TW200813656A - Lithography system, method of heat dissipation and frame - Google Patents

Description

200813656 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用來投射影像圖案在像是晶圓的目標物 表面上的光微影系統。 【先前技術】 像這樣的系統係普遍地為人所知，亦如以光罩寫入琴 的形式或是在WO 2004038509中以光微影應用的形式。^ 後者系統所提出的範例中，圖案化目標物受到光子或者像 疋離子與電子等帶電粒子入射。由於這些粒子或是光子所 造成的能量負載，而該能量負载係本質上來自於吸取或發 射該粒子或是光子的方式’至少局部地加熱該目標物。依 照本發明的部份中所闡述的理解，當該目標物過程中的膨 股受到影響而超過先前所定義的數值時，這樣的加熱成為 問題。一般觀察到此加熱現象對於當今持續不斷朝向高產 能的開發造成問題。 如同構成了本發明基礎的一般想法，理解到在各種光 ^影中要處理由該目標物所產生的熱量並將該熱量移除將 是困難的。亦如這可能是由於不斷減少的節點的大小及/或 較牢固的覆蓋規定，此在#代新興的、真空式的光微影中 也是有問題的。 因此，因應當代的發展對於精確性以及微型化的需求， 所有型式的光微影處理熱量引發的問題，亦如以光罩為基 礎，像疋傳統的光微影或是以光罩為基礎的電子束微影， 像是 Scalpel ( Scattering with Angular Limitati〇n Pr〇jecti〇n 6 200813656

Electron Beam Lithography，限角度散射投影式電子束微 2)。這樣的熱量引發可能導致目標物溫度的不穩定，事 實上像是晶圓的目標物膨脹的不穩^。在此方面須注意到 不官傳送圖案至目標物的方式，特別是在晶圓上的覆罢物 相關方面’精確性對於增加上述圖案的解析度變得更:關 鍵。在控制圖案精確性的重要問題在於控制曝光期間該目 標物的溫度穩定性。因此這是在傳統的或是其它以光罩為 基礎的光微影以及無光罩式光微影，用以實現由正在處理 的晶圓進行快速與適當的散熱方式之重要方面。 在目前的光微影方法中已發現另外一個驅使光微影找 出關係到在製程中由晶圓移除熱量解決方式的情況，而該 光微影方法將在規格上要求更多，由目前對於目標物的： 氣製程改變至其真空製程，如目標物的Euv (以…咖 ultraviolet，超紫外線）製程可預期。如此的轉變意味著將 可能無法再應用目前所熟知的熱量傳送方法，而需要新的 熱量傳送方法。 一般來說，可確定隨著晶圓或是類似的目標物的熱量 引發，該目標物膨脹，導致該目標物上的例如晶粒的實際 與預期的位置以及尺寸之間的差異，將導致在該目標物上 的曝光圖案失誤。 然而，除了生產量，也注意到關鍵尺寸透過其與射雜 訊（Shot noise)之間的關係而影響到目標物的溫度穩定性·· 所想要的關鍵尺寸愈小，雜訊量愈大。 在對目標物做正常處理的許多階段可能藉由不同型式 7 200813656 的光微影裝置，例如在規定的範圍内，給定圖案精確定位 疋相當重要的。在此方面中主要的解決方法為將 一* 王* 口^ 日日 員私除，因此限制膨脹，至少控制定位失誤的幅度。然而， 所熟知用來移除熱量的實例μ乎不足以來移除在當今與未 ，的直接寫人式或是在其它的光微影系統中所產生的熱 二’如無光罩式電子束微影在每顆晶粒上可為數十萬個帶

