TW200812711A - System for forming multi-layer films using corona treatments - Google Patents

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200812711 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本揭示大體而言係關於形成多層膜之系統。在一特殊例 示性實施例中，本揭示係關於使用電暈處理以形成多層膜 從而增加層間黏著之系統。 【先前技術】

‘膜之電暈處理為用於修改給定膜之表面特性的具成本效 益之技術。如本文所使用之術語"電暈,，係指一製程，其中 精由與氣體分子之電子碰撞而產生活性氣體物質（例如， 自由基、離子，及電激發或振動激發之狀態）。術語"電暈 亦通常被稱為其他術語，諸如電暈放電、障壁放電、大氣 电貝P早蔽放電、大氣壓電漿、大氣壓輝光放電、大氣 壓非平衡電漿、無聲放電、大氣壓部分離子化氣體、絲狀 放電（fUamentary discharge)、直接或遠端大氣壓放電、外 部持續或自持大氣壓放電，及其類似放電。 在電軍處理製程期間或之後，通常於後續塗佈製程之前 將經電暈處理之膜曝露於空氣。即使曝露於空氣(尤盆氧 氣）歷時較短持續時間仍可降低膜之表面特性。此可減少 經處理表面與後續塗層之間的層 ^ 扪層間黏者。-用以在電暈處 心程卿除空氣之常用技術包含產生真空及在低於標 +大氣壓之壓力下進行操作。然而，直空 ^ 操作成本及資全成本，且、南a + 、玉I吊，、有尚 砥奉及貝孟成本，且通常需要在後續塗佈製程 經處理膜自真空環境移除。如 、 裎之持·、、貝而要在後續塗佈製 釭之則以取小化賦能表面於含氧 兄T足曝路的電暈處理 119905.doc 200812711 來形成多層膜之有效系統。 【發明内容】 本揭示包含-種形成多層膜之系統。該系統包括：一背 襯支撐物’其具有-表面；及—緊㈣接單元，其經組態 以鄰接該背襯支撐物之表面而安置。該緊密耦接單元包括 -電暈電極及-塗佈模（e()ating die)，該塗佈模安置於自 電暈電極沿該表面的下游位置。

除非另外明確地陳述，否則以下定義適用於本文中·· 術語，，電暈處理”係指使用電晕以賦予表面㈣改變之製 程。 當關於移動膜或塗佈此等移動膜之裝置而使用術語"下 游”時，該術語係指在膜運動之方向偏移的位置。 當關於移動膜或塗佈此等移動膜之裝置而使用術語，，上 游”時，該術語係指在膜運動之相反方向偏移之位置。 【實施方式】 圖1為系統22之側面示意性說明，該系統為用於形成具 有良好層間黏著之多層膜的合適之系統。系統22藉由減少 經電暈處理之膜曝露於高氧濃度（例如空氣）而保持層間黏 著。系統22包括退繞機部分26、電暈處理及塗佈（CTC)總 成28、凝固台30，及捲繞機部分32，該等部分對腹板“提 供連續路徑（藉由箭頭A表示）。退繞機部分26包括退繞軸/ 供應輥36及滾筒38及40，其將未塗佈之基板提供至cTC總 成28。相應地’擷取部分32包括滾筒42、料、私及“，及 捲繞轴/核心50，該等部分自凝固台3〇接收及捲繞所得經 119905.doc 200812711 塗佈基板。視所使用之特別配置而定，系統22與圖2所示 相比可替代地包括額外或較少滾筒。 腹板34包括基板34a、經塗佈基板3仆及多層膜34c。基 板34a位於系統22之退繞機部分26處，且可為適用於電暈 處理製程之任何類型之膜。在某些例示性實施例中，基板 34a可為反射膜、反射偏光膜（諸如但不限於多層反射偏光 口口 或 /又反射偏光器（diffusely reflective p〇larizer))、延遲劑 (retarder)、漫射體、其組合，或其上可塗佈有可凝固材料 g之任何其他a適之膜。經塗佈基板34b安置於總成 28與旋固台30之間’且包括塗佈有可凝固塗佈材料之基板 34a。多層膜34c位於捲繞機部分32處，且包括黏著至基板 34a之凝固塗層。 如以下所論述，CTC總成28為系統22之部分，在該部分 中於處理環境内對基板34&進行電暈處理且以塗佈材料對 其進行塗佈以產生經塗佈基板34b。塗佈材料可為可塗佈 於基板34a上之任何類型之材料。在一實施例中，塗佈材 料為可凝固材料’該材料可以可流動或半可流動狀態而塗 佈’且其可被後續地凝固。合適之可凝固材料的實例包括 可固化材料(例如光可固化、可化學固化，及熱固性材 料）熱塑性材料、乳液，及溶劑性（s〇lvent_b〇me)材料。 ^基板3域持在„處理與塗佈製程步驟之間的處理 ，境内’所以基板34a之經電暈處理表面未曝露於具有高 氧濃度之氣體（例如空氣）。此實質上防止了氧氣接觸經電 軍處理之表面，藉此保持了自電暈處理所獲得之黏著特 119905.doc 200812711 性。 在退出CTC總成28之後，經塗佈基板34b行進至凝固台 30。旋固台30為用於凝固塗佈材料之裝置， 本

