200818174 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於藉由照射光來進行資訊之記錄、再生或 抹除之相變化型光記錄媒體，特別是關於具備複數層的高 - 透過率資訊層（具有記錄膜）之多層型的相變化型光記錄 . 媒體。 【先前技術】 所謂相變化型光記錄媒體，例如最近之 CD-RW、 DVD-RW、DVD-RAM、BD-RE ( Blu-ray Disc Rewritable )， 係藉由照光使記錄膜形成材料在結晶相與非結晶相之間產 生可逆變化，而對記錄膜進行資訊之記錄或抹除的記錄媒 體。其中特別是DVD-RW、DVD-RAM、BD-RE，係大量使 用於影像資訊等龐大資訊量之記錄、覆寫。 爲了記錄更多的資訊量，可考慮增加記錄密度，日本 特開200 1 -243 655號公報（專利文獻1 )揭示出，在基板 之一面側重疊2層以上之資訊層（由記錄膜與反射膜所組 成）而構成多層型光記錄媒體。 上述般具有複數資訊層之多層型光記錄媒體，由於雷 射光在接近雷射光入射側之前側資訊層會大幅衰減，故要 求提昇前側資訊層之透過率。因此必須將記錄膜與反射膜 的厚度減低至低於1 〇 n m。 本案發明人，將前側資訊層做成日本特開平5-217211 號公報（專利文獻2 )的構造並針對記錄膜及反射膜厚度 -4- (2) (2)200818174 未達1 Onm的情形進行探討，結果並無法獲得良好的記錄 特性及覆寫特性。 〔專利文獻1〕日本特開2001-243655號公報 〔專利文獻2〕日本特開平5_2172U號公報 【發明內容】 如上所述’當在基板上形成複數資訊層時，爲了提高 前側的資訊層之透過率，必須將記錄膜與反射膜的厚度減 低至低於1 〇nm，但這種條件下無法獲得良好的記錄特性 及覆寫特性。 爲了解決前述問題，本發明之目的係提供一種光記錄 媒體，係具有複數資訊層之多層型相變化光記錄媒體，在 接近光入射側之資訊層具有高透光率而能實現最佳的記錄 再生。 爲了解決上述課題之本發明係提供以下（a)〜（c) 之技術手段。 (a ) —種光記錄媒體，係藉由光來進行資訊之記錄 或再生的光記錄媒體，其特徵在於：具備：使前述光射入 第1面之基板1、以及在前述基板之與前述第1面相對向 之第2面上至少設置2層之複數的資訊層，從前述基板觀 察時位在最裏側之資訊層以外之至少一個資訊層’係從前 述基板起依序積層至少第1保護膜2、界面膜3、半透過 記錄膜4、第2保護膜5、第3保護膜6、半透過反射膜7 而構成，前述半透過反射膜的膜厚未達10 nm ’前述第1 -5- 200818174 (3) 保護膜、前述界面膜、前述第2保護膜、前述第 之熱傳導率分別爲σΐ、ak、σ2、σ3時，使用符 (σΐ，σ3)之材料來形成前述第丨保護膜、前述 前述第2保護膜以及前述第3保護膜。 • (M在（a)記載之光記錄媒體中，前述第 • 之熱傳導率σΐ爲未達l〇W/m/K，前述界面膜之 ak爲10 W/m/K以上未達50 W/m/K，前述第2 熱傳導率σ2爲50 W/m/K以上未達1 80 W/m/K， 保護膜之熱傳導率σ3爲未達l〇W/m/K。 (c)在（a)或（b)記載之光記錄媒體中， 保護膜係由含有ZnS與Si02中至少一方之材料 述界面膜係由以GeN爲主成分之材料所構成，前 護膜係由以S i C爲主成分之材料所構成，前述第 係由含有ZnS與Si02中至少一方之材料所構成。 依據本發明，對於具有複數資訊層之多層型 記錄媒體，由於在前側之資訊層具有高透過率， 更加良好的記錄再生特性。 【實施方式】 <光記錄媒體之構造> 具備複數層資訊層（具有使用相變化材料而 錄膜）之光記錄媒體（以下稱「多層型光記錄媒 係包含可將資訊重複覆寫之CD-RW、DVD-RW、 之相變化型光碟、光學卡等的媒體。以下的說明 3保護膜 合 σ2〉σΙ:> 界面膜、 1保護膜 熱傳導率 保護膜之 前述第3 前述第1 所構成， 述第2保 3保護膜 相變化光 故能獲得 形成之記 體」）， BD-RE 等 中，本發 -6 - (4) (4)200818174 明之多層型光記錄媒體之一實施形態係使用作爲DVD-RW 之多層型光記錄媒體D，但針對同樣具備多層型的構造而 能用比DVD更短波長的雷射光進行記錄之光記錄媒體 (例如BD_RE )，本發明也能適用。 第1圖係顯示本發明一實施形態之多層型光記錄媒體 D之放大截面圖。光記錄媒體D之基本構造，係在以射入 雷射光L (用來記錄、再生或抹除）之入射面1A爲底面 之第1基板1上，積層第1資訊層D1、隔著中間層9之 第2資訊層D2、以及第2基板14而構成。 光記錄媒體D之位於入射面1 A側之第1資訊層D 1， 係依序積層第1保護膜2、界面膜3、半透過記錄膜4、第 2保護膜5、第3保護膜6、半透過反射膜7、光學調整膜 8而構成。從雷射光L之入射面1 A算起位於最裏側之第2 資訊層D2，係形成於以第2基板14之標籤面14B爲底面 之第2基板1 4上，其係依序積層反射膜丨3、第5保護膜 1 2、記錄膜1 1、第4保護膜1 0而構成。第1資訊層D1 之光學調整膜8與第2資訊層D2之第4保護膜1 0，係以 隔著中間層9相對向的方式黏著在一起。 第1基板1之材料可使用各種透明的合成樹脂、透明 玻璃等等。由於第2資訊層D2之記錄再生是從入射面1A 通過第1資訊層D1來進行，因此第2基板14不須呈透 明，但也能使用和第1基板1相同的材料。第1基板1及 第2基板1 4的材料，例如可列舉玻璃、聚碳酸酯樹脂、 聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烴樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹 200818174 (5) 脂等等。基於光學雙折射及吸濕性小、容易成形之觀點， 其中以聚碳酸酯樹脂特佳。 第1基板1及第2基板1 4的厚度並沒有特別的限 定，但考慮到整體厚度爲1.2mm之DVD與BD之互換 • 性，則宜爲 〇 · 〇 1 m m〜0 · 7 m m，其中 D V D的情形較佳爲 . 〇.55mm 〜0.6mm，BD 的情形較佳爲 0.05mm 〜〇. 1 〇mm。 當第1基板1的厚度未達0.01mm時，在第1基板1 之入射面1 A側會聚之雷射光在進行記錄時容易受污染物 的影響故不宜。又當光記錄媒體D之整體厚度沒有特別限 制時，實用上只要在0.01mm〜5mm的範圍內即可。當厚 達5 m m以上時，要加大對物透鏡之數値孔徑會有困難， 由於照射雷射光之光點變大，要提昇記錄密度會有困難。 因此，對於爲了增加記錄密度而設置複數層記錄膜之本實 施形態的光記錄媒體D而言，並不適合。 第1基板1及第2基板14爲軟式或硬式皆可。關於 軟式之第1基板1及第2基板14，可使用帶狀、片狀、卡 狀之光記錄媒體。關於硬式之第1基板1及第2基板14， 可使用卡狀或片狀的光記錄媒體。 第1保護膜2、第3保護膜6、第4保護膜1 0及第5 保護膜12，能防止第1基板1、半透過記錄膜4、記錄膜 1 1等因記錄時之發熱而產生變形並降低記錄特性。又利用 其光學干涉效果能改善再生訊號之對比。 