TW200804842A - Contact for use in testing integrated circuits - Google Patents

Description

200804842 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明廣泛地涉及用於評估積體電路設備之測試器及用 於將積體電路設備之引線連接至一與測試器接合之負載板 之相應襯墊的結構。然而，在較窄意義上，本發明涉及接 點，其位於一陣列中用於電連接積體電路引線與其相應負 載板襯墊且提供用於有效傳輸測試信號之結構。本發明具

體關注的是一種接點’其將被用於此陣列中以便將阻抗保 持在所要位準。 【先前技術】 一積體電路測試H設備早已在卫業中用以職及評估所測 試之設備之品質。當然，在進行測試時信號完整性為重要 考慮。亦需要藉由將積體電路引線互連至其相應負載板襯 ，之接點之導電部分將阻抗維持在特定所要位準。舉例而 言，在測試許多類型之設備的狀況下，50歐姆為所要位 準。 所達成之阻抗為若干因素之函數。此等因素包括導電路 徑之長度、製造導電結構之材料等等。 ::明為「種接點’該接點改良測試功能，使其超出用 且㈣H 以功此。本發明考慮先前技術之指示 且克服先則技術中的現有問題。 【發明内容】 本發明為一種接 一測試器裝置測試 點，其跨越一間隔，該間隔分離一待由 之積體電路之一引線與一與該測試器接 120987.doc 200804842 曰的負載板之一概塾。該接點孩& ^ '姐勒 猎此在積體電引線與負载板 襯墊之間提供電通信。該接點包 声且右如斜細a A 巴緣4層，該絕緣薄 膺具有相對朝向的側及一輪廓，嗲 ,> H! ^ ^ a μ輪廊包括可由積體電路 的引線嚙合的第一末端。該輪廟亦且 Α八——丄 ”百，、该負截板之襯墊 - 二末端…導電薄層覆於該絕緣薄層之至少—部 -=該導電薄層亦自絕緣薄層之第—末端延伸至絕緣薄 層，弟二末端。導電薄層之厚度在絕緣薄層之第一及第二 •末知處擴大。因此，導電薄声 之弟一末端由積體電路之引 線更有效地嚙合，且導電薄層 ^ 乐一末& (其接近負載板） 更有效地嚙合負載板之襯墊。 ） 在本發明之—實施例中，導電薄層包含m絕㈣ 曰之-侧的第-跡線。此第一導電跡線自絕緣薄一 末端延伸至絕緣薄11t # 寻層之弟一末為。此實施例亦包括一第二 導電跡線，其覆於絕緣薄層之另一側之至少一部分上且: ^該薄層之第-末端延伸至該薄層之第二末端。在_較佳 春 Λ〜例中，第-及第二導電跡線延伸超出絕緣薄層之第一 末端且包括自該等導電跡線延伸以切穿嗔合該接^之積體 電路之引線上的氧化物結構（build_up)之構件。通常，氧化 錫將累積在積體電路設備引線之表面上。 ^ 希望用於切穿氧化物結構之構件將包括一狹長刀片 緣。此刀片邊緣將自位於其第一或上部末端處之每雷 跡線延伸。在設想的構造中，此等刀片邊緣將大致彼此平 行延伸。類似地’該等刀片邊緣又將大致平行於由接點之 表面界定之平面。由於希望彈性安裝該接點，刀片邊緣當 120987.doc 200804842 其由積體電路之引線嚙合 T1 U ^ ^ t在田其未由積體電路嚙合時 W邊緣的位置（lay)之方向中線性移動。 =解’導電薄層或跡線可夾於橫向絕緣層之間，或一 二:二絕緣層夹於兩個導電薄層之間。當‘然，具體構造將 取决於測減器之應用、外〜 是否為金屬等等。 “。、中元成接點之彈性安裝)