材料之化學性質而在設計及功能方面變化。對於包含光可 固化材料之環境’凝固台30可為提供光起始輻射之輻射 源。合適之市售輻射源之實例為來自Fusi〇n uv如二， 【^(Gaithersburg，MD)之商標名"以5〇"的D型燈泡紫外線 固化系統。或者’對於熱固性材料及溶劑性材料，凝固台 3〇可為熱源，諸如對流烘箱或熱感應系統。在包含熱塑： 材料之實施例中’凝固台3〇可為冷卻劑源，諸如熱交換器 (其將材料冷卻至各別凝固溫度以下)。在額外實施例中， 凝固台30可併入有凝固技術之組合。舉例而言，凝固台％ 可相繼地乾燥及固化溶劑性光可固化材料。 在凝固之前或同時，亦可調節（諸如粗糙化、紋理化 (texturing)、結構化及其組合）塗佈材料層。在某些例示性 實施例中，可藉此產生粗糙或紋理化表面以用於增加之光 漫射。在其他例示性實施例中’可藉此產生結構化表面。 一般熟習此項技術者易於瞭解，可在塗佈材料層中賦予任 何類型之表面結構。例示性表面結構包括線性平行棱形凹 槽、凹或凸錐形結構、凹或凹或凸雙凸結構，或適用於特 殊應用之任何其他表面結構。 在退出.凝固台30之後，凝固塗層黏著至基板34&之經電 暈處理表面’藉此提供多層膜34c。系統22允許以各種腹 板速度在連續製程令形成多層膜34c。合適之腹板速度之 I19905.doc -10- 200812711 貝例為、、勺1米/分（m/min)至約35 m/min之範圍，其中尤其合 適之腹板速度為約5m/min至約1〇m/min之範圍。 在操作期間，以選定腹板速度將基板34a饋入CTC總成 28。在（：1^總成28内，在具有正壓及低氧濃度（或無氧）之 處理％境内對基板34a進行電暈處理且以塗佈材料對其進 行塗佈。所得經塗佈基板34b隨後行進至凝固台3〇。因為 將塗佈材料塗佈於基板34a之經電暈處理表面上，所以防 止了來自外部環境中之空氣的氧直接接觸經電暈處理之表 面且氧氣;又有日守間藉由擴散穿過塗佈材料而接觸經電暈 處理之表面。因此，實質上保持了經電暈處理表面之表面 特性。塗佈材料在凝固台3 〇中凝固，此進一步增加了至基 板34a之經電暈處理表面的黏著，藉此提供多層膜34〇。藉 由系統22之捲繞機部分32接收多層膜34c，且將該多層膜 34c捲繞於捲繞軸/核心5〇上以供儲存或以備後續之使用。 在凝固之後，至少部分地由於基板34a之經電暈處理表 面的增加之表面張力，凝固之塗層得以黏著至基板34&。 所得多層膜34c具有良好之層間黏著，此減少了在使用期 間層間分層之風險。如此，多層膜34c可用於各種商業及 工業應用中，諸如光學反射膜（例如反射偏光膜）。 雖然在圖2中將系統22展示為用於以可凝固塗佈材料塗 佈基板34a之系統，但系統22可替代地與不可凝固或不需 要嘁固步驟之塗佈材料一起使用。在此等實施例中，可省 略凝固台30且可將經塗佈基板34b捲繞於捲繞軸/核心5〇上 以供儲存或以備後續之使用。舉例而言，其中可對經溶劑 119905.doc -11 - 200812711 洗鑄之可凝固塗佈材料進行空氣乾燥或在乾燥台中對其乾 燥。 圖2a為CTC總成28之擴展透視圖，該總成包括框架52、 支承輥（backup roll)54、軸56，及緊密耦接單元58。支承 輥54為包括環形表面60之背襯支樓物，該環形表面安置於 一對徑向表面62a與62b(圖2a中未展示徑向表面62b)之間且 正交於該對徑向表面。支承輥54之合適之輥的實例包括經 電研磨、鑛硬鉻（hard-chrome-plated)、精密研磨鋼、死軸 空轉輥支撐物。支承輥54之尺寸可視個別處理要求而變 化。背襯親54之合適尺寸的實例包括約25公分之直徑及約 17.8公分之環形表面6〇的橫向腹板寬度（cr〇ssweb width)。 環形表面60亦可塗佈有薄陶瓷介電材料層（例如約2毫米 厚），諸如可購自 American R〇ller，Union Grove，WI之陶瓷 材料。在某些例示性實施例中，環形表面可經結構化或紋 理化。 ' 支承輥54經由轴56旋轉地連接至框架52，且在圖％所展 不之視圖中於順時針方向旋轉。腹板34圍繞環形表面⑼延 伸以使传基板34a在支承輥54之底部鋪於環形表面6〇上且 經塗佈之基板34b在支承輥54的頂部自環形表面6〇退出。 由於腹板34在整㈣、統22中之張力，腹板34係固持成鱼環 形表面60相接觸，此允許環形表面6〇在電暈處理及塗佈製 程期間提供背襯支撐。 、緊密耦接單元58為CTC總成28之部分，該部分移除空氣 邊界層、進行電暈處理並以塗佈材料塗佈基板％，藉此 119905.doc -12- 200812711 形成經塗佈基板34b。緊密耦接單元58包括單元主體64、 處理面66，及側向屏蔽罩68 a及68b，其中單元主體64包括 在結構上支撐處理面66之組件的一連串板。如以下所論 述，緊密耦接單元58可滑動地連接至框架52(例如經由氣 動活塞（未圖示））。因此，緊密耦接單元58可相對於支承輥 54而在開放收縮位置與封閉延伸位置之間滑動。圖3a中將 緊密耦接單元58展示於開放收縮位置中，該位置提供對處 理面66之接取以在操作之間進行清潔及調整。處理面66為 _ 緊密耦接單元58之出現電暈處理及塗佈製程之部分。處理 面66經彎曲以在尺寸方面與支承輥54之環形表面6〇相匹 配。因此，處理面66可與環形表面60對準以在緊密耦接單 元58在封閉延伸位置時界定處理面與環形表面之間的一連 .串为jyp間、隙:::。冷“ -：·Λ - 側向屏蔽罩68a及68b為（例如）經由螺釘7〇而緊固至單元 主體64且在處理面66之每一側上延伸的塑膠（例如聚碳酸 _ 酉日）或玻璃壁。側向屏蔽罩68a及68七經定位以使得侧向屏 蔽罩68a與68b之間的距離略微大於環形表面6〇之橫向腹板 見度。此允許侧向屏蔽罩68a及68b在緊密耦接單元58處於 封閉延伸位置時分別沿徑向表面62a及62b延伸。 圖2b為CTC總成28之擴展透視圖，其中緊密耦接單元58 在鄰接背襯輥54之封閉延伸位置。如圖所示，侧向屏蔽罩 68&沿徑向表面62a延伸。侧向屏蔽罩68a與徑向表面之 間的間隙為吾人所需之較小以最小化侧向屏蔽罩與徑向表 1的氣級同日守亦為足夠大以防止在支承輥54旋轉時 119905.doc -13 - 200812711 侧向屏蔽罩68a與徑向表面62a之間的接觸。側向屏蔽罩 68 b以類似配置沿徑向表面62b相應地延伸。 在封閉延伸位置，環形表面6 〇、處理面6 6及侧向屏蔽罩 68a及68b界定腔室72，該腔室為在支承輥54旋轉時基板 34a行進所穿過之一連串小環形間隙。可藉由經位於處理 面66(圖2b中所示）之氣體管線（圖汕中未展示）將一或多種 氣體引入腔室72中而在腔室72内產生處理環境。所引入之 氣體相對於腔室7 2之外部環境而在腔室7 2内產生正氣壓。 正氣壓迅速淨化最初殘留於腔室72内之環境空氣，藉此減 少腔室72内處理環境之氧濃度。 用於處理環境之合適之氣體的實例包括氮氣、氦氣、氬 中氮混合物、氬中氦混合物、氦中氙混合物，及其混合 ;謂物。處理'環境中合適之g,氧濃度的實例包括以體積計約百萬 分之100(PPm)或更少，尤其合適之氧濃度包括以體積記約 20 ppm或更少。可使用可購自Serv〇mex Inc.(Su_ Land TX)之氧氣及氣體分析器而量測本文中所論述之氧濃度。 舉例而5，當以約20公升/分之流動速率將氮氣引入具 有約700立方公分之體積的腔室72中時，處理環境之氧濃 度可在約30秒内自約21體積％(亦即空氣）減少為以體積計 約10 ppm。此實質上為較典型真空製程中對於空氣抽空所 需之時間少的時間。因此，使用腔室72内之正氣壓有益於 減少操作啟動時間。 因為開口存在於腔室72之上游入口處及下游出口處，且 分別在側向屏蔽罩68a與68b及支承輥54之徑向表面6^與 119905.doc -14- 200812711 62b之間，所以腔 79Λι ^ ^ 並未自外部環境密封。因此， 72内之處理璜掊l = 口冗’腔至 衣兄如吾人所需地維持於 指較處理環境外部（* i i正屋"係 力。舉例而-，… 外部)之環境屢力大的屬 ° 右腔至72之外部環璜且古 力，衣杈具有一標準大氣之壓 、处衣兄如吾人所需地维持在大於一標準大氣之壓 力。此防止外部環墙处# /、 兄之工軋進入腔室72。此外，處理環境 之正壓為吾人所兩 处埋咏丈兄 塗#者^«列而 防止塗佈材料（尤其具有擠壓 塗g者）之爆裂。處理環请 衣兄之合適之正壓的實例包括外部 壞W上約25毫米之水㈣力(或更少）。 β可猎由將氣體連續引人腔室72内而維持處理環境之正 壓，其中氣體之-部分連續地滲出至外部環境中。對於約 立方公分之反應腔室體積合適之氣體流動速率的實例 k括至夕約2G公升/分。此等流動速率適用於對於高達約 π m/mm之腹板34的腹板速度維持以體積計約ι〇卯瓜或更 二之氧/辰度。一旦在腔室72内產生處理環境，則可穿過腔 室72連續地饋入基板34&以用於電暈處理及塗佈製程。 圖3為CTC總成28之剖視圖，其進一步說明緊密耦接單 疋58(為易於論述而省略單元主體64)。如圖所示，緊密耦 接單元58進一步包括垂直部分58a及水平部分58b，該等部 分可沿X軸相對於彼此及支承輥54獨立地滑動。因此，可 藉由朝向封閉延伸位置沿义軸同時或獨立地滑動垂直部分 58a及水平部分58b而使緊密耦接單元58緊密鄰接支承輥 54 〇 垂直部分58a包括槽饋氣刀（si〇t-fe(j gas knife)73及電極 119905.doc -15 - 200812711 邛为74 ’其叙接在一起且沿y軸延伸。水平部分5 8b包括真 空箱76及塗佈模（c〇ating die)78，其可沿乂軸滑動地耦接在 起。因此’真空箱76及塗佈模78亦可在開放收縮位置與 封閉延伸位置之間沿x軸同時或獨立地滑動。因此，垂直 部分58a、真空箱76及塗佈模78各自可相對於彼此及支承 親5 4沿X轴獨立地滑動。 圖4中所示之垂直配置允許緊密耦接單元58在相對於支 馨 承輥54收縮及封閉時與支承輥54精確地對準。當緊密耦接 單元58沿X軸滑動以緊密鄰接支承輥54時，處理面“與環 形表面60對準以界定腔室72。此外，緊密耦接單元以僅包 圍支承輥54之約四分之一。因此，緊密耦接單元58能夠在 無凸輪、鉸鏈、連桿，或在準備移除時打開包絡腔室原本 所需之其他次級操作的狀況下進行延伸及收縮。 槽饋氣刀73為氣刀喷嘴（例如氮氣刀），其經由位於腔室 72之上游入口處的歧管79在環形表面6〇之橫向腹板寬度上 _ 引入處理環境之氣體。在腔室72之上游入口處引入的氣體 減少了藉由基板34a之運動所載入之環境空氣的量。 電極部分74係用於電暈處理，且包括腔室壁8〇、腔室門 8 1、門叙鏈82、框架83、電暈電極84，及電極間隙調整器 86。腔室壁80為固持框架83、電暈電極84及電極間隙調整 1§ 86之金屬殼。腔室門81為金屬門，其經由門鉸鏈82使用 自腔室壁80之上游位置處的鉸鏈而連接至腔室壁8〇。如 此，可打開腔室門8 1以在腔室壁§ 〇内進行接取。當腔室門 81封閉時，腔室壁80及腔室門81界定腔室72之一部分，在 119905.doc -16” 200812711 該部分中可執行電暈處理。 槽饋氣刀73緊固至腔室門81，且槽饋氣刀73、腔室壁 8〇 ’及腔室門81各自具有彎曲面，該等彎曲面較佳地匹配 支承親54之半徑以在連續操作期間最小化氣體消耗。此 外，腔室門81包括複數個孔洞，該等孔洞將槽饋氣刀^之 歧官79連接至電極部分74内之腔室72。互連將歧管乃之氣 體的-部分分佈至電極部分74内。此在支承輥54未旋轉時

