TW200808684A - Bisanthracene derivative and organic electroluminescence device using the same - Google Patents

Bisanthracene derivative and organic electroluminescence device using the same Download PDF

Info

Publication number
TW200808684A
TW200808684A TW096111904A TW96111904A TW200808684A TW 200808684 A TW200808684 A TW 200808684A TW 096111904 A TW096111904 A TW 096111904A TW 96111904 A TW96111904 A TW 96111904A TW 200808684 A TW200808684 A TW 200808684A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
carbon number
layer
Prior art date
Application number
TW096111904A
Other languages
English (en)
Inventor
Mineyuki Kubota
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co filed Critical Idemitsu Kosan Co
Publication of TW200808684A publication Critical patent/TW200808684A/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C15/00Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts
    • C07C15/20Polycyclic condensed hydrocarbons
    • C07C15/27Polycyclic condensed hydrocarbons containing three rings
    • C07C15/28Anthracenes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C43/00Ethers; Compounds having groups, groups or groups
    • C07C43/02Ethers
    • C07C43/257Ethers having an ether-oxygen atom bound to carbon atoms both belonging to six-membered aromatic rings
    • C07C43/263Ethers having an ether-oxygen atom bound to carbon atoms both belonging to six-membered aromatic rings the aromatic rings being non-condensed
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/0805Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising only Si, C or H atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/04Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
    • C07C2603/22Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing only six-membered rings
    • C07C2603/24Anthracenes; Hydrogenated anthracenes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/04Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
    • C07C2603/22Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing only six-membered rings
    • C07C2603/26Phenanthrenes; Hydrogenated phenanthrenes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007Non-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011Condensed systems

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

200808684 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於雙蒽衍生物及利用其之有機電致發光( EL)元件,更詳係爲有關長壽命之有機EL元件及實現此 之雙蒽衍生物。 【先前技術】 有機EL元件爲藉由外加電場,利用藉著由陽極被注 入之電洞、與由陰極被注入之電子的再結合能量使螢光性 物質發光的原理之自發光元件。自經耶司特門•可達克公 司之C.W.Tang等層合型元件之低電壓驅動有機EL元件 的幸艮告(C. W. Tang, S. Α· V anslyke, Applied Physics Letters,51卷、913頁、1987年等)以來,有關以有機材 料作爲構成材料之有機EL元件之硏究正熱烈地被進行。 Tang等將參(8-羥基喹啉鋁)於發光層上使用三苯基二胺 衍生物於電洞輸送層。作爲層合結構之優點,可舉出提高 對發光層之電洞注入效率、提高經陰極被注入之電子經封 止後再結合所生成之激發子的生成效率、封閉發光層内所 生成之激發子等。如該例子,作爲有機EL元件之元件結 構,已知有電洞輸送(注入)層、電子輸送性發光層之二 層型、或電洞輸送(注入)層、發光層、電子輸送(注入 )層之3層型等。如此層合型結構元件中欲提高經注入之 電洞與電子的再結合效率,對元件結構或形成方法上下工 夫。 -4- 200808684
又’作爲發光材料已知有參(8-羥基喹啉)鋁錯合物 等螯合錯合物、香豆素衍生物、四苯基丁二烯衍生物、二 苯乙烯伸芳基衍生物、氧雜二唑基衍生物等發光材料,由 這些可得到藍色至紅色爲止的可見光區域之發光,彩色顯 示元件之實現被期待(例如,專利文獻1、專利文獻2、 專利文獻3等)。 又’作爲發光材料使用雙蒽衍生物之元件如專利文獻 4〜7所揭示。如此雙蒽衍生物作爲藍色發光材料使用時, 未能得到充分的元件壽命,故必須改善元件壽命。 〔專利文獻1〕 特開 〔專利文獻2〕 特開 〔專利文獻3〕 特開 〔專利文獻4〕 特開 〔專利文獻5〕 特開 〔專利文獻6〕 特開 〔專利文獻7〕 特開 平8-239655號公報 平7-138561號公報 平3-200289號公報 平8-12600號公報 2000-344691 號公報 2004- 2351號公報 2005- 15420 號公報 【發明內容】 本發明爲解決上述課題所得者,故以提供長壽命的有 機EL元件及實現此之新穎雙蒽衍生物爲目的。 本發明者,欲達到前述目的進行詳細重複硏究結果, 發現使用具有2個蒽間以伸萘基及p-伸苯基所成的連結基 連結之特定結構的雙蒽衍生物時,可達到前述目的,而完 成本發明。 -5- (3) (3)200808684 即’本發明爲提供下述一般式(1)所示雙蒽衍生物
〔式中’ L表7K上述一般式(2)所示伸萘基、
Ar1及Ar2各獨立表示取代或無取代之核碳數6〜50 的芳香族烴基或取代或無取代之核碳數1〇〜50之縮合芳 香族烴基、 R1〜R16各獨立表示氫原子、取代或無取代之核碳數 6〜50的芳香族烴基、取代或無取代之核原子數5〜5()的 方香S矢雜環基、取代或無取代之碳數1〜5 〇的院基、取代 或無取代之核數3〜5 0的環院基、取代或無取代之碳數 1〜5 0的丨兀氧基、取代或無取代之碳數6〜5 〇的芳院基、 取代或無取代之核碳數5〜5 0的芳氧基、取代或無取代之 核碳數5〜50的芳硫基、取代或無取代之碳數丨〜5〇的烷 氧基羰基、取代或無取代之甲矽烷基、羧基、齒素原子、 氰基、硝基或羥基、 R表不取代或無取代之核碳數6〜5 0的芳香族煙基、 -6 - 200808684 (4) 取代或無取代之核原子數5〜5 0的芳香族雜環基、取代或 無取代之碳數1〜5 0的烷基、取代或無取代之核碳數3〜 5 〇的環烷基、取代或無取代之碳數丨〜5 〇的烷氧基、取代 或無取代之核碳數5〜5 0的碳數6〜5 〇的芳烷基、取代或 無取代之核碳數5〜5 0的芳氧基、取代或無取代之核碳數 . 5〜50的芳硫基、取代或無取代之碳數1〜50的烷氧基羰 基、取代或無取代之甲矽烷基、羧基、鹵素原子、氰基、 硝基或羥基、 ηι及η各爲〇〜5之整數,且m+n爲1〜5之整數、 P及q各爲〇〜5之整數,且p+q爲1〜5之整數、 ^"及s各爲〇〜4之整數、 t爲0〜6之整數、 111、11、?、9、1*、5及1爲1以上時,各1^及11可爲 相同或相異。〕 又,本發明提供一種陽極與陰極間挾持至少含有發光 ^ 層之一層或複數層所成的有機薄膜層之有機EL元件中, 前述有機薄膜層含有至少1種選自前述雙蒽衍生物作爲單 獨或混合物成分之有機E L元件。 含有本發明的雙蒽衍生物之有機EL元件的壽命較長 〇 本發明的雙蒽衍生物爲下述一般式(1 )所示者。 -7- (5) 200808684 [化2]
一般式(1)中,L爲上述一般式(2)所示伸萘基, 特別以下述一般式(3 )〜(5 )之任一所示伸萘基爲佳。 [化3]