本發明之某些實施例可提供冗餘接觸。此概念可使組件 尺寸的減小成為可能，以支援小於〇5 _的間距。使用陶 莞:、、邑緣材料，可極大地減少或消除電場輻射效應。 :想絕緣薄層將由陶究材料製造。已發現此材料傾向於 為完成此目的之若干選擇之最佳選擇。 本發明因此為一種在積體電路測試中使用之改良之接 點。參考實施方式、附加之巾請專利範圍及隨圖，更具體 之特徵及由於彼等特徵而獲得的優點將變得顯而易見。 【實施方式】 現參看圖式，其中類似參考數字在若干視圖中始終表示 類似元件，圖2說明用於一測試座中之接點陣列〗〇。使用 根據本發明之接點12之此陣列1〇使用大體上為圓柱形的彈 14體14、16來將接點12安裝至外殼18。外殼18又使接點能 夠跨越在待測試之積體電路設備22之引線2〇(當該設備處 於合適之位置時）及與測試器裝置（未圖示）接合的負載板26 上之襯墊24之間的距離。圖2說明安裝四個接點元件之測 δ式座之部分。當然，應理解，此數目並非唯一的。實際 上’典型積體電路將指示使用許多更多的接點，以使得將 120987.doc 200804842 存在至少一接點以在積體電路設備22 <母一引線20與其相 應負载板襯墊24之間提供電信號傳輸。 、 圖2中所說明之接點組更詳細地展示於 ^ 、吗1甲。母一接點