促進了氣體之混合，且消除了對將氣體直接饋至電極部分 74之次級歧管的需要。 框架83包括陶瓷座、接裝板（adapter plate)，及精密滑 件，其相對於腔室壁8〇而支撐電暈電極84 整-附著至腔室壁8。，且藉由重力及彈菁(未圖示;= 電極間隙调整器86而固持框架83。電極間隙調整器％提供 用於獨立調整電極間隙之構件，該電極間隙為電晕電㈣ 與支承輥54之環形表面7〇之間的間隙。 電暈電極84如吾人所需地在環形表面的之橫向腹板寬肩 或在橫向腹板寬度之至少—有用部分上延伸，以在所要= 向腹板寬度上提供放電。電暈電極84連接至對電暈電極8‘ 提供電功率之電源（未圖示）。在操作期Μ，電晕電極_ 生引起處理環境之氣體分子料化的放電。電暈處理之卷 度通常取決於電極„:、放電功率、用於處理環境之氣 體，及基板34a之腹板速度。電暈電極84與環形表面、二 間的合適之電極間隙距離為約0·25毫米至約3 〇 範圍。合適之放電位準包括約2.0焦耳/公分2，其對應= 119905.doc -17- 200812711 210瓦特之電暈功率及約& 3 m/min之腹板速度。活性氣態 物質與基板34a之表面反應，且共價地鍵結至基板34a之表 面’藉此增加基板34a之表面張力及反應性。此相應地增 加了基板34a之黏著特性。 此外，增加之表面張力亦增強基板34&之表面的可濕性 且增加動態濕潤管線之穩定性，該動態濕潤管線標記上游 塗佈珠焉月面（coating bead meniscus)與基板34a之間的邊