一般式(1 )中,Ar1及Ar2各獨立表示取代或無取代 之核碳數6〜5 0的芳香族烴基或取代或無取代之核碳數1 〇 〜50之縮合芳香族烴基。 作爲Ar1及Ar2的芳香族烴基及縮合芳香族烴基可舉 出單環芳香族烴基、多環芳香族烴基、環集合芳香族烴基 、縮合多環芳香族烴基,例如可舉出苯基、1-萘基、萘 基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、9- ( 10-苯基)蒽基、9-( 10-萘基-1·基)蒽基、9-(10-萘基-2-基)蒽基、1-菲基、 2-菲基、3·菲基、4-菲基、9-菲基、6-1,2·苯並菲基、1-萘 -8- 200808684 (6) 並萘基、2-萘並萘基、9-萘並萘基、1-芘基、2-芘基、4-' 芘基、2-聯苯基、3-聯苯基、4-聯苯基、p-聯三苯基-4-基 、p-聯三苯基-3-基、p-聯三苯基-2-基、m-聯三苯基-4-基 、m-聯三苯基-3-基、m-聯三苯基-2-基、〇-甲苯基、m-甲 苯基、p-甲苯基、p-t-丁基苯基、3_甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基等。 其中較佳爲苯基、1-萘基、2 -萘基、9-(10 -苯基)蒽 基、9-( 10-萘基-1-基)蒽基、9-(10-萘基-2-基)蒽基、 9 -菲基、1-芘基、2 -芘基、4 -芘基、2 -聯苯基、3 -聯苯基 、4-聯苯基、〇-甲苯基、m-甲苯基、p-甲苯基、p-t-丁基 苯基,更佳爲苯基、1-萘基、2 -萘基、2_聯苯基、3 -聯苯 基、4 -聯苯基。 又,作爲前述Ar1及Ar2的取代基,例如可舉出烷基 (甲基、乙基、丙基、異丙基、η-丁基、s-丁基、異丁基 、t-丁基、η-戊基、η-己基、η-庚基、η-辛基、羥基甲基、 1-羥基乙基、2-羥基乙基、2-羥基異丁基、1,2-二羥基乙 基、1,3-二羥基異丙基、2,3-二羥基-t-丁基、1,2,3-三羥基 丙基、氯甲基、1-氯乙基、2 -氯乙基、2 -氯異丁基、1,2-二氯乙基、1,3-二氯異丙基、2,3-二氯-t-丁基、1,2,3-三氯 丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴-t-丁基、1,2,3·三溴 丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1,3-二碘異丙基、2,3-二碘-t-丁基、1,2,3-三碘 丙基、胺甲基、1-胺乙基、2-胺乙基、2-胺異丁基、1,2- -9- (7) (7)200808684 二胺乙基、1,3-二胺異丙基、2,3-二胺-t-丁基、1,2,3-三胺 丙基、氰甲基、1-氰乙基、2-氰乙基、2-氰異丁基、1,2-二氰乙基、1,3-二氰異丙基、2,3-二氰-t-丁基、1,2,3-三氰 丙基、硝甲基、1-硝乙基、2_硝乙基、2-硝異丁基、1,2-二硝乙基、1,3 -二硝異丙基、2,3 -二硝-1 - 丁基、1,2,3 -三硝 丙基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、4 -甲基環己基 、1-金剛烷基、2-金剛烷基、b原菠烷基、2-原菠烷基等 )、碳數1〜6的烷氧基(乙氧基、甲氧基、丨_丙氧基、n_ 丙氧基、s-丁氧基、t_ 丁氧基、戊氧基、己氧基、環戊氧 基、環己氧基等)、核原子數5〜40的芳基、核原子數5 〜40的芳基所取代之胺基、具有核原子數5〜40的芳基之 酯基、具有碳數丨〜6的烷基之酯基、氰基、硝基、鹵素 原子等。 般式(1)中,R1〜R16各獨立表示氫原子、取代或 無取代之核碳數6〜5 〇的芳香族烴基、取代或無取代之核 原子數5〜50的芳香族雜環基、取代或無取代之碳數1〜 50的院基、取代或無取代之核碳數3〜5〇的環烷基、取代 或無取代之碳數1〜50的烷氧基、取代或無取代之核碳數 5〜5〇的碳數6〜5〇的芳烷基、取代或無取代之核碳數5 〜5〇的芳氧基、取代或無取代之核碳數5〜5〇的芳硫基、 取代或無取代之碳數卜50的烷氧基羰基、取代或無取代 之甲矽烷基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基或羥基, R表示取代或無取代之核碳數6〜5〇的芳香族烴基、 取代或無取代之核原子數5〜5〇的芳香族雜環基、2代或 -10- 200808684 (8) 無取代之碳數1〜5 0的烷基、取代或無 • 5 0的環烷基、取代或無取代之碳數j〜 或無取代之核碳數5〜50的碳數6〜5〇 無取代之核碳數5〜5 0的芳氧基、取代 5〜5 0的芳硫基、取代或無取代之碳數 ^ 基、取代或無取代之甲矽烷基、羧基、 硝基或羥基。 作爲R及R1〜R16的芳香族烴基的 、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9 菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-萘 基、9-萘並萘基、1-芘基、2-芘基、4-3-聯苯基、4-聯苯基、p-聯三苯基-4-基 、P-聯三苯基-2-基、m-聯三苯基-4-基 、m-聯三苯基-2-基、〇 -甲苯基、m -甲萍 t-丁基苯基、p- (2-苯基丙基)苯基、 甲基-1-萘基、4 -甲基-1-蒽基、4’-甲基ΐ ρ-聯三苯基-4-基等。 作爲R及R1〜R16芳香族雜環基的 咯基、2 _吡咯基、3 -吡咯基、吡嗪基、 基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、 基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、 吲哚基、3 -異吲哚基、4 ·異吲哚基、5 -哚基、7 -異吲哚基、2 -呋喃基、3 -呋喃 3 -苯並呋喃、4 -苯並呋喃、5 -苯並呋喃 ^取代之核碳數3〜 5 〇的烷氧基、取代 的芳烷基、取代或 或無取代之核碳數 1〜5 0的烷氧基羰 鹵素原子、氰基、 例子,可舉出苯基 -蔥基、1-菲基、2-並萘基、2-萘並萘 芘基、2 -聯苯基、 、ρ -聯三苯基-3 ·基 、m-聯三苯基-3-基 Ξ基、p-甲苯基、P-3-甲基-2-萘基、4_ [節苯基、4,,-t-丁基- 例子,可舉出1 - 口比 2 -吡啶基、3 -吡啶 3 -吲哚基、4 -吲哚 1 -異吲哚基、2 -異 異吲哚基、6-異吲 基、2-苯並呋喃、 、6 -苯並呋喃、7 - • 11 - 200808684 (9) 苯並呋喃、1-異苯並呋喃、3-異苯並呋喃、4-異苯並呋喃 * 、5-異苯並呋喃、6-異苯並呋喃、7-異苯並呋喃、喹啉基 、3 -喹啉基、4 -喹啉基、5 -喹啉基、6 -喹啉基、7 -喹啉基 、8 -喹啉基、1 -異喹啉基、3 -異喹啉基、4 -異喹啉基、5 -異喹啉基、6 -異喹啉基、7 -異喹啉基、8 -異喹啉基、2 -喹 ^ 喔啉基、5 -喹喔啉基、6 -喹喔啉基、1 -咔唑基、2 -咔唑基 、3 -咔唑基、4·味唑基、9 -咔唑基、1_菲啶基、2-菲啶基 、3-菲啶基、4-菲啶基、6_菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基 、9 -菲啶基、1 0 -菲啶基、1 -吖啶基、2 -吖啶基、3 -吖啶基 、4 - B丫卩疋基、9 -卩丫 Π疋基、1,7 -非繞琳-2 -基、1,7 -非繞琳-3 _ 基、1,7 -非繞琳-4 -基、1,7 -非繞琳-5 -基、1,7 -非繞琳-6 -基 、1,7_菲繞啉-8-基、1,7-菲繞啉-9-基、1,7-菲繞啉-10-基 、1,8-菲繞啉-2-基、1,8-菲繞啉-3-基、1,8-菲繞啉-4-基、 1,8 -非繞琳-5 -基、1,8 -非繞琳-6 -基、1,8 -非繞琳-7 -基、 1,8 -非繞琳-9 -基、1,8 -非繞琳-1 0 -基、1,9 -非繞琳-2 -基、 1,9 -非繞琳-3 -基、1,9 -非繞琳-4 -基、1,9 -非繞琳-5 -基、 1.9- 菲繞啉-6-基、1,9-菲繞啉-7-基、1,9-菲繞啉-8-基、 1,9-菲繞啉-10-基、1,10-菲繞啉-2-基、1,10-菲繞啉-3-基 、1,1 0 -非繞琳-4-基、1,10 -非繞琳-5-基、2,9-非繞琳-1-基 、2,9-菲繞啉-3-基、2,9-菲繞啉-4-基、2,9-菲繞啉-5-基、 2.9- 菲繞啉-6-基、2,9-菲繞啉-7-基、2,9-菲繞啉-8-基、 2.9- 非繞琳-10-基、2,8-非繞琳-1-基、2,8-非繞琳-3-基、 2,8-菲繞啉-4-基、2,8-菲繞啉-5-基、2,8-菲繞啉-6-基、 2,8 -菲繞啉-7 -基、2,8 -菲繞啉-9 -基、2,8 -菲繞啉-1 0 -基、 -12- 200808684 (10) 2.7- 菲繞啉-1-基、2,7-菲繞啉-3-基、2,7-菲繞啉-4-基、 2,7 -非繞琳-5 -基、2,7 -非繞琳-6 -基、2,7 -非繞琳-8 -基、 2.7- 菲繞啉-9-基、2,7-菲繞啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基 、1-吩噻嗪基、2 -吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4 -吩噻嗪基、 1 0 -吩噻嗪基、1 -吩噁嗪基、2 -吩噁嗪基、3 -吩噁嗪基、4 - ^ 吩噁嗪基、1 0 -吩噁嗪基、2 -噁唑基、4 -噁唑基、5 -噁唑基 、2 -噁二唑基、5 -噁二唑基、3 -呋咱基、2 -噻吩基、3 -噻 吩基、2 -甲基吡咯-1 -基、2 -甲基吡略-3 -基、2 -甲基吡咯-4 -基、2 -甲基吡略-5 -基、3 -甲基吡咯-1 -基、3 -甲基吡咯- 2 -基、3 -甲基D比略-4-基、3 -甲基D比略-5-基、2-t -丁基卩比略-4 -基、3- ( 2 -本基丙基)B比略-1-基、2 -甲基- l-卩引D朵基、4-甲基-1-D引P朵基、2-甲基-3 - D引Π朵基、4 -甲基-3-B引D朵基、2-t-丁基1-吲哚基、4-t-丁基1-吲哚基、2-t-丁基3-吲哚基、 4-t-丁基3-吲哚基等。 作爲R及R1〜R16的烷基之例子,可舉出甲基、乙基 、丙基、異丙基、η-丁基、s-丁基、異丁基、t-丁基、n-戊基、η -己基、η -庚基、η -羊基、經基甲基、1-經基乙基 、2 -羥基乙基、2-羥基異丁基、1,2 -二羥基乙基、1,3 -二羥 基異丙基、2,3-二羥基-t-丁基、1,2,3-三羥基丙基、氯甲 基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、 1,3-二氯異丙基、2,3-二氯-t-丁基、1,2,3-三氯丙基、溴甲 基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、 1,3-二溴異丙基、2,3-二溴-t-丁基、1,2,3-三溴丙基、碘甲 基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、 -13- (11) (11)200808684 1,3-二碘異丙基、2,3-二碘-t-丁基、1,2,3-三碘丙基、胺甲 基、1-胺乙基、2-胺乙基、2-胺異丁基、1,2-二胺乙基、 1,3-二胺異丙基、2,3-二胺-t-丁基、1,2,3-三胺丙基、氰甲 基、1-氰乙基、2-氰乙基、2-氰異丁基、1,2-二氰乙基、 1,3-二氰異丙基、2,3-二氰-t-丁基、1,2,3-三氰丙基、硝甲 基、1-硝乙基、2-硝乙基、2-硝異丁基、1,2-二硝乙基、 1,3-二硝異丙基、2,3-二硝-t-丁基、1,2,3-三硝丙基等。 作爲R及R1〜R16的環烷基之例子,例如可舉出環丙 基、環丁基、環戊基、環己基、4-甲基環己基、1_金剛烷 基、2-金剛烷基、1-原菠烷基、2-原菠烷基等。 R及R1〜R16的烷氧基爲-OY所示基,作爲Y的例子 可舉出與前述烷基相同的例子。 