米子束的等級’或置於每個狹縫。若無損於該系統的生 產量，其特別地不足。 .、、、、而申凊人已評估過許多用來移除熱量的方式，其相 關的主要問題似乎在於所要接管之熱的容量以及熱量傳送 去&度即朝向位在晶圓背面的吸收熱量的金屬塊。而後 勺現象在&領域中所熟知係主要與熱擴散性項目有關， 而在許多個案中所觀察到的熱擴散性 估的個案中’”不是吸收了該轨吸收容量二= 體^ t e ^ Ba .、、、^ &里然而s亥吸收主 標物^ ’就是該熱量傳送太慢以致於該目 旦，、、、又仍維持著無法接受的高。關於所要吸收的轨容 二意到像是鋼的金屬雖然展現了極佳的熱擴散性、:、但 積。提供用來吸收在該目標物引發熱量需要的體 今&移除熱量的範例像是使用冷卻水對於許多當 I3將到來的光微影系統的型式 本發明的目的接η 以式似子亚不適當。因此 亦即可在直*由晶圓傳送並吸收熱量的精巧的裝置， 八二下細作，較佳地是在室溫之下。 圖案知的解決方式包含藉由對進行投射的 體控制來預測熱膨脹行為，如專利公開案第 8 200813656 US2002/01475〇7號中所提供。因此，在最近的文件中教導 使用適合的卡爾曼濾波器（Kallnan Filter )來控制電子束 的配置以及晶圓加熱，可執行即時的製程控制。然而此技 術並無法處理現今的光微影系統中所需要之溫度穩定性以 及熱量移除的基本問題。 美國專利公開案第2005/0186517號中教導了在最初的 應力減緩晶圓夾頭之膨脹之後導致針對晶圓膨脹反向的應 f , 力，因此在晶圓與夾頭之間發生了不想要的滑動之前將潛 在地加倍了對該晶圓的允許加熱的量。 在PCT/US01/26772中揭露了晶圓夾具而該晶圓夾具 可適且地使用來作為傳送由目標物的帶電粒子束所引起的 熱里。藉由應用「一個或更多個」相轉變至應用在晶圓與 支撐結構之間的夾具元件上，在此熟知的裝置中進行將晶 圓夾在支撐結構上，而其中相轉變r在此過程中促進許多 操作」並確保该晶圓可輕易地由該結構負載並釋出」。 該夾具元件可應用於液體或是氣體的形式，並且藉由該支 撐結構的主動冷卻而處於I態，用以達成晶圓對該結構的 固態夾力。在此總結夾力方式基本上可表示為將該晶圓固 定。 該熟知的裝置表示出「在需要晶圓冷卻的製程中特別 地有用」。特別是「由於在元件與晶圓之間具有大的接觸 面積，該夾具裝置提供非常有效率的真空冷卻，及該夾具 2件的高熱傳導性」。然而此份背景文件對於冷卻相對較 高熱感應的方式並未提及，其依據現今每小時的晶圓產出 9 200813656 具有很高產能的裝置可能會發生。 【發明内容】 本發明提供了如同先前所敘述之熱量傳遞問題的解決 方法，亦即在有限的空間内，以相對較高的熱容量與快速 的熱量傳遞，在直接寫入式光微影裝置的平台内無過度地 將負載或是定位被冷卻之目標物的過程複雜化。 ^在此方面本發明以移除目標物由於該影像或影像圖案 投射所累積在目標物的熱量為特徵，而在此方式中由於該 目標物局部或是整體加熱的熱膨脹被限制在事先所定義的 相關數值’其中藉由使用與該目標物作熱接觸的熱吸收材 料的相轉變而實現這樣的熱量移除。 因此，理解到藉由本發明可有效率地使用熱吸收材料 的相轉變來吸收光微影目標物的熱。在相轉變中，為了延 長更v或疋更多，隨著持續地施加熱量至該材料，該材料 轉變的溫度至少實卩汉 θ 龄夕从 少貝^上疋維持不變的，亦即隨著比該相轉 义之外相對少很多的延伸 八，敬 , 伸而改磋。令人驚訝地，藉由利用 熱里移除目的之現象，、去 、 與複雜方式。& 4成“光微景彡目標物的極為精密 =，在本發明的基本方面發現到，提供較佳熱量吸 敎二會在此相轉變過程中過度地升高溫度的材料， 層，而該材料本體的整二別：已經歷相轉變期間的 決定。因*，在本發明由該第一轉變層 力的材料係j有相❹Γ 面中這樣較㈣量吸收能 '〜、 ，軼乜熱傳導係數的另外材料結合。 200813656 在本發明稍後的第一實施例方面中該結合的材料係與 3第材料在溶液之中相互混合，而最佳地係乳劑 (emulsion )。