界。此增加’’塗佈窗，，之大小，從而允許產生不具有不可接 X之塗層缺陷之塗層的較廣泛範圍之製程設定。基板 之增加之表面張力亦減少了在塗層於凝固期間收縮時該塗 層之膜破裂的可能性。因此’電極部分74在基板W行進 牙過腔室72時對基板34a提供連續線上（in_Un匀電暈處理。 真空箱76安置於自電極部分74之下游處，且產生壓差以 自㈣模78塗佈可凝固材料。真空㈣藉由真空箱㈣而 衣幵y表面6〇刀離，真空箱間隙係可藉由沿X軸滑動真空 箱7 6而調整。 塗佈模78為可滑動地緊固至真空箱76之槽饋刀模（slot-fed kmfe die)，且包括進料輕接頭（μ c〇UpHng)9〇及塗佈 模空腔（die eavity)92。進料㈣頭9㈣將塗佈模Μ連接至 塗佈材料之進料管線之| 祸接位置，该塗佈材料係藉由加埶 及預計量塗佈材料流之進 逆卞十糸統而饋运。塗佈模空腔92包 括計量槽及分佈歧管，令 ^计ϊ槽及分佈歧管提供進料耦接 頭90契基板34a之經電量卢 軍處理表面之間的路徑。 可凝固材料之塗佈厚 — 又取決於右干因素，諸如流動速 H9905.doc -18- 200812711 率 '腹板速度，及塗佈模空腔92之寬度。可凝固材料之合 適之濕塗層厚度在約10微米至約125微米之範圍内，尤其 合適之濕塗層厚度在約10微米至約50微米之範圍内，且甚 至更尤其合適之濕塗層厚度在約15微米至約35微米之範 内。 塗佈模78藉由塗佈模間隙而與環形表面6〇分離。在一實 施例中，塗佈模78可具有大於下游塗佈模間隙之上游塗^ φ 模間隙。塗佈模78之上游塗佈模間隙係指塗佈模78與環形 表面60之間的間隙，其為塗佈模空腔％之上游。相應地， 塗佈模78之下游塗佈模間隙係指為塗佈模空腔”之下游的 間隙。應選擇此塗佈模間隙差異以相對於腔室72内之正背 壓及波動壓力而穩定上游塗佈珠。相對於塗佈模78之下游 塗佈模間隙之上游塗佈模間隙的合適之偏移在約1〇〇微米 至約150微米之範圍内。 雖然本文將塗佈模78描述為槽饋刀模，但可替代地以維 • 持塗佈機與基板之間的較小間隙之各種塗佈器件塗覆塗佈 材料’該等塗佈器件諸如擠壓塗佈機、切除塗佈機 (ablation coater)、層合機、滾塗機上方之刀、刮塗機 '滾 塗機，及其組合。 如圖3中進一步展示，塗佈模78位於自電暈電極84之下 游處。如此，在電暈處理之後，基板34&沿圓周路徑行進 且係藉由塗佈模78以塗佈材料而塗佈。電暈處理與塗佈製 程之間的持續時間取決於電暈電極84與塗佈模78之間的圓 周距離及基板34a之腹板速度。電暈電極84與塗佈模78之 119905.doc -19- 200812711 間的合適之圓周距離之實例在約2公分至約20公分的範圍 二’尤其合適之距離在約4公分至约1〇公分之範圍内。此 專距離最小化電暈處理與塗 一孟师之間的持續時間，藉此進一 步保持基板34a之表面特性。雷蚤声 ^ 丨 冤軍處理與塗佈之間的合適 之持績時間包括1 〇秒或更少 v兄又夕，尤其合適之持續時間包 秒或更少。

在操作期間，基板34a捲繞於環形表面6g且緊密輕接單 爾延伸以緊密鄰接支承輥54。可以各種方式完成緊密 耗接單it 58之延伸以獲得所要電極間隙、真空箱間隙及塗 佈模間隙1於延伸緊密麵接單元58之合適之技術的實例 包括最初同時或獨立地朝向支承輥54滑動垂直部分心、 真空箱76及塗饰模78。隨後獨立地調整真空箱間隙及垂直 組件58a之位置。垂直組件58a之定位提供了環形表面㈣ 槽饋氣刀73/電極部分74之間的初始間隙。隨後以電極間 隙調整器_電極間隙。在設定電極間隙之後，調整塗 佈模78以獲得塗佈模78之所要塗佈模間隙。可視需要進一 步調整腔室72之該連串間隙以實現所要電暈處理及塗佈特 =。舉例而言，可在内塗（coat_in)時調整塗佈模78之塗佈 模間隙以最優化塗佈品質。 因為基板34a在電暈處理期間、塗佈製程期間及電暈處 理與塗佈製程之間的過渡期間固持於腔室72之處理環境 内，所以減少了對電晕處理之表面之氧曝露的風險。此 外，因為電極部分74及塗佈模78沿基板34a之圓周路徑登 密地搞接至彼此，所以電暈處理與塗佈製程之間的持續時 119905.doc -20- 200812711 間較小’藉此進一步減少氧曝露之風險。 圖4為CTC總成128之剖視圖，其為以上圖3中所論述之 CTC總成28之平坦替代方案。如圖4中所展示，ctc總成 128包括平坦支撐物154、滾筒155&及1551?，及緊密耦接單 元158。平坦支撐物154包括平坦表面16〇,其以類似方式 將基板34a支撐於支承輥54之環形表面6〇(除平坦表面 通常為扁平背襯支撐物之外）。基板34a經由滚筒155&及 155b而捲繞於平坦支撐物ι54上。 緊密耦接單元158包括下部分158a及上部分15讣，其類 似於緊密耦接單元58之垂直部分58a及水平部分58b且使用 乂 100私加之參考；^號來識別相應組件。在此實施例 中，緊岔耦接單兀158之處理面166為平坦的而非環形，藉 此匹配平坦表面16 0之平坦尺寸。 CTC總成128以與CTC總成28類似之方式起作用。下部分 158a及上部分15扑緊密鄰接平坦支撐物154。經由歧管丨^ 引入氣體以在腔室172内產生處理環境。當基板3如穿過腔 室172時，藉由電暈電極184對基板34a進行電暈處理且藉 由塗佈模78對其進行塗佈。所得經塗佈基板34b隨後退出 緊密搞接單元158。CTC總成128提供了在處理環境内時電 暈處理及塗佈基板34a之替代性配置的實例。因此，系統 22可併入有具各種類似設計之ctc總成以減少對基板3乜 之經電暈處理表面的氧曝露。舉例而言，下部分158&及上 部分158b可皆沿x軸延伸，此與圖4中所示設計相比提供較 緊密之設計。 119905.doc -21 - 200812711 圖5為在圖！中截取之區5的擴展剖視圖，其說明在電晕 處理及塗佈製程之後的經塗佈基板鳩之層。如圖5中所展 示，經塗佈基板34b包括基板34a(具有經電暈處理表面2〇〇) 及塗層202,其中塗層202安置於經電暈處理表面2〇〇上。 如以上所述，基板34a為適用於電暈處理製程之膜。基 板34a之合適材料的實例包括聚合物、金屬層或箔、、具= 聚合物層之落、聚合物織品、陶瓷織品、玻璃狀編織品、