作爲R及R1〜R16的芳烷基之例子,可舉出苯甲基、 1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基異丙基 、本基-t-丁基、α-奈基甲基、Ι-a-奈基乙基、2 - α -蔡某 乙基、l-α-萘基異丙基、2-α-萘基異丙基、/3-萘基甲基 、Ι-yS-萘基乙基、2-/3-萘基乙基、1-/3-萘基異丙基、2-/3 -萘基異丙基、1-吡咯基甲基、2- ( 1-吡略基)乙基、p-甲基苯甲基、m-甲基苯甲基、甲基苯甲基、p-氯苯甲基 、m-氯苯甲基、〇-氯苯甲基、p-溴苯甲基、m-溴苯甲基、 〇-溴苯甲基、P-碘苯甲基、m-碘苯甲基、〇-碘苯甲基、p-羥基苯甲基、m-羥基苯甲基、〇-羥基苯甲基、p-胺苯甲基 、m-胺苯甲基、〇-胺苯甲基、p-硝苯甲基、m-硝苯甲基、 〇-硝苯甲基、P·氰苯甲基、m-氰苯甲基、〇-氰苯甲基、1- -14 - 200808684 (12) 羥基-2-苯基異丙基、1_氯-2-苯基異丙基等。 • R及R1〜R16的芳氧基爲-OY’表示,作爲 舉出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基 1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、 、2-萘並萘基、9-萘並萘基、1-芘基、2-芘基 ^ 2-聯苯基、3-聯苯基、4-聯苯基、p-聯三苯基 三苯基-3-基、p-聯三苯基-2-基、m-聯三苯基 三苯基-3-基、m·聯三苯基-2-基、〇 -甲苯基、 p -甲苯基、p-t -丁基本基、p- ( 2 -苯基丙基) 基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、 基、4”-t-丁基-P-聯三苯基-4-基、2-吡咯基、 吡嗪基、2 -吡啶基、3 -吡啶基、4 -吡啶基、2 · D引哄基、4 - D引D朵基、5 -卩引卩朵基、6 -卩引卩朵基、7 . 異吲哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異D引 吲哚基、7 -異吲哚基、2 -呋喃基、3 -呋喃基、 、3 -苯並呋喃、4 -苯並呋喃、5 -苯並呋喃、6-7-苯並呋喃、1-異苯並呋喃、3-異苯並呋喃、 喃、5 -異苯並咲喃、6 -異苯並呋喃、7 -異苯並 啉基、3 -喹啉基、4 -喹啉基、5 -喹啉基、6 -喹 琳基、8 -B奎琳基、1-異U奎琳基、3 -異嗤琳基、 、5 -異嗤琳基、6-異陸琳基、7 -異B奎琳基、8· 2 -喹喔啉基、5 -喹喔啉基、6 -喹喔啉基、1 -咔 唑基、3 -咔唑基、4-咔唑基、1-菲啶基、2 -菲 D定基、4 ·非D定基、6 -非Π定基、7 -非D定基、8 -非 Y ’的例子可 ;、9-蒽基、 1- 萘並萘基 :、4-芘基、 -4 -基、p -聯 -4 - 、m -耳f 音 m _甲苯基、 苯基、3-甲 4 ’ -甲基聯苯 3 -吡咯基、 -D引噪基、3 _ _吲哚基、1 -哚基、6 -異 2- 苯並呋喃 苯並呋喃、 4-異苯並呋 呋喃、2 -喹 啉基、7 -喹 4-異喹啉基 異喹啉基、 唑基、2 -咔 啶基、3 -菲 啶基、9 -菲 -15- (13) (13)200808684 啶基、1 〇 -菲啶基、1 -吖啶基、2 -吖啶基、3 -吖啶基、4 -吖 啶基、9-吖啶基、1,7-菲繞啉-2-基、1,7-菲繞啉-3-基、 1.7- 菲繞啉-4-基、1,7-菲繞啉-5-基、1,7-菲繞啉-6-基、 1,7-非繞琳-8-基、1,7-非繞琳-9-基、1,7-非繞琳-10-基、 1,8-非繞琳-2-基、1,8-非繞琳-3-基、1,8-非繞琳-4-基、 1,8 -非繞琳-5 -基、1,8 -非繞琳-6 -基、1,8 -非繞琳-7 -基、 1,8 -非繞琳-9 -基、1,8 -非繞咐-1 0 -基、1,9 -非繞琳-2 -基、 1,9·菲繞啉-3-基、1,9-菲繞啉-4-基、1,9-菲繞啉-5-基、 1,9 ·菲繞啉-6 -基、1,9 ·菲繞啉-7 -基、1,9 ·菲繞啉-8 -基、 1,9-非繞琳-10-基、1,10-非繞琳-2 -基、1,10-非繞琳-3-基 、1,10-非繞琳-4-基、1,10-非繞琳-5-基、2,9-非繞琳-1-基 、2,9-非繞琳-3-基、2,9-非繞琳-4-基、2,9·非繞琳-5-基、 2,9-非繞琳-6 -基、2,9-非繞琳-7 -基、2,9-非繞琳-8-基、 2,9 -非繞琳-1 0 -基、2,8 -非繞琳-1 -基、2,8 -非繞琳-3 -基、 2.8- 菲繞啉-4-基、2,8-菲繞啉-5-基、2,8-菲繞啉-6-基、 2.8- 菲繞啉-7-基、2,8-菲繞啉-9-基、2,8_菲繞啉-10-基、 2.7- 菲繞啉-1-基、2,7-菲繞啉-3-基、2,7-菲繞啉-4-基、 2.7- 非繞琳-5-基、2,7-非繞琳-6 -基、2,7-非繞琳-8-基、 2.7- 非繞琳-9-基、2,7-非繞琳-10-基、1-吩曉基、2-吩曉基 、1-吩噻嗪基、2 -吩噻嗪基、3 -吩噻嗪基、4 -吩噻嗪基、 1 -吩噁嗪基、2 -吩噁嗪基、3 -吩噁嗪基、4 -吩噁嗪基、2 -噁唑基、4 -噁唑基、5 -噁唑基、2 -噁二唑基、5 -噁二唑基 、3 -呋咱基、2 -噻吩基、3 -噻吩基、2 -甲基吡咯-1 -基、2 -甲基吡咯-3 -基、2 -甲基吡咯-4 -基、2 -甲基吡咯-5 -基、3 - -16- (14) (14)200808684 甲基吡咯-卜基、3-甲基吡略-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-t-丁基吡咯-4-基、3- ( 2-苯基丙基)吡 略-1-基、2 -甲基-1-D引哄基、4 -甲基- l-G引D朵基、2 -甲基- 3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-t-丁基1-吲哚基、4-t-丁基 1_吲哚基、2-t-丁基3-吲哚基、4-t-丁基3-吲哚基等。 R及R1〜R16的芳硫基以- SY,表示,作爲Y’的例子可 舉出與前述芳氧基之Y’的相同例子。 R及R1〜R16的烷氧基羰基以- COOZ表示,作爲Z的 例子可舉出與前述烷基相同的例子。 作爲R及R1〜R16的甲矽烷基,例如可舉出三甲基甲 矽烷基、三乙基甲矽烷基、t-丁基二甲基甲矽烷基、乙烯 基二甲基甲矽烷基、丙基二甲基甲矽烷基等。 作爲R及R1〜R16之鹵素原子可舉出氟、氯、溴、碘 等。 又,作爲前述R及R1〜Ri6的取代基,可舉出與前述 Ar1及Ar2的取代基相同的例子。 一般式(1)中,瓜及^各爲0〜5(較佳爲0〜3,更 佳爲〇〜2)之整數’且姐+11爲1〜5(較佳爲1〜3)之 整數。 一般式(1)中,p及q各爲〇〜5(較佳爲0〜3,更 佳爲〇〜2)之整數’且p+q爲ι〜5(較佳爲1〜3)之整 數。 一般式(1)中,1*及s各爲〇〜4(較佳爲0〜2)之 整數,t爲0〜6(較佳爲〇〜2)之整數。 -17- (15) (15)200808684
且,m、n、p、q、r、s及t爲1以上時,各L及R 可相同或相異。 本發明的一般式(1 )所示雙蒽衍生物之具體例如下 所示,但未限定於這些例示化合物。
-18- (16) 200808684
19- 200808684
-20 (18) (18)200808684
本發明的雙蒽衍生物,可藉由使用公知方法所合成之 芳基硼酸衍生物與鹵化芳基衍生物進行鈴木偶合反應而合 成。其例子如下述表之1〜11所示。 (表中,L、Ar1、Ar2、R1 〜R16、R、m、n、p、q、r 及s與前述相同,R17〜R2()各獨立表示羥基或烷氧基,X1 及X2各表示鹵素原子。) -21 - (19)200808684 〔表1〕
-22- (20) (20)200808684 〔表2〕
本發明的雙蒽衍生物爲有機EL元件用發光材料爲佳 ’又作爲有機EL元件用主材料爲特佳。 本發明的有機EL元件爲,陽極與陰極間挾持至少含 有發光層之一層或複數層所成的有機薄膜層之有機電致發 光元件中,前述有機薄膜層爲含有至少1種選自前述一般 式(1 )所記載的雙蒽衍生物作爲單獨或混合物的成分。 -23- (21) (21)200808684 又,本發明的有機EL元件爲,前述發光層進一步含 有芳基胺化合物及/或苯乙烯基胺化合物爲佳。 作爲苯乙烯基胺化合物以下述一般式(A )所示者爲 佳。 [化8]
(式中,Ar3爲選自苯基、聯苯基、聯三苯基、二苯 代乙烯基、二苯乙烯基芳基之基,Ar4及Ar5各爲氫原子 或碳數爲6〜20的芳香族烴基,Ar3、Ar4及Ar5可被取代 。P’爲1〜4之整數。更佳爲A r4或Ar5的至少一方可由苯 乙烯基取代。 但,Ar3〜Ar5中至少1個含有取代或無取代之苯乙烯 基。) 其中,作爲碳數6〜20的芳香族烴基,可舉出苯基、 萘基、蒽基、菲基、聯三苯基等。 作爲芳基胺化合物,較佳爲下述一般式(B )所示者 -24- (22) 200808684 [化9]
(B) (式中,Ar〜Ar各爲取代或無取代之核碳數5〜4〇 的芳基。q’爲1〜4之整數。) 其中,作爲核碳數爲5〜40的芳基,例如可舉出苯基 π基恩基、非基、芘基、c〇r〇nyi、聯苯基、聯三苯基 、吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯並噻吩基、噁二唑基、二 本基恩基、D引哚基、咔唑基、吡啶基、苯並喹啉基、熒蒽 基、危並癸惠基、二苯代乙烯基、茈基、丨,^苯並菲基、 pycene基、二伸苯基、rubicene基、苯並蒽基、苯基蒽基 、雙蒽基、或下述一般式(C) ,(D)所示之芳基等,以 萘基、蒽基、1,2-苯並菲基、芘基、或一般式(D)所示 之芳基爲佳。 [化 10]
(C) (D) (一般式(C)中,r,爲1〜3之整數。) 且,作爲前述芳基之較佳取代基可舉出碳數1〜6的 -25- (23) (23)200808684 院基(乙基、甲基、i·丙基、η -丙基、s -丁基、t -丁基、戊 基、己基、環戊基、環己基等)、碳數1〜6的垸氧基( 乙氧基、甲氧基、i-丙氧基、η-丙氧基、s-丁氧基、t-丁氧 基、戊氧基、己氧基、環戊氧基、環己氧基等)、核碳數 5〜40的芳基、核碳數5〜40的芳基所取代之胺基、具有 核碳數5〜40的芳基之酯基、具有碳數1〜6的烷基之酯 基、氰基、硝基、鹵素原子等。 以下對於本發明的有機E L元件之元件構成做説明。 作爲本發明的有機EL元件之代表性元件構成可舉出 (1 )陽極/發光層/陰極 (2) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 (3) 陽極/發光層/電子注入層/陰極 (4) 陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 (5) 陽極/有機半導體層/發光層/陰極 (6) 陽極/有機半導體層/電子障壁層/發光層/陰極 (7) 陽極/有機半導體層/發光層/附著改善層/陰極 (8) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入 層/陰極 (9) 陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (10) 陽極/無機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰 極 (11) 陽極/有機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰 極 (12) 陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/ -26 - (24) (24)200808684 絕緣層/陰極 (13)陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/ 電子注入層/陰極 等結構。 