第1保護膜2、第3保護膜6、第4保護膜10及第5 保護膜1 2較佳爲，對記錄、再生或抹除用之雷射光具有 -8- 200818174 (6) 透過性，且折射率η在1 _9^n^2.3的範圍。關於第i保護 膜2、第3保護膜6、第4保護膜1 0及第5保護膜1 2的 材料，基於熱特性之觀點，宜爲 Si02、SiO、ΖηΟ、 Ti〇2、Ta205、Nb2〇5、Zr02、MgO 等的氧化物，ZnS、 * In2S3、TaS4等的硫化物，SiC、TaC、WC、TiC等的碳化 ^ 物，擇自前述化合物中之任一單體或該等單體之混合物。 其中，較佳爲含有ZnS及Si02中至少一方而構成的材 料，更佳爲ZnS與Si 02之混合膜，其在反覆進行記錄、 抹除動作中，不容易產生記錄感度、C/N、抹除率等的劣 化。在ZnS與Si02組成之混合膜中，Si02之混合比例能 在5%〜50%的範圍調整。 此處之記錄感度是指，對於記錄用的雷射光L強度， 記錄膜產生可逆變化（由結晶狀態改變成非結晶狀態或由 非結晶狀態改變成結晶狀態）的程度，在低強度下仍能良 好地進行記錄、抹除之記錄膜係具備高記錄感度（高感 度）。 „ 第1保護膜2、第3保護膜6、第4保護膜1 0及第5 保護膜1 2 ’不限於使用相同的材料且具有相同的組成，也 能由不同材料所構成。 第1保護膜2及第4保護膜1 0的厚度，只要大槪在5 nm〜5 00nm的範圍即可。此外，關於第i保護膜2及第4 保護膜1 0的厚度，較佳爲能獲得期望的光學特性，且不 容易從第1基板1、半透過記錄膜4、中間層9、記錄膜 11剝離’又不容易產生裂痕等的缺陷。考慮這些因素時， -9- 200818174 (7) 第1保護膜2及第4保護膜10的厚度宜在20nm〜 的範圍。低於 20nm時難以確保期望的光學特性 3 0 0mm時容易發生裂痕與剝離且生產性不佳。 關於更佳厚度，第1保護膜2係在能同時滿足 ‘ 比與透過率之40nm〜80nm的範圍，第4保護膜] 能獲得高反射率之 100nm〜170nm的範圍。第 4 1 0，可將不同折射率的材料所形成之複數個膜予以 實現出高反射率。 第3保護膜6及第5保護膜12的厚度，爲了 好的 C/N、抹除率等的記錄特性以穩定地進行多 寫，宜在〇.5nm〜50nm的範圍。低於0.5nm時，由 保半透過記錄膜4及記錄膜11之受熱會有困難， 好C/N與抹除率之最佳記錄強度必須提高；另一方 高於50nm時，由於容易蓄熱，半透過記錄膜4及 1 1之熱致損傷變大，會造成覆寫時之C/N與抹除 差，並不適合。 . 更佳厚度爲，第3保護膜6在不致影響半透過 7的散熱性之2nm〜10nm的範圍，第5保護膜12 半透過記錄膜4成爲高感度之2 0nm〜4 0nm的範圍< 關於界面膜3的材料，其重點爲不含硫。若使 材料作爲界面膜，經由反覆進行覆寫，界面膜所含 擴散至半透過記錄膜4中而使記錄特性變差，並不ί 較佳材料爲例如含有氮化物、氧化物、碳化物 少1種，具體而言爲含有選自氮化鎵、氮化矽、氮 -3 0Onm ，高於 光學對 [〇是在 保護膜 組合而 獲得良 數次覆 於要確 獲得良 面，當 記錄膜 特性變 反射膜 在能使 ) 用含硫 的硫會 證合。 中之至 化鋁、 -10- (8) 200818174 氧化銘、氧化锆、氧化鉻、碳化矽、碳中至少1 些材料中也能含有氧、氮、氫等等。前述氮化 物、碳化物不一定是化學計量組成，其中之氮、 爲過剩或不足。 其中之氧化物、氮化物，一般而言，由於其 比第1保護膜2、第3保護膜6所使用的材料大 第2保護膜5所使用的材料小、且具有高培點， 用含有選自 GeN、SiN、Ta2〇5、Nb2〇5、Zr〇2
Ah〇3中1種以上的材料，也可以是使用前述中 成分的材料。此處的主成分是指，構成界面膜3 料中該材料所佔的比例爲超過5 0 %的情形，較佳 上的情形。 半透過記錄膜4及記錄膜1 1的構成材料，偉 合金中含有選自 A g、S i、A1、T i、B i、G a、I n、 少1種以上而構成的合金膜，或在Ge-Sb中含有 Sn、Bi中至少1種以上而構成的合金膜，或在 含有選自In、Sn、Bi中至少1種以上而構成的 半透過記錄膜4係使用以Sb-Te合金爲主成分的 界面膜3較佳爲使用GeN。 半透過記錄膜4的膜厚宜爲3nm以上l〇nm 厚低於3 nm時結晶化速度變慢而使記錄特性變差 於10nm時第1資訊層D1之透過率變差。記錄月! 厚宜爲10〜25nm。低於l〇nm時’光吸收變差難 因此記錄感度變差；高於25 nm時，在記錄時必 種。在這 物、氧化 氧、碳可 熱傳導率 、比後述 較佳爲使 、Ti02 、 1種爲主 之全部材 爲90%以 $ 在 Sb-Te Ge中至 選自In、 G a- S b 中 合金膜。 材料時， 以下。膜 ’ fe厚局 _ 11的膜 以發熱， 須使用更 -11 - 200818174 (9) 大的雷射強度。 半透過記錄膜4與記錄膜1 1，不限於使用相 且具有相同的組成，也能由不同材料所構成。 又在記錄膜1 1之雷射光L入射面側的單面 * 可設置與其接觸之界面膜（未圖示）。界面膜較 . 與上述同樣的材料。 在本實施形態，爲了使第1資訊層D1具 率，係使用儘量薄（未達1 Oiim )之半透過反射膜 透過記錄膜4進行資訊之記錄時，雷射光L的 (蓄熱）於半透過記錄膜4，當熱無法充分排出 時容易發生冷卻不足。因此，爲了使熱容易從半 膜4散出，係考慮到在半透過記錄膜4與半透過 之間的膜使用熱傳導率比半透過記錄膜4爲高的 成。 然而，若在半透過記錄膜4與半透過反射膜 膜僅由高熱傳導率的材料形成，記錄所需的熱量 . 胃胃故無法形成良好的記錄標記（非結晶標記） 光記錄媒體D再生時產生之再生訊號強度（以下 強度」）減低，其記錄特性不佳。 本實施形態，針對半透過記錄膜4與半透過 之間所形成的保護膜，其中第2保護膜5係使用 率的材料，第3保護膜6係使用熱傳導率比第2 胃低的材料，以將半透過記錄膜4之散熱與蓄熱 胃成能獲得良好的記錄特性。 同的材料 、或雙面 佳爲使用 有局透過 7。在半 熱會蓄積 (散熱） 透過記錄 反射膜7 材料來形 7之間的 無法充分 。因此， 稱「訊號 反射膜7 高熱傳導 保護膜5 的均衡保 -12- 200818174 (10) 第2保護膜5的材料，如前述般較佳爲熱傳導率 3保護膜6的材料爲高。更佳爲，其熱傳導率比第1 膜2及界面膜3的材料爲高。 例如較佳爲，氮化鋁或碳化鋁的單體、或是以該 - 體爲主成分之混合物，基於經時安定性的觀點，更佳 . 含氮之碳化矽單體，或以碳化矽爲主成分之與氧化物 混合物。此處之主成分是指，構成第2保護膜5之全 料中，前述材料所佔之比例超過5 0%的情形，較佳爲 以上的情形。 第2保護膜5的厚度，雖取決於第2保護膜5所 的材料之熱傳導率與折射率，但較佳爲1 n m〜1 0 n m 圔。低於1 nm時，記錄特性與覆寫特性之改善效果有 超過1 Onm時，會妨礙半透過記錄膜4之散熱性，造 法獲得良好的訊號強度，因此不適合。特別是第1保 2及第3保護膜6是使用ZnS與Zi02的混合物時，第 護膜5的厚度較佳爲未達5nm，更佳爲2nm〜4nm。 能使半透過記錄膜4之散熱與蓄熱之熱均衡良好，且 制再生訊號之非對稱而使其不致因覆寫次數變多而產 化。 