非編織品、紙、具有聚合物層之紙，及其經層壓之組合。 基板34a之合適之聚合物材料的實例包括環狀烯烴共聚 物、聚乙烯、聚丙烯、聚丁稀、聚己稀、聚辛婦、聚異丁 :、乙烯醋酸乙烯酯、聚酯(例如聚對苯二甲酸乙二醋、 κ 丁酉文乙烯|曰，及聚（奈二甲酸乙二酯））、聚醯胺（例如聚 甲土己—I胺）、聚醯亞胺、聚胺基甲酸酯、其共聚 物，及其組合。 丘基板34a之尤其合適之聚合物材料的實例包括環狀烯烴 共聚物，諸如基於降冰片狀環狀烯煙共料勿。基於降冰 片烯之％狀烯共聚物為光學透明、澄清、具有良妤光穩 定性、具有低雙折射率，且尺寸穩定的。題為”〇ptical Films Incorporatlng Cyclic 〇1_ c叩叫歷§，，之美國專利 申明案第10/976,675號（代理人案號第6〇199uS002號）中論 述了基於降冰片焊之環狀烯烴共聚物之合適光學用途的實 例0 基於降冰片烯 及烯烴的共聚物 之環狀烯烴共聚物為基於降冰片烯之單體 。合適之基於降冰片烯單體之實例包括降 119905.doc -22- 200812711 冰片烯、2{冰片烯、5_甲基_2_降冰片烯、5,5_二甲基·2_ 降冰片烯、5-丁基_2_降冰片稀、5_亞乙基·2_降冰片稀、％ 甲氧幾基-2-降冰片烯、5_氛基_2_降冰片稀、$-甲基^甲 氧幾基_2_降冰片烯，及5_苯基_2_降冰片烯、其衍生物， 及其組合。合適之降冰片稀衍生物之實例包括燒基、亞烧 基、芳族物、幽素、羥基、西旨、烷氧基、氰基、醯胺、酿

亞胺、烯炫基取代之衍生物，及其組合。共聚物之合適之 烯烴的實例包括乙烯、丙烯，及其組合。 塗層202組合地包括黏著於基板34&之經電暈處理表面 200上的塗佈材料。用於塗層2〇2之合適塗佈材料之實例包 括可凝固及不可凝固材料。在併人有可凝固材料之實施例 中，:凝固材料在此時（亦即在凝固之前）實質上處於非凝 固狀態。如以上所論述，所使用之可凝固材料通常對應於 用於系統22之凝固台30的裝置之類型。塗層2〇2之合^之 可凝固材料的實例包括可固化材料(例如光可固化、：學 可固化，及可熱固材料）、熱塑性材料、溶劑性材料， 其組合。 在包含可固化材料之實施例中，可固化材料包括—或多 個官能分子（例如單體、寡聚物、聚合物’及其組合），2 一或多種聚合引發劑（例如光引發劑、化學引發劑°，及熱 引發劑）。可固化材料之合適之官能分子的實例包括酚： 樹脂；雙馬來醯亞胺黏合劑；乙烯醚樹脂；具有附掛以/、 不飽和羰基之胺基塑膠樹脂；胺基甲酸酯樹脂、 "^羊Ια才对 月曰、丙烯酸酯樹脂、丙烯酸化異三聚氰酸酯樹脂、尿素 119905.doc 200812711 甲駿樹脂、異三聚氰酸酯樹脂、丙烯酸化胺基甲酸酯樹 脂'丙烯酸化環氧樹脂，及其組合。 合適之丙烯酸酯樹脂之實例包括（甲基）丙烯酸甲酯、（甲 基）丙稀酸乙酯、苯乙烯、二乙烯苯、（甲基）丙烯酸羥乙基 酉曰、（甲基）丙烯酸羥丙基酯、（甲基）丙烯酸羥丁基酯、2_ 每基-3-苯氧基丙基（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸月桂 酯、（曱基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸己内酯、（甲基）丙烯 酉欠四氫呋喃甲基酯、（曱基）丙烯酸環己基酯、（曱基）丙烯 酸硬脂醯酯、2-苯氧基乙基（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯 酉文異辛基S旨、（曱基）丙烯酸異冰片基酯、（曱基）丙烯酸異 癸酯、聚單（甲基）丙烯酸乙二酯、聚單（曱基）丙烯酸丙二 酯、乙烯基甲苯、二（甲基）丙烯酸乙二酯、聚二（甲基）丙 稀fee乙一酉旨、二（甲基）（甲基）丙浠酸乙二酯、二（曱基）丙婦 酸己二酯 '二（曱基）丙烯酸三乙二酯、2-(孓乙氧基乙氧基） 乙基（曱基）丙烯酸酯、三（曱基）丙烯酸丙氧基化三羥甲基 丙烷酯、三（甲基）丙烯酸三羥曱基丙烷酯、三（甲基）丙烯 酸甘油酯、三（曱基）丙烯酸季戊四酯、四（甲基）丙烯酸異 戊四酯，及其組合。術語”（曱基）丙烯酸酯”包括丙烯酸酯 與甲基丙稀酸g旨。 可固化材料中合適之聚合引發劑之實例包括有機過氧化 物、偶氮化合物、醌、亞硝基化合物、_化醯基、腙、巯 基化合物、正哌喃離子化合物、咪唑、氯二嗪 (chlorotriazine)、安息香、安息香烷基醚、二酮、苯_、 陽離子之鹽（例如芳基銕鹽）、有機金屬鹽（例如離子芳烴系 119905.doc -24 - 200812711 統），及其組合。合適之市售紫外線活化及可見光活化之 光引發劑的實例包括來自Ciba Specialty Chemicals(Tarrytown, NY)之商標名"IRGACURE” 及 "DAROCUR”之引發劑；及來自 BASF(Charlotte，NC)之商 標名nLUCIRINn。可凝固材料中聚合引發劑之合適濃度在 約0.01重量％至約10重量％之範圍内。 在包含熱塑性材料或溶劑性材料之實施例中，合適之材 料的實例包括聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醚砜、聚礙、 聚丙烯、聚乙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯縮醛、 聚碳酸酯、聚胺基曱酸酯，及其組合。在包含溶劑性材料 之實施例中’該等材料可作為完全或部分溶液、分散液、 乳液，或絮凝液而滯留於溶劑中。 在塗層202之塗佈材料並非可固化材料的實施例中，合 適之材料包括液體塗層，其被塗覆且作為其官能性之固有 特被而保持為液體狀態（其有助於後續處理或最終使用）。 此等材料可藉由溶劑移除及/或乾燥而凝固。 塗層202之塗佈材料亦可包括額外組份，諸如濕潤劑、 觸媒、活化劑、交聯劑、光穩定劑、抗氧化劑、uv吸附 劑、近紅外吸附劑、增塑劑、界面活性劑、染料、著色 劑、顏料、流變改質劑、填充劑 '凝結劑、共溶劑、乾燥 劑及其組合。 圖6為用於使用本發明之系統22形成多層膜之方法3〇〇的 流程圖。方法300包括步驟302至3 1〇，且最初包含在腔室 72中產生具有正壓及低氧（ο。濃度（或無氧）之處理環境（步 119905.doc ^25- 200812711 驟3〇2)。可藉由以足夠之流動速率將氣體引入腔室72中而 產生該處理環境以提供正壓。