其中以使用一般式(8 )之構成爲佳,但未限定於此 〇 又,本發明的有機EL元件中,本發明的雙蒽衍生物 可使用上述任一有機層,但含於這些構成要素中之發光區 域或電洞輸送區域爲佳,含有量爲30〜100莫耳%。 該有機EL元件於一般透光性之基板上製作。該透光 性基板爲支持有機EL元件之基板,對於該透光性以400 〜7 OOnm之可見光區域光的透過率爲50%以上者爲佳,且 使用平滑基板爲佳。 作爲如此透光性基板,例如可使用玻璃板、合成樹脂 板等。作爲玻璃板,特別可舉出鹼石灰玻璃、含有鋇·緦 之玻璃、鉛玻璃、鋁矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鋇硼矽酸玻 璃、石英等所成形之板。又,作爲合成樹脂板可舉出、聚 碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、 聚醚硫化物樹脂、聚颯樹脂等之板。 其次’陽極爲擔任將電洞注入電洞輸送層或發光層之 角色者’具有4.5eV以上之功函數時有效。作爲使用於本 發明之陽極材料的具體例可舉出氧化銦錫合金(IT0 )、 氧化銦鋅合金(ΙΖΟ )、氧化錫(NESA )、金、銀、鉑、 銅I等^又’作爲陰極以於電子輸送層或發光層將電子注入 -27- (25) (25)200808684 爲目的下,功函數較小之材料爲佳。 陽極可由將這些電極物質經蒸鑛法或濺鍍法等方法形 成薄膜而製作出。 如此由發光層之發光自陽極取出時’對於陽極的發光 之透過率比10%大時爲佳。又’陽極的薄片電阻以數百 Ω / □以下爲佳。陽極的膜厚雖依材料而不同’ 一般爲 10nm〜l#m,較佳爲10〜200nm之箪B圍。 本發明的有機EL元件中,發光層爲具有 (i )注入功能;電場外加時可由陽極或電洞注入層 注入電洞,由陰極或電子注入層可注入電子之功能 (i i )輸送功能;將經注入之電荷(電子與電洞)以 電場力移動之功能 (iii ) 發光功能;提供電子與電洞之再結合的場地 ,將此與發光連接的功能。 作爲形成該發光層之方法,例如可適用蒸鍍法、旋轉 塗佈法、LB法等公知方法。發光層特別以分子堆積膜爲 佳。其中所謂分子堆積膜爲,自氣相狀態之材料化合物沈 澱後所形成之薄膜、或自溶液狀態或液相狀態之材料化合 物經固化所形成之膜,通常該分子堆積膜爲,與由LB法 所形成之薄膜(分子累積膜)於凝集結構、高次結構之相 異下、或其所引起的功能性相異而可區分。 又,如特開昭5 7- 5 1 78 1號公報所揭示,樹脂等結著 劑與材料化合物溶解於劑做成溶液後,即使將此藉由旋轉 塗佈法等進行薄膜化,亦可形成發光層。 -28- (26) (26)200808684 以不損害本發明之目的的範圍下,依所需於發光層可 含有本發明之雙蒽衍生物所成的發光材料以外其他公知發 光材料’又含有本發明之發光材料的發光層中可層合含有 其他公知發光材料之發光層。 其次’電洞注入·輸送層爲幫助對發光層之電洞注入 ’其爲輸送至發光區域之層,電洞移動度較大,離子化能 量一般爲較小之5.5 eV以下。作爲如此電洞注入•輸送層 以較低電場強度下可將電洞輸送至發光層之材料爲佳,且 電洞的移動度,例如1 04〜1 〇6V/cm之電場外加時至少爲 l(T4cm2/V ·秒者爲佳。作爲如此材料可使用過去於光傳導 材料中作爲電洞之電荷輸送材料所慣用者、或選擇使用於 有機E L元件之電洞注入層的任意公知者。 作爲具體例子’例如可舉出三唑衍生物(參照美國專 利3,1 1 2,1 9 7號說明書等)、氧雜二唑基衍生物(參照美 國專利3,1 8 9,4 4 7號說明書等)、咪唑衍生物(參照特公 昭3 7 - 1 6 0 9 6號公報等)、聚芳基鏈院衍生物(參照美國 專利3,615,402號說明書、同第3,820,989號說明書、同 第3,542,544號說明書、特公昭45 -5 5 5號公報、同51-10983號公報、特開昭51-93224號公報、同55-17105號 公報、同56-4148號公報、同55-108667號公報、同55-156953號公報、同56-36656號公報等)、吡唑衍生物及 吡唑啉-5-酮衍生物(參照美國專利第3,1 80,729號說明書 、同第4,278,746號說明書、特開昭55-88064號公報、同 55-88065號公報、同49-105537號公報、同55-51086號 -29- (27) (27)200808684 公報、同5 6-8005 1號公報、同5 6- 8 8 1 4 1號公報、同57-45 545號公報、同5 4- 1 1 263 7號公報、同5 5 -74546號公報 等)、伸苯基二胺衍生物(參照美國專利第3,6 1 5,404號 說明書、特公昭51-10105號公報、同46-3712號公報、同 47-25336號公報、特開昭54-53435號公報、同54-110536 號公報、同54- 1 1 9925號公報等)、芳基胺衍生物(參照 美國專利第3,567,450號說明書、同第3,1 80,703號說明 書、同第3,240,597號說明書、同第3,65 8,520號說明書 、同第4,232,103號說明書、同第4,1 75,96 1號說明書、 同第4,012,376號說明書、特公昭49-35702號公報、同 3 9-275 77號公報、特開昭 5 5 - 1 4425 0號公報、同 56-119132號公報、同 5 6-2243 7號公報、西德專利第 1,1 1 0,5 1 8號說明書等)、胺取代芳基丙烯醯芳烴衍生物 (參照美國專利第3,526,50 1號說明書等)、噁唑衍生物 (參照美國專利第3,257,203號說明書等所揭示者)、苯 乙烯基蔥衍生物(參照特開昭5 6-46234號公報等)、芴 酮衍生物(參照特開昭5 4 - 1 1 0 8 3 7號公報等)、腙衍生物 (參照美國專利第3,7 1 7,462號說明書、特開昭5 4-5 9 1 43 號公報、同55-52063號公報、同55-52064號公報、同 5 5 -46760號公報、同5 5 -8 5495號公報、同57-1135〇號公 報、同57-148749號公報、特開平2-311591號公報等)、 二苯代乙烯衍生物(參照特開昭6 1 - 2 1 0 3 6 3號公報、同第 61-228451號公報、同61-14642號公報、同61-72255號 公報、同62-47646號公報、同62-36674號公報、同62- -30- (28) 200808684 10652號公報、同62-30255號公報、同6〇-93455號公報 、同60-94462號公報、同60-174749號公報、同60- 1 7 5 0 5 2 5虎公報等)、砂氮院衍生物(參照美國專利第 4,950,950號說明書)、聚矽烷系(參照特開平2-2〇4996 號公報)、苯胺系共聚物(參照特開平2_282263號公報 - )、特開平1 - 2 1 1 3 9 9號公報所揭示之導電性高分子寡聚 物(特別爲噻吩寡聚物)等。 作爲電洞注入層之材料,可使用上述者,但以卟啉化 合物(參照特開昭6 3 - 2 9 5 6 9 6 5號公報等所揭示者)、芳 香族第三級胺化合物及苯乙烯基胺化合物(參照美國專利 第4,127,412號說明書、特開昭53-27033號公報、同54-5 844 5號公報、同54- 1 49634號公報、同54-64299號公報 、同55-79450號公報、同55-144250號公報、同56-119132號公報、同6 1 -29 5 5 5 8號公報、同6 1 -9 8 3 5 3號公 報、同63 -2 95 6 95號公報等)爲佳,特別以使用芳香族第 , 三級胺化合物爲較佳。 又’美國專利第5,061,5 69號所記載的分子內具有2 個縮合芳香族環者,例如可舉出4,4,-雙(Ν-(1·萘基)-N-苯基胺)聯苯基(以下簡稱爲NPD),又特開平4-3 0868 8 號公報所記載的三苯基胺單位連結成3個星暴增型之 4,4’,4’’-參(>1-(3-甲基苯基)《^-苯基胺)三苯基胺(以 下簡稱爲MTDATA)等。 又,前述雙蒽衍生物以外,其他亦可使用ρ型S i、ρ 型SiC等無機化合物作爲電洞注入層的材料。 -31 - (29) (29)200808684 電洞注入、輸送層爲,可將上述化合物例如藉由真空 蒸鍍法、旋轉塗佈法、鑄模法、LB法等公知方法進行薄 膜化後形成。作爲電洞注入、輸送層之膜厚並無特別制限 ,一般爲 5nm 〜5//m。 又,有機半導體層爲可幫助對發光層之電洞注入或電 子注入之層,具有ltT14/cm以上的導電率者爲佳。作爲 如此有機半導體層之材料,可使用含噻吩寡聚物或特開平 8-193 191號公報所揭示的含芳基胺寡聚物等導電性寡聚物 、含芳基胺樹狀聚合物等導電性樹狀聚合物等。 其次,電子注入層·輸送層爲,可幫助於發光層之電 子注入,其爲輸送至發光區域之層,電子移動度較大,又 附著改善層爲,該電子注入層中特別與陰極之附著優良之 材料所成的層。 又,已知有機EL元件爲發光之光因藉由電極(此時 爲陰極)而反射,直接由陽極所取出之發光,與經由藉電 極之反射所取出之發光會產生干涉現象。欲有效地利用該 干渉效果,電子輸送層適宜地選自數nm〜數μ m之膜厚 ,但特別爲膜厚較厚時,欲避開電壓上昇,於 1 04〜 l〇6V/cm之電場外加時電子移動度至少爲l(T5cm2/VS以上 爲佳。 作爲使用於電子注入層之材料,可使用8-羥基喹啉或 其衍生物之金屬錯合物或氧雜二唑基衍生物爲佳。作爲上 述8-羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物之具體例’可舉出 含有Oxine( —般爲8-Quinolinol或8-羥基喹啉)之螯合 -32- (30) (30)200808684 的金屬螯合oxynoid化合物,例如可將參(8-羥基喹啉) 鋁作爲電子注入材料使用。 另一方面,作爲氧雜二唑基衍生物,可舉出以下一般 式所示電子傳達化合物。 [化 11]
(式中,Ar1,Ar2,Ar3,Ar5,Ar6,Ar9 表示各取代 或無取代之芳基,各彼此可相同或相異。又,Ar4,Ar7, A^8表示取代或無取代之伸芳基,各可相同或相異) 其中作爲芳基可舉出苯基、聯苯基、蒽基、茈基、芘 _。又’作爲伸芳基可舉出伸苯基、伸萘基、聯伸苯基、 伸意基、伸茈基、伸芘基等。又,作爲取代基可舉出碳數 1〜10的烷基、碳數1〜10的烷氧基或氰基等。該電子傳 達化合物爲薄膜形成性者爲佳。 作爲±述電子傳達性化合物之具體例可舉出下述者。 -33- (31) 200808684 * [化 12]
可 又,作爲電子注入層及電子輸送層所使用的材半斗 使用下述一般式(E)〜(J )所示者。 [化 13]
L2—Ar2 (E)