目前在另_個較佳的實施例中，該結合的 材料係蜂巢狀的結構，較佳地係完全地圍繞該熱量吸收材 料此外根據本發明的另一方面，結合該兩個實施例。 k樣的熱傳&材料可如金屬，例如以金屬粒的形式在溶液 中的情形。 f、 另外根據本發明的另一方面，該相轉變較佳地應該 發生在與已依照本發明改善的光微影裝置之操作溫度相同 的溫度，因此也提升了關係到該裝置的整體操作的處理面 與功能面。在更特別的實施例中，這樣的相轉變係發生在 大約為至溫的溫度。根據本發明，目前使用十六烷 (hexadecane )來作為熱量吸收材料用以符合以上所有的 需求。 在塗佈十六烧或是任何其它的液體熱量吸收材料時， ,目為使用該相轉變，所以僅需要很少量的材料來吸收由光 微影裝置的多數型式所引發的熱量。原則上該材料可因此 簡單地黏附至例如晶圓的背面，而其中非常薄的層可足以 吸收熱量而不過度地升高溫度。 對於初見之下非常出人意外地選擇了像是十六燒的材 料之原因由於極差的熱傳導（相對於石夕為i4〇 w/mK，十 六燒為（M44 W/m.K) _事實上先前已解釋··本發明教導可 適宜地使用很差的熱傳導材料（例如十六院）來作為孰量 吸收材料並假設使用在相轉變的條件下以及在接近於相轉 11 200813656 、變的條件下，並且假設這些材料與包含表面放大結構之报 好的熱傳導材料結合。 另外，依照本發明的另外一方面，該熱量吸收材料係 以孔洞化的結構包含在光微影裝置中，且典型地由先前提 到過的熱傳導材料來組成。在此情形中，該結構與該目標 物例如晶圓作熱接觸。然而本發明原則上也關係到例如背 面具備了孔狀之晶圓的目標物M列如藉由鑽孔，像是使用 #刻技術來完成。在此方法中，大量增加接觸表面而不需 要中間的傳導材料。 【實施方式】 藉由以下根據本發明實施例的無光罩式光微影系統範 例將進—步說明本發明。圖中，相同結構的特冑（亦即至 少功能相同）參照相同的參考數字。 圖1顯示目標物，在此為晶圓丨的形式，以相對於例 如光微影裝置的帶電粒子束管柱或是光微影的其它種類的 f光束來源移動，根據路徑4，在此表示鏡頭或是狹縫2的 中心在該晶圓的數個區域6之上通過。 由於該帶電粒子束入射所引發至該晶圓的熱量，該晶 圓將膨脹。此膨脹導致晶粒6之預期位置與尺寸以及晶粒 7之真實位置與尺寸之間的差異。此差異將導致此晶圓曝 光圖案極大的誤差。 現根據本發明，藉由使用材料的相轉變而實現由該晶 圓移除熱3：-在此亦表示為相變化材料_此相變化材料係與 該目標物1作熱接觸，例如藉由圖4的任何實施例來說明。 12 200813656 圖2說明了此相轉變的原理，在圖2A中藉由熱量吸 收裝置從固態Sol到液態Lig的轉變，以及在圖2B中藉由 液態Liq到氣態Gas的轉變。在兩張圖中該吸收裝置的溫 度T ( Kelvin degree，凱氏溫度）係針對藉由撞擊帶電粒 子束所引發之熱量H ( Joules，焦耳）開始。可看出在固 悲到液悲的轉變期間，或是由液態到氣態，該溫度τ在理 淪上並不隨著熱量Η增加量而增加，實際上僅相當低的速 率。 以上所敘述的效應係根據本發明，而本發明在實際上 適當使用在目標物到該吸收裝置的熱量傳輸與累積。在目 標物與熱量吸收物之間需要較佳的熱傳導係數。 補充以上所述，較佳地應用具有大熱傳導係數以及接 近在該光微影裝置的目標物環境溫度的相轉變溫度之材 料。相轉變溫度最佳地是接近室溫。 根據本發明，該熱量吸收物進一歩的要求像是無毒以 及承受真空操作的能力，還有CMOS相容性之特色。 在以上各方面中發現到並沒有許多材料，若有的話， 提供在本發明應用中要求的全部特色組合。因此本發明提 出作為熱量吸收物應用的良好與較佳的材料，包含例如金 屬或矽之相當高熱傳導係數粒子的乳劑。這樣的材料藉由 黏著力相當容易黏著在該目標物的底側，且只需要少量的 空間。在此方面數微米層足夠。較佳的乳劑材料為十六烷。 然而也可應用甘油（C3H803 ;亦以glycerin與glyceHne聞 名’通常較少為丙烷_1，2,3-三醇（propane-1，253-tdol)、i 2 3 13 200813656 丙三醇（l，2,3-pr〇panetri〇i) 、u，％三羥基丙醇 〇,2,3_ trihydr〇xypropane)、glycerit〇1、甘氨醯醇（“八…aic〇h〇〇’、