隨後將基板34a饋入腔室72之處理環境中（步驟3〇4)且當 在處理環境内時藉由電暈電極8 4對其進行電暈處理（步驟 〇6)在甩暈處理期間，鄰接基板34a之處理環境的氣體 經受放電（亦即電暈放電）。此引起處理環境之氣體分子的 部分變得離子化且進—步引起其他氣體分子變為自由基。 此等氣體物質隨後與基板34a之表面2〇〇反應，且共價地鍵 結至基板之表面2⑽。此增加了基板W之表面張力及反應 性，藉此增加表面之黏著特性及可濕性。 隨後在於製程環境内時經由塗佈模78以塗佈材料塗佈基 板34a之經電晕處理表面（步驟3〇8)。如以上所論述，因為 基板34响持在電暈處理與塗佈製程之間的處理環境内， 所以基板34a之經電暈處理表面未曝露於具有高氧濃度之 氣體（例如空氣）。此實f上防止了氧氣接觸經電暈處理之 表面，藉此保持自電暈處理所獲得之黏著特性。 若塗佈材料為可凝固的，則隨後可使用合適之凝固技術 在破固台30處凝固塗佈材料（步㈣Q)。如以上所論述，所 ❹之凝固技術通常取決於塗佈材料之化學性質。舉例而 言，光可固化材料之合適之凝固技術包括將材料曝露於適 當波長之輻射(例如紫外光、可見光及電子束)。類似地， ^固性材料之合適之凝固技術包括曝露於足夠溫度及持續 ^間以起始熱固化。熱塑性材料之合適之㈣技術包括將 料、令部至„亥材料之凝固溫度以下。溶劑性材料之合適之 H9905.doc -26 - 200812711 凝固技術包括加熱該材料以蒸發溶劍，藉此留下黏著至聚 口物膜之非揮發性材料。此外，可基於塗佈材料之化學性 貝而使用凝固技術之組合。 在减α之後，至；部分地由於基板之經電暈處理表 面的增加之表面張力’凝固之塗層得以黏著至基板34a。 所得多層膜34c具有良好之層間黏著，此減少了在使用期 間層間分層之風險。如此，多層膜34e^於各種商業及

工業應用中，諸如光學反射膜。 實例 在以下實财更特定地描述本發明，該等實例係僅用以 作為說明，因為在本揭示之範疇内的眾多修改及變化對於 熟習此項技術者而言為顯而易見的。除非另外描述，否則 :下實例中報告之所有部分、百分比，及比率皆基於重 1，且可自下述化學品提供者獲得（或購得），或可藉由習 知技術合成該等實例中所使用的所有試劑。 黏著測試 實例！至4及比較實例AB之多相係根據以下程序而 製備》使用以上圖2至4中所示之對應於系統”之塗佈系 統，其包括退繞機部分、CTC總成、紫外線固化台，及捲 繞機部分。塗佈總成包括一鍍硬鉻鋼支承輥，其具有254 毫米直徑及17.8公分之橫向腹板寬度。以2〇公升了分之流動 速率將氣體引入反應腔室中以產生處理環境。以下所示之 表1提供用於每一多層膜之特殊氣體。以6·3 m/min之腹板 速度經由反應腔室而饋送基於降冰片烯之環狀烯烴共聚物 119905.doc -27- 200812711 膜 了 以商才承名”TOPAS 6013 ” 自丁〇pas Advanced Polymers (Florence，KY)購得基於降冰片烯之環狀烯烴共聚物。 電暈電極具有10公分之横向腹板寬度、15毫米之電極 間隙，且位於槽饋刀模之上游約四公分處。電暈電極提供 10瓦特之電暈功率，该功率對於63 m/min之腹板速度產 生2·0焦耳/公分2之正規化電暈能量。當基板行進經過電暈

電·極％ ’放電離子化氣體原子，從而引起氣體原、子鍵結至 基板表面，藉此形成經電暈處理之表面。 在電暈處理之後，在於處理環境内時以可凝固材料塗饰 基板。歸因於腹板速度及電暈電極與塗佈模之間的8公分 圓周距離’在電晕處理與塗佈製程之間出現小於0·5秒之 延遲。 使用與精密塗佈輥（其具有小於2.5微米之總指示偏轉/讀 數（TIR))相抵之槽績刀模執行塗佈。㈣模面經加工以匹 配背觀親之半控。塗佈模夕 怖杈之下游間隙經設定以達成在10微 米至20微米範圍内之濕潤層 曰坪度的視覺上具吸引力之塗 層。塗佈模之上游間隙# I糸孕又下耜間隙大約125微米。此外， 使用12 5微未之塾片高声γ猶 门度以獲得可接受之橫向腹板均一 性。擠壓之可凝固材料為 v 〜I卜線可硬化丙烯酸酯樹脂，其 係使用具3 · 2愛米孔管之經說 …之蠕動泵而供應至塗佈模。塗佈模 主體經加熱以使得在塗覆時# 後^树知溫度為約54t：(約13〇。 使用 Watson-Madowe 50511螺 泵（，、衣備有垂直於具有水 套式％英吋polyflo之塗佈模 仰衩的4.8¾米孔、雙丫管） 空氣加壓、加熱儲集器饋送 μ 土佈材科。溶液儲集器與供應 119905.doc 200812711 管線經連續加熱以匹配塗佈模主體溫度。以約15微米之厚 度塗佈樹脂。 紫外線可固化丙烯酸酯樹脂包括3 0 · 0重量％溴化環氧二 丙稀酸自旨（以商標名’’RDX 51027”自UCB Radcure Inc.(Smyrna，GA)購得）、20.0重量％六官能芳族丙烯酸胺 基甲酸酯寡聚物（以商標名ΠΕΒ 220"自UCB Radcure Inc.購 得）、37·5重量％2-(2,4,6-三溴苯基）-1-乙醇丙烯酸酯（以商 標名 ”BR-31”（CAS #7347-19-5)自 Dai-Ichi Kogyo Seiyaka Co .(Japan)購得）、12.5重量％2-苯氧基乙基丙烯酸酯（以商 標名 nPHOTOMER 4035π 自 Henkel Corp.(Ambler，PA)購 得）、百分之〇.3(pph)之含氟界面活性劑（以商標名"FC-430，， 自 3M Company(St· Paul，MN)購得）、1 ·〇 pph之第一光引發 劑（以商標名 ’’DORACURE 1173’’ 自 Ciba Geigy(Tarrytown， NY)購得）及1.0 pph之第二光引發劑（以商標名”LUCIRIN TPO，，自 BASF(Charlotte，NC)購得）。 以約2 ppm至5 ppm之氧濃度在氮氣氣氛下光面地（〇pen faced)固化經塗佈之樹脂。以在100%功率具有c〇ld/R500 二向色反射器之商標名nF450”的D型燈泡紫外線固化系統 (來自 Fusion UV Systems，Inc.(Gaithersburg，MD))執行固 化。在6.3 mVmin之目標腹板速度時，固化系統在UVA波長 範圍内（亦即自約315奈米至約400奈米）以1.3焦耳/公分2之 劑量傳遞紫外線能量。固化發生於基板與水冷背板緊密接 觸時，該水冷背板係固持於約451 (約115°F)至約54°C (約 130°F)。實例1至4及比較實例A及B之所得多層膜含有安置 119905.doc -29- 200812711 於基板之經電暈處理表面上的固化丙烯酸酯塗層。 除在電暈處理與塗佈製程之間出現五分鐘延遲之外，以 與實例1至4之以上論述相同的方式形成實例5及6之多層 膜。未對比較實例C之多層膜進行電暈處理，且將丙烯酸 酉旨樹脂直接塗佈於基板上。 使用具有塞路芬（cellophane)背襯之高黏著、橡膠樹脂、 壓敏性黏著帶（來自 3M Company(St· Paul, MN)之 3M #610 帶）根據ASTM D3359-〇2量測實例1至6及比較實例a至C之 多層膜中每一者的層間黏著強度。藉由視覺觀察定性地量 測黏著強度且以0B-5B之等級對其進行分級，其中0B對應 於無層間黏著且5B對應於優異之層間黏著。