構成第1資訊層D1之第1保護膜2、界面膜3、 保護膜5、第3保護膜6 (各保護膜）之各材料，熔 必須在1 5 0 0 °C以上。其理由在於，爲了防止進行後述 始化時其等的組成物熔融而與半透過記錄膜4之組成 生混合。 比第 保護 等單 爲不 等的 部材 9 0% 使用 的範 限。 成無 護膜 2保 如此 能抑 生變 第2 點都 之初 物發 -13- (11) (11)200818174 關於半透過反射膜7及反射膜1 3之材料可列舉：具 有光反射性之Al、Au、Ag等的金屬，以該等金屬爲主成 分、且含有1種以上的金屬或半導體構成的添加元素而構 成之合金，或在該等金屬中混合選自 Al、Si等的金屬氮 化物、金屬氧化物、金屬硫屬化物等的金屬化合物而構成 者。此處之主成分是指，構成半透過反射膜7之全部材料 中，A1、A u、A g等的金屬所佔之比例超過5 0 %的情形， 較佳爲90%以上的情形。 其中之Au、Ag等的金屬、以及以該等金屬爲主成分 之合金，由於光反射性高而能提高熱傳導度，因此較適 合。關於合金的例子，一般可列舉：在 A1中混合選自 Si、Mg、Cu、Pd、Ti、Cr、Hf、Ta、Nb、Mn、Zr 等中之 至少1種元素而構成者，或是在Au或 Ag中混合選自 Cr、Ag、Cu、Pd、Pt、Ni、Nd、In等中之至少 1種元素 而構成者等等。 當考慮到高線速度記錄時，基於記錄特性之觀點，較 佳爲使用以高熱傳導率之Ag爲主成分之金屬或合金。半 透過反射膜7較佳爲使用在記錄光波長下容易透過的材 料，更佳爲使用折射率小於1之Au、Ag。 半透過反射膜7之厚度，雖會依半透過反射膜7形成 材料之熱傳導率的大小而改變，但較佳爲 3 n m以上未達 10nm。半透過反射膜7厚度低於3nm時，將無法充分吸 收半透過記錄膜4的散熱而無法使半透過記錄膜4快速冷 卻，會造成記錄特性變差故不適合。當厚度高於1 〇nm ’ -14- 200818174 (12) 第1資訊層D1之透過率變低，因此也不適合。 反射膜1 3的厚度，雖會依反射膜1 3形成材料之熱傳 導率的大小而改變，但較佳爲在50nm〜3 00nm的範圍。 反射膜13的厚度只要在5 〇nm以上，反射膜13就不會產 〜 生光學變化而不致影響反射率値，但隨著反射膜1 3的厚 - 度增加’其對冷卻速度的影響變大。此外，形成超過3 0 0 nm厚度時必須花費更多的時間來製造。因此藉由使用高 熱傳導率材料來將反射膜1 3層厚控制在上述最佳範圍。 然而’當半透過反射膜7或反射膜1 3是使用純銀或 銀合金時’爲了防止發生錯誤率的主要原因之Ag S化合物 的產生’與半透過反射膜7或反射膜13接觸的膜宜使用 不含S的材料。 此處’當半透過反射膜7或反射膜13係使用Ag或 Ag合金，第3保護膜6或第5保護膜12係使用ZnS單體 或混合物的情形，在第3保護膜6與半透過反射膜7之 間、或是在第5保護膜12與反射膜13之間，宜插入擴散 防止膜（未圖示）。藉此，能將第3保護膜6 (第5保護 膜12 )中的S與半透過反射膜7 (反射膜1 3 )中的Ag經 化學反應而產生之AgS化合物所造成之反射率降低予以抑 制住。 擴散防止膜之材料，和上述界面膜的情形同樣地’其 重點在於使用不含硫的材料，具體而言可使用：和界面膜 材料相同者，金屬、半導體、氮化矽、氮化鎵、氮化鎵鉻 等。 -15- (13) (13)200818174 爲了提昇第1資訊層D之透過率，光學調整膜8較佳 爲具有比半透過反射膜7更高的折射率且消光係數小於 1。光學調整膜8之膜厚較佳爲在20nm〜3 00nm的範圍’ 須考慮光學調整膜8之折射率與待透過之雷射波長而設定 成能使第1資訊層D之透過率變大。例如，當雷射波長爲 660iim、光學調整膜8之折射率爲2.1時，膜厚較佳爲在 40nm 〜60nm 或 190nm 〜210nm 的範圍 ° 關於光學調整膜8之材料，基於折射率較高的觀點， 較佳爲：Si02、SiO、ZnO、Ti02、Ta205、Nb2〇5、Zr〇2、 MgO等的氧化物，ZnS、In2S3、TaS4等的硫化物，SiC、 TaC、WC、TiC等的碳化物，前述化合物之任一單體或該 等單體之混合物。其中特佳爲，ZnS與Si02之混合膜，由 於其濺鍍速度快、生產性高。 <光記錄媒體D之製造方法> 將第1保護膜2、界面膜3、半透過記錄膜4、第2保 護膜5、第3保護膜6、半透過反射膜7、光學調整膜8、 第4保護膜1 〇、記錄膜1丨、第5保護膜1 2、反射膜1 3等 積層於第1基板1或第2基板14上之方法，可列舉公知 之在真空中的薄膜形成法。例如，可使用真空蒸鍍法（電 阻加熱型、電子束型）、離子電鍍法、濺鍍法（直流或交 流擺鍍、反應性濺鍍），特別是基於容易控制組成、膜厚 之觀點，以濺鍍法爲佳。 又較佳爲’使用能在真空槽內對複數基板同時進行成 -16- 200818174 (14) 膜之批式法、或將基板逐片處理之單片式成膜裝置。關於 成膜之膜厚控制，可藉由控制濺鍍電源之強度與時間、或 用水晶振動型膜厚計監測膜堆積狀態來進行。 又在形成上述各膜時，能採用將基板固定的狀態、或 - 使基板移動、旋轉的狀態來進行。基於膜厚之面內均一性 . 良好的觀點，較佳爲使基板自轉，更佳爲進一步使其公 轉。依成膜時基板之發熱狀況，視需要可進行第1基板 1、第2基板14之冷卻以減少第1基板1、第2基板14之 彎曲量。 關於形成光記錄媒體D之方法，可在第1基板1上依 序形成第1保護膜2、界面膜3、半透過記錄膜4、第2保 護膜5、第3保護膜6、半透過反射膜7、光學調整膜8， 並在第2基板1 4上依序形成反射膜1 3、第5反射膜12、 記錄膜1 1、第4保護膜1 0，再將兩者透過黏著片或紫外 線硬化樹脂所形成之中間層9進行接合（第1形成方 法）。 關於其他形成方法，係在第1基板1上依序形成第1 保護膜2、界面膜3、半透過記錄膜4、第2保護膜5、第 3保護膜6、半透過反射膜7、光學調整膜8後，塗布紫外 線硬化樹脂，在將槽轉印用的透明壓模（clear stamper ) 施以緊壓的狀態下，照射紫外線使樹脂硬化而形成中間層 9，然後將透明壓模剝離。之後，在中間層9上依序形成 第4保護膜1 0、記錄膜1 1、第5保護膜1 2、反射膜13， 最後用黏著片或紫外線硬化樹脂來接合第2基板1 4 (第2 -17- (15) (15)200818174 形成方法）。 考慮到生產性時，第1形成方法比第2形成方法爲 佳。 爲了將上述形成方法所形成之光記錄媒體D初始化’ 必須對半透過記錄膜4及記錄膜1 1照射雷射光、或用氙 閃光燈等照光，以將半透過記錄膜4及記錄膜1 1的構成 材料加熱而使其結晶化。基於再生雜訊少之觀點，.宜使用 雷射光進行初始化。 <各保護膜之熱傳導率之探討> 本發明中，爲了提昇光記錄媒體D中靠近雷射光L入 射側之第1資訊層D 1的透過率，係使半透過反射膜7的 膜厚形成未達1 Onm。在本實施形態的光記錄媒體D之第 1資訊層D 1，爲了使半透過記錄膜4具有良好的記錄特性 及覆寫特性之第1保護膜2、界面膜3、第2保護膜5、第 3保護膜6 (各保護膜）的條件，係根據以下的各實施例 及各比較例進行探討。 以下之各實施例及各比較例中之各保護膜的熱傳導率 値，係依以下方式求出。