(P) (一般式(E)及(F)中,Ai〜A3各獨 ^ ^ 行卿儿袠不氮原 子或碳原子。 、AH表示取代或無取代之核碳數6〜6〇的芳基、或取 代或無取代之核碳數3〜60的雜芳基,Ar2表示氫原子、 取代或無取代之核碳數6〜6 〇 @ #其、f 、 的方基取代或無取代之核 碳數3〜60的雜芳基、取代 R取無取代之fe數1〜20的院基 、或取代或無取代之碳數1〜 ^ 2 0日〇丨兀氧基、或此等之2價 -34- (32) 200808684 基。但,Ar1及Ar2之任一方爲取代或無取代之 6 〇之縮合環基、或取代或無取代之核碳數3〜 縮合環基。 L 、L及L各獨立表示單鍵、取代或無取代 6〜60的伸芳基、取代或無取代之核碳數3〜6〇 - 基、或取代或無取代之伸芴基。 ' R爲氯原子、取代或無取代之核碳數6〜60 取代或無取代之核碳數3〜6 〇的雜芳基、取代或 碳數1〜20的烷基、或取代或無取代之碳數ι〜 基,η爲0〜5之整數,11爲2以上時,複數的R 或相異,又,鄰接之複數R基彼此可結合形成碳 族ί哀或碳環式芳香族環。)所示含氮雜環衍生物 HAr-L-Ar 1 -Ar2 r \ (式中’ HAr爲可具有取代基的碳數3〜40 ί哀,L表不單鍵、可具有取代基的碳數6〜6〇的 , 可具有取代基的碳數3〜60的雜伸芳基或可具有 - 伸勿基’ Arl爲可具有取代基的碳數6〜60之2 烴基,Ar2爲可具有取代基的碳數6〜6〇的芳毫 取代基的碳數3〜60的雜芳基。)所示含氮雜環 核碳數1 〇 60之單雜 :之核碳數 的雜伸芳 的芳基、 :無取代之 2〇的烷氧 可爲相同 丨環式脂肪 〇 的含氮雜 f伸芳基、 「取代基的 價芳香族 ;或可具有 衍生物。 -35- 200808684 (33) [化 14]
( 式中,χ 於 丫各獨立表示碳數1〜6的飽和或不飽 和之烴基、烷氫其、p 、 ^ 細氧基、炔氧基、經基、取代或無取 代之芳基、取代球· ¥ 、 ^ 取代之雜環或X與γ結合形成飽和 或不飽和環的結構’ R1〜各獨立表示氫原子、鹵素原子 取代或無取代之碳數1至6的烷基、烷氧基、芳氧基、 全氟k基、全氟烷氧基、胺基、烷基羰基、芳基羰基、烷 氧基羰基、方氧基羰基、偶氮基、烷基羰基氧基、芳基羰 基氧基、院氧基擬基氧基、芳氧基羰基氧基、亞磺醯基、 石貝酿基、硫院基、甲矽烷基、胺基甲醯基、芳基、雜環基 、烯基、炔基、硝基、甲醯基、亞硝基、甲醯氧基、異氰 基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基 或氰基或鄰接時爲取代或無取代之環經縮合之結構。)所 示矽環戊二烯衍生物。 [化 15]
-36 * (34) (34)200808684 (式中,Ι^〜Ι18及Z2各獨立表示氫原子、飽和或不 飽和之烴基、芳香族烴基、雜環基、取代胺基、取代硼院 基、垸氧基或芳氧基,X、γ及Ζι各獨立表示飽和或不飽 和之烴基、芳香族烴基、雜環基、取代胺基、烷氧基或芳 氧基,z!及Z2的取代基可彼此結合形成縮合環,η表示i 〜3之整數,η爲2以上時,2!可爲相異。但,未含有^ 爲1,X、Υ及R2爲甲基、Rs爲氫原子或取代硼烷基、及 η爲3,且Ζ 1爲甲基之情況。)所不棚院衍生物。 [化 16]
食獨ΛΔ表示下述一般式(κ)所示 之配位子’示鹵素原子、取代或無取代之烷基、取代 或無取代之環院基、取代或無取代之芳基、取代或無取代 之雜環基、-ORi (Ri表示氯障;¥ m原子、取代或無取代之烷基、 取代或無取代之環烷基、取#十e /f 驭代或無取代之芳基、取代或 取代之雜環基。)或-0-Ga_〇 , A、 / ^ ( Q4) ( Q3 及 Q4 與 Ql 及 Q2相同)所示之配位子。J [化 17]
(K) -37- (35) (35)200808684 〔式中,環A1及A2爲各可具有取代基而互相縮合之 6員芳基環結構。〕 該金屬錯合物作爲η型半導體之性質爲強,電子注A 能力較大。且因錯合物形成時的生成能量亦較低,形成之 金屬錯合物的金屬與配位子之結合性亦變爲強固,作爲發 光材料之螢光量子效率亦變大。 作爲形成一般式(K )之配位子的環A1及A2的取代 基之具體例子,可舉出氯、溴、碘、氟之鹵素原子、甲基 、乙基、丙基、丁基、sec-丁基、第三丁基、戊基、己基 、庚基、辛基、硬脂基、三氯甲基等取代或無取代之烷基 、苯基、蔡基、3 -甲基苯基、3 -甲氧基苯基、3 -氣苯基、 3-三氯甲基苯基、3-三氟甲基苯基、3-硝苯基等取代或無 取代之芳基、甲氧基、η-丁氧基、第三丁氧基、三氯甲氧 基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2,2,3,3 -四氟丙氧基、 1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙氧基、6-(全氟乙基)己氧基等取代 或無取代之烷氧基、苯氧基、ρ-硝苯氧基、ρ-第三丁基苯 氧基、3 -氟苯氧基、五氟苯基、3 -三氟甲基苯氧基等取代 或無取代之芳氧基、甲硫基、乙硫基、第三丁硫基、己硫 基、辛硫基、三氟甲硫基等取代或無取代之烷硫基、苯硫 基、Ρ-硝苯硫基、Ρ第三丁基苯硫基、3-氟苯硫基、五氟 苯硫基、3 -三氟甲基苯硫基等取代或無取代之芳硫基、氰 基、硝基、胺基、甲基胺基、二乙胺基、乙基胺基、二乙 胺基、二丙基胺基、二丁基胺基、二苯基胺基等單或二取 代胺基、雙(乙醯氧基甲基)胺基、雙(乙醯氧基乙基) -38- (36) (36)200808684 胺基、雙乙醯氧基丙基)胺基、雙(乙醯氧基丁基)胺基 等醯基胺基、羥基、矽氧烷基、醯基、甲基胺基甲醯基、 二甲基胺基甲醯基、乙基胺基甲醯基、二乙基胺基甲醯基 、丙基胺基甲醯基、丁基胺基甲醯基、苯基胺基甲醯基等 胺基甲醯基、羧酸基、磺酸基、亞胺基、環戊基、環己基 等環烷基、苯基、萘基、聯苯基、蒽基、菲基、芴基、芘 基等芳基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、 吲哚滿基、喹啉基、吖啶基、吡咯烷基、二噁烷基、哌啶 基、嗎琳D定基、峨曉基、triatinyl 、昨ίί坐基、呋喃基、噻 吩基、噁唑基、噁二唑基、苯並噁唑基、噻唑基、噻二唑 、苯並噻唑基、三唑基、咪唑基、苯並咪唑基、吡喃基等 雜環基等。又,以上的取代基彼此結合可進一步形成6員 芳基環或雜環。 本發明的有機EL元件之較佳形態爲輸送電子之區域 或陰極與有機層之界面區域含有還原性摻雜物之元件。其 中所謂還原性摻雜物爲,可還原電子輸送性化合物之物質 。因此,僅爲具有一定還原性者即可’可使用種種物質’ 例如可使用至少1種選自鹼金屬、鹼土類金屬、稀土類金 屬、鹼金屬的氧化物、鹼金屬的鹵化物、鹼土類金屬的氧 化物、鹼土類金屬的鹵化物、稀土類金屬的氧化物或稀土 類金屬的鹵化物、鹼金屬之有機錯合物、鹼土類金屬之有 機錯合物、稀土類金屬之有機錯合物所成群之物質。 又,作爲更具體之較佳還原性摻雜物爲,至少1種選 自 Na(功函數:2.36eV) 、K(功函數:2.28eV) 、Rb( -39- (37) 200808684 功函數·· 2.16eV )及Cs (功函數:1 .95eV )所成群之鹼 屬、或至少1種選自Ca (功函數:2.9eV ) 、Sr (功函 ·· 2·0〜2.5eV)、及Ba(功函數:2.52eV)所成群之鹼 類金屬所舉出的功函數爲2.9eV以下者。其中較佳的還 性摻雜物爲至少1種選自K、Rb及C s所成群之鹼金屬 更佳爲Rb或Cs,最佳爲Cs。這些鹼金屬特別具有較高 原能力,藉由對於電子注入區域之添加量較爲少,可達 有機EL元件中發光亮度之提高或長壽命化。又,作爲 函數爲2· 9eV以下之還原性摻雜物,組合這些2種以上 鹼金屬爲佳,特佳爲含有C s之組合,例如C s與N a、 與K、Cs與Rb或Cs與Na與K與之組合爲較佳。藉由 有Cs之組合可有效地發揮還原能力,藉由對於電子注 區域之添加,可達到有機EL元件之發光亮度提高或長 命化。 本發明中,陰極與有機層之間進一步設置絕緣體或 導體所構成之電子注入層爲佳。此時可有效防止漏電, 可提高電子注入性。作爲如此絕緣體,使用至少1種選 鹼金屬硫屬化物、鹼土類金屬硫屬化物、鹼金屬的鹵化 及鹼土類金屬的鹵化物所成群之金屬化合物爲佳。電子 入層僅由這些驗金屬硫屬化物等所構成即可,電子注入 可進一步提高而較佳。作爲具體較佳鹼金屬硫屬化物, 如可舉出Li20、LiO、Na2S、Na2Se及NaO,作爲較佳 土類金屬硫屬化物,例如可舉出CaO、BaO、SrO、BeO B a S、及C a S e。又,作爲較佳鹼金屬的鹵化物,例如可 金 數 土 原 還 到 功 之 Cs 含 入 壽 半 並 白 物 注 性 例 鹼 Λ 舉 -40- (38) (38)200808684 出 LiF、NaF、KF、LiCl、KC1 及 NaCl 等。又,作爲較佳 鹼土類金屬的鹵化物,例如可舉出CaF2、BaF2、SrF2、 MgF2及BeF2之氟化物、或氟化物以外的鹵化物。 又,作爲構成電子輸送層之半導體,可舉出含有至少 1 個選自 Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、
Mg、Si、Ta、Sb及Zn之元素的氧化物、氮化物或氧化氮 化物等一種單獨或二種以上的組合。又,構成電子輸送層 之無機化合物爲微結晶或非晶質之絕緣性薄膜爲佳。電子 輸送層僅由這些絕緣性薄膜所構成即可,欲形成更均質之 薄膜爲形成,可減少黑點等畫素缺陷。且,作爲如此無機 化合物可舉出如上述的鹼金屬硫屬化物、鹼土類金屬硫屬 化物、鹼金屬的鹵化物及鹼土類金屬的鹵化物等。 其次,作爲陰極可使用將功函數較小的(4eV以下) 金屬、合金、電傳導性化合物及這些混合物作爲電極物質 使用者。作爲如此電極物質之具體例可舉出鈉,鈉-鉀合 金、鎂,鋰,鎂·銀合金,鋁/氧化鋁,Al/Li20,Al/Li02 ,Al/LiF,鋁·鋰合金,銦,稀土類金屬等。 該陰極可藉由將這些電極物質經蒸鍍或濺鍍等方法形 成薄膜而製作。 其中,自發光層之發光由陰極取出時,對於陰極之發 光的透過率比10%大爲佳。又,作爲陰極之薄片電阻以數 百Ω/□以下爲佳,且膜厚一般爲l〇nm〜1 // m,較佳爲50 〜2 0 0 nm 〇 又,一般有機EL元件爲於超薄膜外加電場,容易產 -41 - (39) 200808684 生因漏電或短路所引起的畫素缺陷。欲防止 間可插入絕緣性之薄膜層。 作爲使用於絕緣層之材料,例如可舉出 鋰、氧化鋰、氟化鉋、氧化鉋、氧化鎂、氟 、氟化銘、氮化銘、氧化鈦、氧化砂、氧化 氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化鈀等。亦可 物或層合物。 其次’對於製造本發明的有機EL元件 藉由上述材料及方法形成陽極、發光層,視 注入層、及視必要形成電子注入層,最後形 又’自陰極至陽極,與前述相反順序下亦 EL元件。 以下對於透光性基板上以陽極/電洞注7 子注入層/陰極之順序設置而構成之有機EL 做說明。 首先’適當的透光性基板上,使陽極材 成l//m以下,較佳爲1〇〜2〇〇nrn的範圍之 鍍法或濺鍍法形成,並作爲陽極。其次於該 洞注入層。電洞注入層之形成如前述可由真 轉塗佈法、鑄模法、L B法等方法進行,但 均質膜’且針孔難產生等點來看,藉由真空 佳。藉由真空蒸鍍法形成電洞注入層時,胎 所使用之化合物(電洞注入層之材料)、作 注入層的結晶結構或再結合結構等而不同, 此,一對電極 氧化錦、氟化 化鎂、氧化鈣 鍺、氮化砂、 使用這些混合 之方法,例如 必要形成電洞 成陰極即可。 可製造出有機 .