此外’根據’’帶嵌入（tape-snap)，，測試量測實例1至6及比 較實例A至C之多層膜中的每一者。”帶嵌入”测試包含將帶 之長度黏著於給定多層膜之切割邊緣上方。該帶為具有聚 對苯二曱酸乙二酯背襯之聚矽氧壓敏性黏著劑（來自3M

Company(St· Paul，MN)之 3M #8403 帶）。在適當位置摩擦 該帶以確保良好之黏著（尤其沿多層膜之切割邊緣）。隨後 以約180。之剝離角迅速後拉該帶。隨後藉由視覺觀察定性 地量測黏著強度。 表1提供實例1至6及比較實例A至C之多層膜的ASTM D 3 3 5 9 - 0 2及帶散入測試之結果。 ’ 119905.doc -30- 200812711 表i 實例 處理環境 之氣體 電暈處理與塗佈製程 之間的延遲 ASTM D3359-02 帶嵌入測試 實例1 氮氣 < 0.5秒 5Β 優異 實例2 氦氣 < 0.5# 5Β 優異 實例3 2%氬中氦 < 0.5秒 4Β 優異 實例4 2%氬中氮 <0.5 秒 5Β 優異 實例5 氮氣 5分鐘 5Β 優異 實例6 氦氣 5分鐘 1Β 優異 比較實例A 空氣 <0.5 秒 0Β-1Β 失敗 比例實例B 氬氣 <0·5 秒 0Β 失敗 比較實例C 無 Ν/Α 0Β 失敗 表1中之資料說明以本揭示之方法及系統所獲得之經改 良層間黏著。在將實例1至6之多層膜與比較實例C之多層 膜進行比較時，展示電暈處理實質上增加了聚合物膜與經 塗佈材料之間的層間黏著。此外，實例1至6之多層膜與比 較實例A之多層膜的比較展示在具有低氧濃度之處理環境 中電暈處理及塗佈聚合物膜亦實質上增加了層間黏著。 一般熟習此項技術者易於瞭解，等級”優異”及”失敗1’僅 適用於某些例示性實施例且應用作為準則且並非對何情形 在本揭示之範疇内的硬性測試。舉例而言，儘管存在著於 比較實例B中氬氣電暈未提供良好黏著之事實，但氬氣電 暈可能有益於其他應用（例如有益於除Topas COC之外的膜 119905.doc -31 - 200812711 之處理）。因此，藉由使用本揭示之方法及系統形成的多 層膜具有良好之層間黏著以用於各種商業及工業應用中。 空氣淨化測試 u 使用上文關於實例！至4之黏著測試論述的系統執行空氣 淨化測試。當緊密搞接之單元緊密地鄰接支承報時，反應 -腔室具有約立方公分之體積。以約2〇公升/分之流動速 將氮氣引人反應腔室中以自反應腔室淨化空氣。處理環 帛之氧濃度在11至16秒内自約2!體積％(亦即空氣）減少為 小於以體積計loo ppm。此外，隨後使用約18公升/分之連 續氮氣流動速率使處理環境中之氧濃度維持在小於以體積 計 10 ppm。 相比車乂咸此項技術中之當前氮氣電晕硬體需要約^ 心長以淨化空氣從而獲得小於以體積計ι〇〇卩卿之氧濃 度，及大於300公升/分之流動速率以維持具有小於以體積 a十20 ppm之氧濃度的處理環境。因此，本揭示之方法及系 ❿、统中所使用的塗佈總成對於實質上減少操作時間及成本為 有效的。 儘管已參看較佳實施例描述了本揭示，但熟習此項技術 者應瞭解，在不偏離本發明之精神及範鳴的情況下可對形 式及細節進行改變。 【圖式簡單說明】 圖為用於形成夕層膜之例示性系統的側面示意性說 明。 圖2a為例示性系統之電暈處理及塗佈（CTC)總成之擴展 119905.doc -32 - 200812711 透視圖，其展示處於收縮位置之CTC總成的緊密耦接之單 元。 圖2b為例示性系統之CTC總成的擴展透視圖，其展示處 於封閉位置之CTC總成的緊密耦接之單元。 圖3為例示性系統之CTC總成之剖視圖。 圖4為例示性系統之替代性CTC總成之剖視圖。 圖5為在圖2中截取之區5之剖視圖，其展示安置於基板 上之塗層。 圖6為用於形成多層膜之本發明之方法的流程圖。 如本論述中所述的，雖然以上所識別圖式之圖陳述本揭 不之若干實施例，但亦涵蓋其他實施例。在所有狀況下， 本揭示以代表性而非限制之方式呈現本發明。應瞭解，可 由熟習此項技術者作出屬於本揭示之原理之範疇及精神内 的眾多其他修改及實施例。料，可能並未按比例進行喻 製。在所有該等圖中類似參考數字已用以指示類似部件。9 【主要元件符號說明】 5 區 22 糸統 26 退繞機部分 28 電暈處理及塗佈總成 30 凝固台 32 捲繞機部分/操取部分 34 腹板 34a 基板 119905.doc -33- 200812711