在矽基板上使用各保護膜的材料 以200nm厚度進行濺鍍成膜而作成各樣本，使用ULVAC 理工製之2ω法奈米薄膜傳導率計（TCN-2 ω )測定其熱 傳導率。 此外，使用裝載有波長660nm的雷射二極體、數値孔 徑 0.60的光學透鏡之 PULSTEC工業製之光碟機單元 -18- 200818174 (16) (ODU-IOOO )進行記錄。在記錄線速度爲7.7m/s ( DVD-ROM二層規格，二倍速相當）下，使用最短記錄標記長度 爲0.440 # m、8-16 ( EFM+)調變隨機圖案，對第1資訊 層D1之半透過記錄膜4進行與DVD-ROM相同密度的記 - 錄。這時，本實施形態之光記錄媒體D容量係相當於二層 . 8.5 G位元組。 以最佳記錄條件在包含相鄰軌道進行0次、1次、1 0 次、1〇〇次覆寫後，以其再生訊號之振幅爲中心進行限幅 (slicing )，測定時鐘數據顫動（clock data jitter)。再 生功率爲固定之1.4mW。 記錄策略，係使用第2圖所示之記錄脈衝列。記錄脈 衝列，係以1 T多脈衝列爲基底，且具有抹除前端脈衝 T e t。 記錄脈衝列係包含：將以雷射光從抹除功率P e往上 昇而最先對記錄膜施加記錄功率Pw之前端脈衝Ttop、接 續於前端脈衝Ttop且交互施加記錄功率pw與最低功率 ^ Pb之多脈衝Tmp、將雷射光由最低功率pb上昇至抹除功 率Pe之冷卻脈衝Tel、以及施加抹除前端功率Pet之抹除 前端脈衝Tet ;抹除前端脈衝Tet係成爲各標記之記錄脈 衝列的終端。前端脈衝Ttop與多脈衝Τπΐρ，係用來在記 錄膜形成記錄標記之加熱脈衝（記錄脈衝）。此外，有時 不含多脈衝Tmp而僅由前端脈衝Ttop來形成記錄脈衝 列。 各記錄參數分別爲：記錄功率pw = 23.0〔mW〕、抹 -19- 200818174 (17) 除功率Pe = 4.6〔mW〕、最低功率Pb = 0.0〔mW〕、抹除前 端功率 Pet = 23.0〔 mW〕、前端脈衝 Ttop = 0.23〔 T〕、多 脈衝Tmp = 0.23〔 T〕、冷卻脈衝Tcl=0.73〔 T〕、抹除前 端脈衝Tet = 0.23〔 T〕。1T (單位時鐘時間）爲19.1ns。 ， 在本實施形態，係根據記錄脈衝列來調變4値（記錄 • 功率 Pw、抹除功率 pe、最低功率 Pb、抹除前端功率
Pet )的雷射強度，使用對應於期望標記長度而增減脈衝 數之多脈衝列來對半透過記錄膜4進行記錄。並對接近雷 射光L入射側之第1資訊層D 1的記錄特性及覆寫特性予 以評價。 (實施例1 ) 在直徑120mm、板厚0.6mm之聚碳酸酯樹脂製的第1 基板1上，形成後述之各膜。在第1基板1上形成軌距爲 0.74 //m之空槽。其槽深爲25nm，槽部寬與島部寬之比例 約50:50，又關於其槽部，從雷射光L入射方向看來呈 凸狀。 首先，將真空槽內排氣成3xl(T4Pa，然後在 之Ar氣體環境氣氛中’使用添加20mol%的Si02而構成 之ZnS靶進行高頻磁控濺鍍，在第1基板1上形成厚度 70nm之第1保護膜2。接著，在氬氣與氮氣之混合氣體中 (Μ氣流量：氮氣流量=3 : 7 ) ’以局頻fe控灘鑛法使用
GeN靶而形成厚度2nm界面膜3。然後使用Ag-In-Sb-Te 之合金靶形成厚度8nm之半透過記錄膜4。接著’依序使 -20- 200818174 (18) 用SiC靶形成厚度2nm之第2保護膜5、使用 膜2相同的材料形成厚度7nm之第3保護膜 Pd_Cu合金靶來形成厚度7nm之半透過反射膜 第1保護0吴2相同的材料形成厚度6 〇 ηιη之 • 8 ’藉此製作出第1資訊層〇 1。 „ 接者’在與第1基板1同樣構造的第2 ί 藉由與第1資訊層D1相同條件的濺鍍，依序 過反射膜7相同的材料形成厚度90nm之反射 與第1保護膜2相同的材料形成厚度3〇nm之 1 2、使用與半透過記錄膜4相同的材料形成厚 記錄膜1 1、使用與第1保護膜2相同的材 140nm之第4保護膜1〇，藉此製作出第2資訊 接著，在第1資訊層D1之光學調整膜8 丙烯酸系紫外線硬化樹脂（大日本油墨 SD 661 )，照射紫外線使其硬化而形成膜厚50 層9，以第4保護膜10面向光學調整膜8的力 資訊層D2，如此製得第1圖所示之光記錄媒體 在如此般製作出之光記錄媒體D上，照射 方向的光束寬度大於光記錄媒體D半徑方向的 的雷射光，將半透過記錄膜4與記錄膜11加 溫度以上而進行初始化處理。接著，將來自第 入射面1 Α側之雷射光L聚焦於槽部上之半透 而進行資訊記錄。 表1係顯示實施例1的光記錄媒體D之各 與第1保護 6、使用Ag-7、使用與 光學調整膜 :板14上， 使用與半透 膜13、使用 第5保護膜 度 2 0 nm之 料形成厚度 層D2。 上旋轉塗布 二學工業製 // m之中間 •式貼合第2 D。 寬光束（軌 光束寬度） 熱至結晶化 1基板1的 過記錄fl旲4 膜所使用之 -21 - 200818174 (19) 材料的熱傳導率、覆寫0次、1次、10次、1 000次時的顫 動値。此處的顚動値，係以對錯誤率的影響程度小而能再 生所記錄的資訊之1 3.0%爲上限値，將低於上限値者判定 爲良好。在判定欄中，在所有的覆寫時，將顫動値爲 ' 13.0%以下者標示爲良好，其他則標示爲不良。表1中後 - 述的實施例與比較例之測定値也是相同。 -22- (20)200818174 判定 良好 良好 良好 良好 良好 不良 不良 不良 不良 不良 不良 覆寫顫動値 1000 次 g oo oo 10.2 10.9 12.3 10.5 10.4 10.9 OO cn 16.7 17.4 21.1 10次 g a\ a； VO Os (N OO 寸 00 00 〇< 11.8 12.8 15.3 r-H g <N OO (N 〇< 10.0 10.4 〇s 13.4 — τ—Η 13.4 14.4 16.4 19.2 〇 g r-H VO oo as 00 OO ON 'Ο rn ι> 寸· 卜^ 10.2 13.2 熱傳導率比較 a2>ak>al=a3 a2>ak>al>a3 c2>ak>al>a3 a2>ak>al>a3 a2>ak>al=a3 ak>al=a3 a2>Gl=a3>ak ak>a2>al=a3 ak>al=a3>a2 al=a3>a2>ak al=a3>ak>a2 m m RK 熱傳導率σ3 2 I VS in 0 0 m 搬 材料 ZnS-Si〇2 Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si〇2 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si〇2 AIN AIN 第2保護膜5 熱傳導率σ2 2 I s s s g 0 1 § T—H S 材料 y o c>5 y z/i y AIN 堞 y GeN Si02 y GeN 界面膜3 1 熱傳導率dk (W/m/K) H ON (N f-H s § r-H 材料 GeN GeN GeN AI2O3 SiC-Al203 GeN Si02 y ζΛ y cJ5 GeN y ζΛ 丨呆護膜2 熱傳導率σΐ I o Os ^T) »ri w-i in in 0 〇 第η 材料 ZnS-Si02 ZnS"Si〇2 InCeO T&2〇5 ZnS-Si〇2 ZnS-Si〇2 ZnS-Si〇2 ZnS-Si〇2 ZnS-Si02 AIN AIN 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5 比較例ό - 23- (21) (21)200818174 使用添加20mol%的Si02而構成之ZnS靶所製得之第 1保護膜2的熱傳導率σΐ及第3保護膜6的熱傳導率σ3 均爲5.5 W/m/K，使用GeN靶之界面膜3的熱傳導率ak爲 1 1 W/m/K，使用SiC靶之第2保護膜5的熱傳導率σ2爲 60 W/m/K。