Citif1U0r AF 2; grocolene)，特別是將在之後說明的封閉 形式。本發明提出發現，以相轉變，該熱量吸收材料的熱 傳導能力減少到最小值。如此意味著可僅使用很薄的相變 化層或是熱量吸收材料。然而，為了克服此問題，仍然使 用相同的熱量吸收材料，結合表面增加方法。 / ' 圖3 §兄明根據本發明的第一實施例，顯示將本發明的 理論直接付諸實現的方法。在圖中參考工為晶圓形式之目 標物的橫截面’而10表示滿足依照本發明所定義需求的 乳劑。 圖4說明了另外一個實施例，顯示了該目標物的孔洞 狀載體且在其孔洞内攜帶該熱量吸收物。在此方式下藉由 該中間的載體在熱量吸收物與目標物之間產生大的接觸面 積。 U 優先以孔洞型式存在的載體例如圖4中所示係根據一 一礼J由固恶轉變至液態，其熱傳導係數大幅減少的想 务藉由孔洞狀的載體，該孔洞狀的載體可為該目標物本 身或^如圖4之個別架構，熱量繞過較上的區域中已液化 的熱里吸收物，因此確保了在相轉變的過程中任何瞬間所 立曰加的熱里傳运。事實上可敘述成相對於該熱量吸收物的 液化邛伤，該載體具有改進的熱傳導性。像是金屬或是矽 亦即晶圓材料之合適的熱傳導材料，實際上在整體框架中 的均勻加熱將輕易地達成，因此確保了在極度放大的表面 14 200813656 積上可充足地接觸到該熱量吸收材料。該方形 可藉由蝕刻來達成，且在本範 鑽孔 $去苗τ 作—祀列甲為50乘5〇 μηι的大小 或者更小，而壁的厚度為5 μιη或者更小。 圖5 供如圖4中所示之w & θ ^ ^ 甲所不之可旎的十六烷框架剖面圖。 "中工側部份為例如晶圓類結構的全視Rm^ 份說明可應用：：視圖’而圖中右側部 日®日日粒大小的一部份。在此範例中，在 6乘33 mm的晶粒中該方形鑽孔的數目因此為⑵* ” \ ( 5〇 + 5 μΐΏ) Λ2 = 283,640。該框架的目的是為了要 曰加口亥PCM ( Phase Change黯⑷“，相變材料）的可用 面積。根據牛頓的傳導定律，Q = (k * A / 〇 * π，在距 Ί上傳达特定量之熱量Q所需要的溫度差Μ隨著表面 A、加而減少。藉由在該晶圓的底部12蝕刻出具有深度h 勺孔洞12 A，對於所示之結構在每個w * w的面積上可用 的表面增加至h * 4 * W。相同的計算也可應用在橫截面採 ΎΤ 至夕以長方形鑽孔為主的較佳框架。以寬度比形成該

J 長方开y結構之牆寬度少許多的這類形狀側邊來具體化，較 佳地為5至15範圍之間的比例，較佳地約為1〇，因此例 如50乘上5微米之大小的鑽孔或是開口，而沒有限制在 藉由以相對較長延展的開口來增加表面積的理論中的範 例。可能以熱量吸收裝置來填充該結構的程度因此增加， 且車乂佳地將數值設定在表面積的6〇%至9〇%的範圍之間， 例如約75%。 圖6根據本發明提供了可應用的晶圓以及晶圓夾頭的 範例示思圖。為了減少背面粒子的污染影響該晶圓，該晶 15 200813656

