TW200807420A - Read disturb sensor for phase change memories - Google Patents

Description

200807420 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大致有關相位改變記憶體陣列，及該記憶體中 之有條件更新讀取及執行方法。 【先前技術】 特別是傳統半導體記憶體裝置的傳統記憶體裝置例 中’其有時共同分辨功能性記憶體裝置(如PLAs，PALs等) 及表記憶體裝置。例如，某些表記憶體裝置包含如 PROMs(可程式唯讀記憶體），EPR0Ms(可抹除可程式唯讀 記憶體），EEPROMs(電子可抹除可程式唯讀記憶體），快閃 記憶體(flash)等的ROM裝置(唯讀記憶體)，及如DRAMs(動 態隨機存取記憶體)及SRAMs(靜態隨機存取記憶體）的 RAM裝置(隨機存取記憶體或讀-寫記憶體）。 SRAMs例子中，各記憶體胞元係包含如配置為跨耦合 閂的六電晶體。DRAMs例子中，通常僅使用一單對應受控 電容兀件(如金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)的閘極_ 源極電容），其中電荷可被儲存於該電容中。然而，DRAM 中的電荷僅短時間保留，而必須定期更新來保留資料狀 態。相對於DRAM，SRAM不需更新，而只要饋送適當供 給電壓至该SRAM，則被儲存於該記憶體胞元中的該資料 可保留被儲存。SRAMs及DRAMs均被視為依電性記憶 體’其中資料狀態僅於供應電源至此才被保留。 相對於依電性記憶體，如EPROMs，EEPROMs及快閃 '體的非依電性記憶體裝置(NVMs)係呈現不同特性，其 5 200807420 中即使當與其相關的該供給電壓被關閉時，該被儲存資料 亦可被保留。此類記憶體具有如手機上之電子名片盒的各 類行動通信裝置，其切使當該手機被關_可保留資料 的優點。 最近發展的一類型非依電性記憶體係被稱為電阻切換 記憶體裝置。該電阻記憶體中，藉由一多或少傳導狀態中 適當切換處理，來放置位於兩適當電極(也就是一陽極及一 陰極）間之一記憶體物質，其中該多傳導狀態係對應邏 輯”1”，而該少傳導狀態係對應邏輯，，〇，，(或反之亦然）。適當 電阻記憶體可為如IEDM 2002，W.W.Zhuamg等人於” Novell Colossal磁阻薄膜非依電性電阻隨機存取記憶體 (RRAM)”中說明的波洛斯凱特(perovskite)型記憶體，iedm 2005，I.GBaeket等人於，，用於後NAND儲存應用的多層交 叉點二進位電阻記憶體(OxRAM)，，中說明的二進位氧化物 中之電阻切換，或相位改變記憶體。 相位改變記憶體例子中，例如適當硫族化合物（如 GeSbTe或AglnSbTe化合物)可被當作放置於該兩對應電極 之間的主動物質。該硫族化合物質可藉由適當切換處理放 置於非晶體’也就是相當弱傳導’或結晶，也就是相當強 傳導狀態，因而表現像一可變電阻元件，其如以上著重可 被開發為不同資料狀態。 為了將該相位改變物質從非晶體狀態切換為結晶狀 悲’係施加適當加熱電流至該相位改變元素，其中該電流 係將該相位改變物質加熱至結晶溫度之上。可替代是，該 6 200807420 電流可被饋送通過接近該相位改變物質的一外部電阻加熱 器，以加熱該相位改變物質超過其結晶溫度。此操作有時 被稱為設立(SET)操作。