的大小與 導線的長度成正比。 1312184 圖1所不的導線13的長度愈長及傳輸訊號的角頻率ω愈 大時’將產生愈大的感抗Xl。目前導線13的長度不影響訊號 的傳輪，但讀輸訊號的細率愈來愈大時，將使導竣13傳 輪间頻訊號產生的感抗愈來愈大，而影響傳輸效率，甚至會因 感抗太大而無法傳輸更高頻的訊號。 【發明内容】 為了使重分佈频電路之規議職結構，具有高頻傳 輸功能’而提出本發明。 本發明的主要目的，在提供一種引用半導體薄膜後製程技 術以改善純雜的構裝結構，使重分佈之频電路規劃所使 用之導線倾訊餅’ *受導線長度及雜_辦彡響，能傳 輸南頻的訊號。 本發明的另-目的，在提供一種引用半導體薄膜後製程技 術以改善高頻傳輸的構裝結構，可驗；連接導線架的導線 長度，使連接導線架的導線較能傳輸高頻的訊號。 本發明個半導體細後製程技術㈣善高頻傳輪的構 裝結構’係用以提高連接晶片的第一銲墊及第二銲墊的導線的 傳輸訊號的頻率者，包括： 一晶片’具有電子訊處理功能，並具有複數第一銲墊及複數第 二銲墊； 複數條導線’每一條該導線的兩端分別連接—該第一銲墊及一 1312184 該第二銲墊； 一絕緣層，與該晶片相結合；該複數條導線被三明治式的夾於 該絕緣層與該晶片之間；該絕緣層具有與每一該第二銲墊相對 應的第一穿透孔； 一導電層，與該絕緣層相結合；該絕緣層被三明治式的夾於該 導電層與該晶片之間；該導電層具有與該晶片的每一第二銲墊 相對應的第二穿透孔，俾使每一該第二銲墊透過相對應的該第 穿透孔、該第二穿透孔與外部❾導線冑氣連接； 其中該導電層用以電氣連接提供該晶片工作的電力輸入端的 高電位端或接地端其巾之-者，使魏數條導線與料電層之 間形成類織帶傳輪線的訊號傳輸結構；使導_特性阻抗與 導線的長度及傳輪訊號的觸率細，用以傳輸高頻訊號。 本發明的其他目的、功效’請參關式及實施例，詳細說 明如下。 β

【實施方式】 以改==。本發明引___ 一曰傳輪的構裝結構’係用以提高連接晶片的第—銲墊 第銲塾的導線的傳輪訊號的頻率者，本發明的結構實施 例’包括· 7 1312184 區域’呈接近平行的兩列；複數第二銲墊22置於晶片2的外 圍區域’亦呈接近平行的兩列；複數第一鲜塾21與複數第二 銲墊22所形成的列接近平行；複數第一銲墊21及複數第二鮮 墊22中分別具有至少一相對應的接地銲墊211、221 ; 複數條導線30，每一條導線30的兩端分別連接一第一鋅 墊21及一第二銲墊22 ;

一絕緣層40，係由聚乙醯胺、合成橡膠(Elast〇mer)或矽 化合成橡膠(Silicon Elastomer)等絕緣材料形成者，利用塗 佈/固化(Coating/Curing)等方式與晶片20相結合，使複數條 導線30被三明治式的夾於絕緣層4〇與晶片2〇之間；絕緣層 40具有與每一第二銲墊22相對應的第一穿透孔41 ; 導電層50，係由銅、金、欽、銀、錄、把、把錦合金、 氮化鈦，或其他組合等金屬材料等導電材料形成者，利用電鍍 等方式使導電層50航緣層40祕合，舰緣層4Q被三明 治式的夾於導電層50與晶片20之間；導電層50具有至少 接地銲塾5卜接地銲墊51與晶片2〇的接地鐸墊221電氣 接；導電層50具有與接地銲$ 221以外的每一第二鲜塾22 對應的第二穿透孔52，使接地料221以外的每-第二銲 22可透過相對應的第—穿透孔4卜第二穿透孔52與外部的 線電氣連接。 本發明利科導㈣職裝雜術，使連接晶4 2〇的第 8 1312184 一、二鲜塾2卜22的導線3〇上邊結合一絕緣層4〇，再於絕 緣層40的上邊結合—導電層5〇，使複數導線別與導電層恥 ，間形成類似微帶傳輪線的訊號傳輸結構。導電層5〇的接地 銲塾51可電氣連接提供晶片2{)ji作的電力輸人端的高電位 或接地端。 對微帶傳輸線而言’其特性阻抗&的值由下列公式表示：