圓係放置在節‘點13上。藉由應用節點13，粒子出現在該 晶圓丄與節點η之間的機會減少到最小。為了將因為晶 圓的不平坦的對焦失誤減少到最小，該晶目】吸附在該節 點所形成之非常平坦的平面上。在此方面應用了靜電夾且 14並適宜地符合平台的真空條件。^其它也可應用理論 上热知或是新式夾具’以下提供其範例。依照所應用的吸 附方式，應、用引力&典型數值為大約〇1 Bar $是更低。 介於晶圓與夾具之間的材料介電性質決定晶圓與夾子之間 可達成的引力。最大可允許的夾具電壓受限於突破電壓 (breakthrough voltage )並取決於材料以及製造過程。告 進-歩最佳化目前所提出之夾力方式，可在該節點層與該 目標物之間提供液體，‘然而由於希望改善熱傳導的功能， 該液體與該熱量吸收材料極為不同。在此方面中此材料非 常不希望發生相轉變。 ’ 然也可應用其它爽力方式’而不會減少本發明的重要性： 認知到在目前的實例中熱量可能不會在χ與丫方向傳 導很遠，使得節點的數量相較於現在—般的實例大幅增 加。該節點較佳地係製造得比傳統的靜電夾具節點 多。此外，該節點的總面積比傳統大很多，亦即單獨具有 夾力功*，或者至少大於沒有添加熱傳導功·的節點。在 此方面介於目標物與節點之間的總接觸面積在該目標物總 面積的1至5%的範圍之間，較佳地是約1%。後者以及該 節點所增加的數量意味著粒子陷入節點與晶圓之間因而= 成晶圓的平坦度受到扭曲所增加但是可接受的風^ 16 200813656 圖7圖示說明圖4以及圖5說明原理的一個可能的實 施例’其中該熱量傳導的框架係由具有較上側15之晶圓 所構成，而該晶圓的較上侧15係蝕刻以產生節點15B效 應假汉"亥節點的高度約1微米。該晶圓的相反側丨5 A被 蝕刻並產生鑽孔用以支撐住該熱量吸收材料效應。在圖7 中所示的該底層16表示了附著在該第一層底部的框架封 閉層且在此藉由第二晶圓具體化。在此方式中遮擋真空而 p 保護该熱$吸收材料被，就如同在此範例中經常發揮其功 能。出現在圖7所示框架的該上層17係熱傳導電性絕緣 層。該層藉由例如濺鍍（sputter)應用在包括表面的表面 節點上。在此案例中使用了 X微米的氮化鋁（八比如仙扭 Nitride，A1N)材料，但依照本發明此材料也可為例如氧 化鐵（Beryllium Oxide，Be0)。在此方式中圖7說明可 將圖4中所闡述的理論付諸實行之相對有利的方式。該封 閉板1 6用以將該相變化材料保留在該已蝕刻的框架内、 防止在真空環境中放出氣體、提供該結構強度以及作為平 ’ 坦的參考平面。 除了在前面所敘述的觀念以及所有相關的細節，本發 明與在以下的申請專利範圍所定義的所有特徵相關並且與 藉由熟悉該項技術者可直接地與明確地由附加的圖來引申 出的細節有關。在以下的申請專利範圍中，提供閱讀該申 請專利範圍的理由，僅包括了對應至圖中之結構的任何參 考數字用以表示先前名稱的示範性涵義以及為了該理由而 包括在括號之間，而非固著於先前名稱的涵意。 17 200813656 【圖式簡單說明】 ’在此為晶圓的俯視圖 圖1係圖示說明光微影目標物 以及由引發的熱量造成其效應； 圖2A與圖 用於本發明； 2B表不材料相轉變溫度特性，而此材料適 弁二3纟示光微影系統相關部份的第-實施例，改造該 先心糸統以適當地移除光微影目標物的敎。

圖4係相似於圖3而為本發明之第二實施例的示意圖， η ’在此例中流體的熱量吸收材料包含在處於接觸該目 才示物的框架結構。 一曰係圖4的結構俯視示意圖，該結構部分的分解圖 顯示内部的格子狀結構。 圖6係根據本發明應用的晶圓以及用爽頭支撲物的示 意圖； 圖7圖示說明以圖4及圖5說明的原理試驗； 【主要7〇件符號說明】 1 ·晶圓 2 :狹縫 4 :路徑 6 .晶粒 7 .晶粒 1 0 :乳劑 12 :晶圓的底部 12 A :孔洞 18 200813656 1 3 ·•節點 14 :靜電夾具 1 5 :晶圓的較上側 15A :晶圓的相反侧 15B :節點 16 :底層 17 :上層 Η :熱量 gas :氣態 liq :液態 sol ::固態