因此實施例 1中各膜的熱傳導率符合σ2>σ10 σ 1 = σ 3的關係。 覆寫〇次時之顫動値爲7.1 %，覆寫1次時之顫動値 爲8.2%，覆寫10次時之顫動値爲7.6%，覆寫1〇〇〇次時 之顫動値爲8.8%，均低於13.0%而顯示良好的記錄特性及 覆寫特性。 (實施例2 ) 除第3保護膜6係使用Si02靶而形成厚度4nm以 外，以和實施例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，第3保護膜 6之熱傳導率σ3爲1.4 W/m/K，各膜之熱傳導率符合c2>ak > σ 1 > σ 3的關係。 覆寫〇次時之顫動値爲7.6%，覆寫1次時之顫動値 爲9.2%，覆寫10次時之顫動値爲7.9%，覆寫1 000次時 之顫動値爲1 〇 · 2 %，均低於1 3.0 %而顯示良好的記錄特性 及覆寫特性。 (實施例3 ) 除第1保護膜2係使用InCeO靶而形成最佳膜厚以 -24- 200818174 (22) 外，以和實施例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。本實 施形態之最佳膜厚是指，顫動値成爲最小的膜厚。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，第1保護膜 2之熱傳導率σΐ爲9.0W/m/K，各膜之熱傳導率符合σ2>σΚ • >σ1>σ3的關係。 . 覆寫0次時之顚動値爲8 · 6 %，覆寫1次時之顫動値 爲10.0%，覆寫10次時之顫動値爲9.1%，覆寫1 000次時 之顫動値爲10.9%，均低於13.0%而顯示良好的記錄特性 及覆寫特性。 (實施例4 ) 除第1保護膜2係使用Ta20 5靶而形成最佳膜厚、界 面膜3係使用Al2〇3靶而形成最佳膜厚以外’以和實施例 1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果’第1保護膜 2之熱傳導率σΐ爲15.0W/m/K、界面膜3之熱傳導率ak 爲 29 W/m/K，各膜之熱傳導率符合σ2>σ]〇σ1>σ3的關 係。 覆寫〇次時之顫動値爲8.9%，覆寫1次時之顫動値 爲1 〇 . 4 %，覆寫1 0次時之顫動値爲9 · 6 %，覆寫1 0 0 0次時 之顫動値爲1 2.3 %，均低於1 3.0 %而顯示良好的記錄特性 及覆寫特性。 (實施例5 ) -25- 200818174 (23) 除界面膜3係使用SiC-Al2〇3靶而形成最佳膜厚、第 2保護膜5係使用A1N靶而形成最佳膜厚以外，以和實施 例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，界面膜3之 • 熱傳導率ak爲45 W/m/K、第2保護膜5之熱傳導率σ2爲 . 170W/m/K，各膜之熱傳導率符合σ2>σ!ί>σ1=σ3的關係。 覆寫〇次時之顫動値爲6.8%，覆寫1次時之顫動値 爲9.6%，覆寫10次時之顫動値爲8.2%，覆寫1〇〇〇次時 之顫動値爲1〇·5%，均低於13.0%而顯示良好的記錄特性 及覆寫特性。 (比較例1 ) 除未形成第2保護膜5以外，以和實施例1同樣的條 件製作出光記錄媒體D。 由於未設置第2保護膜5，比較例1之光記錄媒體D 各膜的熱傳導率成爲σ!〇σ1=σ3的關係。 覆寫0次時之顫動値爲6 · 9 %，覆寫1次時之顫動値 爲1 3 · 4 %，覆寫1 0次時之顫動値爲8 · 1 %，覆寫1 〇 〇 〇次時 之顫動値爲10.4%，由於覆寫1次時的顫動値超過13.0% 故其覆寫特性不佳。 (比較例2) 除界面膜3係使用S iC靶而形成最佳膜厚以外，以和 實施例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 -26- 200818174 (24) 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，界面膜3之 熱傳導率dk爲1.4 W/m/K，各膜之熱傳導率符合σ2>σ1 = σ3>σ!ί的關係。 覆寫〇次時之顫動値爲7.3 %，覆寫1次時之顫動値 • 爲Η.1%，覆寫10次時之顫動値爲8.4%，覆寫1 000次時 . 之顫動値爲10.9%，由於覆寫1次時的顫動値超過13.0% 故其覆寫特性不佳。 (比較例3 ) 除界面膜3係使用SiC靶而形成最佳膜厚、第2保護 膜5係使用GeN靶而形成最佳膜厚以外，以和實施例丨同 樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，界面膜3之 熱傳導率ak爲60 W/m/K、第2保護膜5之熱傳導率σ2爲 llW/m/K，各膜之熱傳導率成爲σ!<:>σ2>σ1=σ3的關係。 覆寫0次時之顫動値爲7.4%，覆寫1次時之顫動値 爲13.4%，覆寫1〇次時之顫動値爲9.8%，覆寫1〇〇〇次時 之顫動値爲13.8%，由於覆寫1次、1〇〇〇次時的顫動値超 過13.0%故其覆寫特性不佳。 (比較例4) 除界面膜3係使用SiC靶而形成最佳膜厚、第2保護 膜5係使用s 10 2靶而形成最佳膜厚以外，以和實施例1 同樣的條件製作出光記錄媒體D。 -27- 200818174 (25) 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，界面膜3之 熱傳導率ak爲60 W/m/K、第2保護膜5之熱傳導率σ2爲 1.4W/m/K，各膜之熱傳導率成爲σ1^>σ1=σ3>σ2的關係。 覆寫〇次時之顫動値爲8.7%，覆寫1次時之顫動値 • 爲14.4%，覆寫10次時之顫動値爲11.8%，覆寫1〇〇〇次 一 時之顫動値爲16.7%，由於覆寫1次、1 000次時的顫動値 超過13.0%故其覆寫特性不佳。 (比較例5 ) 除第1保護膜2係使用Α1Ν靶而形成厚度lOOnm、第 3保護膜6係使用A1N靶而形成厚度1 2nm以外’以和實 施例1同樣的條件製作出光記錄媒體D ° 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果’第1保護膜 2之熱傳導率σΐ與第3保護膜6之熱傳導率σ3均爲170 W/m/K，各膜之熱傳導率成爲σ1=σ3>σ2>σ1ί的關係。 