層/發光層/電 元件的製作例 料所成的薄膜 膜厚,藉由蒸 陽極上設置電 空蒸鍍法、旋 由可容易得到 蒸鍍法形成爲 蒸鍍條件依據 爲目的之電洞 但一般可適宜 -42- (40) (40)200808684 地選自蒸鍍源溫度50〜450°C、真空度10_7〜10-3torr、蒸 鍍速度〇.〇1〜50nm/秒、基板溫度-50〜3 00 °C、膜厚 5nm 〜5 // m之範圍爲佳。 其次,該電洞注入層上設置發光層。該發光層之形成 亦可使用本發明之發光材料,藉由真空蒸鍍法、濺鍍、旋 轉塗佈法、鑄模法等方法,使發光材料薄膜化而形成,但 由可容易得到均質膜,且針孔難產生等點來看,藉由真空 蒸鍍法形成爲佳。藉由真空蒸鍍法形成發光層時,該蒸鍍 條件依據所使用的化合物而相異,一般可選自與電洞注入 層之形成相同條件範圍。膜厚以10〜40nm之範圍爲佳。 其次,該發光層上設置電子注入層。此時亦與電洞注 入層、發光層同樣地,由可得到均質膜之點來看以真空蒸 鍍法形成爲佳。蒸鍍條件可由與電洞注入層、發光層同樣 條件範圍中選擇。 因此,最後層合陰極而得到有機EL元件。陰極係由 金屬所構成,可使用蒸鍍法、濺鍍。然而,欲防止製膜底 材之有機物層時的損傷以真空蒸鍍法爲佳。 以上有機EL元件之製作可經一次抽真空步驟、或一 貫作業由陽極製作至陰極爲佳。 本發明的有機EL元件之各層的形成方法並無特別限 定。可使用過去公知之真空蒸鍍法、旋轉塗佈法等之形成 方法。本發明的有機EL元件所使用的含有前述一般式(1 )所示之化合物的有機薄膜層可由真空蒸鍍法、分子線蒸 鍍法(MB E法)或溶解於溶劑之溶液浸漬法、旋轉塗佈法 -43- (41) 200808684 、澆注法、棒塗佈法、滾筒塗佈法等塗佈法等公知方法形 成。 本發明的有機EL元件之各有機層的膜厚並無特別限 定,但由避免針孔等缺陷產生或提高效率之觀點來看,一 般爲數nm至l//m之範圍爲佳。 , 且,於有機EL元件外加直流電壓時,使陽極爲+, 陰極爲-之極性,外加5〜40 V之電壓時可觀測到發光。又 ,相反極性下外加電壓時亦不會漏電,完全不會產生發光 。且外加交流電壓時,僅陽極爲+、陰極爲-之極性時, 可觀測到均一發光。外加之交流波形可爲任意形式。 1 例 式施 方實 施( 其次,本發明藉由實施例做更詳細説明,但本發明未 限定於這些實施例。 合成實施例1 (化合物(AN -1 )之合成) 氬氣環境下,將藉由公知方法所合成之1-溴-4-碘萘 l〇g、4-溴苯基硼酸6g溶解於甲苯150ml,加入2M-碳酸 鈉水溶液45ml。再加入肆三苯基膦鈀! g後進行7小時加 熱迴流。一晚後,有機層以甲苯萃取後以水、飽和食鹽水 洗淨。有機層經無水硫酸鈉乾燥後,餾去溶劑。殘渣以矽 膠管柱層析法(展開溶劑:甲苯/己烷)純化而得到1 -溴一 4-(4 -溴苯基)萘6.3g (產率58%)。 -44- (42) (42)200808684 混合將所得之1-溴-4- ( 4-溴苯基)萘6g以公知方法 合成之10-苯基蒽-9-硼酸10g、及DME150ml。再加入肆 三苯基膦鈀1 .1 g與2 Μ -碳酸鈉水溶液5 0 m 1,以氬氣取代 。7.5小時加熱迴流後、放冷,過濾析出晶體。結晶以水 、甲醇洗淨後,再以加熱甲苯洗淨而得到目的化合物( AN-1 ) 8.3g之淡黃色固體(產率70% )。所得之化合物 以 FD-MS ( Field desorption mass spectrum analysis)測 定後,得到對於C56H36= 708之m/z= 708,故鑑定該化合 物爲AN-1。 合成實施例2 (化合物(AN-3 )之合成) 氬氣環境下,格氏反應用Mg 1.3g中加入脫水四氫呋 喃(THF ) 2 5ml。再將ρ·二溴苯1 〇g溶解於脫水THF50ml 並混合。反應開始後,進行1小時加熱迴流,調製出4-溴 苯基鎂溴化物THF溶液。 氬氣環境下,將6-溴-2-萘基三氟甲烷磺酸酯12.5g、 PdCl2 ( dppp ) 〇.85g、LiBr3g 分散於脫水 THF60ml 中並使 用冰冷卻。於此滴入調製之4 -溴苯基鎂溴化物T H F溶液 ,室溫下進行1小時攪拌。再經5小時加熱迴流後冷卻。 以1 0 %稀鹽酸酸化後,將有機層以甲苯萃取,再以水、飽 和食鹽水洗淨。有機層經無水硫酸鈉乾燥後,餾去溶劑。 將殘渣以矽膠管柱層析法(展開溶劑:甲苯/己烷)純化 後得到2 -溴- 6-(4 -溴苯基)萘7_5g (產率58%)之白色 固體。 -45- (43) 200808684 合成實施例1中,取代1-溴-4- ( 4-溴苯基) 2-溴-6- ( 4-溴苯基)萘以外,進行相同操作,得到 合物AN-3之淡黃色固體(產率π% )。所得之化 FD-MS測定後得到對於c56H 3 6 = 7 0 8爲m/z二7〇8, 該化合物爲AN-3。 合成實施例3 (化合物(AN-6 )之合成) 合成實施例1中,取代1 -溴-4 - ( 4 -溴苯基) 1,4 - 一溴奈’取代1 0 -苯基蒽-9 -硼酸使用4 - ( 9 - 3 1 〇 -基)苯基硼酸,進行相同操作,得到目的化合物 之淡黃色固體(產率72% )。所得之化合物以FD 定後得到對於C62H4G= 784爲m/z= 784,故鑑定該 爲 AN-6。 合成實施例4 (化合物(AN -1 2 )之合成) 氬氣環境下’將公知方法所合成之10 -苯基蒽-88、2,6-二溴萘7.78溶解於〇1^1£15〇1111,加入2^4-水溶液41ml。再加入肆三苯基膦鈀〇.93g,進行8 熱迴流。一晚後過濾析出物,過濾之母液以甲苯萃 以水、飽和食鹽水洗淨。有機層經無水硫酸鈉乾燥 去溶劑。殘渣以甲醇、己烷洗淨後得到2-溴-6-( 蒽-10-基)萘7.2g (產率58% )。 合成實施例1中,取代1-溴-4- ( 4-溴苯基) 2 -溴-6 - ( 9 -苯基蒽-1 0 -基)萘,取代1 〇 _苯基蒽—9 _ 萘使用 目的化 合物以 故鑑定 萘使用 £基蒽-f AN-6 •MS測 化合物 9-硼酸 碳酸鈉 小時加 取,再 後,餾 9_苯基 萘使用 硼酸使 -46- (44) 200808684 用4· ( 9- ( 3-聯苯基)蒽-10-基)苯基硼酸 同操作,得到目的化合物AN -1 2之淡黃色 % )。測定所得之化合物的FD-MS得到對ί 爲m/z= 7 84,故鑑定該化合物爲ΑΝ-12。 合成實施例5 (化合物(AN-29 )之合句 合成實施例4中,取代10-苯基蒽-9-硼 苯基蒽-10-基)苯基硼酸,取代2,6-二溴萘 萘以外,進行相同操作,得到1 - ( 4-溴萘-苯基蔥-10-基)苯之淡黃色固體(產率62% 氬氣環境下,將2-溴-6- ( 9-苯基蒽-10-散於脫水THF150ml中,冷卻至-63°C後,力[ 基鋰己烷溶液16ml。於-63 °C下攪拌30分鐘 至0°C,再次冷卻至-63 °C。反應液中加入 14g,於-63°c下攪拌3小時。放置一晚後, 進行酸化後,過濾析出晶體。以水、甲苯洗 到( 9-苯基蒽_10_基)萘-2-硼酸5.4g (產 合成實施例1中,取代1-溴-4- ( 4-溴 溴萘-丨-基)_4-(9_苯基蒽-1〇•基)苯 基意硼酸使用6- ( 9_苯基蒽基)萘_ 進行相同操作得到目的化合物AN-29之淡黃 6 2 % )。測定所得之化合物的F D - M S得到: 8 3 4爲8 3 4,故鑑定該化合物爲AN-2 9 實施例1 (有機EL元件的製造) ί以外,進行相 固體(產率65 C62H40 — 784 酸使用4 - ( 9 -使用1,4-二溴 1-基)-4- ( 9- )° ,基)萘l〇g分 ]入 1 . 6 Μ -正丁 後,一旦昇溫 硼酸三異丙基 以1 0 %稀鹽酸 淨並乾燥後得 率 58% ) 〇 苯基)萘使用 ’取代 1 0 -苯 •2 -硼酸以外, 色固體(產率 對於 c66H42 = -47- 0 (45) (45)200808684 25mmx75mmxl.lmm厚附有ITO透明電極之玻璃基板 (Geomatics公司製)於異丙基醇中進行超音波洗淨5分 鐘後,進行3 0分鐘的UV臭氧洗淨。將洗淨後附有透明 電極線之玻璃基板裝於真空蒸鍍裝置之基板支架,首先形 成透明電極線之側面上如覆蓋前述透明電極一般,成膜膜 厚 60nm之N,N’-雙(N,N’-二苯基-4-胺苯基)-Ν,Ν·二苯 基-4,4’-二胺-1,1’-聯苯基膜(以下簡稱爲「TPD232膜」 。)。該TPD232膜可作爲電洞注入層發揮其功能。其次 ,該TPD232膜上成膜爲膜厚20nm之Ν,Ν,Ν’,Ν’-四(4-聯苯基)-二胺聯伸苯基層(以下稱爲「TBDB層」)。該 膜作爲電洞輸送層而發揮其功能。再將膜厚40nm之前述 化合物(AN-3 )經蒸鍍成膜。同時作爲發光分子,將下述 胺化合物BD1對於 AN-3,以重量比 AN-3 : BD1 = 40 : 2 下進行蒸鍍。該膜作爲發光層使用。該膜上成膜爲膜厚 10nm之Alq膜。將此作爲電子注入層使用。此後,還原 性摻雜物之Li ( Li源:SAES GETTER公司製)與下述 Alq進行二次蒸鍍,作爲電子注入層(陰極)形成Alq : Li膜(膜厚lOnm)。該八14:1^膜上上蒸鍍金屬八1形成 金屬陰極而形成有機EL發光元件。 對於所得之元件進行通電試驗後,得到電壓6.8V、電 流密度lOmA/cm2下發光亮度700cd/m2之藍色發光。初期 亮度設定爲1〇〇〇 cd/m2測定該有機EL元件之半衰期,所 得之結果如第1表所示。 -48- (46) (46)200808684 • [化 18]
實施例2〜5 (有機EL元件的製造) 實施例1中,作爲發光層之材料,取代化合物(AN-3 )使用第1表所記載的化合物以外,同樣地製作出有機 E L元件。對於所得之元件,與實施例1同樣地測定其半 衰期,其結果如第i表所示。 實施例6 貫施例1中’作爲發光層之材料,取代胺化合物B D1 使用下述胺化合物B D 2以外,以同樣方法製造出有機E L 兀件。對於所得之兀件與實施例1相同進行半衰期測定, 其結果如第1表所示。 -49- (47) 200808684 [化 19]
實施例7 實施例1中,作爲發光層的材料取代胺化合物BD 1使 用下述胺化合物BD3以外同樣下製造出有機EL元件。對 於所得元件與實施例1同樣下測定半衰期,結果如第1表 所示。 [化 20]
B D 3
Me
Me 比較例1〜8 實施例1中,作爲發光層之材料,取代化合物(AN - 3 )及BD 1使用第1表所記載的化合物以外,同樣地製作出 有機EL元件。對於所得之元件,與實施例1相同進行半 衰期測定,結果如第1表所示。 且’弟1表所記載的化合物an-l〜an-6如下所示。 -50- (48)200808684 [化 21]
〔表3〕 -51 - (49) (49)200808684 第1表 發光層之化合物 半衰期(小時、 實施例1 AN-3/BD 1 9,100 實施例2 AN-1/BD1 8,300 實施例3 AN-6/BD 1 8,500 實施例4 AN-12/BD1 8,700 實施例5 AN-29/BD1 8,100 實施例6 AN-3/BD2 7,200 實施例7 AN-3/BD3 5,600 比較例1 an-1/BDl 3,600 比較例2 an-2/BD 1 3,800 比較例3 an-3/BDl 3,300 比較例4 an-4/BDl 1,700 比較例5 an-5/BDl 6,000 比較例6 an-6/BD 1 ~----- 1,800 比較例7 an-5/BD2 5,100 比較例8 an-5/BD3 3,800 如第1表所示,使用具有本發明的伸萘基及p -伸苯基 所成的特定連結基之一般式(1 )所示結構的雙蒽衍生物 之實施例1〜7的有機EL元件,與使用未滿足該結構之化 合物之比較例1〜8的有機EL元件做比較,具有更長壽命 產業上可利用性 如上述詳細說明,含有本發明之雙蒽衍生物之有機 EL元件其具有較長壽命。因此,作爲必須長期間繼續使 用的有機EL元件上極爲有用。 -52-