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Claims (1)

1. 200813656 十、申請專利範圍： 物t L種用來投射影像或是影像圖案至像是晶圓的 =的光微影系統’其中從該目標物移除由: 圖案的投射累積在哕 p铷 曰 疋〜像 慣隹4目私物的能量，而在此方式由於 目標物局部及/或县敕触 # 、〜 ' —疋正體加熱的膨脹限制在相關的預先所定 義數值’而其中這樣的熱量移除藉由應用與該目標物作熱 接觸的熱量吸收材料的相轉變來實現。 …、 2·根據申請專利範圍第1項中的系統，其中應用該材 料結合另外具有相對較佳熱傳導係數的材料。 3·根據申請專利範圍第1項中的系統，其中該材料混 合包含具有較佳熱傳導係數材料的乳劑。 4·根據前面的申請專利範圍中的系統，其中該乳劑包 含至少是矽與金屬粒子的其中之一。 5 ·根據申請專利範圍第1項中的系統，其中該材料係 黏著在該目標物的底部表面。 6.根據申請專利範圍第1項中的系統’其中該相轉變 材料的接觸表面係實質上大於該目標物將進行處理之表 面。 7·根據申請專利範圍第1項中的系統，其中該材料係 藉由表面放大的本體作該熱接觸。 8·根據前面的申請專利範圍中的系統，其中該本體為 内部孔狀的本體。 9 ·根據前面的申請專利範圍中的系統，其中該本體係 封閉的。 20 200813656 1項中的系統，其中該材料為 油（glycerin)的其中之_。 10 ·根據申請專利範圍第 十六燒（Hexadecane)與甘 其中該材料具 5 其中該操作溫 n.根據申請專利範圍第1項中的系統， 有等於該光微影系統操作溫度的㈣變溫度 12·根據前面的中請專利範圍中的系統， 度等於室溫。 有A 項中的系統，其中該本體且 有支撐將進仃處理之目標物的節點。 不t 14. 根據前面的申請專 至少與該本體的部份結合。"“，其中該節點係 15. 根據前面的申請專利範圍 目標物的目的’該目標物係藉由該、:二、中為了處理 提供相保留的液體或是糊膏。X即”''支撐’在該節點間 其中應用大量 其中該節點係 16·根據申請專利範圍第！項 的數個節點來支撑該目標物。、系統 /7.根據前面的申請專利範 以髮狀的元件來提供。 、系統 艮據前面的申請專 可撓性 其中該元件係 性。 同宁的糸統， 1 9.根據_請專利範圍第】 具有犧牲的性質。 、中的系統，其中該元件 2〇·根據申請專利範圍第“I 具有彈性的性質。 項中的系統，其中該元件 21·根據申請專利範圍第b 、中的系統，其中以俯視 21 200813656 圖斤抓用由即點所組成之表面積百分比係至少肖丄％到至 少約5%的範圍之間’較佳地至少約1%。 …22.根據申請專利範圍第丄項中的系統，其中熱傳導材 料係用來作為產生靜電夾力的，特別是用來支樓該目 標物之節點形式。 23.根據申請專利範圍第i項中的系統，該系統的特點 為將進行處理的目標物藉由靜電夾具吸附至熱量吸收材料 的支撑本冑，而該靜電夾具係包含在與該本體相關節點支 撐表面之對面的框架表面。 曰。24.-種晶圓材料的框架，包含了兩個互相連接的類似 曰曰圓&件’至少其中—個元件具有包含了熱量吸收材料的 鑽孔，而另一個元件隔離該鑽孔。 义25 ·根據則面的申請專利範圍中的框架，該框架具有任 何前面的申請專利範圍之系統定義的特徵。 力口 26·根據任何前面與框架相關的申請專利範圍中的框 八中省框木的較上側，亦即包含該框架表面的節點具 有熱傳導性、電性絕緣層，特別像是χ微米的氮化鋁 (AlUminum Nitride，Α1Ν )以及氧化錢（出職⑽和， 27.—種在光微影系統中穩定目標物之溫度的方法，爷 方法藉由使用與該目標物作熱接觸的另一種材料之: 從該目標物移除熱量。 < 22