覆寫〇次時之顫動値爲1 0.2 % ’覆寫1次時之顫動値 爲16.4%，覆寫1〇次時之顚動値爲12.8%’覆寫1000次 時之顫動値爲1 7.4 %，由於覆寫1次、1 〇 〇 〇次時的顫動値 超過13.0%故其覆寫特性不佳。 (比較例6 ) 除第1保護膜2係使用Α1Ν耙而形成厚度100nm、界 面膜3係使用s i C靶而形成最佳膜厚、第2保護膜5係使 用GeN耙而形成最佳膜厚、第3保護膜6係使用A1N靶 -28- (26) (26)200818174 而形成厚度1 2nm以外’以和實施例1同樣的條件製作出 光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，第1保護膜 2之熱傳導率σΐ與第3保護膜6之熱傳導率σ3均爲 170W/m/K、界面膜3之熱傳導率ak爲60W/m/K、第2保 護膜5之熱傳導率σ2爲1 1 W/m/ K，各膜之熱傳導率成爲 σ1=σ3>σ2>σ1ί 的關係。 覆寫〇次時之顫動値爲13.2%，覆寫1次時之顫動値 爲19.2%，覆寫10次時之顫動値爲15.3%，覆寫1〇〇〇次 時之顫動値爲 2 1 · 1 %，由於所有覆寫時的顫動値都超過 1 3.0%故其記錄特性及覆寫特性不佳。 根據表1所示之實施例1〜實施例5以及比較例1〜 比較例6的結果可知，關於第1保護膜2、第2保護膜 5、第3保護膜6及界面膜3之熱傳導率，如實施例1〜實 施例5般，若符合第2保護膜3之熱傳導率σ 1最大、界 面膜2之熱傳導率Gk次大、第1保護膜2之熱傳導率σΐ 與第3保護膜6之熱傳導率σ3比ak爲小的關係，能獲得 良好的顫動値。關於第1保護膜2之熱傳導率σ 1與第3 保護膜6之熱傳導率σ3，不管是σΐ大於σ3或是σΐ與σ3 一樣大，只要符合σ2最大ak次大的關係，就不會對顫動 値造成影響。基於此可知本實施形態係顯示σ 2 > σ k > ( σ 1， σ3 )的關係。 另一方面，比較例1的情形，由於未形成第2保護膜 5，在半透過記錄膜4與半透過反射膜7之間僅隔著一層 -29- (27) (27)200818174 第3保護膜6而構成光記錄媒體D，在覆寫1次時之顫動 値超過1 3 · 0%故覆寫特性不佳。又在比較例2〜比較例 6，由於各膜之熱傳導率不符合σ2>σ1ί> ( σ1，σ3 )的關 係，因此覆寫特性同樣不佳。 其理由在於，在進行第1次覆寫時，半透過記錄膜4 中資訊可被覆寫的範圍，依其是處於已形成記錄標記之非 結晶狀態或處於結晶狀態，光吸收率會有不同。由於半透 過記錄膜4之光吸收率在結晶狀態比非結晶狀態爲大，半 透過記錄膜4之溫度上昇至一定値之最高溫度，也是在結 晶狀態比非結晶狀態爲高。又在非結晶狀態與結晶狀態 下，從雷射光L停止照射的時點起半透過記錄膜4之冷卻 速度也不相同。 如上述般依可被覆寫的範圍之半透過記錄膜4的相狀 態（非結晶或結晶）其最高溫度不同，因此覆寫所形成之 記錄標記會產生變形（覆寫變形）。如比較例2〜比較例 6所示，若各保護膜的熱傳導率不符合σ2>σΙΟ ( σΐ，σ3 ) 的關係，半透過記錄膜4之散熱與蓄熱無法取得均衡，由 於無法矯正覆寫變形，其第1次覆寫特性不佳。 基於上述說明可知，若光記錄媒體D之第1資訊層 D1中各保護膜的熱傳導率符合σ2>σ!〇 ( σΐ，σ3 )的關 係，在進行資訊記錄時半透過記錄膜4之散熱與蓄熱取得 最佳均衡，能以良好的狀態冷卻半透過記錄膜4。因此’ 能形成期望大小的記錄標記，能矯正覆寫變形而獲得良好 的記錄特性及覆寫特性。 -30- (28) (28)200818174 以上的實施例 1〜5及比較例1〜6，係使用2層 DVD-RW作爲多層型相變化光記錄媒體之實施例，但使用 具有3層以上資訊層之多層型相變化光記錄媒體的情形也 能獲得同樣良好的特性。具有3層以上資訊層的情形，從 記錄再生雷射光之入射側視，位在最裏側的資訊層除外之 前側的具有半透過特性之各資訊層，其各保護膜之熱傳導 率只要符合σ2>σ]〇 ( σΐ，σ3 )的關係即可。此外在記錄再 生用之雷射波長比DVD爲短的情形，也能獲得同樣良好 的特性。 <各保護膜之熱傳導率範圍之探討> 接著，使用第1保護膜2、第2保護膜5、第3保護 膜6及界面膜3之各熱傳導率符合σ2>σ!〇 ( σΐ，σ3 )的關 係之光記錄媒體D，探討能獲得良好的記錄特性及覆寫特 性之各熱傳導率範圍。 首先’探討第2保護膜5之熱傳導率σ2之適當範 圍。表2顯示出，實施例1所使用之光記錄媒體〇以及後 述實施例6、實施例7、比較例7、比較例8所使用的各光 記錄媒體D之測定値。 此處之顫動値，係以能獲得充分的再生互換餘裕之 11.0%爲上限値。再生互換是指，在各種光記錄媒體再生 裝置能進行再生。 • 31 - (29)200818174 判定 良好 良好 良好 不良 不良 覆寫顫動値 1000 次 S OO o6 Os Γ^Γ 12.8 CN r—^ 10次 g OO (N OO 10.6 ON t—Η (N od (N 〇< v〇 Q\ 12.6 r—H 1—H 〇 ι··Ή OO vd OO vd 00 OO m od m m 眯 熱傳導率σ3 g I un iT) in uri irJ m 搬 材料 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 m 熱傳導率σ2 1 s o r—< i—( o H a (N 搬 材料 y ΰ5 SiC-AIN AIN Al2〇3 fN 1 y GO m m 熱傳導率dk £ r-H r-H 材料 GeN GeN <N < ύ 'Λ GeN GeN 第1保護膜2 熱傳導率σΐ S wn iri un 材料 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 實施例1 實施例6 實施例7 比較例7 比較例8 -32- 200818174 (30) 實施例1之光記錄媒體D，在所有的覆寫時其顫動値 都低於1 1.0%，顯示出良好的記錄特性及覆寫特性。 (實施例6) • 除第2保護膜5係使用SiC-AIN靶而形成最佳膜厚以 . 外，以和實施例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，第2保護膜 5之熱傳導率σ2爲110W/m/K。 覆寫0次時之顚動値爲6.8 %，覆寫1次時之顫動値 爲9.2%，覆寫10次時之顫動値爲7.8%，覆寫1 000次時 之顫動値爲9.6%，均低於11.0%而顯示良好的記錄特性及 覆寫特性。 (實施例7) 除界面膜3係使用SiC-Al203靶而形成最佳膜厚、第 2保護膜5係使用A1N靶而形成最佳膜厚以外，以和實施 例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，界面膜3之 熱傳導率ak爲45 W/m/K、第2保護膜5之熱傳導率σ2爲 170W/m/K 〇 覆寫〇次時之顫動値爲6.8%，覆寫1次時之顫動値 爲9.6%，覆寫10次時之顫動値爲8.2%，覆寫1 000次時 之顫動値爲1 0.5 %，均低於1 1.0 %而顯示良好的記錄特性 及覆寫特性。 -33- (31) (31)200818174 (比較例7) 除第2保護膜5係使用A1203靶而形成最佳膜厚以 外，以和實施例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，第2保護膜 5之熱傳導率σ2爲29 W/m/K。 覆寫〇次時之顫動値爲8.8%，覆寫1次時之顫動値 爲1 2 · 6 %，覆寫1 〇次時之顫動値爲丨〇 · 6 %，覆寫i 〇 〇 〇次 時之顚動値爲1 2 · 8 %，覆寫1次、1 〇 〇 〇次時之顫動値超過 1 1.0 %而顯示不佳的覆寫特性。 (比較例8 ) 除第2保護膜5係使用S i C - A12 Ο 3 IE而形成最佳膜厚 以外，以和實施例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，第2保護膜 5之熱傳導率σ2爲45 W/m/K。 覆寫〇次時之顫動値爲8 .3 %，覆寫1次時之顫動値 爲11.1%，覆寫1〇次時之顫動値爲9.5%，覆寫1〇〇〇次時 之顫動値爲1 2.1 %，覆寫1次及1 0 0 0次時之顫動値超過 11.0%而顯示不佳的覆寫特性。 根據以上的實施例1、6、7及比較例7、8可知，第2 保護膜5之熱傳導率σ2的適當範圍爲50W/m/K以上未達 180W/m/K。當第2保護膜5之熱傳導率σ2未達50W/m/K 時，會妨礙半透過記錄膜4之散熱，無法使半透過記錄膜 -34- 200818174 (32) 4快速冷卻。因此不容易矯正覆寫變形’覆寫第1次時的 顫動値變差。又當第2保護膜5之熱傳導率σ2在1 8 〇 W/m/K以上時，記錄時照射之雷射光L的熱量無法蓄積於 半透過記錄膜4，無法形成良好的記錄標記’且訊號強度 ^ 低。 接著，針對界面膜3的熱傳導率ak之適當範圍進行 探討。表3顯示出，實施例1所使用之光記錄媒體D以及 後述實施例8、實施例9、比較例9、比較例1 0所使用的 各光記錄媒體D之測定値。 實施例1之光記錄媒體D ’在所有的覆寫時其顫動値 都低於1 1 . 〇%，而顯示良好的記錄特性及覆寫特性。 -35- (33)200818174 !判定 良好 良好 良好 不良 不良 覆寫顚動値 1000 次 g 〇〇 〇〇 00 ON 10.5 10.6 10.9 10次 o 00 (Ν 00 5 寸 oo (Ν od oo od Ό Os 11.1 11.3 〇 g r-H o OO vd oo 卜^ Ο) VO m m πΚ 熱傳導率σ3 I un ^T) iri in κή cn 派 材料 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si〇2 ZnS-Si02 ZnS-Si〇2 s m pk 熱傳導率σ2 2 1 § s o T—H s o <N 減 材料 o oo y AIN y AIN m m 熱傳導率ok ε 1 (N o S 材料 GeN Al2〇3 SiC-Al203 InCeO y ζΛ 第1保護膜2 熱傳導率σΐ 1 in in in 材料 ZnS - Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 實施例1 實施例8 實施例9 比較例9 比較例10 -36- 200818174 (34) (實施例8 ) 除界面膜3係使用Al2〇3靶而形成最佳膜厚以外’以 和實施例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，界面膜3之 - 熱傳導率ak爲29 W/m/K。 _ 覆寫0次時之顫動値爲7 · 0%，覆寫1次時之顫動値 爲8.8%，覆寫10次時之顫動値爲8.0%，覆寫1 000次時 之顫動値爲9.8%，均低於11.0%而顯示良好的記錄特性及 覆寫特性。 (實施例9) 除界面膜3係使用SiC-Al203靶而形成最佳膜厚、第 2保護膜5係使用A1N靶而形成最佳膜厚以外，以和實施 例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，界面膜3之 熱傳導率ok爲45 W/m/K、第2保護膜5之熱傳導率σ2爲 1 70W/m/K。 覆寫〇次時之顫動値爲6.8%，覆寫1次時之顫動値 爲9.6%，覆寫10次時之顫動値爲8.2%，覆寫1〇〇〇次時 之顫動値爲10.5%，均低於1 1 .0%而顯示良好的記錄特性 及覆寫特性。 (比較例9) 除界面膜3係使用InCeO靶而形成最佳膜厚以外，以 -37- (35) (35)200818174 和實施例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，界面膜3之 熱傳導率σ2爲9.0W/m/K。 覆寫〇次時之顫動値爲7 · 8 %，覆寫1次時之顫動値 爲1 1 · 1 %，覆寫1 〇次時之顫動値爲8 . 1 %，覆寫1 〇 〇 〇次時 之顫動値爲10.6%，覆寫1次時之顫動値超過h.o%而顯 示不佳的覆寫特性。 (比較例1 0 ) 除界面膜3係使用SiC靶而形成最佳膜厚、第2保護 膜5係使用A1N靶而形成最佳膜厚以外，以和實施例丨同 樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，界面膜3之 熱傳導率ck爲60 W/m/K、第2保護膜5之熱傳導率σ2爲 1 70W/m/K。 覆寫〇次時之顫動値爲7.9%，覆寫1次時之顫動値 爲1 1 · 1%，覆寫10次時之顫動値爲8.4%，覆寫1 000次時 之顫動値爲10·9%，覆寫1次時之顫動値超過11.0%而顯 示不佳的覆寫特性。 根據以上的實施例1、8、9及比較例9、1 0可知，界 面膜3之熱傳導率的適當範圍爲10 W/m/K以上未達50 W/m/K。當熱傳導率在10W/m/K以上，可彌補半透過 反射膜7之冷卻不足，而能良好地形成用來記錄資訊之記 錄標記，可獲得良好的記錄特性。又未達50W/m/K時， -38- 200818174 (36) 其熱傳導率低於第2保護膜5，而能獲得良好的 性。 當界面膜3之熱傳導率ak未達10W/m/K時， 半透過記錄膜4充分冷卻以形成良好的記錄標記’ • 號強度變差。又在50W/m/K以上時，記錄時照射 • 光L的熱量無法蓄積於半透過記錄膜4，因此訊 低。當熱傳導率ak在未達lOW/m/Κ或50W/m/K以 法確保半透過記錄膜4之散熱與蓄熱的均衡，難以 寫變形，因此覆寫第1次時的顚動値會稍高於1 1 · 不理想。 接著，針對第1保護膜2之熱傳導率σ 1的適 進行探討。表4顯示出，實施例1所使用之光記錄 以及後述實施例1 〇、實施例1 1、比較例1 1所使用 記錄媒體D之測定値。 實施例1之光記錄媒體D，在所有的覆寫時其 都低於1 1 . 