Claims (1)

  1. (1) (1)200808684 十、申請專利範圍 1 · 一種下述一般式(I)所示雙蒽衍生物, [化1]
    〔式中’ L爲上述一般式(2)所示伸萘基, Ar1及Ar2各獨立爲取代或無取代的核碳數6〜50之 芳香族烴基或取代或無取代的核碳數丨〇〜50之縮合芳香 族烴基, R1〜R16各獨立爲氫原子、取代或無取代的核碳數6 〜5 0的芳香族烴基、取代或無取代的核原子數5〜5 〇的芳 香族雜環基、取代或無取代的碳數1〜5 0的烷基、取代或 無取代的核碳數3〜50的環烷基、取代或無取代的碳數1 〜5 0烷氧基、取代或無取代的碳數6〜5 〇的芳烷基、取代 或無取代的核碳數5〜5 0的芳氧基、取代或無取代的核碳 數5〜5 0的芳硫基、取代或無取代的碳數1〜5 〇的烷氧基 羰基、取代或無取代的甲矽烷基、羧基、鹵素原子、氰基 、硝基或羥基、 R爲取代或無取代的核碳數6〜5 0的芳香族烴基、取 -53- 200808684
    代或無取代的核原子數5〜5 0的芳香族雜環基、取代^ _ 取代的碳數1〜50的烷基、取代或無取代的核碳數3〜5q 的環烷基、取代或無取代的碳數1〜5 0的烷氧基、取代或 無取代的核碳數5〜5 0 (碳數6〜5 〇 )的芳院基、取代或 無取代的核碳數5〜5G的芳氧基、取代或無取代的核碳數 5〜50的芳硫基、取代或無取代的碳數丨〜5()的烷氧基羰 基、取代或無取代的甲矽烷基、羧基、_素原子、氰基、 硝基或羥基、 + η爲1〜5的整數, p+q爲1〜5的整數, 衍生物,其中該一 (5 )中任一所示 瓜及η各爲0〜5的整數,且 Ρ及q各爲〇〜5的整數,且 r & s各爲〇〜4的整數, 爲0〜6的整數, 1以上時,各L及R可爲 饥、11、卩、9、1*、3及1爲 相同或相異〕。 1項之雙蒽 般式(3 )、 2 ·如申請專利範圍第 般式(1)中,L·爲下述一 伸萘基, [化2]
    式中,R及t與前述相同 爲1〜3 〇 如申請專利範圍第"頁之雙惠衍生物,其中m + -54、 200808684 (3) 4. 如申請專利範圍第1項之雙蒽衍生物,其中p + q 爲1〜3。 5. 一種有機電致發光元件,其爲陽極與陰極間挾持 至少含有發光層的一層或複數層所成的有機薄膜層之有機 電致發光元件,其特徵爲該有機薄膜層含有至少1種選自 如申請專利範圍第1項之雙蒽衍生物作爲單獨或混合物成 分者。 6 ·如申請專利範圍第5項之有機電致發光元件,其 中該發光層含有該雙蒽衍生物作爲主材料。 7 ·如申請專利範圍第5項之有機電致發光元件,該 發光層爲更含有芳基胺化合物。 8 .如申請專利範圍第5項之有機電致發光元件,該 發光層爲更含有苯乙燃胺化合物。 -55 - 200808684 七、指定代表圖·· (一) 、本案指定代表圖為··無 (二) 、本代表圖之元件代表符號簡單說明:無 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學 式:式(1),(2)
TW096111904A 2006-04-03 2007-04-03 Bisanthracene derivative and organic electroluminescence device using the same TW200808684A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006102335 2006-04-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200808684A true TW200808684A (en) 2008-02-16

Family

ID=38581122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096111904A TW200808684A (en) 2006-04-03 2007-04-03 Bisanthracene derivative and organic electroluminescence device using the same

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20070285009A1 (zh)
EP (1) EP2003107A1 (zh)
JP (1) JPWO2007116828A1 (zh)
KR (1) KR20080114784A (zh)
CN (1) CN101415662A (zh)
TW (1) TW200808684A (zh)
WO (1) WO2007116828A1 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007086695A1 (en) 2006-01-27 2007-08-02 Lg Chem. Ltd. New anthracene derivatives, preparation method thereof and organic light emitting diode using the same
CN101689467B (zh) * 2007-06-01 2012-10-03 E.I.内穆尔杜邦公司 化合物和含该化合物的材料
US8063399B2 (en) 2007-11-19 2011-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8343381B1 (en) 2008-05-16 2013-01-01 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport composition
KR101115255B1 (ko) 2008-07-11 2012-02-15 주식회사 엘지화학 신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자
WO2010065500A2 (en) 2008-12-01 2010-06-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
JP2012510474A (ja) * 2008-12-01 2012-05-10 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電気活性材料
KR20140116526A (ko) * 2008-12-04 2014-10-02 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기활성 재료
US8759818B2 (en) 2009-02-27 2014-06-24 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for electronic applications
JP5567656B2 (ja) 2009-04-03 2014-08-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電気活性材料
KR101193182B1 (ko) 2009-09-02 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
EP2483366A4 (en) 2009-09-29 2013-05-01 Du Pont DEUTERATED COMPOUNDS FOR LUMINESCENT APPLICATIONS
CN102596950A (zh) 2009-10-29 2012-07-18 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子应用的氘代化合物
KR101800036B1 (ko) * 2009-11-04 2017-11-22 메르크 파텐트 게엠베하 액정 매질용 화합물, 및 고주파 부품을 위한 그의 용도
JP5198657B2 (ja) * 2009-12-16 2013-05-15 出光興産株式会社 有機発光媒体
US8617720B2 (en) 2009-12-21 2013-12-31 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive composition and electronic device made with the composition
WO2011161425A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Cambridge Display Technonogy Limited Organic light-emitting device and method
WO2012021315A2 (en) * 2010-08-11 2012-02-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive compound and composition and electronic device made with the composition
WO2012087955A1 (en) 2010-12-20 2012-06-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions for electronic applications
JP5783749B2 (ja) * 2011-02-15 2015-09-24 ケミプロ化成株式会社 エキシマー特性を有する1,8−アリール置換ナフタレン誘導体及びこれを用いた有機el素子
CN103664495B (zh) * 2013-12-10 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 蒽类衍生物及制备方法、应用和有机发光器件
JP7325731B2 (ja) 2018-08-23 2023-08-15 国立大学法人九州大学 有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL99369C (zh) 1956-06-04
BE558630A (zh) 1956-06-27
US3180729A (en) 1956-12-22 1965-04-27 Azoplate Corp Material for electrophotographic reproduction