同樣地，可藉由施加—適當加熱電 流脈衝將狀態從結晶狀態改變為非晶體狀態，其中該相位 改變物質係被加熱超過其熔化溫度，而其快速冷卻處Λ理期 間可獲得該非晶體狀態。此操作有時被稱為重設(肪8£丁) 操作。設定及重設係為可㈣料寫人相錢變記憶體 胞元的一方式。 【發明内容】 以下壬現基本了解本發明—個或更多特徵的簡單摘 要。此摘要並非本發明蓋觀的延伸’亦非預期識別本發明 ^鍵要素且非描寫其範圍。反之，該摘要主要目的係_ 單型式呈現若干概念，作為概呈現之更詳細說_序言。 本發明係有關一種相位改變記憶體陣列的操作方法。 该方法包含制無她改變記鍾_相_讀取干擾 狀況，及回應該被識別讀取干擾狀況執行有條件更新操 作。本發明亦有_包含相位改變記胞元的一相位改變記，隐 體’及配置識職取干擾狀況及回應此對該陣舰行更新 知作的-讀取干擾㈣。本發_該有條件更新操作可有 利地防止讀取干擾狀況不受該_巾的相位改變記憶 料狀態的影響。 、 以下5兄明及附圖係詳細說明本發明特定例證特徵及實 施。這些僅表示可運用本發明原理的轩各種方式。、 7 200807420 【貫施方式】 現在將參考附圖說明本發明一個或更多實施，其中遍 及全文相似數字係被用來提及相似元件。本發明係有關一 種操作相位改變記憶體陣列，避免因讀取干擾事件造成資 料損失的系統及方法。 、 ^如上述，相位改變記憶體元件狀態係為電阻函數，而 可藉由局對加熱該元件來改變該胞元狀態。相位改變記憶 體之資料保留通常被明定於攝氏85度的時間區間，而該資 料保留係為該元件内之該相位改變物質結晶溫度的強函 數。針對熱門相位改變物質，Ge2sb2Te5，實際保留等級係 約攝氏105-110度十年。如汽車的某些應用中，溫度可能超 過攝氏jlG度。再者，許多應财，該記憶裝置不被保持 於一固定溫度，而經歷周圍溫度明顯改變。 由於該晶片溫度可能劇烈改變，某些例子中，任何該 相位改變TL件額外加熱均可能貞面影響該記_。本發明 之發明人了解如溫度上升的特殊情況下，電流通過該相位 改變元件的讀轉作，係可缝生充分額外加熱於該記憶 體胞兀狀射產生干擾。也就是說，讀取操作可能干擾該 記憶體胞元資料内容。 例如，參考第2圖，重設至重設狀態之相位改變元件 的胞元電阻(R)，係被繪圖為通過其間的短電流脈衝(1)大小 函數。從圖示了_，若干累積讀取脈衝係可產生該元件 部份設定30j若該裝置_溫錄高，則不慎將—胞元放 入該设定狀悲的風險，係因胞元電崎似其門I電壓降 8 200807420 低而被進一步增加。該事件有時被稱為讀取干擾事件且導 致資料損失。 本發明藉由識別與該相位改變記憶體陣列相關的潛在 讀取干擾狀況，及回應此執行更新操作來提出讀取干擾問 題。該更新操作分別操作該陣列中完全設定或重設所有該 相位改變§己憶體胞元，以刪除胞元任何部分設定或重設， 籍此避免項取干擾事件發生。一實施例中，一讀取干擾感 應器係於潛在讀取干擾狀況發生之前被用來識別它，所以 在資料損失之前可執行該有條件更新。 為了完全了解本發明各種特徵，以下提供先前技術相 位改變記憶體胞元架構例證簡單說明。某些例子中，相位 改變記憶體裝置係被組織於該裝置核心領域中的一個或更 多相位改變胞元陣列中，其中各相位改變記憶體胞元係包 含耦合至一選擇切換裝置的一相位改變記憶體元件。先前 技術第1圖係說明一傳統裝置，其中一相位改變元件1〇係 被耦合於一位元線12及一雙極選擇電晶體14。一字線16 係被耦合至電晶體14的基底終端。