Ah) · * * (2) 其中In為自然對數，底為e ; h為導線的寬度；w為導線 與多考層之間的距離；z，是在空間的波阻抗；〜是與△值

W 有關的有效介電常數。 由上述公式（2)可知對微帶傳輸線而言，其特性阻抗與

傳輸訊號的肖解及微帶傳的長度無關，因此可作為低阻 抗尚頻訊號傳輸之用。 本發明使複數導線30與導電層50之間構成類似微帶傳輸 線之結構，複數導線3〇傳輸訊號時的特性阻抗如上述公式（2) 中所不者，與複數導線3〇的長度及傳輸訊號的角頻率無關’ 因此可用以傳輸高頻訊號’有利於開發高頻晶片之設計。 本發明引用半導體薄膜後製程技術，使連接晶片的第一銲 塾及第二銲塾的導線與導電層之間，形成類似微帶傳輸線的訊 1312184 號傳輸結構；使導線傳輸訊號時的特性阻抗與導線的長产及傳 輸訊號的角頻率無關，可用以傳輸高頻訊號；且其製作容易， 除了可作為改變晶片的輸人/輸出之規劃，進而製造不同規格 的晶片外；並可使銲塾在中間區域的晶片，仙本發明的結 構’使連接晶片外圍的第二銲墊與導_的導線具有較短的長 度’在傳輸高頻訊麟’較不會纽高阻抗，而影響高頻訊號 的傳輸。否則連接導線架的導線’必須具有較長的長度，找 連接置於晶片中__銲墊；而較㈣導線在傳輸高頻訊號 時’會產生高阻抗’而影響高頻訊號的傳輸或無法傳輸高頻訊 號。 以上所記載，僅為利用本發明技術内容之實施例，任何孰 悉本項技藝者運用本發騎為之修飾、變化，㈣本發明主張 之專利範31 ’而不限於實關所揭示者。 1312184 【圖式簡單說明】 圖1為已知重分佈積體電路之規劃的封裝結構的示意圖。 圖2為本發明實施例晶片、絕緣層及導層呈分開狀態的示意 圖。 圖3為本發明實施例的外觀示意圖。 【主要元件符號說明】 11晶粒 111第一銲墊 112第二銲墊 12導線架 121導線銲墊 13導線 20晶片 21第一銲墊 211、221、51接地銲墊 22第二銲墊 30導線 40絕緣層 41第一穿透孔 52第二穿透孔 50導電層

Claims (1)

1312184 十、申請專利範圍： 1.種引用半導㈣職製程技術以改善高頻傳輸的構裝結 構’係用啸S連接晶>j的第—雜及第二㈣的導線的傳 輸訊號的頻率者，包括： 日日片’具有電子訊處理功能，並具有複數第一銲墊及複數 第二銲墊； 複數條導線，每-條料線的兩端分別連接—該第一銲塾及 一該第二銲墊； -絕緣層’與該晶片相結合；該複數條導賴三明治式的夾 於該絕緣層與該晶片之間；該絕緣層具有與每-該第二銲墊 相對應的第一穿透孔； 一導電層，與親緣層減合；魏緣層被三式的炎於 該導電層與該晶片之間；該導電層具有與該晶片的每一第二 鲜塾相對應的第二穿透孔’俾使每—該第二鮮墊透過相對應 的该第-穿透孔、該第二穿透孔與外部的導線電氣連接； 其中該導電層用以電氣連接提供該晶紅作的電力輸入端的 高電位端或接地端其中之—者’使該複數條導線與該導電層 之間形成類似微帶傳輸線的訊號傳輸結構。 2.如申請專利範圍第1項所述之引用半導體薄膜後製程技術以 改善高頻傳輸的結構，其找魏第及該複數第 二銲勢中分別具有至少—相對應的接地銲墊；該導電層具有 12 1312184 至少-接地’該導電層_接地銲墊與該晶片的該接地 銲墊電氣連接。 3. 如申請專機㈣丨或2項所述之制半導體義後製程技 術以改善高麵輸的魏結構，其中該複_—銲墊設置於 該晶片的中間區域；該複數第二銲墊設置於該晶片的外圍區 域。 4. 如申請專概㈣3項所述之_半導體細後製程技術以 # 改善高頻傳輸的構裝結構’其中該複數第-鲜墊呈接近平行 的兩列；該複數第二銲塾置亦呈接近平行的兩列。 5. 如申請專概圍第4項所述之引用半導體薄膜後製程技術以 改善高頻傳輸的構裝結構，其中該複數第—銲墊與該複數第 二銲墊所形成的列接近平行。 6. 如申請專概圍第5項所述之引时導體薄膜後製程技術以 改善向頻傳輸的構裝結構，其中魏緣層健自聚乙酿胺、 # 合成橡膠及石夕化合成橡膠其中之-的絕緣材料形成者。 7. 如申請專娜圍第6項所述之伽半導體薄膜後製程技術以 改善高頻傳輸的構裝結構，其中該導電層係選自鋼、金、鈦、 銀、鎳、鈀、鈀鎳合金及氮化鈦其中之一的導電材料形成者。 13