12具備-絕緣薄層28。薄層28又具有應用於其相對侧之每 -者之導電跡線30。跡線30以上覆關係用於絕緣薄層故 至少一部分且自絕緣薄層28之第一末端32延伸至其^二末 端34。圖3說明應用於陶莞絕緣薄層之跡線3〇，其大致 帶36之形式，因此，當積體電路22與包含陣列ι〇的接點= 之上部末端嚙合時.，將在每一積體電路引線2〇與相應負载 板襯墊24之間提供電路徑。此帶36可具有任何寬度或長度 以匹配設備I/O之阻抗。其寬度亦可變化以產生;最‘二 使設備I/O與某一阻抗匹配或代表電感性或電容性元=之 短截線（未圖示）。 應理解，對稱跡線3〇亦將應用於接點絕緣薄層28之另一 側。跡線30之對稱性將提供大體上相同的冗餘。 如圖1中所見，接點與積體電路22之引線2〇之嚙合點為 導電的。類似地，圖與負載板襯墊24之接點12說明為 與陶竞絕緣薄層28具有大體上同樣大之寬度。結果，將以 有效方式經由接點12傳輸信號。此外，在同-接點絕緣薄 層28之相對側上之跡線3()的對稱性將提供與信號傳輸路徑 無關之大體上相同的回應。 所4陶£材料之類型及跡線3()之材料及幾何形狀經選擇 以便達成所要阻抗。在一特定應用中，观姆之阻抗為所 要P抗*線30之形狀及路由可按需要變化以達成所要阻 120987.doc 200804842 抗此外去耦組件38可安裝於接點跡線30上以產生智慧 型接點，該接點將允許產生測試模仿真實世界應用。 此外跡線30在絕緣薄層28上之相對位置將利於容納較 小間距叹備。因&，跡線3〇之特定形狀、尺寸及定向為在 產生接點12時要考慮之因素。 圖1及5以不同的襯墊接合程度說明第二接點實施例陣 列每接點12之安裝類似於安裝先前所論述之實施例時 所使用之安邊。圖4為說明凹人襯塾構造之視圖。圖5為說 明王襯墊介面之視圖。另外，組件與圖i及2中所說明之組 件大體上相同。 圖6說明-系列接點12，其中導電跡線3〇在接點12内 部。亦即，跡線位於接點12中的橫向中央位置，非導電薄 層4〇、4G'將導電跡線3G夾於其間。然而，在跡線30之末端 處提供唾合部分42、44，其大致垂直於由内部跡線％界定 之平面而延伸…橫向部分42由積體電路設備22之引線20 响合’且另-橫向橫向部分4㈣合—相應負載板襯 此接點構造在設計上提供考慮到所要阻抗、良好相互嗜人 之便利性及顯著信號傳輸之變化。如此構造之接點之導電 部分與鄰近接點的導電部分在實體上遠遠地分離。此導致 改良之串擾效能。，，工字梁"構造在結構上穩定且將導致辦 強之機械效能。頂部及底部部分42、44可自邊緣凹入以容 納凹入的設備则線2〇且導致接點能夠倂人全金屬心 中以改良熱電感及接地電感。 另外’圖8及9說明去•禺組件38之應用。前文已論述此實 120987.doc 200804842 施例之構造及優點。 圖7說明根據本發明之接點之另一實施例。在某種程度 上，圖7之接點類似於圖6中所展示之接點。亦即，非導電 薄層40、40,將導電跡線3〇失於其間。然而，實際上，圖7 之接點為圖1及圖6之接點的混合。此係因為中央核心46係 由非導電陶刪提供。將雙跡線3〇、3〇,應用於中央核心 • 46之相對朝向之側，且上覆非導電側組件40、40,以完成接 •.點。然而，在此實施例中，提供用於切穿積體電路設備引 線上之氧化物結構之構件。此構件可呈自導電跡線％、灿 中之-者或兩者延伸之狹長刀片邊緣48、48，的形式。如最 佳在圖7中所見’刀片狀元件48、48，關於跡線3〇、％，向遠 端延伸且由積體電路設備22之引線2〇嚙合。通常，設備引 線20由霧錫製造。當此材料用於引線時，氧化錫可累積， 而減小接點傳輸元件之操作之完整性。由於跡線30、30,之 刀片.邊緣48、48，，將發生穿過氧化錫之極精細蝕刻且不會 • ㉟小信號傳輸的完整性。可增加刀片邊緣尺寸或改變半徑 =調整並控制施加至設備1/〇之力，以在最小限度上穿： 氧化錫而不會對設備I/O引線20產生損傷。 應理解，刀片邊緣48、48，施加壓力至氧化錫的程度為 藉以安裝接點12的彈性體14、16之函數。合適之彈性體將 視積體電路引線之氧化程度及其他因素予以選擇。 將看出，本發明之概念包括使用陶瓷材料以形成傳輪 接點12之—或多個薄層，其中一或多個導電跡線30、30,應 用於非V電陶竟部分。藉由改變跡線之薄層結構、尺寸、 120987.doc •10- 200804842 开y狀及其他特彳政及其他因素，可達成所要阻抗位準。導電 跡線及所涉及的特定構造使接點12能夠用於凹入襯墊設備 或在操作陶瓷薄層時用於金屬外殼。結果，電匹配、電感 串擾以改良。當使用大於空氣之介電材料來電鍵接點 之表面時，可應用所涉及的原理。此外，#改良匹配特性 及至外殼結構中其他接點之極大減少之信號傳播。亦即， 將減少串擾。

應理解’本揭不案在許多態樣巾僅為例示性的。在不超 出本發明之範4的情況下，可在細節上（尤其是關於零件 :形狀、尺寸、材料及配置)進行改變。因此，本發明之 範嘴如在附加巾請專利範圍之語言中所界定。 【圖式簡單說明】 圖1為根據本發明之 ^ ^ “之組接點之一部分的側面正視圖， 5亥組接點跨越在一積夢雷敗供 、電路"又備之相應引線與一與測試器 接合之負載板之相應襯墊之間的間隔且將兩者互連； 圖2為圖1中所說明之部分之透視圖； 圖3為陶瓷薄層接點的側面 u囬止視圖，该接點之一側上鍍 有¥電跡線材料； 圖4為說明一陶瓷接點 葙岡甘士 』您本發明之另一實施例的透 圖、、中阻抗受控的跡線夾於兩個非導電層之間，· 圖5為類似於圖4但說明全概塾介面之視圖； 圖6為類似於圖〗之說明本發 杂 闰丧…、 之弟一男轭例之視圖； 圖7為祝明將積體電路引線食 WL ^ , j 負载板襯墊互連之第三接 點只施例之正視圖； 谈 120987.doc 200804842 圖8為類似於圖2之說明包括一附接的去耦組件之接點之 視圖，且 圖9為圖8之接點之側面正視圖。 【主要元件符號說明】 , 10 接點陣列 12 接點 ^ 14 彈性體 ⑩ 16 彈性體 18 外殼 20 引線 22 積體電路設備 24 襯墊 26 負載板 28 絕緣薄層 30 ^ 30' 導電跡線 • 32 第一末端 34 第二末端 36 帶 40、4(T 非導電薄層 42 嚙合部分 44 响合部分 48、48’ 刀片邊緣 120987.doc -12-