藉由適當定址位元線12 及與其相關之字線16，資料可被寫入此及從此讀取。以上 述方式配置的相位改變記憶體胞元陣列有時被稱為^^^^型 記憶體陣列。應了解第丨圖說明的胞元僅為例證，而不應 被解釋為本發明之相位改變記憶體胞元或陣列的定義所需 元件。 而 現在來到弟3圖，揭示一種相位改變記憶體陣列操作 方法100。雖然以下將方法100及本發明其他方法說明為一 9 200807420 株ji動作或事件，但應了解本㈣不限於所述該動作或事 的排序。例如’依據本發明’某麵作可能以不同順序 及/或與不同於這些所述及/或在錢明之其他動作或 2同時發生。此外，實施依據本發，方法並非需要所 說明步驟。再者’依據本發_方法可結合在此說明系 =及結合沒有綱之其㈣絲實施，射本發明及附 f申睛範圍内的所有該實施均可被設想。 —例中，相位改變記憶體陣列係被配置於N〇R型架構 中’然而，應了解亦可使用任何相位改變記憶體架構及設 想本發明範圍内的該替代物。起初，方法10包含識別102 處與該相位改變記憶體陣列相關之讀取干擾狀況。讀取干 擾狀況係為該_的任何情況，其中重複讀取操作係具有 導致’或更多記憶體胞元中之資料狀態_期改變的預 ’月4員白本叙明一貫施例中，1〇2處之識別係包含監控與該 一個或更多相位改變記憶體陣列部件相關之熱情況。例 如，可識別一預定溫度門檻，其中超過該門播係創造一熱 環i兄，其中讀取干擾狀況發生的改變係足以觸動某些修正 或緩和動作。因此，本例係設想使用與該陣列一個或更多 邛件相關之一個或更多熱感應器。該溫度門檻可以使用之 相位改變物質及其他因子為基礎作改變。 一另一例中，第3圖之1〇2處讀取干擾狀況識別係可包 含運用客製化讀取干擾狀況感應器。該感應器可被用來感 應與一讀取干擾狀況共相關的一個或更多參數。仍另一例 中’讀取干擾感應器包含實質類似或相同於該陣列中之相 200807420 位改變記憶體胞元的一相位改變記憶體胞元。此例中，若 讀取干擾狀況存在或即將存在，則對會使該胞元改變狀態 之一讀取狀況施加的該讀取干擾記憶體胞元執行讀取操 作。例如，施加至此之一電壓或電流脈衝大小，係大於用 於讀取該陣列中之相位改變記憶體胞元的典型電壓或電流 脈衝。以上方式中，該讀取干擾感應器記憶體胞元將於該 陣列中發生之前經歷狀態改變。此感應中，102處讀取干擾 狀況識別，係包含任何預期資料損失之前識別該陣列中的 迫切實際讀取干擾狀況。 方法100接著於104處繼續，其中係以1〇2處是否識 別讀取干擾狀況的基礎上來執行有條件更新操作。因此: 一例中，僅於已偵測到讀取干擾狀況的這些情況中才執行 更新。此可有利地藉由刪除有時用於傳統設計中之定期更 新，及僅於需要時才執行該操作來降低功率消耗。本發明 一貫施例中，該更新操作係包含讀取該陣列一個或更多部 件的資料，及將該資料寫回至該原始位置。然而，可使用 任何形式更新，且可設想本發明範圍内的該替代物。 本發明另一貫施例中，第4圖提供一種避免資料因讀 取干擾狀況而損失的相位改變記憶體操作方法2〇〇。方法 2〇〇開始於202，其中她改變記憶體(PCM)讀取感應器係 被程式化為重設狀態。-實施例中，該感應器係包含_ 或相同於該陣列中之相位改變記憶體胞元的一相位改變記 憶體胞元。可運用定址及程式化該感應器的任何方式，及 設想本發明範圍内的所有該變異。 11 200807420 方法200於204繼續，其中查詢讀取該感應器的時間 疋否到了。