34b 經塗佈基板 34c 多層膜 36 退繞軸/供應輥 38 滾筒 40 滾筒 42 滾筒 44 滾筒 46 滾筒 48 滾筒 50 捲繞軸/核心 52 框架 54 支承輥/背襯輥 56 轴 58 緊密耦接單元 5 8a 垂直部分 5 8 b 水平部分 60 環形表面 62a 徑向表面 62b 徑向表面 64 單元主體 66 處理面 68a 侧向屏蔽罩 68b 侧向屏蔽罩 70 螺釘/環形表面 119905.doc -34 200812711

72 腔室 73 槽饋氣刀 74 電極部分 76 真空箱 78 塗佈模 79 歧管 80 腔室壁 81 腔室門 82 門鉸鏈 83 框架 84 電暈電極 86 電極間隙調整器 90 進料耦接頭 92 塗佈模空腔 128 CTC總成 154 平坦支撐物 155a 滾筒 155b 滾筒 158 緊密耦接單元 158a 下部分 158b 上部分 160 平坦表面 166 處理面 168b 側向屏蔽罩 119905.doc -35 200812711 172 173 174 176 178 - 179 . 180 181

183 184 186 190 200 202

腔室 槽饋氣刀 電極部分 真空箱 塗佈模 歧管 腔室壁 腔室門 門鉸鏈 框架 電暈電極 電極間隙調整器 進料柄接頭 經電暈處理表面 塗層 箭頭 119905.doc -36-

Claims (1)

1. 200812711 十、申請專利範圍： 1 · 一種形成一多層膜之系統，該系統包含·· 一背襯支撐物，其具有/表面；及 一緊密耦接單元，其經組態以鄰接該背襯支揮物之該 表面而安置，該緊密耦接單元包含： - 一電暈電極；及 - 一塗佈模，其安置於一自該電暈電極沿該表面之下 游位置。 • 2·如請求項}之系統，其中該緊密耦接單元可相對於該背 槪支撐物而移動。

   如明求項1之系統，其中該塗佈模安置於該電暈電極之 下游約10公分或更小處。 如#求項3之系統，其中該塗佈模安置於該電暈電極之 下游約4公分或更小處。 如明求項1之系統，其申該緊密耦接單元進一步包含一 :側向屏蔽罩’该對側向屏蔽罩經組態以在該緊密耦接 皁兀鄰接該背襯支撐物安置時延伸超過該背襯支撐物之 該表面。 6·如明求項!之系統’其中該緊密耦接單元進一步包含一 槽饋礼刀’其安置於一自該電暈電極沿該表面之下游位 置。 7· 士明求項1之系統，其中該緊密耦接單元進一步包含一 真工相’該真空箱安置於一自該塗佈模沿該表面之上游 119905.doc 200812711 8.如睛求項i之系統，其進一步包含一凝固台，該凝固台 經組態以凝固自該塗佈模擠壓出之凝固材料。 9·如請求項丨之系統，其中該電暈電極及該塗佈模可相對 於該背襯支撐物之該表面而獨立地調整。 10.如請求項1之系統，其中該背襯支撐物之該表面為一環 开y表面’且其中该電軍電極及該塗佈模至少部分地界定 一具有一彎曲表面之處理面，該彎曲表面實質上匹配該 _ 背襯支撐物之該環形表面的尺寸。 11 _如明求項1之系統，其中該電暈電極及該塗佈模安置於 一腔至中，該腔室經組態以用於一處理環境中之電暈處 理及塗佈。 12.如請求項丨之系統，其進一步包含調節該塗佈材料之構 件。 13 _ —種形成一多層膜之系統，該系統包含： 一背襯支撐物，其經組態以支撐一基板；及 • 一電暈電極，其經組態以在該基板處於一處理環境中 時在該背襯支撐物上電暈處理該基板，藉此形成一經電 暈處理表面；及 塗佈模，其經組態以在該基板保持在該處理環境中 打將一塗佈材料塗佈於該基板之該經電暈處理表面上， 其中該塗佈模安置於該電暈電極之下游約1〇公分或更小 處。 14 ·如租求項13之系統，其中該塗佈模安置於該電暈電極之 下游約4公分或更小處。 119905.doc 200812711 15·如請求項13之系統，其中該背襯支撐物包含/環形表 面’且其中該電暈電極及該塗佈模至少部分地界定一具 有一彎曲表面之處理面，該彎曲表面實質上匹配該背襯 支撐物之該環形表面的尺寸。 16·如請求項13之系統，其中該背襯支撐物、該電暈電極及 該塗佈模至少部分地界定一腔室，其中該腔室内之一處 理環境具有一正壓及一以體積計約百萬分之100或更小 之氧濃度。 17·如請求項13之系統，其進一步包含一凝固台，該凝固台 經組態以凝固可凝固材料。 1 8 · —種用於形成一多層膜之系統，該多層膜具有，黏著至 一基板之塗層，該系統包含： 一總成，其包含： 一腔室’其經組態以在一具有一正壓及一以體積計 約百萬分之100或更小之氧濃度的處理環境中進行電 暈處理及塗佈； 一電暈電極，其經組態以在該腔室内電暈處理該基 板；及 一塗佈模，其經組態以在該腔室内以一可凝固塗佈 材料塗佈該經電暈處理之基板；及 一凝固台’其經組態以凝固該可凝固塗佈材料以形成 S亥塗層。 19·如請求項18之系統，其中該塗佈模安置於該電暈電極之 下游約10公分或更小處。 119905.doc 200812711 極之 2〇·如請求項19之系統，其中該塗佈模安 $夏於该電暈電 下游約4公分或更小處。 氧濃度為以 21·如請求項18之系統，其中該處理環境中之节 體積計約百萬分之20或更小。 22·如、請求項丨8之系統，其中該總成進_ ^ 步包含一槽頌氣 刀’該槽饋氣刀安置於該電暈電極之—卜被a m # 上鮮位置處。

   23.如請求項18之系統，其中該總成進一步包含一真空箱， 該真二相安置於該塗佈模之一上游位置處。 面且其中該電暈電極及該塗佈模至少部分地界定一具 有一彎曲表面之處理面，該彎曲表面實質上匹配該背襯 支撐物之該環形表面的尺寸。 26·如明求項1 8之系統，其中該凝固台包含用於輻射固化該 可减固塗佈材料之構件。 27·如明求項18之系統，其中該凝固台包含用於自該可凝固 塗佈材料移除溶劑之構件。 月求項1 8之系統，其中該總成進一步包含一背襯支撐 物’该背襯支撐物鄰接該電暈電極及該塗佈模而安置。 25·如凊求項24之系統，其中該背襯支撐物包含一環形表 119905.doc