JP4124168B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1及び図2を参照して、この発明の第1の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。図1は、この実施の形態の半導体装置であるWCSP10を概略的に示す平面図である。また、図2(A)は、図1に示す平面図のうち破線で囲まれた領域Aを拡大して各構成要素を詳細に示した図である(以下の各実施の形態においては図1に対応する図は省略し、この拡大概略図に対応する図を参照して説明する。)。また、図2(B)は、図2(A)を破線部分I−I’線に沿って切断して得られる切り口(断面)を図中矢印I方向から見た図である。また、図2(C)は、図2(A)を破線部分P−P’線に沿って切断して得られる切り口(断面)を図中矢印P方向から見た図である(以下の実施の形態についても同様とする。)。尚、図1及び図2(A)において、便宜上、WCSP10が具える有機樹脂膜等の封止膜50の図示を省略すると共に、図1においては、配線35及びポスト部40の一部もその図示を省略してある。
図3を参照して、この発明の第2の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。
図4を参照して、この発明の第3の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。
図5を参照して、この発明の第4の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。
図6を参照して、この発明の第5の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。
図7を参照して、この発明の第6の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。
図8を参照して、この発明の第7の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。尚、図8(D)は、図8(A)を破線部分Q−Q’線に沿って切断して得られる切り口(断面)を図中矢印P方向から見た図である。
図9を参照して、この発明の第8の実施の形態に係る半導体装置につき説明する。
15 …半導体チップ
20 …電極パッド
20a …第1電極パッド
20b …第2電極パッド
25 …パッシベーション膜
30 …保護膜
32 …第1絶縁層
35 …配線
35a …GND線(第1配線)
35b …信号線(第2配線)
40 …ポスト部
40a …第1ポスト部
40b …第2ポスト部
45 …半田ボール(外部端子)
50 …封止膜
55 …誘電体層
60,65 …誘電体層(第2絶縁層)
351,352 …コンタクト部
Claims (8)
- 回路素子を具える半導体チップの外形寸法と同一の外形寸法でパッケージングされている半導体装置において、
前記半導体チップ上に設けられた複数の電極パッドと、
前記電極パッドの表面の一部を露出させるよう該半導体チップ上に設けられた絶縁層と、
該絶縁層の上側であって、前記電極パッドの直上とは異なる位置にそれぞれ設けられた複数の外部端子と、
前記電極パッドの各々と前記外部端子の各々とを、電気的に接続するために前記絶縁層上に設けられていて、接地線となる第1配線と信号線となる第2配線とを含む複数の配線とを具え、
前記第2配線は、2つの前記第1配線間に挟まれて、設けられ、
前記第1配線は、網目状配線となっており、かつ、前記第2配線の特性インピーダンスと、該第2配線が前記電極パッドを介して接続される前記回路素子のインピーダンスとのインピーダンス整合をとれるように、設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 回路素子を具える半導体チップの外形寸法と同一の外形寸法でパッケージングされている半導体装置において、
前記半導体チップ上に設けられた第1及び第2電極パッドを含む複数の電極パッドと、
前記第1及び第2電極パッドの表面の一部を露出させるよう該半導体チップ上に設けられた第1絶縁層及び、前記第1電極パッドの一部を露出させるよう該第1絶縁層の上側に設けられた第2絶縁層と、
前記第2絶縁層の上側であって、前記第1及び第2電極パッドの直上とは異なる位置に設けられた第1外部端子と、
前記第2絶縁層の上側であって、前記第1及び第2電極パッドの直上とは異なる位置に設けられた第2外部端子と、
前記第1電極パッドと前記第1外部端子とを、電気的に接続するために前記第2絶縁層上に設けられていて、接地線となる第1配線と、
前記第2電極パッドと前記第2外部端子とを、電気的に接続するために前記第1絶縁層上に設けられていて、信号線となる第2配線とを具え、
前記第1配線は、網目状配線となっており、かつ、前記第2配線の特性インピーダンスと、該第2配線が前記電極パッドを介して接続される前記回路素子のインピーダンスとのインピーダンス整合をとれるように、前記第2配線を上側から覆うように設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 回路素子を具える半導体チップの外形寸法と同一の外形寸法でパッケージングされている半導体装置において、
前記半導体チップ上に設けられた第1及び第2電極パッドを含む複数の電極パッドと、
前記第1及び第2電極パッドの表面の一部を露出させるよう該半導体チップ上に設けられた第1絶縁層及び、前記第1電極パッドの一部を露出させるよう該第1絶縁層の上側に設けられた第2絶縁層と、
前記第2絶縁層の上側であって、前記第1及び第2電極パッドの直上とは異なる位置に設けられた第1外部端子と、
前記第2絶縁層の上側であって、前記第1及び第2電極パッドの直上とは異なる位置に設けられた第2外部端子と、
前記第1電極パッドと前記第1外部端子とを、電気的に接続するために前記第2絶縁層上に設けられていて、接地線となる第1配線と、
前記第2電極パッドと前記第2外部端子とを、電気的に接続するために前記第1絶縁層上に設けられていて、信号線となる第2配線とを具え、
前記第1配線は、前記第2配線を上側から覆うように設けられ、
前記第1配線は、前記第2配線の特性インピーダンスと、該第2配線が前記電極パッドを介して接続される前記回路素子のインピーダンスとのインピーダンス整合をとれるように、設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第1及び第2配線のそれぞれの幅及び第1配線及び第2配線間の間隔は、前記インピーダンス整合をとれるように、前記第1及び第2配線の形成材料の抵抗率及び該第1及び第2配線間に設けられる誘電体層の誘電率に依存した値に設定されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第1及び第2配線のそれぞれの厚さは、前記インピーダンス整合をとれるように、前記第1及び第2配線の形成材料の透磁率及び該第1及び第2配線間に設けられる誘電体層の誘電率に依存した値に設定されていることを特徴とする半導体装置。 - 回路素子を具える半導体チップの外形寸法に合わせてパッケージングされている半導体装置において、
前記半導体チップ上に設けられた第1及び第2電極パッドを含む複数の電極パッドと、
前記第1及び第2電極パッドの表面の一部を露出させるよう該半導体チップ上に設けられた第1絶縁層及び、前記第1電極パッドの一部を露出させるよう該第1絶縁層の上側に設けられた第2絶縁層と、
前記第2絶縁層の上側であって、前記第1及び第2電極パッドの直上とは異なる位置に設けられた第1外部端子と、
前記第2絶縁層の上側であって、前記第1及び第2電極パッドの直上とは異なる位置に設けられた第2外部端子と、
前記第1電極パッドと前記第1外部端子とを、電気的に接続するために前記第2絶縁層上に設けられていて、接地線となる第1配線と、
前記第2電極パッドと前記第2外部端子とを、電気的に接続するために前記第1絶縁層上に設けられていて、信号線となる第2配線とを具え、
前記第1配線は、前記第2配線の特性インピーダンスと、該第2配線が前記電極パッドを介して接続される前記回路素子のインピーダンスとのインピーダンス整合をとれるように、前記第2配線を上側から覆うように、前記第2配線及びその周辺部分の上に対応する部分的な領域に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6に記載の半導体装置において、
回路素子を具える半導体チップの側面とパッケージングのための封止樹脂の側面とで平坦な面が構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第2配線の長さは、当該半導体装置の動作周波数の実効波長の4分の1以下となるように設定されていることを特徴とする半導体装置。
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