一例中，同時讀取該讀取感應器及與該陣列相 關的讀取週期操作，然而，每”η”陣列讀取大致可發生該讀 取一次’其中”η”係為大於零(0)的一整數。若204處決定不 執行感應裔蟥取(2〇4處no)，則方法200如圖示返回至該 詢問。若決定執行該感應器讀取(204處YES)，則於206處 執行該感應器讀取。 本發明一實施例中，係使用提升讀取脈衝來執行該讀 取感應器讀取操作。一實施例中，提升讀取脈衝係包含存 «月間用來讀取該陣列中之相位改變記憶體胞元，類似讀 取脈衝但具有高於該典型讀取脈衝電壓或電流大小的電壓 或電流脈衝。以上方式中，該讀取感應器中之相位改變物 夤任何局部加熱係大於該陣列中之胞元所經歷的。因此， f讀取干擾狀況即絲臨，則綠況將發生於任何該陣列 咳取干擾狀況之前的該讀取感應器處。因此，本發明的該 讀取感應器係可於該_中任何龍損失之制弱潛在讀 取干擾問題。 、、塵績於208 ’回應該提升讀取脈衝詢問該讀取干擾感應 器是否改魏態。若否⑽4 NQ)，舰無讀取干擾狀況 ㈣來臨，、而方法返回綱等待下一個讀取感應器讀 取㈣，然而’若該讀取感應器不經歷狀態改變(處 YES) ’二]識別讀取干擾狀況，方法接著進行至2川， ’、中接著對相位改、憶體胞元陣列執行更新操作。本發 明一實施财，更娜作包含從_财财相位改變記 12 200807420 憶體胞元讀取資料，域著將該資料寫回該個別記 元位置。 〜 方法200可見，該更新操作係以2〇8處該讀取感應器 否可識別讀取干擾狀況為基礎而為有條件的。因此，^ 明方法與以盲目方式定減新之傳崎決方法她下，可 有利地降低該記憶體裝置的功率消耗。 以上例子中’方法_及係於全部記憶體胞元陣 列背景中執行。可替代是，該記憶體_可被分割為複數 區段，其中各區段可具有其自己各讀取干擾感應器。該實 施例中’不對全部_執行更騎作，僅對可識別讀取干 擾狀況之這些區段執行該有條件更新操作。 本發明另-實施例中，方法⑽及細可結合多位準 或多位私目位改變記髓裝置—起制。多位元記憶體胞 元中’兩個以上資料狀態係與該相位改變物質傳導率變異 相關。具有較小讀取容限的該褒置中，本發明甚至更有利 -例中’該讀取干擾狀況係與多位元或多位準相位改變記 憶體胞7G的巾間狀態，較料因執行讀取操作而最易受到 狀態不慎改變的中間狀態相關。 因此，-實施例中’-讀取干擾感應器係包含一多位 元相位改變記舰胞元’其顧程式化為位於奴狀態及 重設狀態之_巾間狀態。接著以具有大於施加至該陣列 中之胞元的讀取電壓或電流之—值的讀取電壓或電流脈衝 來讀取_取錢器。接著決定該讀取干擾錢器狀態是 否留下其預定電阻範圍’而改變為另一狀態。若是，如上 13 200807420 述，則對整個陣列或個別區段執行更新操作。 ，月:據明另一實施例’係提供如第5圖參考數字300 變記憶體系統。系統3°°係可操作於導致 取干㈣/ 狀狀麯顯取干況，及該讀 取干擾狀況硪別時執行更新操作。 一例中，系'统300包含-讀取干擾感應器3〇2，一切換 P 304，-更新控制器、3G6，_脈衝產生m 一减應 ，及—ΐ位改變記憶體陣列312(或與該一陣‘ :區^1。—貫施例中’讀取干擾感應器3〇2包含一熱 感應器，其被配置測量與_ 312之—個或更多區段相關 的…、狀況或其他狀況。另一實施例中，讀取 302包含類似或_於該陣列中之記憶體胞元的-相二 心己憶體f元。可替代是’可使用操作感應讀取干擾狀況 及本發明翻内設想的任何麵祕器結構。 本發明一實施例中，更新控制器306係被配置直接或 間接接收來自讀取干擾感應器3〇2的資料，且於偵測到讀 取干擾狀況時啟動對記憶體陣列312的更新操作。