BE581861A (zh) 1958-08-20
NL124075C (zh) 1959-04-09
US3240597A (en) 1961-08-21 1966-03-15 Eastman Kodak Co Photoconducting polymers for preparing electrophotographic materials
US3180703A (en) 1963-01-15 1965-04-27 Kerr Mc Gee Oil Ind Inc Recovery process
US3526501A (en) 1967-02-03 1970-09-01 Eastman Kodak Co 4-diarylamino-substituted chalcone containing photoconductive compositions for use in electrophotography
US3542544A (en) 1967-04-03 1970-11-24 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing organic photoconductors of the triarylalkane and tetraarylmethane types
US3658520A (en) 1968-02-20 1972-04-25 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing as photoconductors triarylamines substituted by active hydrogen-containing groups
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US3615404A (en) 1968-04-25 1971-10-26 Scott Paper Co 1 3-phenylenediamine containing photoconductive materials
US3717462A (en) 1969-07-28 1973-02-20 Canon Kk Heat treatment of an electrophotographic photosensitive member
BE756375A (fr) 1969-09-30 1971-03-01 Eastman Kodak Co Nouvelle composition photoconductrice et produit la contenant utilisables en electrophotographie
BE756943A (fr) 1969-10-01 1971-03-16 Eastman Kodak Co Nouvelles compositions photoconductrices et produits les contenant, utilisables notamment en electrophotographie
US4127412A (en) 1975-12-09 1978-11-28 Eastman Kodak Company Photoconductive compositions and elements
US4012376A (en) 1975-12-29 1977-03-15 Eastman Kodak Company Photosensitive colorant materials
US4175961A (en) 1976-12-22 1979-11-27 Eastman Kodak Company Multi-active photoconductive elements
JPS6028342B2 (ja) 1978-06-21 1985-07-04 コニカ株式会社 電子写真感光体
US4232103A (en) 1979-08-27 1980-11-04 Xerox Corporation Phenyl benzotriazole stabilized photosensitive device
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
DE69333840T2 (de) * 1992-08-28 2005-12-01 Idemitsu Kosan Co. Ltd. Ladungsinjektionszusatzmaterial
JPH07138561A (ja) 1993-11-17 1995-05-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE69511755T2 (de) * 1994-04-26 2000-01-13 Tdk Corp Phenylanthracenderivat und organisches EL-Element
JP3724833B2 (ja) 1995-03-06 2005-12-07 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5935721A (en) * 1998-03-20 1999-08-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent
JP3838816B2 (ja) 1999-06-03 2006-10-25 Tdk株式会社 有機el素子用化合物および有機el素子
JP2004002351A (ja) 2002-03-27 2004-01-08 Tdk Corp 有機el素子
JP4035482B2 (ja) 2003-06-27 2008-01-23 キヤノン株式会社 置換アントリル誘導体およびそれを使用した有機発光素子
JP3848306B2 (ja) * 2003-06-27 2006-11-22 キヤノン株式会社 アントリル誘導基置換化合物およびそれを使用した有機発光素子
KR20070101319A (ko) * 2005-02-10 2007-10-16 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 비스안트라센 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
EP2003107A1 (en) 2008-12-17
WO2007116828A1 (ja) 2007-10-18
US20070285009A1 (en) 2007-12-13
CN101415662A (zh) 2009-04-22
JPWO2007116828A1 (ja) 2009-08-20
KR20080114784A (ko) 2008-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI418547B (zh) Aromatic amine derivatives and organic electroluminescent elements using the same
TWI400221B (zh) An asymmetric monoanthracene derivative, an organic electroluminescent device material, and an organic electroluminescent device using the same
TWI361020B (zh)
TWI433595B (zh) Organic electroluminescent elements
TW200808684A (en) Bisanthracene derivative and organic electroluminescence device using the same
TWI444356B (zh) Aromatic amine derivatives and organic electroluminescent elements using the same
JP4995475B2 (ja) ベンズアントラセン誘導体、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101296029B1 (ko) 바이페닐 유도체, 유기 전기발광 소자용 재료, 및 그것을이용한 유기 전기발광 소자
TW200835671A (en) Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
JP2007186461A (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JPWO2006104044A1 (ja) アントリルアリーレン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
TW200831475A (en) Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
TW200815446A (en) Organic electroluminescent device and material for organic electroluminescent device
WO2005121057A1 (ja) アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPWO2007058127A1 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
TW200408303A (en) Organic electroluminescence device and anthracene derivative
JPWO2007102361A1 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
TW200808687A (en) Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
JPWO2006085434A1 (ja) ビスアントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
TW200825153A (en) Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
JPWO2006120859A1 (ja) 新規有機エレクトロルミネッセンス材料、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス用薄膜形成溶液
JP2010030973A (ja) スチルベン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4152761B2 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子