Claims (1)

1. 200804842 、申請專利範圍： 種接點，其跨越—間， 哭梦要、t ^ ϋ亥間隔分離一待藉由一測古式 斋裝置測試之積體電败+ 行精由涮3 合之負#祐 > —引線與一與該測試器裝置接 貝载板之一襯墊且 接點包含： ；在兩者之間提供電通信，該 一絕緣薄層，盆复古 包括一 /、八目對朝向之側及一輪廓，該輪廓 匕枯一可由一積體電路一 _自^ 引線嚙^之第一末端及一與 μ員載板的一襯墊嚙合之第二末端； V電薄層’其覆於該絕緣薄層之至少一部分上且自 :絕緣薄層之該第一末端延伸至該絕緣薄層的該第二末 端； 用於在該絕緣薄層之★女笛 士 a山ΧΛ 4 » *曰t邊弟一末端及該第二末端處擴大 該導電薄層之一厚度的構件；且 其中該導電薄層之末端分別更有㈣由一積體電路之 該引線嚙合且嚙合該負载板的該襯墊。 2· 一種接點，其跨越一間隔，該間隔分離一待由一測試器 裝置測试之積體電路之一引線與一與該測試器裝置接合 之負載板之一襯墊且用於在兩者之間提供電通信，該接 點包含： 一絕緣薄層，其具有相對朝向之側及_輪廓，該輪廓 包括一可由一積體電路之一引線嚙合之第一末端及一與 該負載板的一襯墊嚙合之第二末端； 一第一導電跡線，其覆於該絕緣薄層之一侧上且自該 絕緣薄層之該第一末端延伸至該絕緣薄層的該第二末 120987.doc 200804842 端；及 一第二導電跡線，其覆於該絕緣薄層之另一側上且自 該絕緣薄層之該第一末端延伸至該絕緣薄層的該第二末端。 3·如請求項2之接點，其進一步包含自該第一導電跡線及 :第二導電跡線中之至少一者延伸超出該絕緣薄層的該 第-末端以切穿嚙合該接點之該引線上之氧化物 構件。 4. 如請求項3之接點，其中彈性構件將該接點安裝 殼。 T 5. 如請求項4之接點，其中該絕緣薄層由-陶兗材料製造。 6. 如明求項4之接點’其中該絕緣薄層之該第一末端為— 上部末端’且該絕緣薄層的該第二末端為—下部末端。 7. ^未項6之接點，其中該用於切割之構件包括一自每 ^電跡線延伸的狹長刀片邊緣。 :求貝7之接點’其中該等刀片邊緣大致平行。 員8之接點’其中該等刀片邊緣大致 該接點界定之平面。巾仃於由 ^求項9之接點’其中該等刀片邊緣當由 ㈣合時在當其未由-積體電路之-引㈣合時 的方向中線性移動。 11 _如晴求項& 产）。、 點，，、中该等刀片邊緣近似地延伸（深 12·如請求項 之間。、接點’其中該導電薄層夾於一對絕緣薄層 120987.doc