本例中， 遺更新控制器係為該一般晶片控制器部分，然而，可設想 使用專用控制器電路，且設想本發明範圍内的該替代物。 本發明-特定實施例中’其中讀取干擾感應器3〇2係 包含一相位改變記憶體胞元，更新控制器3〇6可操作重設 該，應器胞元。例如，更新控制器遍可控制切換矩陣3〇4 將讀取干擾感應器302搞合至脈衝產生器遞，而該脈衝產 生器接著於控制器306方向下產生重設脈衝。 14 200807420 、本發明一實施例中，更新控制器306可決定讀取干擾 感應為302所珣問的時序。一例中，控制器每，，第π 陣列喝取㈤問感應II 3G2 ’其中”η”係為大於零⑼的一整 數。可替代tc，控制器306可獨立該陣列讀取指定詢問時 間，且替代與可有利地與潛在讀取干擾狀況共相關的另一 變數相關。 各感應恭讀取時間處，控制器3〇6可指導脈衝產生器 308產生一項取感應器脈衝(電壓或電流），其中該脈衝係為 具有大於用於陣列312正常讀取之一值的提升脈衝。脈衝 產生器308接著經由切換矩陣304提供該提升讀取脈衝至 讀取感應器308。更新控制器306接著經由切換矩陣3〇4將 f應放大器310耦合至讀取感應器302，並讀取該感應器狀 態。一例中，實際提升讀取脈衝可改變該狀態，並視該感 應放大器速度而定，可能必須讀取該讀取感應器兩次。 更新控制器306接著經由感應放大器31〇決定讀取感 應器302的狀態。若該狀態已改變，則識別讀取干擾狀況， 而該控制器經由切換矩陣304啟動更新相位改變記憶體陣 列312。如上述，系統300可操作更新全部陣列，或可以該 陣列各區段使用感應器，接著以區段而非整個陣列來執行 有條件更新。 此外，如上述，第5圖之系統300亦可結合多位元相 位改變記憶體裝置一起使用。該例中，該感應器係被程式 化為設定及重設狀態之間的中間狀態。較佳是，係選擇最 易受到讀取干擾狀況影響的一中間狀態（若有多中間狀 15 200807420 態）。該例中，更新控制器306係可操作於施加提升讀取脈 衝時讀取該讀取感應器，而若狀態改變被識別，則啟動陣 列312(或該陣列一區段)的更新操作。 雖然已以一個或更多實施例說明本發明，但只要不背 離附帶申請專利範圍精神，均可做說明例的改變及/或修 改。特別有關上述組成或結構(組件，裝置，冑路，系統等) 所執行的各種魏，除非其他指示，用來說頓組成的項 目（包含’’裝置，，之參考），即使結構不相等於執行在此說明本 發明實施例功能的揭示結構’均被預期對應對該所述組成 (如功能性相等)執行特定功能的任何組成或結構。此外，雖 然僅參考若干實施之_來綱树簡找徵，但該特徵 可結合任何職及翻給定鱗定制之其他實施的-個 或更多其他特徵。再者，某程度上名詞，，(including，includes) ，括，，’，，_ing ’ has，癒财”，或其變異録用於詳細 β兒月及U她圍巾，翻以類似名詞,，(議prising)包 含”方式包含該名詞。 16 200807420 【圖式簡單說明】 第1圖為說明NOR型架構中的傳統相位改變記憶體胞 元的先前技術簡單圖示； 第2圖為說明特殊情況下多重讀取操作如何產生讀取 干擾狀況的圖示； 第3圖為說明依據本發明一實施例之相位改變記憶體 陣列操作方法的流程圖； 弟4圖為說明依據本發明另一實施例之相位改變記憶 體陣列操作方法的流程圖； 弟5圖為說明依據本發明 憶體陣列操作系統的方塊圖。 一實施例說明之相位改變記 【主要元件符號說明】 10 相位改變元件 12 位元線 14 電晶體 16 字線 30 ri-jrL 5又疋 1〇〇 、 200 方法