〇%，而顯示良好的記錄特性及覆寫特性< 覆寫特 無法將 因此訊 之雷射 號強度 上，無 矯正覆 0%，並 當範圍 媒體D 的各光 顫動値 -39- (37)200818174 判定 良好 良好 良好 不良 覆寫顚動値 1000 次 oo od 10.3 10.9 12.3 10次 g vq m 〇< Ό Os T—Η g (N 〇〇· 〇> σν 10.0 10.4 〇 g r i m οό VO od Os oo 鹦 m PK 熱傳導率σ3 ε 1 in in iri w-i m 搬 材料 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 m m ΡΚ 熱傳導率σ2 ε 1 δ s s <N 搬 材料 y o ζΛ y y m m 问 熱傳導率dk 2 ε 1 r_ < r—H t-H ON <N 材料 GeN GeN GeN Al2〇3 第1保護膜2 熱傳導率σΐ ε 1 寸· o Os* un 材料 ZnS-Si02 Si02 InCeO Ta2〇5 實施例1 實施例10 實施例11 比較例n •40- 200818174 (38) (實施例1 0 ) 除第1保護膜2係使用Si 〇2耙而形成最佳膜厚以 外，以和實施例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，第1保護膜 * 2之熱傳導率σΐ爲！ .4W/m/K。 . 覆寫〇次時之顫動値爲8.3 %，覆寫1次時之顫動値 爲9.9%，覆寫1〇次時之顫動値爲9.3%，覆寫1 000次時 之顫動値爲10.3%，均低於1 1 .0%而顯示良好的記錄特性 及覆寫特性。 (實施例1 1 ) 除第1保護膜2係使用InCeO靶而形成最佳膜厚以 外，以和實施例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，第1保護膜 2之熱傳導率σΐ爲9.0W/m/K。 覆寫0次時之顫動値爲8.6%，覆寫1次時之顫動値 爲1 〇 · 〇 %，覆寫1 〇次時之顫動値爲9 · 1 %，覆寫1 〇 〇 〇次時 之顫動値爲10.9%，均低於1 1 ·〇%而顯示良好的記錄特性 及覆寫特性。 (比較例1 1 ) 除第1保護膜2係使用Ta2〇 5靶而形成最佳膜厚、界 面膜3係使用A12 〇 3靶而形成最佳膜厚以外，以和實施例 1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 -41 - 200818174 (39) 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，第〗保護膜 2之熱傳導率σΐ爲i5.〇w/m/K、界面膜3之熱傳導率ck 爲 29 W/m/K。 覆寫〇次時之顫動値爲8.9%，覆寫1次時之顫動値 • 爲1 〇 . 4 %，覆寫1 0次時之顫動値爲9 · 6 %，覆寫1 0 0 0次時 , 之顫動値爲1 2 · 3 %，覆寫1 〇 〇 〇次時之顫動値超過1 1 . 〇 %而 顯示不佳的覆寫特性。 根據以上的實施例1、1 0、1 1及比較例1 1可知，第1 保護膜2之熱傳導率σΐ的適當範圍爲未達10W/m/K。當 第1保護膜2之熱傳導率σΐ爲lOW/m/Κ以上時，半透過 記錄膜4無法充分地蓄熱，已形成之記錄標記在覆寫時無 法完全抹除，因此在半透過記錄膜4持續進行複數次覆寫 後其覆寫特性變差。 接著，針對第3保護膜6之熱傳導率σ3的適當範圍 進行探討。表5顯示出’實施例1所使用之光記錄媒體D 以及後述實施例1 2、實施例1 3、比較例1 2所使用的各光 記錄媒體D之測定値。 實施例1之光記錄媒體D，在所有的覆寫時其顫動値 都低於1 1.0 %，而顯示良好的記錄特性及覆寫特性。 -42- (40)200818174 判定 良好 良好 良好 不良 細 ! 1000 次 g oo od 1 10.2 10.7 12.4 覆寫顫動ii 10次 g 'O Ο) VO oo 寸 On Η g CN od (N cK Os od 11.6 〇 g vq VO m m 张 熱傳導率σ3 1 vn 寸· o ON m 搬 材料 ZnS-Si02 Si02 InCeO Ta2〇5 m 網 熱傳導率σ2 1 s s s (N 搬 材料 a c/5 y ζΛ y y m m w 熱傳導率ak 1 i—H (N 虼 材料 GeN GeN GeN AI2O3 第1保護膜2 熱傳導率σΐ I in in iri 材料 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 ZnS-Si02 實施例1 實施例12 實施例13 比較例12 -43- 200818174 (41) (實施例1 2 ) 除第3保護膜6係使用Si02靶而形成最佳膜厚以 外，以和實施例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，第3保護膜 6之熱傳導率σ3爲1.4W/m/K。 4 覆寫0次時之顫動値爲7.6%，覆寫1次時之顫動値 爲9.2%，覆寫10次時之顫動値爲7.9%，覆寫1 000次時 之顫動値爲10.2%，均低於11.0%而顯示良好的記錄特性 及覆寫特性。 (實施例1 3 ) 除第3保護膜6係使用InCeO靶而形成最佳膜厚以 外，以和實施例1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果，第3保護膜 6之熱傳導率σ3爲9.0 W/m/K。 覆寫〇次時之顫動値爲7.4%，覆寫1次時之顫動値 爲8.90%，覆寫10次時之顫動値爲8.6%，覆寫1 000次時 之顫動値爲10.7%，均低於11.0%而顯示良好的記錄特性 及覆寫特性。 (比較例1 2 ) 除第3保護膜6係使用Ta205靶而形成最佳膜厚、界 面膜3係使用Al2〇3靶而形成最佳膜厚以外，以和實施例 1同樣的條件製作出光記錄媒體D。 -44- 200818174 (42) 和實施例1同樣地測定熱傳導率的結果’第3保護膜 6之熱傳導率σΐ爲15.〇W/m/K、界面膜3之熱傳導率ck 爲 29 W/m/K。 覆寫〇次時之顫動値爲7 ·6 %，覆寫1次時之顫動値 、 爲1 1 · 6 %，覆寫1 0次時之顫動値爲9 · 4 %，覆寫1 〇 〇 〇次時 之顫動値爲12.4%，覆寫1次及1 000次時之顫動値超過 1 1.0%而顯示不佳的覆寫特性。 根據以上的實施例1、12、13及比較例12可知，第3 保護膜6之熱傳導率σ3的適當範圍爲未達10 W/m/K。當 第3保護膜6之熱傳導率σ3在10W/m/K以上，在對半透 過記錄膜4進行記錄時，雷射光L產生之熱無法充分蓄積 於半透過記錄膜4而會朝半透過反射膜7散熱，如此會妨 礙半透過記錄膜4之散熱與蓄熱的均衡。因此，不容易矯 正覆寫變形，覆寫第1次時的顫動値會稍變差。 此外’像實施例1之光記錄媒體D那樣，第1保護膜 2及第3保護膜6的材料含有zns與Si02中至少一方、且 界面膜3的材料以GeN爲主成分、第2保護膜5的材料以 SiC爲主成分時’如表1所示，覆寫〇次、1次、次、 1 00 0次時之顚動値都低於9 〇%，而能獲得更良好的結 果。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明一實施形態之多層型光記錄媒體 D之放大截面圖。 -45- (43) 200818174 第2圖係顯示本發明一實施形態之記錄脈衝列。 【主要元件符號說明】 1 :第1基板（基板） 2 :第1保護膜 3 :界面膜 4 :半透過記錄膜 5 :第2保護膜 6 :第3保護膜 7 :半透過反射膜 -46-