Claims (1)

1. 200807420 十、申請專利範圍： 1. -種-相位改變記憶體陣列的操作方法，包含. 識別與該相似變記憶體_相_—讀取干擾狀 況；及 < 回應該識卿取干擾狀況喊行—條件更新操作。 2. 如申請專利範圍第1項的方法’其中識別該讀取干擾 狀況的步驟係包含偵測與該相位改變記憶體陣列相關的_ 熱狀況，其增加一讀取操作導致該記憶體陣列中的一胞元 中一資料分裂的一機率。 3. 如申請專利範圍第1項的方法’其中識舰讀取干擾 狀況的步驟係包含： 以不同於與該相位改變記憶體陣列相關之一讀取操作 的一讀取操作讀取一相位改變感應器記憶體胞元；及 若該不同讀取狀況於該讀取相位改變感應器記憶體胞 元中導致一資料干擾，則識別該讀取干擾狀況。 4·一種一相位改變記憶體陣列的操作方法，包含： 感應一讀取干擾狀況；及 當感應到該讀取干擾狀況時，執行一更新操作。 5·如申請專利範圍第4項的方法，其中感應該讀取干擾 狀況的步驟係包含： 程式化一讀取干擾相位改變記憶體胞元為該重設狀 態； 對該讀取干擾相位改變記憶體胞元執行一讀取干擾讀 取操作；及 18 200807420 以該讀取干擾操作是否使該讀取干擾相位改變記憶體 胞元具有低於-敎值的—電阻為基礎，決定該讀取干擾 狀況是否存在。 6·如申明專利範圍第5項的方法，其中執行一讀取干擾 4操作的步娜包含對該讀取干擾她改變記憶體胞元 施加-電壓或電舰衝，其A於施加至—讀取操作中之該 陣列中的相位改變記憶體胞元的—電壓或電流脈衝。 7.如申請專利翻第4 _找，其中於軸位改變記 憶體陣列的各讀取週期相_—時間嘗試感應該讀取干擾 狀況。 8. 如申明專利範圍第4項的方法，其中執行該更新操作 的步驟係包含： 從-部份該相位改變記憶體陣列中的各相位改變記憶 體胞元讀取資料；及 將該讀取資料分別寫回各她改變記㈣胞元。 9. 如申請專利範圍第8項的方法，射做該整個相位 改變記憶斷财的各相減變記憶體胞元讀取該資料。 10. -種一多位元相位改變記憶體陣列的操作方法，包 感應與一多位元相位改變記憶體胞元的多重可用狀態 之一相關的一讀取干擾狀況；及 心 當感應到該讀取干擾狀況時，執行一更新操作。 11.如申請專利範圍第ίο項的枝，其中該讀取干擾狀 況係與該多位元她改變記倾胞元之位_奴狀^及 19 200807420 該重設狀態之間的一中間狀態相關。 如申請專利範圍第11項的方法 包含複數可用中間狀態之一，其 而最易文到狀態不慎改變影響。 13·如申請專利範圍第1〇項的方法 兵的万法’其中該中間狀態係 ，其因執行其上的一讀取操作 擾狀況的步驟係包含·· 其中感應該Ί買取干 重設狀態之間的一中間狀態； 程^-纽域魅記紐胞元為該設定狀態及該 ▲於-項取鱗期間’以具有大於施加至該多位元相位 改變記憶體相之—讀取電壓或電流脈衝的—值的一讀取 電壓或電流_ ’讀轉被程式化多位元感應器記憶^胞 元；及 二決定該讀取該程式化多位元感應器記憶體胞元是否將 該中間狀態改變為另一狀態。 14.如申請專利範圍f 1〇項的方法’其中執_更新操 作的步驟係包含： ' 從一部份該多位元相位改變記憶體陣列中的各多位元 相位改變記憶體胞元讀取資料；及 將該讀取資料分別寫回各多位元相位改變記憶體胞 15·如申請專利範圍第14項的方法，其中係從整個多位 元相位改變記憶體陣列中的各相位改變記憶體胞元讀取該 資料。 、μ 16·—種相位改變記憶體，包含： 200807420 一相位改變記憶體胞元陣列；及 一讀取干擾系統，係配置以識別—讀取干擾狀況及回 應該識別而對該陣列執行一更新操作。 17·如申請專利範圍第16項的相位改變記憶體，其中該 謂取干擾系統係配置藉由偵測與該陣列相關的一熱狀況來 識別該讀取干擾狀況。 18 ·如申請專利範圍第16項的相位改變記憶體，其中該 4取干擾系統係配置藉由以不同於與該相位改變記憶體陣 列相關之一讀取操作的一讀取操作讀取一相位改變感應器 記憶體胞元來識別該讀取干擾狀況，而若該不同讀取狀況 導致該讀取相位改變感應器記憶體胞元中的一資料干擾， 則識別該讀取干擾狀況。 19·一種相位改變記憶體系統，包含： 一相位改變記憶體胞元陣列； 一相位改變記憶體讀取感應器；及 一更新控制器，係配置於該讀取感應器指示一讀取干 擾狀況時’對該相位改變記憶體胞元陣列執行一更新操作。 20·如申請專利範圍第19項的相位改變記憶體系統，進 一步包含一脈衝產生器，係配置以產生及提供一讀取干擾 信號至該相位改變記憶體讀取感應器。 21·如申請專利範圍第20項的相位改變記憶體系統，其 中該相位改變記憶體讀取感應器係包含一相位改變記憶體 胞兀’而其中當存在该項取干擾狀況時，該讀取干擾信號 會造成該相位改變記憶體讀取感應器的電阻的一改變。 21 200807420 22·如申請專利範圍第20項的相位改變記憶體系統，其 中該脈衝產生器更配置以產生一重設脈衝信號，以迫使該 相位改變記憶體讀取感應器至一重設狀態。 23.如申請專利範圍第19項的相位改變記憶體系統，進 一步包含一感應放大器，其配置感應該相位改變記憶體讀 取感應器於一讀取操作期間的一狀態，及傳送該被感應狀 態至該更新控制器。 24·如申請專利範圍第2〇項的相位改變記憶體系統，其 中該讀取感應信號係包含一電壓或電流脈衝，其具有大於 提供至在一讀取操作期間之該陣列之胞元的一電壓或電流 脈衝的一值。 25·如申請專利範圍第19項的相位改變記憶體系統，其 中該相位改變記憶體胞元係包含多位元相位改變記憶體胞 元。 26·如申請專利範圍第25項的相位改變記憶體系統，其 中該相位改變記憶體讀取感應器係包含一多位元相位改變 記憶體胞元。 27·如申請專利範圍第26項的相位改變記憶體系統，其 中該讀取感應器最初被設定為位於一設定狀態及一重設狀 態之間的一中間狀態，而其中當該中間狀態離開一預定電 阻範圍時一讀取干擾狀況被標示。 28·—種相位改變記憶體系統，包含： 一相位改變記憶體胞元陣列；及 用以偵測與該陣列相關的一讀取干擾狀況及回應該偵 22 200807420 測而執行一更新操作之裝置。 29. 如申請專利範圍第28項的相位改變記憶體系統，其 中該偵測裝置進一步包含可偵測該讀取干擾狀況的讀取干 擾感應器裝置。 30. 如申請專利範圍第29項的相位改變記憶體系統，其 中該感應器裝置係包含一相位改變記憶體胞元，而其中該 偵測裝置進一步包含一脈衝產生裝置，用以提供一讀取感 應器信號至該感應器裝置，其包含大於提供至該陣列中之 相位改變記憶體胞元的一讀取信號相關之一電壓或電流值 的一電壓或電流值。 31. 如申請專利範圍第30項的相位改變記憶體糸統’其 中一讀取干擾狀況期間，當施加該讀取感應器信號於該感 應器裝置時該感應器裝置可操作改變其狀態，而其中該偵 測裝置係可操作回應此偵測該狀態改變及啟動該更新操 作0 23